JPH01502059A - フォトレジストストリッパー組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 フォトレジストストリッパー組成物 発明の背景 １．産業上の利用分野 本発明は改良されたレジスト剥離（ストリッピング）用組成物及び該剥離用組成 物を用いる基板からのレジストの剥離方法に関し、そしてより特にはラクトン又 はラクタムを主成分とし且つ第４級アンモニウムハイドロオキサイドを少量成分 として含有するレジスト剥離用組成物及び該組成物を用いる基板からのレジスト の剥離方法に関する。

２、先行技術の説明 基板にエツチング、イオン注入、金属析出等？：宮めたパターン形５の様な処理 を施丁間、基板、例えばマイクロエンクトロニクス製造用つエノ・−１の選ばれ 友領域を保護するのにさ萱ざ１の型のレジスト材料が使用されている。この工程 が完了すると、レジスト材料を基板から除去する必要がおる。この工程は一般に ストリツ／ぐ一溶剤組成物を使用して行なわれる。ストリツ、（−がレジストを 完全に、即ち残渣を一切残さずに除去し、且つこれが基板に損１！を起こ丁可耗 性のおるこすり洗い又は類似した研磨手段を必要とせずに連取されることが必要 である。剥離用組成物には基板の腐食を起したつ又は如何なる点でも基板に有害 な影響を起こす可能性のある物質が含でれないことも必要である。

先行技術では多株多殊なストリッパー組成物が開示されている。即Ｓ）１種又は ２種以上の成分例えばハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、テトラクロロエチレ ン）フェノール及びフェノール性化合物、グリコールエーテル、ケトン（アセト ン、メチルエテルケトン）ジオキサン、スルホン酸等を含有するストリッパー組 成物が既に記載されている。これらのさまざ１の薬剤は１種又は２種以上の欠点 、例えばそれに＠される作業者に対する潜在的毒性、使用後の廃棄上での環境及 び汚染問題、揮発性、装置の腐食及びストリッパーの引火点以上の温度での操作 の危険性等を有している。

更に、高温の後処理ベーキング又は硼素イオン等を用いるイオン注入及び短波長 紫外嚢照射等の方法を用いるパターン形成の様な処理を受けたレジストは、高度 に架橋しており、当業界で従来使用されている殆んどの有機溶媒ストリッパーに 溶解させるのが極めて姫かしい。か＼るレジストを剥離するために高温でフェノ ール性又は塩素化炭化水素浴謀を使用するといった危険な手段がこえ迄用いられ てい友。剥離を実施する技術者にとってかなり有害でありでた生成した廃棄物の 廃棄上汚染及び環境問題を生ずる可能性があることから、かかる極端な方法は明 らかにＡ１しくない。

ある糧の溶媒例えばピロリドン、Ｎ−置換ピロリドン、ブナロラクトン及びカプ ロラクトンと、夕景の第４？ｉｉア／モニクムハイドロオキサイドの組合わせが 上記の種類の高置架橋レジスト用ストリッパーとして極めて有効であり、且つこ れらの組合わぜの使用を工かかるレジストのｌｊ離にこれ迄使用さｌｒしたフェ ノール性及び塩素化炭化水素ストリッパーに付随してＡる諸問題と年縁であるこ とが今や見出さｔた。

活１ｆＪｔ分としてピロリドン例えばＮ−メチルピロリドン単独有する多数のｆ Ａ底物が特許に記載されている。代表四には米国４！Ｆ許第３，６７３，０９９ 号は基板から硬化した樹脂例えばシリコーン及びポリビニルシンナメートを除去 するストリンパ−組底物ケ記載している。この組成物はＮ−メチル−２−ピロリ ドンと強塩基の、場合によってはエチレングリコールモノエチルエーテルの混合 物から成る。米国籍許第４，２７６，１８６号は基板例えば集積回路キャリヤか らの汚染祷質例えばＩ・ンダ耐剤除去用の、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びア ルカノールアミンから氏る厄匡′＠を開示している。

米国荷許男４，４２８，８７１号は、豹５５乃至８０重霊チのピロリドン又はあ る種のＮ−置換ピロリドンと約２０乃至４５３！ｆｔ％のジエチＶングリコール モノアルキルエーテルの混合物であるストリッパー組成＠を記載している。ポジ ｍｖシスト用ストリッパーとしてＮ−メチルピロリドン単独では有効でなく且つ 該特許に開示された混合物が成分のいずれかを単独に使用した時よりもより有効 であることが記載されている。該特許の開示及び笑験データはポジ稟フォトレジ ストの剥離に限定されている。ストリッパー組成物は約７５０以下で有効である と該明細書中で明記されているが、データの大半は７５℃で冥施されていて、僅 か３つの例外的データがそれぞれ２５℃でのものである。この３つの冥験のり５ １件のみがフォトレジストの１００％除云をもたらしている。

更にすべてのデータは１５０℃で４５分乃至１時間ベーキングしたフォトレジス トについて行なわれている。より高い温度でベーキングしたフォトレジストにつ いてのデータは示されていない。実＠操作では、前述した方法を用いて基板にパ ターン形＃：を行なう操作中に、フォトレジストはしばしば１５０℃を是かに上 −る温度、場合によっては２２０℃という高い温度にさえも曝される。

Ｅｇ外ｄｚ等の米国特許第４．０７８，１０２号はアルデヒド又はケトンと混合 した無５！塩基のアルコール住浴ｇを用いる基板からのレジストの剥離万ｆ：を 対象としている。

水酸化カリウムとテトラメチルアンモニクムハイドロオキサイドを用いてＶシス ト層を除去できることが簡単に言及（第４横４〜６行）されているが、これらの ＠質の具体的使用態様は明記されていない。

Ｚ％ｂａｒの米国特許第４，２０２．７０３号はおる糧のレジストの−１１１１ にテトラメチルアンモニクムハイドロオキサイドのアルコール性溶液の使用を教 示している。好ましい操作方法ではレジストを熱い（１１０−１２５℃）溶媒で 前処理し、１，１．１−）リクロロエタンでの後すすぎを行なって２つ、第４級 アンモニウムハイドロオキサイド溶液だけの処理では満足すべき剥Ｉ１１を連取 するのに元方でないことを示している。

５ｔｔａ％ａｋｙの米国特許第４．６１７．２５１号はおる糧のアミンと有機極 性溶媒、これはＮ−メチルピロリドンとなり得る、の混合物を用いるポジ型レジ ストの剥離方法を記載している。この方法は約１５０℃以上の温度で後処理ベー キングされたレジストの籾層に有効であるとされている。実施例２１はレジスト 像の現像液としての水性テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの使用を 示している。

発明の構成 基板を損傷せずに、周囲温度（室＠）又は周囲！度に近い温度で、基板から迅速 にレジスト材料を除去するのに有効なレジストストリッパー粗氏物乞提供するこ とが本発明の目的である。

処理を受けた処理温度及び／又に処理条件のために周囲温度又蚤；昇温下では有 機極性溶媒を用いるレジストの剥離が極めて困難なレジスト冴科を基板から除去 するのに有効なレジストストリッパー組成物を提供することが本発明の琳２の目 的である。

これを扱う操作者に対して危疫な目立った毒性を一切有していないか、又は使用 後の組＃：物の究極的廃棄にエコロジー的性質の好１しからざる問題を生じない レジストストリッパー組成物を提供することが本発明の第３の目的である。

これらの目的及び以下の記載から明らかとなるその他の目的は、 （ａ）　ブチロラクトン、カプロラクトン及び式：（但し、Ｒは水素、低級アル キル、シクロアルキル及び置換シクロアルキルから成る群から選ばれたものであ る）のピロリドンから底る群から選ばれたｌの成分；と（但し、Ｒ，、Ｒ，及び Ｒｓはアルキルを表わし、そしてＲ４はアルキル、ヒドロキシアルキル及びアラ ルキルから氏る群から選ばれたものである） の第４？ｉｉアンモニワムハイドロオキサイドの混合物であって、成分（ｔｚ） が該混合物の三成分でろう、成分（６）が約２乃至約２５重ｔ％の量で存在し、 外部から添加した水が無いことを特徴とする本発明のストリッパー組成物によっ て連取される。

また本発明は本発明のフォトレジスト除去用組成物の作用によって基板から有機 高分子フォトレジストン除去する方法にちる。

ここで使用する用語°アルキル”は、例えばメチル、エチル、フロビル、ブチル 、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル及びその異性形を含めた、 １乃至１２個の炭素原子のアルキル基を意味する。用語１低級アルキル”とは１ 乃至６個の炭素原子を有するアルキル基を意味する。

用語１ヒドロキシアルキル”はヒドロキシ基で置換された上記で定義したアルキ ルを意味する。

ここで使用する用語１アラルキル”は少なくとも１個の水素原子がアリールでｆ ｌｉ換されている上記で定義した低級アルキル基を意味する。アラルキルの例は ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、ナフチル−メチル、ベンズヒドリル 等である。

ここで用いる用語１シクロアルキル”はシフロブｆｋ、シクロペンチル、シクロ ヘキシル、シクロヘプチル及ヒシクロオクチルを箸休する。用語°置換シクロア ルキル２は１個又は２個以上の極性基例えばとドロキシで置換されたシクロアル キルを意味する。

本発明の組成物と方法は、当業者に仰られている多種多様な基板からの多種多様 なレジスト材料の剥＠に使用できるが、マイクロエレクトロニック回路の製作に 使用されるウェハーからのポジ型フォトレジストの剥Ｐｌに使用するのに脣に適 している。このような基板の例にはその面が酸化珪素、アルミニウム、アルミニ ウムと銅等の金属との合金、クロム、クロム合金、窒化珪素等の層を形＃：する よう処理されたシリコンウェハーがある。

発明の詳細な記載 上で述べたように、本発明の組成物は三要活性匡分として上述の式（１）の揖４ 級アンモニウムハイドロオ番サイドと（ａ）式（１）のピロリジン、ブナロラク トン及びカプロラクトンから選ばれｔｌとを含む。後者の化合物が常に混合物の 王氏分であり、式（１）の化合物は、氏分仏）の成分（６）に対する重量比が一 般にＦＩ５０：１乃至約４：１の範囲にろる様に、少ｆ氏分として存在している 。従って本発明の組＃：物が希釈剤、例えば下記に例示する極性有磯溶哀、が無 い場合には、成分（、ｚ）は一般に混合物中に約７０乃至９８重ｆ％に対応する 量で存在し、式（鼠）の化合物は約２乃至約２５重酋チに対応する蓋で存在させ る。混合物の残余が存在する場合、それは少量の任意的成分でろり、これについ ては下記する。

式（１）を有する化合物の代表例はテトラエテルアンモニウムハイドロオキサイ ド、テトラエテルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエテルアンモニウム ハイドロオキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロオキサイド、エテル トリメチルアンモニクムハイドロオキサイド、テトラヘキシルアンモニクムノ１ イドロオキサイド、ベンジルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、デシ ルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド等である。所望なら２種以上のか かる化合物を混合して使用できる。

不発明の好ましい組成物は成分（Ｃ＆）がＮ−メチルピロリドンである組成物で ちる。不発明の特に好ましい組成物は取分（ａ）がＮ−メチルピロリドンであり 且つ式（１）の化合物がテトラメナルアンモニウムノ・イドロオキサイド又はテ トラエテルアンモニウムハイドロオキサイドである組成物である。これらの好ま しい組成物では、Ｎ−メチルピロリドンの式（Ｉｔ）の化合物に対するａｔ比は 好１しくは約４９：１乃至約９：工程度、そしてより好１しくは約２５：１乃至 約１５＝１である。

本発明の組成物には上記主要取分以外に、界面活性剤、希釈剤及び他の添扉剤を 包含するさでざ１の任意的取分を存在させ得る。

本発明の組ｇ、物に使用される界面活性剤は一般に非イオン型であって、剥離工 程完了後、組成物の水洗除去能ン同上させるのに邑業者が通常使用しているいず れｔも包含しうる。かかる界面活性剤の代表例はポリ（アルキレンオキシド）、 ポリアルコキシル化アルコール等でおって、ローム・アンド・ハースかも商品名 Ｔｒｉｔａ＊Ｘ−４０５として、そしてユニオン・カーバイド・コーポレーショ ンから商品名Ｔａｒｇｉｔｏｌ　ＨＰ　ｌ　Ｏとして入手できるものがそれらの 代表例である。かかる界面活性剤は一般に、本発明の組成物の約０．１乃至約５ ．０重量チの範囲の童で使用する。驚くべきことには、上述の種類の非イオン界 面活性剤のかなりのものが、本発明の組成物に使用した時に、不発明の組＃：物 の剥離速度を着るしく増ｍさせる、即ちこれらの界面活性剤が如何なる場合でも レジストを剥離するのに要する全坏的時間を顕著に減少させるのに役立つことが 見出された。この剥離速度促進性を有していることが見出された界面活性剤の代 表例はポリアルコキシル化アルコール例えばポリエトキシル化アルカノールであ り、これ會−二二号ノ・カーバイド・コーポレーションから商品名Ｔ−デｇｉｔ ｏ１Ｍｉ％ｉ１０αｍＩＸとして入手できる。これらの速度向上用界面活性剤は 組成物の一般に全１重の約１乃至Ｆ１１０重量％の、セして好１しくは約３乃至 約５１ｔ％の範囲の量で使用する。

任意的であるが、本発明の好ましい態様では、本発明の組Ｈ，ｑＩ！Ｊがレジス トと剥離すべき金属性基板例えば銅、アルミニウム号’ｖｗ丁可能性ン少くする か阻止するのに役立つ龜加剤も存在さぜる。この目面で使用できる金属腐食防止 剤の代表例はホスフェートエステル例えばジョメタ珪ｔＲｃＨ，：Ｅｓ０ｓ）等 である。これら添仄剤は本発明の組成物に、好１しくは組成物の全重量の約０． １乃至約５．０重量チ、そしてＬり好１しくは約１乃至、ｆ３１．５重量Ｓ存（ ｌＥさせる。

本発明の組成物に１棟又は２種以上の希釈剤も含有させ得る。但しその希釈剤は 腐食性を有して２５ず、基板を菅さず、目二つ程の毒性又は環境上の危険乞有し て２ラス、如何なる点でもレジストストリッパーとして本発明の組成物の効力乞 そこなわないものでおることを要する。かかる希釈剤は本発明の＆Ａ匠吻の全Ｎ ｆの約８５ｘｔ％以下の童で本発明の組成物に存在さぜることができる。特定さ れｆｃ場合に使用されるか＼る希釈剤の実際量は特定されたレジストの剥離の難 易度に促って変る。

か＼る希釈剤の代表例は極性有機＠媒例えばグリコール、これはエチＶングリコ ール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコ ール、テトラプロピレングリコール等で代表されている、グリコールモノアルキ ルエーテル例えばジエチＶングリコール及びジプロピレングリコールのモノメチ ル、七ノエチル、モノプロピル及びモノヘキシルエーテル；クリコールエステル 例えばエチレンクリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート等 ：及びグリコールエーテルエステル例えば２−エトキシエチルアセテート（セル ソルブアセテート）、２−ブトキシエテルアセテート（ブナルセルソルブアセテ ート）等がろろ。これら希釈剤は使用希釈剤の合計賃が上記の範囲内にあれば、 単独でも２棟以上の混合物でも使用出来る。

本発明の組成物で使用する好ましい希釈剤はジプロピレングリコールのモノ低級 アルキルエーテルでみる。ジプロピレングリコールのモノメチルエーテルが特に 好ましい希釈剤である。

は基板からの刺能が困ａ７１：高度に架橋したレジス）ｔＩ！０：ｆｉに包含し た多種多様なレジストのいずれのｆ１１６にも本発明の岨ｇ物が使用できる。従 ってレジストの剥離は以下の諸工程を含む一部プロセスの最終の工程でちる。基 板を先ずレジストの層で伝覆し、適切なマスクを用いて化学線照射を行ない、次 に未露光の材料（ネガ型レジストの場合）又は露光した材料（ポジ型レジストの 場合）％！：適切な現像液を用いてフォトレジスト層に像を形成する。

形成したフォトレジスト像ｆｔ有する基板は一般に約２２０℃以下の後処理ベー キング又は上述の当業界で却られた熱硬化処理を行ない、その後、エツチング、 イオン注入ドーピング、金属析出等の当業者に苅られたいずれかの方法でパター ン形成？行なう。パターン形成の工程は約１８０℃又はそれより高くなるような 昇温温度にレジスト材料をさら丁ことも伴なうものである。最後に、不発明の剥 離用組成物乞用いて基板からレジスト材料を刊能する。

このレジスト材料剥離は、多くの場合、はソ周囲温度の温度（Ｆ１２０−２５℃ ）で、分単位で算えらねる比較的短かい時間で、違収できる。然し、所望によっ てはレジストの剥ｇＩを短時間即ち約１０分のオーダーで行なうのに約１４５℃ 迄の昇温温度も用い得る。特定の場合にストリッパー組成物を使用する的確な温 度と時間は、後処理ベーキング及び／又は他のレジスト硬化法及び／又はパター ン形ｇ時にレジストが１１１＆′：！−れ友温度に王とじて左右される。とにか く＠離の温度はストリッパー組成物の引火点よりも低い必要がある。

除去すべきレジストとストリッパー組成物との接触方法は臨界的では無い。好１ しくは、レジストと基板に、通切な温度に保つ１こストリンパ−組成物を散布す るか又はレジストと基板乞上記のストリッパー組成物の浴中に浸漬することであ る。完全に刺漸したかは基板ｔ、必要によっては顕微鏡等を用いて、眼で観察し て容易に判定できる。

剥離操作が完了後、ストリッパー組成物は水浴性か又は水と混り合うので、残留 ストリッパー組成物を除去するために基板２水又は界面活性剤の冷水浴液で洗う 。

不発ＦＡＫよって、剥離できる多種多様なレジストの代表例は、ポジ型レジスト 、これは一般には尤増感剤例えば１−万ぞソー２−シアシナ７トキノンー５−ス ルホン酸と組合わくたノボラック街脂、ポリアクリルアミド又はアクリル系共重 合体から成る；ネガ型レジスト、これは一般には遊離基形成用光開始剤及び光瑠 感剤と組合せたポリビニルシンナメート及びスチレン−無水マレイン酸から氏ろ ；及び他の型のレジスト例えばポリオレフィンスルホン系街脂、これは米国特許 第４．５１３，０７７号に６己Ｉ？！されたものが典型でおる、でおる。

本発明のストリッパー組成物はポジ型フォトレジストの剥離に特に好適であり、 ポジ型フォトレジストはマイクロエレクトロニクスの用途で高解像度の複雑な形 状のものの製造に最も広く使用されている種類のフォトレジストである。

本発明の刺離用＠底物は当業界でこれ迄使用されているものに比して多くの特長 を有する。即ち、基板又はレジストを基板上に置いて形成した回路等？損なわず に、本発明の組成物は金部製又は他の基板から各種のレジスト′ｌｔ刺離できる 。木組＃：物はこれを取扱う従業者に対して有害な目豆りだ毒性を有していない 。木組放物は水と混り合い、従ってレジスト剥離操作完了後、容易に基板から洗 い去れる。周囲温度では従来の溶媒を用１ハでは通常剥離し皇いものも富めてレ ジストが、２０−２５℃の程度の、即ち昇＠乞必要としない浴操作＠度で、数分 程度の極めて短時間に１４１！できる。刺岨用浴は安定でろって、その効力２失 わずに長期間にわたり何回も今使用できる。

さらに本発明のストリッパー組＃：物は殆んどの場合、室温又は室温に近い温度 で有効使用されるので、広い範囲のエンジニアリング材料例えば低い熱流Ｓ温度 のプラスチックス等ｔレジスト刊離用浴及び付属装置例えばダクト配管等の設備 に用いられる。業界でこれ迄使用されている剥離用組成物はより高い操作温度を 必要とし、浴媒の揮発を伴ない多くの場合ダクト配管及び他の装置の腐食？結果 的に惹起し、剥離用浴の好でしからざる汚染を起こす可能性がある。異なる揮発 度を有する２種以上の成分の組＃：′４！ｌＪの場合、ス）　リッパ−の運発乞 生じる温度での操作が剥離用浴の組成の変化も起こす。

以下の実施例は本発明の実施に現圧最過と考えられる不発明の組成物と方法の付 足のｍ３５ｉを例示するものであって、本発明１８！ｌ−限定するためのもので は無い。

実施例１゜ 次の成分を混合して不発明のストリッパー組成物乞調Ｎ−メチルピロリドン　８ ７．５ 界面活性剤（Ｔｒｉｔｏ％Ｘ４０５　）１５．０エチＶングリコール　２．５ １）ローム・アンド・ハース製 上記組成物の一部を次の様な４５１の異なった処理を行なったフォトレジストの 剥離に用いた。

（８）市場で入手でざるポジ型フォトレジスト系（ＵＬＴＲＡＭＡＣ１ｔｔｃ　 Ｊ’　Ｒ９１４：　マクダーミツド　インコーホレーテッド、クォータバリー、 コネティカット州〕を用いてシリコンウェハー上にフオ）Ｌ／シスト′ｌｔ像化 した。フオ）Ｌ／レジスト像現９後、１６０Ｃで１時間ベーキングした。第２の レジスト像は全く同一の方法で基板としてアルミニウムで被優したシリコンウエ ハ−を用いてつくった。

（ｂ）シリコン及び、アルミニウム被覆シリコンウェハーの両方Ｋ（ａ）と同一 の方法でつくったフォトレジスト像を有するウェハー、但し２５０℃で１時間、 後処理ベーキングした。

（ｅ）　（ａ）の記載と同一の方法で調製し、ベーキング後処理後、＆ｌｌ累注 入を行なったフォトレジスト像を有するシリコンウェハー。

（ｄ）　（ｃＬ）の記載と同一の方法で調製し、１８０℃で３０分、後処理ベー キングし、次に４００ワツトで２分２０秒プラズマエツチングした、フォトレジ スト像を有するシリコンウェハー。

それぞれの場合、レジストと基板を７５℃のストリッパー組成物の浴に浸漬し、 レジストが完全に名にする迄に要する時間を測定した。所要時間は次の通りでめ った：１＝両基板について同一の時間 実施例２゜ 次の取分の混合で本発明のストリッパー組成物を調製した。

区　分　重量部 Ｎ−メチルピロリドン　８７．５ Ｔｅｒｇｉｔｏｌ　Ｍｉｎｉｆｏａ、ＬＩ　Ｘ　１５．ＯＴｗｉｔ・・Ｘ４０５ 　２．５ １：界面活性剤、浸透剤、ポリエトキシル化アルヵノールニニニオン・カーバイ ド・コーポレーション製 上の組成物の一部を実施例１記載のレジスト（ａｌ〜（ｄ）の複製品からのレジ ストの剥離に用いた。いずれの場合もレジストと基板を７５℃のストリッパー組 成物の浴に浸漬し、レジストの完全剥ａＫ要する時間乞測定した。所要時間は次 の通りであった： １：両基板について向−の時間 （ａ）及び（ｂ）のアルミニウム被覆ウェハーの場合、アルミニウム上に若干の 損傷が認められた。

実施例３゜ 実施例２に記載の成分と割合を用いて本発明のストリッパー組成物を調製した。

かくして得た混合物に組成物１ガロン当り１２相当の童でメタ珪酸を加えた。

実施例４゜ 次の取分の混合に依り本発明のストリッパー組成物を調製した。

ロオキサイド Ｎ−メチルピロリドン　８７，５ Ｔｅｒｇｉｔｏｌ　Ｍｉｘｉｆｏａｔｎ　ＩＸ５．０Ｔｒｉｔｏ％Ｘ４０５　１ ．０ Ｊｏｒｄａｐｋｏａ　１ｃＡｏ’　１．５ン・ケミカル社製 上の＠酸物の一部を実施例１に記載のレジス）　（ａ）〜（ｄ）の複製品からの レジストの剰喘に次に使用した。それぞれの場合、レジストと基板を７５℃のス トリッパー組成物の浴中に浸漬し、レジストの完全剥離に要する時間を測定した 。所要時間は次の通りであったニレジスト　完全剥離時間 （ａ）　０．５分（両基板について同一）（ｂ）４分　（両基板について同一） （ｃ）２分 （ｄｌ　１．５分 （ａ）及び（ｂ）の酸化アルミニウム基板の場合、実施例３の剥離に比して著し く少ないアルミニウム核種の損傷が認められた。

実施例５゜ 実施例４の組成物について記載した取分と割合を用いて本発明のストリッパー組 成物を調製した。得られ穴浴液に１ガロン当り１ｔに相当する割合でメタ珪酸音 別えた。上の組成物の一部を実施例１に記載したレジスト（α）〜ｆ＋、）の複 製品からのレジストの剥離に次に使用した。それぞれの場合、レジストと基板を ７５℃のストリッパー組成物の浴中に浸漬し、完全剥離に要する時間を測定した 。所要時間は次の通りであった： ｌ：ｌ：板基板して同一の時間 （ａ＋及び（ｂ）のアルミニ９ム被覆基板の場合、実凡例３で認められ九より着 しく少ない損傷があった。

実施例６゜ 次の成分の混合で本発明の地底９Ｊを調製した。

Ｎ−メチルピロリドン　８２．５ Ｔａｒｇｉｔｏｌ　Ｍｓｓｉｆｏａｍ　Ｉ　Ｘ　５．０Ｔｒｉｔｏｓ　Ｘ４０５ 　１．０ Ｊｏｒｄａｐｈｏｘ　ＫＣＡＯ１，５ １００，０ 上の組成物の一部を次に、実施例１に記載したレジスト（ａ）〜（ｄ）の−Ｗ製 品がらのレジストの剥離に使用した◇それぞれの場合、７５ｃのス）　リッパ− 組成物の浴中にレジストと基板？：浸漬し、レジストの完全剥離に要する時間を 測定した。所要時間は次の通りでおった：】：百基板に対して同一の時間 実施例７゜ 次の成分の混合に依り不発物の組成物を調製した二Ｎ−メチルピーリドン　９３ ，５ 上の組成物の一部ン久に実施例１に記載のＶシストＣＧ）〜（ｄ）の複製品から のレジストの剥離に用いた。それぞれの場合、７５℃のストリッパー組成物の浴 にレジストと基板を浸漬し、レジストの完全剥離に要する時間を測定した。所要 時間は次の通りであった： １：両基板に対して同一の時間 実施例８゜ ５Ｘ量部のテトラメチルアンモニウム／Ｓイドロオキサイドと９５重重部のＮ− メチルピロリドンの混合で本発明の地底＠を調製した。

実施例９゜ ５重量部のコリン（トリメチルヒドロオキシエチルアンモニウムハイドロオキサ イド）と９５Ｉ童部のＮ−メチルビロリド／の混合で不発明のｍ反物を調製した 。

実施例１０゜ ５１１ｇのベンジルトリメチルアンモニウム／１イドロオキサイドと９５重ｔＳ のＮ−メチルピロリドンの混合に依り本発明の岨反物′ｌｔ調製した。

実施例１１゜ 実施例８−１０の組成物のそれぞれの−ｓｔ災施例１に記載のＶジス）　（ｅＬ ）及び（６）の複製品からのレジストの剥離に用いた。それぞれの場合、７５℃ のストリッパー組成物の浴中にレジストと基板を浸漬し、レジストの完全剥離に 要する時間乞測定した。所要時間は次の通っである。（α）及び（ｂ）での各基 板につめての時間は同一であった。

レジスト（ａ）　レジスト（＆） 実施例８　２分　１５分 実施例９　１．５分　１２分 実施例１０　１分　１６分 手続補正書、 昭和６３年１０月２４日 特許庁長官　吉　１）文　毅　殿 １、事件の表示 ＰＣＴ／ＵＳ　８７１０２２９１ 、発明の名称 フォトレジストストリッパー組成物 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　マクダーミツド　インコーホレーテッド５、補正の対象 国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．（ａ）ブチロラクトン、カプロラクトン及び式：▲数式、化学式、表等があ ります▼ 〔但しＲは水素、低級アルキル、シクロアルキル及び置換シクロアルキルから選 ばれたものである〕の化合物から成る群から選はれた１の成分；と （ｂ）式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但しＲ１Ｒ２及びＲ３はアルキルを表わし、そしてＲ４．はアルキル、ヒドロ キシアルキル及びアラルキルより成る群から選はれたものである〕の第４級アン モニワムハイドロオキサイドとの混合物からなり、成分（ａ）が該混合物の主成 分であって成分（ｂ）が約２乃至約２５重量％の重で存在することを特徴と下る フォトレジスト剥離用組成物。 ２．成分（ａ）が約７０乃至約９８重量％存在する請求項１記載のフォトレジス ト剥離用組成物。 ３．約１０重量％以下の量の非イオン界面活性剤を含有する請求項１記載のフォ トレジスト剥離用組成物。 ４．約８５重量％以下の量の極性有機溶媒希釈剤を含有する請求項１記載のフォ トレジスト剥離用組成物。 ５．該希釈剤がジプロピレングリコールモノメチルエーテルである請求項４記載 のフォトレジスト剥離用組成物。 ６．該希釈剤がトリプロピレンクリコールモノメチルエーテルである請求項４記 載のフォトレジスト剥離用組成物。 ７．金属腐食防止剤を含有する請求項１記載のフォトレジスト剥離用組成物。 ８．成分（ａ）がＮ−メチルピロリドンであり且つ成分（ｂ）がテトラメチルア ンモニワムハイドロオキサイドヌはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ ドである請求項１記載のフォトレジスト剥離用組成物。 ９．成分（ａ）がＮ−メチルピロリドンであり且つ取分（ｂ）がベンジルトリメ チルアンモニウムハイドロォキサィドである請求項１記載のフォトレジスト剥離 用組成物。 ｌ０．成分（ａ）がＮ−メチルピロリドンであり且つ成分（ｂ）がテトラメチル アンモニウムハイドロオキサイドである請求項１記載のフォトレジスト剥離用組 成物。 １１．（ａ）主成分としてのＮ−メチルピロリジンと、（ｂ）約２乃至約１０重 量％のテトラアルキルアンモニワムハイドロオキサイド又はトリアルキルアラル キルアンモニワムハイドロオキサイドとの混合物から成ることを特徴とするフォ トレジスト剥離用組成物。 １２．成分（ｂ）がテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドである請求項 １１記載のフォトレジスト剥離用組成物。 １３．約１０重量％以下の量の非イオン界面活性剤を含有する請求項１１記載の フォトレジスト剥離用組成物。 １４．約８５重量％以下の量用の極性有機溶媒希釈剤を含有する請求項１１記載 のフォトレジスト剥離用組成物。 １５．該希釈剤がジプロピレンクリコールモノメチルエーテル又はトリプロピレ ングリコールモノメチルエーテルである請求項１４記載のフォトレジスト剥離用 組成物。 １６．金属腐食防止剤を含有する請求項１１記載のフォトレジスト剥離用組成物 。 １７．有機高分子フォトレジスト層の基板からの除去方法に於て、該フォトレジ スト層に請求項１記載のフォトレジスト剥離用組成物を作用させることを特徴と する有機高分子フォトレジスト層の除去方法。 １８．該レジストが高度架橋を生する処理条件で処理されたものでわる請求項１ ７に記載の方法。 １９．有機高分子フォトレジスト層の基板からの除去方法に於て、該フォトレジ スト層を訴求項１１記載のフォトレジスト剥離用組成物で処理することを特徴と する有機高分子フォトレジスト層の除去方法。