KR102232664B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징, 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 그리고 상기 지지 유닛 상의 기판으로 잉크젯 방식으로 처리액을 토출하는 노즐 어셈블리를 포함하되, 상기 노즐 어셈블리는, 상기 기판으로 상기 처리액을 토출하는 복수 개의 노즐, 상기 복수 개의 노즐에 상기 처리액을 공급하는 노즐 헤드, 그리고 상기 노즐 어셈블리과 상기 지지 유닛의 상대 위치가 변경되도록 상기 노즐 어셈블리 또는 상기 지지 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 가지고, 상기 하우징은 밀폐된 구조로 제공될 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템{APPARATUS AND SYSTEM FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같은 종래의 표시소자의 단점을 해결하는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기 전계발광 장치(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display panel)등과 같은 평판형 표시장치(flat panel display device)가 주목받고 있다.
액정 표시장치는 자체발광소자가 아니라 수광소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, PDP는 자체발광소자이기는 하지만, 다른 평판형 표시장치에 비해 무게가 무겁고, 소비전력이 높을뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있다.
반면에, 유기 전계발광 표시장치는 자체발광소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량, 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
그러나, 열 저항성이 낮은 재료인 유기화합물로 형성된 유기박막들은 수분에 의해 열화되기 쉽고, 유기박막들 상에 형성된 음전극은 산화로 인해 성능이 저하되는 특성이 있다. 따라서 유기박막들에 수분이나 산소 등이 침투하지 않도록 봉지하여야 한다.
처리액은 기판 내부에 잉크젯 도포 방식으로 도포된다. 그러나, 잉크젯 방식으로 처리액을 도포할 때, 대기압 하에 진행되어 외압변화에 민감하며 파티클이 발생한다는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예들은 내부 압력을 일정하게 제어할 수 있는 잉크젯 토출 방식의 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 실시예들은 외부에서 별도의 가스 공급없이, 내부 공정 가스를 재활용하여 효율성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징, 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 그리고 상기 지지 유닛 상의 기판으로 잉크젯 방식으로 처리액을 토출하는 노즐 어셈블리를 포함하되, 상기 노즐 어셈블리는, 상기 기판으로 상기 처리액을 토출하는 복수 개의 노즐, 상기 복수 개의 노즐에 상기 처리액을 공급하는 노즐 헤드, 그리고 상기 노즐 어셈블리과 상기 지지 유닛의 상대 위치가 변경되도록 상기 노즐 어셈블리 또는 상기 지지 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 가지고, 상기 하우징은 밀폐된 구조로 제공될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 하우징으로 가스를 공급하는 가스 공급부재를 더 포함하고, 상기 가스 공급부재는, 가스 공급원, 상기 가스 공급원과 상기 하우징을 연결하는 공급라인, 상기 공급라인 상에 설치되어 상기 가스의 농도를 제어하는 농도 제어기를 더 포함할 수 있다.
상기 하우징은, 상기 하우징 내부를 상부 공간 및 하부 공간으로 나누는 격벽, 및 상기 격벽 상에 설치된 필터 유닛을 더 포함하되, 상기 공급라인은 상기 상부 공간으로 연결될 수 있다.
상기 가스 공급부재는 상기 하우징과 상기 공급라인을 연결하여 상기 가스를 순환시키는 순환라인을 더 포함할 수 있다.
상기 순환라인은 상기 가스 공급원과 상기 농도 제어기 사이의 상기 공급라인에 연결될 수 있다.
상기 가스는 질소 가스일 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 하우징 내의 가스를 상기 하우징 외부로 배기시키는 배기부재를 더 포함하되, 상기 배기부재는, 이젝터, 상기 이젝터로 가스를 주입하는 제 1 가스 탱크, 상기 하우징과 상기 이젝터를 연결하는 제 1 배기라인, 상기 이젝터와 상기 가스 탱크를 연결하는 제 2 배기라인, 그리고 상기 제 2 배기라인 상에 설치된 펌프를 포함할 수 있다.
상기 제 2 배기라인은 상기 이젝터의 일단에서 나와서 다시 상기 이젝터의 타단으로 들어갈 수 있다.
상기 제 1 가스 탱크가 상기 이젝터로 일단으로 공급하는 제 1 가스의 양 및 상기 하우징이 상기 이젝터로 배출하는 제 2 가스의 양의 합이 상기 이젝터의 타단에서 배출되는 제 3 가스의 양과 동일할 수 있다.
상기 가스 탱크는, 상기 가스 탱크로 상기 가스를 공급하는 제 2 가스 탱크, 및 상기 가스 탱크에서 상기 가스를 배출하는 배출라인을 더 포함할 수 있다.
상기 기판은 전계발광소자일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 하나의 기판에 크기가 상이한 복수의 셀을 가지는 경우에 각각의 셀마다 처리액의 토출량을 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 공정에서 공정 시간을 단축하여 효율성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 기판 처리 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 액정 토출부의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 4는 배기부재를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 이젝터를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 기판 처리 시스템의 구성을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템(1)는 액정 토출부(10), 기판 이송부(20), 로딩부(30), 언로딩부(40), 액정 공급부(50), 그리고 메인 제어부(90)를 포함한다. 액정 토출부(10)와 기판 이송부(20)는 제 1 방향(Ⅰ)으로 일렬로 배치되고, 서로 간에 인접하게 위치할 수 있다. 액정 토출부(10)를 중심으로 기판 이송부(20)와 마주하는 위치에는 액정 공급부(50)와 메인 제어부(90)가 배치된다. 액정 공급부(50)와 메인 제어부(90)는 제 2 방향(Ⅱ)으로 일렬 배치될 수 있다. 기판 이송부(20)를 중심으로 액정 토출부(10)와 마주하는 위치에 로딩부(30)와 언로딩부(40)가 배치된다. 로딩부(30)와 언로딩부(40)는 제 2 방향(Ⅱ)으로 일렬 배치될 수 있다.
여기서, 제 1 방향(Ⅰ)은 액정 토출부(10)와 기판 이송부(20)의 배열 방향이고, 제 2 방향(Ⅱ)은 수평면 상에서 제 1 방향(Ⅰ)에 수직한 방향이고, 제 3 방향(Ⅲ)은 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)에 수직한 방향이다.
액정이 도포될 기판은 로딩부(30)로 반입된다. 기판 이송부(20)는 로딩부(30)에 반입된 기판을 액정 토출부(10)로 이송한다. 액정 토출부(10)는 액정 공급부(50)로부터 액정을 공급받고, 액적을 토출하는 잉크젯 방식으로 기판상에 액정을 토출한다. 액정 토출이 완료되면, 기판 이송부(20)는 액정 토출부(10)로부터 언로딩부(40)로 기판을 이송한다. 액정이 도포된 기판은 언로딩부(40)로부터 반출된다. 메인 제어부(90)는 액정 토출부(10), 기판 이송부(20), 로딩부(30), 언로딩부(40), 그리고 액정 공급부(50)의 전반적인 동작을 제어한다.
도 2 및 도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 액정 토출부(10)의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
액정 토출부(10)는 하우징(100), 가스 공급부재(150), 배기부재(160), 베이스(B), 지지 유닛(110), 노즐 어셈블리(200), 액 토출량 측정 유닛(300), 검사 유닛(400), 그리고 세정 유닛(500)을 포함한다.
하우징(100)은 기판에 대해 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(100)은 도 2와 같이, 밀폐된 구조로 제공된다. 하우징(100)은 격벽(103)을 포함한다. 격벽(103)은 하우징(100) 내의 공간을, 상부 공간(102)과 하부 공간(101)으로 나눈다. 상부 공간(102)에는 베이스(B), 지지 유닛(110), 노즐 어셈블리(200), 액 토출량 측정 유닛(300), 검사 유닛(400), 그리고 세정 유닛(500)이 포함된다. 격벽(103) 상에는 필터 유닛(105)이 설치된다. 일 예로, 필터 유닛(105)은 이큅먼트 필터 유닛(equipment filter unit)일 수 있다. 필터 유닛(105)은 하부 공간(101) 내로의 파티클 반입을 방지할 수 있다. 상부 공간(102)으로 가스가 공급되면, 가스는 필터 유닛(105)을 통과하여 하부 공간(101)으로 유입된다. 필터 유닛(105)은 복수 개 제공될 수 있다.
가스 공급부재(150)는 하우징(100)으로 가스를 공급한다. 가스 공급부재(150)는 가스 공급원(152), 공급라인(154), 농도 제어기(156), 그리고 순환라인(158)을 갖는다. 공급라인(154)은 가스 공급원(152)과 하우징(100)을 연결한다. 공급라인(154)은 가스 공급원(152)의 가스를 하우징(100)으로 공급한다. 공급라인(154)은, 도 2와 같이, 상부 공간(102)으로 연결된다. 농도 제어기(156)는 공급라인(154) 상에 설치된다. 농도 제어기(156)는 공급라인(154)을 흐르는 가스의 농도를 제어한다. 이를 통해, 가스 공급부재(150)는 고순도 및 고농도의 가스를 하우징(100)으로 공급할 수 있다. 순환라인(158)은 하우징(100) 내부의 가스를 순환시킨다. 순환라인(158)은 하우징(100)과 공급라인(154)을 연결한다. 일 예로, 순환라인(158)은 가스 공급원(152)과 농도 제어기(156) 사이의 공급라인(154)에 연결될 수 있다. 가스는 질소 가스로 제공될 수 있다.
도 4는 배기부재(160)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5는 도 4의 이젝터(170)를 보여주는 도면이다. 배기부재(160)는 하우징(100) 내의 가스를 하우징(100) 외부로 배기시킨다. 배기부재(160)는 제 1 배기라인(162), 압력계(164), 제어보드(166), 이젝터(170), 제 1 가스 탱크(180), 제 2 배기라인(190), 레귤레이터(192), 그리고 순환펌프(194)를 가진다. 제 1 배기라인(162)은 하우징(100)과 이젝터(170)를 연결한다. 제 1 배기라인(162)은 하우징(100) 내부의 가스를 이젝터(170)로 배기시킨다. 이 때, 이젝터(170)는 진공 이젝터일 수 있다. 압력계(164)는 하우징(100)에 설치된다. 압력계(164)는 전자식 압력계(164)로 제공될 수 있다. 압력계(164) 및 제어보드(166)는 하우징(100) 내부의 압력 및 제 1 배기라인(162) 상의 밸브의 통과 유량에 따라, 배기되는 가스의 양을 조절한다. 제 2 배기라인(190)은 이젝터(170)와 제 1 가스 탱크(180)를 연결한다. 제 2 배기라인(190)은 이젝터(170)의 일단에서 나와, 다시 이젝터(170)의 타단으로 들어가는 구조일 수 있다. 즉, 제 2 배기라인(190)은 루프 형태로 제공되어, 가스를 순환시킬 수 있다. 이로 인해, 가스는 재활용될 수 있다. 제 1 가스 탱크(180)는 이젝터(170)로 가스를 공급한다. 제 1 가스 탱크(180)는 이젝터(170) 내부를 음압으로 형성하기 위해, 이젝터(170)로 가스를 공급한다. 또한, 이젝터(170)의 내부에 포함된 제 2 배기라인(190)은 가스가 흐르는 방향을 따라 그 통로 면적이 점진적으로 작아질 수 있다. 선택적으로, 이젝터(170)는 그 내부에 가스가 흐르는 방향을 따라 그 통로 면적이 점진적으로 작아지는 라인을 포함하고, 제 2 배기라인(190)이 이 라인에 연결되는 구조로 제공될 수 있다. 이젝터(170)의 내부가 음압이 형성되면, 제 2 배기라인(190) 상에는 순환펌프(194)가 설치되어, 가스를 순환시킨다. 레귤레이터(192)는 순환펌프(194)의 상단에 설치되어, 압력을 조절할 수 있다. 따라서, 제 1 가스 탱크(180)가 이젝터(170)의 일단으로 공급하는 제 1 가스의 양(Q1) 및 하우징(100)이 이젝터(170)로 배기하는 제 2 가스의 양(Q2)의 합은, 이젝터(170)의 타단에서 배기하는 제 3 가스의 양(Q3)과 동일하다. 이 때, 가스는 질소 가스일 수 있다. 배기부재(160)를 통해, 하우징(100) 내부의 압력 변화를 단시간내에 제어할 수 있다. 따라서, 하우징(100) 내부의 가스 압력의 헌팅을 줄이고, 고순도의 가스 분위기를 형성하여 공정을 진행할 수 있다.
또한, 배기부재(160)는 제 2 가스 탱크(181) 및 배출라인(184)을 포함할 수 있다. 제 2 가스 탱크(181)는 제 1 가스 탱크(180)로 가스를 공급한다. 제 2 가스 탱크(181) 내부의 가스가 이젝터(170)로 공급되어, 제 2 가스 탱크(181) 내압이 상승할 수 있다. 따라서, 이 때, 제 2 가스 탱크(181)는 가스 공급라인(182)을 통해 가스를 공급받아, 내압을 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 제 2 가스 탱크(181)에 순환되어 공급된 가스의 양 및 내압에 따라, 배출라인(184)을 통해 가스를 배출할 수 있다. 배출라인(184) 상에는 감압 릴리프(186)가 설치되어, 내압 조절 및 가스 배출량을 조절할 수 있다. 이 때, 가스는 질소 가스일 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 지지 유닛(110)은 베이스(B)의 상면에 배치된다. 베이스(B)는 일정한 두께를 가지는 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 지지 유닛(110)는 기판(S)이 놓이는 지지판(120)을 가진다. 지지판(120)은 사각형 형상의 판일 수 있다. 지지판(120)의 하면에는 회전 구동 부재(130)가 연결된다. 회전 구동 부재(130)는 회전 모터일 수 있다. 회전 구동 부재(130)는 지지판(100)에 수직한 회전 중심 축을 중심으로 지지판(120)을 회전시킨다.
지지판(120)이 회전 구동 부재(130)에 의해 회전되면, 기판(S)은 지지판(120)의 회전에 의해 회전될 수 있다. 액정이 도포될 기판에 형성된 셀의 장변 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하는 경우, 회전 구동 부재(130)는 셀의 장변 방향이 제 1 방향(Ⅰ)을 향하도록 기판을 회전시킬 수 있다.
지지판(120)과 회전 구동 부재(130)는 직선 구동 부재(130)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동될 수 있다. 직선 구동 부재(130)는 슬라이더(132)와 가이드 부재(134)를 포함한다. 회전 구동 부재(130)는 슬라이더(132)의 상면에 설치된다. 가이드 부재(134)는 베이스(B)의 상면 중심부에 제 1 방향(Ⅰ)으로 길게 연장된다. 슬라이더(132)에는 리니어 모터(미도시)가 내장될 수 있으며, 슬라이더(132)는 리니어 모터(미도시)에 의해 가이드 부재(134)를 따라 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동된다.
노즐 어셈블리(200)는 노즐 어셈블리(210), 이동 유닛(230), 그리고 제어기(250)를 포함한다.
이동 유닛(210)은 갠트리(211), 그리고 갠트리 이동 부재(213)를 포함한다.
갠트리(211)는 지지판(120)이 이동되는 경로의 상부에 제공된다. 갠트리(211)는 베이스(B)의 상면으로부터 위방향으로 이격 배치된다. 갠트리(211)는 길이 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하도록 배치된다. 노즐 헤드(231)는 헤드 이동 부재(233)에 의해 갠트리(211)에 결합된다. 노즐 헤드(231)는 헤드 이동 부재(233)에 의해 갠트리의 길이 방향, 즉 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동하고, 또한 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동될 수 있다.
갠트리 이동 부재(213)는 갠트리(211)를 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동시키거나, 갠트리(211)의 길이 방향이 제 1 방향(Ⅰ)에 경사진 방향을 향하도록 갠트리(211)를 회전시킬 수 있다. 갠트리(211)의 회전에 의해, 노즐 헤드(231) 제 1 방향(Ⅰ)에 경사진 방향으로 정렬될 수 있다. 또한, 갠트리 이동 부재(213)에는 흡수기(isolator)가 제공될 수 있다. 이로 인해, 갠트리(211)의 이동에 따라 무게 중심이 변하여도, 기판 처리 장치가 수평을 유지할 수 있다. 또한, 흡수기는 기판 처리 장치가 자체적 및 외부에서 발생하는 진동을 흡수하고, 이에 따른 파티클 발생을 방지할 수 있다. 또한, 갠트리(211)는 에어 베어링을 포함할 수 있다. 또한, 에어 베어링은 지지 유닛(110), 노즐 헤드(231) 등에도 제공될 수 있다.
노즐 어셈블리(230)은 노즐 헤드(231), 헤드 이동 부재(233), 그리고 처리액 저장부(235)를 포함한다.
노즐 헤드(231)는 기판(S)에 처리액의 액적을 토출한다. 노즐 헤드(231)는 복수 개 제공될 수 있다. 본 실시 예에서는 3 개의 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)가 제공된 예를 들어 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 노즐 헤드(231)는 제 2 방향(Ⅱ)으로 일렬로 나란하게 배열될 수 있으며, 갠트리(211)에 결합된다.
일 예에 의하면, 노즐 헤드(231)의 저면에는 액정의 액적을 토출하는 복수 개의 노즐들(미도시)이 제공될 수 있다. 노즐들(미도시)은 일정 피치의 간격으로 일렬로 배치될 수 있다. 각각의 노즐 헤드(231)에는 노즐들(미도시)에 대응하는 수만큼의 압전 소자(미도시)가 제공될 수 있으며, 노즐(미도시)의 액적 토출량은 압전 소자(미도시)들에 인가되는 전압의 제어에 의해 각기 독립적으로 조절될 수 있다.
헤드 이동 부재(233)는 노즐 헤드(231)에 각각 제공될 수 있다. 본 실시 예의 경우, 3 개의 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)가 제공된 예를 들어 설명하므로, 헤드 이동 부재(233) 또한 노즐 헤드의 수에 대응하도록 3 개가 제공될 수 있다. 이와 달리 헤드 이동 부재(233)는 1 개 제공될 수 있으며, 이 경우 노즐 헤드(231)는 개별 이동이 아니라 일체로 이동될 수 있다. 헤드 이동 부재(233)는 노즐 헤드(231)를 갠트리의 길이 방향, 즉 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동시키거나, 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동시킬 수 있다.
처리액 저장부(235)는 헤드 이동 부재(233)에 설치되고, 노즐 헤드(231)에 공급하는 처리액이 저장된다. 처리액 저장부(235)는 제어기(250)의 제어에 따라 처리액을 노즐 헤드(231)로 공급한다. 처리액 저장부(235)는 노즐 헤드(231)로 일정한 양의 처리액을 공급하기 위해 내부에 처리액을 일정한 양으로 유지하여 저장한다.
제어기(250)는 헤드 이동 부재(233)에 설치되어 노즐 헤드(231)로의 처리액 공급, 처리액 저장부(235)의 압력, 각 노즐의 토출량, 그리고 이동 유닛(210)의 이동 방향, 이동 속도 등을 제어할 수 있다. 일 예에 의하면, 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)에 제공되는 각 노즐(미도시)마다 처리액 토출량을 조절할 수 있다. 제어기(250)는 공정 중에 일부 또는 전부의 노즐(미도시)의 토출량을 조절할 수 있다. 기판은 전계발광소자로 제공된다. 일 예로, 기판은 유기발광소자일 수 있다. 기판(S) 내부에는 각각 상이한 면적을 가지고, 처리액이 토출되는 복수개의 셀이 제공될 수 있다. 기판(S) 내부에 제공되는 복수개의 셀은 기판 처리 공정마다 상이한 개수, 크기 및 위치에 제공될 수 있다. 제어기(250)는 기판 처리 공정에 따라 셀의 개수, 크기, 위치, 처리액의 토출량, 토출 위치, 이동 유닛(210)의 이동속도, 이동방향 등의 정보를 제공받고, 제공된 정보에 따라 노즐 어셈블리(200)를 제어할 수 있다.
액 토출량 측정 유닛(300)은 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)의 액정 토출량을 측정한다. 구체적으로, 액 토출량 측정 유닛(300)은 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)마다 전부의 노즐(미도시)로부터 토출되는 액정 량을 측정한다. 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)의 액정 토출량 측정을 통해, 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)의 노즐(미도시)의 이상 유무를 거시적으로 확인할 수 있다.
노즐 헤드(231a, 231b, 231c)는 갠트리 이동 부재(213)와 헤드 이동 부재(233)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동되어 액 토출량 측정 유닛(300)의 상부에 위치할 수 있다. 헤드 이동 부재(233)는 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)를 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동시켜 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)와 액 토출량 측정 유닛(300)과의 상하 방향 거리를 조절할 수 있다.
검사 유닛(400)은 광학 검사를 통해 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)에 제공된 개별 액 토출구의 이상 유무를 확인한다. 액 토출량 측정 유닛(300)에서 거시적인 액 토출구의 이상 유무를 확인한 결과, 불특정의 액 토출구에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 검사 유닛(400)은 개별 액 토출구의 이상 유무를 확인하면서 액 토출구에 대한 전수 검사를 진행할 수 있다.
검사 유닛(400)은 베이스(B) 상의 지지 유닛(110) 일측에 배치될 수 있다. 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)는 갠트리 이동 부재(213)과 헤드 이동 부재(233)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동되어 검사 유닛(400)의 상부에 위치할 수 있다. 헤드 이동 부재(233)는 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)를 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동시켜 노즐 헤드(231a, 231b, 231c)와 검사 유닛(400)과의 상하 방향 거리를 조절할 수 있다.
세정 유닛(500)은 베이스(B) 상의 지지 유닛(110) 일측에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 세정 유닛(500)은 검사 유닛(400)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 나란히 위치할 수 있다. 세정 유닛(500)은 액을 분사한 노즐 헤드(231)를 세정한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1: 기판 처리 장치 10: 액정 토출부
100: 하우징 110: 지지 유닛
150: 가스 공급부재 160: 배기부재
200: 노즐 어셈블리 210: 이동 유닛
230: 노즐 어셈블리 250: 제어기
300: 액 토출량 측정 유닛 400: 검사 유닛
500: 세정 유닛

Claims (16)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    하우징;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛 상의 기판으로 잉크젯 방식으로 처리액을 토출하는 노즐 어셈블리; 그리고,
    상기 하우징 내의 가스를 상기 하우징 외부로 배기시키는 배기부재;를 포함하되,
    상기 노즐 어셈블리는,
    상기 기판으로 상기 처리액을 토출하는 복수 개의 노즐;
    상기 복수 개의 노즐에 상기 처리액을 공급하는 노즐 헤드; 그리고
    상기 노즐 어셈블리와 상기 지지 유닛의 상대 위치가 변경되도록 상기 노즐 어셈블리 또는 상기 지지 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 가지고,
    상기 하우징은 밀폐된 구조로 제공되며,
    상기 배기부재는,
    이젝터;
    상기 이젝터로 가스를 주입하는 제 1 가스 탱크;
    상기 하우징과 상기 이젝터를 연결하는 제 1 배기라인;
    상기 이젝터와 상기 제 1 가스 탱크를 연결하는 제 2 배기라인; 그리고
    상기 제 2 배기라인 상에 설치되어 상기 가스를 순환시키는 순환펌프를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 하우징으로 가스를 공급하는 가스 공급부재를 더 포함하고,
    상기 가스 공급부재는,
    가스 공급원;
    상기 가스 공급원과 상기 하우징을 연결하는 공급라인;
    상기 공급라인 상에 설치되어 상기 가스의 농도를 제어하는 농도 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하우징은,
    상기 하우징 내부를 상부 공간 및 하부 공간으로 나누는 격벽; 및
    상기 격벽 상에 설치된 필터 유닛을 더 포함하되,
    상기 공급라인은 상기 상부 공간으로 연결되는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가스 공급부재는 상기 하우징과 상기 공급라인을 연결하여 상기 가스를 순환시키는 순환라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 순환라인은 상기 가스 공급원과 상기 농도 제어기 사이의 상기 공급라인에 연결되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가스는 질소 가스인 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 배기라인은 상기 이젝터의 일단에서 나와서 다시 상기 이젝터의 타단으로 들어가는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 탱크가 상기 이젝터로 일단으로 공급하는 제 1 가스의 양 및 상기 하우징이 상기 이젝터로 배출하는 제 2 가스의 양의 합이 상기 이젝터의 타단에서 배출되는 제 3 가스의 양과 동일한 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 탱크는,
    상기 가스 탱크로 상기 가스를 공급하는 제 2 가스 탱크; 및
    상기 가스 탱크에서 상기 가스를 배출하는 배출라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 및 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 전계발광소자인 기판 처리 장치.
  12. 기판이 반입되는 로딩부;
    상기 기판에 액정을 토출하는 액정 토출부;
    상기 액정 토출부로 상기 액정을 공급하는 액정 공급부;
    상기 액정이 토출된 기판이 반출되는 언로딩부;
    상기 기판을 상기 로딩부로부터 상기 액정 토출부를 거쳐 상기 언로딩부로 이송하는 기판 이송부; 및
    상기 로딩부, 상기 액정 토출부, 상기 액정 공급부, 상기 언로딩부 및 상기 기판 이송부의 동작을 제어하는 메인 제어부를 포함하며,
    상기 액정 토출부는,
    하우징;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛 상의 기판으로 처리액을 토출하는 노즐 어셈블리; 그리고,
    상기 하우징 내의 가스를 상기 하우징 외부로 배기시키는 배기부재;를 포함하되,
    상기 노즐 어셈블리는,
    상기 기판으로 상기 처리액을 토출하는 복수 개의 노즐,
    상기 복수 개의 노즐에 상기 처리액을 공급하는 노즐 헤드, 그리고
    상기 노즐 어셈블리와 상기 지지 유닛의 상대 위치가 변경되도록 상기 노즐 어셈블리 또는 상기 지지 유닛을 이동시키는 이동 유닛을 가지고,
    상기 하우징은 밀폐된 구조로 제공되며,
    상기 배기부재는,
    이젝터;
    상기 이젝터로 가스를 주입하는 제 1 가스 탱크;
    상기 하우징과 상기 이젝터를 연결하는 제 1 배기라인;
    상기 이젝터와 상기 가스 탱크를 연결하는 제 2 배기라인; 그리고
    상기 제 2 배기라인 상에 설치된 펌프를 포함하는 기판 처리 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은 상기 하우징으로 가스를 공급하는 가스 공급부재를 더 포함하고,
    상기 가스 공급부재는,
    가스 공급원;
    상기 가스 공급원과 상기 하우징을 연결하는 공급라인;
    상기 공급라인 상에 설치되어 상기 가스의 농도를 제어하는 농도 제어기를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
  14. 삭제
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 배기라인은 상기 이젝터의 일단에서 나와서 다시 상기 이젝터의 타단으로 들어가는 기판 처리 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 탱크가 상기 이젝터로 일단으로 공급하는 제 1 가스의 양 및 상기 하우징이 상기 이젝터로 배출하는 제 2 가스의 양의 합이 상기 이젝터의 타단에서 배출되는 제 3 가스의 양과 동일한 기판 처리 시스템.
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