JP4358935B2 - フォトレジスト用ストリッパー組成物 - Google Patents
フォトレジスト用ストリッパー組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4358935B2 JP4358935B2 JP19752399A JP19752399A JP4358935B2 JP 4358935 B2 JP4358935 B2 JP 4358935B2 JP 19752399 A JP19752399 A JP 19752399A JP 19752399 A JP19752399 A JP 19752399A JP 4358935 B2 JP4358935 B2 JP 4358935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- stripper
- stripper composition
- weight
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 96
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- -1 sulfoxide compound Chemical class 0.000 claims description 26
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 21
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 4
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 1-ethylsulfonylethane Chemical compound CCS(=O)(=O)CC MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfoxide Chemical compound CCS(=O)CC CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- WGYZMNBUZFHYRX-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound COCC(C)OCC(C)O WGYZMNBUZFHYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- DLDJFQGPPSQZKI-UHFFFAOYSA-N but-2-yne-1,4-diol Chemical compound OCC#CCO DLDJFQGPPSQZKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/42—Amino alcohols or amino ethers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2068—Ethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
- C11D3/3445—Organic compounds containing sulfur containing sulfino groups, e.g. dimethyl sulfoxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
- C11D3/3454—Organic compounds containing sulfur containing sulfone groups, e.g. vinyl sulfones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/263—Ethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3227—Ethers thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトレジスト用ストリッパー組成物に関し、より詳しくは、液晶表示装置回路の製造において、エアナイフ装備が取付けられた枚葉方式によりフォトレジストを剥離する場合でも、不純物粒子の生成を抑制することができるフォトレジスト用ストリッパー組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置回路または半導体集積回路は極めて微細な構造で構成されており、このような微細構造回路は、基板上に形成された酸化膜等の絶縁膜、及びアルミニウム合金膜等の導電性金属膜にフォトレジストを均一にコーティングあるいは塗布し、このフォトレジストを露光して現像することにより、所定の形状のパターンを作成する。そして、パターンが形成されたフォトレジストをマスクを用いて上記絶縁膜又は金属膜をエッチングして微細回路を形成した後、フォトレジストパターンを除去して製造する。このようなフォトレジスト除去のためのストリッパーには、一般に、低温及び高温条件下でのフォトレジストの剥離性に優れ、剥離時に不純物微粒子を基板に残さず、かつアルミニウム等の金属層を腐食しないことが要求される。また、大型の液晶表示装置回路の製造においては、多量のストリッパーが用いられるため、人体に対する毒性が少なくなければならず、また環境的にも害が少ないのが好ましい。
【0003】
このような要件を満たすために、多様なフォトレジスト用ストリッパー組成物が開発されているが、例えば、米国特許第5,480,585号及び日本国特開平5−281753号には、化学式H3-nN((CH2)mOH)n(mは2又は3、nは1,2又は3)のアルカノールアミンと,スルホン化合物又はスルホキシド化合物と、化学式C6H6-n(OH)n(nは1,2又は3)のヒドロキシル化合物とを含むフォトレジスト用有機ストリッパーが開示されている。日本国特開平4−124668号には、有機アミン20〜90重量%と、リン酸エステル界面活性剤0.1〜20重量%と、2−ブチン−1,4−ジオール0.1〜20重量%と、残部としてグリコールモノアルキルエーテル及び/又は非プロトン性極性溶媒とからなるフォトレジスト用剥離性組成物が開示されている。
ここで、グリコールモノアルキルエーテルとしては、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等が用いられ、非プロトン性極性溶媒としては、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルアセトアミド等が用いられている。また、2−ブチン−1,4−ジオール及びりん酸エステル界面活性剤は、フォトレジストに吸湿された有機アミンによりアルミニウム及び銅等の金属層が腐食されるのを防止するために、剥離特性を低下させない限度で添加された。
【0004】
また、日本国特開平8−87118号では、N−アルキルアルカノールアミン50〜90重量%と、ジメチルスルホキシド又はN−メチル−2−ピロリドン50〜10重量%とからなる組成物が開示されており、このようにN−アルキルアルカノールアミンと特定の有機溶媒とからなる溶剤を剥離剤として用いることにより、高温の厳しい剥離条件下でも不溶物の析出が起こらず、微粒子が基板に残らないと記載されている。
日本国特開昭64−42653号では、ジメチルスルホキシド50重量%以上、さらに好ましくは70重量%以上を含み、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル,ジエチレングリコールジアルキルエーテル,γ−ブチロラクトン及び1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンより選択された少なくとも一種の溶剤1〜50重量%、及びモノエタノールアミン等の含窒素有機ヒドロキシル化合物0.1〜5重量%を含むフォトレジスト用ストリッパー組成物が開示されている。ここで、ジメチルスルホキシドが50重量%未満である場合には、剥離性が著しく弱化し、含窒素有機ヒドロキシル化合物の溶剤が5重量%を超えると、アルミニウム等の金属層が腐食すると記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする問題】
このような多様なストリッパー組成物は、成分化合物及び成分比によってフォトレジストの剥離性、金属の腐食性、フォトレジスト剥離後の洗浄工程の複雑性、環境安定性、作業性、価格などが著しく異なっており、多様な工程条件に対し最適な性能を有するフォトレジスト組成物の開発が現在も行われている。
これまでに開発されたフォトレジスト組成物は、エッチングされた多数の半導体集積回路又は液晶表示装置回路を剥離液に含浸させてフォトレジストを除去する浸漬(dipping)方式の設備に適合した組成であって、剥離性能、金属の腐食防止性能及び人体安全性等の改良をその主な目的としている。
したがって、フォトレジストを除去するためにエアナイフ(air knife)を用いる枚葉式設備に従来のフォトレジスト用ストリッパーを用いる場合には、浸漬方式の設備において現われる長所が発揮されず、不純物微粒子が基板に残存するだけではなく、剥離性能が低下して液晶表示装置や半導体の微細な回路を形成し難いという欠点があった。
また、設備内の粒子を測定するためのベアガラス(bare glass)は、ITO(indium tin oxide)膜、アルミニウム、クロム、窒化シリコン膜及びアモルファスシリコン膜に比べ物理的な特性が異なるため、同様な剥離剤を用いて処理しても、洗浄後の不純物微粒子がベアガラス上に残存するという問題点が残る。このような問題点は、フォトレジストが形成された絶縁膜及び導電性金属膜とベアガラスとでは表面性質が異なることに起因している。このため、エアナイフを用いて多様な膜状に形成されたフォトレジストを剥離させる場合には、このような対象物質の特性が考慮されるべきである。
【0006】
特に、近年は液晶表示装置が大型化し大量生産が行われるため、ストリッパーの使用量が多い浸漬方式よりも、液晶表示装置回路を一枚ずつ処理する枚葉式設備(single-wafer treatment method)を用いたフォトレジストの剥離が一般化している。このため、エアナイフ工程によりフォトレジストを剥離するのに適したストリッパー組成物の開発が求められている。
【0007】
本発明の目的は、浸漬方式を用いる設備のみならず、エアナイフ工程を利用する枚葉式設備にも適したフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供することにある。また、このようなエアナイフ工程が採用される枚葉式設備でフォトレジストを剥離させる場合でも、基板上に不純物粒子が残らないようにすることのできるフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供することにある。
【0008】
また、本発明の他の目的は、多様な液晶表示装置全膜質に対しても同一の剥離性能を表すことができ、ベアガラスの洗浄時にも不純物粒子を生成しないフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、5〜15重量%のアルカノールアミンと、35〜55重量%のスルホキシド又はスルホン化合物と、35〜55重量%のグリコールエーテルとを含むフォトレジスト用ストリッパー組成物である。
本発明のストリッパー組成物は、ベアガラスの洗浄時、不純物粒子の生成、残留を防止するために、界面活性剤をさらに含むことができ、エアナイフ工程を通じてフォトレジストを剥離するのに有用である。
【0010】
大型TFTLCD(thin film transistor liquid crystal display)の量産ラインでは、高圧の空気圧力を用いるエアナイフが採用される枚葉式設備を用いることにより、一枚ずつ処理する方式にてストリッパー組成物が含浸されたフォトレジストを剥離させる。このような枚葉式設備に用いられるストリッパーは、ストリッパーの化学的性能が良好であるだけでなく、LCD全膜質における物理的挙動が良好でなければならない。すなわち、枚葉式設備に適したストリッパーは、科学的に剥離性能、金属腐食の抑制性能などが基本的に良好であり、エアナイフ工程中の不純物微粒子が基板上に残る現象を防止できなければならない。
このように不純物微粒子の生成を防止するためには、ストリッパー組成物がITO膜、アルミニウム、クロム、窒化シリコン、アモルファスシリコン膜等のLCD全膜質に容易に吸収されなければならない。また、ストリッパー組成物とLCD全膜質との表面張力をできるだけ小さく、かつ均一に維持することができ、さらにストリッパー組成物の粘度及び揮発度が小さくなければならない。また、このようなストリッパーはLCD全膜質上に滴下されたストリッパーとLCD全膜質表面との間の接触角(contact angle)が小さく、接触角の時間変化率も小さくなければならない。このようなストリッパーは、多様なLCD全膜質に対し同一の物理的な特性を示すだけでなく、設備内の粒子を測定する場合、ベアガラスに不純物粒子を生成しないものであればさらに好ましい。
本発明者は、浸漬方式だけでなく、枚葉式処理方式に特に適合し、多様な下部膜質に有用に適用し得るストリッパー組成物について研究した結果、本発明の完成に至った。
【0011】
本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物は、5〜15重量%のアルカノールアミンと、35〜55重量%のスルホキシド又はスルホン化合物と、35〜55重量%のグリコールエーテルとを含み、好ましくは、ストリッパー組成物100重量部に対して、0.05〜0.5重量部の界面活性剤をさらに含む。
【0012】
アルカノールアミンは、フォトレジストを剥離させるための成分であって、モノイソプロパノールアミン(MIPA:CH3CH(OH)CH2NH2)又はモノエタノールアミン(MEA:HO(CH2)2NH2)を用いるのが好ましく、モノエタノールアミンを用いるのが最も好ましい。アルカノールアミンの使用量が5重量%未満では、フォトレジストの剥離性能が低下してフォトレジスト微粒子が全膜質に残存するようになり、15重量%を超えると、LCD全膜質との吸水性が小さくなり、LCD全膜質における接触角が大きくなってエアナイフ特性が低下する。
【0013】
スルホキシド及びスルホン化合物は、フォトレジストを溶解させる溶剤の役割を有しているだけではなく、ストリッパー組成物とLCD全膜質との表面張力を調節するための成分であって、ジエチルスルホキシド(C2H5SOC2H5)、ジメチルスルホキシド(CH3SOCH3)、ジエチルスルホン(C2H5SO2C2H5)、又はジメチルスルホン(CH3SO2CH3)を用いるのが好ましく、ジメチルスルホキシドを用いるのがより好ましい。スルホキシド又はスルホン化合物の使用量が35重量%未満では、LCD全膜質との吸水性が小さくなり、LCD全膜質における接触角が大きくなってエアナイフ特性が低下し、55重量%を超えると、フォトレジストの剥離性能が低下する。
【0014】
グリコールエーテルは、スルホキシド又はスルホン化合物とともにフォトレジストを溶解させる溶剤の役割を有しているだけでなく、LCD全膜質との表面張力を調節するための成分であって、アルカノールアミンとスルホキシドとからなるストリッパー組成物のエアナイフ特性をさらに向上させる役割を有している。すなわち、ジメチルスルホキシド自体はエアナイフ特性が良好であるが、これをモノエタノールアミン等と混合すると、エアナイフ特性が著しく低下する。しかし、ジメチルスルホキシドとモノエタノールアミンとからなる2成分系に適当な量のグリコールエーテルを添加すると、エアナイフ特性及びフォトレジストの剥離性能をともに向上させることができる。グリコールエーテル化合物としては、カルビトール(C2H5(CH2CH2O)2H)、メチルジグリコール(CH3(CH2CH2O)2H)又はブチルジグリコール(C4H9(CH2CH2O)2H)を用いるのが好ましく、ブチルジグリコールを用いるのが最も好ましい。グリコールエーテルの使用量が35重量%未満では、ストリッパー組成物がLCD全膜質に容易に吸収されず、LCD全膜質における接触角が大きくなりエアナイフ特性が低下し、55重量%を超えると、フォトレジストの剥離性能が低下する。
【0015】
界面活性剤は、設備内の粒子測定の際にベアガラスに不純物粒子が残る現象を防止するための成分であって、剥離剤組成物100重量部に対して、0.05〜0.5重量部を添加して用いるのが好ましい。剥離剤組成物の使用量がストリッパー組成物100重量部に対して0.05重量部未満では、ベアガラスに塗布されたストリッパー組成物を水などで洗滌して除去するか、又はエアナイフ工程後にストリッパー組成物が不均一に残留して、不純物微粒子がベアガラス上に不均一に生成されるので好ましくない。また、界面活性剤の使用量がストリッパー組成物100重量部に対して0.5重量部を超えると、ストリッパーの物性の改善効果が現われない。ベアガラスは、実際工程では露出しないが、実際工程を適用する前の設備上の粒子チェック工程においてストリッパーできれいに洗浄しなければならない。しかし、一般的にベアガラス上においてのストリッパーの物理的特性は、ITO、アルミニウム、クロム、窒化シリコン及びアモルファスシリコン膜上における物理的な特性と異るため、本発明のストリッパー組成物をそのまま用いると、不純物微粒子がベアガラス上に不均一に生成されるので、かかる問題点を界面活性剤を添加して解決する。
【0016】
このような界面活性剤としては親水基と疎水基をともに有している下記化学式3(nは0〜10の整数であるのが好ましい)のF−14系列の化合物(日本メカペース株式会社製)、又は下記化学式4(Rはアルキル基)のLP100系列の化合物(米国ISP株式会社製)を用いるのが好ましい。
【化3】
【化4】
【0017】
また、本発明のフォトレジスト用剥離剤組成物は、ベアガラス及びLCD全膜質上のポリマーを除去するために1〜10重量%のTMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)又は3〜15重量%のベンゼンジオールをさらに含むのが好ましく、またLCD全膜質の腐食を防止するために1〜15重量%のアルキルスルホン酸をさらに含むこともできる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例及び比較例について詳細に説明する。なお、下記実施例は本発明を例示するものであり、本発明がこれらに限られるわけではない。
【0019】
[実施例1−3、比較例1−16]
有機アミン類剥離剤と溶剤とからなるそれぞれのストリッパー組成物を表1に示す成分比にしたがって混合し、実施例1−3及び比較例1−16を調製した。表1において、MIPA及びMEAはフォトレジストを剥離させる有機アミン類であって、それぞれモノイソプロパノールアミン(CH3CH(OH)CH2NH2)及びモノエタノールアミン(HO(CH2)2NH2)を示す。また、NMP、DMSO、DMAc、CARBITOR、BDG及びDPGMEは、フォトレジスト溶剤であって、それぞれN−メチルピロリドン(C5H9NO)、ジメチルスルホキシド(CH3SOCH3)、ジメチルアセトアミド(CH3CON(CH3)2)、カルビトール(C2H5(CH2CH2O)2H)、ブチルジグリコール(C4H9(CH2CH2O)2H)及びジプロピレングリコールモノメチルエテール(C7H16O3)を示す。
【表1】
次に、実施例1〜3及び比較例1〜16によるフォトレジスト用ストリッパー組成物に対し、フォトレジスト剥離性能、エアナイフ特性、接触角及びストリッパー組成物の蒸発率をそれぞれ以下の方法により測定した。
【0020】
A)剥離性能測定
3インチベアウェーハ(bare wafer)にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布し、1300Åの厚さでフォトレジスト層を形成した後、ホットプレートで150℃、160℃、170℃及び180℃の温度で2〜3分間焼成してウェーハ試料を準備した。このようなウェーハを5000枚処理する場合には、実施例及び比較例のストリッパー組成物にフォトレジスト固形分を1重量%含むようにし、10000枚を処理する場合にはフォトレジスト固形分を2重量%含むようにした後、ストリッパー組成物を50又は70℃で加熱した。そして、ウェーハを2〜3分間ストリッパー組成物に浸漬させた後、浸漬させたウェーハを出して脱イオン水(deionized water)で30秒間洗浄し、先ず肉眼観察、次いで顕微鏡観察をして、剥離性能が良好であれば○、普通であれば△、良好でなければ×と判定した。この結果を表2に示す。
【0021】
B)エアナイフ特性測定
7×7cmのベアガラスにITOを蒸着し、1300Åの厚みでフォトレジスト層cmを形成した後、所定のパターンで露光して現象し、ITOをエッチングして所定のパターンを形成した。このように、フォトレジストが蒸着されたガラスを5000枚処理する場合には、実施例及び比較例のストリッパー組成物にフォトレジスト固定分が1重量%含有されるようにしており、10000枚を処理する場合にはフォトレジスト固形分が2重量%含有されるようにした後、ストリッパー組成物を50又は70℃で加熱した。次に、前記ストリッパー組成物20mlをフォトレジストが蒸着されたガラスに滴下し、30秒経過後、フォトレジストを除去するために1kgf/cm2の圧力で空気を加えてエアナイフ工程を行った。このように、フォトレジストが除去されたガラスを超純水で30秒間洗浄して乾燥させた後、先ず肉眼観察、次いで顕微鏡観察をし、エアナイフ特性が良好であれば○、普通であれば△、良好でなければ×と判定し、このような実験を2回繰返した。この結果を表2に示す。
【表2】
表2に示すように、比較例1〜4及び6のストリッパー組成物は剥離性能は非常に優れていたが、エアナイフ特性は良好ではなかった。比較例5,7,9,11,14,16のストリッパー組成物はエアナイフ特性は良好であったが、剥離性能は良好でなく、比較例8、10,12,13及び15の組成物はエアナイフ特性及び剥離性能すべてが良好でないことが分かる。表2のエアナイフ特性から、MIPA、MEA等のアミン類は、その含量が増加することによってエアナイフ特性を低下させ、また、CARBITOL、DPGMEを溶媒として用いる場合にもエアナイフ特性が低下することが分かった。
【0022】
C)接触角測定
剥離性能及びエアナイフ特性が優れた実施例及び比較例のストリッパー組成物をフォトレジストに滴下したときの接触角を測定した。この結果を表3及び図1に示す。接触角の測定方法は次の通りである。
まず、7×7cmのベアガラスにITOを蒸着し、1300Åの厚さでフォトレジスト層を形成した。このように、フォトレジスト層が形成されたガラスを5000枚処理する場合には実施例及び比較例のストリッパー組成物にフォトレジスト固形分が1重量%含有されるようにし、10000枚を処理する場合にはフォトレジスト固形分が2重量%含有されるようにした後、ストリッパー組成物を70℃で加熱した。次に、ストリッパー組成物5μlをフォトレジストが蒸着されたガラスに滴下し、2秒間隔で50回の写真を撮って幅と高さを測定して接触角を計算する。
【表3】
表3に示すように、比較例のこれらストリッパー組成物は接触角が大きく、時間による接触角の変化が大きいため、ストリッパーをフォトレジストに塗布した初期の表面張力と一定時間経過後の表面張力との差異が生じて好ましくないことが分かる。また、実施例1〜3のストリッパー組成物は剥離性能、エアナイフ特性及び接触角の変化がすべて優れているため、浸漬方式だけでなく、特に、枚葉式フォトレジスト剥離工程において有用なことが分かる。
【0023】
D)蒸発量測定
剥離性能及びエアナイフ特性が優れた実施例2と比較例15及び比較例17のストリッパー組成物に対し、蒸発量を測定した結果を表4に示す。ストリッパー組成物の蒸発量はストリッパー組成物40mlをガラスヴァイアル(vial)に入れ、ガラスヴァイアル(vial)を70℃のオイルバス(bath)に入れた後、24時間及び48時間後に蒸発による重量の損失量を測定することによって計算した。
【表4】
【0024】
表4に示すように、比較例15及び17のストリッパー組成物の蒸発率は実施例2のストリッパー組成物より大きいため、ストリッパーの損失及び追加供給の問題が生じ、有毒溶媒の排気問題などを誘発することが分かる。特に、比較例15は沸騰点が低いDMAcを含有しており、蒸発率が非常に高く現われた。
E)Al溶出量評価
各ストリッパー組成物の腐食性を評価するために、実施例1、3及び比較例4、15のストリッパー組成物をバス(bath)に72時間浸漬させた後、ストリッパー組成物に溶出されたアルミニウムの量(REF)及びストリッパー組成物で2000枚、4000枚のアルミニウムが蒸着されたガラスを処理した後、ストリッパー組成物に溶出されたアルミニウムの量を測定して表5に示した。
【表5】
【0025】
表5から、実施例のストリッパー組成物がアルミニウムを少なく溶出させることが分かる。
【0026】
[実施例4]
実施例2の組成物100重量部に、界面活性剤としてF−14及びLP100を各々0.1重量部添加し、ストリッパー組成物を製造した。このように、界面活性剤が含まれたストリッパー組成物と、界面活性剤が含まれていない実施例2のストリッパー組成物のベアガラス上においての特性を対比するために、2つの組成物を各々ベアガラスに滴下させて塗布した後、これらストリッパー組成物のエアナイフ特性、リンス効果及びフォーム生成程度を評価した。
【0027】
エアナイフ特性を評価するために、ベアガラスにストリッパー組成物を各々塗布した後、1kgf/cm2の圧力で空気を加えた後、ベアガラス表面のストリッパー状態を観察して図2及び3に各々概略的に示した。図2及び3における曲線はベアガラス上にストリッパーが形成されている模様を概略的に示したもので、界面活性剤を含んでいないストリッパー組成物はエアナイフ工程後ベアガラス表面上に水滴形態に固まった(図2参照)反面、界面活性剤を含んだストリッパー組成物は均一な膜を形成した(図3参照)。したがって、界面活性剤を含んだストリッパー組成物とベアガラスとの界面張力(adhesion force)が高いため、均一膜を容易に形成することにより、ストリッパーの固形化によって生成される粒子の生成が防止できることが分かる。
【0028】
各ストリッパー組成物のリンス効果を評価するために、各々のストリッパー組成物にベアガラスを浸漬した後、ベアガラスを取り出して水で洗浄した。水で洗浄したベアガラスを乾燥させた後、水滴を滴下してその挙動を観察した結果、水滴の挙動が良好な状態を示すためには、界面活性剤を含んでいないストリッパー組成物をより長時間洗浄しなければならないことが分かった。したがって、界面活性剤を含んだストリッパー組成物がベアガラスから均一に洗浄されることが分かった。
【0029】
各ストリッパー組成物のフォーム生成程度を評価するために、各々のストリッパー組成物をASTM D896方法によって実験した。このとき、ガスの供給速度は85ml/分であり、ストリッパー組成物の使用量は85ml、実験温度及び湿度は各々21℃及び40%であった。1分間ガスを供給した結果、界面活性剤を含んだストリッパー組成物と、含んでいないストリッパー組成物の総体積はそれぞれ107ml及び99mlであり、これらバブルは、150秒以内に完全に消滅し、すべてフォーム形成抑制性能が良好であることが示された。したがって、ベアガラスを処理するためには、界面活性剤を本発明のストリッパー組成物に添加するのが好ましいことが分かる。
【0030】
【発明の効果】
本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物は、剥離性能が良好であり、金属の腐食を抑制するだけでなく、ストリッパー組成物の各構成成分と多様なLCD全膜質との表面張力が均一に維持されるため、浸漬方式だけでなく、枚葉方式を用いてフォトレジストを除去してもフォトレジストの不純物残部が基板上に残らない。また、本発明のストリッパー組成物は、界面張力が向上されて蒸発損失が少ないため、使用時間が増加(300%)しており、再利用が可能であることで環境的に優れている。さらに、アルミニウム、クロム、窒化シリコン(SiNx)及びアモルファスシリコン膜上での性質だけでなく、ベアガラス上においての物理的性質も優れており、ベアガラス洗浄の際、不純物微粒子の生成を抑制する。また、本発明の組成物は、フォトレジスト剥離工程における不良発生を減らすことができ、エアナイフ工程が適用されるLCD回路を一枚ずつ処理する工程に有用に用いることもできる。
【0031】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例及び比較例のストリッパー組成物をフォトレジストに適用した時の接触角の時間変化を示すグラフ。
【図2】界面活性剤が含まれていないストリッパー組成物をベアガラスに塗布してエアナイフ工程を遂行した後、ストリッパー状態を示す概略図。
【図3】界面活性剤が含まれたストリッパー組成物をベアガラスに塗布してエアナイフ工程を遂行した後、ストリッパー状態を示す概略図。
Claims (6)
- 前記アルカノールアミンは、モノイソプロパノールアミン及びモノエタノールアミンからなる群より選択される少なくとも1つの化合物を含む請求項1に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
- 前記スルホキシド化合物は、ジメチルスルホキシド及びジエチルスルホキシドからなる群より選択される少なくとも1つの化合物を含み、前記スルホン化合物は、ジエチルスルホン及びジメチルスルホンからなる群より選択される少なくとも1つの化合物を含む請求項1又は2に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
- 前記グリコールエーテルは、エチルジグリコール、メチルジグリコール及びブチルジグリコールからなる群より選択される少なくとも1つの化合物を含む請求項1〜3のいずれか1つに記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
- 10重量%のアルカノールアミンと、
45重量%のスルホキシド化合物又はスルホン化合物と、
45重量%のグリコールエーテルとを含む請求項1〜4のいずれか1つに記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。 - フォトレジストを剥離するためのエアナイフ工程又は浸漬法を使った単一ウェハ処理方法に適用可能である請求項1〜5のいずれか1つに記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1998P27782 | 1998-07-10 | ||
KR1019980027782A KR100288769B1 (ko) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 포토레지스트용스트리퍼조성물 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000039727A JP2000039727A (ja) | 2000-02-08 |
JP2000039727A5 JP2000039727A5 (ja) | 2006-08-24 |
JP4358935B2 true JP4358935B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=19543684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19752399A Expired - Fee Related JP4358935B2 (ja) | 1998-07-10 | 1999-07-12 | フォトレジスト用ストリッパー組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6211127B1 (ja) |
JP (1) | JP4358935B2 (ja) |
KR (1) | KR100288769B1 (ja) |
TW (1) | TW439013B (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4224651B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP2000284506A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sharp Corp | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
US6506684B1 (en) * | 2000-05-24 | 2003-01-14 | Lsi Logic Corporation | Anti-corrosion system |
KR100363271B1 (ko) * | 2000-06-12 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
KR20010113396A (ko) * | 2000-06-19 | 2001-12-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버 조성물 |
KR100779037B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2007-11-27 | 주식회사 동진쎄미켐 | 티에프티 엘시디용 칼라 레지스트 박리액 조성물 |
KR100733197B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
KR100745891B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
KR100745892B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
CN100334508C (zh) * | 2003-01-10 | 2007-08-29 | 吉埈仍 | 光刻胶脱膜组成物及使用该组成物的模型形成方法 |
KR100663624B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2007-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
KR101403515B1 (ko) * | 2006-06-22 | 2014-06-09 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거용 조성물 |
CN101959977B (zh) * | 2008-02-29 | 2013-12-04 | 安万托特性材料股份有限公司 | 微电子基底清洁组合物 |
US8614053B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
US8444768B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
US9484218B2 (en) | 2009-07-30 | 2016-11-01 | Basf Se | Post ion implant stripper for advanced semiconductor application |
US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
KR20230050327A (ko) * | 2020-07-13 | 2023-04-14 | 어드밴식스 레진즈 앤드 케미컬즈 엘엘씨 | 전자기기 제품을 위한 분지형 아미노산 계면활성제 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4617251A (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-14 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Stripping composition and method of using the same |
US5988186A (en) * | 1991-01-25 | 1999-11-23 | Ashland, Inc. | Aqueous stripping and cleaning compositions |
US5480585A (en) * | 1992-04-02 | 1996-01-02 | Nagase Electronic Chemicals, Ltd. | Stripping liquid compositions |
JP3761592B2 (ja) * | 1994-04-05 | 2006-03-29 | キャロル・タッチ・インターナショナル・リミテッド | 樹脂部材の結合構造 |
US5597678A (en) * | 1994-04-18 | 1997-01-28 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Non-corrosive photoresist stripper composition |
US5567574A (en) * | 1995-01-10 | 1996-10-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Removing agent composition for photoresist and method of removing |
US5554312A (en) * | 1995-01-13 | 1996-09-10 | Ashland | Photoresist stripping composition |
US5731243A (en) * | 1995-09-05 | 1998-03-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of cleaning residue on a semiconductor wafer bonding pad |
JP2911792B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
-
1998
- 1998-07-10 KR KR1019980027782A patent/KR100288769B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-26 TW TW088104832A patent/TW439013B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-11 US US09/330,206 patent/US6211127B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-12 JP JP19752399A patent/JP4358935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100288769B1 (ko) | 2001-09-17 |
JP2000039727A (ja) | 2000-02-08 |
US6211127B1 (en) | 2001-04-03 |
TW439013B (en) | 2001-06-07 |
KR20000008103A (ko) | 2000-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4358935B2 (ja) | フォトレジスト用ストリッパー組成物 | |
CN101454872B (zh) | 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法 | |
KR100846057B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR20100061490A (ko) | 레조르시놀을 함유하는 스트리퍼 용액을 사용하는 향상된 금속 보존 | |
JP4144959B2 (ja) | フォトレジスト用のストリッパー組成物 | |
JP4409138B2 (ja) | フォトレジスト除去用組成物 | |
JP6588150B2 (ja) | 半導体基板又は装置の洗浄液及び洗浄方法 | |
KR100794465B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR20110007828A (ko) | 구리 또는 구리합금 배선용 박리액 조성물 | |
KR100544889B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR100850163B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR100440484B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR101213731B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
TWI743079B (zh) | 光阻剝離劑組成物 | |
KR100324172B1 (ko) | 포토레지스트박리액조성물및이를이용한포토레지스트박리방법 | |
KR102572751B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 | |
KR101584775B1 (ko) | 유기절연막 및 감광성 고분자 제거용 박리액 조성물 | |
KR20040083157A (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
TWI516879B (zh) | 形成銅系配線用光阻剝離劑組成物、使用其來製造半導體裝置及平板顯示器之方法 | |
KR100544888B1 (ko) | 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | |
TW202321837A (zh) | 移除光阻之剝離劑組成物以及使用其之剝離光阻方法 | |
KR20100011472A (ko) | 구리용 레지스트 제거용 조성물 | |
KR20180042797A (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 | |
KR20110026976A (ko) | 구리계 배선의 형성을 위한 레지스트 제거용 조성물 | |
KR20110026977A (ko) | 구리계 배선의 형성을 위한 레지스트 제거용 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060512 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060710 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090807 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |