KR20070116258A - 트리플루오르화질소의 정제 - Google Patents

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라지브 알. 싱
데이빗 에프. 올로우스키
매튜 에이치. 루리
마틴 알. 파오네사
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허니웰 인터내셔널 인코포레이티드
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Abstract

NF3 및 CF4와 같은 불순물을 포함하는 조질의 생성물을 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체에 접촉시켜서, NF3의 중대한 흡착 없이 하나 또는 그 이상의 분술물의 적어도 일부가 상기 체에 의해 흡수되도록 하는 것을 포함하는 NF3의 흡착 정제 방법 및 장치.
트리플루오르화질소, 테트라플루오르화 탄소, 폴리아크릴로니트릴, 정제, 흡착, 분자 체

Description

트리플루오르화질소의 정제{PURIFICATION OF NITROGEN TRIFLUORIDE}
본 발명은 고순도의 트리플루오르화질소(NF3)를 획득하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 테트라플루오르화 탄소(CF4)를 포함한 해로운 불순물을 낮은 수준으로 함유하는 NF3의 생산을 가능하게 하는 NF3 정제 방법에 관한 것이다.
트리플루오르화 질소는 반도체 재료의 제조, 고에너지 레이저, 및 화학기상증착(chemical vapor deposition) 방법에 널리 사용된다. 반도체 재료의 에칭과 같은 특정 제조 방법에서는, 특히 CF4와 같은 소량의 불순물조차 반도체 에칭 공정 중에 문제를 야기할 수 있는 탄소 혹은 탄화규소의 고형 잔류물을 형성할 수 있기 때문에, 고순도의 NF3 원료를 필요로 한다. 대부분의 전자제품 제조 공정에서 유용하기 위해서, NF3는 순도 99.9% 내지 99.999%이어야 한다.
트리플루오르화 질소는 용융 플루오르화 암모늄 산(melted ammoniun acid fluoride)의 전기분해, 플루오린 기체를 바이플루오르화 암모늄과 반응시킴, 그리 고 플루오린 기체를 암모늄 빙정석과 반응시킴을 포함한 몇몇의 방법에 의해 제조될 수 있다. 대부분의 상업적 NF3 제조 방법은 반응물로서 플루오린 원소(F2)를 필요로 한다. 플루오린 원소는 전형적으로 탄소 전극을 이용한 전기분해 방법을 통해 제조된다. 이 방법이 수행되는 동안 탄소 전극에서 발생된 일부 F2은 종종 전극과 반응하여 CF4를 만든다. 그 결과, 상기 NF3 제조 공정은 일반적으로 최소한 약간의 CF4 불순물을 함유한다. 추가적으로, F2 공정 또는 후속적인 NF3 공정 내 어떠한 다른 탄소질 불순물 또한 F2와 반응하여 CF4를 만들 수 있다.
US 4,091,081은 플루오르화 암모늄 산 용융물에서 수행되는 4NH3 + 3F2 → NF3 + 3NH4F 반응을 통한 NF3 제조방법을 개시한다. 출발 반응물 F2가 1 몰%의 CF4를 함유하는 경우, 생성물 NF3은 3 몰%까지의 CF4를 함유할 수 있다. 상업적인 F2 제조 방법 내 실제 CF4 함량은 셀(cell) 디자인, 조작(operation), 및 F2가 발생되는 목적에 따라 다양하다. 전형적으로, CF4 불순물은 10 ppm 내지 1% 또는 그 이상일 수 있다.
상업적으로 제조된 NF3에서 발견되는 다른 불순물은 N2, O2, CO2, H2O, CH4, HF, SF6, N2O, 및 CO를 포함한다.
공교롭게도, NF3로부터 CF4를 분리하는 것은 어렵다. 사실, NF3로부터 CF4를 분리하는 것은 "실질적으로 불가능(practically impossible)"한 것으로 알려져 왔다. J. Massonne, CHEMIE INGENIEUR THCHNIK, v.41, N 12, p.695(1969). NF3로부터 CF4를 분리하는 데 있어서 복잡함은, 정상 온도에서 각 화합물의 낮은 화학 반응성, 분자 크기의 미세한 차이, 및 끓는점의 미세한 차이(CF4 및 NF3 각각에 대해 -128℃ 및 -129℃)에 기인한다. GMELIN HANDBOOK, 1986, v. 4, pp. 179-180. NF3 및 CF4의 밀접하게 관련된 끓는점이 증류에 의해 이들 두 화합물을 대량으로 분리하는 것을 불가능하게 한다. 나아가, NF3 및 CF4의 쌍극자 모멘트 및 흡착열(heat of adsorption)이 매우 가까워서 일반적인 대량 흡착 기술로부터 NF3 대량 회수하는 것은 어렵다.
NF3로부터 CF4를 제거하는 다양한 방법들이 당해 기술분야에 알려져 있음에 불구하고, 각 방법들은 중대한 단점을 갖는다. 예를 들어, 미국 특허 3,125,425는 22 Å의 평균 구경(pore diameter)을 갖는 실리카겔이 액체 저분자 클로로트리플루오로에틸렌과 혼합되어 상 분리를 형성하는데 사용된 기체 크로마토그래피(gas chromatography) 기술에 의한 기체 불화물의 분리 방법을 개시한다. 그러나, 이 방법은 낮은 효율, 헬륨 혹은 다른 불활성 기체의 높은 소비(가공된 NF3 1 리터당 500 리터까지), 그리고 불순물의 농도가 1 부피 퍼센트 미만인 경우 분리의 낮은 효율 등과 같은 단점이 있다. 사실, 이 방법에서 획득된 NF3의 순도는 99 부피 퍼센트를 초과할 수 없고, 따라서 전자제품 산업을 위한 NF3의 생산에는 부적절하다.
99.99%와 같은 고순도의 NF3를 획득하기 위한 다른 기술들이 개발되었다. 이러한 방법은 특히 NF3를 흡착하는 제올라이트 흡착제를 이용하여 CF4로부터 NF3를 분리한다. 예를 들어, 미국 특허 번호 5,069,690에 개시된 방법은 열수적으로 처리된 제올라이트 5A 캐버자이트(수화된 칼슘 알루미늄 실리케이트)로 이루어진 분자체(molecular sieve) 흡착제의 다공성 베드(bed)를 통한 불활성 담체 기체의 연속적인 흐름에서 NF3 및 CF4의 불연속적인 펄스를 제공하는 것을 수반하는 기체-고체 크로마토그래피(gas-solid chromatography) 기술을 사용한다. 상기 공정 내 분자체는 CF4보다 NF3 를 동역학적으로 용이하게 흡착한다. 이 공정이 CF4로부터 NF3를 분리함에도 불구하고, NF3 생성물을 회수하기 위해, 상기 흡착제는 먼저 CF4을 함유하는 기체 조성물로부터 제거되어야하고 그 후 상기 NF3가 상기 흡착제로부터 추출되어야 한다.
제올라이트 분자 체를 사용하는 방법의 또 다른 예가 미국 특허 번호 5,069,887에 설명되어 있다. 상기 참고문헌에는, CF4을 함유하는 기체 NF3가 -50 ℃내지 10 ℃의 온도에서 4.9 Å의 효과적인 공극 크기를 갖는 결정질 다공성 합성 제올라이트와 접촉되며, 상기 NF3는 제올라이트에 의해 흡착된다. CF4를 함유하는 잔존 가스는 후속적으로 흡착제로부터 옮겨지고, 그 후 NF3가 체로부터 탈착되어 정 제된 NF3 생성물을 만든다. 상기 분자 체의 합성 제올라이트는 실험식 Ca6[(AlO2)12(SiO2)12]xH2O로 표현되는 화학 조성물을 갖고, "분자체 5A(molecular sieve 5A)"라는 제품명으로 상업화되었다. 본 특허는 특히 상기 설명된 방법을 분자체 5A를 사용하는 것으로 제한한다. 실은, 이 특허는 "분자체 5A를 흡착제로 사용하는 것이 필수적"이라고 한다. 상이한 클래스의 분자체 또는 제올라이트의 사용에 의해서는 NF3 및 CF4 중 오직 하나의 선택적인 흡착을 성취하는 것이 어렵다. 흡착제로 대중적인 활성탄을 사용하는 경우에는 NF3 및 CF4 모두가 흡착된다. 미국 특허 번호 5,069,887, col. 2, line 9-14.
NF3 및 CF4를 분리하기 위해 제올라이트 분자 체를 사용하는 방법의 또 다른 예가 공개번호 US2003/0221556 A1에 개시되어 있다. 이 특허에는 실험식 (Na,K)9Al9Si27O72x27H2O를 갖는 에리오나이트(erionite)-타입 제올라이트 분자 체가 개시되고 미국 특허 번호 5,069,887에 개시된 것과 유사한 방법에 사용된다.
이러한 모든 방법은 흡착제가 NF3를 오염시키는 상대적으로 적은 양의 불순물 대신 목적 생성물(즉 NF3)을 흡착하는 중대한 단점이 있다. 상기 생성물이 불순물 대신 흡착되기 때문에, 이러한 공정은 생성된 NF3의 양에 비해 상대적으로 많은 양의 흡착제를 필요로 한다. 나아가, 상기 흡착제로부터 부착된 NF3를 방출하기 위해 많은 양의 에너지가 필요하다. 이러한 정제 방법과 관련한 낮은 효율은 정제된 NF3 생성물의 획득에 있어서 높은 경제학적 비용과 관계가 있다.
본 발명은 이러한 단점 및 종래 기술에서 발견되는 다른 단점들을 극복한다.
본 발명은 바람직하게는 (a)NF3 및 적어도 하나의 불순물을 포함하는 조질의 생성물을 제공하는 단계; (b)상기 조질의 생성물을 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체를 포함하는 흡착제와 접촉시키는 단계; 그리고 (c)상기 흡착제로부터 NF3를 분리하여 상기 조질의 생성물에 비해 낮은 농도의 불순물을 갖는 정제된 NF3 생성물을 생성하는 단계를 포함하는 NF3 정제 방법에 관한 것이다. 발명자들은 본 발명의 바람직한 방법이 NF3와 관련된 CF4와 같은 특정 불순물의 선택적인 흡착을 제공하는 것을 발견하였다. 따라서, NF3는 과도한 흡착제 없이 효과적으로 정제될 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 의하면 (a)NF3 및 적어도 하나의 불순물을 포함하는 조질의 생성물 공급(feed) 스트림;(b)공급 스트림과 접촉하는 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체(sieve)를 포함하는 흡착제; 및 (c)공급 스트림에 비해 낮은 농도의 불순물을 갖는 정제된 NF3 생성물 스트림을 포함하는 NF3 정제를 위한 장치가 제공된다.
발명자들은 중대한 양의 NF3 흡착 없이 CF4와 같은 불순물이 조질의 생성물로부터 흡착에 의해 제거되는, NF3 정제를 위한 효과적인 방법을 발견하였다. 본 명세서에서 사용된 바와 같은, 상기 용어 "조질의 생성물"은 NF3를 포함하고 불순물의 농도가 바람직한 농도보다 높은 생성물을 광범위하게 언급한다. 본 발명은 특히 다른 분리 기술과 조합되는 경우, 통상적인 공정을 통해 성취하기에 불가능하거나 극히 비용이 많이 들고 어려운 불순물(특히 CF4) 수준을 갖는 NF3 생성물의 생산이 가능하다.
따라서, 본 발명의 일 견지는 NF3 및 바람직한 농도보다 높은 농도를 갖는 적어도 하나의 불순물을 포함하는 조질의 생성물을 제공하는 단계를 포함하는 NF3의 정제 방법이다. 바람직한 구현에 의하면, 조질의 생성물 내 불순물은 적어도 CF4를 포함한다.
특정한 바람직한 구현에서, 조질의 생성물을 제공하는 상기 단계는 바람직한 방법을 위해 요구되는 양 및 비용으로 상업적으로 입수가능한 조질의 NF3 공급처로 부터 획득하는 것을 포함한다. 트리플루오르화 질소는 다양한 판매자로부터 상이한 순도로 상업적으로 입수가능하다. 택일적으로 조질의 NF3가 통합적인 NF3생산 수단의 일부로서 본 정제 공정에 직접 제공될 수 있다.
트리플루오르화 질소의 제조 방법은 전형적으로 다양한 수준의 CF4 불순물을 함유하는 조질의 NF3 스트림을 생산한다. 예를 들어 4 ppm 내지 5 부피 퍼센트 혹은 그 이상의 넓은 범위의 CF4 농도의 범위도 본 발명에 의해 정제될 수 있지만, 조질의 NF3는 일반적으로 약 100 ppm 내지 약 2 부피 퍼센트의 CF4를 함유하고 이러한 조질의 생성물은 본 발명에 의한 정제에 적합하다. 적절한 베드(bed) 크기 및 흐름 속도가 사용되는 것을 조건으로, 어떠한 농도의 불순물을 갖는 조질의 생성물이 상기 청구된 발명에 따라 처리될 수 있을 것으로 기대된다.
본 발명에서 조질의 생성물은 기체, 액체, 초임계(supercritical), 또는 이들의 몇몇의 결합을 포함하는 어떠한 상일 수 있다. 다양한 온도에서의 NF3 증기압은 잘 알려져 있고 처리되는 NF3의 상을 결정할 것이다. 예를 들어, 대기압(760mm Hg)에서 NF3은 -129.1℃의 끓는점을 갖는다. 따라서, 본 발명의 일 구현에 따르면, 상기 NF3은 대략 대기압 그리고 약 -129.1℃ 이하의 온도에서 유지되어 액체 상 공정이 된다. 액체 상 트리플루오르화 질소는 또한 충분한 압력 및 NF3의 임계 온도 39.3℃ 이하에서 상기 공정의 실시에 의해 성취될 수 있다.
본 발명의 상기 견지의 또 다른 단계는 조질의 생성물 내 하나 혹은 그 이상의 불순물을 선택적으로 흡착하지만 어떠한 실질적인 정도의 NF3을 흡착하지 않으며, 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체를 포함하는 흡착제와 조질의 생성물을 접촉시키는 것을 포함한다. 분자 체의 선택성은 일반적으로 분자 크기 및 구경을 비교하여 평가될 수 있다. 상기 체의 성분, 그들 조성의 기하학과 보유(retention) 특성 사이에 상호관계가 존재하는 것이 알려졌음에도 불구하고, 이 상호관계의 정확한 본질은 현재 알려져 있지 않다. 따라서, 특정한 분자 체의 선택은 실험적 데이타에 기초하여 결정되어야 한다.(예를 들어 Martin Harper, Sorbent Trapping of Volatile Organic Compounds from Air, J.CHROMATOGRAPHY A, 885(2000) p.129-151("많은 종류의 탄소 분자 체들이 사용가능하다(예를 들어 Carbosieve S-III, Carboex 1000, Carboxen 1003, Spherocarb, Anasorb CMS[31.96, 100]). 보유 체적(retention volume)의 연구는 이러한 흡착제 사이에 큰 차이가 있음을 암시한다. 다만, 실질적인 차이와 관련이 있는지 여부는 현재 시점에서 불확실하다. 비교가 수행될 때까지 흡착제를 동등물로 취급하지 않고, 특정한 방법에서 평가된 재료만을 사용할 것을 권한다"(강조됨)) 참고)
바람직하게는, 상술한 체(sieve)의 흡착제는 베드 혹은 충전컬럼(packed column)에 배치될 수 있는 비드(bead)로 존재하며, 바람직하게는 약 60 내지 약 100 메쉬(mesh) 크기를 형성한다. 이러한 비드의 공극 크기는 바람직하게는 약 10Å 내지 약 16Å, 더 바람직하게는 약 13Å이고, 약 500m2/g 내지 약 1500m2/g, 더 바람직하게는 약 1000m2/g의 표면적(surface area)을 갖는다. 본 발명에 따른 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체는 Carbosphere®로서 Alltech Associates, Inc.로부터 상업적으로 입수가능하다.
상기 접촉 단계는 연속 방법, 배치(batch) 방법, 또는 연속 및 배치 방법의 조합을 통해 수행될 수 있다. 특정한 바람직한 구현에서, 상기 접촉 단계는 증기상, 액상, 또는 액상과 증기상 모두를 함유하는 스트림 내 조질의 생성물이 흡착제 위로 또는 흡착제를 통과해서 흘려지는 연속 방법을 포함한다. 상기 흡착제의 양과 배열은 불순물의 농도를 바람직한 수준 이하로 효과적으로 감소시킬 수 있도록 한다. 일반적으로, 흡착제는 충전컬럼, 유동베드(fluidized bed), 고정베드(static bed), 또는 이들의 몇몇의 조합으로 배열되는 것이 바람직하다. 일반적으로, 본 발명의 상기 방법은 약 0 내지 약 200 psig의 작동(operating) 압력에서 수행된다.
흡착제에 의한 불순물의 흡착 정도는 상기 조질의 생성물이 상기 흡착제와 접촉하는 시간의 양과 관련된다. CF4를 불순물로 포함하는 구현에서, 바람직한 접촉 시간은 약 1 내지 약 100초이고, 더욱 바람직하게는 약 15 내지 25초이다. 연속 방법에서, 접촉 시간은 상기 유체가 상기 흡착제 위를 흐르는 속도에 의해 결정된다. 배치 방법에서, 접촉 시간은 작동 주기(operating cycle)의 기간에 의해 결정된다.
특정의 흡착을 성취하기 위해 조질의 생성물이 통과하는 상기 흡착제 베드 또는 충전컬럼에서의 속도는 상기 흡착제의 양 및 배향에 기초하고, 이는 차례로 다른 특정한 공정 및 제품요건에 기초한다. 나아가, 상기 흐름 속도는 조질의 생성물 내 불순물의 농도 및 정제된 최종 생성물의 바람직한 불순물 농도에 기초한다. 모든 다른 매개변수가 고정되는 경우, 보다 높은 순도는 상기 흡착제와 접촉하는 상기 유체의 잔류 시간이 증가되도록 낮은 흐름 속도를 요구한다. 본 발명에 따라 요구되는 낮은 흐름 속도 및 특정한 생성물 순도를 성취하기 위한 다른 공정의 매개변수는 숙련자가 불필요한 실험 없이 잘 알수 있을 것이다.
본 발명의 이러한 구현의 세 번째 단계에 의하면, NF3가 상기 흡착제로부터 분리되어 정제된 NF3 생성물을 생산한다. 본 명세서에서 사용된 "정제된 NF3 생성물"은 조성물 내 어떠한 특정 불순물의 농도도 상기 조질의 생성물에 관한 불순물의 농도보다 낮으며 NF3을 필수적으로 포함하는 조성물을 나타낸다. 당해 기술분야의 숙련자는 주어진 불순물의 바람직한 최대량은 관련된 불순물 및 정제된 NF3 생성물의 기대되는 용도를 포함하는 많은 요소에 의해 광범위하게 달라질 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 전자제품 규격(electronics grade) NF3는 500ppm 미만의 CF4을 함유하는 것이 바람직하며, 반면 VSLI(very-large-scale-integration) 규격 CF4는 20ppm 미만의 CF4을 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 구현은 10 ppmv(part-per-million based upon total volume) 미만의 CF4 농도, 그리도 더욱 바람직하게는 1 ppmv 미만의 CF4 농도를 갖는 정제된 NF3 생성물을 획득한다. 정제된 NF3 생성물 내의 이렇게 극히 낮은 수준의 CF4 불순물은 큰 스케일의 상업적 방법에서 경제적으로 통상적인 방법에 의해 획득하기가 불가능하거나, 매우 어렵다. 그러나, 본 발명은 단지 극히-순수한 NF3를 생산하는 것에 제한되지 않고; 보다 높게 허용되는 CF4 농도, 예를 들어 5 부피 퍼센트와 같은 NF3 제품의 생산에도 큰 장점을 가지고 사용될 수 있다. 이러한 구현에서, 본 발명은 통상의 공정에 비해 매우 높은 속도 및/또는 비교적 낮은 비용으로 이러한 재료의 정제를 가능하게 할 것으로 생각된다.
NF3로부터 흡착제의 분리는 정제된 NF3 생성물을 상기 흡착제로부터 물리적으로 제거하여 수행된다. 예를 들어, 연속 방법에서 상기 정제된 NF3 생성물은 흡착체를 가로지르는 압력 차를 만들어서(즉, 정제된 생성물 스트림의 압력보다 높은 압력에서 조질의 생성물 스트림을 조절하여) 상기 흡착제로부터 옮겨질 수 있다. 배치 방법에서, 정제된 생성물을 함유한 용기로부터 흡착제를 제거하거나, CF4를 탈착할 정도로 압력차가 크지 않을 것을 조건으로 한 압력에 의해 상기 정제된 NF3 생성물이 흡착제로부터 옮겨질 수 있다.
상기 정제 방법이 진행됨에 따라 흡착제 물질에 불순물, 특히 CF4가 축적된다. 상기 정제된 NF3 생성물은 상기 흡착제가 포화 한계에 도달할 때까지 제조될 수 있다. 상기 베드가 불순물로 포화되면, 완성된 생성물 내 불순물의 수준이 증가되기 시작하고, 이 시점에서 상기 흡착제 물질은 교체되거나 바람직하게는 재생된다.
교체 또는 재생은 "돌파점(breakthrough)"이 나타나기 전에 수행되는 것이 바람직하다. 일반적으로 "돌파점"은 정제된 스트림 내의 목적 불순물 수준이 바람직한 최고점을 초과할 때 발생하는 것으로 생각된다. 예를 들어, 생성물이 미리결정된 10 ppm CF4의 최대 불순물을 갖는 경우, 상기 돌파점 농도는 10 ppm으로 설정된다. 1ppm 미만의 CF4를 갖는 생성물이 바람직한 경우, 상기 돌파점 농도는 1 ppm으로 설정되는 등이다.
둘 혹은 그 이상의 베드가 연속적으로 사용되는 구현에서, 연속적인 하나 혹은 그 이상의 후속적인 베드(들)은 완충 역역을 만들어서 불포화된 흡착제와의 후속적인 접촉에 의해 제 1베드를 떠나는 부분적으로 정화된 NF3이 바라는 순도를 획득하는 것을 보장하기 때문에 제 1베드 출구에서의 불순물 농도는 돌파점 수준을 쉽게 초과하는 것으로 생각된다. 이러한 구현에서, 상기 제 1베드는 일반적으로 오프-라인으로 취해지고 새롭게 재생된 베드가 직렬의 배열로 도입될 것이다. 택일적으로, 연속 방법을 수반하는 특정의 바람직한 구현에서, 평행으로 배열된 두 개의 충전 컬럼을 통해 정제가 수행되고 적어도 하나의 컬럼이 계속해서 정제 공정을 위해 사용되는 반면 다른 컬럼은 오프라인으로 재생된다.
폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체의 재생은 잘 알려져 있다. 이 재생은 예를 들어, 상기 흡착제를 바람직하게는 진공에서 약 50℃에서 약 200℃까지의 온도로 가열하는 것과 같은 일반적인 수단을 통해 수행될 수 있다. 다른 재생 기술은 상기 흡착제를 N2와 같은 비활성 기체로 플러싱(flushing)하는 것을 수반한다. 상기 흡착제를 재생하기 위해 요구되는 특정의 비활성 기체 및/또는 진공의 정도는 당해 기술분야의 숙련자에게 알려져 있을 것이다.
본 발명의 다른 견지는 NF3 정제용 장치이다. 도 1에 의하면, NF3 조질 생성물(10)의 공급원이 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체(21)에 연결되며 차례로 NF3 정화된 생성물 출구(30)에 연결되는 본 발명의 상기 견지의 일 구현이 나타난다. 바람직한 구현에서, 상기 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체(21)은 하나의 충전 컬럼, 유동베드(fluidized bed), 고정베드(static bed), 또는 이들의 몇몇의 조합을 포함한다. 다른 바람직한 구현에서, 상기 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체(21)은 다수의 충전 컬럼 또는 베드를 직렬 또는 병렬로 포함한다.
바람직한 구현에서, 상기 장치는 연속 정제 방법에 적합하게 설계된다. 예를 들어, NF3 조질 생성물의 공급원은 용기(11)로부터 시작되어 분자 체(21)에 들어가기 전에 압력 조절 밸브(12)를 통과할 수 있다. 상기 흡착제에 대한 조질 생성물의 노출 시간을 증가시키기 위해, 밸브(31)을 통과하는 흐름을 제한하여 배압(back pressure)이 만들어질 수 있다.
본 발명은 또한 정제된 NF3가 화학 반응에 첨가되는 공정의 일부, 바람직하게는 상업적 공정의 일부로서 수행될 수도 있다. 즉, 인-라인(in-line) 정제 공정이 고순도의 NF3를 화학 반응에 공급하는 단계의 일부로 제공될 수 있다.
하기의 실시예는 본 발명의 예시를 위한 것이며, 본 발명이 이러한 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명에 의한 NF3 정제용 장치의 일 구현을 개략적으로 도시한 것이다.
실시예 1:
60/80 메쉬(mesh) 크기의 CARBOSPHERE® 탄소 분자 체 10 그램이 100℃ 진공 오븐에서 사용 전에 건조된다. 이 재료는 300mL 스테인레스 스틸 실린더에 부하되고 대략 1995 ppmv의 CF4 불순물을 갖는 NF3을 함유하는 조질의 생성물과 함께 약 23 psia로 가압된다. 약 2.3 시간 후, 기체 크로마토그래피에 의해 상기 실린더 내의 기체가 분석되었고 1 ppmv 미만의 CF4를 함유하는 것으로 나타났다. 이러한 예는 CARBOSPHERE® 탄소 분자 체가 NF3보다 CF4의 흡착에 대해 더욱 산택적임을 실증한다. 이러한 실시예는 나아가 CARBOSPHERE® 탄소 분자 체가 NF3 기체 조성물 내 CF4 불순물을 효과적으로 감소시키는데 사용될 수 있음을 실증한다.
실시예 2:
9.8 그램의 CARBOSPHERE® 탄소 분자 체가 실린더에 부하되고 대략 2.3 부피%의 CF4와 함께 NF3를 함유하는 조질의 생성물이 약 25 psia의 압력에서 상기 실린더에 충전되는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 절차에 의한다. 약 2.1 시간 후, 기체 크로마토그래피에 의해 실린더 내의 상기 기체가 분석되고 0.12 부피 퍼센트의 CF4을 함유하는 것으로 나타났다.
실시예 3:
60/80 메쉬(mesh) 크기의 CARBOSPHERE® 탄소 분자 체 25 그램이 100℃ 진공 오븐에서 사용 전에 건조된다. 그 후 이 재료를 길이 12 인치 직경 3/4 인치의 구리관에 부하하였다. 그 후 195 ppmv의 CF4 을 함유하는 NF3 조질 생성물을 14.7 psia의 압력에서 흡착제 베드에 흘려준다. 11분 후 출구 스트림이 기체 크로마토그래피에 의해 분석되었고 1 ppmv 미만의 CF4를 함유하는 것으로 나타났다.
상기에서 설명된 본 발명의 몇몇 구현은 다양한 변경, 수정, 그리고 개선을 갖을 수 있음이 당해 기술분야의 숙련자에게 잘 알려져 있을 것이다. 본 명세서에 의해 명백한 이러한 변경, 수정, 그리고 개선은 명시되어 있지 않더라도 본 명세서의 일부로 의도되고, 본 발명의 기술 사상 및 견지 내에 있는 것으로 의도된다. 따라서, 상술한 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.

Claims (10)

  1. (a)NF3 및 제 1 농도로 존재하는 적어도 하나의 불순물을 포함하는 조질의 생성물을 제공하는 단계;
    (b)상기 조질의 생성물을 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체(sieve)를 포함하는 흡착제와 접촉시키는 단계; 및
    (c)상기 흡착제로부터 상기 NF3를 분리하여 상기 제 1농도보다 낮은 제 2 농도의 불순물을 갖는 정제된 NF3 생성물을 생성하는 단계
    를 포함하는 NF3 정제 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 흡착제는 약 500m2/g 내지 약 1500m2/g의 표면적(surface area) 대 중량비, 및 약 10Å 내지 약 15Å의 공극 크기를 갖는 비드를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 비드는 약 1000m2/g의 표면적(surface area) 대 중량비, 및 약 13Å의 공극 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 불순물은 CF4인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 CF4의 상기 제 1농도는 약 4ppmv 내지 약 5 부피 퍼센트인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 2농도는 1 ppmv 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 접촉 단계는 약 1 내지 약 100초의 기간을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. (a)NF3 및 제 1 농도로 존재하는 적어도 하나의 불순물을 포함하는 조질의 생성물 공급 스트림;
    (b)상기 공급 스트림과 접촉하는 폴리아크릴로니트릴-기초 탄소 분자 체를 포함하는 흡착제; 및
    (c)상기 제 1농도 보다 낮은 제 2 농도의 불순물을 갖는 정제된 NF3 생성물 스트림
    을 포함하는 NF3 의 연속 정제 장치.
  9. 제 12항에 있어서, 상기 조질의 생성물 공급 스트림은 약 4 ppmv 내지 약 5 부피 퍼센트의 CF4를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 12항에 있어서, 상기 제 2농도는 1 ppmv 미만인 것을 특징으로 하는 장치.
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