JPH01122915A - ハロゲンシランの不均化方法 - Google Patents
ハロゲンシランの不均化方法Info
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- JPH01122915A JPH01122915A JP28082987A JP28082987A JPH01122915A JP H01122915 A JPH01122915 A JP H01122915A JP 28082987 A JP28082987 A JP 28082987A JP 28082987 A JP28082987 A JP 28082987A JP H01122915 A JPH01122915 A JP H01122915A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は少なくとも１つの５ｔ−Ｈ結合を有するハロゲ
ンシランを不均化反応によって、より低次のハロゲンシ
ランやモノシランヲ得るハロゲンシランの不均化方法に
関する。ハロゲンシランの不均化は例えばアモルファス
シリコンの原料となるモノシランや、高純度金属シリコ
ンを製造するための一工程として採用される。
ンシランを不均化反応によって、より低次のハロゲンシ
ランやモノシランヲ得るハロゲンシランの不均化方法に
関する。ハロゲンシランの不均化は例えばアモルファス
シリコンの原料となるモノシランや、高純度金属シリコ
ンを製造するための一工程として採用される。
〈従来技術とその問題点〉
ハロゲンシランの不均化反応は一般に、２５ｉＨｎＸ４
−ｎ→５ｉＨｎ−１Ｘ３−ｎ ＋ ５ｉＨｎ−＋Ｘ３−
ａ（Ｘ：ハロゲン、ｎ＝１〜３） で表され、この反応はハロゲンシランと特定の触媒とを
適当な条件下において接触させることによって効果的に
進行させることができる。よって低ハロゲンシランまた
はモノシランを安価に製造するためには、上記不均化反
応を効果的に行い得る触媒が必要である。
−ｎ→５ｉＨｎ−１Ｘ３−ｎ ＋ ５ｉＨｎ−＋Ｘ３−
ａ（Ｘ：ハロゲン、ｎ＝１〜３） で表され、この反応はハロゲンシランと特定の触媒とを
適当な条件下において接触させることによって効果的に
進行させることができる。よって低ハロゲンシランまた
はモノシランを安価に製造するためには、上記不均化反
応を効果的に行い得る触媒が必要である。
ハロゲンシランの不均化に用いられる触媒としては、従
来、例えばアミン基を有する有機化合物やその他の有機
化合物が種々提供されているが、本発明は従来提供され
ていない有機化合物触媒を用いた新たなハロゲンシラン
の不均化方法を提供するものである。
来、例えばアミン基を有する有機化合物やその他の有機
化合物が種々提供されているが、本発明は従来提供され
ていない有機化合物触媒を用いた新たなハロゲンシラン
の不均化方法を提供するものである。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明者はハロゲンシランの不均化反応を促進する触媒
材料について、種々検討、調査した結果、周期表の第Ｖ
ｂ族の元素とフェニル基とが結合してなる化合物を触媒
として接触させることにより、効果的に低ハロゲンシラ
ンまたはモノシランを得ることができることを知得し、
本発明の方法を完成した。
材料について、種々検討、調査した結果、周期表の第Ｖ
ｂ族の元素とフェニル基とが結合してなる化合物を触媒
として接触させることにより、効果的に低ハロゲンシラ
ンまたはモノシランを得ることができることを知得し、
本発明の方法を完成した。
すなわち、本発明のハロゲンシランの不均化方法は、一
般式５ｉＨｎＸ４．．ｆｉ （Ｘ ： ハロゲン、ｎ＝
１〜３）で示されるハロゲンシランの不均化反応を、周
期表の第Ｖｂ族の元素とフェニル基とが結合してなる化
合物を触媒として行うことを基本的特徴としている。そ
して本発明の態様として、トリフェニルビスムチンを触
媒とすること、トリフェニルアンチモンを触媒とするこ
と、トリフェニルアルシンを触媒とすること、トリフェ
ニルホスフィンを触媒とすること、トリフェニルアミン
を触媒とすることを特徴としている。勿論前記トリフェ
ニルビスムチン、トリフェニルアンチモン、トリフェニ
ルアルシン、トリフェニルホスフィン、トリフェニルア
ミンの２つ以上を同時に触媒としてもよい。
般式５ｉＨｎＸ４．．ｆｉ （Ｘ ： ハロゲン、ｎ＝
１〜３）で示されるハロゲンシランの不均化反応を、周
期表の第Ｖｂ族の元素とフェニル基とが結合してなる化
合物を触媒として行うことを基本的特徴としている。そ
して本発明の態様として、トリフェニルビスムチンを触
媒とすること、トリフェニルアンチモンを触媒とするこ
と、トリフェニルアルシンを触媒とすること、トリフェ
ニルホスフィンを触媒とすること、トリフェニルアミン
を触媒とすることを特徴としている。勿論前記トリフェ
ニルビスムチン、トリフェニルアンチモン、トリフェニ
ルアルシン、トリフェニルホスフィン、トリフェニルア
ミンの２つ以上を同時に触媒としてもよい。
原料ハロゲンシランと触媒との接触形態は、特に限定さ
れるものではないが、例えば上記本発明の触媒物質を、
活性炭等の担体表面に吸着または結合させ、原料ハロゲ
ンシランと触媒物質との接触効率を良くすることが好ま
しい。
れるものではないが、例えば上記本発明の触媒物質を、
活性炭等の担体表面に吸着または結合させ、原料ハロゲ
ンシランと触媒物質との接触効率を良くすることが好ま
しい。
担体としては、前記活性炭の他、アルミナ、シリカ−ア
ルミナ等の無機多孔質物質、スチレン−ジビニルベンゼ
ン等の有機物共重合体等を用いることができる。そして
その際の担持量は、例えば０．１〜５ｗｔ％で充分であ
るが、特に限定されるものではない。
ルミナ等の無機多孔質物質、スチレン−ジビニルベンゼ
ン等の有機物共重合体等を用いることができる。そして
その際の担持量は、例えば０．１〜５ｗｔ％で充分であ
るが、特に限定されるものではない。
また本発明においては、例えば室温から３５０°Ｃ程度
の温度において、気相反応、液相反応のいずれの反応形
態においてでも不均化反応を行わせることができる。
の温度において、気相反応、液相反応のいずれの反応形
態においてでも不均化反応を行わせることができる。
く作用効果〉
本発明は以上の構成よりなり、周期表の第Ｖｂ族の元素
とフェニル基とが結合してなる化合物を触媒として用い
ることにより、ハロゲンシランの不均化反応を効果的に
促進させ、低次のハロゲンシランやモノシランを効率良
く得ることができる。
とフェニル基とが結合してなる化合物を触媒として用い
ることにより、ハロゲンシランの不均化反応を効果的に
促進させ、低次のハロゲンシランやモノシランを効率良
く得ることができる。
〈実施例〉
実施例１
トリフェニルビスムチン（（Ｃ６Ｈ５） Ｊｉ ） ’
ｃ 触媒物質として、スチレン−ジビニルベンゼン共重
合体（比表面積約２００ｍ／ｇ）に重量比で５％担持さ
せ、触媒充填層を形成した。触媒充填層の温度を１２０
℃に保持し、接触時間を１５秒として、原料のトリクロ
ルシラン（ＳｉＨＣｌ：＋）を前記触媒充填層に通した
。通過後のガス組成をガスクロマトグラフで分析した。
ｃ 触媒物質として、スチレン−ジビニルベンゼン共重
合体（比表面積約２００ｍ／ｇ）に重量比で５％担持さ
せ、触媒充填層を形成した。触媒充填層の温度を１２０
℃に保持し、接触時間を１５秒として、原料のトリクロ
ルシラン（ＳｉＨＣｌ：＋）を前記触媒充填層に通した
。通過後のガス組成をガスクロマトグラフで分析した。
分析結果を表１に示す。
表１
表１から、トリクロルシランの不均化反応が短時間で効
果的に行われていることが明らかである。
果的に行われていることが明らかである。
実施例２
実施例１と同様の方法で、トリフェニルビスムチンを重
量比で０．１％担持させ、触媒充填層の温度を１５０℃
、接触時間を１０秒として、原料のトリクロルシランを
触媒充填層に通した。通過後のガス組成の分析結果を表
２に示す。
量比で０．１％担持させ、触媒充填層の温度を１５０℃
、接触時間を１０秒として、原料のトリクロルシランを
触媒充填層に通した。通過後のガス組成の分析結果を表
２に示す。
表２−
表１から担持量が０．１ｗｔ％でもトリクロルシランの
不均化反応が短時間で効果的に行われていることが明ら
かである。
不均化反応が短時間で効果的に行われていることが明ら
かである。
去施炭主
トリフェニルアンチモン（（ＣＪｓ）ｓｓｂ） ヲ触媒
物質として、活性炭（比表面積約８００ｎｒ／ｇ）に重
量比で５％担持させ、触媒充填層を形成した。触媒充填
層の温度を１５０℃に保持し、接触時間を４秒として、
原料のトリクロルシランを前記触媒充填層に通した。通
過後のガス組成をガスクロマトグラフで分析した。分析
結果を表３に示す。
物質として、活性炭（比表面積約８００ｎｒ／ｇ）に重
量比で５％担持させ、触媒充填層を形成した。触媒充填
層の温度を１５０℃に保持し、接触時間を４秒として、
原料のトリクロルシランを前記触媒充填層に通した。通
過後のガス組成をガスクロマトグラフで分析した。分析
結果を表３に示す。
表３
表３からトリフェニルアンチモンの触媒作用によって、
トリクロルシランの不均化反応が短時間で効果的に行わ
れていることが明らかである。
トリクロルシランの不均化反応が短時間で効果的に行わ
れていることが明らかである。
実施例４
トリフェニルアルシン（（Ｃｈ■ｓ） ３ＡＳ） ヲ触
ｔｌＸ物質として、スチレン−ジビニルベンゼン共重合
体に重量比で４％担持させ、触媒充填層を形成した。触
媒充填層の温度を１５０℃に保持し、触媒時間を１０秒
として、原料のトリクロルシランを前記触媒充填層に通
した。通過後のガス組成をガスクロマトグラフで分析し
た。分析結果を表４に示す。
ｔｌＸ物質として、スチレン−ジビニルベンゼン共重合
体に重量比で４％担持させ、触媒充填層を形成した。触
媒充填層の温度を１５０℃に保持し、触媒時間を１０秒
として、原料のトリクロルシランを前記触媒充填層に通
した。通過後のガス組成をガスクロマトグラフで分析し
た。分析結果を表４に示す。
表４
表４から、トリフェニルアルシンの触媒作用によって、
トリクロルシランの不均化反応が短時間で効果的に行わ
れていることが明らかである。
トリクロルシランの不均化反応が短時間で効果的に行わ
れていることが明らかである。
尖旌斑ニ
トリフェニルホスフィン（（Ｃ６Ｈ５）３Ｐ ）を触媒
物質として、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体に重
量比で０．５％担持させ、触媒充填層を形成した。触媒
充填層の温度を１５０℃に保持し、接触時間を１０秒と
して、原料のトリクロルシランを通した。通過後のガス
組成をガスクロマトグラフで分析した。結果を表５に示
す。
物質として、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体に重
量比で０．５％担持させ、触媒充填層を形成した。触媒
充填層の温度を１５０℃に保持し、接触時間を１０秒と
して、原料のトリクロルシランを通した。通過後のガス
組成をガスクロマトグラフで分析した。結果を表５に示
す。
表５
表５から、トリフェニルホスフィンの触媒作用によって
、トリクロルシランの不均化反応が短時間で効果的に行
われていることが明らかである。
、トリクロルシランの不均化反応が短時間で効果的に行
われていることが明らかである。
実施例６
トリフェニルアミン（（ＣａＨｓ）Ｊ ）を触媒物質と
して、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体に重量比０
．５％担持させ、触媒光＠層を形成した。
して、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体に重量比０
．５％担持させ、触媒光＠層を形成した。
触媒充填層の温度を１５０℃に保持し、接触時間を１０
秒として、原料のトリクロルシランを通した。
秒として、原料のトリクロルシランを通した。
通過後のガス組成をガスクロマトグラフで分析した。結
果を表６に示す。
果を表６に示す。
表６
表６から、トリフェニルアミンの触媒作用によって、ト
リクロルシランの不均化反応が短時間で効果的に行われ
ていることが明らかである。
リクロルシランの不均化反応が短時間で効果的に行われ
ていることが明らかである。
出願人 大阪チタニウム製造株式会社
Claims (6)
- （１）、一般式ＳｉＨ＿ｎＸ＿４＿−＿ｎ（Ｘ：ハロゲ
ン、ｎ＝１〜３）で示されるハロゲンシランの不均化反
応を、周期表の第Ｖｂ族の元素とフェニル基とが結合し
てなる化合物を触媒として行うことを特徴とするハロゲ
ンシランの不均化方法。 - （２）、トリフェニルビスムチンを触媒とする特許請求
の範囲第１項記載のハロゲンシランの不均化方法。 - （３）、トリフェニルアンチモンを触媒とする特許請求
の範囲第１項記載のハロゲンシランの不均化方法。 - （４）、トリフェニルアルシンを触媒とする特許請求の
範囲第１項記載のハロゲンシランの不均化方法。 - （５）、トリフェニルホスフィンを触媒とする特許請求
の範囲第１項記載のハロゲンシランの不均化方法。 - （６）、トリフェニルアミンを触媒とする特許請求の範
囲第１項記載のハロゲンシランの不均化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28082987A JPH01122915A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | ハロゲンシランの不均化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28082987A JPH01122915A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | ハロゲンシランの不均化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122915A true JPH01122915A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17630566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28082987A Pending JPH01122915A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | ハロゲンシランの不均化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01122915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012080003A1 (de) * | 2010-12-14 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung höherer halogen- und hydridosilane |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP28082987A patent/JPH01122915A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012080003A1 (de) * | 2010-12-14 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung höherer halogen- und hydridosilane |
| KR20140002670A (ko) * | 2010-12-14 | 2014-01-08 | 에보니크 데구사 게엠베하 | 고급 할로실란 및 히드리도실란의 제조 방법 |
| JP2014500225A (ja) * | 2010-12-14 | 2014-01-09 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 高級ハロゲン化シランおよび高級ヒドリドシランの製造法 |
| US9745200B2 (en) | 2010-12-14 | 2017-08-29 | Evonik Degussa Gmbh | Process for preparing higher halosilanes and hydridosilanes |
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