KR20160022699A - 이온 발생기 및 이를 갖는 기판 이송 시스템 - Google Patents
이온 발생기 및 이를 갖는 기판 이송 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160022699A KR20160022699A KR1020140108586A KR20140108586A KR20160022699A KR 20160022699 A KR20160022699 A KR 20160022699A KR 1020140108586 A KR1020140108586 A KR 1020140108586A KR 20140108586 A KR20140108586 A KR 20140108586A KR 20160022699 A KR20160022699 A KR 20160022699A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- ion generator
- main body
- injection hole
- guiding plates
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 99
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 59
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 98
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 8
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000008029 eradication Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T19/00—Devices providing for corona discharge
- H01T19/04—Devices providing for corona discharge having pointed electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T23/00—Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
이온 발생기는 제1 방향으로 연장하는 본체, 상기 본체의 하부에 설치되고 분사홀 및 상기 분사홀 내에 배치되며 코로나 방전을 발생시키기 위한 전극 바늘을 갖는 시스 가스 노즐, 상기 본체에 구비되며 상기 분사홀에 연통되어 상기 분사홀에 가스를 공급하여 상기 전극 바늘에 의해 발생된 이온들을 외부로 전달하기 위한 가스 공급부 및 상기 시스 가스 노즐의 양측에 각각 배치되며 상기 본체의 마주보는 제1 측면 및 제2 측면으로부터 하부를 향해 각각 연장하여 상기 분사홀로부터 분사된 상기 이온들을 가이딩하는 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들을 포함한다.
Description
본 발명은 이온 발생기 및 이를 갖는 기판 이송 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 웨이퍼의 제조 공정 중에 웨이퍼의 정전기를 제거하기 위한 이온 발생기 및 이를 갖는 기판 이송 시스템에 관한 것이다.
웨이퍼의 대전 현상은 반도체 공정 진행에 있어서 잠재적인 위험 요인이 될 수 있다. 공정 설비로 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 이송 챔버에서 상기 웨이퍼의 정전기를 제거하기 위하여 DC 타입 또는 AC 타입의 이온 발생기가 설치될 수 있다.
그러나, 상기 이온 발생기로부터 발생한 이온들이 타겟에 도달하기 전에 상기 이온 발생기의 분사홀에 인접한 접지 전극, 상기 웨이퍼 이송 챔버 내의 외부 기류, 타겟과의 제전 거리 등에 의해 손실되어 제전 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 일 과제는 제전 효율을 향상시킬 수 있는 이온 발생기를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 상술한 이온 발생기를 포함하는 기판 이송 시스템을 제공하는 데 있다.
다만, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위해 예시적인 실시예들에 따른 이온 발생기는 제1 방향으로 연장하는 본체, 상기 본체의 하부에 설치되고 분사홀 및 상기 분사홀 내에 배치되며 코로나 방전을 발생시키기 위한 전극 바늘을 갖는 시스 가스 노즐, 상기 본체에 구비되며 상기 분사홀에 연통되어 상기 분사홀에 가스를 공급하여 상기 전극 바늘에 의해 발생된 이온들을 외부로 전달하기 위한 가스 공급부 및 상기 시스 가스 노즐의 양측에 각각 배치되며 상기 본체의 마주보는 제1 측면 및 제2 측면으로부터 하부를 향해 각각 연장하여 상기 분사홀로부터 분사된 상기 이온들을 가이딩하는 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들을 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 시스 가스 노즐은 다수개가 상기 제1 방향으로 따라 이격 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 시스 가스 노즐은 상기 본체의 하부에 착탈 가능하도록 설치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전극 바늘은 상기 본체의 저면으로부터 돌출하도록 설치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 본체의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면에는 상기 제1 방향으로 따라 결합홈이 각각 형성되고, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 상기 결합홈에 끼움 방식으로 결합 가능한 돌기를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 상기 본체의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 상에 접착 테이프에 의해 각각 부착될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 무정전 절연 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 본체의 저면으로부터 돌출된 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들 각각의 길이는 목표 제전 거리의 적어도 절반일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전극 바늘은 실리콘 또는 텅스텐을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 가스는 질소 가스를 포함할 수 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위해 예시적인 실시예들에 따른 이온 발생기는 가스 공급부를 갖는 본체, 상기 본체의 하부에 탈착 가능하도록 설치되며 상기 가스 공급부와 연통되어 상기 가스 공급부로부터 공급된 가스를 외부로 분사하기 위한 분사홀 및 상기 분사홀 내에 배치되며 코로나 방전을 발생시키기 위한 전극 바늘을 갖는 이온 분사용 캡, 및 상기 이온 분사용 캡을 사이에 두고 상기 본체의 하부로부터 각각 연장하도록 배치되어 상기 분사홀로부터 분사된 이온화 공기를 가이딩하는 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들을 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 본체는 제1 방향으로 연장하고, 상기 이온 분사용 캡은 다수개가 상기 제1 방향을 따라 이격 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전극 바늘은 상기 본체의 저면으로부터 돌출하도록 설치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 본체의 마주하는 제1 및 제2 측면들에는 결합홈이 각각 형성되고, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 상기 결합홈에 끼움 방식으로 결합 가능한 돌기를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 상기 본체의 마주하는 제1 및 제2 측면들 상에 접착 테이프에 의해 각각 부착될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 무정전 절연 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 본체의 저면으로부터 돌출된 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들 각각의 길이는 목표 제전 거리의 적어도 절반일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 서로 평행하게 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전극 바늘은 실리콘 또는 텅스텐을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 가스는 질소 가스를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 과제를 달성하기 위해 예시적인 실시예들에 따른 기판 이송 시스템은 기판 수납부 및 공정 챔버 사이에 배치되며 상기 기판 수납부 및 상기 공정 챔버 사이에서 기판을 이송하기 위한 이송 로봇을 갖는 기판 이송 챔버, 및 상기 기판 이송 챔버 내에 위치하며 상기 기판의 정전기를 제거하기 위한 이온 발생기를 포함한다. 상기 이온 발생기는 상기 기판 상부에 설치되는 본체, 상기 본체의 하부에 설치되고 분사홀 및 상기 분사홀 내에 배치되며 코로나 방전을 발생시키기 위한 전극 바늘을 갖는 시스 가스 노즐, 상기 본체에 구비되며 상기 분사홀에 연통되어 상기 분사홀에 가스를 공급하여 상기 전극 바늘에 의해 발생된 이온들을 외부로 전달하기 위한 가스 공급부, 및 상기 시스 가스 노즐의 양측에 각각 배치되며 상기 본체의 마주보는 제1 측면 및 제2 측면으로부터 하부를 향해 각각 연장하여 상기 분사홀로부터 분사된 상기 이온들이 상기 기판을 향하도록 가이딩하는 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들을 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 시스 가스 노즐은 다수개가 상기 제1 방향으로 따라 이격 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 본체는 상기 기판의 적어도 직경의 길이를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 본체의 저면으로부터 돌출된 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들 각각의 길이는 상기 기판과 상기 본체 사이의 거리의 적어도 절반일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 가스는 질소 가스를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 이송 시스템은 상기 기판 이송 챔버 내에 배치되며 상기 공정 챔버로 이송하기 전에 상기 기판을 정렬시키기 위한 기판 정렬기를 더 포함하고, 상기 이온 발생기는 상기 기판 정렬기 상부에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 이온 발생기는 상기 기판에 대하여 상대 이동할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 이송 시스템은 상기 기판 이송 챔버 상부에 설치되며 상기 기판 이송 챔버 내부를 소정의 청정도로 유지하기 위한 송풍팬 및 필터를 구비하는 팬 필터 유닛을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 기판 상에 형성된 패턴을 측정하기 위한 계측 챔버일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 기판을 촬상하기 위한 전자주사현미경을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 이온 발생기는 하우징 외측에 설치된 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 이온 분사용 캡을 사이에 두고 상기 하우징의 하부로부터 각각 연장하도록 배치되어 상기 캡으로부터 분사된 이온화 공기를 가이딩할 수 있다.
따라서, 상기 한 쌍의 가이딩 플레이트들은 상기 이온 발생용 캡으로부터 분사된 이온들이 타겟에 도달하기 전에 상기 캡에 인접한 접지 전극, 외부 기류, 제전 거리 등에 의해 손실되는 것을 방지함으로써, 효율적인 제전 효과를 제공할 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 이온 발생기를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 이온 발생기를 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 이온 발생기를 나타내는 측면도이다.
도 4는 도 1의 이온 발생기의 이온 분사용 캡을 나타내는 저면도이다.
도 5는 도 1의 이온 발생기의 내부 구성을 나타내는 블록도이다.
도 6은 도 1의 이온 발생기를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 탈착 가능한 이온 발생용 캡을 나타내는 단면도이다.
도 8은 예시적인 실시예들에 따른 이온 발생기를 나타내는 측면도이다.
도 9는 예시적인 실시예들에 따른 기판 이송 시스템을 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 9의 기판 이송 시스템을 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 9의 기판 정렬기 상에 설치된 이온 발생기를 측면도이다.
도 12는 도 11의 이온 발생기를 나타내는 측면도이다.
도 2는 도 1의 이온 발생기를 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 이온 발생기를 나타내는 측면도이다.
도 4는 도 1의 이온 발생기의 이온 분사용 캡을 나타내는 저면도이다.
도 5는 도 1의 이온 발생기의 내부 구성을 나타내는 블록도이다.
도 6은 도 1의 이온 발생기를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 탈착 가능한 이온 발생용 캡을 나타내는 단면도이다.
도 8은 예시적인 실시예들에 따른 이온 발생기를 나타내는 측면도이다.
도 9는 예시적인 실시예들에 따른 기판 이송 시스템을 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 9의 기판 이송 시스템을 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 9의 기판 정렬기 상에 설치된 이온 발생기를 측면도이다.
도 12는 도 11의 이온 발생기를 나타내는 측면도이다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 이온 발생기를 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 이온 발생기를 나타내는 분해 사시도이다. 도 3은 도 1의 이온 발생기를 나타내는 측면도이다. 도 4는 도 1의 이온 발생기의 이온 분사용 캡을 나타내는 저면도이다. 도 5는 도 1의 이온 발생기의 내부 구성을 나타내는 블록도이다. 도 6은 도 1의 이온 발생기를 나타내는 단면도이다. 도 7은 도 6의 탈착 가능한 이온 발생용 캡을 나타내는 단면도이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 이온 발생기(10)는 일방향으로 연장하는 본체(12), 본체(12)의 하부에 설치되며 이온화 공기를 분사하기 위한 이온 분사용 캡(20) 및 이온 분사용 캡(20)을 사이에 두고 이온 분사용 캡(20)으로부터 분사된 이온화 공기를 가이딩하기 위한 가이딩 플레이트(30)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 본체(12)의 하우징은 후술하는 바와 같이 제어부(40), 전압 발생부(42), 가스 공급부(44), 고전압 배선, 접지 플레이트 배선, 가스 라인 등을 수용할 수 있다. 본체(12)는 Y방향으로 연장하는 바(bar) 형상을 가질 수 있다. 본체(12)는 YZ 방향에서 서로 마주하는 제1 측면(12a) 및 제2 측면(12b)을 가질 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본체(12)의 제1 측면(12a)에는 표시부(14) 및 접속부(16)가 설치될 수 있다. 표시부(14)는 이온 발생기(10)의 동작 상태 등을 나타낼 수 있는 발광다이오드들(LEDs)(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 표시부(14)는 상기 발광다이오드들을 이용하여 타겟 전하의 극성 및 양 등을 한눈에 나타낼 수 있다. 접속부(16)는 케이블의 접속을 통해 외부 전원과 연결될 수 있다. 또한, 본체(12)의 일단부 또는 양단부에는 공기 포트(18)가 설치되고, 공기 포트(18)는 외부의 가스 공급원과 연결될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본체(12)의 내부에는 제어부(40), 전압 발생부(42) 및 가스 공급부(44)가 설치될 수 있다. 제어부(40)는 전원 회로, 표시 회로, 제어 회로 등을 포함할 수 있다. 제어부(40)는 접속부(16)와 연결되어 외부 전원으로부터 전력을 공급받을 수 있다. 전압 발생부(42)는 제어부(40)에 되어 외부 전원으로부터 전력을 공급받을 수 있다. 전압 발생부(42)는 수 kV 이상의 교류 전압을 발생시킬 수 있다. 접지 전극(26, 도 6 참조)은 상기 접지 플레이트 배선에 의해 제어부(40)에 연결될 수 있다.
또한, 가스 공급부(44)는 상기 하우징의 하부 내에 배치될 수 있다. 가스 공급부(44)는 상기 가스 라인을 통해 공기 포트(18)에 유체 연결될 수 있다. 예를 들면, 가스 공급원(도시되지 않음)은 공기 포트(18)를 통해 가스 공급부(44)에 고순도의 질소 가스 및/또는 공기를 공급할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 이온 분사용 캡(20)는 본체(12)의 하부에 설치될 수 있다. 다수개의 이온 분사용 캡(20)들은 Y 방향을 따라 서로 이격 배치될 수 있다. 상기 캡들의 개수 및 이격 거리 등은 타겟에 대한 목표 제전 거리, 전하 크기 등을 고려하여 결정될 수 있다. 이온 분사용 캡(20)은 가스 공급부(44)와 유체 연결되어 가스 공급부(44)로부터 공급된 가스를 외부로 분사하는 시스 가스 노즐(sheath gas nozzle)의 역할을 수행할 수 있다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 캡(20)은 본체(12)의 하부에 탈착 가능하도록 설치될 수 있다. 캡(20)의 일단부는 본체(12)의 수용부(13)에 삽입될 수 있다. 캡(20)의 타단부는 본체(12)의 저면으로부터 돌출될 수 있다. 수용부(13)의 내측면에는 고정홈(13a)이 형성되고, 캡(20)의 일단부의 고정 돌기(23)는 고정홈(13a)에 끼움 방식으로 결합할 수 있다. 이와 다르게, 캡(20)의 일단부는 본체(12)의 수용부(13)에 나사 결합 방식으로 결합할 수 있다.
캡(20)은 가스를 분사시키는 분사홀(22) 및 분사홀(22) 내에 배치되며 코로나 방전을 발생시키기 위한 전극 바늘(24)을 포함할 수 있다. 전극 바늘(24)은 고정 부재(25)에 의해 캡(20)의 분사홀(22) 내에 지지될 수 있다. 전극 바늘(24)은 실리콘 또는 텅스텐을 포함할 수 있다.
캡(20)이 본체(12)의 수용부(13)에 삽입될 때, 분사홀(22)은 가스 공급부(44)와 연통되어 가스 공급부(44)로부터 공급된 가스는 분사홀(22)를 통해 외부로 분사될 수 있다. 분사홀(22)을 통해 흐르는 가스는 전극 바늘(24)의 선단부를 감싸는 가스 피복층을 형성할 수 있다.
또한, 캡(20)이 본체(12)의 수용부(13)에 삽입될 때, 전극 바늘(24)은 도전성 연결부재(43)에 접촉하여 전압 발생부(22)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때, 전극 바늘(24)의 선단부는 본체(12)의 저면으로부터 돌출하도록 위치할 수 있다.
전압 발생부(42)에 의해 전극 바늘(24)에 수 kV 이상의 교류 전압이 인가되고, 이에 따라, 전극 바늘(24)의 선단부의 주변에는 코로나 방전이 발생할 수 있다. 예를 들면, 6kV 또는 7kV의 AC 펄스 전압이 전극 바늘(24)에 인가될 수 있다. 따라서, 분사홀(22)을 흐르는 공기는 상기 코로나 방전에 의해 이온화되고, 상기 이온화된 공기는 분사홀(22)로부터 외부로 분사될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 가이딩 플레이트(30)는 이온 분사용 캡(20)을 사이에 두고 본체(12)의 하부로부터 각각 연장하도록 배치된 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)은 무정전(non-electrostatic) 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 가이딩 플레이트는 PVC와 같은 폴리머 물질을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본체(12)의 제1 및 제2 측면들(12a, 12b)에는 결합홈(15)이 각각 형성될 수 있다. 결합홈(15)은 Y 방향을 따라 연장 형성될 수 있다. 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)은 결합홈(15)에 대응하는 돌기(32)를 가질 수 있다. 제1 가이딩 플레이트(30a)의 돌기(32)는 본체(12)의 제1 측면(12a)의 결합홈(15)에 끼움 방식으로 결합되고, 제2 가이딩 플레이트(30b)의 돌기(32)는 본체(12)의 제2 측면(12b)의 결합홈(15)에 끼움 방식으로 결합될 수 있다.
제1 가이딩 플레이트(30a)는 본체(12)의 제1 측면(12a)으로부터 하부를 향해 연장할 수 있다. 제2 가이딩 플레이트(30b)는 본체(12)의 제2 측면(12b)으로부터 하부를 향해 연장할 수 있다. 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)은 YZ 방향에서 서로 평행하게 배치될 수 있다.
이 때, 본체(12)의 저면으로부터 돌출된 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)은 목표 제전 거리의 적어도 절반의 길이를 가질 수 있다. 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)의 길이 및 형상은 목표 제전 거리, 전하의 양 등을 고려하여 결정될 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)은 시스 가스 노즐의 역할을 하는 이온 발생용 캡(20)의 양측에 각각 배치되며 캡(20)의 분사홀(22)로부터 분사된 이온화 공기의 흐름(F)을 타겟을 향하도록 가이딩할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)은 내부의 접지 전극(26) 및 외부 기류 등에 의한 이온들의 손실을 최소화할 수 있다.
상술한 바와 같이, AC 타입의 이온 발생기(10)는 하우징 외측에 설치된 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 이온 분사용 캡(20)을 사이에 두고 상기 하우징의 하부로부터 각각 연장하도록 배치되어 상기 캡으로부터 분사된 이온화 공기를 가이딩할 수 있다.
따라서, 상기 한 쌍의 가이딩 플레이트들은 이온 발생용 캡(20)으로부터 발생한 이온들이 타겟에 도달하기 전에 캡(20)에 인접한 접지 전극(26), 외부 기류, 제전 거리 등에 의해 손실되는 것을 방지함으로써, 효율적인 제전 효과를 제공할 수 있다.
도 8은 예시적인 실시예들에 따른 이온 발생기를 나타내는 측면도이다. 상기 이온 발생기는 가이딩 플레이트의 접합 부재를 제외하고는 도 1 내지 도 7을 참조로 설명한 이온 발생기와 실질적으로 동일하거나 유사하다. 이에 따라, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다.
도 8을 참조하면, 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)은 본체(12)의 마주하는 제1 및 제2 측면들(12a, 12b) 상에 접착 테이프(34)에 의해 각각 부착될 수 있다. 접착 테이프(34)는 일정한 폭을 가지며 Y 방향을 따라 연장할 수 있다. 예를 들면, 접착 테이프(34)는 에폭시, 폴리이미드 등과 같은 접착제를 포함할 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 가이딩 플레이트들(30a, 30b)은 접착 테이프(34)와 접합 부재를 사용하여 용이하게 본체(12)에 부착될 수 있다.
이하에서는, 도 1의 이온 발생기가 설치된 기판 이송 시스템에 대하여 설명하기로 한다.
도 9는 예시적인 실시예들에 따른 기판 이송 시스템을 나타내는 평면도이다. 도 10은 도 9의 기판 이송 시스템을 나타내는 단면도이다. 도 11은 도 9의 기판 정렬기 상에 설치된 이온 발생기를 측면도이다. 도 12는 도 11의 이온 발생기를 나타내는 측면도이다.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 기판 이송 시스템(100)는 기판 수납부(110)와 공정 챔버(200) 사이에 배치되며 기판을 이송하기 위한 이송 장치가 설치된 기판 이송 챔버(120) 및 기판 이송 챔버(120) 내에 위치하며 상기 기판의 정전기를 제거하기 위한 이온 발생기(10)를 포함할 수 있다. 상기 기판은 반도체 웨이퍼(W), 디스플레이 패널용 기판 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판 이송 시스템(100)은 공정 설비의 전방에 배치되며 개방 일체식 포트(front open unified pod, FOUP)로부터 상기 공정 설비로 웨이퍼들을 이송하기 위한 설비 전후 모듈(equipment front end module, EFEM)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 공정 설비는 소정의 반도체 공정을 수행하기 위한 공정 챔버(200)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버(200)는 화학기상증착 공정, 식각 공정, 계측 공정 등과 같은 공정을 수행하는 챔버일 수 있다.
도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 기판 이송 챔버(120)의 일측에는 기판 수납부(110)가 위치할 수 있다. 기판 수납부(110) 상에는 웨이퍼들이 수납된 용기(FOUP, 112)가 놓여질 수 있다. 용기(112)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT)와 같은 이송 장치에 의해 용기 수납부(110) 상으로 이송될 수 있다.
기판 이송 시스템(100)은 기판 이송 챔버(120) 내에 배치되며 용기(112)와 공정 챔버(200) 사이에서 웨이퍼들을 이송시키는 이송 장치(122)를 포함할 수 있다. 이송 장치(120)는 용기(112)로부터 웨이퍼(W)를 파지하기 위한 이송 암(124)을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판 이송 시스템(100)은 기판 이송 챔버(120)의 압력 및 청정도를 조절하기 위한 팬 필터 유닛을 더 포함할 수 있다. 상기 팬 필터 유닛은 기판 이송 챔버(120)의 상부에 설치되며 공기를 아래방향으로 송풍하는 송풍팬(126) 및 송풍팬(126) 아래에 배치되며 기판 이송 챔버(120) 내부로 도입되는 상기 공기로부터 오염물질을 여과하기 위한 필터(128)를 포함할 수 있다. 상기 팬 필터 유닛에 의해 기판 이송 챔버(120)는 소정의 청정도를 갖는 청정룸의 역할을 수행할 수 있다.
기판 이송 챔버(120)의 타측에는 공정 챔버(200)가 위치할 수 있다. 기판 이송 시스템(100)는 기판 이송 챔버(120) 및 공정 챔버(200) 사이에 배치되는 로드락 챔버(140) 및 홀더(150)를 더 포함할 수 있다. 따라서, 용기(112) 내의 웨이퍼(W)는 기판 이송 챔버(120) 및 로드락 챔버(140)를 거쳐 공정 챔버(200) 내로 로딩되고, 공정 챔버(200) 내의 웨이퍼(W)는 홀더(150) 및 기판 이송 챔버(120)를 거쳐 기판 수납부(110)로 언로딩될 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(200)는 계측 공정을 수행하기 위한 계측 챔버일 수 있다. 공정 챔버(200)는 웨이퍼(W)를 촬상하기 위한 전자주사현미경(SEM)(210)을 포함할 수 있다. 상기 전자주사현미경에 의해 촬상된 SEM 이미지를 이용하여 웨이퍼(W) 상에 형성된 패턴의 선폭(line width) 등을 측정할 수 있다.
구체적으로, 상기 전자주사현미경은 웨이퍼(W)를 지지하는 스테이지(211), 주 전자빔(primary electron beam)을 발생시키기 위한 전자총(electron gun)(212), 상기 주 전자빔의 방향 및 폭을 제어하고 시료(W) 상에 조사하기 위한 집속 렌즈(214), 편향기(215) 및 대물 렌즈(218), 그리고 웨이퍼(W)로부터 방출된 전자들과 같은 검출 신호를 검출하기 위한 검출기(220)를 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 웨이퍼는 반도체 또는 비반도체 물질로 이루어진 기판을 의미할 수 있다. 상기 웨이퍼는 기판 상에 형성된 다수의 층들을 포함할 수 있다. 상기 층은 포토레지스트, 유전 물질, 전도성 물질을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 검출된 전자들을 이용하여 웨이퍼(W)의 SEM 이미지를 생성할 수 있다. 상기 SEM 이미지를 통해 웨이퍼(W) 상에 형성된 패턴의 선폭 등을 측정할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판 이송 시스템(100)은 기판 이송 챔버(120) 내에 배치되며 공정 챔버(200)로 이송하기 전에 웨이퍼(W)를 정렬시키기 위한 기판 정렬기(130)를 포함할 수 있다. 도 1의 이온 발생기(10)는 기판 정렬기(130) 상부에 위치하여 기판 정렬기(130) 상에 배치된 웨이퍼(W)의 정전기를 제거할 수 있다. 이와 다르게, 도 1의 이온 발생기(10)는 이송 장치(122)의 이송 암(124) 상부에 위치하여 이송 암(124) 상에 파지된 웨이퍼(W)의 정전기를 제거할 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 기판 정렬기(130)는 기판 이송 챔버(120)의 일측벽에 인접하게 배치될 수 있다. 이송 장치(122)에 의해 용기(112)로부터 웨이퍼(W)가 기판 정렬기(130)의 정렬 스테이지(132) 상에 배치되면, 정렬 센서(136)는 웨이퍼(W)의 노치(notch)를 검출하고 검출된 정보를 이용하여 정렬 스테이지(132)는 회전하여 웨이퍼(W)를 정렬시킬 수 있다.
이온 발생기(10)는 일방향으로 연장하는 바(bar) 형상을 가질 수 있다. 이온 발생기(10)의 종방향 길이는 웨이퍼의 직경과 실질적으로 동일하거나 더 클 수 있다.
정렬 스테이지(132) 상부에는 이온 발생기(10)를 설치하기 위한 지지 부재(134)가 구비될 수 있다. 지지 부재(134)는 정렬 스테이지(132) 상에서 정렬 스테이지(132)를 지나가도록 이동 가능할 수 있다. 따라서, 이온 발생기(10)는 정렬 스테이지(132) 상의 웨이퍼에 대하여 상대 이동하면서 상기 웨이퍼의 정전기를 제거할 수 있다.
이와 다르게, 지지 부재(134)는 이온 발생기(10)가 웨이퍼를 가로지르도록 정렬 스테이지(132) 상부에 고정될 수 있다. 이 경우에 있어서, 정렬 스테이지(132)가 회전할 때, 이온 발생기(10)는 웨이퍼 전면에 대하여 이온화된 공기를 분사하여 상기 웨이퍼의 정전기를 제거할 수 있다.
이온 발생기(10)는 설치 브라켓(40, 42)에 의해 지지 부재(134)에 설치될 수 있다. 상기 설치 브라켓은 서로 연결된 제1 브라켓(50) 및 제2 브라켓(52)을 포함할 수 있다. 이온 발생기(10)의 양단부에는 제1 브라켓(50)이 고정되고, 지지 부재(134)의 하부에는 제2 브라켓(52)이 고정될 수 있다. 따라서, 이온 발생기(10)는 제1 및 제2 브라켓들(50, 52)에 의해 지지 부재(134)에 설치될 수 있다.
이온 발생기(10)의 가이딩 플레이트(30)의 길이는 웨이퍼(W)의 제전 거리를 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들면, 본체(12)의 저면으로부터 돌출된 가이딩 플레이트(30)의 길이(L)는 목표 제전 거리의 적어도 절반의 길이를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 이온 발생기(10)는 송풍팬(126)에 의해 아래 방향으로 공기가 흐르는 기판 이송 챔버(120) 내에 설치되고, 이온 발생기(10)는 분사 노즐의 양측에 설치되어 상기 분사 노즐로부터 분사된 이온화 공기를 상기 웨이퍼를 향하도록 가이딩하는 한 쌍의 가이딩 플레이트들(30)을 포함할 수 있다. 상기 한 쌍의 가이딩 플레이트들은 이온 발생기(10)로부터 발생한 이온들이 상기 웨이퍼에 도달하기 전에 접지 전극, 외부 기류, 제전 거리 등에 의해 손실되는 것을 방지함으로써, 효율적인 제전 효과를 제공할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 이온 발생기
12: 본체
13: 수용부 13a: 고정홈
14: 표시부 15: 결합홈
16: 접속부 18: 공기 포트
20: 이온 분사용 캡 21: 밀봉 부재
22: 분사홀 23: 고정 돌기
24: 전극 바늘 26: 접지 전극
30: 가이딩 플레이트 30a: 제1 가이딩 플레이트
30b: 제2 가이딩 플레이트 32: 돌기
34: 접착 테이프 40: 제어부
42: 전압 발생부 43: 도전성 연결부재
44: 가스 공급부 50: 제1 브라켓
52: 제2 브라켓 100: 기판 이송 시스템
110: 기판 수납부 112: 용기
120: 기판 이송 챔버 122: 이송 장치
124: 이송 암 126: 송풍팬
128: 필터 130: 기판 정렬기
132: 정렬 스테이지 134: 지지 부재
136: 정렬 센서 140: 로드락 챔버
150: 홀더 200: 공정 챔버
210: 전자주사현미경 211: 스테이지
212: 전자총 214: 집속 렌즈
215: 편향기 218: 대물 렌즈
220: 검출기
13: 수용부 13a: 고정홈
14: 표시부 15: 결합홈
16: 접속부 18: 공기 포트
20: 이온 분사용 캡 21: 밀봉 부재
22: 분사홀 23: 고정 돌기
24: 전극 바늘 26: 접지 전극
30: 가이딩 플레이트 30a: 제1 가이딩 플레이트
30b: 제2 가이딩 플레이트 32: 돌기
34: 접착 테이프 40: 제어부
42: 전압 발생부 43: 도전성 연결부재
44: 가스 공급부 50: 제1 브라켓
52: 제2 브라켓 100: 기판 이송 시스템
110: 기판 수납부 112: 용기
120: 기판 이송 챔버 122: 이송 장치
124: 이송 암 126: 송풍팬
128: 필터 130: 기판 정렬기
132: 정렬 스테이지 134: 지지 부재
136: 정렬 센서 140: 로드락 챔버
150: 홀더 200: 공정 챔버
210: 전자주사현미경 211: 스테이지
212: 전자총 214: 집속 렌즈
215: 편향기 218: 대물 렌즈
220: 검출기
Claims (20)
- 제1 방향으로 연장하는 본체;
상기 본체의 하부에 설치되며, 분사홀 및 상기 분사홀 내에 배치되며 코로나 방전을 발생시키기 위한 전극 바늘을 갖는 시스 가스 노즐;
상기 본체에 구비되며, 상기 분사홀에 연통되어 상기 분사홀에 가스를 공급하여 상기 전극 바늘에 의해 발생된 이온들을 외부로 전달하기 위한 가스 공급부; 및
상기 시스 가스 노즐의 양측에 각각 배치되며 상기 본체의 마주보는 제1 측면 및 제2 측면으로부터 하부를 향해 각각 연장하여 상기 분사홀로부터 분사된 상기 이온들을 가이딩하는 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들을 포함하는 이온 발생기. - 제 1 항에 있어서, 상기 시스 가스 노즐은 다수개가 상기 제1 방향으로 따라 이격 배치되는 이온 발생기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 시스 가스 노즐은 상기 본체의 하부에 착탈 가능하도록 설치되는 이온 발생기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전극 바늘은 상기 본체의 저면으로부터 돌출하도록 설치되는 이온 발생기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 본체의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면에는 상기 제1 방향으로 따라 결합홈이 각각 형성되고, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 상기 결합홈에 끼움 방식으로 결합 가능한 돌기를 갖는 이온 발생기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 상기 본체의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 상에 접착 테이프에 의해 각각 부착되는 이온 발생기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들은 무정전 절연 물질을 포함하는 이온 발생기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 본체의 저면으로부터 돌출된 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들 각각의 길이는 목표 제전 거리의 적어도 절반인 이온 발생기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전극 바늘은 실리콘 또는 텅스텐을 포함하는 이온 발생기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 가스는 질소 가스를 포함하는 이온 발생기.
- 기판 수납부 및 공정 챔버 사이에 배치되며, 상기 기판 수납부 및 상기 공정 챔버 사이에서 기판을 이송하기 위한 이송 로봇을 갖는 기판 이송 챔버; 및
상기 기판 이송 챔버 내에 위치하며, 상기 기판의 정전기를 제거하기 위한 이온 발생기를 포함하고,
상기 이온 발생기는
제1 방향으로 연장하는 본체;
상기 본체의 하부에 설치되며, 분사홀 및 상기 분사홀 내에 배치되며 코로나 방전을 발생시키기 위한 전극 바늘을 갖는 시스 가스 노즐;
상기 본체에 구비되며, 상기 분사홀에 연통되어 상기 분사홀에 가스를 공급하여 상기 전극 바늘에 의해 발생된 이온들을 외부로 전달하기 위한 가스 공급부; 및
상기 시스 가스 노즐의 양측에 각각 배치되며 상기 본체의 마주보는 제1 측면 및 제2 측면으로부터 하부를 향해 각각 연장하여 상기 분사홀로부터 분사된 상기 이온들이 상기 기판을 향하도록 가이딩하는 한 쌍의 제1 및 제2 가이딩 플레이트들을 포함하는 기판 이송 시스템. - 제 11 항에 있어서, 상기 시스 가스 노즐은 다수개가 상기 제1 방향으로 따라 이격 배치되는 기판 이송 시스템.
- 제 12 항에 있어서, 상기 본체는 상기 기판의 적어도 직경의 길이를 갖는 기판 이송 시스템.
- 제 11 항에 있어서, 상기 본체의 저면으로부터 돌출된 상기 제1 및 제2 가이딩 플레이트들 각각의 길이는 상기 기판과 상기 본체 사이의 거리의 적어도 절반인 기판 이송 시스템.
- 제 11 항에 있어서, 상기 가스는 질소 가스를 포함하는 기판 이송 시스템.
- 제 11 항에 있어서, 상기 기판 이송 챔버 내에 배치되며, 상기 공정 챔버로 이송하기 전에 상기 기판을 정렬시키기 위한 기판 정렬기를 더 포함하고,
상기 이온 발생기는 상기 기판 정렬기 상부에 위치하는 기판 이송 시스템. - 제 11 항에 있어서, 상기 이온 발생기는 상기 기판에 대하여 상대 이동 가능한 기판 이송 시스템.
- 제 11 항에 있어서, 상기 기판 이송 챔버 상부에 설치되며, 상기 기판 이송 챔버 내부를 소정의 청정도로 유지하기 위한 송풍팬 및 필터를 구비하는 팬 필터 유닛을 더 포함하는 기판 이송 시스템.
- 제 11 항에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 기판을 계측하기 위한 계측 챔버인 기판 이송 시스템.
- 제 19 항에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 기판 상에 형성된 패턴을 측정하기 위한 전자주사현미경을 포함하는 기판 이송 시스템.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140108586A KR102164671B1 (ko) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 이온 발생기 및 이를 갖는 기판 이송 시스템 |
| US14/730,239 US9543151B2 (en) | 2014-08-20 | 2015-06-04 | Ionizer and substrate transfer system having the same, and method of manufacturing a semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140108586A KR102164671B1 (ko) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 이온 발생기 및 이를 갖는 기판 이송 시스템 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160022699A true KR20160022699A (ko) | 2016-03-02 |
| KR102164671B1 KR102164671B1 (ko) | 2020-10-12 |
Family
ID=55348893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140108586A KR102164671B1 (ko) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 이온 발생기 및 이를 갖는 기판 이송 시스템 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9543151B2 (ko) |
| KR (1) | KR102164671B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190114367A (ko) * | 2018-03-30 | 2019-10-10 | (주)포인트엔지니어링 | 전사헤드를 구비한 마이크로 led 전사 시스템 |
| KR20190120597A (ko) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 led 흡착체를 포함하는 마이크로 led 전사 시스템 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160039957A (ko) * | 2014-10-02 | 2016-04-12 | 삼성전자주식회사 | 이온 발생기를 갖는 기판 이송 시스템 |
| JP7436267B2 (ja) * | 2020-04-03 | 2024-02-21 | 株式会社ディスコ | 洗浄ノズルおよび洗浄方法 |
| TWI825975B (zh) * | 2021-09-10 | 2023-12-11 | 美商愛玻索立克公司 | 已清洗的封裝用基板的製造方法以及已清洗的封裝用基板 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237480A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-08-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理方法 |
| KR20050006095A (ko) * | 2004-11-26 | 2005-01-15 | 송석균 | 상압 플라즈마 발생장치 |
| JP4704192B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-06-15 | 株式会社キーエンス | イオン化装置の電極針ユニットおよびイオン化装置 |
| KR101048589B1 (ko) * | 2003-09-02 | 2011-07-12 | 코가네이 코포레이션 | 이온발생장치 |
| KR101430633B1 (ko) * | 2007-02-08 | 2014-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 이온 도핑 장치 및 이의 도핑 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6349668B1 (en) * | 1998-04-27 | 2002-02-26 | Msp Corporation | Method and apparatus for thin film deposition on large area substrates |
| JP4636710B2 (ja) | 2001-03-01 | 2011-02-23 | 株式会社キーエンス | イオン化装置 |
| JP4573631B2 (ja) | 2003-12-02 | 2010-11-04 | 株式会社キーエンス | イオン化装置 |
| TWI362682B (en) | 2003-12-02 | 2012-04-21 | Keyence Co Ltd | Ionizer and discharge electrode assembly mounted therein |
| JP4540043B2 (ja) | 2004-04-05 | 2010-09-08 | 一雄 岡野 | コロナ放電型イオナイザ |
| US7259109B2 (en) * | 2004-09-22 | 2007-08-21 | Intel Corporation | Electrospray and enhanced electrospray deposition of thin films on semiconductor substrates |
| JP4919908B2 (ja) | 2007-09-13 | 2012-04-18 | 株式会社キーエンス | 除電装置 |
| JP5002450B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社キーエンス | 除電器及びこれに組み込まれる放電電極ユニット |
| JP5154216B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-02-27 | 株式会社キーエンス | 除電器 |
| JP2011258731A (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Hitachi High-Tech Control Systems Corp | ウェーハ除電装置及びウェーハの除電方法 |
| US9269557B2 (en) | 2012-09-07 | 2016-02-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Ionization device, mass spectrometer including the ionization device, and image generation system including the ionization device |
| US20140070089A1 (en) | 2012-09-07 | 2014-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Ionization device, mass spectrometer including the ionization device, and image generation system including the ionization device |
-
2014
- 2014-08-20 KR KR1020140108586A patent/KR102164671B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-04 US US14/730,239 patent/US9543151B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237480A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-08-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理方法 |
| KR101048589B1 (ko) * | 2003-09-02 | 2011-07-12 | 코가네이 코포레이션 | 이온발생장치 |
| KR20050006095A (ko) * | 2004-11-26 | 2005-01-15 | 송석균 | 상압 플라즈마 발생장치 |
| JP4704192B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-06-15 | 株式会社キーエンス | イオン化装置の電極針ユニットおよびイオン化装置 |
| KR101430633B1 (ko) * | 2007-02-08 | 2014-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 이온 도핑 장치 및 이의 도핑 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190114367A (ko) * | 2018-03-30 | 2019-10-10 | (주)포인트엔지니어링 | 전사헤드를 구비한 마이크로 led 전사 시스템 |
| KR20190120597A (ko) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 led 흡착체를 포함하는 마이크로 led 전사 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160056062A1 (en) | 2016-02-25 |
| US9543151B2 (en) | 2017-01-10 |
| KR102164671B1 (ko) | 2020-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20160022699A (ko) | 이온 발생기 및 이를 갖는 기판 이송 시스템 | |
| EP2211379B1 (en) | Electrostatic chuck and device of manufacturing organic light emitting diode having the same | |
| US7920368B2 (en) | Static Eliminator | |
| KR101615576B1 (ko) | 전기수력학적 잉크젯 장치 | |
| KR101980994B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US20200168478A1 (en) | Chemical liquid supply apparatus and semiconductor processing apparatus having the same | |
| US11056358B2 (en) | Wafer cleaning apparatus and method | |
| US10549302B2 (en) | Operating method of processing liquid supply apparatus and recording medium | |
| US20120313308A1 (en) | Component Supporting Device | |
| KR101622320B1 (ko) | 이온 빔 공급 장치 및 이를 포함하는 고진공 정전기 제거 시스템 | |
| US20090121156A1 (en) | Apparatus and Method for Surface Preparation Using Energetic and Reactive Cluster Beams | |
| KR102096955B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101967104B1 (ko) | 노즐형 제전장치 | |
| KR102139603B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101966814B1 (ko) | 처리액 공급 유닛 및 기판 처리 장치 | |
| US11266999B2 (en) | Dust-collecting apparatus | |
| KR20170058685A (ko) | 전기수력학적 잉크젯 장치 | |
| KR20160006073A (ko) | 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법 | |
| KR102249728B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP7390217B2 (ja) | 基板処理装置および導電性配管劣化度合い判定方法 | |
| KR100909388B1 (ko) | 플라즈마 전극, 플라즈마 모니터링 모듈 및 이를 구비한플라즈마 장치 및 상압 플라즈마 세정장치 | |
| KR101846160B1 (ko) | 전기수력학적 잉크젯 장치 | |
| KR20220130503A (ko) | 제전 모듈 | |
| CN113899959A (zh) | 检测装置及其检测方法 | |
| KR20210050859A (ko) | 대향 전극이 구비된 방전 전극 소켓 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |