JP6783926B2 - 電子工業で使用される溶媒 - Google Patents
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Description
(A)ジメチルスルホキシド(DMSO)およびN−ホルミルモルホリンのうち少なくとも1つからなる第1の成分、ならびに
(B)N,N−ジメチルプロピオンアミド、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミド、N,N−ジメチルアセトアセトアミド、およびN−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも1つからなる第2の成分から本質的になる溶媒である。
(A)ジメチルスルホキシド(DMSO)およびN−ホルミルモルホリンのうち少なくとも1つからなる第1の成分、ならびに
(B)N,N−ジメチルプロピオンアミド、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミド、N,N−ジメチルアセトアセトアミド、およびN−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも1つからなる第2の成分から本質的になる溶媒に接触させる工程を含む。
なお、本明細書には以下の態様の発明も開示する。
[1]
溶媒であって、
(A)ジメチルスルホキシド(DMSO)およびN−ホルミルモルホリンのうち少なくとも1つからなる第1の成分、ならびに
(B)N,N−ジメチルプロピオンアミド、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミド、N,N−ジメチルアセトアセトアミド、およびN−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも1つからなる第2の成分から本質的になる、溶媒。
[2]
前記溶媒の重量を基準として、1〜70重量%の前記第1の成分、および30〜99重量%の前記第2の成分から本質的になる、上記[1]に記載の溶媒。
[3]
前記第1の成分はN−ホルミルモルホリンであり、前記第2の成分は、N,N−ジメチルプロピオンアミドまたは3−メトキシ−N,N−プロパンアミドのうち少なくとも1つからなる、上記[2]に記載の溶媒。
[4]
前記第2の成分はN,N−ジメチルプロピオンアミドである、上記[3]に記載の溶媒。
[5]
前記第2の成分は3−メトキシ−N,N−プロパンアミドである、上記[3]に記載の溶媒。
[6]
前記溶媒の重量を基準として、1〜60重量%の前記第1の成分、および40〜99重量%の前記第2の成分から本質的になる、上記[1]に記載の溶媒。
[7]
前記第1の成分はDMSOであり、前記第2の成分は、N,N−ジメチルプロピオンアミドまたは3−メトキシ−N,N−プロパンアミドのうち少なくとも1つからなる、上記[6]に記載の溶媒。
[8]
前記第2の成分はN,N−ジメチルプロピオンアミドである、上記[7]に記載の溶媒。
[9]
前記第2の成分は3−メトキシ−N,N−プロパンアミドである、上記[7]に記載の溶媒。
[10]
前記溶媒の重量を基準にして、40〜70重量%の前記第1の成分、および30〜60重量%の前記第2の成分から本質的になる、上記[1]に記載の溶媒。
[11]
前記第1の成分は、DMSOおよびN−ホルミルモルホリンのうち少なくとも1つからなり、前記第2の成分は、N,N−ジメチルアセトアセトアミドおよびN−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも1つからなる、上記[10]に記載の溶媒。
[12]
前記第1の成分はN−ホルミルモルホリンであり、前記第2の成分はN,N−ジメチルアセトアセトアミドである、上記[11]に記載の溶媒。
[13]
前記第1の成分はDMSOであり、前記第2の成分はN−メチル−ε−カプロラクタムである、上記[11]に記載の溶媒。
[14]
基板の表面を洗浄または剥離するプロセスであって、前記基板を、
(A)ジメチルスルホキシド(DMSO)およびN−ホルミルモルホリンのうち少なくとも1つからなる第1の成分、ならびに
(B)N,N−ジメチルプロピオンアミド、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミド、N,N−ジメチルアセトアセトアミド、およびN−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも1つからなる第2の成分から本質的になる溶媒に接触させる工程を含む、プロセス。
[15]
前記基板は電子部品であり、前記表面は汚染物質または金属イオンを含む、上記[14]に記載のプロセス。
[16]
前記汚染物質は、ポリ(アミド酸)残渣またはポリイミド残渣である、上記[15]に記載のプロセス。
[17]
前記基板は電子部品であり、表面はフォトレジストを含む、上記[14]に記載のプロセス。
[18]
前記第1の成分はDMSOである、上記[14]に記載のプロセス。
[19]
前記第1の成分はN−ホルミルモルホリンである、上記[14]に記載のプロセス。
米国特許実務を目的として、参照される特許、特許出願、または刊行物の内容は、特に定義の開示(本開示に具体的に提供される定義に絶対に矛盾しない範囲)、およびこの技術分野における一般的知識に関して、これらの文献の全体が参照により本明細書に組み込まれる(または、当該文献に相当する米国特許文献が、したがって参照により組み込まれる)。
本発明の溶媒は、第1の成分および第2の成分から本質的になる。第1の成分は、ジメチルスルホキシド(DMSO)(CAS番号67−68−5)およびN−ホルミルモルホリン(CAS番号4394−85−8)のうち少なくとも1つからなるか、または少なくとも1つから本質的になる。第2の成分は、N,N−ジメチルプロピオンアミド(CAS番号758−96−3)、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミド(CAS番号53185−52−7)、N,N−ジメチルアセトアセトアミド(CAS番号2044−64−6)、およびN−メチル−ε−カプロラクタム(CAS番号2556−73−2)の少なくとも1つからなるか、または少なくとも1つから本質的になる。第1の成分および第2の成分はブレンドを形成し、ブレンドは混和性であってもよく、または混和性でなくてもよい。
本発明の溶媒は、既知の装置および既知の技術を用いて製造される。溶媒の個々の成分は市販されており、大気状態(23℃および大気圧)で液体であり、従来の混合装置および標準的な混合プロトコルを使用して互いに簡単に混合することができる。これらの成分は、同時を含む任意の順序で互いに添加することができる。
本発明の溶媒はエコ溶媒である、すなわち本発明の溶媒は、NMPに関連する毒物学的問題を有していないか、または低いレベルでしか有していない。これらの溶媒は、汚染物質を除去して、基板の表面から汚染物質および他の不所望な物質、特に極性汚染物質および不所望な極性物質を洗浄する、および/または剥離するために有用である。
ポリ(アミド酸)、ポリイミドの前駆体:ポリ(ピロメリット酸二無水物−co−4,4’−オキシジアニリン)、アミド酸(Sigma−Aldrich製、NMP中15〜16重量%に溶解)。
溶媒は、NMP、DMF、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミドなどのHansen溶解性パラメータに従って設計される。これらの市販の溶媒は、強い溶解性をほとんどの電子材料に対して持つ。溶媒は表1に記載されている。
ポリ(アミド酸)溶解:NMP中のポリ(ピロメリット酸二無水物−co−4,4’−オキシジアニリン)アミド酸前駆体の溶液を脱イオン(DI)水または他のNMP不溶液に接触させて前駆体をNMPから抽出する。次に、ポリ(アミド酸)前駆体を54℃で4時間焼成して、試験溶媒との接触により溶解する前に、すべての残留溶媒/液体を蒸発させる。結果は、12時間後に54℃で記録される。
ポリ(アミド酸)溶解:各生成物のポリ(ピロメリット酸二無水物−co−4,4’−オキシジアニリン)アミド酸溶解性の結果を表2に報告する。各実施例および比較サンプル中のポリマーの含有量は20重量%である。性能は、溶液の流動性により判断される。2つの例、N−ホルミルモルホリン/N,N−ジメチルプロピオンアミド、およびジメチルスルホキシド/N,N−ジメチルプロピオンアミドは、低粘度で良好な流動性を示す。N−ホルミルモルホリン/3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミドは、所定の流動性、および適切な粘度を示す。しかしながら、比較サンプルでは、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミドゲルが溶液中に生じ、これはポリマーの過飽和を表わしている。N−メチル−2−ピロリドンの場合、サンプルは流れることができるが、サンプルの粘度は比較的高い。一般に、N−メチル−2−ピロリドン中のポリ(ピロメリット酸二無水物−co−4,4’−オキシジアニリン)アミド酸の溶解性は、市販品に関して15重量%となるようにする必要がある。3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミドの場合、関連する溶解性は比較的低い。したがって、実施例のポリアミド酸の溶解度は、比較サンプルよりも優れている。
Claims (23)
- 溶媒であって、
(A)ジメチルスルホキシド(DMSO)およびN−ホルミルモルホリンのうち少なくとも1つからなる第1の成分、ならびに
(B)N,N−ジメチルプロピオンアミド、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミド、N,N−ジメチルアセトアセトアミド、およびN−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも1つからなる第2の成分から本質的になる、溶媒。 - 前記溶媒の重量を基準として、1〜70重量%の前記第1の成分、および30〜99重量%の前記第2の成分から本質的になる、請求項1に記載の溶媒。
- 前記第1の成分はN−ホルミルモルホリンであり、前記第2の成分は、N,N−ジメチルプロピオンアミドまたは3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミドのうち少なくとも1つからなる、請求項2に記載の溶媒。
- 前記第2の成分はN,N−ジメチルプロピオンアミドである、請求項3に記載の溶媒。
- 前記第2の成分は3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミドである、請求項3に記載の溶媒。
- 前記溶媒の重量を基準として、1〜60重量%の前記第1の成分、および40〜99重量%の前記第2の成分から本質的になる、請求項1に記載の溶媒。
- 前記第1の成分はDMSOであり、前記第2の成分は、N,N−ジメチルプロピオンアミドまたは3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミドのうち少なくとも1つからなる、請求項6に記載の溶媒。
- 前記第2の成分はN,N−ジメチルプロピオンアミドである、請求項7に記載の溶媒。
- 前記第2の成分は3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミドである、請求項7に記載の溶媒。
- 前記溶媒の重量を基準にして、40〜70重量%の前記第1の成分、および30〜60重量%の前記第2の成分から本質的になる、請求項1に記載の溶媒。
- 前記第1の成分は、DMSOおよびN−ホルミルモルホリンのうち少なくとも1つからなり、前記第2の成分は、N,N−ジメチルアセトアセトアミドおよびN−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも1つからなる、請求項10に記載の溶媒。
- 前記第1の成分はN−ホルミルモルホリンであり、前記第2の成分はN,N−ジメチルアセトアセトアミドである、請求項11に記載の溶媒。
- 前記第1の成分はDMSOであり、前記第2の成分はN−メチル−ε−カプロラクタムである、請求項11に記載の溶媒。
- 前記第1の成分および前記第2の成分以外の任意の材料の含有量が、前記溶媒の重量を基準にして、5重量%以下である、請求項1〜13のいずれか一項に記載の溶媒。
- 前記第1の成分および前記第2の成分からなる、請求項1に記載の溶媒。
- 前記溶媒の重量を基準にして、1〜70重量%の前記第1の成分、および、30〜99重量%の前記第2の成分からなる、請求項15に記載の溶媒。
- 前記第1の成分が、N−ホルミルモルホリンである、請求項1に記載の溶媒。
- 基板の表面を洗浄または剥離するプロセスであって、前記基板を、
(A)ジメチルスルホキシド(DMSO)およびN−ホルミルモルホリンのうち少なくとも1つからなる第1の成分、ならびに
(B)N,N−ジメチルプロピオンアミド、3−メトキシ−N,N−ジメチルプロパンアミド、N,N−ジメチルアセトアセトアミド、およびN−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも1つからなる第2の成分から本質的になる溶媒に接触させる工程を含む、プロセス。 - 前記基板は電子部品であり、前記表面は汚染物質または金属イオンを含む、請求項18に記載のプロセス。
- 前記汚染物質は、ポリ(アミド酸)残渣またはポリイミド残渣である、請求項19に記載のプロセス。
- 前記基板は電子部品であり、表面はフォトレジストを含む、請求項18に記載のプロセス。
- 前記第1の成分はDMSOである、請求項18に記載のプロセス。
- 前記第1の成分はN−ホルミルモルホリンである、請求項18に記載のプロセス。
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