KR101892313B1 - 고급 할로실란 및 히드리도실란의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 저급 할로실란의 불균화에 의해 고급 할로실란을 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 불균화에 의해 제조되는 고급 할로실란으로부터 고급 히드리도실란을 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 기재된 방법에 의해 제조되는 적어도 1종의 고급 할로실란 또는 적어도 1종의 고급 히드리도실란을 함유하는 혼합물에 관한 것이다. 마지막으로, 본 발명은 전자 또는 광전자 성분 층을 제조하거나 규소 함유 층을 제조하기 위한 적어도 1종의 고급 히드리도실란을 포함하는 상기 혼합물의 용도에 관한 것이다.

Description

고급 할로실란 및 히드리도실란의 제조 방법{Process for Preparing Higher Halosilanes and Hydridosilanes}

본 발명은 저급 할로실란을 불균화하여 고급 할로실란을 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 불균화에 의해 제조된 고급 할로실란으로부터 고급 히드리도실란을 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기한 방법에 의해 제조된 적어도 1종의 고급 할로실란 또는 적어도 1종의 고급 히드리도실란을 포함하는 혼합물에 관한 것이다. 마지막으로 본 발명은 전자 또는 광전자 성분 층을 제조하거나 규소 함유 층을 제조하기 위한, 적어도 1종의 고급 히드리도실란을 포함하는 상기 혼합물의 용도에 관한 것이다.

히드리도실란 및 그의 혼합물은 규소층 제조에 가능한 반응물로서 문헌에 기재되어 있다. 히드리도실란은 본질적으로 단지 규소 및 수소 원자를 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 해석된다. 히드리도실란은 기체, 액체 또는 고체일 수 있으며, 고체인 경우에, 본질적으로 톨루엔 또는 시클로헥산과 같은 용매 또는 시클로펜타실란과 같은 액체 실란에 용해 가능하다. 예에는 모노실란, 디실란, 트리실란, 시클로펜타실란 및 네오펜타실란이 포함된다. 적어도 3개 또는 4개의 규소 원자를 갖는 히드리도실란은 Si-H 결합을 갖는 선형, 분지형 또는 (임의로는 비-/폴리-)시클릭 구조를 가질 수 있으며, 특정 일반식 Si_nH_{2n +2} (선형 또는 분지형, 식 중, n≥2), Si_nH_2n (시클릭, 식 중 n≥3) 또는 Si_nH_{2 (n-i)} (비- 또는 폴리시클릭, n≥4, i = {사이클의 수} -1)로 기재될 수 있다.

많은 히드리도실란 제조 방법은 형식적 H₂ 제거 (formal H₂ elimination)와 함께 고급 실란을 수득하는 저급 히드리도실란, 특별히 SiH₄의 탈수소중합 반응을 기반으로 하고 있다. 탈수소중합 반응은 1) 열적으로 (촉매가 사용되지 않은 경우　US 제6,027,705　A호) 및/또는 2) a) 원소 전이 금속 (불균일 촉매작용, 백금족 금속, 즉 Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt이 사용된 경우 US　제6,027,705　A호, 3B 내지 7B 및 8족 금속, 즉 Cu 및 Zn족을 제외한 전이 금속/란탄족 금속의 경우 US　제5,700,400　A호), b) 비금속 옥시드 (불균일 촉매작용, Al₂O₃ 또는 SiO₂가 사용된 경우 US　제6,027,705　A호), c) 스칸듐, 이트륨 또는 희토류의 수소화 시클로펜타디에닐 착체 (균일 촉매작용, US　제4,965,386　A호, US　제5,252,766　A호), d) 전이 금속 착체 (균일 촉매작용, 3B 내지 7B 및 8족 금속, 즉 Cu 및 Zn족을 제외한 전이 금속/란탄족의 착체에 대해서는 US　제5,700,400　A호, JP　제02-184513　A호) 또는 e) 지지체에 고정된 특정 전이 금속 (불균일 촉매작용, 지지체, 예를 들면 SiO₂ 상의 백금족 금속이 사용되는 경우 US　제6,027,705　A호, 탄소, SiO₂ 또는 Al₂O₃에 고정된 루테늄, 로듐, 팔라듐 또는 백금의 경우 US　제5,700,400　A호) 또는 전이 금속 착체 (불균일 촉매작용, 지지체, 예를 들면 SiO₂ 상의 백금족 금속 착체가 사용되는 경우 US　제6,027,705　A호)와 같은 촉매를 사용하여 실시될 수 있다. 그러나, 이러한 모든 방법은 사용되는 저급 히드리도실란 자체가 먼저 복잡한 방식으로 제조되어야 한다는 단점을 가진다. 이러한 방법의 또 다른 단점은 반응물의 자가 발화성 때문에 높은 수준의 장치 복잡도가 요구된다는 것이다. 마지막으로, 이러한 방법으로 충분하게 높은 수율을 달성하는 것이 현재까지 가능하지 않았다. 더욱이, 특정 표적 생성물의 복잡한 정제가 요구된다.

임의로는 트리할로실란 및/또는 테트라할로실란과 함께 디할로실란을 전기화학적 경로에 의해 전환시키는 히드리도실란의 다른 제조 방법이, 예를 들면 EP　제0　673　960　A1호에 기재되어 있다. 그러나 이러한 방법도 또한 전기화학적 반응 체제 때문에 높은 수준의 장치 복잡도 및 또한 높은 에너지 밀도가 요구된다는 단점을 갖는다. 마지막으로, 이 경우에도 특정 디- 또는 트리할로실란이 또한 먼저 복잡한 방식으로 제조되어야 한다.

대안으로, 알칼리 금속으로 할로실란을 탈할로겐화 및 중축합시켜 고급 히드리도실란을 제조하는 것이 또한 가능하다 (GB　제2　077　710　A호). 그러나, 이러한 방법도 충분히 높은 수율을 유발하지는 않는다.

WO　제2008/051328　A1호에는 3차 아민 촉매로 화학식이 X₃SiSiX₃인 헥사할로디실란을 반응시켜 테트라키스(트리할로실릴)실란 (Si(SiX₃)₄) 및 테트라할로실란을 포함하는 제1 혼합물을 형성함으로써 네오펜타실란-함유 조성물을 수득하는 것에 대해 교시되어 있다. 두 주성분인 테트라키스(트리할로실릴)실란 및 테트라할로실란은 서로로부터 분리될 수 있다. 수득된 테트라키스(트리할로실릴)실란을 디이소부틸알루미늄 수소화물로 수소화시켜 네오펜타실란 (Si(SiH₃)₄)으로 전환시킬 수 있다. 그러나, 이러한 방법은 단지 네오펜타실란만을 수득할 수 있다는 단점을 갖는다.

DE 제102005024041 A1호에는 플라즈마 방전을 발생시켜 H_nSiX_(4-n) 형태 (X = F, Cl, Br, I, n = 0 내지 3)의 할로실란으로부터 할로겐화 폴리실란이 형성될 수 있음이 기재되어 있다. 이러한 방법은 감소된 압력에서 진행되며 수율은 보통이다.

DE 제102008042934 A1호에는 에테르 화합물의 존재 하에서 R₃Si-(Si)_x-SiR₃ (x = 1 내지 5)로부터 Si(SiR₃)₄ 형태 (R　= H, Cl, Br, I)의 네오펜타실란의 제조를 수행할 수 있다는 것이 교시되어 있다. 이 방법에 의해 단지 네오펜타실란을 수득할 수 있다.

따라서 본 발명의 목적은 종래 기술의 단점을 개선하고, 고급 할로실란 또는 고급 할로실란의 혼합물을 제조할 수 있고, 임의로는 이를 임의의 고도의 단리 및/또는 정제 복잡도 없이 해당 고급 히드리도실란 또는 고급 히드리도실란의 혼합물로 전환할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.

본 목적은 적어도 1종의 일반식 Si_nX_{2n +2} (식 중, n ≥ 2 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 할로실란을 사용하여 고급 할로실란을 제조하는 방법으로서, 상기 할로실란을 불균화에 의해 적어도 1종의 일반식 Si_mX_{2m +2} (식 중, m > n 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 고급 할로실란 및 적어도 1종의 일반식 Si_aX_{2a +2} (식 중, a = 1 내지 2 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 저급 할로실란을 포함하는 생성물 혼합물로 전환시키며, 반응이 적어도 1종의 3차 포스핀에 의해 촉매화되는 것을 특징으로 하는 방법에 의해 달성된다.

일반식이 Si_nX_{2n +2} (n ≥ 2 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)인 어떤 할로실란이 사용되든지 간에, 또는 상이하지만 각 경우에 동일한 할로겐으로 치환된 실란들의 혼합물이 사용되든지 간에, 적어도 1종의 고급 할로실란 및 적어도 1종의 저급 할로실란을 포함하는 생성물 혼합물의 조성에 대한 영향은 미미하다. 예를 들면, Si₂Cl₆ 및/또는 Si₃Cl₈ 및/또는 Si_nCl_m는 일반적으로 항상 Si₅Cl₁₂, SiC₄, 고급 실란 및, 불완전한 변환의 경우, 중간체로서의 Si₂Cl₆을 생성시킨다.

반응 시간은 해당 아민-촉매화 공정의 범위 내이다.

예를 들면 아민-촉매화 공정에 비해 본 발명에 따른 공정의 장점은 고급 할로실란 또는 고급 할로실란의 혼합물을 제조하는 것도 또한 가능하다는 것이다. 아민-촉매화 공정으로는, 단지 Si₅Cl₁₂가 수득 가능하다.

본 발명에 따라 사용 가능한 촉매는 3차 포스핀 부류로부터의 촉매이다. 이러한 부류의 촉매는 할로실란의 재배열 반응에 대해선 신규하다.

3차 알킬포스핀, 예를 들면 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 3차 아릴포스핀, 예를 들면 트리페닐포스핀, 3차 이좌배위 포스핀 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 3차 포스핀이 바람직하다. 3차 알킬포스핀이 특히 매우 바람직하다.

3차 알킬포스핀 중, 촉매로서 트리메틸포스핀을 사용하면 SiX₄, Si₂X₆ 및 Si₅X₁₂ (식 중, 바람직하게는 X = Cl) 뿐만 아니라 고급 실란 Si_mX_{2m +2} (식 중, m　> n 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 비율이 특히 높으므로 특별히 트리메틸포스핀이 특히 바람직하다.

본 발명에 따른 방법에서 적어도 1종의 촉매의 비율은 사용되는 할로실란의 양을 기준으로 바람직하게는 0.001 내지 5 중량%이다.

불균화 반응은 용매의 존재 하에서 또는 용매 없이 수행될 수 있다. 촉매는 순물질로서 사용될 수 있거나 (용매가 존재하는 경우 또는 용매가 없는 경우) 또는 용매, 예를 들면 디에틸 에테르 중의 슬러리로서 사용될 수 있다 (용매가 존재하는 경우). 슬러리로서 사용되는 경우에, 슬러리의 총 질량을 기준으로 촉매의 비율은 바람직하게는 1 내지 25 중량%이다.

본 발명에 따른 방법에서 사용되는 할로실란은 본질적으로 단지 규소 원자 및 할로겐 원자 (할로겐 = 불소, 염소, 브롬, 요오드)로 구성되며 적어도 2개의 규소 원자를 갖는 화합물이다. 적어도 3개 또는 4개의 규소 원자를 갖는 일반식 Si_nX_2n+2의 할로실란은 선형 또는 분지형 구조를 가질 수 있다.

일반식 Si_nX_{2n +2}의 선형 할로실란이 본 발명에 따른 방법에서 특히 양호하게 사용될 수 있다.

바람직하게는, 적어도 1종의 일반식 Si_nX_{2n +2}의 할로실란은 헥사할로디실란, 옥타할로트리실란 및 데카할로테트라실란의 군으로부터 선택된 화합물, 즉 Si₂X₆, Si₃X₈, Si₄X₁₀ (식 중, X = F, Cl, Br 및/또는 I)로부터 선택된 화합물이다. 또한 1종 이상의 이러한 화합물의 혼합물을 사용하는 것이 가능하다.

옥타할로트리실란이 특히 매우 바람직하다. 이러한 화합물 중, 결국 옥타플루오로트리실란, 옥타클로로트리실란, 옥타브로모트리실란 및 옥타요오도트리실란, 즉 일반식 Si₃X₈의 화합물 (식 중, 각 X는 F, Cl, Br 또는 I임)이 특히 바람직하다. 본 발명에 따른 방법에서 옥타클로로트리실란을 사용하는 것이 특히 매우 바람직하다.

본 방법에서 사용되는 반응 혼합물 내 적어도 1종의 할로실란의 비율은 반응 혼합물의 총 질량을 기준으로 바람직하게는 적어도 60 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 80 중량%이다. 가장 바람직하게는, 반응 혼합물은 단지 적어도 1종의 촉매 및 할로실란(들)으로 구성된다.

본 발명에 따른 방법에서, 1종의 할로실란 또는 복수의 할로실란을 사용하는 것이 가능하다. 단지 1종의 할로실란을 사용하는 것이 바람직하다. 복수의 할로실란이 사용될 때에는, 적어도 1종의 할로실란은 바람직하게는 할로실란 혼합물을 기준으로 적어도 20 중량%, 바람직하게는 적어도 80 중량% 비율의 옥타할로트리실란으로서 존재한다.

적어도 1종의 일반식 Si_mX_{2m +2} (식 중, m > n 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 고급 할로실란 및 적어도 1종의 일반식 Si_aX_{2a +2} (식 중, a = 1 내지 2 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 저급 할로실란을 포함하는 생성물 혼합물의 형성 이후, 상기 혼합물을 수소화시켜 일반식 Si_mH_{2m +2}의 히드리도실란을 형성할 수 있다. 수소화는 고급 할로실란의 추가 정제 및 단리 없이 수행될 수 있다.

후속 수소화를 실시하는 경우 SiCl₄ 및/또는 Si₂Cl₆를 생성물 혼합물로부터 제거하여야 하며, 이는 제거되지 않은 경우 SiH₄ 및/또는 Si₂H₆가 형성되어 안정상의 위험을 야기하기 때문이다. 바람직하게는, 수소화 이전에, 형성된 테트라할로실란 및/또는 헥사할로디실란을 형성된 일반식 Si_mX_{2m +2}의 고급 할로실란으로부터 제거한다. 보다 바람직하게는, 이는 -30 내지 +100℃, 바람직하게는 -30 내지 +57℃의 온도 및 0.01 내지 1013 mbar, 바람직하게는 0.02 내지 0.2 mbar의 압력에서의 증류 제거 또는 드로잉 오프 (drawing off)에 의해 생성물 혼합물로부터 실시한다. 필요시, 또한 Si₅Cl₁₂도 승화 제거될 수 있으나, 이는 안전상의 이유로는 임의의 후속 수소화를 위해 필요하지는 않다.

사용되는 촉매는 일반적으로 매우 소량으로 첨가되기 때문에 일반적으로 혼합물로부터 제거될 필요가 없다.

수소화는 바람직하게는 1주족 내지 3주족 금속의 금속 수소화물 (특별히 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 수소화물)의 군 또는 LiAlH₄, NaBH₄, iBu₂AlH으로 이루어진 수소화 화합물의 군으로부터 선택된 적어도 1종의 수소화제를 첨가함으로써 수행된다.

또한 본 발명에 따른 방법에 의해 제조 가능한 히드리도실란은 본질적으로 단지 규소 및 수소 원자를 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 해석된다. 이러한 히드리도실란은 기체, 액체 또는 고체일 수 있고, 고체인 경우, 본질적으로 톨루엔 또는 시클로헥산과 같은 용매 또는 시클로펜타실란과 같은 액체 실란에 용해 가능하다. 예에는 디실란, 트리실란, 시클로펜타실란 및 네오펜타실란이 포함된다. 이러한 히드리도실란도 또한 Si-H 결합을 갖는 선형 또는 분지형 구조를 가질 수 있다. 본 발명에 따른 방법은 특히 분지형 히드리도실란의 제조에 적합하다. 보다 구체적으로, 사용되는 촉매에 따라 네오펜타실란 또는 히드리도실란의 고급 올리고머 제조에 특별히 적합하다.

수소화에서, 사용되는 할로실란을 기준으로 수소화제는 2 내지 30배, 바람직하게는 10 내지 15배의 몰 과잉으로 존재한다.

또한 수소화를 용매의 존재 하에서 또는 용매 없이 수행할 수 있다. 용매 없이 수소화를 실시하는 것이 바람직하다. 그렇지만, 수소화가 용매의 존재 하에서 수행될 때에는, 바람직하게 사용될 수 있는 용매는 1개 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 선형, 분지형 및 시클릭, 포화, 불포화 및 방향족의 탄화수소, 및 에테르로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-데칸, 도데칸, 시클로헥산, 시클로옥탄, 시클로데칸, 디시클로펜탄, 벤젠, 톨루엔, m-크실렌, p-크실렌, 메시틸렌, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 테트라히드로푸란, p-디옥산, 아세토니트릴이 특히 바람직하다. 특히 효율적으로 사용 가능한 용매는 n-펜탄, n-헥산, n-헥산, n-옥탄, n-데칸, 도데칸, 시클로헥산, 시클로옥탄, 시클로데칸, 벤젠, 톨루엔, m-크실렌, p-크실렌, 메시틸렌 탄화수소이다. 또한 용매는 AlR₂Hal 형태 (Hal = F, Cl, Br, I, R = 알킬, 아릴)의 알킬알루미늄 할라이드일 수 있으며 상기 알킬알루미늄 할라이드의 융점은 100℃ 미만이어야 한다. 용매는 총 질량의 0.01 내지 90 중량%를 구성할 수 있다.

일반식 Si_mX_{2m +2}의 할로실란은 바람직하게는 -78 내지 300℃의 온도 및 500 mbar 내지 5 bar의 압력에서 수소화된다. -10 내지 30℃ 및 900 내지 1100 mbar에서 수소화를 수행하는 것이 특히 바람직하다.

생성되는 수소화 할로실란은 예를 들면, 응축 또는 증류에 의해 정제될 수 있다. 추가 정제는 바람직하게는 무알칼리의 탈기한, 즉 특별히 O₂ 무함유 물을 사용하는 정제일 수 있다. 상기한 정제 방법은 당업자에게 통상적인 지식이다.

또한 본 발명은 상기한 방법에 의해 제조되는 할로실란, 또는 적어도 1종의 고급 할로실란 및 그로부터 제조되는 히드리도실란을 포함하는 혼합물, 또는 적어도 1종의 고급 히드리도실란을 포함하는 혼합물을 제공한다.

본 발명은 마찬가지로 전자 또는 광전자 성분 층 제조 또는 규소 함유 층, 바람직하게는 규소 원소 층의 제조를 위한, 적어도 1종의 고급 히드리도실란을 포함하며 상기한 방법에 의해 제조되는 혼합물의 용도를 제공한다.

마지막으로, 또한 본 발명은 고급 할로실란의 제조에 있어서 바람직하게는 3차 알킬포스핀, 3차 아릴포스핀, 3차 이좌배위 포스핀 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 3차 포스핀의 용도를 제공한다. 일반식 Si_mX_{2m +2} (식 중, m > n 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 고급 할로실란을 제조에 있어서 일반식 Si_nX_{2n +2} (식 중, n≥2 및 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 할로실란의 불균화를 위한 촉매로서의 상기 포스핀, 예를 들면 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리페닐포스핀 또는 이들의 혼합물의 용도가 특히 바람직하다.

<실시예>

실시예 1

불균화: 실온에서 10.2 g (0.028 mol)의 옥타클로로트리실란을 0.2 ml의 디에틸 에테르 중의 16.3 mg (2.1x10^-4 mol, 0.75mol%)의 트리메틸포스핀 PMe₃와 교반하면서 혼합하였다. 실온에서 밤새 교반하고 감소된 압력 (0.05 mbar) 하 40℃에서 생성된 투명 용액으로부터 휘발 성분 (디에틸 에테르, Si₂Cl₆, SiCl₄)을 제거한 후, 상이한 사슬 길이를 갖는 올리고클로로실란의 혼합물임을 ²⁹Si　핵자기 공명법을 이용하여 인식할 수 있었던 유성 액체로서 생성물이 남았다. 수율은 5.3　g이었다.

수소화: 생성된 5.3 g의 올리고클로로실란 혼합물을 70 ml의 톨루엔에 용해시키고, 얼음으로 냉각시키면서 디에틸 에테르 중의 LiAlH₄의 2.1M 용액 30 ml와 점진적으로 혼합하였다. 이어서, 혼합물을 밤새 상온에서 교반하였다. 반응 혼합물을 탈기된 10% H₂SO₄ 150ml로 후처리하였고, Na₂SO₄를 이용하여 유기상을 건조하였다. 감소된 압력 (0.05 mbar) 하 40℃에서 생성된 투명 용액으로부터 휘발 성분을 제거한 후, 상이한 사슬 길이를 갖는 고급 히드리도실란의 혼합물임을 ¹H 및 ²⁹Si 핵자기 공명법을 이용하여 인식할 수 있었던 유성 액체로서 생성물이 남았다. 결과 생성물을 GPC를 이용하여 분석한 결과, M_n = 450 g/mol, M_w = 580 g/mol, M_w/M_n = 1.289이었다. 수율은 0.8 g이었다.

Claims (13)

1. 일반식 Si_nX_2n+2 (식 중, n ≥ 2이고 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 할로실란 1종 이상을 사용하여 고급 할로실란을 제조하는 방법으로서, 상기 할로실란을 불균화에 의해 일반식 Si_mX_2m+2 (식 중, m > n이고 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 고급 할로실란 1종 이상 및 일반식 Si_aX_2a+2 (식 중, a = 1 - 2이고 X = F, Cl, Br 및/또는 I)의 저급 할로실란 1종 이상을 포함하는 생성물 혼합물로 전환시키며, 반응이 3차 알킬포스핀, 3차 아릴포스핀, 3차 이좌배위 포스핀 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 3차 포스핀에 의해 촉매화되는 것을 특징으로 하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 3차 포스핀이 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리페닐포스핀 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것인 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 일반식 Si_nX_2n+2의 할로실란이 선형 실란인 것인 방법.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 일반식 Si_nX_2n+2의 할로실란이 Si₂X₆, Si₃X₈, Si₄X₁₀ (식 중, 각 X는 F, Cl, Br 및/또는 I임), 및 1종 이상의 이러한 화합물의 혼합물로부터 선택되는 것인 방법.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 일반식 Si_mX_2m+2의 고급 할로실란 1종 이상을, -78 내지 300℃의 온도 및 500 mbar 내지 5 bar의 압력에서 1주족 내지 3주족 금속의 금속 수소화물의 군 또는 LiAlH₄, NaBH₄, iBu₂AlH으로 이루어진 수소화 화합물의 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수소화제를 사용되는 할로실란을 기준으로 2 내지 30배 첨가하는 것에 의해 수소화시켜 일반식 Si_mH_2m+2의 히드리도실란을 형성하는 것인 방법.
6. 제5항에 있어서, 생성물 혼합물로부터 저급 할로실란 1종 이상을 제거한 후 수소화를 수행하는 방법.
7. 제5항에 있어서, 사용되는 할로실란을 기준으로 수소화제가 10 내지 15배의 몰 과잉으로 존재하는 것인 방법.
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