KR101949722B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR101949722B1
KR101949722B1 KR1020130140481A KR20130140481A KR101949722B1 KR 101949722 B1 KR101949722 B1 KR 101949722B1 KR 1020130140481 A KR1020130140481 A KR 1020130140481A KR 20130140481 A KR20130140481 A KR 20130140481A KR 101949722 B1 KR101949722 B1 KR 101949722B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flow rate
housing
substrate
cup
gas
Prior art date
Application number
KR1020130140481A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140064666A (ko
Inventor
타카히사 오츠카
노부히로 오가타
히로시 마루모토
테루후미 와키야마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=50726750&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101949722(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20140064666A publication Critical patent/KR20140064666A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101949722B1 publication Critical patent/KR101949722B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

프로세스 성능을 희생하지 않고, 청정 가스의 공급 유량을 감소시킨다. 기판(W)에 액 처리를 행하고 있을 때 청정 가스 공급 장치(70, 78)로부터 하우징(60)의 내부 공간으로 공급되는 청정 가스(70)의 유량보다, 기판에 건조 처리를 행하고 있을 때 청정 가스 공급 장치로부터 공급되는 저습도의 청정 가스(78)의 유량을 작게 하고, 또한 액 처리를 행하고 있을 때 하우징 배기로(64)를 통하여 배기되는 가스의 유량보다, 건조 처리를 행하고 있을 때 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 기판 처리 장치의 하우징의 내부 공간에서 회전하는 기판으로부터 비산하는 처리액을 회수하는 컵체를 구비한 기판 처리 장치에서, 청정 가스의 급기 및 당해 내부 공간 내의 분위기의 배기를 제어하는 기술에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조를 위한 일련의 처리에는, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 ‘웨이퍼’라고 칭함) 등의 기판으로 처리액(예를 들면 약액)을 공급함으로써 행해지는 액 처리(예를 들면 세정 처리)가 포함된다. 처리액을 공급하는 액 처리 후에는, 처리액을 제거하기 위하여 린스액을 공급하는 린스 처리가 실시되고, 이 후 웨이퍼에 건조 처리가 실시된다.
이러한 처리를 행하는 기판 처리 장치의 일례가 특허 문헌 1에 기재되어 있다. 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 장치는, 웨이퍼를 수평 자세로 보지(保持)하고, 또한 수직 축선 중심으로 회전시키는 스핀 척과, 웨이퍼의 주위를 둘러싸고 웨이퍼로부터 비산하는 처리액을 회수하는 컵체를 가지고 있다. 스핀 척 및 컵체는, 처리 챔버라 불리는 하우징의 내부에 배치되어 있다. 하우징 내의 분위기를 청정하게 유지하기 위하여, 하우징의 천장부에 청정 가스 토출 기구가 설치되고, 하우징의 내부 공간에는, 천장부로부터 저부(底部)를 향하는 청정 가스의 다운 플로우가 형성된다. 통상, 청정 가스는 FFU(팬 필터 유닛)에 의해 공급된다. FFU는 팬에 의해 도입된 클린 룸 내 에어를 ULPA 필터로 여과하여 공급하는 것이며, 비교적 저비용으로 청정 가스를 공급할 수 있다.
건조 처리 후의 웨이퍼의 표면에 워터 마크의 발생을 방지하기 위해서는, 건조 처리를 행하고 있을 때의 웨이퍼 주위의 분위기의 습도를 저감하는 것이 바람직하다. FFU에 의해 공급되는 청정 에어의 습도는 충분히 낮지 않으므로, 건조 처리 시에는 드라이 에어 또는 질소 가스가 웨이퍼의 주위 공간으로 공급된다. 질소 가스는 FFU에 의한 청정 에어와 비교하여 고가이다. 또한, 드라이 에어는 기판 처리 장치의 운전 시에 함께 운전되는 제습 장치를 이용하여 공급하므로, 역시 FFU에 의한 청정 에어와 비교하여 고가이다. 또한 최근에는, 다수의 기판 처리 장치를 탑재한 기판 처리 시스템을 이용하는 것이 일반적이다. 다수의 기판 처리 장치로 동시에 다량의 드라이 에어를 공급하는 것은, 제습 장치의 부담이 커지므로 바람직하지 않다. 따라서, 드라이 에어 또는 질소 가스의 사용량은 가능한 한 저감하는 것이 바람직하다.
특허 문헌 1에서는, 웨이퍼의 소수성을 증대시키는 약액을 이용한 액 처리 후에 웨이퍼를 건조할 때에 하우징의 내부 공간으로 드라이 에어를 공급하고, 이 이외의 때에는 FFU에 의한 청정 에어를 공급함으로써, 고가이며 제습 장치에 부담을 주는 드라이 에어의 사용량을 삭감하고 있다.
일본특허공개공보 2008-219047호
본 발명은, 프로세스 성능을 희생하지 않고, 드라이 에어 또는 질소 가스의 공급 유량을 감소시킬 수 있는 기술을 제공한다.
본 발명은, 기판을 수평 자세로 보지하는 기판 보지부와, 상기 기판 보지부를 수직 축선 중심으로 회전시키는 회전 구동부와, 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 주위를 둘러싸고 처리액을 회수하는, 상부가 개방된 컵체와, 상기 기판 보지부, 상기 노즐 및 상기 컵체가 수용되는 내부 공간을 가지는 하우징과, 상기 하우징의 내부 공간의 상기 컵체의 상방의 영역으로 제 1 청정 가스와 제 1 청정 가스보다 습도가 낮은 제 2 청정 가스를 전환하여 공급하는 청정 가스 공급 장치와, 상기 컵체의 내부의 분위기를 흡인하기 위한 컵 배기로와, 상기 하우징의 내부 공간으로서 또한 상기 컵체의 외부에 형성된 흡입구를 가지고, 상기 컵체의 내부를 거치지 않고 상기 하우징의 내부 공간의 분위기를 흡인하기 위한 하우징 배기로와, 상기 하우징 배기로에 설치된 배기 유량 조정부와, 기판에 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하고 있을 때 공급되는 제 1 청정 가스의 유량보다, 기판에 건조 처리를 행하고 있을 때 공급되는 제 2 청정 가스의 유량을 작게 하고, 또한 상기 액 처리를 행하고 있을 때 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량보다, 상기 건조 처리를 행하고 있을 때 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 하도록 상기 배기 유량 조정부를 제어하는 제어부를 구비한 기판 처리 장치를 제공한다.
또한 본 발명은, 기판을 수평 자세로 보지하는 기판 보지부와, 상기 기판 보지부를 수직 축선 중심으로 회전시키는 회전 구동부와, 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 주위를 둘러싸고 처리액을 회수하는, 상부가 개방된 컵체와, 상기 기판 보지부, 상기 노즐 및 상기 컵체가 수용되는 내부 공간을 가지는 하우징과, 상기 하우징의 내부 공간의 상기 컵체의 상방의 영역으로 제 1 청정 가스와 상기 제 1 청정 가스보다 습도가 낮은 제 2 청정 가스를 전환하여 공급하는 청정 가스 공급 장치와, 상기 컵체의 내부의 분위기를 흡인하기 위한 컵 배기로와, 상기 하우징의 내부 공간으로서, 또한 상기 컵체의 외부에 형성된 흡입구를 가지고, 상기 컵체의 내부를 거치지 않고 상기 하우징의 내부 공간의 분위기를 흡인하기 위한 하우징 배기로와, 상기 하우징 배기로에 설치된 배기 유량 조정부를 구비한 기판 처리 장치를 이용하여 실행되는 기판 처리 방법으로서, 기판에 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하고 있을 때 공급되는 제 1 청정 가스의 유량보다, 기판에 건조 처리를 행하고 있을 때 공급되는 제 2 청정 가스의 유량을 작게 하고, 또한 상기 액 처리를 행하고 있을 때 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량보다, 상기 건조 처리를 행하고 있을 때 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 기판 처리 장치를 제어하기 위한 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 기억 매체에 기억된 프로그램을 컴퓨터로 이루어지는 기판 처리 장치의 컨트롤러로 실행함으로써, 상기 컨트롤러가 상기 기판 처리 장치를 제어하여 상기한 기판 처리 방법을 실행하는 기억 매체를 제공한다.
일실시예에서, 상기 제 1 청정 가스는, 팬 필터 유닛을 거쳐 공급되는 여과된 클린룸 내의 공기이며, 상기 제 2 청정 가스는 드라이 에어 또는 질소 가스이다.
일실시예에서, 상기 건조 처리를 행할 때 상기 기판으로 건조 촉진 유체를 공급하는 건조 촉진 유체 노즐이 설치된다. 예를 들면, 상기 건조 촉진 유체는 IPA(이소프로필 알코올)이다.
본 발명에 따르면, 프로세스 성능을 희생하지 않고 하우징 배기로로부터의 배기의 유량을 감소시킴으로써, 당해 배기의 유량과 대략 평형시켜야 할 드라이 에어 또는 질소 가스의 공급 유량을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 전체 구성을 도시한 개략도이다.
도 2a ~ 도 2c는 도 1에 도시한 정류판에 형성된 관통홀에 대하여 설명하는 평면도이다.
도 3은 전환 밸브의 다른 구성예를 도시한 개략 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 전환 밸브의 각 포트의 접속 관계를 도시한 도이다.
이하에 도면을 참조하여 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 ‘웨이퍼’라고 함)를 수평 자세로 보지하는 기판 보지부(10)를 가지고 있다. 기판 보지부(10)는 원판 형상의 베이스(12)와, 베이스(12)에 장착된 복수 예를 들면 3 개의 척 클로(14)를 가지고 있고, 웨이퍼(W) 주연부의 복수 개소를 상기 척 클로(14)에 의해 보지하는 메커니컬 스핀 척으로서 형성되어 있다. 베이스(12)에는, 외부의 반송 암과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 시, 웨이퍼의 하면을 지지하여 들어올리는 리프트 핀(16)을 가지는 도시하지 않은 플레이트가 탑재되어 있다. 기판 보지부(10)는 전동 모터를 가지는 회전 구동부(18)에 의해 회전시킬 수 있고, 이에 의해 기판 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)를 수직 방향 축선 중심으로 회전시킬 수 있다. 베이스(12)에는 지지 기둥(19)을 개재하여, 링 형상의 회전 컵(20)이 장착되어 있다. 회전 컵(20)은 그 내주면에 의해, 회전하는 웨이퍼로 공급된 후에 웨이퍼로부터 털어내져 비산하는 처리액을 받고, 처리액을 회수하기 위하여 설치된 후술하는 컵체(30)로 안내한다. 또한 상기한 구성에 대해서는, 본건 출원인에 의한 특허 출원에 따른 일본특허공개공보 2011-071477호에 상세히 기술되어 있다.
컵체(30)는, 가장 외측에 위치하는 부동의 환상(環狀)의 제 1 컵(31)과, 그 내측에 위치하는 승강 가능한 환상의 제 2 컵(32)과, 더 그 내측에 위치하는 승강 가능한 환상의 제 3 컵(33)과, 더 그 내측에 위치하는 부동의 내벽(34)을 가지고 있다. 제 2 컵(32) 및 제 3 컵(33)은, 도 1에 개략적으로 도시한 각각의 승강 기구(32A, 33A)에 의해 승강한다. 제 1 컵(31)과 제 2 컵(32)의 사이에는 제 1 유로(311)가 형성되고, 제 2 컵(32)과 제 3 컵(33)의 사이에는 제 2 유로(321)가 형성되고, 제 3 컵(33)과 내벽(34)의 사이에는 제 3 유로(331)가 형성된다. 컵체(30)의 저부에는 제 1 유로(311), 제 2 유로(321) 및 제 3 유로(331)에 연통하는 컵 배기구(35)가 형성되어 있다.
컵 배기구(35)에는 컵 배기로(36)가 접속되어 있다. 컵 배기로(36)에는 유량 조정 밸브(37), 예를 들면 버터플라이 밸브가 개재 설치되어 있다. 컵 배기로(36)의 더 하류측에는, 컵 배기로(36)를 산성 분위기 배기 라인(81), 알칼리성 분위기 배기 라인(82) 또는 유기 분위기 배기 라인(83)에 선택적으로 접속하는 전환 밸브(40)가 설치되어 있다.
제 1 유로(311), 제 2 유로(321) 및 제 3 유로(331)의 각각의 도중에 굴곡부가 형성되어 있고, 굴곡부에서 급격히 방향을 바꿈으로써 각 유로를 흐르는 기액 혼합 유체로부터 액체 성분이 분리된다. 분리된 액체 성분은, 제 1 유로(311)에 대응하는 액 받이(312), 제 2 유로(321)에 대응하는 액 받이(322) 및 제 3 유로(331)에 대응하는 액 받이(332) 내에 낙하한다. 액 받이(312, 322, 332)는 각각에 대응하는 배액구(313, 323, 333)를 개재하여, 공장의 산성 액체 폐액계, 알칼리성 액체 폐액계, 유기 액체 폐액계(모두 도시하지 않음)에 접속되어 있다.
기판 처리 장치는 또한, 기판 보지부(10)에 보지되어 회전하는 웨이퍼(W)를 향해 처리액을 토출(공급)하는 복수의 처리액 노즐을 구비하고 있다. 본 예에서는, 산성 세정액(예를 들면 DHF(희불산))를 토출하는 산성 약액 노즐(51)과, 알칼리성 세정액(예를 들면 SC-1)을 토출하는 알칼리성 약액 노즐(52)과, 린스액(예를 들면 DIW(순수))을 토출하는 린스액 노즐(53)이 설치되어 있다. 또한, 건조 촉진액(예를 들면 IPA(이소프로필 알코올))를 공급하는 건조 촉진액 노즐(54)이 설치되어 있다. 각 노즐에는, 처리액 공급원에 접속되고, 또한 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등의 유량 조정기가 개재 설치된 처리액 공급로를 구비한 도시하지 않은 처리액 공급 기구로부터, 각각의 처리액이 공급된다.
기판 보지부(10) 및 컵체(30)는 하우징(60) 내에 수용되어 있다. 하우징(60)의 천장에는 팬 필터 유닛(FFU)(70)이 설치되어 있다. FFU(70)은, 클린룸 내의 공기를 도입하기 위한 팬(71)과, 도입한 공기를 여과하기 위한 필터(72), 구체적으로 ULPA 필터가 설치되어 있다. 이 FFU(70)의 덕트(73) 내에서, 팬(71)의 하류측으로서 또한 필터(72)의 상류측에, 당해 덕트(73) 중의 통기를 차단할 수 있는 댐퍼(74)가 설치되어 있다.
하우징(60)의 천장의 하방에는 다수의 관통홀(76)이 형성된 정류판(75)이 설치되어 있다. 정류판(75)은, FFU(70)로부터 하방으로 분출된 청정 에어(CA)가, 웨이퍼(W)상에 집중하여 흐르도록 정류한다. 하우징(60)의 천장과 정류판(75)의 사이의 공간(77)에는, 당해 공간(77)으로 질소 가스 또는 드라이 에어를 토출하는 가스 노즐(78)이 설치되어 있다. 가스 노즐(78)에는, 가스 공급원(79A)(질소 가스 봄베 또는 드라이 에어 생성 장치)에 접속되고, 또한 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등의 유량 조정기가 개재 설치된 가스 공급로를 구비한 가스 공급 기구(79B)로부터, 질소 가스 또는 드라이 에어가 공급된다. 가스 노즐(78)로부터 토출된 기체는 공간(77) 내에서 확산된 후에, 정류판(75)의 관통홀(76)을 통하여 하방을 향해 토출된다. 또한, 드라이 에어는 저습도 분위기가 필요한 경우에 이용되고, 질소 가스는 저습도 및 저산소 농도 분위기가 필요한 경우에 이용된다.
도 2a는, 관통홀(76)의 배치를 설명하기 위한 도로서, 정류판(75)을 상방에서 본 개략 평면도이다. 도 2a에서, 부호(We)로 나타낸 원은 기판 보지부(10)에 보지된 웨이퍼(W)의 외주 가장자리를 나타내고 있고, 부호(Ce)로 나타낸 원은 컵체(30)의 제 1 컵(31)의 상면 개구의 윤곽을 나타내고 있다. 도 2a에 그 일부만이 개략적으로 도시되어 있는 관통홀(76)은, 그 중심이 정방 격자 형상으로, 즉 X 방향 및 Y 방향으로 동일한 피치(예를 들면, X 방향 및 Y 방향 모두 약 12 mm 피치)로 배열되어 있다. 기판 보지부(10)에 보지된 웨이퍼(W)의 중심부에 대응하는 영역을 부호(A1)로 나타내고, 그 외측의 영역을 부호(A2)로 나타내고 있다. 웨이퍼(W)가 12 인치 웨이퍼라고 할 경우, 영역(A1)은 예를 들면 직경 62 mm의 원형의 영역이다. 영역(A2)은, 그 내주 가장자리의 직경이 62 mm이고 그 외주 가장자리의 직경이 200 mm인 링 형상의 영역이다. 영역(A1)에 있는 관통홀(76)의 직경은 가장 크고 예를 들면 10 mm이다. 영역(A2)에 있는 관통홀(76)의 직경은 그것보다 작고 예를 들면 6 mm이다. 영역(A2)보다 외측의 모든 영역(A3)에 있는 관통홀(76)의 직경은 더 작고 예를 들면 3 mm이다. 즉, 단위 면적당 개구율은 영역(A1)이 최대이며, A2, A3의 순으로 작아진다.
관통홀(76)의 단위 면적당 개구율이 균일할 경우에는, 도 2b에 도시한 바와 같이, 컵체(30) 내로 인입되는 기류에 이끌려, 다운 플로우가 반경 방향 외측으로 확산되고, 웨이퍼(W) 중앙부에 도달하지 않게 된다. 이 때문에, 액 처리 시에 발생한 처리액의 분위기 또는 미스트가, 웨이퍼(W) 중앙부의 바로 위의 영역(파선으로 둘러싼 부분)에 체류하고, 파티클 발생의 원인이 될 수 있다. 그러나, 웨이퍼(W) 중앙부에 대향하는 영역에서 정류판(75)의 개구율을 증가시킴으로써, 도 2c에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W) 중앙부를 향하는 강한 다운 플로우가 발생하고, 이 흐름은 컵체(30) 내로 인입된 기류에 그다지 영향을 받지 않고 웨이퍼(W) 중앙부에 도달한다. 이 때문에, 상기한 원인에 의해 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
하우징(60)의 하부(구체적으로 적어도 컵체(30)의 상부 개구부보다 낮은 위치)로서, 또한 컵체(30)의 외부에는, 하우징(60) 내의 분위기를 배기하기 위한 하우징 배기구(62)가 형성되어 있다. 하우징 배기구(62)에는 하우징 배기로(64)가 접속되어 있다. 하우징 배기로(64)에는 유량 조정 밸브(66) 예를 들면 버터플라이 밸브가 설치되어 있다. 하우징 배기로(64)는, 컵 배기로(36)의 경로 상에서 유량 조정 밸브(37)와 전환 밸브(40)의 사이에 접속되어 있다.
도 1에 개략적으로 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치는, 그 전체의 동작을 통괄 제어하는 컨트롤러(제어부)(100)를 가지고 있다. 컨트롤러(100)는 기판 처리 장치의 모든 기능 부품(예를 들면, 회전 구동부(18), 제 2 및 제 3 컵(32, 33)의 승강 기구(32A, 33A), 도시하지 않은 처리액 공급 기구, 유량 조정 밸브(37, 66), 전환 밸브(40), FFU(70), 가스 공급 기구(79B) 등)의 동작을 제어한다. 컨트롤러(100)는, 하드웨어로서 예를 들면 범용 컴퓨터와, 소프트웨어로서 당해 컴퓨터를 동작시키기 위한 프로그램(장치 제어 프로그램 및 처리 레시피 등)에 의해 실현할 수 있다. 소프트웨어는, 컴퓨터에 고정적으로 설치된 하드 디스크 드라이브 등의 기억 매체에 저장되거나, 혹은 CD-ROM, DVD, 플래쉬 메모리 등의 착탈 가능하게 컴퓨터에 세팅되는 기억 매체에 저장된다. 이러한 기억 매체가 도 1에서 참조 부호(101)로 나타나 있다. 프로세서(102)는 필요에 따라 도시하지 않은 유저 인터페이스로부터의 지시 등에 기초하여 소정의 처리 레시피를 기억 매체(101)로부터 호출하여 실행시키고, 이에 의해 컨트롤러(100)의 제어하에서 기판 처리 장치의 각 기능 부품이 동작하여 소정의 처리가 행해진다.
이어서, 상기 컨트롤러(100)의 제어하에서 행해지는 기판 처리 장치의 동작에 대하여 설명한다.
(산성 약액 세정 처리)
웨이퍼(W)가 기판 보지부(10)에 의해 보지되고, 회전 구동부(18)에 의해 웨이퍼(W)가 회전한다. 이 회전하는 웨이퍼(W)로는, 처리액으로서 산성 약액 노즐(51)로부터 산성 약액 예를 들면 DHF가 공급되고, 웨이퍼(W)에 산성 약액 세정 처리가 실시된다. 산성 약액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 털어내져, 회전 컵(20)에 받아진다. 이 때, 제 2 컵(32) 및 제 3 컵(33)이 하강 위치에 위치하고 있고, 산성 약액은 제 1 컵(31)과 제 2 컵(32)의 사이의 제 1 유로(311)를 통하여 흐른다.
이 때 FFU(70)의 댐퍼(74)는 개방 상태이며, 팬(71)이 회전하고 있다. 따라서, 정류판(75)의 관통홀(76)로부터 청정 에어가 하방의 웨이퍼를 향해 흐르고 있다. 즉, 하우징(60)의 내부 공간의 정류판(75)의 하방에는 청정 에어의 다운 플로우가 형성되어 있다.
또한 이 때, 전환 밸브(40)는 컵 배기로(36)와 산성 분위기 배기 라인(81)을 연통시키고 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상방의 공간에 존재하는 가스(이 경우 다운 플로우를 형성하는 청정 에어)는, 제 1 컵(31)의 상부 개구를 거쳐 컵체(30) 내로 유입되고, 제 1 컵(31)과 제 2 컵(32)의 사이의 제 1 유로(311)를 통하여 흐르고, 컵 배기구(35)로부터 배출되고, 컵 배기로(36) 및 전환 밸브(40)를 통하여 산성 분위기 배기 라인(81)으로 흐른다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상방의 공간에 산성 약액 미스트(미소 액적)를 포함하는 산성 약액 분위기(처리액 분위기)가 존재하고 있어도, 이러한 산성 약액 분위기는 컵 배기구(35)로부터 배출되므로, 웨이퍼(W)의 상방의 공간(도 1의 영역(A4))에 체류하지 않는다. 이 때문에, 체류한 처리액 분위기가 다음 공정에 영향을 주는 것 및 하우징 내벽을 오염시키는 것이 방지되거나 혹은 최소한으로 억제된다.
또한 산성 약액은, 웨이퍼에의 충돌에 의해 혹은 회전 컵(20), 제 1 컵(31) 등에의 충돌에 의해 일부가 미스트 형상이 되어 있고, 이 미스트는 컵체(30) 내로 유입되어 제 1 유로(311)를 통하여 흐르는 가스의 흐름을 타고 컵 배기구(35)를 향해 흐른다. 미스트의 대부분은, 제 1 유로(311)의 도중에 형성된 굴곡부의 벽체에 포착되고, 액 받이(312)에 낙하한다. 또한, 제 1 유로(311)에 면하는 제 1 컵(31) 및 제 2 컵(32)의 표면을 따라 아래로 흐르는 산성 약액도 액 받이(312)에 낙하한다. 액 받이(312)에 떨어진 산성 약액은, 배액구(313)를 거쳐 컵체(30) 내로부터 배출된다.
또한, 하우징(60)의 내부 공간의 컵체(30)의 주변의 공간에 존재하는 가스(구체적으로 제 1 컵(31)의 측부 둘레면의 반경 방향 외측의 공간(도 1의 영역(A5))에 존재하는 가스, 및 당해 공간에 가까운 위치에 있는 공간에 존재하는 가스의 일부)이 하우징 배기구(62)로부터 배출되고, 하우징 배기로(64) 및 전환 밸브(40)를 통하여 산성 분위기 배기 라인(81)으로 흐른다. 따라서, 컵 배기구로부터 배출할 수 없는 컵체(30) 주변의 공간에 산성 약액 증기 또는 산성 약액 미스트를 포함하는 산성 약액 분위기가 존재하고 있어도, 이러한 산성 약액 분위기는 컵체(30)의 주변의 공간에 체류하지 않는다. 이 때문에, 체류한 처리액 분위기가 다음 공정에 영향을 주는 것 및 하우징 내벽을 오염시키는 것이 방지 또는 큰 폭으로 억제된다.
(제 1 린스 처리)
이어서, 웨이퍼(W)의 회전을 계속한 채로, 산성 약액 노즐(51)로부터의 산성 약액의 토출을 정지하고, 대신에 린스액 노즐(53)로부터 처리액으로서 린스액 예를 들면 DIW를 웨이퍼(W)로 공급한다. 이에 의해 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 산성 약액 및 잔사가 세정된다. 이 린스 처리는, 상기한 점만이 산성 약액 세정 처리와 상이하고, 그 외의 점(가스, 처리액 등의 흐름)은 산성 약액 세정 처리와 동일하다.
(알칼리성 약액 세정 처리)
이어서, 웨이퍼(W)의 회전을 계속한 채로, 린스액 노즐(53)로부터의 린스액의 토출을 정지하고, 제 3 컵(33)을 하강 위치에 유지한 채로 제 2 컵(32)을 상승 위치로 이동시키고, 전환 밸브(40)를 전환하여 컵 배기로(36)와 알칼리성 분위기 배기 라인(82)을 연통시킨다. 이어서, 처리액으로서 알칼리성 약액 노즐(52)로부터 알칼리성 세정액 예를 들면 SC-1이 웨이퍼로 공급되고, 웨이퍼(W)에 알칼리성 약액 세정 처리가 실시된다. 이 알칼리성 약액 세정 처리는, 가스 및 알칼리성 약액의 배출 경로가 산성 약액 세정 처리와 상이하고, 다른 점에 대해서는 산성 약액 세정 처리와 동일하다.
즉, 웨이퍼(W)의 상방의 공간에 있는 가스는, 제 1 컵(31)의 상부 개구를 거쳐 컵체(30) 내로 유입된 후, 제 2 컵(32)과 제 3 컵(33)의 사이의 제 2 유로(321)를 통하여 흐르고, 컵 배기구(35)로부터 배출되고, 컵 배기로(36) 및 전환 밸브(40)를 통하여 알칼리성 분위기 배기 라인(82)으로 흐른다. 웨이퍼(W)로부터 비산한 약액은, 제 2 유로(321)를 통하여 흐르고, 액 받이(322)에 낙하하고, 배액구(323)를 거쳐 컵체(30) 내로부터 배출된다. 하우징(60)의 내부 공간의 컵체(30)의 주변의 공간에 존재하는 가스는, 하우징 배기구(62)로부터 배출되고, 하우징 배기로(64) 및 전환 밸브(40)를 거쳐 알칼리성 분위기 배기 라인(82)으로 흐른다. 하우징(60)의 내부 공간에 처리액 분위기의 체류가 발생하는 것을 방지 또는 큰 폭으로 억제되는 점도, 산성 약액 세정 처리와 동일하다.
(제 2 린스 처리)
이어서, 웨이퍼(W)의 회전을 계속한 채로, 알칼리성 약액 노즐(52)로부터의 알칼리성 약액의 토출을 정지하고, 대신에 린스액 노즐(53)로부터 린스액을 웨이퍼(W)로 공급한다. 이에 의해 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 알칼리성 약액 및 잔사가 세정된다. 이 제 2 린스 처리는, 가스 및 처리액(린스액)의 배출 경로가 제 1 린스 처리와 상이하고, 다른 점에 대해서는 제 1 린스 처리와 동일하다.
(건조 처리)
이어서, 웨이퍼(W)의 회전을 계속한 채로, 린스액 노즐(53)로부터의 린스액의 토출을 정지하고, 제 2 컵(32)을 상승 위치에 유지한 채로 제 3 컵(33)을 상승 위치로 이동시키고(이 때 도 1에 도시한 상태가 됨), 전환 밸브(40)를 전환하여 컵 배기로(36)와 유기 분위기 배기 라인(83)을 연통시킨다. 이와 거의 동시에, FFU(70)의 팬(71)이 정지되고, 이어서 댐퍼(74)가 닫힌다. 이 후 즉시, 가스 노즐(78)로부터 질소 가스(드라이 에어여도 됨)가 토출된다. 이어서, 처리액으로서 건조 촉진액 노즐(54)로부터 소정 시간만큼 건조 촉진액 예를 들면 IPA가 웨이퍼(W)로 공급되고, 이 후 건조 촉진액 노즐(54)로부터의 건조 촉진액의 공급이 정지되고, 웨이퍼(W)의 회전이 소정 시간 계속된다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상에 잔류하고 있던 DIW가 IPA 중에 도입되고, 이 IPA가 웨이퍼(W) 상으로부터 털어내지고 또한 증발하여, 웨이퍼(W)의 건조가 행해진다.
건조 처리가 행해지고 있을 때에는, 정류판(75)의 관통홀(76)로부터 저습도 또한 저산소 농도의 질소 가스가 하방의 웨이퍼(W)를 향해 흐른다. 이 질소 가스의 다운 플로우는, 제 1 컵(31)의 상부 개구를 거쳐 컵체(30) 내로 유입되고, 제 3 컵(33)과 내벽(34)의 사이의 제 3 유로(331)를 통하여 흐르고, 컵 배기구(35)로부터 배출되고, 컵 배기로(36) 및 전환 밸브(40)를 통하여 유기 분위기 배기 라인(83)으로 흐른다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상방의 공간을 저습도 분위기로 할 수 있다. 한편, 유량 조정 밸브(66)를 제어함으로써, 하우징 배기의 유량을 액 처리를 하고 있을 때보다 작게 한다. (예를 들면 액 처리 시의 10 분의 1)
또한 건조 촉진액은, 웨이퍼에의 충돌에 의해 혹은 회전 컵(20), 제 3 컵(33) 등에의 충돌에 의해 일부가 미스트 형상이 되어 있고, 이 미스트는 컵체(30) 내로 유입되어 제 3 유로(331)를 통하여 흐르는 가스의 흐름을 타고 컵 배기구(35)를 향해 흐른다. 미스트의 대부분은, 제 3 유로(331)의 도중에 형성된 굴곡부의 벽체에 포착되고, 액 받이(332)에 낙하한다. 또한, 제 3 유로(331)에 면하는 제 3 컵(33) 및 내벽(34)의 표면을 따라 아래로 흐르는 건조 촉진액도 액 받이(332)에 낙하한다. 액 받이(332)에 떨어진 건조 촉진액은, 배액구(333)를 거쳐 컵체(30) 내로부터 배출된다.
건조 처리가 종료되면, 가스 노즐(78)로부터의 질소 가스의 토출이 정지되고, 댐퍼(74)가 열려 FFU(70)의 팬(71)이 기동된다. 이와 거의 동시에, 유량 조정 밸브(66)의 개방도가 원래로 되돌려지고, 하우징 배기의 유량을 액 처리 시와 동일하게 한다. 또한, 전환 밸브(40)를 전환하여 컵 배기로(36)와 산성 분위기 배기 라인(81)을 연통시킨다. 이 상태에서, 처리 완료된 웨이퍼(W)가 도시하지 않은 반송 암에 의해 하우징(60) 밖으로 반출되고, 이어서 다음에 처리될 웨이퍼(W)가 도시하지 않은 반송 암에 의해 하우징(60) 내로 반입되고, 기판 보지부(10)에 의해 보지된다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 반출입 시에는, 하우징(60) 내에 FFU(70)로부터 공급된 청정 에어의 다운 플로우가 형성되고, 액 처리 시와 동일한 컵 배기 및 하우징 배기가 행해진다.
전술한 바와 같이, 약액(산성 약액, 알칼리성 약액)의 분위기가 하우징의 내부 공간에 체류하면, 체류한 약액 분위기가 다음 공정에 영향을 준다는 점 및 하우징 내벽을 오염시킨다고 하는 문제가 있다. 이 때문에, 약액 처리(산성 약액 세정 처리 및 알칼리성 약액 세정 처리)를 행할 때에는, FFU(70)에 의해 비교적 대유량(예를 들면 1200 리터/분)으로 청정 에어를 공급하고, 청정 에어의 공급 유량에 대략 대응하는 유량, 예를 들면 컵 배기구(35)를 통과하는 배기(이하, 간편히 ‘컵 배기’라고 함)의 유량이 1000 리터/분, 하우징 배기구(62)를 통과하는 배기(이하, 간편히 ‘하우징 배기’라고 함)의 유량이 200 리터/분으로 배기를 행하고 있다. 이와 같이, 비교적 대유량의 청정 에어의 흐름을 컵체(30) 내로 인입함으로써, 웨이퍼(W)로부터 비산한 후에 컵체(30)의 벽면에 충돌함으로써 미스트화된 약액이 웨이퍼(W)를 향해 역류하는 것이 큰 폭으로 억제된다. 또한, 미스트화 또는 기화된 약액이, 하우징(60)의 내부 공간의 컵체(30)의 주변의 공간으로부터 웨이퍼(W)의 상방의 공간에 침입했다 하더라도, 그러한 약액은, 컵체 내로 인입되는 청정 에어의 흐름을 타고 즉시 컵체 내로 인입된다. 또한, 하우징 배기를 타고 하우징(60)의 내부 공간의 컵체(30)의 주변의 공간에 존재하는 미스트화 또는 기화된 약액이, 하우징(60) 내로부터 배출된다. 여기서 하우징 배기의 유량을 너무 크게 하면, 이 하우징 배기구(62)를 향하는 기류에 웨이퍼(W)를 향하는 청정 에어의 다운 플로우가 이끌려, 가장 중요한 웨이퍼(W)의 바로 위의 기류가 흐트러질 우려가 있기 때문에, 하우징 배기의 유량은 컵 배기의 유량보다 작게 하고 있다.
약액 처리를 행할 시에는, 하우징(60) 내의 약액 분위기가 하우징(60)의 외부의 공간으로 유출되지 않도록, 하우징(60)의 내부 공간의 압력은 하우징(60)의 외부의 공간 내의 압력과 동일하거나 아주 약간 낮은 것이 바람직하다. 한편, 건조 처리를 행할 시에는, 하우징(60)의 외부의 공간 내의 습도가 높은(혹은 하우징(60)의 내부 공간의 공기와 비교에서 파티클 함유량이 높은) 공기가 하우징(60)의 내부 공간으로 유입되지 않도록, 하우징(60)의 내부 공간의 압력은 하우징(60)의 외부의 공간 내의 압력과 동일하거나 아주 약간 높은 것이 바람직하다. 즉, 모든 경우, 하우징(60)의 내부 공간의 압력은 하우징(60)의 외부의 공간(클린룸의 분위기) 내의 압력과 대략 동일한 것이 바람직하다. 이 때문에, 정류판(75)의 관통홀(76)로부터 토출되는 가스의 유량과 컵 배기 및 하우징 배기의 총 유량이 대략 동일할 필요가 있다.
건조 처리가 행해질 때에는, 웨이퍼(W)의 상방 및 컵체(30)의 주변의 공간에는, 약액 분위기는 체류하지 않고 충분히 청정한 상태로 이미 되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 상방은 저습도 분위기가 되어 있다. 이 때문에, 전술한 바와 같이 하우징 배기의 유량을, 액 처리를 하고 있을 때보다 작게 할 수 있다. 또한 컵 배기의 유량도, 약액 처리를 행하고 있을 때와 비교하여 작게 하고 있고, 예를 들면 500 리터/분으로 하고 있다. 따라서, 이 경우, 가스 노즐(78)로부터 토출되는 질소 가스(또는 드라이 에어)의 유량은, 배기 유량과 대략 동일한 값인 500 리터/분으로 하고 있다. 질소 가스(또는 드라이 에어)는, 주로 웨이퍼(W)의 주변 습도를 저감하여 건조를 촉진시키기 위하여 공급되는 것이며, 오염 요인이 될 수 있는 분위기를 배제하기 위한 것은 아니므로, 대유량으로 공급할 필요는 없다.
상기한 실시예에 따르면, 건조 처리를 행할 때, 약액 처리 또는 린스 처리 등의 액 처리를 행할 때와 비교하여, 하우징 배기 및 컵 배기의 총 유량을 저감하고 있으므로, 이들 배기의 총 유량에 상응하여 하우징(60) 내로 공급해야 할 고가인 질소 가스(또는 제조에 많은 용력이 필요하고 또한 제조 코스트가 높은 드라이 에어) 등의 저습도 가스의 사용량을 줄일 수 있다. 또한, 필요한 기류는 확보되어 있기 때문에, 프로세스 성능(프로세스 결과)에 영향을 미치지 않는다.
이어서, 도 3 및 도 4를 참조하여 다른 실시예에 대하여 설명한다. 이 실시예는, 상술한 실시예에서 이용한 전환 밸브(40) 대신에, 회전 밸브의 형식의 전환 밸브(40a)를 이용한 점이 상이하다. 전환 밸브(40a)는, 컵 배기로(36)에 접속된 제 1 흡기 포트(411)와 하우징 배기로(64)에 접속된 제 2 흡기 포트(412)를 가지고 있다. 도 1의 실시예와 달리, 컵 배기로(36)와 하우징 배기로(64)는 전환 밸브(40a)의 상류측에서 합류하고 있지 않다. 또한 전환 밸브(40a)는, 공장의 산성 분위기 배기 라인(산성 분위기 배기계)(81)에 접속된 제 1 배기 포트(421)와, 알칼리성 분위기 배기 라인(알칼리성 분위기 배기계)(82)에 접속된 제 2 배기 포트(422)와, 유기 분위기 배기 라인(유기 분위기 배기계)(83)에 접속된 제 3 배기 포트(423)를 가지고 있다.
도 3에, 전환 밸브(40a)의 구성을 개략적으로 도시한다. 직사각형 단면의 덕트로서 형성된 산성 분위기 배기 라인(81), 알칼리성 분위기 배기 라인(82) 및 유기 분위기 배기 라인(83) 상에 전환 밸브(40a)의 밸브 상자(43)가 장착되어 있다. 각 배기 라인(81 ~ 83)의 내부를 도면의 지면 수직 방향으로 가스가 흐른다. 밸브 상자(43)의 일단은 개방되어 상기 제 1 흡기 포트(411)가 되어 있고, 이 제 1 흡기 포트(411)에 컵 배기로(36)(도 3에는 도시하지 않음)가 접속되어 있다. 밸브 상자(43)는 원통 형상의 내부 공간을 가지고 있고, 이 내부 공간에는 일단이 개방되고 타단이 폐색된 중공 원통 형상의 밸브체(44)가 수용되어 있다. 밸브체(44)는, 적당한 회전 구동 기구(47) 예를 들면 스텝 모터에 의해 회전시킬 수 있고, 또한 임의의 회전 위상으로 정지시킬 수 있다.
배기 라인(81, 82, 83)을 이루는 덕트의 상면에 각각 1 개의 개구가 형성되어 있다. 밸브 상자(43)의 저부에는, 이들 덕트의 개구와 접속된 상기 제 1, 제 2 및 제 3 배기 포트(421, 422, 423)로서의 개구가 각각 형성되어 있다. 중공 원통 형상의 밸브체(44)에는 3 개의(그 중 1 개는 도 3에서는 보이지 않음) 밸브체 개구(45)가 형성되어 있다. 이들 3 개의 밸브체 개구(45)는, 제 1, 제 2 및 제 3 배기 포트(421, 422, 423)와 각각 일치시킬 수 있는 축선 방향 위치(밸브체(44)의 축선 방향에 관한 위치)에 형성되어 있고, 또한 밸브체(44)의 원주 방향에 관하여 서로 120 도 어긋난 위치에 형성되어 있다.
밸브 상자(43)의 타단측에는 제 2 흡기 포트(412)를 이루는 개구가 형성되어 있다. 중공 원통 형상의 밸브체(44)에는 또한 2 개의 밸브체 개구(46)가 형성되어 있고, 이들 2 개의 밸브체 개구(46)는 제 2 흡기 포트(412)와 동일한 축선 방향 위치에 위치하고 있고, 또한 120 도 어긋난 위치에 형성되어 있다.
상술한 3 개의 밸브체 개구(45) 및 2 개의 밸브체 개구(46)는 이하와 같은 위치 관계에 있다. 밸브체(44)가 제 1 회전 위치(예를 들면 기준 위치인 0 도의 위치)에 있을 때, 제 1 배기 포트(421)를 이루는 개구와 1 개의 밸브체 개구(45)가 일치하고, 또한 제 2 흡기 포트(412)를 이루는 개구와 1 개의 밸브체 개구(46)가 일치한다. 그 결과, 산성 분위기 배기 라인(81)에 컵 배기구(35) 및 하우징 배기구(62)가 접속되고, 산성 분위기 배기 라인(81) 내의 부압에 의해, 컵체(30)의 내부 공간 및 하우징(60)의 내부 공간이 흡인된다. 밸브체(44)가 제 2 회전 위치(상기 기준 위치로부터 120 도 진행된 위치)에 있을 때, 제 2 배기 포트(422)를 이루는 개구와 다른 1 개의 밸브체 개구(45)가 일치하고, 또한 제 2 흡기 포트(412)를 이루는 개구와 다른 1 개의 밸브체 개구(46)가 일치한다. 그 결과, 알칼리성 분위기 배기 라인(82)에 컵 배기구(35) 및 하우징 배기구(62)가 접속되고, 알칼리성 분위기 배기 라인(82) 내의 부압에 의해, 컵체(30)의 내부 공간 및 하우징(60)의 내부 공간이 흡인된다. 밸브체(44)가 제 3 회전 위치(상기 기준 위치로부터 240 도 진행된 위치)에 있을 때, 제 3 배기 포트(423)를 이루는 개구와 또 다른 1 개의 밸브체 개구(45)가 일치하고, 또한 제 2 흡기 포트(412)는 밸브체(44)에 의해 폐색된다. 그 결과, 유기 분위기 배기 라인(83)에 컵 배기구(35)가 접속되고, 유기 분위기 배기 라인(83) 내의 부압에 의해 컵체(30)의 내부 공간이 흡인된다. 즉, 하우징 배기구(62)로부터의 배기는 행해지지 않는다. 각 포트 간의 접속 관계는, 도 4를 참조함으로써 이해할 수 있다. 또한 전환 밸브(40a)는, 전 포트 전체가 폐쇄되는 밸브체(44)의 제 4 회전 위치를 가지도록 구성해도 된다. 혹은, 컵 배기로(36) 및 하우징 배기로(64)에 개폐 밸브를 설치해도 된다.
산성 약액 세정 처리 및 제 1 린스 처리를 실행할 때에는 제 1 회전 위치에, 알칼리성 약액 세정 처리 및 제 2 린스 처리를 실행할 때에는 제 2 회전 위치에, 건조 처리를 실행할 때에는 제 3 회전 위치에 각각 밸브체(44)를 위치시키면, 도 1의 실시예와 동일한 처리를 행할 수 있다. 상기한 전환 밸브(40a)의 구조에 의하면, 하나의 구동부에서 컵 배기와 하우징 배기의 전환 제어가 가능하다.
도 3 및 도 4의 실시예에서는, 건조 처리 시에, 하우징 배기의 유량을 0(제로)까지 감소시키고 있다. 하우징 배기의 유량을 0(제로)까지 감소시키는 것은 제어가 용이해진다는 점에서 유리하다. 한편, 도 1의 실시예에서는, 유량 조정 밸브(66)를 조임으로써, 예를 들면 액 처리 시의 10 분의 1로 하우징 배기의 유량을 감소시키고 있다. 어느 경우든, 컵 배기 및 하우징 배기의 총 유량의 감소는, 건조 처리 시에 필요성이 매우 낮아지는 하우징 배기의 감소를 우선적으로 행함으로써 달성하는 것이 바람직하다. 건조 처리 시에서의 컵 배기의 유량의 감소는, 컵체(30) 내에 적절한 기류를 발생시키는데 지장이 없는 범위에서 행하는 것이 바람직하다.
W : 기판(웨이퍼)
10 : 기판 보지부
18 : 회전 구동부
30 : 컵체
36 : 컵 배기로
40, 66 : 배기 유량 조정부(전환 밸브, 유량 조정 밸브)
51 ~ 54 : 처리액 노즐
60 : 하우징
64 : 하우징 배기로
70, 78 : 청정 가스 공급 장치(FFU, 가스 노즐)
100 : 제어부(컨트롤러)

Claims (12)

  1. 기판을 수평 자세로 보지하는 기판 보지부와,
    상기 기판 보지부를 수직 축선 중심으로 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
    상기 기판 보지부에 보지된 기판의 주위를 둘러싸고 처리액을 회수하는, 상부가 개방된 컵체와,
    상기 기판 보지부, 상기 처리액 노즐 및 상기 컵체가 수용되는 내부 공간을 가지는 하우징과,
    상기 하우징의 내부 공간의 상기 컵체의 상방의 영역으로 제 1 청정 가스와 상기 제 1 청정 가스보다 습도가 낮은 제 2 청정 가스를 전환하여 공급하는 청정 가스 공급 장치와,
    상기 컵체의 내부의 분위기를 흡인하기 위한 컵 배기로와,
    상기 하우징의 내부 공간으로서 또한 상기 컵체의 외부에 형성된 흡입구를 가지고, 상기 컵체의 내부를 거치지 않고 상기 하우징의 내부 공간의 분위기를 흡인하기 위한 하우징 배기로와,
    상기 컵 배기로를 흐르는 배기의 유량 및 상기 하우징 배기로를 흐르는 배기의 유량을 조정하는 배기 유량 조정부와,
    기판에 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하고 있을 때 공급되는 제 1 청정 가스의 유량보다, 기판에 건조 처리를 행하고 있을 때 공급되는 제 2 청정 가스의 유량을 작게 하도록 상기 청정 가스 공급 장치를 제어하고, 또한 상기 액 처리를 행하고 있을 때 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량보다, 상기 건조 처리를 행하고 있을 때 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 하고, 상기 액 처리를 행하고 있을 때 및 상기 건조 처리를 행하고 있을 때 상기 컵 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량보다 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 하도록 상기 배기 유량 조정부를 제어하는 제어부를 구비한 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 액 처리를 행하고 있을 때 상기 컵 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량보다, 상기 건조 처리를 행하고 있을 때 상기 컵 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 청정 가스는, 팬 필터 유닛을 거쳐 공급되는 여과된 클린룸 내의 공기이며, 상기 제 2 청정 가스는, 클린 드라이 에어 또는 질소 가스인 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 건조 처리를 행할 때 상기 기판으로 건조 촉진 유체를 공급하는 건조 촉진 유체 노즐을 더 구비하고 있는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 건조 촉진 유체는 이소프로필 알코올로 이루어지는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 청정 가스 공급 장치는, 상기 하우징의 내부 공간에 면한 정류판을 가지고 있고, 정류판에는 상기 청정 가스를 상기 하우징의 내부 공간을 향해 하방으로 토출하는 복수의 개구가 형성되어 있고,
    상기 기판 보지부에 기판이 보지된 경우, 상기 기판의 중앙부의 바로 위에 있는 상기 정류판의 영역의 개구율이, 상기 기판의 주연부의 바로 위에 있는 상기 정류판의 영역의 개구율보다 큰 기판 처리 장치.
  7. 기판을 수평 자세로 보지하는 기판 보지부와,
    상기 기판 보지부를 수직 축선 중심으로 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
    상기 기판 보지부에 보지된 기판의 주위를 둘러싸고 처리액을 회수하는, 상부가 개방된 컵체와,
    상기 기판 보지부, 상기 처리액 노즐 및 상기 컵체가 수용되는 내부 공간을 가지는 하우징과,
    상기 하우징의 내부 공간의 상기 컵체의 상방의 영역으로 제 1 청정 가스와 상기 제 1 청정 가스보다 습도가 낮은 제 2 청정 가스를 전환하여 공급하는 청정 가스 공급 장치와,
    상기 컵체의 내부의 분위기를 흡인하기 위한 컵 배기로와,
    상기 하우징의 내부 공간으로서 또한 상기 컵체의 외부에 형성된 흡입구를 가지고, 상기 컵체의 내부를 거치지 않고 상기 하우징의 내부 공간의 분위기를 흡인하기 위한 하우징 배기로와,
    상기 컵 배기로를 흐르는 배기의 유량 및 상기 하우징 배기로를 흐르는 배기의 유량을 조정하는 배기 유량 조정부를 구비한 기판 처리 장치를 이용하여 실행되는 기판 처리 방법으로서,
    기판에 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하고 있을 때 공급되는 제 1 청정 가스의 유량보다, 기판에 건조 처리를 행하고 있을 때 공급되는 제 2 청정 가스의 유량을 작게 하고, 또한 상기 액 처리를 행하고 있을 때 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량보다, 상기 건조 처리를 행하고 있을 때 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 하고, 상기 액 처리를 행하고 있을 때 및 상기 건조 처리를 행하고 있을 때 상기 컵 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량보다 상기 하우징 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 액 처리를 행하고 있을 때 상기 컵 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량보다, 상기 건조 처리를 행하고 있을 때 상기 컵 배기로를 통하여 배기되는 가스의 유량을 작게 하는 기판 처리 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 청정 가스는, 팬 필터 유닛을 거쳐 공급되는 여과된 클린룸 내의 공기이며, 상기 제 2 청정 가스는 클린 드라이 에어 또는 질소 가스인 기판 처리 방법.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 건조 촉진 유체 노즐을 더 구비하고 있고, 상기 건조 처리를 행하고 있을 때, 상기 건조 촉진 유체 노즐로부터 상기 기판 보지부에 보지된 기판으로 건조 촉진 유체가 공급되는 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 건조 촉진 유체는 이소프로필 알코올로 이루어지는 기판 처리 방법.
  12. 기판 처리 장치를 제어하기 위한 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 기억 매체에 기억된 프로그램을 컴퓨터로 이루어지는 기판 처리 장치의 컨트롤러로 실행함으로써, 상기 컨트롤러가 상기 기판 처리 장치를 제어하여 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하는 기억 매체.
KR1020130140481A 2012-11-20 2013-11-19 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 KR101949722B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-254424 2012-11-20
JP2012254424A JP6026241B2 (ja) 2012-11-20 2012-11-20 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140064666A KR20140064666A (ko) 2014-05-28
KR101949722B1 true KR101949722B1 (ko) 2019-02-19

Family

ID=50726750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130140481A KR101949722B1 (ko) 2012-11-20 2013-11-19 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140137893A1 (ko)
JP (1) JP6026241B2 (ko)
KR (1) KR101949722B1 (ko)
TW (1) TWI547986B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150098211A (ko) * 2014-02-19 2015-08-27 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물체를 프로세싱하는 방법 및 장치

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102232664B1 (ko) * 2014-05-28 2021-03-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
JP6306459B2 (ja) * 2014-07-15 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10203604B2 (en) * 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
KR102387542B1 (ko) * 2017-05-11 2022-04-19 주식회사 케이씨텍 에어공급부 및 기판 처리 장치
JP6887912B2 (ja) * 2017-08-07 2021-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6990602B2 (ja) * 2018-02-27 2022-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7015219B2 (ja) * 2018-06-29 2022-02-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102201879B1 (ko) * 2018-09-07 2021-01-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7307575B2 (ja) * 2019-03-28 2023-07-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
KR102351341B1 (ko) * 2019-12-09 2022-01-18 무진전자 주식회사 팬 필터 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP7356896B2 (ja) * 2019-12-24 2023-10-05 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US20210265177A1 (en) * 2020-02-26 2021-08-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
KR102388473B1 (ko) * 2020-08-11 2022-04-20 (주)마스 클린 건조 공기 셔터 팬 필터 유닛
KR20220131680A (ko) * 2021-03-22 2022-09-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2023013349A (ja) * 2021-07-15 2023-01-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板処理システム、基板洗浄方法および基板処理方法
KR102571523B1 (ko) * 2021-09-10 2023-08-29 (주)디바이스이엔지 배기구조를 포함하는 기판 처리장치
KR102646155B1 (ko) * 2022-10-05 2024-03-12 엘에스이 주식회사 기판 세정 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080078426A1 (en) 2006-09-28 2008-04-03 Katsuhiko Miya Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20080093340A1 (en) 2006-10-06 2008-04-24 Mitsunori Nakamori Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP2009224514A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20100078129A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Tokyo Electron Limited Mounting table for plasma processing apparatus
US20120234356A1 (en) 2011-03-16 2012-09-20 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
JP2012204719A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148231A (ja) * 1995-11-16 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP3380663B2 (ja) * 1995-11-27 2003-02-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2003347186A (ja) * 2002-05-23 2003-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4381909B2 (ja) * 2004-07-06 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4516141B2 (ja) 2008-06-02 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080078426A1 (en) 2006-09-28 2008-04-03 Katsuhiko Miya Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20080093340A1 (en) 2006-10-06 2008-04-24 Mitsunori Nakamori Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP2009224514A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20100078129A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Tokyo Electron Limited Mounting table for plasma processing apparatus
US20120234356A1 (en) 2011-03-16 2012-09-20 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
JP2012204719A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150098211A (ko) * 2014-02-19 2015-08-27 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물체를 프로세싱하는 방법 및 장치
KR102360260B1 (ko) 2014-02-19 2022-02-07 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물체를 프로세싱하는 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014103263A (ja) 2014-06-05
TW201440133A (zh) 2014-10-16
JP6026241B2 (ja) 2016-11-16
US20140137893A1 (en) 2014-05-22
TWI547986B (zh) 2016-09-01
KR20140064666A (ko) 2014-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101949722B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP2014103263A5 (ko)
TWI706495B (zh) 基板處理裝置
JP5980704B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI578427B (zh) 基板處理裝置
JP6229933B2 (ja) 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
US9768039B2 (en) Substrate processing apparatus
US8864937B2 (en) Substrate treatment apparatus
KR100945768B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 배액컵의 세정 방법
US10639683B2 (en) Recovery piping cleaning method and substrate processing apparatus
JP2010010421A (ja) 基板処理装置
TWI571950B (zh) 液體處理裝置
JP6363876B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2014197592A (ja) 基板処理装置
WO2014136566A1 (ja) 基板処理装置
KR20200043910A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN105938791B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
KR20190126915A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2014143310A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2017041509A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US10665479B2 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
JP2016042518A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6184890B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP5667592B2 (ja) 基板処理装置
KR20230019020A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
Z031 Request for patent cancellation [new post grant opposition system introduced on 1 march 2017]
Z072 Maintenance of patent after cancellation proceedings: certified copy of decision transmitted [new post grant opposition system as of 20170301]
Z131 Decision taken on request for patent cancellation [new post grant opposition system as of 20170301]