JP7092807B2 - 電子部品の洗浄および剥離のためのアミドの組み合わせ - Google Patents
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Description
(A)N,N-ジエチルアセトアミド(DEAC)からなる第1の成分と、
(B)3-メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミド(M3DMPA)からなる第2の成分と、
(C)1つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる任意の第3の成分と、から本質的になる溶媒である。
(A)DEACからなる第1の成分と、
(B)M3DMPAからなる第2の成分と、
(C)1つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる任意の第3の成分と、から本質的になる溶媒とフォトレジストを接触させる工程を含む。
(A)式Iの非環式アミドからなる第1の成分であって、
(1)R1およびR2のそれぞれが、独立して、水素またはC1~C4のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、
(2)R3は、C2~C7のアルキル基またはアルコキシ基であり、
ただし、
(a)式Iの非環式アミドが6個以上の炭素原子を含み、
(b)R1および2が同時に水素ではなく、
(c)R3が、C3~C7のアルキル基またはアルコキシ基である場合、R1およびR2は、C1~C3のアルキル基またはアルコキシ基であり、
(d)R3が、C2のアルキル基またはアルコキシ基である場合、R1およびR2は、C3~C4のアルキル基またはアルコキシ基であることを条件とする、第1の成分と、
(B)第2の成分であって、
(1)DEAC、または
(2)M3DMPA、または
(3)N,N-ジメチルプロピオンアミド、または
(4)1つ以上のグリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテート、または
(5)式II~IVのうちの1つ以上の環式アミドのうちの少なくとも1つからなり、
(A)式Iのアミドからなる第1の成分であって、
(1)R1およびR2のそれぞれが、独立して、水素またはC1~C4のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、
(2)R3が、C2~C7のアルキル基またはアルコキシ基であり、
ただし、
(a)式Iのアミドが、6個以上の炭素原子を含み、
(b)R1およびR2が、同時に水素ではなく、
(c)R3が、C3~C7のアルキル基またはアルコキシ基である場合、R1およびR2は、C1~C3のアルキル基またはアルコキシ基であり、
(d)R3が、C2のアルキル基またはアルコキシ基である場合、R1およびR2は、C3~C4のアルキル基またはアルコキシ基であることを条件とする、第1の成分と、
(B)任意の第2の成分であって、
(1)DEAC、または
(2)M3DMPA、または
(3)N,N-ジメチルプロピオンアミド、または
(4)1つ以上のグリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテート、または
(5)式II~IVの1つ以上の環式アミドのうちの少なくとも1つからなり、
米国特許実務の目的のため、任意の参照される特許、特許出願、または公開の内容は、特に定義の開示(本開示に具体的に提供されるあらゆる定義と矛盾しない程度に)および当該技術分野における一般的知識に関して、それらの全体が参照により組み込まれる(またはその同等の米国版が参照によりそのように組み込まれる)。
溶媒
溶媒の調製
溶媒の使用
ポリアミド酸、ポリイミドの前駆体:ポリ(ピロメリット酸二無水物-co-4,4’-オキシジアニリン)、アミド酸(Sigma-Aldrich製、NMP中15~16重量%溶解)。
溶媒
ポリアミド酸溶解:脱イオン水(DI)水を用いて、NMP溶媒から、ポリ(ピロメリット酸二無水物-co-4,4’-オキシジアニリン)、アミド酸、ポリ(3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物-co-p-フェニレンジアミン)、アミド酸およびポリ(3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物-co-4,4’-オキシジアニリン)、アミド酸溶液を析出させる。ポリアミド酸前駆体を、24時間21℃にて乾燥させ、溶解前に水と微量の溶媒を蒸発させる。実施例は、30重量%のポリアミド酸前駆体と70重量%の溶媒から調製される。4時間21℃の状態に保持した後、ポリ(ピロメリット酸二無水物-co-4,4’-オキシジアニリン)、アミド酸の溶解結果、ならびに2時間21℃の状態に保持した後、ポリ(3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物-co-p-フェニレンジアミン)、アミド酸およびポリ(3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物-co-4,4’-オキシジアニリン)、アミド酸の溶解結果を確認する。
結果
本願は以下の態様にも関する。
(1)溶媒であって、
(A)N,N-ジエチルアセトアミド(DEAC)からなる第1の成分と、
(B)3-メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミド(M3DMPA)からなる第2の成分と、
(C)1つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる任意の第3の成分とから本質的になる、溶媒。
(2)前記任意の第3の成分が存在しない、上記(1)に記載の溶媒。
(3)前記任意の第3の成分が存在する、上記(1)に記載の溶媒。
(4) 前記任意の第3の成分が、前記溶媒の前記第1、第2および第3の成分の総重量に基づいて>0~≦20重量%の量で存在する、上記(3)に記載の溶媒。
(5) 前記任意の第3の成分が、エチレングリコールもしくはプロピレングリコールのアルキルエーテルまたはアルキルエーテルアセテートのうちの1つ以上である、上記(4)に記載の溶媒。
(6)
溶媒であって、
(A)式Iの非環式アミドからなる第1の成分であって、
式中、
(1)R 1 およびR 2 のそれぞれが、独立して、水素またはC1~C4のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、
(2)R 3 が、C2~C7のアルキル基またはアルコキシ基であり、
ただし、
(a)前記式Iの非環式アミドが、6個以上の炭素原子を含み、
(b)R 1 およびR 2 が、同時に水素ではなく、
(c)R 3 が、C3~C7のアルキル基またはアルコキシ基である場合、R 1 およびR 2 は、C1~C3のアルキル基またはアルコキシ基であり、
(d)R 3 が、C2のアルキル基またはアルコキシ基である場合、R 1 およびR 2 は、C3~C4のアルキル基またはアルコキシ基であることを条件とする、第1の成分と、
(B)第2の成分であって、
(1)DEAC、または
(2)M3DMPA、または
(3)N,N-ジメチルプロピオンアミド、または
(4)1つ以上のグリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテート、または
(5)式II~IVの1つ以上の環式アミドのうちの少なくとも1つからなり、
式中、R 2 ’が、C5~C9の脂肪族基であり、R 1 ’が、C1~C4のアルキル基またはアルコキシ基であり、環式環の炭素原子が、C1~C2のアルキル置換基またはアルコキシ置換基を有することができるか、あるいは
式中、R 1 ”およびR 2 ”が、水素またはC1~C2のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、R 3 ”が、任意にエーテル結合を含むC2~C4のアルキル基であり、R 4 ”が、水素またはC1~C3のアルキル基もしくはアルコキシ基であるか、あるいは
式中、R 1 ”’が、C5~C9の脂肪族基であり、R 2 ”’が、水素またはC1~C3のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、環式環の炭素原子が、C1~C2のアルキル置換基またはアルコキシ置換基を有することができる、第2の成分と、から本質的になる、溶媒。
(7)式Iの1つ以上の非環式アミドおよび式II~IVの1つ以上の環式アミドから本質的になる、上記(6)に記載の溶媒。
(8)式Iの1つ以上の非環式アミドおよび1つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートから本質的になる、上記(6に記載の溶媒。
(9)式Iの1つ以上の非環式アミドならびにDEAC、M3DMPAおよびN,N-ジメチル-プロピオンアミドのうちの1つ以上から本質的になる、上記(6)に記載の溶媒。
(10)基板からフォトレジストを剥離するためのプロセスであって、上記(1~9のいずれか一項に記載の溶媒と前記フォトレジストを接触させる工程を含む、プロセス。
(11)電子部品または装置の汚染物質を洗浄するためのプロセスであって、前記電子部品または装置上の前記汚染物質を上記(1~10のいずれか一項に記載の溶媒と接触させる工程を含む、プロセス。
(12)フォトレジストを基板から剥離するためのプロセスであって、式Iの1つ以上の非環式アミドから本質的になる溶媒と前記フォトレジストを接触させる工程を含む、プロセス。
(13)
電子部品または装置の汚染物質を洗浄するためのプロセスであって、前記電子部品または装置上の前記汚染物質を、式Iの1つ以上の非環式アミドから本質的になる溶媒と接触させる工程を含む、プロセス。
Claims (7)
- 溶媒であって、
(A)N,N-ジエチルアセトアミド(DEAc)からなる第1の成分と、
(B)3-メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミド(M3DMPA)からなる第2の成分と、
(C)1つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる任意の第3の成分とからなる、溶媒。 - 前記任意の第3の成分が存在しない、請求項1に記載の溶媒。
- 前記任意の第3の成分が存在する、請求項1に記載の溶媒。
- 前記任意の第3の成分が、前記溶媒の前記第1、第2および第3の成分の総重量に基づいて0重量%より多く20重量%以下の量で存在する、請求項3に記載の溶媒。
- 前記任意の第3の成分が、エチレングリコールもしくはプロピレングリコールのアルキルエーテルまたはアルキルエーテルアセテートのうちの1つ以上である、請求項4に記載の溶媒。
- 基板からフォトレジストを剥離するためのプロセスであって、請求項1~5のいずれか一項に記載の溶媒と前記フォトレジストを接触させる工程を含む、プロセス。
- 電子部品または装置の汚染物質を洗浄するためのプロセスであって、前記電子部品または装置上の前記汚染物質を請求項1~6のいずれか一項に記載の溶媒と接触させる工程を含む、プロセス。
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---|---|---|---|---|
WO2009005014A1 (ja) | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Toagosei Co., Ltd. | レジスト剥離剤組成物 |
WO2010090146A1 (ja) | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 出光興産株式会社 | レジスト剥離剤組成物及びそれを用いたレジスト剥離方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4200765A (en) * | 1976-09-17 | 1980-04-29 | National Distillers And Chemical Corporation | Glycol aldehyde and ethylene glycol processes |
US4770713A (en) | 1986-12-10 | 1988-09-13 | Advanced Chemical Technologies, Inc. | Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof |
JP2759462B2 (ja) | 1988-11-11 | 1998-05-28 | ナガセ電子化学株式会社 | 水性剥離剤組成物 |
TW313582B (ja) * | 1994-03-25 | 1997-08-21 | Chisso Corp | |
JP2001056573A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | フォトレジストの剥離方法 |
KR100363271B1 (ko) * | 2000-06-12 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
JP2004029276A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 銅配線基板向け含フッ素レジスト剥離液 |
JP2005181802A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | レジスト剥離液組成物 |
US20080139436A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-06-12 | Chris Reid | Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material |
KR20090121650A (ko) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 |
WO2010118916A1 (en) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Basf Se | Organic photoresist stripper composition |
KR101880306B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2018-07-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 전자재료용 세정액 조성물 |
KR101880308B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2018-07-19 | 동우 화인켐 주식회사 | Tft 제조용 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 tft의 제조방법 |
JP6151484B2 (ja) * | 2012-06-11 | 2017-06-21 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法 |
KR101978521B1 (ko) * | 2012-10-05 | 2019-05-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 갈바닉 부식을 억제하는 포토레지스트 박리액 조성물 |
KR102032321B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-10-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물 |
KR20150139932A (ko) | 2013-04-08 | 2015-12-14 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 폴리머 용액, 폴리머 필름, 적층 복합재, 디스플레이용, 광학용 또는 조명용의 소자, 및 이들의 제조 |
KR20150000183A (ko) * | 2013-06-24 | 2015-01-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물 |
KR102009533B1 (ko) | 2013-09-06 | 2019-08-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조방법 |
KR102091544B1 (ko) | 2014-01-22 | 2020-03-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
JP6231423B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2017-11-15 | 東京応化工業株式会社 | フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法 |
KR20150122956A (ko) * | 2014-04-24 | 2015-11-03 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
KR101586453B1 (ko) * | 2014-08-20 | 2016-01-21 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법 |
JP2016056358A (ja) | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 住友ベークライト株式会社 | ポリアミドの製造方法 |
KR102392062B1 (ko) | 2014-09-11 | 2022-04-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
CN106547177A (zh) * | 2015-09-16 | 2017-03-29 | 东友精细化工有限公司 | 抗蚀剂剥离液组合物、平板显示器基板及其制造方法 |
WO2018058341A1 (en) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | Dow Global Technologies Llc | Sulfoxide/glycol ether based solvents for use in the electronics industry |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009005014A1 (ja) | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Toagosei Co., Ltd. | レジスト剥離剤組成物 |
WO2010090146A1 (ja) | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 出光興産株式会社 | レジスト剥離剤組成物及びそれを用いたレジスト剥離方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA3068808C (en) | 2024-05-07 |
EP3649513A4 (en) | 2021-03-31 |
WO2019006725A1 (en) | 2019-01-10 |
US11016392B2 (en) | 2021-05-25 |
EP3649513A1 (en) | 2020-05-13 |
CN110799906A (zh) | 2020-02-14 |
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US20200150542A1 (en) | 2020-05-14 |
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