WO2006064953A1

WO2006064953A1 - 洗浄剤

Info

Publication number: WO2006064953A1
Application number: PCT/JP2005/023419
Authority: WO
Inventors: Hisahiko Iwamoto; Yoshifumi Inoue; Masaaki Nakashima; Masafumi Kasai
Original assignee: Tokuyama Corporation
Priority date: 2004-12-17
Filing date: 2005-12-14
Publication date: 2006-06-22
Also published as: US20080153732A1; KR20070086266A; JP2006169442A; US7700531B2; TW200629011A; TWI393774B; KR100966691B1

Abstract

下記式(1)ここで、R1は炭素数3～6のアルキレン基である、で表わされるラクトンからなる洗浄剤。有機エレクトロルミネッセンス材料、感光性樹脂、液晶またはワックスの洗浄に有用である。

Description

洗浄剤

技術分野

本発明は、洗浄剤に関する。さらに詳しくは、有機エレクト口ルミネッセンス材料、感光性樹脂、液晶あるいはワックス等の洗浄に用いられる洗浄剤に関する。明

背景技術細 1

有機エレクト口ルミネッセンス素子（以下書、単に有機 E L素子ともいう）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、現在、盛んに開発が行われている。一般に有機 E L素子は、ガラス板等の透明基板上に、アノード電極（I T O)、ホール輸送層、有機層（発光層）、電子輸送層、カソード電極をこの順に積層し、表面に封止缶を配置した構成となっている。上記有機層（発光層）、ホール注入層、ホール輸送層及び電子輸送層（以下、単に有機層等ともいう）は、有機 E L素子材料を含んでおり、有機 E L素子材料としては、銅フタロシアニン（C u P c )、スターバースト（s t a r— b u r s t )、ビス（N 一（1—ナフチル）一 N—フエニル）ベンジジン、ベリリウム一キノリン錯体 (B e q 2 ) , 4一メチル一 8—ヒドロキシキノリン、 3— ( 4—ビフエ二リル）一4 一フエ二ルー 5— ( 4— t e r t—ブチルフエニル） —1， 2， 4一トリァゾール分子などの低分子系材料と、ポリ（p—フエ二レンビニレン）、ポリア二リン等の高分子系材料が知られている。

有機 E L材料として低分子系材料を用いた有機 E L素子の製造工程において、有機層等の形成は、アノード電極層及び必要に応じてホール注入層が形成された基板上に、有機 E L素子材料を真空蒸着することにより行われている。真空蒸着により有機層等を形成する場合には、各色の表示をするため、或いは不要な発光を制御するために、画素ごとにパターンニングをする必要がある。そして、このパターンニングにはスリツトを有するメタルマスクが用いられている（特開 2 0 03-332057号公報および特開 2003— 297566号公報参照）。ところで、上記のような蒸着法により有機層を形成した場合、メタルマスク表面には有機 E L素子材料が付着する。有機 E L素子材料が付着したメタルマスクを使用し続けると、メタルマスク自体が変形したり、堆積した有機 EL素子材料によりスリットが塞がれたりして、高精度のパターンニングができなくなる。このため、メタルマスクを繰り返して使用するためには、定期的に洗浄して表面に付着した有機 E L素子材料を取り除く必要がある。このときの洗浄剤及び洗浄方法としては、人手によりアセトン、クロ口ホルム、イソプロピルアルコール、塩化メチレン等の有機溶剤を用いて拭き取る方法、超臨界流体を用いて高圧にて洗浄する方法等が知られている（特開 2003— 305421号公報参照）。

有機 E L素子材料が付着したメタルマスクの洗浄に関し、前記した超臨界流体を用いる方法は、有機 E L素子材料のリサイクルが可能であるという長所がある反面、加圧装置が必要であるばかりでなく、洗浄効率や操作性の観点で問題がある。

一方、洗浄剤を用いた有機 EL素子材料が付着した装置又は物品の洗浄は、自動システムを組むことが可能であり、多くの分野で採用されていることからもわかるように、工業的に有利な方法である。しかしながら、アセトン、クロ口ホルム、イソプロピルアルコール、塩ィ匕メチレン等の有機溶剤を用いた洗浄は、環境問題や人体に対する安全性の観点から問題となっている。したがって、洗浄剤を用いる有機 EL素子材料が付着した装置又は物品の洗浄においては、アセトン、クロ口ホルム、イソプロピルアルコール、塩化メチレン等の環境や人体に悪影響を及ぼす有機溶剤を使用しない洗浄であって、かつ有機 E L素子材料に対する洗浄力が高い洗浄剤を見出すことが必要である。

一方、磁気ヘッド素子や液晶パネル素子、 I Cや LS I等の半導体素子は、基板上に形成された導電性の金属薄膜や S i〇₂膜、 S i N膜等の絶縁膜上にレジストを塗布し、これに所望のパターンを形成したマスクを介して露光、現像することで、所望の部位にレジストパターンを形成させ、次いで、このレジストパ夕 —ンをマスクとしてエッチング等の処理を行い、その後、レジストを除去することで実施されている。

上記レジストを除去する洗浄除去剤として、従来、水溶性有機アミンを必須成分とするアル力リ性の洗浄除去剤が使用されてきた。そのような洗浄除去剤としては、（a ) モノエタノ一ルァミン、エチレンジァミン等のアミン類、（b ) ジメチルスルホキシド、 N—メチルー 2—ピロリドン等の極性溶媒、及び（c ) 界面活性剤から成るレジスト剥離液が知られており（特開昭 6 3— 2 3 1 3 4 3号公報参照)、該洗浄除去剤は優れたレジストの剥離性を示す。しかしながら、最近の磁気へッド素子や液晶パネル素子、半導体素子の製造においては洗浄除去剤が例えば 8 0 °C〜9 0 °Cといった高温で使用される場合があり、そのような場合には後段のリンス工程でも除去が困難な不溶物が被洗浄物表面に析出するという問題があった。そこで、このような問題のない洗、净剤としてジメチルスルホキシドとエチレンジァミンからなるレジストの洗浄除去剤が提案されている（特開平 1 1 - 1 3 3 6 2 8号公報参照）。この洗浄剤は高温で使用しても被洗浄物表面に不溶物が析出することがなぐレジストの剥離性に優れた効果を示すものではあるが、皮膚、眼に対する強い刺激性を示し、また強い感作性があるエチレンジァミンを含有していること力 ^ら、より高い安全性の洗浄剤が求められている。

一方、水溶性有機アミンを必須成分としないレジスト除去剤も知られており、そのような洗浄剤としては、例えば 5 0質量％以上のジメチルスルホキシドに、 5〜5 0質量％のアルコール類を含有させたレジスト洗浄除去剤（特開昭 6 3 - 1 6 3 4 5 7号公報参照）やジメチルスルホキシドとァミノアルコール類と水を含有するレジスト剥離剤（特開平 7— 6 9 6 1 9号公報参照）がある。

これらの洗浄除去剤や剥離剤はレジス卜の剥離性に優れた効果を示すが、前者のレジスト洗浄除去剤では、引火点が低くなり、洗浄条件や取り扱いが制限される等の問題があった。また後者のレジスト剥離剤では、水を含んでいるため被洗浄物として基板上に導電性膜が形成されているものを使用する場合には、導電性膜を腐食させて断線を起こすことがあるという問題がある。

最近、導電性膜の材質が、腐食しやすいアルミニウムや銅にシフトしてきている。これらは、水により腐食を受け易く、製品歩留まりの低下が大きな問題となつている。また、 N—メチルー 2—ピロリドンに代表されるピロリドン類；ァセトンゃメチルェチルケトンに代表されるケトン類；及び塩化メチレン等は高い洗浄カを示すことから洗浄剤の成分として汎用されてきたが、環境問題や人体に対する安全性の観点から、これら物質の使用は避けられる傾向にある。

発明の開示

本発明の目的は、洗浄力が高く且つ人体や環境への悪影響の少ない洗浄剤を提供することにある。

本発明の目的は、自動システムを組むことが可能であり、有機 E L素子材料に対する洗浄力が高く、かつ、人体や環境への悪影響も少ない洗浄剤を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、磁気へッド素子の製造や液晶パネル素子の製造、半導体素子の製造等においてフォトリソグラフィ一工程後のワーク表面に残存するフォトレジストを除去する際に好適に用いられ、導電性膜の腐食カ起こらず、高温で使用しても不溶物を析出することがなく、しかも安全性及びレジスト除去性が高い洗浄剤を提供することにある。

本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかになろう。

本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、

下記式 ( 1 )

0

II

C

ノ \

0 CH₂ · · · ( 1 )

ここで、 R ¹は炭素数 3〜6のアルキレン基である、

で表わされるラクトンからなる洗浄剤によつて達成される。

発明の好ましい実施形態本発明の洗浄剤は上記式（1) で表わされるラクトンを含有してなる。

上記式（1) において、 R¹は炭素数 3〜6のアルキレン基である。このアルキレン基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、例えば— CH₂CH (C H₃) -、 ― (CH₂) ₃-、一 (CH₂) ₄ -、 ― (CH₂) ₅—、一 (CH₂) ₆ - および— CH₂CH₂CH (CH₂CH₂CH₃) —等を挙げることができる。

上記式（1) で表わされるラクトンとしては、例えば δ—ノレロラクトン、 ε —力プロラクトン、 ζェナントラクトンおよび 7 —力プリロラクトン、 δ—プロピル _δ—パレロラクトン等を挙げることができる。これらのうち、洗浄力、安全性および入手が容易であることから、 ε一力プロラクトンが好ましい。

これらのラクトンは単独であるいは 2種以上一緒に用いることができる。

さらに、これらのラクトンは、ラクトンと可溶性の他の溶媒、例えば状力一ポネート、グリコールェ一テル類、パラフィン、イソパラフィン、ナフテン等の ' 炭化水素あるいはジメチルスルホキシド等と混合して用いることもできる。

環状カーボネートとしては、例えば下記式 (2)

0

II

C

Ζ \

〇 0 · · · (2)

ンここで、 R²は炭素数 3〜 6のアルキレン基である、

で表わされる化合物が好ましく用いられる。

上記式（2) 中、 R²の炭素数 3〜6のアルキレン基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。炭素数 3〜 6のアルキレン基としては、式（1) における R 1と同じ基を例示することができる。

かかる環状カーボネートとしては、例えばプロピレンカーボネート、ダルタリックアンヒドラィド、メチルダルタリックアンヒドラィドおよびグリセロール 1, 2—カーボネート等を挙げることができる。

グリコールエーテル類としては、例えば下記式（3) R³0— (- R⁴O ^ R⁵ ( 3 ) ここで、 R ³および R ⁵はそれぞれ水素原子、炭素数 1〜4のアルキル基、フェニル基、ァセチル基またはプロピオニル基であり、 R ⁴は炭素数 2〜4のアルキレン基でありそして nは 1〜 3である。但し R ³と R ⁵が同^ I寺に水素原子であることはない、

で表わされる化合物が好ましく用いられる。

上記式（3 ) 中、 R ³、 R ⁵の炭素数 1〜4のアルキル基および R ⁴の炭素数 2 〜 4のアルキレン基はいずれも直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。炭素数 1〜4のアルキル基としては例えばメチル、ェチル、 n—プロピル、 i s o— プロピル、 n—ブチル、 t e r t—ブチル、 s e c一ブチル等を挙げることができる。炭素数 2〜4のアルキレン基としては、例えばエチレン、トリメチレン、プロピレン、テトラメチレン等を挙げることができる。

前記式（3 ) で示されるグリコールェ一テル類としては、例えばモノプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレンダリコールモノメチルエーテル、モノプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、モノプロピレングリコ一ルモノブチルェ —テル、ジプロゼレンダリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコ一ルモノブチルエーテル、モノプロピレングリコ一ルモノフエ二ルェ一テル、モノプロピレングリコールモノメチルエーテルァセテ一ト、モノプロピレングリコールモノエチルエーテルァセテ一ト、モノエチレンダリコールモノメチルエーテル、ジェチレングリコールモノメチルェ一テル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、モノエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、モノエチレングリコ一ルモノブチルエーテル、ジェチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノプチルェ一テル、モノプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルェチルエーテル、トリエチレンフ

グリコールジメチルエーテル、モノプロピレングリコールジアセテート、ジェチレングリコ一ルジメチルエーテル、ジエチレングリコールジェチルエーテル等を挙げることができる。これらのグリコールエーテルは単独で用いてもよいし、異なる種類のものを複数混合して用いてもよい。

高洗浄力と低毒性、取扱の容易な物性の観点から、これらの中でもジプロピレングリコールジメチルェ一テル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコ一ルモノメチルエーテル、ジプロピレングリコ一ルモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコ一ルモノプロピルエーテル、モノプロピレングリコ—ルモノブチルエーテル、ジプロピレンダリコールモノブチルエーテル及びトリプロピレンダリコールモノブチルエーテルが好適である。

上記他の溶媒は、本発明の洗浄剤を基準として、好ましくは 8 0重量％以下、より好ましくは 7 0重量％以下、さらに好ましくは 5 0重量％以下、特に好ましくは 3 0重量％以下で含有することができる。

上記他の溶媒としてのジメチルスルホキシドは、凝固点が 1 8 . 4 °Cと比較的高く、使用雰囲気温度いかんによっては使用し難いことがあつたが、ラクトンと混合して用いられる場合にはそのような不都合はなく、レジストや有機 E L材料に対し優れた洗浄力を発揮し、取扱いも容易であり、人体への悪影響も少なく、引火の危険も少ない利点がある。すなわち洗浄力について例えば有機 E L材料を用いたディスプレイを製造する際に使用されるマスクやるつぼ、真空蒸着装置のチヤンバ一に付着した有機 E L材料に対して優れた除去性能を発揮し、レジストに対する除去性能は高温で使用した場合にも維持されしかも導電性膜を腐蝕させることもない。

ジメチルスルホキシドは、本発明の洗浄剤を基準にして、好ましくは 4 0〜8 0重量％、さらに好ましくは 4 0〜7 0重量％で用いられる。ジメチルスルホキシドとそれ以外の他の溶剤とを併用する場合には、ジメチルスルホキシド以外の他の溶剤は、洗浄剤を基準として、好ましくは 0 . 1〜2 0重量％、より好ましくは 1〜1 0重量％で用いられる。本発明の洗浄剤は不純物をできるだけ含有していないのが好ましレ^ 例えば、水は導線などの金属配線や金属パターンを表面に有する被洗浄物を洗浄したときにこれら金属を腐蝕させるという問題を起こすので、水の量は 1質量％以下、特に 0 . 5質量％以下であるのが好ましい。また、金属イオンや陰イオンの含有量は、洗浄剤の質量ベースで各々 1 0 0 p p b以下であることが好ましい。

本発明の洗浄剤は、必要に応じて、プチルヒドロキシァニソ一ル、ジブチルヒドロキシトルエン等の公知の酸ィ匕防止剤の如き種々の安定ィ匕剤を含有することができる。前記安定化剤成分の含有量は全洗浄剤質量を基準として、好ましくは 0 〜1 , 0 0 0 p p m、特に好ましくは 0〜 1 0 0 p p mである。

本発明の洗浄剤は、例えば有機エレクト口ルミネッセンス材料、感光性樹脂、液晶またはワックスの洗浄に有利に使用することができる。

有機エレクト口ルミネッセンス材料（有機 E L材料）とは、有機 E Lディスプレイの製造に用いられる有機材料を意味する。

かかる、有機材料としては、例えばホール注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の形成に用いられる化合物を挙げることができる。ホール注入輸送層に用いられる有機 E L材料としては、例えばビス（N— （1—ナフチル）一 Nフエ二；!/) ベンジジン、ビス（N—フエニル一 N—トリリレ）ベンジジン、オリゴァミンあるいはスピロアミン等を挙げることができる。また、発光層に用いられる有機 E L材料としては、例えばベリリウムーキノリン錯体 (B e q 2 )、 4—メチル— 8—ヒドロキシキノリン、 N—メチルキナクソドン、ペリレン、ジフエニルナフ夕セン、ペリフランテン等を挙げることができる。電子注入層に用いられる有機材料としては、例えば 3 _ ( 4—ビフエニル）一 4一フエ二ルー 5— ( 4 - t e r t一ブチルフエニル） 1 , 2 , 4—トリァゾール、フエナント口リン系化合物、シロール系化合物、パ一フルォロ系化合物、キノキサリン系化合物等を挙げることができる。

洗浄対象となる被洗浄物はこれらの有機 E L材料が付着した装置又は物品であれば特に限定されない。これら装置又は物品を例示すれば、有機 E L材料を用いたディスプレイを製造する際に使用する真空蒸着装置、基板に有機 E L材料を蒸着させる際に使用するメタルマスク、有機 E L材料を加熱溶解するためのるつぼ等を挙げることができる。ここで、真空蒸着装置とは、真空中で有機 E L材料を基板につけるための装置であり、加熱溶解の方法によって、抵抗加熱式、電子ビーム式、高周波誘導式、レ一ザ一式等があるが、特に限定されるものではない。本発明の洗浄剤を用いて有機 E L材料が付着した被洗浄物を洗浄する場合、その方法は特に限定されず、従来の洗浄剤を用いた場合と同様にして行なうことができる。例えば被洗浄物がメタルマスクである場合には、外部に洗浄液が漏洩しないような洗浄槽を設けて本発明の洗浄剤を溜めて、該メタルマスクを浸漬し、付着した有機 E L材料を除去してもよく、或いは被洗浄物がるつぼの場合には、本発明の洗浄剤を染み込ませた布で付着した有機 E L材料を拭き取っても良い。前者の場合には、加熱、超音波などで洗浄を促進してもよい。被洗浄物は洗浄後に、イソプロピルアルコールやハイドロフルォロエーテル等の揮発性の高い有機溶剤でリンスしてもよく、また、乾燥用エアー等の乾燥ラインを設けて被洗浄後の乾燥を行なってもよい。

感光性材料としては、例えばフォトレジストを挙げることができる。とりわけ、 g線用、 i線用、エキシマ光線用のポジ型フォトレジストに対して最も能力を発揮する。樹脂としては、具体的には、ノポラック系樹脂やポリヒドロキシスチレン系樹脂等が挙げられる。

本発明の洗浄剤は、通常、基板上で現像されたこれらのフォトレジストを除去する際に使用される。特に、現像後、ベ一クされ、更に反応性イオンエッチング法等のドライエッチングや、イオン注入処理等の処理が施されたものについて適用される場合において、最も顕著に効果が発揮される。ここで、基板としては特に制限されるものではないが、表面に S i〇₂等の絶縁 Ji奠ゃ Aし C u、 S iやそれらの合金等の導電性膜が形成されたシリコンウェハ、ガラス等が一般的に用いられる。

本発明の洗浄剤を用いてこのような被洗浄物を洗浄する場合には、洗净剤として本発明のものを使用するほかは、従来の洗浄剤を使用するときと同様にして行うことができる。例えば、外部に洗浄液が漏洩しないような洗浄槽を設けて本発明の洗浄剤を溜めて、被洗浄物を浸漬し、付着したレジストを除去すればよい。除去時に加熱、超音波などで洗浄を促進してもよい。本発明の洗浄剤は、室温での使用でも効果が得られるが、加温して使用した際には更に高い効果が得られる。一般には、 2 0〜9 5 °Cの温度下において使用するのが好ましい。レジストの洗浄除去を行った後は、必要に応じてイソプロピルアルコール（I P A) 蒸気を用いたリンスなどのリンス工程をおこない、更に被洗浄物の乾燥が行われる。

本発明の洗浄剤を用いて液晶が付着した被洗浄物例えば液晶セルおよび液晶パネルを同様に洗浄することができる。

本発明において、液晶が封入される領域（空洞部分）を液晶セルといい、このような液晶セルを構成の一部として含むもの例えば液晶セル以外に配線や端子が設置された額縁領域を含むものを液晶パネルと称して、両者を区別している。しかし、当該技術分野においては両者を区別せずに本発明における液晶パネルに相当するものを単に液晶セルと呼ぶこともある。

本発明の洗净剤によれば、液晶セル及び両性金属或いは両性金属を含む合金からなる露出した導電性部材を有する液晶パネルに付着した液晶を除去することができる。液晶としては、特に限定されず、例えば、 S TN液晶、 TN液晶等公知のものが挙げられる。また、両性金属とは A 1、 Z n、 P bおよび S nからなる群より選ばれる少なくとも 1種の金属を意味する。両性金属を含む合金とはこれら両性金属と他の金属との合金であれば特に限定されず、例えばこれら両性金属を含むハンダ合金などが挙げられる。また、導電性部材とは、配線、電極、端子、電極や端子表面に形成されるハンダ層等を意味する。

本発明の洗浄剤は、その洗浄効果の高さから、通常の液晶セルに付着した液晶のみならず、ギャップ幅（w) が 5 / m以下で且つその深さ（ギャップ深さ： d ) に対する幅（w) の比（w/ d) が 1ノ2 0以下、特に基板間ギャップ 5 m以下であるギャップ部（以下、特定ギャップ部ともいう）を有する液晶セルに付着した液晶、および両性金属部材付き液晶パネルのギヤップ部に付着した液晶の除去に適用でき、特に、特定ギャップ部を有する両性金属部材付き液晶パネルに付着した液晶の除去に好適に用いられる。液晶セルまたは液晶パネルに付着した液晶を除去する方法としては、洗浄剤として前記した特定の洗浄剤を用いる以外は特に限定されず、例えば洗浄剤に液晶パネルを浸漬し超音波を照射する方法、噴流等流れのある洗浄剤の中に液晶パネルを浸漬する方法、液晶パネルにスプレー等で洗'净剤を吹き付ける方法等の公知の洗浄方法が何ら制限なく採用できる。

本発明の洗浄剤を用いた洗浄においては、洗浄後にリンスを行なわずそのまま液晶セルまたは液晶パネルを乾燥しても良い。洗浄性の観点からは、前記洗浄剤を溶解する有機溶媒、又は前記洗浄剤と同一組成のフレッシュな洗狰剤からなるリンス液でリンスするのが好ましい。リンス液として水を用いた場合には両性金属部材が腐食する場合があり、上記リンス液以外の有機溶媒をリンス液として用いた場合にはリンス効率が低下するため大量のリンス液を必要とする。

また、本発明の洗浄剤を用いてワックスが付着した被洗浄物を洗浄することもできる。

本発明において、洗浄の対象となるワックスとは加工用仮止め接着剤として使用されるワックスを意味し、具体的にはシェラック、ミツロウ、ロジンなどの天然樹脂、熱可塑性樹脂、石油系ワックス等が挙げられる。

脆い、微細である、或いは薄いといった理由から直接保持台に固定して加工することが難しい光学部品、電子部品などの物品に切断、切削、研磨などの加工を施こす場合には、上記したようなワックスを用いてこれら部品を保持台たとえば治具に固定してから加工するのが一般的である。加工された物品は、洗浄剤を用いてワックスを溶かすことによって保持台と分離される。本発明の洗浄剤は、ヮックスに対する洗浄力が高いのでこのような加工工程及び分離工程を有する物品の製造方法、すなわち、被加工物品を保持台にワックスを用いて固定する固定ェ程、保持台に固定された前記被加工物品を切断、切削、研磨等を行う加工工程、洗浄剤を用いて前記ヮックスを除去することにより加工された物品と保持台とを分離する分離工程を含む物品の製造方法における前記洗浄剤として好適に使用される。

上記製造方法における被加工物品とは、切断、切削、または研磨といった加工を施される物品を意味し、たとえばガラス、石英等の透光性材料で構成される光学レンズやプリズム等の光学物品；これらの構成部材となる物品；シリコンゥェノ、セラミツク基板、水晶振動子などの電子製品の原料や部品となる物品を含む。これら被加工物品、特に水晶振動子のような微細な部品を加工する場合には、材料を所定の厚さにスライスしてから、ワックスを用いて複数のスライス片を相互に接合し、所定の大きさに切りそろえることもあるが、このような場合にも加ェ後に接合された物品を分離するに際し、本発明の洗浄剤が好適に使用できる。上記分離工程で洗浄剤を用いて加工された物品と保持台、或いは相互に接合された物品を分離するためには、洗浄槽に導入された洗浄剤に加工後の物品（ヮックスにより保持台又は他の物品と接合された状態のもの）を浸漬し、必要に応じて超音波を照射することにより洗浄をすればよい。本発明の洗浄剤はヮックスに対する洗浄力が極めて高いので、短時間で両者をきれいに分離することができる。本発明の洗浄剤は光学物品、電子部品を製造する際に使用する場合に限定されるものではなく、その他例えばワックスによりジグ（治具）に固定して研磨する機械部品の研磨後の洗浄、樹脂塗布用マスク、ジグ類の洗浄等、同様の汚染物質を取り除くための洗浄剤としても好適に使用することができる。実施例

以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例 1

洗浄剤の洗浄力を評価するために、 1 c mX 2 c mのシリコンウェハ上に 5 0 0 n mの厚みになるように、有機 E L材料であるビス（N— （1一ナフチル）一 N—フエニル）ベンジジン（α— N P D) (同仁化学（株）製）を真空蒸着した。次いで、該有機 E L材料が蒸着されたシリコンウェハを 1 0 O mLの ε—力プロラクトンに室温で 3 0秒間浸潰し、洗浄した。洗浄後、該シリコンウェハを 1 0 0 mLのィソプルピルアルコールに室温で 3 0秒間浸漬し、リンスした。続いて、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上に残存している a— N P D量を測定するために、赤外分光光度計（パーキンエルマ一社：スペクトラムワン）を用いて透過法にて 1, 600 cm— ¹ のピーク面積を定量した。洗浄前の該ピーク面積を 10 0 %とし、有機 E L材料を蒸着していないシリコンウェハの該ピ一ク面積を 0 % としたところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の α— NPD残存率は 3%以下（検出限界以下）であった。

実施例 2

実施例 1の ε—力プロラクトンの代わりに 1容量の £—力プロラクトンに対して 1容量のジメチルプロピレンジグリコ一ルを混合した洗浄剤を用いたこと以外は、実施例 1と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上のひ— NPD残存率は 3%以下（検出限界以下）であった。実施例 3

実施例 1の ε—力プロラクトンの代わりに、 6容量の ε—力プロラクトンに対して 4容量のプロピレンカーボネートを混合した洗浄剤を用いたこと以外は、実施例 1と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上のひ一 NPD残存率は 3%以下（検出限界以下）であった。

比較例 1

実施例 1の ε—力プロラクトンの代わりに、洗浄剤としてノルマルパラフィンを用いたこと以外は、実施例 1と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の α—NPD残存率は 96%であった。

比較例 2

実施例 1の ε—力プロラクトンの代わりに、洗浄剤としてメチルプロピレンジグリコールを用いたこと以外は、実施例 1と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の α— NPD残存率は 86%でめった。

比較例 3

実施例 1の ε—力プロラクトンの代わりに、洗浄剤としてアセトンを用いたこと以外は、実施例 1と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の α— NPD残存率は 80%であった。実施例 4

真空蒸着した有機 E L材料を Q!— N P Dの代わりにトリス（ 8—キノリネート）アルミニウム（III) (A 1 q 3) にしたこと以外は、実施例 1と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の α— N P D残存率は 3%以下（検出限界以下）であった。

実施例 5〜 8および比較例 4〜 7

R C Α洗浄 (R C A洗浄とは、 R C A社が開発した洗浄法であり、ァンモニァ · 過酸化水素水洗浄（SC 1) と塩酸 '過酸化水素水洗浄 (SC2) を基本とする S i基板のゥエツト洗浄法である。) し、へキサメチルジシラザン (HMDS)処理した 4インチシリコンウェハ上に、市販のポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製： THMR— i P 3300) を 1 mの厚さで塗布し、 90°Cで 2分間プリべ一クした。次いで、 i線を照射して現像した後、リンスを行い、更に 1 50°Cで 30分間ポストべークした。

以上の処理が施されたシリコンウェハから試験片をダイヤモンドカッターで切り出し、表 1に記載した組成のレジスト洗浄除去剤について、以下の方法でレジスト洗浄除去性能を評価した。即ち、レジスト洗浄除去剤 1 Omlが入ったビーカーを温浴槽に入れ、 50°Cに保ち、これに 1 cm角の上記試験片を浸漬し、 1 0分後に取り出し、その表面状況を目視および金属顕微鏡により観察した。その結果を表 1に示す。なお、評価は以下の基準により行った。

〇：ウェハ表面のフォトレジストが完全に洗浄除去されている。

△：ウェハ表面のフォトレジストが一部溶け残っている。

X：ウェハ表面のフォトレジストがほとんど除去されていない。

実施例 9

実施例 5おいて、洗浄除去剤を 80°Cに保ったこと以外は、実施例 5同様の方法で洗浄除去剤を評価した。結果を合せて表 1に示した。

比較例 8

実施例 5の洗浄除去剤の代わりに、表 1に記載した組成のレジスト洗浄除去剤を用い、該レジスト洗浄除去剤 10m 1力入ったビーカーを温浴槽に入れ、 80°C に保ったこと以外は、実施例 5と同様の方法で洗浄除去剤を評価した。結果を合せて表 1に示した。

なお、表 1中、実施例及び比較例で使用した各物質の略号を以下に示す。

DMSO：ジメチルスルホキシド

ECL： ε一力プロラクトン

GVL：ァ一バレロラクトン

2 ΡΜ：ジプロピレングリコ一ルモノメチルエーテル

PC：プロピレン力一ポネー卜

DEGME：ジエチレングリコールモノメチルエーテル

MEA：モノエタノールァミン

NBEA： N— n—ブチルェタノ一ルァミン

PE61 ：ニューポール PE 61 (三洋化成（株）製界面活性剤）

D IW:イオン交換水

表 1

表 1 (つづき)

実施例 1 0 洗浄剤の洗浄力を評価するために、 1 c mx 2 c mのシリコンウェハ上に 5 0 0 n mの厚みになるように、有機 E L材料である銅フタロシアニン (和光純薬 (株）製）を真空蒸着した。次いで、該有機 E L材料が蒸着されたシリコンウェハを、 5 0 gの ε—力プロラクトンと 5 0 gのジメチルスルホキシドから成る洗浄剤に 1 5 °Cで 3分間浸漬し、洗浄した。洗浄後、該シリコンウェハを 1 0 O mLのイソプルピルアルコールに室温で 3 0秒間浸漬し、リンスした。続いて、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上に残存している銅フタロシアニン量を測定するために、赤外分光光度計（パーキンエルマ一社：スペクトラムワン）を用いて透過法にて 1 , 6 0 0 c m— ¹のピーク面積を定量した。洗浄前の該ピーク面積を 1 0 0 %とし、有機 E L材料を蒸着していないシリコンウェハの該ピーク面積を 0 % としたところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の銅フタロシアニン残存率は 3 %以下 (検出限界以下）であった。

実施例 1 1

実施例 1 0の洗浄剤の代わりに、 3 0 gの ε —力プロラクトンと 7 0 gのジメチルスルホキシドから成る洗浄剤を用いたこと以外は、実施例 1 0と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の銅フ夕ロシアニン残存率は 3 %以下（検出限界以下）であった。

実施例 1 2

実施例 1 0の洗浄剤の代わりに、 8 0 gの ε—力プロラクトンと 2 0 gのジメチルスルホキシドから成る洗浄剤を用いたこと以外は、実施例 1 0と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の銅フ夕ロシア二ン残存率は 5 %であった。

実施例 1 3

実施例 1 0の洗浄剤の代わりに、 7 0 gの ε—力プロラクトン、 2 0 gのジメチルスルホキシドと 1 0 gのメチルプロピレンジグリコールから成る洗浄剤を用いたこと以外は、実施例 1 0と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の銅フタロシアニン残存率は 6 %であった。比較例 9 実施例 10の洗浄剤の代わりに、 100 %のジメチルスルホキシドを用いたこと以外は、実施例 10と同様の方法で洗浄剤の洗浄力評価を試みたが、ジメチルスルホキシドが凝固して洗浄できなかった。

比較例 10

実施例 10の洗浄剤の代わりに、洗浄剤としてアセトンを用いたこと以外は、実施例 10と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンウェハ上の銅フタロシアニン残存率は 100%であった。

実施例 14

真空蒸着した有機 E L材料を銅フタロシアニンの代わりにトリス（ 8—ヒドロキシキノリネート）アルミニウム（III) (A 1 q 3) にしたこと以外は、実施例 10と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンゥェ八上の A 1 Q 3残存率は 3%以下（検出限界以下）であった。

実施例 15

真空蒸着した有機 EL材料を銅フタロシアニンの代わりに（N— （1一ナフチル）一 N—フエニル）ベンジジン（α— NPD) にしたこと以外は、実施例 10 と同様の方法で洗浄剤の洗浄力を評価したところ、洗浄、リンスしたシリコンゥェハ上の a— NPD残存率は 3%以下（検出限界以下）であった。

実施例 16〜 19および比較例 1 1〜： L 3

液晶注入口を有する液晶セル及び露出した 100個のアルミニウム端子を有する液晶パネル（ 50 mmX 50 mm、ギヤップ幅 2. 5 m、ギヤップ深さ 10 0 m, w/d= 1/40) を用意し、その液晶セルに液晶注入口から STN液晶を注入した後に当該液晶注入口を封止することにより、表面及び液晶セルを構成する 2枚の対向したガラス板のギャップに余分な液晶が付着した液晶パネルを得た。

洗浄剤の洗浄性を評価するために、表 2に示す組成の洗浄剤を調製した。なお、洗浄剤組成の数字は重量比で記してある。

調製した洗浄剤 1, 00 Omlを 40°Cに保ち、液晶セルを浸漬し、 2分間超音波洗浄した。液晶セルを洗浄剤からゆっくり引き上げた後、 40°Cの温風を 1 0分間吹き付け、液晶セルを乾燥させた。

次いで、該液晶セルの表面、およびギャップ部分を偏光顕微鏡で観察し、残存した液晶の程度から洗浄性を評価した。また、アルミニウム端子の腐食の有無を調べ、各洗浄剤のアルミニウムへの影響の有無を評価した。結果を表 2にまとめて示す。洗浄性は次の 5段階で評価した。

評価基準

5 ：ギャップ部分にも表面にも液晶が残存していない。

4：表面には液晶が残存していないが、ギャップ部分に僅かに液晶が残存している。

3 ：表面には液晶が残存していないが、ギャップ部分にかなり液晶が残存している。

2 ：ギャップ部分の液晶は殆んど除去できず、表面にも僅かに液晶が残存している。

1 ：表面に付着している液晶が殆んど除去できていない。

なお、表中の略号は以下の成分を意味する。

C L： ε—力プロラクトン

B L：ァ一ブチロラク卜ン

2 Ρ Μ：ジプロピレングリコ一ルモノメチルエーテル

P C：プロピレン力一ポネート

N P：ノルマルパラフィン

D I W：イオン交換水

E A C：力プリン酸モノエタノールアミン塩

N S ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル（非イオン性界面活性剤)。表 2

実施例 2 0

九重電気株式会社製 C Sワックス約 0 . 1 gをスライドガラスに塗布し、 4 0 °C で保たれた ε —力プロラクトンに 1時間浸漬したところ、完全に溶解した。実施例 2 1 +

実施例 2 0の ε—力プロラクトンの代わりに 8容量の ε—力プロラクトンに対して 2容量のジプロピレンダリコールジメチルエーテルを混合した、洗浄剤 ( ε - 力プロラクトン含有量 2 6 . 4質量％) を用いたこと以外は、実施例 2 1と全く同様の方法で検討したところ、試料は完全に溶解した。

実施例 2 2

実施例 2 0のワックスの代わりに日化精ェ株式会社製シフトワックス 6 4 0 6 を用いたこと以外は、実施例 2 0と全く同様の方法で検討したところ、試料は完全に溶解した。

比較例 1 4

実施例 2 0の ε一力プロラクトンの代わりにノルマルパラフィンを用い、 4 0 °Cで 8時間浸漬したが、試料は殆ど溶解しなかった。

比較例 1 5

実施例 2 0の ε —力プロラクトンの代わりにノルマルパラフィンを用い、 4 0 °Cで 8時間浸漬したが、試料は殆ど溶解しなかった。比較例 1 6

実施例 2 0の ε—力プロラクトンの代わりにジプロピレングリコールジプロピルェ一テルを用い、 4 0 °Cで 8時間浸漬したが、試料は殆ど溶解しなかった。

Claims

請求の範囲 R

1. 下記式（1)

CH (1) ここで、 R¹は炭素数 3〜 6のアルキレン基である、

で表わされるラクトンからなる洗浄剤。

2. 下記式（3)

R³0-f R⁴O

\ - ' n- R⁵ (3) ここで、 R ³および R ⁵はそれぞれ水素原子、炭素数 1〜4のアルキル基、フェニル基、ァセチル基またはプロピオニル基であり、尺⁴は炭素数2〜4のアルキレン基でありそして nは 1〜3である。但し R³と R⁵が同時に水素原子であることはない、

で表わされる化合物をさらに含有する請求項 1に記載の洗浄剤。

3. ジメチルスルホキシドをさらに含有する請求項 1または 2に記載の洗净剤。

4. 有機エレクト口ルミネッセンス材料、感光性樹脂、液晶またはワックスの洗浄用である請求項 1〜 3のいずれかに記載の洗浄剤。

5. 前記式（1) で表わされるラクトンの洗浄剤としての使用。