JPS5869715A - モノシランの精製方法 - Google Patents
モノシランの精製方法Info
- Publication number
- JPS5869715A JPS5869715A JP16728481A JP16728481A JPS5869715A JP S5869715 A JPS5869715 A JP S5869715A JP 16728481 A JP16728481 A JP 16728481A JP 16728481 A JP16728481 A JP 16728481A JP S5869715 A JPS5869715 A JP S5869715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monosilane
- impurities
- gas
- monosilane gas
- monochlorosilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、モノシランの精製方法に関し、さらに詳しく
は、四塩化ケイ素（Ｓ ｉｃｔ、 ）をジエチルアルミ
ニウムハイドライド（ＡｊＥｔ２Ｈ）で還元して。
は、四塩化ケイ素（Ｓ ｉｃｔ、 ）をジエチルアルミ
ニウムハイドライド（ＡｊＥｔ２Ｈ）で還元して。
モノシランガスを製造するに当り、得られるモノシラン
ガス中に副生随伴するモノクロルシラン、及びエタン並
びに未反応の５ｉＣ１４を極めて効率的に除去する方法
に関する。
ガス中に副生随伴するモノクロルシラン、及びエタン並
びに未反応の５ｉＣ１４を極めて効率的に除去する方法
に関する。
上記のモノシランの合成反応は次式で示されるが、この
反応を、そのまま実施して得たモノシラｙ ｌｊ ス中
Ｋ ／ｄ 、各種不純物、特にモノクロルシランとエタ
ンが多量に副生ずる。
反応を、そのまま実施して得たモノシラｙ ｌｊ ス中
Ｋ ／ｄ 、各種不純物、特にモノクロルシランとエタ
ンが多量に副生ずる。
５ｉＣＬ、 ＋４ＡｔＥｔ２Ｈ−＋ＳｉＨ４＋ ４Ａ１
．ＥｔｚＣｌこのモノシランは、半導体製造に不可欠な
物質であり、その純度に対する要求は非常に厳しい。
．ＥｔｚＣｌこのモノシランは、半導体製造に不可欠な
物質であり、その純度に対する要求は非常に厳しい。
それゆえ、その要求を満足する精製方法の開発が望まれ
ている。
ている。
従来モノシラン中の不純物を除去する方法としては、
モノシランガスを活性炭と細孔直径５〜９Ａの合成
ゼオライトの両者を使って吸着精製する方法（特開昭５
０−９５９８号）が提案されている。しかしながら、こ
の方法はトリエトキシシランを原料としたモノシランガ
ス中の不純物を吸着除去するのに適した方法であり、エ
チルシラン、ｔＪ［化エチル、エチルアルコール、ジエ
チルエーテルなどの吸着除去に有効であるけれども、モ
ノクロルシランやエタンの吸着除去に効果がない。
モノシランガスを活性炭と細孔直径５〜９Ａの合成
ゼオライトの両者を使って吸着精製する方法（特開昭５
０−９５９８号）が提案されている。しかしながら、こ
の方法はトリエトキシシランを原料としたモノシランガ
ス中の不純物を吸着除去するのに適した方法であり、エ
チルシラン、ｔＪ［化エチル、エチルアルコール、ジエ
チルエーテルなどの吸着除去に有効であるけれども、モ
ノクロルシランやエタンの吸着除去に効果がない。
また、多孔性粒状木炭と多孔性粒状ケイ酸マグネシウム
の両者を使ってモノシランガスの精製を行う方法が知ら
れている（４！開１１ｆ１５３−７６２００号）。しか
しこの方法によれば、クロルシランは吸着除去されるけ
れども、エタンは多孔性粒状木炭、多孔性粒状ケイ酸マ
グネシウムのいずれによっても吸着されない０ したがって上記２件の従来法は、 ＡｔＥｔ、Ｈと５ｉ
Ｃｔ４ から合成される、５ｉｃｚ４モノクロルシラ
＼ ン及びエタンを主な不純物として含有するモノシランガ
スの精製方法としては効果が無く不適当であった。
の両者を使ってモノシランガスの精製を行う方法が知ら
れている（４！開１１ｆ１５３−７６２００号）。しか
しこの方法によれば、クロルシランは吸着除去されるけ
れども、エタンは多孔性粒状木炭、多孔性粒状ケイ酸マ
グネシウムのいずれによっても吸着されない０ したがって上記２件の従来法は、 ＡｔＥｔ、Ｈと５ｉ
Ｃｔ４ から合成される、５ｉｃｚ４モノクロルシラ
＼ ン及びエタンを主な不純物として含有するモノシランガ
スの精製方法としては効果が無く不適当であった。
本発明者らは、こうした従来の、モノシランガスの精製
法の欠点を克服するため種々検討を重ねた結果、所定の
還元工程、冷却工程及び吸着工程をそれぞれ選択し、こ
れを特定の順序で行うことにより、上記３不純物（Ｓｉ
ＣＡ４モノクロルシラン、エタン）が極めて効率良く除
去できることを見出した０ すなわち本発明は、四塩化ケイ素をジエチルアルミニウ
ムハイドライドで還元して得た不純物を含むモノシラン
を精製するに当り、このモノシランを（ｉ）還元処理す
る （ｉｉ） −２０℃以下に冷却処理する （ｔｉｔ
）活性炭で処理する （ｉｖ）細孔直径４〜４．５Ａの
合成ゼオライトで処理する、の各処理に順に付すことに
より、その中の不純物を除去することを特徴とするモノ
シラ／の精製方法を提供するものである。
法の欠点を克服するため種々検討を重ねた結果、所定の
還元工程、冷却工程及び吸着工程をそれぞれ選択し、こ
れを特定の順序で行うことにより、上記３不純物（Ｓｉ
ＣＡ４モノクロルシラン、エタン）が極めて効率良く除
去できることを見出した０ すなわち本発明は、四塩化ケイ素をジエチルアルミニウ
ムハイドライドで還元して得た不純物を含むモノシラン
を精製するに当り、このモノシランを（ｉ）還元処理す
る （ｉｉ） −２０℃以下に冷却処理する （ｔｉｔ
）活性炭で処理する （ｉｖ）細孔直径４〜４．５Ａの
合成ゼオライトで処理する、の各処理に順に付すことに
より、その中の不純物を除去することを特徴とするモノ
シラ／の精製方法を提供するものである。
本発明方法において（ｉ）の工程では還元剤によって、
モノシランに混在する四塩化ケイ素がモノシランに還元
され、主な不純物の一つが消去される。
モノシランに混在する四塩化ケイ素がモノシランに還元
され、主な不純物の一つが消去される。
不純物を含むモノシランガスと還元剤の接触方法として
は、不純物を含むモノシランガスを還元剤の液又は溶液
中を通過させる気液接触方式をとってもよく、また、還
元剤を吸収させた多孔質体中を通過させるような気固接
触方式をとってもよい。気液接触方式の場合の装置の型
式は、スクラバー型式、段塔型式など気液接触を行える
ものであればいずれの型式でもよいが、設備が安価であ
る気泡塔型式が好ましい。
は、不純物を含むモノシランガスを還元剤の液又は溶液
中を通過させる気液接触方式をとってもよく、また、還
元剤を吸収させた多孔質体中を通過させるような気固接
触方式をとってもよい。気液接触方式の場合の装置の型
式は、スクラバー型式、段塔型式など気液接触を行える
ものであればいずれの型式でもよいが、設備が安価であ
る気泡塔型式が好ましい。
還元剤としてはＡＡＥｔ２Ｈが最も好ましい。これは、
本発明で対象としているモノシランの製造に用いられて
いるからであるｏしかし、リチウムアルミニウムハイド
ライドやナトリウムアルミニウムハイドライドも用いる
ことができる０還元処理は、溶媒を用いてもよいが、モ
ノシランと反応せず、また沸点が高く、蒸気圧の低いも
のがよい。その例としては、脂肪族炭化水素、芳香族炭
化水素及びエーテル類があり、具体例としては、ヘプタ
ン、トルエン、テトラヒドロフラン、流動パラフィンな
どがあげられ、特に流動パラフィンが好ましい０ 還元温度は、あまりに高いと、還元反応はよく進むが溶
媒の蒸気圧が高くなるので好ましくない。
本発明で対象としているモノシランの製造に用いられて
いるからであるｏしかし、リチウムアルミニウムハイド
ライドやナトリウムアルミニウムハイドライドも用いる
ことができる０還元処理は、溶媒を用いてもよいが、モ
ノシランと反応せず、また沸点が高く、蒸気圧の低いも
のがよい。その例としては、脂肪族炭化水素、芳香族炭
化水素及びエーテル類があり、具体例としては、ヘプタ
ン、トルエン、テトラヒドロフラン、流動パラフィンな
どがあげられ、特に流動パラフィンが好ましい０ 還元温度は、あまりに高いと、還元反応はよく進むが溶
媒の蒸気圧が高くなるので好ましくない。
また低すぎた場合は、還元反応が進まない。一般に、−
１０〜６０℃の範・囲が好ましく、０〜４０℃の範囲が
より好ましい。
１０〜６０℃の範・囲が好ましく、０〜４０℃の範囲が
より好ましい。
以上のようにして５ｔＣｔ４ をモノシランに変化さ
せて除去することによね、後段の（ｉｉｉ）の工程で使
用する吸着剤である活性炭の負荷を大幅に低減できる。
せて除去することによね、後段の（ｉｉｉ）の工程で使
用する吸着剤である活性炭の負荷を大幅に低減できる。
すなわち、活性炭は、四塩化ケイ素とモノクロルシラン
を非常によく吸着するけれども、エタンはほとんど吸着
しない。そして四塩化ケイ素をモノクロルシランより優
先的に吸着する。そこで、この（ｉ）の工程により四塩
化ケイ素が消滅して吸着除去する必要が無くなるので、
活性炭のモノクロルシランに対する吸着容量は、最大限
に発揮されるＯ なお、（ｉ）の工程の還元処理によシ、モノシラン中に
微量混在するジクロルシラン、トリクロルシランもモノ
シランに還元され消去される０また還元剤の溶液を用い
た場合、用いた溶液の溶解効果による不純物の除去も達
成される。
を非常によく吸着するけれども、エタンはほとんど吸着
しない。そして四塩化ケイ素をモノクロルシランより優
先的に吸着する。そこで、この（ｉ）の工程により四塩
化ケイ素が消滅して吸着除去する必要が無くなるので、
活性炭のモノクロルシランに対する吸着容量は、最大限
に発揮されるＯ なお、（ｉ）の工程の還元処理によシ、モノシラン中に
微量混在するジクロルシラン、トリクロルシランもモノ
シランに還元され消去される０また還元剤の溶液を用い
た場合、用いた溶液の溶解効果による不純物の除去も達
成される。
（ｉ）の工程を終えた、モノクロルシランとエタンを主
な不純物として含むモノシランガスＦｆ （ｉｉ）の工
程に導入される。
な不純物として含むモノシランガスＦｆ （ｉｉ）の工
程に導入される。
（ｉｆ）の工程は、モノシランガスを一２０℃以下に冷
却して不純物を凝縮トラップする工程である。
却して不純物を凝縮トラップする工程である。
このため温度はできるかぎシ低くすることが必要である
が、モノシランの露点以上としなければならない。冷却
温度をあまりに低くすることは設備上の制約があり好ま
しくない。また高すぎると、凝縮効果が落ちる０そこで
操作時の圧力との関係によるが−２０〜−７５℃の範囲
が好ましい。
が、モノシランの露点以上としなければならない。冷却
温度をあまりに低くすることは設備上の制約があり好ま
しくない。また高すぎると、凝縮効果が落ちる０そこで
操作時の圧力との関係によるが−２０〜−７５℃の範囲
が好ましい。
この工程で用いられる装置は、モノシランガスを所定の
温度まで冷却できれば、いずれの型式の冷却器でもよい
が、冷却によシ凝縮した不純物が霧状となりモノシラン
ガス中に浮遊するため、との液滴を捕集できる構造とす
ることが望まれる。
温度まで冷却できれば、いずれの型式の冷却器でもよい
が、冷却によシ凝縮した不純物が霧状となりモノシラン
ガス中に浮遊するため、との液滴を捕集できる構造とす
ることが望まれる。
（ｉｉ）の工程で除去される不純物は、モノク。ルシラ
ンの一部と、（ｉ）の工程で混入する還元剤と溶媒であ
る。
ンの一部と、（ｉ）の工程で混入する還元剤と溶媒であ
る。
以上のようにして（ｉ）の工程で５ｔｃｚ、を消去する
結果として、（ｉ）の工程で用いた還元剤と溶媒を、モ
ノクロルシランの一部と共に除去するため（ｉｉ）の工
程が必要となるのであり、 （ｉｆ）の工程は（ｉ）
の工程に引き続いて行われなけ□ればならない０そうす
ると、後に続＜、（ｉｉｉ）の工程及び（ｉｖ）の工程
へ導入されるモノシランガス中の主な不純物は、モノク
ロルシランとエタンになる。これらの不純物は、 （
ｉｎ）の工程と（ｔｖ）の工程で、以下に示すように別
個に除去される。
結果として、（ｉ）の工程で用いた還元剤と溶媒を、モ
ノクロルシランの一部と共に除去するため（ｉｉ）の工
程が必要となるのであり、 （ｉｆ）の工程は（ｉ）
の工程に引き続いて行われなけ□ればならない０そうす
ると、後に続＜、（ｉｉｉ）の工程及び（ｉｖ）の工程
へ導入されるモノシランガス中の主な不純物は、モノク
ロルシランとエタンになる。これらの不純物は、 （
ｉｎ）の工程と（ｔｖ）の工程で、以下に示すように別
個に除去される。
（ｉｉ）の工程を終えた、残余の不純物を含むモノシラ
ンガスは（■）の工程へ導入される。（■）の工程は活
性炭を充填した塔に上記モノシランガスを通すことによ
シ実施される。
ンガスは（■）の工程へ導入される。（■）の工程は活
性炭を充填した塔に上記モノシランガスを通すことによ
シ実施される。
使用する活性炭は５粒状高地表面積のものがよく、必要
であれば、活性化処理してもよい。活性炭の粒子の大き
さは４〜３２メツシエの範囲が好ましい。
であれば、活性化処理してもよい。活性炭の粒子の大き
さは４〜３２メツシエの範囲が好ましい。
（石）の工程の温度は、特に制限は無いが、あまシに低
いと装置が高価になり、またモノシランの吸着ロスが大
きくなり、あまりに高いと不純物の吸着除去効果が落ち
るので−２０〜−７５℃の範囲が好ましい。
いと装置が高価になり、またモノシランの吸着ロスが大
きくなり、あまりに高いと不純物の吸着除去効果が落ち
るので−２０〜−７５℃の範囲が好ましい。
（ｉ）の工程で吸着除去される不純物は、モノクロルシ
ランの残り全部であり、同時に、極微量存在しているジ
クロルシランも吸着除去される。
ランの残り全部であり、同時に、極微量存在しているジ
クロルシランも吸着除去される。
（石）の工程を終えた残りの不純物を含むモノシランガ
スは、（ｉｖ）の工程へ導入される。
スは、（ｉｖ）の工程へ導入される。
（ｉｖ）の工程は、合成ゼオライト４Ａを充填した塔に
上記モノシランガスを通過させて実施することができる
。
上記モノシランガスを通過させて実施することができる
。
合成ゼオライトの細孔直径は、エタンの分子直径が４人
なので、それ以下ではエタンカ１吸着されない。また細
孔直径が４．５人以上ではモノシランガス着されるので
モノシランのロスが多くなる。
なので、それ以下ではエタンカ１吸着されない。また細
孔直径が４．５人以上ではモノシランガス着されるので
モノシランのロスが多くなる。
それ故、好ましい細孔直径は４人以上４．５Ａ未満の範
囲である。
囲である。
合成ゼオライトの大きさは、４メツシ、ｄ−ら３２メツ
シユの範囲が好ましい。また、必要に応じ、加熱処理、
減圧処理などの活性化処理を行うことができる。
シユの範囲が好ましい。また、必要に応じ、加熱処理、
減圧処理などの活性化処理を行うことができる。
（ｔｖ）の工程の温度は、特に制限は無いが、あまりに
低いと装置が高価になり、あまりに高いと不純物の吸着
除去効果が落ちるので−２０〜−７５℃の範囲が好まし
い０ （ｉｉｉ）の工程、（ｉｖ）の工程共、−２０〜−７５
℃の範囲では、操作する圧力によりて決定されるモノシ
ランの露点以上であるかぎり、できるだけ低い温度が好
ましい。
低いと装置が高価になり、あまりに高いと不純物の吸着
除去効果が落ちるので−２０〜−７５℃の範囲が好まし
い０ （ｉｉｉ）の工程、（ｉｖ）の工程共、−２０〜−７５
℃の範囲では、操作する圧力によりて決定されるモノシ
ランの露点以上であるかぎり、できるだけ低い温度が好
ましい。
（神）の工程で吸着除去される不純物は、エタンであり
、同時に極微量存在しているメタンも吸着除去される。
、同時に極微量存在しているメタンも吸着除去される。
本発明においては、（市）の工程の次に（ｔｖ）の工程
を行うことが必要であり、この順を逆にすると除去操作
が効率的に行えない０ 例えば、不純物として、モノクロルシランを８００ ｐ
ｐｍ、エタンを１１０００ｐｐ、含むモノシランガスを
（Ｉ）の工程の活性炭層を通過させたのち（ｔｖ）の工
程の合成ゼオライ）４人層を通過させた場合（実験／に
１）及びこの順序を逆にした場合（実験Ａ２）について
、通過後の精製ガスに未吸着のエタンが混入する、いわ
ゆる破過点までのモノシランの流出量を測定した結果は
第１表の通りである。明らかに本発明の順序がすぐれて
いることがわかる０ 以上のように、本発明方法によれば、５ｔＣｔ４をＡ／
＝Ｅｔ２Ｈで還元して得たモノシランガスからＳ ｉＣ
Ｌ ４ ｓモノクロルシラン、エタンなどを極めて効率
よく除去することができる。
を行うことが必要であり、この順を逆にすると除去操作
が効率的に行えない０ 例えば、不純物として、モノクロルシランを８００ ｐ
ｐｍ、エタンを１１０００ｐｐ、含むモノシランガスを
（Ｉ）の工程の活性炭層を通過させたのち（ｔｖ）の工
程の合成ゼオライ）４人層を通過させた場合（実験／に
１）及びこの順序を逆にした場合（実験Ａ２）について
、通過後の精製ガスに未吸着のエタンが混入する、いわ
ゆる破過点までのモノシランの流出量を測定した結果は
第１表の通りである。明らかに本発明の順序がすぐれて
いることがわかる０ 以上のように、本発明方法によれば、５ｔＣｔ４をＡ／
＝Ｅｔ２Ｈで還元して得たモノシランガスからＳ ｉＣ
Ｌ ４ ｓモノクロルシラン、エタンなどを極めて効率
よく除去することができる。
次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。
実施例
ＡＡＥｔ２Ｈを還元試薬として５ｉＣｔ４から、不純物
として、５ｉＣＡ、１ｔｓ％ モ）りＴ：Ｉｋシ５７９
００ｐｐｍ及びエタン１０００ ｐｐｍを含有するモノ
シランガスを得た。これを、順次、次の第１〜４工程を
通過させた。
として、５ｉＣＡ、１ｔｓ％ モ）りＴ：Ｉｋシ５７９
００ｐｐｍ及びエタン１０００ ｐｐｍを含有するモノ
シランガスを得た。これを、順次、次の第１〜４工程を
通過させた。
（第１工程）
３５℃、Ｌ”４／１ｉ−ａの条件下でＡｔＥｔ、ＨとＡ
ｔＥｔ２（’Ａの％／ｌ／比１：１の混合物の２０ｖｔ
％流動パラフィン溶液中にモノシランガスを通す。
ｔＥｔ２（’Ａの％／ｌ／比１：１の混合物の２０ｖｔ
％流動パラフィン溶液中にモノシランガスを通す。
（第２工程）
一７０℃％ ＩＫｆ／ｄ−Ｇの条件下でＳＵＳ製充填剤
層中をモノシランガスを通す０ （第３工程） 一７０℃ｂ １ ｖａｄ Ｇの条件下で、活性化し
たやしから活性炭（粒度８〜３２メツシユ）層中を、モ
ノシランガスを通す０ （第４工程） 一７０℃、ｌＫｆ／ｉ−ａの条件下で、活性化した合成
ゼオライ）４Ａ（栗田工業社製、粒径１．５ｍｍφ）層
中を、モノシランガスを通す。
層中をモノシランガスを通す０ （第３工程） 一７０℃ｂ １ ｖａｄ Ｇの条件下で、活性化し
たやしから活性炭（粒度８〜３２メツシユ）層中を、モ
ノシランガスを通す０ （第４工程） 一７０℃、ｌＫｆ／ｉ−ａの条件下で、活性化した合成
ゼオライ）４Ａ（栗田工業社製、粒径１．５ｍｍφ）層
中を、モノシランガスを通す。
第２工程を通過させたのち、第３工程に導入する前の不
純物を含むモノシランガスの組成を第２表に示す。
純物を含むモノシランガスの組成を第２表に示す。
第２表
上記第２表の組成のガスを第３工程、第４工程に順次通
して精製したところ、モノシランガス中の主な不純物で
ある５ｉＣｔ４、モノクロルシラン及びエタンは、Ｆ’
ＩＤ、ＦｍＣＤ検出器を有するガスクロマトグラフで測
定しても、全く検出されなかった０ 比較例 実施例と同様の、不純物として５ｉＣｔ４ １ ％、モ
ノクロルシラン９００ ｐｐｍ及びエタン１０００ ｐ
ｐｍを含むモノシランガスを実施例の第１工程と同様の
条件で精製し、冷却温度−６０℃の第２工程を通過させ
た後、活性炭２０□を精製に用いる第３工程へと導入し
た。そして通過後の精製ガスに未吸着のモノクロルシラ
ンが混入するいわゆる破過点までのモノシランの流出量
を測定した。
して精製したところ、モノシランガス中の主な不純物で
ある５ｉＣｔ４、モノクロルシラン及びエタンは、Ｆ’
ＩＤ、ＦｍＣＤ検出器を有するガスクロマトグラフで測
定しても、全く検出されなかった０ 比較例 実施例と同様の、不純物として５ｉＣｔ４ １ ％、モ
ノクロルシラン９００ ｐｐｍ及びエタン１０００ ｐ
ｐｍを含むモノシランガスを実施例の第１工程と同様の
条件で精製し、冷却温度−６０℃の第２工程を通過させ
た後、活性炭２０□を精製に用いる第３工程へと導入し
た。そして通過後の精製ガスに未吸着のモノクロルシラ
ンが混入するいわゆる破過点までのモノシランの流出量
を測定した。
比較として、同じ組成のガスを、第１の工程を通さない
で、他は、上記と同様にして、破過点を求めた。
で、他は、上記と同様にして、破過点を求めた。
この結果をそれぞれ実験瀘１，２として第３表に示す。
第３表より、第１の工程が第３の工程の活性炭に対する
負荷を大幅に低下させる効果があることがわかる。
負荷を大幅に低下させる効果があることがわかる。
Claims (1)
- 四塩化ケイ素をジエチルアルミニウムハイドライドで還
元して得た不純物を含むモノシランを精製するに当り、
このモノシランを（ｉｈ１元処理する （ｉｔ） −２
０℃以下に冷却処理する （ｆｉｔ ）活性炭で処理す
る （ｉｖ）細孔直径４〜４．５Ａの合成ゼオライトで
処理する、の各処理に順に付すことＫより、その中の不
純物を除去することを特徴とするモノシランのＭ製方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16728481A JPS5869715A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | モノシランの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16728481A JPS5869715A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | モノシランの精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5869715A true JPS5869715A (ja) | 1983-04-26 |
| JPS641405B2 JPS641405B2 (ja) | 1989-01-11 |
Family
ID=15846895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16728481A Granted JPS5869715A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | モノシランの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5869715A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4554141A (en) * | 1984-05-14 | 1985-11-19 | Ethyl Corporation | Gas stream purification |
| JPS6163514A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | モノシランの精製方法 |
| US5089244A (en) * | 1989-09-22 | 1992-02-18 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process for preparing disilane by using molecular sieves |
| JP2008281261A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Corona Corp | 一体型空気調和機 |
| JP2013505199A (ja) * | 2009-11-16 | 2013-02-14 | ケーシーシー コーポレーション | モノシランの精製方法 |
-
1981
- 1981-10-21 JP JP16728481A patent/JPS5869715A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4554141A (en) * | 1984-05-14 | 1985-11-19 | Ethyl Corporation | Gas stream purification |
| JPS6163514A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | モノシランの精製方法 |
| JPH0436089B2 (ja) * | 1984-09-03 | 1992-06-15 | Mitsui Toatsu Chemicals | |
| US5089244A (en) * | 1989-09-22 | 1992-02-18 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process for preparing disilane by using molecular sieves |
| JP2008281261A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Corona Corp | 一体型空気調和機 |
| JP2013505199A (ja) * | 2009-11-16 | 2013-02-14 | ケーシーシー コーポレーション | モノシランの精製方法 |
| EP2501651A4 (en) * | 2009-11-16 | 2016-05-11 | Kcc Corp | PROCESS FOR PURIFYING MONOSILANE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641405B2 (ja) | 1989-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5051117A (en) | Process for removing gaseous contaminating compounds from carrier gases containing halosilane compounds | |
| US4917711A (en) | Adsorbents for use in the separation of carbon monoxide and/or unsaturated hydrocarbons from mixed gases | |
| JP6433867B2 (ja) | 水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 | |
| TWI482655B (zh) | 氣體純化方法及裝置 | |
| KR20070116258A (ko) | 트리플루오르화질소의 정제 | |
| JP2002255542A (ja) | 半導体ガスの精製法 | |
| JP5344113B2 (ja) | 水素分離回収方法および水素分離回収設備 | |
| JP6698762B2 (ja) | 水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 | |
| JPS5869715A (ja) | モノシランの精製方法 | |
| JPH11139805A (ja) | ハロゲン化水素から水分を除去するための組成物とその方法 | |
| JPH0353017B2 (ja) | ||
| JP2570409B2 (ja) | クロロポリシランの精製方法 | |
| JP2641265B2 (ja) | 水素の精製方法 | |
| JPS61197415A (ja) | ジクロロシランの精製法 | |
| JPH0211522B2 (ja) | ||
| JPH09169777A (ja) | ジメチルジクロロシランからメチルトリクロロシランを分離する方法 | |
| JPH01190676A (ja) | ２，２，３，３−テトラフルオロオキセタンの精製方法 | |
| JPH10277360A (ja) | 揮発性無機水素化物の処理方法 | |
| JPS6090810A (ja) | フルオロシランガスの製造方法 | |
| JPH0352406B2 (ja) | ||
| JPH0716604B2 (ja) | 一酸化炭素吸着剤 | |
| JPH0710339B2 (ja) | 一酸化炭素吸着剤 | |
| JPH07330316A (ja) | 三弗化窒素ガスの精製方法 | |
| JPH0254283B2 (ja) | ||
| JPH0450294A (ja) | 液状炭化水素中の水銀除去法 |