KR102096955B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 전계발광 표시장치의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 액을 도포하여 기판을 봉지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 복수의 셀을 가지는 기판에서 셀 내부에 액을 채우는 방법에 있어서, 상기 셀의 경계 부분에서 상기 기판의 표면을 소수화시킴으로서 상기 셀의 경계를 형성하는 단계와 상기 셀 내로 상기 액을 공급하여 상기 셀 내부를 상기 액으로 채우는 단계를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FDR TREATING SUBSTRATES}
본 발명은 유기 전계발광 표시장치의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 액을 도포하여 기판을 봉지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같은 종래의 표시소자의 단점을 해결하는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기 전계발광 장치(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display panel)등과 같은 평판형 표시장치(flat panel display device)가 주목받고 있다.
액정 표시장치는 자체발광소자가 아니라 수광소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, PDP는 자체발광소자이기는 하지만, 다른 평판형 표시장치에 비해 무게가 무겁고, 소비전력이 높을뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있다.
반면에, 유기 전계발광 표시장치는 자체발광소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량, 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
그러나, 열 저항성이 낮은 재료인 유기화합물로 형성된 유기박막들은 수분에 의해 열화되기 쉽고, 유기박막들상에 형성된 음전극은 산화로 인해 성능이 저하되는 특성이 있다. 따라서 유기박막들에 수분이나 산소 등이 침투하지 않도록 봉지하여야 한다.
일반적으로 기판상에 봉지되는 영역을 정확하게 구현하기 위해, 리소그래피(Lithography) 공정에서 그 경계 부분에 돌출부(bank)나 홈(groove)을 형성하였다. 그러나 이러한 방식은 여러 단계의 정밀한 공정을 진행해야 하며, 마스크(Mask)와 같은 장치 제작 등으로 제작 비용이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 기판 처리 장치에서 기판이 봉지될 때, 봉지영역과 비봉지영역간의 경계를 명확하게 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 여러 정밀한 공정에서도 기판의 봉지영역을 균일하게 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 복수의 셀을 가지는 기판에서 셀 내부에 액을 채우는 방법에 있어서, 상기 셀의 경계 부분에서 상기 기판의 표면을 소수화시킴으로서 상기 셀의 경계를 형성하는 단계와 상기 셀 내로 상기 액을 공급하여 상기 셀 내부를 상기 액으로 채우는 단계를 포함한다.
상기 셀의 경계 형성 단계는 상기 셀의 경계에 소수화가스를 공급하여 이루어질 수 있다.
상기 셀의 경계 형성 단계는 상기 셀의 경계를 따라 플라즈마 상태의 소수화가스를 공급하여 이루어질 수 있다.
상기 셀의 경계 형성 단계는 상기 셀의 경계를 따라 이온 상태의 소수화가스를 공급하여 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내부에 위치하여 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 상기 기판 지지 부재에 지지된 상기 기판으로 액을 분사하는 하나 또는 복수의 헤드를 포함하는 헤드 유닛, 상기 헤드가 결합되고, 상기 기판 지지 부재 상측에서 이동 가능하도록 제공되는 갠트리 및 상기 하우징 내부에 제공되어, 상기 기판의 표면을 소수화시키는 소수화 처리유닛을 포함한다.
상기 소수화 처리유닛은 상기 액처리 하우징 내부에 위치되고, 별도의 노즐을 갖고 상기 기판 상부에서 이동될 수 있도록 제공될 수 있다.
상기 소수화 처리유닛은 상기 갠트리에 결합되어 제공될 수 있다.
상기 소수화 처리유닛은 상기 갠트리에 결합된 헤드 유닛의 헤드가 위치된 헤드면에 제공될 수 있다.
상기 소수화 처리유닛은 상기 헤드면에서 제1방향으로 이동될 수 있도록 제공될 수 있다.
상기 소수화 처리유닛은 토치형 플라즈마 공급 부재를 포함할 수 있다.
상기 소수화 처리유닛은 이온 빔 공급 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 액공급 공정이 수행되는 공간을 제공하는 제1 하우징, 기판을 소수화 처리하는 공간을 제공하는 제2 하우징, 상기 제1, 2 하우징 내부에 위치하여 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 상기 제1 하우징 내부에서 상기 기판 지지 부재에 지지된 상기 기판으로 액을 분사하는 하나 또는 복수의 헤드를 포함하는 헤드 유닛, 상기 제1 하우징 내부에서 상기 헤드가 결합되고, 상기 기판 지지 부재 상측에서 이동 가능하도록 제공되는 갠트리 및 상기 제2 하우징 내부에 제공되어, 상기 기판의 표면을 소수화시키는 소수화 처리유닛을 포함한다.
상기 소수화 처리유닛은 토치형 플라즈마 공급 부재를 포함할 수 있다.
상기 소수화 처리유닛은 이온 빔 공급 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치에서 기판이 봉지될 때, 봉지영역과 비봉지영역간의 경계를 명확하게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는 여러 정밀한 공정에서도 기판의 봉지영역을 균일하게 제공할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 일 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 소수화 처리유닛의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 5 및 도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 일 실시예에 의하여 기판의 봉지영역이 형성되는 과정을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 기판 처리 장치의 일 실시예를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 액공급 장치(10)와 액공급 장치(10)가 공정을 수행할 공간을 제공하는 하우징(20)을 포함한다.
액공급 장치(10)는 베이스(B), 기판 지지 부재(100), 갠트리(200), 갠트리 이동 유닛(300), 헤드 유닛(400), 헤드 이동 유닛(500), 액 저장 유닛(600), 제어 유닛(700), 액정 토출량 측정 유닛(800), 노즐 검사 유닛(900), 헤드 세정 유닛(1000) 그리고 소수화 처리유닛(4100)을 포함한다. 일 예에 의하면, 기판 처리 장치(10)는 하나의 하우징(20)내에서 기판(S)의 표면을 소수화 처리하고, 기판(S)에 액을 도포할 수 있다.
기판 지지 부재(100)는 베이스(B)의 상면에 배치된다. 베이스(B)는 일정한 두께를 가지는 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 기판 지지 부재(100)는 기판(S)이 놓이는 지지판(110)을 가진다. 지지판(110)은 사각형 형상의 판일 수 있다. 지지판(110)의 하면에는 회전 구동 부재(120)가 연결된다. 회전 구동 부재(120)는 회전 모터일 수 있다. 회전 구동 부재(120)는 지지판(100)에 수직한 회전 중심 축을 중심으로 지지판(110)을 회전시킨다.
지지판(110)이 회전 구동 부재(120)에 의해 회전되면, 기판(S)은 지지판(110)의 회전에 의해 회전될 수 있다. 액정이 도포될 기판에 형성된 셀의 장변 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하는 경우, 회전 구동 부재(120)는 셀의 장변 방향이 제 1 방향(Ⅰ)을 향하도록 기판을 회전시킬 수 있다.
지지판(110)과 회전 구동 부재(120)는 직선 구동 부재(130)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동될 수 있다. 직선 구동 부재(130)는 슬라이더(132)와 가이드 부재(134)를 포함한다. 회전 구동 부재(120)는 슬라이더(132)의 상면에 설치된다. 가이드 부재(134)는 베이스(B)의 상면 중심부에 제 1 방향(Ⅰ)으로 길게 연장된다. 슬라이더(132)에는 리니어 모터(미도시)가 내장될 수 있으며, 슬라이더(132)는 리니어 모터(미도시)에 의해 가이드 부재(134)를 따라 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동된다.
갠트리(200)는 지지판(110)이 이동되는 경로의 상부에 제공된다. 갠트리(200)는 베이스(B)의 상면으로부터 위방향으로 이격 배치된다. 갠트리(200)는 길이 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하도록 배치된다. 헤드 유닛(400)은 헤드 이동 유닛(500)에 의해 갠트리(200)에 결합된다. 헤드 유닛(400)은 헤드 이동 유닛(500)에 의해 갠트리의 길이 방향, 즉 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동하고, 또한 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동될 수 있다.
갠트리 이동 유닛(300)은 갠트리(200)를 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동시키거나, 갠트리(200)의 길이 방향이 제 1 방향(Ⅰ)에 경사진 방향을 향하도록 갠트리(200)를 회전시킬 수 있다. 갠트리(200)의 회전에 의해, 헤드 유닛(400) 제 1 방향(Ⅰ)에 경사진 방향으로 정렬될 수 있다.
헤드 유닛(400)은 기판에 액의 액적을 토출한다. 헤드 유닛(400)은 복수 개 제공될 수 있다. 본 실시 예에서는 3 개의 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)이 제공된 예를 들어 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 헤드 유닛(400)은 제 2 방향(Ⅱ)으로 일렬로 나란하게 배열될 수 있으며, 갠트리(200)에 결합된다.
헤드 유닛(400)의 저면에는 액정의 액적을 토출하는 복수 개의 노즐들(미도시)이 제공된다. 예를 들어, 각각의 헤드들에는 128 개 또는 256 개의 노즐들(미도시)이 제공될 수 있다. 노즐들(미도시)은 일정 피치의 간격으로 일렬로 배치될 수 있다. 노즐들(미도시)은 ㎍ 단위의 양으로 액정을 토출할 수 있다.
각각의 헤드 유닛(400)에는 노즐들(미도시)에 대응하는 수만큼의 압전 소자가 제공될 수 있으며, 노즐들(미도시)의 액적 토출 량은 압전 소자들에 인가되는 전압의 제어에 의해 각기 독립적으로 조절될 수 있다.
헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400)에 각각 제공될 수 있다. 본 실시 예의 경우, 3 개의 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)이 제공된 예를 들어 설명하므로, 헤드 이동 유닛(500) 또한 헤드의 수에 대응하도록 3 개가 제공될 수 있다. 이와 달리 헤드 이동 유닛(500)은 1 개 제공될 수 있으며, 이 경우 헤드 유닛(400)은 개별 이동이 아니라 일체로 이동될 수 있다. 헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400)을 갠트리의 길이 방향, 즉 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동시키거나, 제 3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동시킬 수 있다.
소수화 처리유닛(4100)은 기판(S) 상부에 위치하여 기판(S) 표면의 일부 또는 전부를 소수화시킨다. 일 예에 의하면, 소수화 처리유닛(4100)은 헤드 이동 유닛(500)의 측면에 제공될 수 있다. 이 때 소수화 처리유닛(4100)은 각 헤드 이동 유닛(500) 마다 제공되어 헤드 이동 유닛(500)의 개수와 동일한 개수가 제공될 수 있다. 이와 달리, 소수화 처리유닛(4100)은 하우징(20) 내부에 별도로 제공되어 기판의 표면을 소수화시킬 수 있다.
소수화 처리유닛(4100)은 갠트리(200)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동되며, 헤드 이동 유닛(500)에 의해 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동된다. 이러한 방법으로 기판(S)의 상부에서 이동하면서 기판(S)의 일부 영역을 소수화시킬 수 있다. 이와 달리, 소수화 처리유닛(4100)은 헤드 유닛(400)의 헤드가 위치하고, 기판(S)과 마주하는 헤드면에 제공될 수도 있다. 헤드면에 위치하는 소수화 처리유닛(4100)은 헤드 유닛(400)의 헤드면에서 제1 방향(Ⅰ) 또는 제2 방향(Ⅱ)으로 직선이동되도록 제공될 수도 있다.
일 예에 의하면, 소수화 처리유닛(4100)은 토치형 플라즈마 공급 부재를 포함한다. 토치형 플라즈마 공급 부재는 플라즈마 상태의 소수화가스를 기판(S)으로 공급하여 기판(S) 표면의 일부를 소수화시킨다. 토치형 플라즈마 공급 부재는 이하에서 상세히 설명한다. 이와 달리, 소수화 처리유닛(4100)은 이온 빔 공급 부재를 포함 할 수도 있다. 이온 빔 공급 부재는 이온 상태의 소수화가스를 기판(S)으로 공급하여 기판(S) 표면의 일부를 소수화시킬 수 있다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 소수화 처리유닛의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 소수화 처리유닛의 일 실시예로서 토치형 플라즈마 공급 부재(4100)가 제공된다. 소수화 처리유닛은 토치형 플라즈마 공급 부재(4100)에서 발생되는 플라즈마 상태의 소수화가스를 이용하여 기판(S)의 표면을 소수화시킨다.
토치형 플라즈마 공급 부재(4100)는 몸체(body)(4120), 전극부(electrode)(4140), 유전체(dielectric)(4160), 전극 홀더(electrode holder)(4180), 그리고 덮개(cover)(4190)를 가진다. 몸체(4120)는 긴 길이를 가지는 원통의 형상을 가진다. 몸체(4120) 내에는 길이방향으로 길게 형성된 제1 공간(4122)이 제공되며, 몸체(4120) 내로 유입된 가스는 제1 공간(4122)에서 플라즈마로 상태로 전환된다. 몸체(4120)는 상압에서 플라즈마가 안정적으로 발생될 수 있도록 절연물질로 이루어진다. 예건대, 몸체(4120)는 석영(quartz)을 재질로 하여 이루어질 수 있다. 상부판(4130)은 내부에 가스가 일시적으로 머무르는 제 2공간(4138)이 형성되고, 서로 대향되는 상부면(4132)과 하부면(4134), 그리고 원통형의 측면(4136)을 가진다. 상부면(4132)과 하부면(4134)의 중앙에는 각각 관통홀(4132a, 4134a)이 형성되고, 측면(4136)에는 가스공급관(4170)이 연결되는 포트가 형성된다. 또한, 하부면(4134)에는 관통홀(4134a) 주위에 복수의 유입홀(4134b)이 형성된다. 즉 가스공급관(4170)을 통해 가스는 제2 공간(4138)으로 유입된 후, 유입홀(4134b)을 통해 제1 공간(4122)으로 유입된다. 가스는 제1 공간(4122)에서 플라즈마 상태로 전환된다.
전극부(4140)는 몸체(4120) 내부로 유입된 가스를 플라즈마 상태로 전환시키는 에너지를 공급한다. 전극부(4140)는 제 1전극(4142), 제2 전극(4144), 그리고 에너지원(4146)을 포함한다. 제1 전극(4142)은 로드 형상을 가지며, 상부판(4130)에 형성된 관통홀들(4132a, 4134a)을 통해 삽입되어 제1 공간(4122) 내의 하부까지 배치되도록 긴 길이를 가진다. 제1 전극(4142)의 폭(또는, 직경)은 제1 공간(4122)의 폭(또는 직경)에 비해 좁게 형성된다. 제1 전극(4142)은 금속(metal)을 재질로 하여 이루어지며, 바람직하게는 텅스텐(tungsten)을 재질로 하여 이루어진다. 제2 전극(4144)은 몸체(4120)의 외측벽을 감싸도록 배치된다. 제2 전극(4144)은 몸체(4120)의 외측벽 중 아래부분을 감싸도록 배치되며, 선택적으로 제2 전극(4144)은 몸체(4120)의 외측벽 전체를 감싸도록 배치될 수 있다. 또한, 제2 전극(4144)은 코일 형상으로 형성될 수 있다. 제1 전극(4142)과 제2 전극(4144)은 서로 다른 극성을 가지며, 제1 전극(4142)에는 고전압이 인가되고 제 2전극(4144)에는 저전압이 인가될 수 있다. 선택적으로 제1 전극(4142)에는 고전압이 공급되고, 제2 전극(4144)은 접지될 수 있다. 제1 전극(4142)과 제2 전극(4144)에는 에너지원(4146)이 결합되며, 에너지원(4146)으로는 마이크로파(microwave)나 고주파(high frequency) 전원이 사용되는 것이 바람직하다. 유전체(4160)는 제1 전극의 끝단부(4142a)로부터 일정길이를 감싸도록 배치된다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 액 저장 유닛(600)은 헤드 이동 유닛(500)에 설치되고, 헤드 유닛(400)에 공급하는 액이 저장된다. 액 저장 유닛(600)은 제어 유닛(700)의 제어에 따라 액을 헤드 유닛(400)으로 공급한다. 액 저장 유닛(600)은 헤드 유닛(400)으로 일정한 양의 액을 공급하기 위해 내부에 액을 일정한 양으로 유지하여 저장한다.
제어 유닛(700)은 헤드 이동 유닛(500)에 설치되어 헤드 유닛(400)으로의 액정 공급, 압력 제어 그리고 토출량 제어 등의 동작을 제어한다.
액정 토출량 측정 유닛(800)은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 액정 토출량을 측정한다. 구체적으로, 액정 토출량 측정 유닛(800)은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c) 마다 전부의 노즐들(미도시)로부터 토출되는 액정 량을 측정한다. 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 액정 토출량 측정을 통해, 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)의 노즐들(미도시)의 이상 유무를 거시적으로 확인할 수 있다.
헤드 유닛(400a, 400b, 400c)은 갠트리 이동 유닛(300)과 헤드 이동 유닛(500)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동되어 액정 토출량 측정 유닛(800)의 상부에 위치할 수 있다. 헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)을 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동시켜 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)과 액정 토출량 측정 유닛(800)과의 상하 방향 거리를 조절할 수 있다.
노즐 검사 유닛(900)은 광학 검사를 통해 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)에 제공된 개별 노즐의 이상 유무를 확인한다. 액정 토출량 측정 유닛(800)에서 거시적인 노즐의 이상 유무를 확인한 결과, 불특정의 노즐에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 노즐 검사 유닛(900)은 개별 노즐의 이상 유무를 확인하면서 노즐에 대한 전수 검사를 진행할 수 있다.
노즐 검사 유닛(900)은 베이스(B) 상의 기판 지지 부재(100) 일측에 배치될 수 있다. 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)은 갠트리 이동 유닛(300)과 헤드 이동 유닛(500)에 의해 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동되어 노즐 검사 유닛(900)의 상부에 위치할 수 있다. 헤드 이동 유닛(500)은 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)을 제 3 방향(Ⅲ)으로 이동시켜 헤드 유닛(400a, 400b, 400c)과 노즐 검사 유닛(900)과의 상하 방향 거리를 조절할 수 있다.
헤드 세정 유닛(1000)은 베이스(B) 상의 기판 지지 부재(100) 일측에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 헤드 세정 유닛(1000)은 노즐 검사 유닛(900)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 나란히 위치할 수 있다. 헤드 세정 유닛(1000)은 액을 분사한 헤드 유닛(400)을 세정한다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 기판 처리 장치는 액공급 장치(10), 제1 하우징(20), 제2 하우징(30), 소수화 처리유닛(4200) 그리고 이송 로봇(50)을 포함한다.
제1 하우징(20)은 액공급 장치(10)가 공정을 수행할 공간을 제공한다. 액공급 장치(10)는 도 1의 액공급 장치와 달리 소수화 처리유닛을 포함하지 않는다. 액공급 장치(10)는 이송 로봇(50)을 통해 제1 하우징(20)으로 반송된 소수화 처리된 기판에 액을 공급한다.
제2 하우징(30)은 기판(S)을 소수화시키는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제2 하우징(30) 내부에는 기판 지지 부재 및 소수화 처리유닛(4200)이 위치한다.
소수화 처리유닛(4200)은 구동기(4210), 암(4220) 그리고 소수화 처리부재(4230)를 포함한다. 소수화 처리부재(4230)는 도 3의 토치형 플라즈마 공급 부재(4100) 또는 이온 빔 공급 부재(미도시)가 제공될 수 있다. 소수화 처리부재(4230)는 기판으로 플라즈마 상태 또는 이온 빔 상태의 소수화가스를 제공한다.
소수화 처리부재(4230)는 암(4220)의 일단에 제공된다. 암(4220)의 타단은 구동기(4210)와 연결되어, 구동기(4210)가 회전하면 암(4220)도 같이 회전되어 위치가 이동된다. 암(4220)은 기판의 상면에서 이동하면서 소수화 처리부재(4230)가 기판(S)으로 소수화가스를 공급할 수 있도록 위치된다.
이송 로봇(50)은 제2 하우징(30)에서 소수화 처리된 기판(S)을 제1 하우징(20)으로 반송한다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 이외에도 이와 동일 또는 유사한 기능을 수행하는 다른 기판 처리 장치를 이용하여 수행될 수 있다.
본 발명에 의한 기판 처리 방법의 일 실시예에 의하면, 복수의 셀을 가지는 기판에서 셀 내부에 액을 채우는 방법은 셀의 경계를 형성하는 단계와 형성된 셀의 경계 내부로 액을 채워 봉지하는 단계를 포함한다.
셀의 경계를 형성하는 단계에서 셀의 경계 부분에 해당하는 기판(S)의 표면을 소수화 처리한다. 셀의 경계에 해당하는 기판(S)의 표면에 소수화가스를 공급하여 기판(S)의 표면을 소수화 처리한다. 일 예에 의하면, 소수화가스는 플라즈마 상태의 소수화가스가 공급될 수 있다. 이와 달리 이온 상태의 소수화가스가 공급될 수도 있다. 이를 통해 셀의 경계부분에 한하여 기판(S)의 표면 일부가 소수화된다.
기판(S)의 표면이 소수화시킨 이후에는 소수화된 영역(70)의 내부로 액을 도포한다. 도포된 액이 소수화된 영역(70)에서 셀의 경계를 형성하게 되는데, 이는 도 5 및 도 6에서 상세히 설명한다.
도 5 및 도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 일 실시예에 의하여 기판의 봉지영역이 형성되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(S) 표면의 일부 영역(70)을 소수화한 이후에 그 영역 안쪽으로 액을 도포하면, 도포된 액이(90) 기판(S)의 가장자리 영역으로 이동하여 소수화된 영역(70)과 만나게 된다. 이때 소수화된 기판의 표면(70)은 도포된 액(90)이 소수화된 기판의 표면(70)을 지나 이동되지 못하도록 한다. 이를 통해 도포된 액의 경계가 소수화된 영역(70)의 내부로 형성된다.
본 발명의 일 실시예와 같이, 기판(S) 표면의 일부 영역(70)을 소수화하는 경우는 일반적인 리소그래피(Lithography) 공정보다 간단한 공정을 통하여 도포된 액의 경계를 형성할 수 있다. 이를 통하여 공정에 소요되는 제작 비용도 절감할 수 있는 효과가 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 액공급 장치 20 : 제1 하우징
30 : 제2 하우징 70 : 소수화처리영역
200 : 갠트리 500 : 헤드 이동 유닛 700 : 제어 유닛 800 : 액정 토출량 측정 유닛
4100, 4200 : 소수화 처리 유닛

Claims (15)

  1. 복수의 셀을 가지는 기판에서 셀 내부에 액을 채우는 방법에 있어서,
    상기 기판의 표면 중 상기 셀의 경계가 될 상기 기판의 표면을 소수화시킴으로서 상기 셀의 경계를 형성하는 단계와;
    상기 셀 내로 상기 액을 공급하여 상기 셀 내부를 상기 액으로 채우는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 셀의 경계 형성 단계는 상기 셀의 경계에 소수화가스를 공급하여 이루어지는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 셀의 경계 형성 단계는 상기 셀의 경계를 따라 플라즈마 상태의 소수화가스를 공급하여 이루어지는 기판 처리 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 셀의 경계 형성 단계는 상기 셀의 경계를 따라 이온 상태의 소수화가스를 공급하여 이루어지는 기판 처리 방법.
  5. 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
    상기 하우징 내부에 위치하여 기판을 지지하는 기판 지지 부재;
    상기 기판 지지 부재에 지지된 상기 기판으로 액을 분사하는 하나 또는 복수의 헤드를 포함하는 헤드 유닛;
    상기 헤드가 결합되고, 상기 기판 지지 부재 상측에서 이동 가능하도록 제공되는 갠트리; 및
    상기 하우징 내부에 제공되어, 상기 기판의 표면 중 셀의 경계로 설정된 표면을 소수화시키는 소수화 처리유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 소수화 처리유닛은 별도의 노즐을 갖고 상기 기판 상부에서 이동될 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 소수화 처리유닛은 상기 갠트리에 결합되어 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 소수화 처리유닛은 상기 갠트리에 결합된 헤드 유닛의 헤드가 위치된 헤드면에 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 소수화 처리유닛은 상기 헤드면에서 제1 방향 및 제2 방향으로 이동될 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소수화 처리유닛은 토치형 플라즈마 공급 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소수화 처리유닛은 이온 빔 공급 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 액공급 공정이 수행되는 공간을 제공하는 제1 하우징;
    기판을 소수화 처리하는 공간을 제공하는 제2 하우징;
    상기 제1, 2 하우징 내부에 위치하여 기판을 지지하는 기판 지지 부재;
    상기 제1 하우징 내부에서 상기 기판 지지 부재에 지지된 상기 기판으로 액을 분사하는 하나 또는 복수의 헤드를 포함하는 헤드 유닛;
    상기 제1 하우징 내부에서 상기 헤드가 결합되고, 상기 기판 지지 부재 상측에서 이동 가능하도록 제공되는 갠트리; 및
    상기 제2 하우징 내부에 제공되어, 상기 기판의 표면 중 셀의 경계로 설정된 표면을 소수화시키는 소수화 처리유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 소수화 처리유닛은 토치형 플라즈마 공급 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 소수화 처리유닛은 이온 빔 공급 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    셀의 경계로 설정된 기판 상의 표면을 소수화시켜 상기 기판의 표면에 셀의 경계를 형성하는 단계와;
    상기 셀 내로 액을 공급하여 상기 셀 내를 상기 액으로 채우는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
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