JPH0782238B2 - フオトレジスト除去剤 - Google Patents
フオトレジスト除去剤Info
- Publication number
- JPH0782238B2 JPH0782238B2 JP61247671A JP24767186A JPH0782238B2 JP H0782238 B2 JPH0782238 B2 JP H0782238B2 JP 61247671 A JP61247671 A JP 61247671A JP 24767186 A JP24767186 A JP 24767186A JP H0782238 B2 JPH0782238 B2 JP H0782238B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- photoresist
- methyl ether
- remover
- water
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフォトレジストを除去するための、水溶性アミ
ノ誘導体及びプロピレングリコール成分をべースとする
新規な除去剤系に関する。
ノ誘導体及びプロピレングリコール成分をべースとする
新規な除去剤系に関する。
従来の技術 フォトレジストは集積構成部品又は回路板の製造に際し
て、また同様の技術分野でエッチング又はイソプランテ
ーションのような構造化処理用マスクとして使用され
る。その目的に供した後、フォトレジストは一般に再び
除去されるが、これは多くの場合その作用形態に応じて
剥離剤（stripper）又は除去剤（remover）として公知
の薬剤を用いて実施する。
て、また同様の技術分野でエッチング又はイソプランテ
ーションのような構造化処理用マスクとして使用され
る。その目的に供した後、フォトレジストは一般に再び
除去されるが、これは多くの場合その作用形態に応じて
剥離剤（stripper）又は除去剤（remover）として公知
の薬剤を用いて実施する。
この種の系は倒えばW.S.De Foerst著“Photoresist:Mat
erials and Processes"、第203頁以降、Mc.GrawHill Bo
ok Co.社版、New York在、1975年に記載されている。
erials and Processes"、第203頁以降、Mc.GrawHill Bo
ok Co.社版、New York在、1975年に記載されている。
これらの系には例えば塩化メチレンのような塩素炭化水
素：ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン又はモノエタノールアミンのような極性溶剤；エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル又はそのアセテートのようなグリコ
ールエーテル；水酸化テトラメチルアンモニウムのよう
な強塩基；又は硫酸／H2O2混合物のような強酸が含まれ
る。
素：ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン又はモノエタノールアミンのような極性溶剤；エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル又はそのアセテートのようなグリコ
ールエーテル；水酸化テトラメチルアンモニウムのよう
な強塩基；又は硫酸／H2O2混合物のような強酸が含まれ
る。
米国特許第3673099号明細書にはＮ−メチル−２−ピロ
リドンと水酸化テトラメチルアンモニウムのような強塩
基とからなる混合物が記載されている。この種の混合物
は、水を加えた場合、アルミニウム層のような感光性基
板を攻撃することが知られている。フォトレジスト膜を
感光性基板層及び感光性の劣った基板層の双方から除去
するのに適した生成物が所望されている。それというの
もこれらの２種の基板層はしばしば同時に使用されるか
らである。また水酸化テトラメチルアンモニウムは加熱
に際して容易に分解し、従ってこの剥離液は高められた
温度で極めて短い寿命を有するにすぎない。
リドンと水酸化テトラメチルアンモニウムのような強塩
基とからなる混合物が記載されている。この種の混合物
は、水を加えた場合、アルミニウム層のような感光性基
板を攻撃することが知られている。フォトレジスト膜を
感光性基板層及び感光性の劣った基板層の双方から除去
するのに適した生成物が所望されている。それというの
もこれらの２種の基板層はしばしば同時に使用されるか
らである。また水酸化テトラメチルアンモニウムは加熱
に際して容易に分解し、従ってこの剥離液は高められた
温度で極めて短い寿命を有するにすぎない。
米国特許第3796602号明細書には、部分的に水と混合可
能の有機溶剤を含む系が記載されている。しかしこの刊
行物に挙げられているエチレングリコールモノブチルエ
ーテル及びモノアミノ−エタノールのような化合物は毒
物学上問題を有する。更にこれらの化合物は沸点が低い
ことから容易に蒸発し、従って高められた温度で使用す
ることができない。
能の有機溶剤を含む系が記載されている。しかしこの刊
行物に挙げられているエチレングリコールモノブチルエ
ーテル及びモノアミノ−エタノールのような化合物は毒
物学上問題を有する。更にこれらの化合物は沸点が低い
ことから容易に蒸発し、従って高められた温度で使用す
ることができない。
欧州特許出願第0075329号明細書には、２−ピロリドン
の誘導体とジエチレングルコールモノアルキルエーテル
とからなる混合物が記載されている。しかしこの種の化
合物はほとんど活性を有していない。その実施例では例
えば約150℃で後乾操したフォトレジストを除去するた
めに75℃の剥離剤浴温が必要とされている。
の誘導体とジエチレングルコールモノアルキルエーテル
とからなる混合物が記載されている。しかしこの種の化
合物はほとんど活性を有していない。その実施例では例
えば約150℃で後乾操したフォトレジストを除去するた
めに75℃の剥離剤浴温が必要とされている。
欧州特許出願第0145973号明細書にはピペラジン誘導体
及びＮ−アルキル−２ーピロリドンあらなる系が記載さ
れている。有利に使用されるＮ−アミノエチルピペラジ
ンは毒性物として分類され、またＮ−ヒドロキシエチル
ピぺラジンはほとんど効果を有さない。
及びＮ−アルキル−２ーピロリドンあらなる系が記載さ
れている。有利に使用されるＮ−アミノエチルピペラジ
ンは毒性物として分類され、またＮ−ヒドロキシエチル
ピぺラジンはほとんど効果を有さない。
発明が解決しようとする問題点 従って本発明の目的は、低温でもまた高めた温度でも使
用することができ、毒性問題を生じず、水で洗出可能で
あり、感光性基板に対してまったく又はほとんど攻撃性
を示さない、フォトレジスト除去剤を得ることにある。
用することができ、毒性問題を生じず、水で洗出可能で
あり、感光性基板に対してまったく又はほとんど攻撃性
を示さない、フォトレジスト除去剤を得ることにある。
本発明において記載された溶剤系はポジチブに作用する
レジスト及び光重合可能のレジストを除去するのに適し
たものである。アルカリ水溶液で現像することのできる
レジストは本発明の除去剤によって有利に除去される。
レジスト及び光重合可能のレジストを除去するのに適し
たものである。アルカリ水溶液で現像することのできる
レジストは本発明の除去剤によって有利に除去される。
問題点を解決するための手段 本発明のこの課題は、 ａ） 一般式： ［式中R1，R2，R3，R4は水素原子又はアルキル基を表わ
し、ＸはＯ又はNHを表わし、n,mは０〜２を表わし（但
しｎ＋ｍの和は少なくとも２である）、ｏは１〜３を表
わす］で示される少なくとも１種の水溶性アミン10〜10
0重量％、 ｂ） 一般式： ［式中R3，R4は水素原子、アルキル基又は アルキル基を表わし、ｐは１〜３を表わす］で示される
少なくとも１種の水溶性プロピレングリコール誘導体０
〜90重量％からなるフォトレジスト除去剤によって解決
される。
し、ＸはＯ又はNHを表わし、n,mは０〜２を表わし（但
しｎ＋ｍの和は少なくとも２である）、ｏは１〜３を表
わす］で示される少なくとも１種の水溶性アミン10〜10
0重量％、 ｂ） 一般式： ［式中R3，R4は水素原子、アルキル基又は アルキル基を表わし、ｐは１〜３を表わす］で示される
少なくとも１種の水溶性プロピレングリコール誘導体０
〜90重量％からなるフォトレジスト除去剤によって解決
される。
本発明によるフォトレジスト除去剤は、上記各文献の欠
点を有さないことが判明した。個々の成分が少なくとも
180℃の高い沸点を有することから、この剤を高めた温
度で長時間使用する場合にも重量損失は僅かであるにす
ぎないフォトレジスト除去剤を有利に得ることができ
る。Ｎ−（２−アミノエチル）−エタノールアミンとト
リプロピレングリコールメチルエーテルとからなる混合
物が特に有利である。
点を有さないことが判明した。個々の成分が少なくとも
180℃の高い沸点を有することから、この剤を高めた温
度で長時間使用する場合にも重量損失は僅かであるにす
ぎないフォトレジスト除去剤を有利に得ることができ
る。Ｎ−（２−アミノエチル）−エタノールアミンとト
リプロピレングリコールメチルエーテルとからなる混合
物が特に有利である。
水溶性アミン又は水溶性アミンとトリプロピレングリコ
ールメチルエーテルのような高沸点のプロピレングリコ
ールエーテル誘導体とを含む本発明によるフォトレジス
ト除去剤が、室温でも満足な特性を有することは予測で
きなかった。本発明による除去剤は、室温でもまたその
好ましい蒸発特性により高めた浴温でも効果的に使用し
得ることから、本発明の目的にとって特に有利に使用す
ることができる。
ールメチルエーテルのような高沸点のプロピレングリコ
ールエーテル誘導体とを含む本発明によるフォトレジス
ト除去剤が、室温でも満足な特性を有することは予測で
きなかった。本発明による除去剤は、室温でもまたその
好ましい蒸発特性により高めた浴温でも効果的に使用し
得ることから、本発明の目的にとって特に有利に使用す
ることができる。
更にトリプロピレングリコールメチルエーテルとＮ−
（２−アミノエチル）−エタノールアミンとからなる特
に優れた混合物は相乗作用を有することが確認された。
（２−アミノエチル）−エタノールアミンとからなる特
に優れた混合物は相乗作用を有することが確認された。
実地においてはしばしば高温に曝されなかったフォトレ
ジスト膜をも除去しなければならないことから、個々の
成分が160℃又はそれより高い沸点を有する混合物も有
利である。この場合ジプロピレングリコールメチルエー
テルとイソプロパノールアミンとからなる混合物が特に
有利である。これらの系も上記の利点を有する。すなわ
ち室温及び高めた温度で使用することができるが、その
高い蒸発速度によりこれらの除去剤は比較的低い浴温で
有利に使用され、また相乗効果を有する。
ジスト膜をも除去しなければならないことから、個々の
成分が160℃又はそれより高い沸点を有する混合物も有
利である。この場合ジプロピレングリコールメチルエー
テルとイソプロパノールアミンとからなる混合物が特に
有利である。これらの系も上記の利点を有する。すなわ
ち室温及び高めた温度で使用することができるが、その
高い蒸発速度によりこれらの除去剤は比較的低い浴温で
有利に使用され、また相乗効果を有する。
本発明で有利に使用することのできるジプロピレングリ
コールメチルエーテル又はトリプロピレングリコールメ
チルエーテルのようなプロピレングリコールエーテルは
類似のエチレングリコールエーテル生成物に比べて著し
く疎水性であり、従って有機ポリマーに対して良好な可
溶性を有するが、本発明で使用される化合物は残査を生
じることなく水で容易に洗出することができる。
コールメチルエーテル又はトリプロピレングリコールメ
チルエーテルのようなプロピレングリコールエーテルは
類似のエチレングリコールエーテル生成物に比べて著し
く疎水性であり、従って有機ポリマーに対して良好な可
溶性を有するが、本発明で使用される化合物は残査を生
じることなく水で容易に洗出することができる。
その高い有効性にもかかわらず本発明によるフォトレジ
スト除去剤は、アルミニウム層のような感光性基板に対
して攻撃性を有さない。
スト除去剤は、アルミニウム層のような感光性基板に対
して攻撃性を有さない。
アミン10〜90重量％、特に20〜70重量％及びプロピレン
グリコール誘導体10〜90重量％、特に30〜80重量％を含
む混合物が有利である。この割合はイソプロパノールア
ミン及び／又はＮ−（２−アミノエチル）−エタノール
アミン及び、ジ−又はトリ−プロピレングリコールメチ
ルエーテルを使用する場合に特に有利である。
グリコール誘導体10〜90重量％、特に30〜80重量％を含
む混合物が有利である。この割合はイソプロパノールア
ミン及び／又はＮ−（２−アミノエチル）−エタノール
アミン及び、ジ−又はトリ−プロピレングリコールメチ
ルエーテルを使用する場合に特に有利である。
上記の系はその低い毒性の他に極く僅かな臭いを有する
にすぎず、従って例えば開放された浴内でも使用するこ
とができるという利点を有する。
にすぎず、従って例えば開放された浴内でも使用するこ
とができるという利点を有する。
本発明の範囲内で１種又は数種のアミンあるいは、１種
又は数種のアミンと１種又は数種のプロピレングリコー
ル誘導体との混合物を使用し得ることは明らかである。
又は数種のアミンと１種又は数種のプロピレングリコー
ル誘導体との混合物を使用し得ることは明らかである。
フォトレジスト膜を施した基板を常法で浴中で移動させ
るか又は例えば循環ポンプを用いて浴を撹拌することに
よって、浸漬法でフォトレジストを除去する方法は慣用
法であるが、本発明による除去剤はスプレー法又はパド
ル法のような他の方法で使用するのにも適している。
るか又は例えば循環ポンプを用いて浴を撹拌することに
よって、浸漬法でフォトレジストを除去する方法は慣用
法であるが、本発明による除去剤はスプレー法又はパド
ル法のような他の方法で使用するのにも適している。
実施例 次に本発明を実施例により詳述するが、これに限定され
るものではない。
るものではない。
例１〜６ 除去剤の効果を試験するため、集積回路の製造で通常使
用されるフォトレジスト膜を使用した。ジアゾキノン／
ノボラックをべースとする市販のフォトレジスト（AZ13
50J）をシリコン・ウエハ上に4000rpmでスピンコーチン
グし、90℃で30分間乾燥した。膜の厚さ1.8μｍが測定
された。その後基板を200℃で30分間加熱した。
用されるフォトレジスト膜を使用した。ジアゾキノン／
ノボラックをべースとする市販のフォトレジスト（AZ13
50J）をシリコン・ウエハ上に4000rpmでスピンコーチン
グし、90℃で30分間乾燥した。膜の厚さ1.8μｍが測定
された。その後基板を200℃で30分間加熱した。
除去試験は温度80℃の撹拌浴中で実施した。浴中に10分
間浸漬した後、ウエハを脱イオン化水で洗ぎ、レジスト
膜の残りの厚さを測定した。第１表にまとめた結果は本
発明で使用したＮ−（２−アミノエチル）−エタノール
アミン（AEEA）及びイソプロパノールアミン（IPA）の
優れた作用効果を明らかに示している。更にトリエチレ
ンテトラアミンは良好な除去作用を有するが、その毒性
の故にこの化合物は好ましくない。
間浸漬した後、ウエハを脱イオン化水で洗ぎ、レジスト
膜の残りの厚さを測定した。第１表にまとめた結果は本
発明で使用したＮ−（２−アミノエチル）−エタノール
アミン（AEEA）及びイソプロパノールアミン（IPA）の
優れた作用効果を明らかに示している。更にトリエチレ
ンテトラアミンは良好な除去作用を有するが、その毒性
の故にこの化合物は好ましくない。
比較試験で使用したアミンは当モル量で添加した。
例７〜14 次の各例は種々のアミノ化合物の作用効果を試験するも
のである。この場合にも組成物はそれぞれ同じモル量が
存在するように混合した。
のである。この場合にも組成物はそれぞれ同じモル量が
存在するように混合した。
試験条件は実施例１〜６の場合と同じであるが、基板は
160℃で30分間加熱した。浴温は22℃であった。レジス
ト膜の厚さを再び測定した。除去剤浴中での浸漬時間は
10分であった。
160℃で30分間加熱した。浴温は22℃であった。レジス
ト膜の厚さを再び測定した。除去剤浴中での浸漬時間は
10分であった。
第２表にまとめた結果は、Ｎ−（２−アミノエチル）−
エタノールアミン及びトリエチレンテトラアミンの除去
作用が22℃でも優れていることを示す。この場合イソプ
ロパノールアミンとトリプロピレングリコールメチルエ
ーテル（TPM）との組合わせは好ましくないことを示す
が、イソプロパノールアミンとジプロピレングリコール
メチルエーテルとからなる混合物は室温で良好な特性を
有する。
エタノールアミン及びトリエチレンテトラアミンの除去
作用が22℃でも優れていることを示す。この場合イソプ
ロパノールアミンとトリプロピレングリコールメチルエ
ーテル（TPM）との組合わせは好ましくないことを示す
が、イソプロパノールアミンとジプロピレングリコール
メチルエーテルとからなる混合物は室温で良好な特性を
有する。
例15〜20 例１〜６に記載したようにしてＮ−（２−アミノエチ
ル）−エタノールアミンとトリプロピレングリコールメ
チルエーテルとからなる種々の混合物を試験した。基板
を200℃で30分間加熱した。浴は80℃の温度を有してい
た。
ル）−エタノールアミンとトリプロピレングリコールメ
チルエーテルとからなる種々の混合物を試験した。基板
を200℃で30分間加熱した。浴は80℃の温度を有してい
た。
４分間の浴浸漬時間で得られた結果を第３表にまとめ
る。この条件では各フォトレジスト膜は今だ完全には除
去されないが、Ｎ−（２−アミノエチル）−エタノール
アミンとトリプロピレングリコールメチルエーテルとの
相乗効果は、不完全に除去されたフォトレジスト部のレ
ジスト膜の厚さを測定することによって明らかに示され
ている。Ｎ−（２−アミノエチル）−エタノールアミン
51重量％とトリプロピレングリコールメチルエーテル49
重量％とからなる混合物は最良の組成物であることが判
明した。
る。この条件では各フォトレジスト膜は今だ完全には除
去されないが、Ｎ−（２−アミノエチル）−エタノール
アミンとトリプロピレングリコールメチルエーテルとの
相乗効果は、不完全に除去されたフォトレジスト部のレ
ジスト膜の厚さを測定することによって明らかに示され
ている。Ｎ−（２−アミノエチル）−エタノールアミン
51重量％とトリプロピレングリコールメチルエーテル49
重量％とからなる混合物は最良の組成物であることが判
明した。
例21〜24 例15〜20に記載したようにして、イソプロパノールアミ
ンとジプロピレングリコールメチルエーテル（DPM）と
の間の相乗効果を測定した。これらの例でも除去剤浴中
での浸漬時間は、測定可能のレジスト膜が基板上に残存
するように選択した。
ンとジプロピレングリコールメチルエーテル（DPM）と
の間の相乗効果を測定した。これらの例でも除去剤浴中
での浸漬時間は、測定可能のレジスト膜が基板上に残存
するように選択した。
第４表にまとめた結果は、混合物がイソプロパノールア
ミン22.5重量％及びジプロピレングリコールメチルエー
テル77.5重量％より成る場合に最適の効果が達成される
ことを示す。
ミン22.5重量％及びジプロピレングリコールメチルエー
テル77.5重量％より成る場合に最適の効果が達成される
ことを示す。
例25及び26 これらの例ではアルミニウム層に対する除去剤の作用
を、例15及び21による組成物を80℃の温度に加熱し、ア
ルミニウムで被覆されたウエハに30分間作用させるとに
よって試験した。アルミニウム層への攻撃は認められな
かった。
を、例15及び21による組成物を80℃の温度に加熱し、ア
ルミニウムで被覆されたウエハに30分間作用させるとに
よって試験した。アルミニウム層への攻撃は認められな
かった。
例27〜30 除去剤の作用効果を試験するため水性アルカリ現像剤で
現像可能でありまた回路板の製造で通常使用される光重
合可能のフォトレジストを使用した。市販の乾燥レジス
ト［オザテック（Ozatec）(R)T138、Hoechst AG社製］
を115℃で、銅メッキした積層板に接合し、5KWのハロゲ
ン金属ランプで60cmの間隔を置いていて８秒間露光し、
温度30℃の１％Na2CO3水溶液中で70秒間現像した。
現像可能でありまた回路板の製造で通常使用される光重
合可能のフォトレジストを使用した。市販の乾燥レジス
ト［オザテック（Ozatec）(R)T138、Hoechst AG社製］
を115℃で、銅メッキした積層板に接合し、5KWのハロゲ
ン金属ランプで60cmの間隔を置いていて８秒間露光し、
温度30℃の１％Na2CO3水溶液中で70秒間現像した。
除去試験は温度50℃の攪拌浴中で実施した。10分後、第
５表にまとめた結果が得られた。レジストは希釈しない
除去剤及び水で希釈した除去剤の双方で除去された。
５表にまとめた結果が得られた。レジストは希釈しない
除去剤及び水で希釈した除去剤の双方で除去された。
Claims (5)
- 【請求項１】ａ） 一般式I: ［式中R1，R2，R3，R4は水素原子又はアルキル基を表わ
し、ＸはＯ又はNHを表わし、n,mは０〜２を表わし（但
しｎ＋ｍの和は少なくとも２である）、ｏは１〜３を表
わす］で示される少なくとも１種の水溶性アミン10〜10
0重量％、 ｂ） 一般式II: ［式中R3，R4は水素原子、アルキル基又は アルキル基を表わし、 ｐは１〜３を表わす］で示される少なくとも１種の水溶
性プロピレングリコール誘導体０〜90重量％からなるこ
とを特徴とするフォトレジスト除去剤。 - 【請求項２】イソプロパノールアミン又はＮ−（２−ア
ミノエチル）−エタノールアミン及びジ−又はトリプロ
ピレングリコールメチルエーテルからなる、特許請求の
範囲第１項記載の除去剤。 - 【請求項３】アミン10〜90重量％及びプロピレングリコ
ール誘導体10〜90重量％を含む、特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の除去剤。 - 【請求項４】アミン20〜70重量％及びプロピレングリコ
ール誘導体30〜80重量％を含む、特許請求の範囲第３項
記載の除去剤。 - 【請求項５】個々の成分の沸点が少なくとも180℃であ
る、特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１
項記載の除去剤。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3537441.1 | 1985-10-22 | ||
| DE19853537441 DE3537441A1 (de) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | Loesemittel zum entfernen von photoresists |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295531A JPS6295531A (ja) | 1987-05-02 |
| JPH0782238B2 true JPH0782238B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=6284093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61247671A Expired - Fee Related JPH0782238B2 (ja) | 1985-10-22 | 1986-10-20 | フオトレジスト除去剤 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4765844A (ja) |
| EP (1) | EP0219789B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0782238B2 (ja) |
| KR (1) | KR940007792B1 (ja) |
| DE (2) | DE3537441A1 (ja) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0221428B1 (de) * | 1985-10-28 | 1989-11-23 | Hoechst Celanese Corporation | Behandlungsflüssigkeit für ein Photoresistgemisch und hierfür geeignetes Verfahren |
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- 1986-10-13 EP EP86114147A patent/EP0219789B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-20 US US06/920,665 patent/US4765844A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-20 JP JP61247671A patent/JPH0782238B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1986-10-21 KR KR1019860008809A patent/KR940007792B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0219789A2 (de) | 1987-04-29 |
| JPS6295531A (ja) | 1987-05-02 |
| DE3537441A1 (de) | 1987-04-23 |
| EP0219789A3 (en) | 1988-03-16 |
| DE3683982D1 (de) | 1992-04-02 |
| US4765844A (en) | 1988-08-23 |
| KR870004335A (ko) | 1987-05-08 |
| KR940007792B1 (ko) | 1994-08-25 |
| EP0219789B1 (de) | 1992-02-26 |
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Legal Events
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