JPH01502059A - フォトレジストストリッパー組成物 - Google Patents
フォトレジストストリッパー組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
フォトレジストストリッパー組成物
発明の背景
1.産業上の利用分野
本発明は改良されたレジスト剥離(ストリッピング)用組成物及び該剥離用組成
物を用いる基板からのレジストの剥離方法に関し、そしてより特にはラクトン又
はラクタムを主成分とし且つ第4級アンモニウムハイドロオキサイドを少量成分
として含有するレジスト剥離用組成物及び該組成物を用いる基板からのレジスト
の剥離方法に関する。
2、先行技術の説明
基板にエツチング、イオン注入、金属析出等?:宮めたパターン形5の様な処理
を施丁間、基板、例えばマイクロエンクトロニクス製造用つエノ・−1の選ばれ
友領域を保護するのにさ萱ざ1の型のレジスト材料が使用されている。この工程
が完了すると、レジスト材料を基板から除去する必要がおる。この工程は一般に
ストリツ/ぐ一溶剤組成物を使用して行なわれる。ストリツ、(−がレジストを
完全に、即ち残渣を一切残さずに除去し、且つこれが基板に損1!を起こ丁可耗
性のおるこすり洗い又は類似した研磨手段を必要とせずに連取されることが必要
である。剥離用組成物には基板の腐食を起したつ又は如何なる点でも基板に有害
な影響を起こす可能性のある物質が含でれないことも必要である。
先行技術では多株多殊なストリッパー組成物が開示されている。即S)1種又は
2種以上の成分例えばハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、テトラクロロエチレ
ン)フェノール及びフェノール性化合物、グリコールエーテル、ケトン(アセト
ン、メチルエテルケトン)ジオキサン、スルホン酸等を含有するストリッパー組
成物が既に記載されている。これらのさまざ1の薬剤は1種又は2種以上の欠点
、例えばそれに@される作業者に対する潜在的毒性、使用後の廃棄上での環境及
び汚染問題、揮発性、装置の腐食及びストリッパーの引火点以上の温度での操作
の危険性等を有している。
更に、高温の後処理ベーキング又は硼素イオン等を用いるイオン注入及び短波長
紫外嚢照射等の方法を用いるパターン形成の様な処理を受けたレジストは、高度
に架橋しており、当業界で従来使用されている殆んどの有機溶媒ストリッパーに
溶解させるのが極めて姫かしい。か\るレジストを剥離するために高温でフェノ
ール性又は塩素化炭化水素浴謀を使用するといった危険な手段がこえ迄用いられ
てい友。剥離を実施する技術者にとってかなり有害でありでた生成した廃棄物の
廃棄上汚染及び環境問題を生ずる可能性があることから、かかる極端な方法は明
らかにA1しくない。
ある糧の溶媒例えばピロリドン、N−置換ピロリドン、ブナロラクトン及びカプ
ロラクトンと、夕景の第4?iiア/モニクムハイドロオキサイドの組合わせが
上記の種類の高置架橋レジスト用ストリッパーとして極めて有効であり、且つこ
れらの組合わぜの使用を工かかるレジストのlj離にこれ迄使用さlrしたフェ
ノール性及び塩素化炭化水素ストリッパーに付随してAる諸問題と年縁であるこ
とが今や見出さtた。
活1fJt分としてピロリドン例えばN−メチルピロリドン単独有する多数のf
A底物が特許に記載されている。代表四には米国4!F許第3,673,099
号は基板から硬化した樹脂例えばシリコーン及びポリビニルシンナメートを除去
するストリンパ−組底物ケ記載している。この組成物はN−メチル−2−ピロリ
ドンと強塩基の、場合によってはエチレングリコールモノエチルエーテルの混合
物から成る。米国籍許第4,276,186号は基板例えば集積回路キャリヤか
らの汚染祷質例えばI・ンダ耐剤除去用の、N−メチル−2−ピロリドン及びア
ルカノールアミンから氏る厄匡′@を開示している。
米国荷許男4,428,871号は、豹55乃至80重霊チのピロリドン又はあ
る種のN−置換ピロリドンと約20乃至453!ft%のジエチVングリコール
モノアルキルエーテルの混合物であるストリッパー組成@を記載している。ポジ
mvシスト用ストリッパーとしてN−メチルピロリドン単独では有効でなく且つ
該特許に開示された混合物が成分のいずれかを単独に使用した時よりもより有効
であることが記載されている。該特許の開示及び笑験データはポジ稟フォトレジ
ストの剥離に限定されている。ストリッパー組成物は約750以下で有効である
と該明細書中で明記されているが、データの大半は75℃で冥施されていて、僅
か3つの例外的データがそれぞれ25℃でのものである。この3つの冥験のり5
1件のみがフォトレジストの100%除云をもたらしている。
更にすべてのデータは150℃で45分乃至1時間ベーキングしたフォトレジス
トについて行なわれている。より高い温度でベーキングしたフォトレジストにつ
いてのデータは示されていない。実@操作では、前述した方法を用いて基板にパ
ターン形#:を行なう操作中に、フォトレジストはしばしば150℃を是かに上
−る温度、場合によっては220℃という高い温度にさえも曝される。
Eg外dz等の米国特許第4.078,102号はアルデヒド又はケトンと混合
した無5!塩基のアルコール住浴gを用いる基板からのレジストの剥離万f:を
対象としている。
水酸化カリウムとテトラメチルアンモニクムハイドロオキサイドを用いてVシス
ト層を除去できることが簡単に言及(第4横4〜6行)されているが、これらの
@質の具体的使用態様は明記されていない。
Z%barの米国特許第4,202.703号はおる糧のレジストの−1111
にテトラメチルアンモニクムハイドロオキサイドのアルコール性溶液の使用を教
示している。好ましい操作方法ではレジストを熱い(110−125℃)溶媒で
前処理し、1,1.1−)リクロロエタンでの後すすぎを行なって2つ、第4級
アンモニウムハイドロオキサイド溶液だけの処理では満足すべき剥I11を連取
するのに元方でないことを示している。
5tta%akyの米国特許第4.617.251号はおる糧のアミンと有機極
性溶媒、これはN−メチルピロリドンとなり得る、の混合物を用いるポジ型レジ
ストの剥離方法を記載している。この方法は約150℃以上の温度で後処理ベー
キングされたレジストの籾層に有効であるとされている。実施例21はレジスト
像の現像液としての水性テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの使用を
示している。
発明の構成
基板を損傷せずに、周囲温度(室@)又は周囲!度に近い温度で、基板から迅速
にレジスト材料を除去するのに有効なレジストストリッパー粗氏物乞提供するこ
とが本発明の目的である。
処理を受けた処理温度及び/又に処理条件のために周囲温度又蚤;昇温下では有
機極性溶媒を用いるレジストの剥離が極めて困難なレジスト冴科を基板から除去
するのに有効なレジストストリッパー組成物を提供することが本発明の琳2の目
的である。
これを扱う操作者に対して危疫な目立った毒性を一切有していないか、又は使用
後の組#:物の究極的廃棄にエコロジー的性質の好1しからざる問題を生じない
レジストストリッパー組成物を提供することが本発明の第3の目的である。
これらの目的及び以下の記載から明らかとなるその他の目的は、
(a) ブチロラクトン、カプロラクトン及び式:(但し、Rは水素、低級アル
キル、シクロアルキル及び置換シクロアルキルから成る群から選ばれたものであ
る)のピロリドンから底る群から選ばれたlの成分;と(但し、R,、R,及び
Rsはアルキルを表わし、そしてR4はアルキル、ヒドロキシアルキル及びアラ
ルキルから氏る群から選ばれたものである)
の第4?iiアンモニワムハイドロオキサイドの混合物であって、成分(tz)
が該混合物の三成分でろう、成分(6)が約2乃至約25重t%の量で存在し、
外部から添加した水が無いことを特徴とする本発明のストリッパー組成物によっ
て連取される。
また本発明は本発明のフォトレジスト除去用組成物の作用によって基板から有機
高分子フォトレジストン除去する方法にちる。
ここで使用する用語°アルキル”は、例えばメチル、エチル、フロビル、ブチル
、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル及びその異性形を含めた、
1乃至12個の炭素原子のアルキル基を意味する。用語1低級アルキル”とは1
乃至6個の炭素原子を有するアルキル基を意味する。
用語1ヒドロキシアルキル”はヒドロキシ基で置換された上記で定義したアルキ
ルを意味する。
ここで使用する用語1アラルキル”は少なくとも1個の水素原子がアリールでf
li換されている上記で定義した低級アルキル基を意味する。アラルキルの例は
ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、ナフチル−メチル、ベンズヒドリル
等である。
ここで用いる用語1シクロアルキル”はシフロブfk、シクロペンチル、シクロ
ヘキシル、シクロヘプチル及ヒシクロオクチルを箸休する。用語°置換シクロア
ルキル2は1個又は2個以上の極性基例えばとドロキシで置換されたシクロアル
キルを意味する。
本発明の組成物と方法は、当業者に仰られている多種多様な基板からの多種多様
なレジスト材料の剥@に使用できるが、マイクロエレクトロニック回路の製作に
使用されるウェハーからのポジ型フォトレジストの剥Plに使用するのに脣に適
している。このような基板の例にはその面が酸化珪素、アルミニウム、アルミニ
ウムと銅等の金属との合金、クロム、クロム合金、窒化珪素等の層を形#:する
よう処理されたシリコンウェハーがある。
発明の詳細な記載
上で述べたように、本発明の組成物は三要活性匡分として上述の式(1)の揖4
級アンモニウムハイドロオ番サイドと(a)式(1)のピロリジン、ブナロラク
トン及びカプロラクトンから選ばれtlとを含む。後者の化合物が常に混合物の
王氏分であり、式(1)の化合物は、氏分仏)の成分(6)に対する重量比が一
般にFI50:1乃至約4:1の範囲にろる様に、少f氏分として存在している
。従って本発明の組#:物が希釈剤、例えば下記に例示する極性有磯溶哀、が無
い場合には、成分(、z)は一般に混合物中に約70乃至98重f%に対応する
量で存在し、式(鼠)の化合物は約2乃至約25重酋チに対応する蓋で存在させ
る。混合物の残余が存在する場合、それは少量の任意的成分でろり、これについ
ては下記する。
式(1)を有する化合物の代表例はテトラエテルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラエテルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエテルアンモニウム
ハイドロオキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロオキサイド、エテル
トリメチルアンモニクムハイドロオキサイド、テトラヘキシルアンモニクムノ1
イドロオキサイド、ベンジルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、デシ
ルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド等である。所望なら2種以上のか
かる化合物を混合して使用できる。
不発明の好ましい組成物は成分(C&)がN−メチルピロリドンである組成物で
ちる。不発明の特に好ましい組成物は取分(a)がN−メチルピロリドンであり
且つ式(1)の化合物がテトラメナルアンモニウムノ・イドロオキサイド又はテ
トラエテルアンモニウムハイドロオキサイドである組成物である。これらの好ま
しい組成物では、N−メチルピロリドンの式(It)の化合物に対するat比は
好1しくは約49:1乃至約9:工程度、そしてより好1しくは約25:1乃至
約15=1である。
本発明の組成物には上記主要取分以外に、界面活性剤、希釈剤及び他の添扉剤を
包含するさでざ1の任意的取分を存在させ得る。
本発明の組g、物に使用される界面活性剤は一般に非イオン型であって、剥離工
程完了後、組成物の水洗除去能ン同上させるのに邑業者が通常使用しているいず
れtも包含しうる。かかる界面活性剤の代表例はポリ(アルキレンオキシド)、
ポリアルコキシル化アルコール等でおって、ローム・アンド・ハースかも商品名
Trita*X−405として、そしてユニオン・カーバイド・コーポレーショ
ンから商品名Targitol HP l Oとして入手できるものがそれらの
代表例である。かかる界面活性剤は一般に、本発明の組成物の約0.1乃至約5
.0重量チの範囲の童で使用する。驚くべきことには、上述の種類の非イオン界
面活性剤のかなりのものが、本発明の組成物に使用した時に、不発明の組#:物
の剥離速度を着るしく増mさせる、即ちこれらの界面活性剤が如何なる場合でも
レジストを剥離するのに要する全坏的時間を顕著に減少させるのに役立つことが
見出された。この剥離速度促進性を有していることが見出された界面活性剤の代
表例はポリアルコキシル化アルコール例えばポリエトキシル化アルカノールであ
り、これ會−二二号ノ・カーバイド・コーポレーションから商品名T−デgit
o1Mi%i10αmIXとして入手できる。これらの速度向上用界面活性剤は
組成物の一般に全1重の約1乃至F110重量%の、セして好1しくは約3乃至
約51t%の範囲の量で使用する。
任意的であるが、本発明の好ましい態様では、本発明の組H,qI!Jがレジス
トと剥離すべき金属性基板例えば銅、アルミニウム号’vw丁可能性ン少くする
か阻止するのに役立つ龜加剤も存在さぜる。この目面で使用できる金属腐食防止
剤の代表例はホスフェートエステル例えばジョメタ珪tRcH,:Es0s)等
である。これら添仄剤は本発明の組成物に、好1しくは組成物の全重量の約0.
1乃至約5.0重量チ、そしてLり好1しくは約1乃至、f31.5重量S存(
lEさせる。
本発明の組成物に1棟又は2種以上の希釈剤も含有させ得る。但しその希釈剤は
腐食性を有して25ず、基板を菅さず、目二つ程の毒性又は環境上の危険乞有し
て2ラス、如何なる点でもレジストストリッパーとして本発明の組成物の効力乞
そこなわないものでおることを要する。かかる希釈剤は本発明の&A匠吻の全N
fの約85xt%以下の童で本発明の組成物に存在さぜることができる。特定さ
れfc場合に使用されるか\る希釈剤の実際量は特定されたレジストの剥離の難
易度に促って変る。
か\る希釈剤の代表例は極性有機@媒例えばグリコール、これはエチVングリコ
ール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコ
ール、テトラプロピレングリコール等で代表されている、グリコールモノアルキ
ルエーテル例えばジエチVングリコール及びジプロピレングリコールのモノメチ
ル、七ノエチル、モノプロピル及びモノヘキシルエーテル;クリコールエステル
例えばエチレンクリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート等
:及びグリコールエーテルエステル例えば2−エトキシエチルアセテート(セル
ソルブアセテート)、2−ブトキシエテルアセテート(ブナルセルソルブアセテ
ート)等がろろ。これら希釈剤は使用希釈剤の合計賃が上記の範囲内にあれば、
単独でも2棟以上の混合物でも使用出来る。
本発明の組成物で使用する好ましい希釈剤はジプロピレングリコールのモノ低級
アルキルエーテルでみる。ジプロピレングリコールのモノメチルエーテルが特に
好ましい希釈剤である。
は基板からの刺能が困a71:高度に架橋したレジス)tI!0:fiに包含し
た多種多様なレジストのいずれのf116にも本発明の岨g物が使用できる。従
ってレジストの剥離は以下の諸工程を含む一部プロセスの最終の工程でちる。基
板を先ずレジストの層で伝覆し、適切なマスクを用いて化学線照射を行ない、次
に未露光の材料(ネガ型レジストの場合)又は露光した材料(ポジ型レジストの
場合)%!:適切な現像液を用いてフォトレジスト層に像を形成する。
形成したフォトレジスト像ft有する基板は一般に約220℃以下の後処理ベー
キング又は上述の当業界で却られた熱硬化処理を行ない、その後、エツチング、
イオン注入ドーピング、金属析出等の当業者に苅られたいずれかの方法でパター
ン形成?行なう。パターン形成の工程は約180℃又はそれより高くなるような
昇温温度にレジスト材料をさら丁ことも伴なうものである。最後に、不発明の剥
離用組成物乞用いて基板からレジスト材料を刊能する。
このレジスト材料剥離は、多くの場合、はソ周囲温度の温度(F120−25℃
)で、分単位で算えらねる比較的短かい時間で、違収できる。然し、所望によっ
てはレジストの剥gIを短時間即ち約10分のオーダーで行なうのに約145℃
迄の昇温温度も用い得る。特定の場合にストリッパー組成物を使用する的確な温
度と時間は、後処理ベーキング及び/又は他のレジスト硬化法及び/又はパター
ン形g時にレジストが111&′:!−れ友温度に王とじて左右される。とにか
く@離の温度はストリッパー組成物の引火点よりも低い必要がある。
除去すべきレジストとストリッパー組成物との接触方法は臨界的では無い。好1
しくは、レジストと基板に、通切な温度に保つ1こストリンパ−組成物を散布す
るか又はレジストと基板乞上記のストリッパー組成物の浴中に浸漬することであ
る。完全に刺漸したかは基板t、必要によっては顕微鏡等を用いて、眼で観察し
て容易に判定できる。
剥離操作が完了後、ストリッパー組成物は水浴性か又は水と混り合うので、残留
ストリッパー組成物を除去するために基板2水又は界面活性剤の冷水浴液で洗う
。
不発FAKよって、剥離できる多種多様なレジストの代表例は、ポジ型レジスト
、これは一般には尤増感剤例えば1−万ぞソー2−シアシナ7トキノンー5−ス
ルホン酸と組合わくたノボラック街脂、ポリアクリルアミド又はアクリル系共重
合体から成る;ネガ型レジスト、これは一般には遊離基形成用光開始剤及び光瑠
感剤と組合せたポリビニルシンナメート及びスチレン−無水マレイン酸から氏ろ
;及び他の型のレジスト例えばポリオレフィンスルホン系街脂、これは米国特許
第4.513,077号に6己I?!されたものが典型でおる、でおる。
本発明のストリッパー組成物はポジ型フォトレジストの剥離に特に好適であり、
ポジ型フォトレジストはマイクロエレクトロニクスの用途で高解像度の複雑な形
状のものの製造に最も広く使用されている種類のフォトレジストである。
本発明の刺離用@底物は当業界でこれ迄使用されているものに比して多くの特長
を有する。即ち、基板又はレジストを基板上に置いて形成した回路等?損なわず
に、本発明の組成物は金部製又は他の基板から各種のレジスト′lt刺離できる
。木組#:物はこれを取扱う従業者に対して有害な目豆りだ毒性を有していない
。木組放物は水と混り合い、従ってレジスト剥離操作完了後、容易に基板から洗
い去れる。周囲温度では従来の溶媒を用1ハでは通常剥離し皇いものも富めてレ
ジストが、20−25℃の程度の、即ち昇@乞必要としない浴操作@度で、数分
程度の極めて短時間に141!できる。刺岨用浴は安定でろって、その効力2失
わずに長期間にわたり何回も今使用できる。
さらに本発明のストリッパー組#:物は殆んどの場合、室温又は室温に近い温度
で有効使用されるので、広い範囲のエンジニアリング材料例えば低い熱流S温度
のプラスチックス等tレジスト刊離用浴及び付属装置例えばダクト配管等の設備
に用いられる。業界でこれ迄使用されている剥離用組成物はより高い操作温度を
必要とし、浴媒の揮発を伴ない多くの場合ダクト配管及び他の装置の腐食?結果
的に惹起し、剥離用浴の好でしからざる汚染を起こす可能性がある。異なる揮発
度を有する2種以上の成分の組#:′4!lJの場合、ス) リッパ−の運発乞
生じる温度での操作が剥離用浴の組成の変化も起こす。
以下の実施例は本発明の実施に現圧最過と考えられる不発明の組成物と方法の付
足のm35iを例示するものであって、本発明18!l−限定するためのもので
は無い。
実施例1゜
次の成分を混合して不発明のストリッパー組成物乞調N−メチルピロリドン 8
7.5
界面活性剤(Trito%X405 )15.0エチVングリコール 2.5
1)ローム・アンド・ハース製
上記組成物の一部を次の様な451の異なった処理を行なったフォトレジストの
剥離に用いた。
(8)市場で入手でざるポジ型フォトレジスト系(ULTRAMAC1ttc
J’ R914: マクダーミツド インコーホレーテッド、クォータバリー、
コネティカット州〕を用いてシリコンウェハー上にフオ)L/シスト′lt像化
した。フオ)L/レジスト像現9後、160Cで1時間ベーキングした。第2の
レジスト像は全く同一の方法で基板としてアルミニウムで被優したシリコンウエ
ハ−を用いてつくった。
(b)シリコン及び、アルミニウム被覆シリコンウェハーの両方K(a)と同一
の方法でつくったフォトレジスト像を有するウェハー、但し250℃で1時間、
後処理ベーキングした。
(e) (a)の記載と同一の方法で調製し、ベーキング後処理後、&ll累注
入を行なったフォトレジスト像を有するシリコンウェハー。
(d) (cL)の記載と同一の方法で調製し、180℃で30分、後処理ベー
キングし、次に400ワツトで2分20秒プラズマエツチングした、フォトレジ
スト像を有するシリコンウェハー。
それぞれの場合、レジストと基板を75℃のストリッパー組成物の浴に浸漬し、
レジストが完全に名にする迄に要する時間を測定した。所要時間は次の通りでめ
った:1=両基板について同一の時間
実施例2゜
次の取分の混合で本発明のストリッパー組成物を調製した。
区 分 重量部
N−メチルピロリドン 87.5
Tergitol Minifoa、LI X 15.OTwit・・X405
2.5
1:界面活性剤、浸透剤、ポリエトキシル化アルヵノールニニニオン・カーバイ
ド・コーポレーション製
上の組成物の一部を実施例1記載のレジスト(al〜(d)の複製品からのレジ
ストの剥離に用いた。いずれの場合もレジストと基板を75℃のストリッパー組
成物の浴に浸漬し、レジストの完全剥aK要する時間乞測定した。所要時間は次
の通りであった:
1:両基板について向−の時間
(a)及び(b)のアルミニウム被覆ウェハーの場合、アルミニウム上に若干の
損傷が認められた。
実施例3゜
実施例2に記載の成分と割合を用いて本発明のストリッパー組成物を調製した。
かくして得た混合物に組成物1ガロン当り12相当の童でメタ珪酸を加えた。
実施例4゜
次の取分の混合に依り本発明のストリッパー組成物を調製した。
ロオキサイド
N−メチルピロリドン 87,5
Tergitol Mixifoatn IX5.0Trito%X405 1
.0
Jordapkoa 1cAo’ 1.5ン・ケミカル社製
上の@酸物の一部を実施例1に記載のレジス) (a)〜(d)の複製品からの
レジストの剰喘に次に使用した。それぞれの場合、レジストと基板を75℃のス
トリッパー組成物の浴中に浸漬し、レジストの完全剥離に要する時間を測定した
。所要時間は次の通りであったニレジスト 完全剥離時間
(a) 0.5分(両基板について同一)(b)4分 (両基板について同一)
(c)2分
(dl 1.5分
(a)及び(b)の酸化アルミニウム基板の場合、実施例3の剥離に比して著し
く少ないアルミニウム核種の損傷が認められた。
実施例5゜
実施例4の組成物について記載した取分と割合を用いて本発明のストリッパー組
成物を調製した。得られ穴浴液に1ガロン当り1tに相当する割合でメタ珪酸音
別えた。上の組成物の一部を実施例1に記載したレジスト(α)〜f+、)の複
製品からのレジストの剥離に次に使用した。それぞれの場合、レジストと基板を
75℃のストリッパー組成物の浴中に浸漬し、完全剥離に要する時間を測定した
。所要時間は次の通りであった:
l:l:板基板して同一の時間
(a+及び(b)のアルミニ9ム被覆基板の場合、実凡例3で認められ九より着
しく少ない損傷があった。
実施例6゜
次の成分の混合で本発明の地底9Jを調製した。
N−メチルピロリドン 82.5
Targitol Mssifoam I X 5.0Tritos X405
1.0
Jordaphox KCAO1,5
100,0
上の組成物の一部を次に、実施例1に記載したレジスト(a)〜(d)の−W製
品がらのレジストの剥離に使用した◇それぞれの場合、75cのス) リッパ−
組成物の浴中にレジストと基板?:浸漬し、レジストの完全剥離に要する時間を
測定した。所要時間は次の通りでおった:】:百基板に対して同一の時間
実施例7゜
次の成分の混合に依り不発物の組成物を調製した二N−メチルピーリドン 93
,5
上の組成物の一部ン久に実施例1に記載のVシストCG)〜(d)の複製品から
のレジストの剥離に用いた。それぞれの場合、75℃のストリッパー組成物の浴
にレジストと基板を浸漬し、レジストの完全剥離に要する時間を測定した。所要
時間は次の通りであった:
1:両基板に対して同一の時間
実施例8゜
5X量部のテトラメチルアンモニウム/Sイドロオキサイドと95重重部のN−
メチルピロリドンの混合で本発明の地底@を調製した。
実施例9゜
5重量部のコリン(トリメチルヒドロオキシエチルアンモニウムハイドロオキサ
イド)と95I童部のN−メチルビロリド/の混合で不発明のm反物を調製した
。
実施例10゜
511gのベンジルトリメチルアンモニウム/1イドロオキサイドと95重tS
のN−メチルピロリドンの混合に依り本発明の岨反物′lt調製した。
実施例11゜
実施例8−10の組成物のそれぞれの−st災施例1に記載のVジス) (eL
)及び(6)の複製品からのレジストの剥離に用いた。それぞれの場合、75℃
のストリッパー組成物の浴中にレジストと基板を浸漬し、レジストの完全剥離に
要する時間乞測定した。所要時間は次の通っである。(α)及び(b)での各基
板につめての時間は同一であった。
レジスト(a) レジスト(&)
実施例8 2分 15分
実施例9 1.5分 12分
実施例10 1分 16分
手続補正書、
昭和63年10月24日
特許庁長官 吉 1)文 毅 殿
1、事件の表示
PCT/US 87102291
、発明の名称
フォトレジストストリッパー組成物
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
名称 マクダーミツド インコーホレーテッド5、補正の対象
国際調査報告
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.(a)ブチロラクトン、カプロラクトン及び式:▲数式、化学式、表等があ ります▼ 〔但しRは水素、低級アルキル、シクロアルキル及び置換シクロアルキルから選 ばれたものである〕の化合物から成る群から選はれた1の成分;と (b)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但しR1R2及びR3はアルキルを表わし、そしてR4.はアルキル、ヒドロ キシアルキル及びアラルキルより成る群から選はれたものである〕の第4級アン モニワムハイドロオキサイドとの混合物からなり、成分(a)が該混合物の主成 分であって成分(b)が約2乃至約25重量%の重で存在することを特徴と下る フォトレジスト剥離用組成物。 2.成分(a)が約70乃至約98重量%存在する請求項1記載のフォトレジス ト剥離用組成物。 3.約10重量%以下の量の非イオン界面活性剤を含有する請求項1記載のフォ トレジスト剥離用組成物。 4.約85重量%以下の量の極性有機溶媒希釈剤を含有する請求項1記載のフォ トレジスト剥離用組成物。 5.該希釈剤がジプロピレングリコールモノメチルエーテルである請求項4記載 のフォトレジスト剥離用組成物。 6.該希釈剤がトリプロピレンクリコールモノメチルエーテルである請求項4記 載のフォトレジスト剥離用組成物。 7.金属腐食防止剤を含有する請求項1記載のフォトレジスト剥離用組成物。 8.成分(a)がN−メチルピロリドンであり且つ成分(b)がテトラメチルア ンモニワムハイドロオキサイドヌはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ ドである請求項1記載のフォトレジスト剥離用組成物。 9.成分(a)がN−メチルピロリドンであり且つ取分(b)がベンジルトリメ チルアンモニウムハイドロォキサィドである請求項1記載のフォトレジスト剥離 用組成物。 l0.成分(a)がN−メチルピロリドンであり且つ成分(b)がテトラメチル アンモニウムハイドロオキサイドである請求項1記載のフォトレジスト剥離用組 成物。 11.(a)主成分としてのN−メチルピロリジンと、(b)約2乃至約10重 量%のテトラアルキルアンモニワムハイドロオキサイド又はトリアルキルアラル キルアンモニワムハイドロオキサイドとの混合物から成ることを特徴とするフォ トレジスト剥離用組成物。 12.成分(b)がテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドである請求項 11記載のフォトレジスト剥離用組成物。 13.約10重量%以下の量の非イオン界面活性剤を含有する請求項11記載の フォトレジスト剥離用組成物。 14.約85重量%以下の量用の極性有機溶媒希釈剤を含有する請求項11記載 のフォトレジスト剥離用組成物。 15.該希釈剤がジプロピレンクリコールモノメチルエーテル又はトリプロピレ ングリコールモノメチルエーテルである請求項14記載のフォトレジスト剥離用 組成物。 16.金属腐食防止剤を含有する請求項11記載のフォトレジスト剥離用組成物 。 17.有機高分子フォトレジスト層の基板からの除去方法に於て、該フォトレジ スト層に請求項1記載のフォトレジスト剥離用組成物を作用させることを特徴と する有機高分子フォトレジスト層の除去方法。 18.該レジストが高度架橋を生する処理条件で処理されたものでわる請求項1 7に記載の方法。 19.有機高分子フォトレジスト層の基板からの除去方法に於て、該フォトレジ スト層を訴求項11記載のフォトレジスト剥離用組成物で処理することを特徴と する有機高分子フォトレジスト層の除去方法。
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