CN106604924B - 用于裂解单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷中的硅-硅键和/或硅-氯键的方法 - Google Patents
用于裂解单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷中的硅-硅键和/或硅-氯键的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106604924B CN106604924B CN201580041024.4A CN201580041024A CN106604924B CN 106604924 B CN106604924 B CN 106604924B CN 201580041024 A CN201580041024 A CN 201580041024A CN 106604924 B CN106604924 B CN 106604924B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pcs
- silicon
- hcl
- solution
- polysilanes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 40
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N hydrochloric acid Substances Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N chloroethane Chemical compound CCCl HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910007245 Si2Cl6 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 7
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 7
- LBAQSKZHMLAFHH-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;hydron;chloride Chemical compound Cl.CCOCC LBAQSKZHMLAFHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 abstract description 11
- 150000001367 organochlorosilanes Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 229960004132 diethyl ether Drugs 0.000 description 12
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000005133 29Si NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 4
- 125000001339 silanediyl group Chemical group [H][Si]([H])(*)* 0.000 description 4
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 3
- 229910004721 HSiCl3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- GJCAUTWJWBFMFU-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-trimethylsilylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)Cl GJCAUTWJWBFMFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007857 degradation product Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDFIBGBTIINTHZ-UHFFFAOYSA-N CCO[SiH2][SiH3] Chemical compound CCO[SiH2][SiH3] WDFIBGBTIINTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004151 SinCl2n+2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006136 alcoholysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical class C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFAZXBAPWCPIER-UHFFFAOYSA-N chloro-[chloro(dimethyl)silyl]-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)[Si](C)(C)Cl SFAZXBAPWCPIER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005661 deetherification reaction Methods 0.000 description 1
- JTBAMRDUGCDKMS-UHFFFAOYSA-N dichloro-[dichloro(methyl)silyl]-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)[Si](C)(Cl)Cl JTBAMRDUGCDKMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHQRQPAFALORSL-UHFFFAOYSA-N dimethylsilyl(trimethyl)silane Chemical compound C[SiH](C)[Si](C)(C)C FHQRQPAFALORSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000012667 polymer degradation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Substances [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
- C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/04—Esters of silicic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/125—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving both Si-C and Si-halogen linkages, the Si-C and Si-halogen linkages can be to the same or to different Si atoms, e.g. redistribution reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及用于裂解单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷中的硅‑硅键和/或硅‑氯键的方法。根据本发明，单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷溶解或悬浮于醚或醚‑盐酸溶液中。所述方法用于例如由卤化聚硅烷制备卤化低聚硅烷，以及用于由有机氯硅烷和氯化单硅烷制备硅氧烷。所述方法特别易于实施，因此是经济的。
Description
技术领域
本发明涉及裂解单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷中的硅-硅键和/或硅-氯键的方法。
背景技术
聚硅烷本身是具有通式SinH2n+2的链状结构的硅氢化合物。本文所述的方法还涵盖取代的聚硅烷，其中氢原子被合适的取代基特别是卤素取代。
低聚硅烷为特别是通过聚合物降解获得的聚硅烷的相应低聚物，但也作为单硅烷(Müller-Rochow/直接法)和低聚硅烷生产中最不期望的副产物出现。
已知以两种方式合成具有通式(X2Si)n或X3Si-(X2Si)n-SiX3(X＝卤素)的卤化聚硅烷。用于制备卤化聚硅烷的经热方法公开于EP 2296804 B1中。这种经热产生的卤化聚硅烷具有支链结构，其具有高含量的支化短链和环状化合物，其支化点具有大于1％的总混合物份额。
作为第二种方式，用于产生卤化聚硅烷的等离子体-化学方法是已知的，例如在DE10 2008 025 261 B4中所描述的。这种等离子体化学产生的卤化聚硅烷具有主要为线性的结构。两种变体具有不同的平均分子量。
从这种卤化聚硅烷可以得到卤化低聚硅烷，其作为非晶硅或晶体硅的起始材料是重要的。对于Si层和Si膜沉积物的生产，这种低聚硅烷是特别引人关注的。
有许多专利涉及本文所讨论的主题(并且具体涉及直接法的二硅烷残余物)。例如，在EP 0574912 B1中描述了由在直接法中获得的高沸点残余物制备甲基氯硅烷的方法。EP 1533315 A1公开了由直接合成法的残余物制备烷基氯硅烷的方法。WO 2011/107360 A1描述了胺催化的、可用HCl裂解的二硅烷制备。
各种其他专利涉及将相应的高沸点化合物转化为单体烷基氯硅烷。然而，所描述的所有方法都非常复杂并且与高设备难度相关。例如，在EP 635510A1中描述了在T>250℃下用HCl和含氯化铝的催化剂将高沸点化合物裂解成单硅烷。
EP 1179534 A1公开了处理有机氯硅烷的直接合成法的残余物的方法。从EP0250823 B1了解在催化剂存在下制备有机氧卤素硅烷的方法。DE 3924193 C2描述了产生烷氧基官能的甲基聚硅烷的方法。DE 3741946 A1公开了具有至少8个Si原子的聚硅烷的制备。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于裂解单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷中的硅-硅键和/或硅-氯键的方法，其特别简单并因此是有成本效益的。
该目的通过用于裂解单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷中的硅-硅键和/或硅-氯键的方法实现，在该方法中，单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷溶解或悬浮于醚或醚-盐酸溶液中。
本发明中使用的醚是通式为R1-O-R2的化合物，其中R1和R2各自包括任何烷基和/或芳基。视情况，也可以使用由惰性溶剂高度稀释的环醚。优选使用二乙醚。
此外，在本发明的方法中，优选使用盐酸的醚溶液，特别是二乙醚-盐酸溶液。同样，用醚和用醚-盐酸溶液(二乙醚-盐酸溶液)，能够容易地裂解聚硅烷或低聚硅烷中的硅-硅键和/或硅-氯键，其中特别是可在一个单一反应步骤中形成相应的终产物。单硅烷中的Si-Cl键的裂解不是用醚单独进行的，而是需要使用醚-盐酸溶液(二乙醚-盐酸溶液)。
本发明的方法的实例涉及一种方法，其中通过裂解硅-硅键由卤化聚硅烷、特别是氯化聚硅烷、尤其是全氯化聚硅烷(PCS)，制备卤代低聚硅烷、尤其是氯化低聚硅烷。因此，该实施方案涉及由卤化聚硅烷具体制备所定义的低聚硅烷。
本发明方法的优选实施方案的特征在于，卤化聚硅烷溶解或悬浮于乙醚(Et2O)或乙醚-盐酸溶液、特别是二乙醚或二乙醚-盐酸溶液中。
卤化低聚硅烷特别地用式SinX2n+2表示，尤其是用SinCl2n+2表示。
在本发明的方法的优选实施方案中，使经热产生的卤化聚合物、特别是全氯化聚硅烷(T-PCS)或经等离子体-化学产生的卤化聚硅烷、特别是全氯化聚硅烷(P-PCS)反应。
随后描述了用于制备所定义的低聚硅烷的方法的一些实施方案。
在第一个实施方案中，T-PCS与Et2O反应制备Si2Cl6。
在第二个实施方案中，T/P-PCS与Et2O中的HCl反应制备X-Si(SiCl3)3(X＝H、Cl)。
在另一个实施方案中，T/P-PCS(即，经热和/或经等离子体-化学产生的PCS)与Et2O中的HCl反应制备X2-Si(SiCl3)2(X＝H、Cl)。
分离从反应获得的溶液，特别是当它们出现时所得到的固体沉淀物。
例如通过冷凝、倾析或蒸馏从所获得的溶液中分离至少一种卤化低聚硅烷。
在本发明方法的优选实施方案中，氯化聚硅氧烷由经热产生的全氯化聚硅烷(T-PCS)制备。从合成上来讲，相比于经等离子体-化学产生的PCS(P-PCS)，经热产生的PCS更容易通过常规途径获得。T-PCS优选溶解在Et2O中。该物质完全溶解。首先，发生溶液浊化，然后再次澄清。在室温下反应约2小时后，得到以下产物：
Si2Cl6≥SiCl4>Si3Cl8>异Si4Cl10≈新Si5Cl12。
该产物通过与可信样品的29Si NMR光谱进行比较来表征。
在本发明方法的另一个实施方案中，P-PCS溶解或悬浮于Et2O中。这得到了黄棕色悬浮液和黄棕色沉淀物。在倾析深棕色溶液之后，通过29Si-NMR光谱法表征以下产物：
Si2Cl6≥SiCl4>Si3Cl8>异Si4Cl10≈新Si5Cl12。
在T-PCS或P-PCS与醚的反应中，除了特定的低聚硅烷之外，还形成少量的Si(SiCl3)4。
固体是明显不溶的高聚物PCS。在随后的氯化反应中，其也可被转化成全氯化低聚硅烷，特别是Si2Cl6。
与由T-PCS进行制备相比，在制备P-PCS时，沉淀物即具有较高分子量的聚合物的形成导致了较差的获取Si2Cl6的途径。
本发明使用的醚-盐酸溶液，特别是二乙醚-盐酸溶液(HCl-饱和醚溶液)，通过在室温下将HCl气体引入到醚中直到获得饱和溶液(约5M)来制备。
将经热产生的全氯化聚硅烷(T-PCS)加入到该HCl的Et2O溶液中，SiCl2单元/HCl的摩尔比约为1/1。作为在室温下反应10小时后所得到的产物：
Si2Cl6>HSiCl3>HSi(SiCl3)3>H2Si(SiCl3)2>H2SiCl2和其他高分子量的不溶性聚硅烷。
在相应的反应中，在4:1的摩尔比和室温下18小时的反应时间下，得到以下产物：
Si2Cl6>>HSi(SiCl3)3|HSiCl3|H2Si(SiCl3)2|Si3Cl8|H2SiCl2+“更高级的”未鉴别的H/C1低聚硅烷或聚硅烷。
现已发现，全氯化聚硅烷T/P-PCS到低分子氯硅烷的降解随着Et2O中HCl浓度的升高而增加。如果需要制备诸如HSi(SiCl3)3和H2Si(SiCl3)2的较高分子量的低聚硅烷，则优选使用较低量的HCl。在两种合成路线中，Si2Cl6是优选产物。
此外，P-PCS与Et2O和HCl以4/1的摩尔比反应(18小时，室温)。获得以下产物：
混合物：
HSi(SiCl3)3>ClSi(SiCl3)3>Si2Cl6>Si3Cl8>HSiCl3>H2Si(SiCl3)2>H2SiCl2。
除此之外，还获得了少量其他(尚未鉴别的)低聚硅烷。
本发明方法的另一个实施方案的特征在于使用HCl的Et2O溶液来裂解聚硅烷或低聚硅烷并随后形成硅氧烷。这里特别使用HCl的二乙醚溶液，用该溶液时，每个Si-Si键和Si-Cl键都被裂解并转化为硅氧烷单元(在单硅烷中也是如此)。特别是在这种情况下，环状硅氧烷、笼型硅氧烷和/或直链硅氧烷可以从有机卤素二硅烷获得，例如MenSi2Cl6-n(直接法的残余物，n＝1-6)。
此外，本发明的方法优选用于有机卤素二硅烷的混合物、特别是有机卤素二硅烷与氯化单硅烷的混合物的分解。
具体实施方式
下面将参照示例性实施方案来说明本发明。
如下表征各产物：
NMR分析在Bruker AV500光谱仪上进行。在配备连接质谱仪ITQ 900MS的气相色谱仪Thermo Scientific Trace GC Ultra上进行GC-MS分析。固定相(Machery-NagelPERMABOND硅烷)的长度为50m，内径为0.32mm。注入1μl样品溶液，由此使用氦气作为载气并以1.7mL/min的流速通过固定相进行1/25。固定相的温度为首先是50℃下10分钟，然后以20℃/min的速率升至250℃并在该最终温度下再保持10分钟。在离开柱之后，其用70eV电离，阳离子碎片分别在34-600和34-900的范围内，测量每个电荷的m/z质量。
HCl/Et2O溶液的制备
二乙醚(p.a.，用丁基羟基甲苯稳定)事先用钠/二苯甲酮干燥并蒸馏。然后，在具有气体入口管的Schlenk烧瓶中，将预先通过浓硫酸的HCl气体引入二乙醚中。发生溶液的轻微升温。当排出气体的量等于引入气体的量时(由气泡计数器指示)，可认为是饱和的。为了使其完成，将该状态再保持30分钟。
通过称重，确定76g HCl气体溶解在298g二乙醚(～5M)中。另外通过用水和NaOH滴定等分试样测定HCl/Et2O溶液的摩尔浓度。
示例性实施方案1
在冰冷却下(0℃)使T-PCS(尽可能真空除去SiCl4；64.64g)与HCl的二乙醚饱和溶液(5M，113mL)反应(a)。将略带棕色的溶液搅拌16小时，并逐渐升温至室温(24℃)，届时出现颜色变化(变为灰白色)。
将反应混合物的挥发性组分在真空下(0.1mbar)冷凝于-196℃(液氮)冷却的冷阱中(b)。然后将该冷凝物(c，145g)升温至室温，并在常压下蒸馏至80℃的沸点温度。馏出物(d，104g)的组成列于E列(包括化合物的量％和特征性29Si NMR位移值)。将来自该蒸馏的残余物(e，23g)再次在减压下(膜泵；30mbar)升温至最高130℃的沸腾温度以进行分馏，获得两个级分。蒸馏残余物(f，2g)含有C列中列出的化合物，馏出物(g，16g)，D列中的化合物。将来自(b)的冷凝残余物(h，10g)在减压下在旋转式叶轮泵下(0.1mbar)蒸馏直至蒸馏到130℃的沸点温度。蒸馏后剩余的残余物(i，7g)主要由不溶性氯化聚硅烷以及微量的A列中所提到的化合物组成。在来自(h)的馏出物中(j，3g)，鉴定了B列的化合物。
图1
示例性实施方案2
在冰冷却下(0℃)，使P-PCS(尽可能真空地除去SiCl4；4.9g)与HCl的二乙醚饱和溶液(5M，2.5mL)反应(a)。将红棕色溶液搅拌14小时，并逐渐升温至室温(24℃)，届时仅发生轻微变色。
将反应混合物的挥发性组分子在真空下(0.1mbar)冷凝于-196℃(液氮)冷却的冷阱(b)中。该冷凝物(c，4.2g)的组成显示在B列中(包括化合物的量％和特征性29Si NMR化学位移值)。冷凝物残余物(d，2.2g)由A列中所示的化合物组成。
图2
示例性实施方案3
在该方法中，在单个反应步骤中将“可裂解的”二硅烷MexSi2Cl6-x(x＝0-3)和“不可裂解的”二硅烷(x＝4-6)裂解成单体官能硅烷，随后在交换反应Si-X＝>Si-OEt(X＝H、Cl)后，可以优选地直接转化为甲基取代的环状硅氧烷和/或次优选地转化为乙氧基取代的环状硅氧烷。此处用于Si-Si和Si-Cl键裂解的试剂是用HCl气体饱和的二乙醚溶液(HCl/Et2O)。
购买用于研究的二硅烷，MexSi2Cl6-x(x＝0-6)和Me5Si2H，并且从文献中了解它们。通过GC-MS分析和NMR光谱法(1H-NMR，29Si-NMR)检查它们的纯度。鉴定的物质的特异性化学位移值与文献数据(特别是参见R.Lehnert,M.Hoeppner,H.Kelling,Z.anorg.allg.Chem.1990,591,209-213)一致。这同样适用于作为反应产物获自二硅烷MexSi2Cl6-x(x＝0-6)和Me5Si2H的反应的环状硅氧烷、直链硅氧烷和笼型硅氧烷。由于这些硅氧烷是技术上制造硅酮的基础结构单元，它们的物质特异性NMR化学位移值也特别地从文献中获知(特别是参见H.Marsmann,29Si-NMR Spectroscopic Results in NMR:Oxygen-17and silicone-29；Springer-Verlag:New York,1981,27,65-235)。由于对于所有反应物和产物，除了质谱破碎之外，气相色谱中的保留时间也是特征性的，在表1中列出了所用的二硅烷、通过Si-Cl＝>Si-OR(R＝Et，n-Bu)的替换获得的那些物质以及特征性保留时间(以分钟计)和相关的质量碎片。二硅烷1-8以在MüllerRochow方法二硅烷级分的残余物中的份额递减的顺序列出。表2包含单体硅烷降解产物以及烷氧基取代的单体硅烷降解产物的可比数据。环状硅氧烷D3-D10列于表3中，并且在表4中显示了直链硅氧烷L2-L13的值。表5包含笼型结构倍半硅氧烷(RSiO3/2)x(R＝Me、Vi、Et；x＝8、10、12)和“开环”前体的数据。
表1：二硅烷的GC-MS数据
表2：来自Si-Si键裂解的单硅烷的GC-MS数据
表3：环状甲基硅氧烷的GC-MS数据
表4：直链甲基硅氧烷的GC-MS数据
表5：倍半硅氧烷的GC-MS数据
此外，在下表6中列出了本发明的研究中使用的其他溶剂和试剂的分析数据。
表6：溶剂和HCl的GC-MS数据
尝试了在不同的浓度/条件下用HCl的Et2O溶液进行二硅烷裂解。
在Schlenk烧瓶中在室温、搅拌下进行实验。引入100-300mg二硅烷，并向其中加入3-5mL HCl的Et2O饱和溶液。在相应的时间段后，取出一部分(～0.1mL)反应溶液通过GC-MS进行分析。对于NMR光谱法，在NMR管中将0.4-0.5mL反应溶液与0.1mL C6D6混合。
在玻璃安瓿中在高温下进行实验。小瓶具有125mm的长度、26mm的外径和2mm的壁厚。达熔融位点的内部体积对应于～43mL。还在这种情况下，向100-300mg二硅烷中加入3-5ml HCl的Et2O饱和溶液。使用液氮冷冻反应混合物并在真空下密封。然后将装有反应溶液的小瓶带到室温，置于可拧紧的金属管中，最终在真空干燥炉中加热至合适的反应温度。玻璃安瓿中的反应压力估计为5-10bar。
在这种情况下，进行1,1,2,2-四氯二甲基二硅烷、1,2-二氯四甲基二硅烷、氯五甲基二硅烷、六甲基二硅烷、五甲基二硅烷和上述前四种物质的混合物的降解。此外，进行来自Müller-Rochow合成技术的二硅烷残余物的降解和单体三氯硅烷与HCl/Et2O的反应、单体二氯硅烷与HCl/Et2O的反应、单体单氯硅烷与HCl/Et2O的反应和单硅烷混合物与HCl/Et2O溶液的反应。获得以下结果：
每个Si-Si键和Si-Cl键都在一个步骤中用HCl的二乙醚溶液裂解，并转移到硅氧烷单元中。硅烷的甲基(除了六甲基二硅烷，其部分地与五甲基氯二硅烷反应)保持不变，获得对应于剩余官能度的硅氧烷：
MeSi>三官能硅氧烷；
Me2Si>双官能硅氧烷，链延伸；
Me3Si>单官能硅氧烷，封端剂(overcapping reagent)。
这些反应通过借助于HCl(其提供用于醇解Si-Cl基团的乙醇)的二乙醚裂解来进行。因此形成的乙氧基二硅烷更易于Si-Si键裂解并转移到单硅烷中。然后在所选择的反应条件下，直接发生乙氧基硅烷的冷凝，即随后形成硅氧烷单元。
示例性实施方案4
a)Me2SiCl2与HCl/Et2O在120℃下反应67小时，得到以下环状硅氧烷(GC-MS分析，图3)。
图3
b)Me2SiCl2和Me3SiCl的混合物与HCl/Et2O在120℃下反应68小时后得到所预期的环状硅氧烷和直链硅氧烷的混合物。这在图4中示例。
图4
在类似条件下(120℃，68小时)增加Me2SiCl2比例(摩尔比Me2SiCl2:Me3SiCl＝4:1)导致反应混合物中环状硅氧烷的比例显著增加(图5，第5页)。
图5
在类似的条件下(120℃，68小时)增加Me3SiCl比例(摩尔比Me2SiCl2:Me3SiCl＝1:4)导致反应混合物中直链硅氧烷的比例显著增加(图5，第6页)。
c)MeSiCl3与HCl/Et2O在120℃下反应65小时，得到倍半硅氧烷T1、T2和T3。
为了概括该反应顺序，示例性地使其他三氯硅烷XSiCl3(X＝乙烯基、乙基)与HCl/Et2O反应。除了微量的(ViSiO3/2)10(T6，RT＝37.59min)外，三氯乙烯基硅烷(ViSiCl3)与HCl/Et2O在120℃下反应69小时导致几乎选择性形成(ViSiO3/2)8(T5，RT＝27.06min)。三氯乙基硅烷(EtSiCl3)与HCl/Et2O在120℃下反应68小时后，也选择性地形成相应的倍半硅氧烷(EtSiO3/2)8(T7，RT＝27.75min)。
如所预期的那样，MeSiCl3、EtSiCl3和ViSiCl3的混合物反应形成倍半硅氧烷，在倍半硅氧烷的“拐角”处甲基、乙基和乙烯基随机分布(图6，表7)。
图6
表7：“混合”倍半硅氧烷的GC-MS数据
Claims (16)
1.用于裂解经热产生的全氯化聚硅烷(T-PCS)或经等离子体-化学产生的全氯化聚硅烷(P-PCS)中的硅-硅键和/或硅-氯键的方法，其特征在于，将所述T-PCS或P-PCS溶解或悬浮于醚-盐酸溶液中，从而形成包括Si2Cl6的产物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过Si-Si键的裂解由全氯化聚硅烷(PCS)制备氯化低聚硅烷。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述全氯化聚硅烷溶解或悬浮于乙醚(Et2O)-盐酸(HCl)溶液中。
4.根据权利要求中1-3中任一项所述的方法，其特征在于，使经热产生的全氯化聚硅烷(T-PCS)反应。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，使经等离子体-化学产生的全氯化聚硅烷(P-PCS)反应。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，为了制备Si2Cl6，将T-PCS或P-PCS与Et2O-HCl反应。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，为了制备XSi(SiCl3)3其中X＝H、Cl，将T-PCS或P-PCS与Et2O-HCl反应。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，为了制备X2Si(SiCl3)2其中X＝H、Cl，将T-PCS或P-PCS与Et2O-HCl反应。
9.根据权利要求1-3和6-8中任一项所述的方法，其特征在于，分离从反应获得的溶液。
10.根据权利要求1-3和6-8中任一项所述的方法，其特征在于，从获得的溶液中分离至少一种氯化低聚硅烷。
11.根据权利要求1-3和6-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法用于裂解聚硅烷以及用于形成硅氧烷。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，每个Si-Si键和/或每个Si-Cl键用二乙醚-HCl溶液经热裂解并转移到硅氧烷单元中。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，由有机卤素单硅烷和有机卤素二硅烷生成环状硅氧烷、笼型硅氧烷和/或直链硅氧烷。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法用于降解有机卤素二硅烷的混合物。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法用于降解有机卤素二硅烷与氯化单硅烷的混合物。
16.根据权利要求12-15中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法通过使用Et2O-HCl溶液用于裂解单硅烷中的Si-Cl键，并因此用于形成硅氧烷。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014010674 | 2014-07-22 | ||
| DE102014010674.8 | 2014-07-22 | ||
| PCT/DE2015/000359 WO2016011993A1 (de) | 2014-07-22 | 2015-07-20 | Verfahren zur spaltung von silicium-silicium-bindungen und/oder von silicium-chlor-bindungen in mono-, poly- und/oder oligosilanen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106604924A CN106604924A (zh) | 2017-04-26 |
| CN106604924B true CN106604924B (zh) | 2020-04-03 |
Family
ID=54365912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580041024.4A Active CN106604924B (zh) | 2014-07-22 | 2015-07-20 | 用于裂解单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷中的硅-硅键和/或硅-氯键的方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11104582B2 (zh) |
| EP (1) | EP3172261B2 (zh) |
| JP (1) | JP6655599B2 (zh) |
| KR (1) | KR20170035981A (zh) |
| CN (1) | CN106604924B (zh) |
| DE (1) | DE102015009129B4 (zh) |
| RU (1) | RU2673664C2 (zh) |
| WO (1) | WO2016011993A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170334730A1 (en) * | 2014-12-15 | 2017-11-23 | Nagarjuna Fertilizers And Chemicals Limited | Method for producing chlorinated oligosilanes |
| EP3543211B1 (en) * | 2016-11-16 | 2022-04-20 | IHI Corporation | Method for hydrolyzing chlorosilane polymers |
| US11008349B2 (en) * | 2017-09-20 | 2021-05-18 | Momentive Performance Materials Inc. | Process for the production of organohydridochlorosilanes |
| CN109686802A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-04-26 | 惠州凯珑光电有限公司 | 一种电子元器件和模组的封装工艺 |
| US20220169520A1 (en) * | 2019-03-29 | 2022-06-02 | Momentive Performance Materials Inc. | Low temperature process for the safe conversion of the siemens process side-product mixture to chloromonosilanes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102186774A (zh) * | 2008-10-17 | 2011-09-14 | 瓦克化学股份公司 | 用于制备新戊硅烷的方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3012006A (en) | 1958-04-24 | 1961-12-05 | Dow Corning | Fluorinated alkyl silanes and their use |
| US3878234A (en) * | 1973-07-30 | 1975-04-15 | Dow Corning | Preparation of hydrocarbon silanes from polysilanes |
| US4855473A (en) | 1986-05-27 | 1989-08-08 | Bayer Aktiengesellschaft | Process for the preparation of organooxychlorosilanes |
| GB8629593D0 (en) | 1986-12-11 | 1987-01-21 | Dow Corning Ltd | Polysilanes |
| US5025075A (en) | 1988-07-22 | 1991-06-18 | Dow Corning Corporation | Methylpolysilanes and method for their preparation |
| DE4220151A1 (de) | 1992-06-19 | 1993-12-23 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Gewinnung von Methylchlorsilanen aus hochsiedenden Rückständen der Methylchlorsilansynthese |
| US5292912A (en) * | 1993-07-19 | 1994-03-08 | Dow Corning Corporation | Catalytic conversion of direct process high-boiling component to chlorosilane monomers in the presence of hydrogen chloride |
| JP3644703B2 (ja) * | 1993-08-18 | 2005-05-11 | 信越化学工業株式会社 | 環状ジメチルポリシロキサンの製造方法 |
| EP0640642B1 (en) * | 1993-08-18 | 1998-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing dimethylpolysiloxanes |
| JP3362630B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2003-01-07 | 信越化学工業株式会社 | 直接法メチルクロルシラン合成より副生する高沸点成分からのモノシラン類の製造方法 |
| US6337415B1 (en) * | 1999-11-04 | 2002-01-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process for preparing tetrakis (trimethylsily) silane and tris (trimethysilyl) silane |
| DE10039172C1 (de) | 2000-08-10 | 2001-09-13 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zum Aufarbeiten von Rückständen der Direktsynthese von Organochlorsilanen |
| DE10354262A1 (de) | 2003-11-20 | 2005-06-23 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Alkylchlorsilanen aus den Rückständen der Direktsynthese von Alkylchlorsilanen |
| DE102006034061A1 (de) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha | Polysilanverarbeitung und Verwendung |
| DE102008025260B4 (de) | 2008-05-27 | 2010-03-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogeniertes Polysilan und thermisches Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102008025261B4 (de) | 2008-05-27 | 2010-03-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogeniertes Polysilan und plasmachemisches Verfahren zu dessen Herstellung |
| CN102232080A (zh) * | 2008-12-03 | 2011-11-02 | 陶氏康宁公司 | 三氯硅烷及四氯硅烷的生产工艺 |
| DE102009027194A1 (de) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Dodecahalogenneopentasilanen |
| DE102009056731A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
| DE102010002577A1 (de) | 2010-03-04 | 2011-09-08 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Umwandlung von Disilanen |
| US8575381B2 (en) | 2010-09-17 | 2013-11-05 | Gelest Technologies, Inc. | Trihydridosilyl-terminated polysilanes and methods of preparation |
| DE102010062984A1 (de) | 2010-12-14 | 2012-06-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Halogen- und Hydridosilane |
| DE102010063823A1 (de) | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
| DE102013207441A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan durch Spaltung von höheren Polychlorsilanen wie Octachlortrisilan |
-
2015
- 2015-07-20 JP JP2017503841A patent/JP6655599B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-20 CN CN201580041024.4A patent/CN106604924B/zh active Active
- 2015-07-20 KR KR1020177004483A patent/KR20170035981A/ko active IP Right Grant
- 2015-07-20 DE DE102015009129.8A patent/DE102015009129B4/de not_active Withdrawn - After Issue
- 2015-07-20 WO PCT/DE2015/000359 patent/WO2016011993A1/de active Application Filing
- 2015-07-20 US US15/327,145 patent/US11104582B2/en active Active
- 2015-07-20 RU RU2017105446A patent/RU2673664C2/ru active
- 2015-07-20 EP EP15788316.6A patent/EP3172261B2/de active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102186774A (zh) * | 2008-10-17 | 2011-09-14 | 瓦克化学股份公司 | 用于制备新戊硅烷的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106604924A (zh) | 2017-04-26 |
| KR20170035981A (ko) | 2017-03-31 |
| JP2017527514A (ja) | 2017-09-21 |
| JP6655599B2 (ja) | 2020-02-26 |
| US11104582B2 (en) | 2021-08-31 |
| RU2017105446A3 (zh) | 2018-09-28 |
| RU2673664C2 (ru) | 2018-11-29 |
| EP3172261A1 (de) | 2017-05-31 |
| EP3172261B2 (de) | 2022-05-04 |
| US20170166452A1 (en) | 2017-06-15 |
| WO2016011993A1 (de) | 2016-01-28 |
| DE102015009129A1 (de) | 2016-01-28 |
| RU2017105446A (ru) | 2018-08-22 |
| EP3172261B1 (de) | 2018-10-24 |
| DE102015009129B4 (de) | 2016-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106604924B (zh) | 用于裂解单硅烷、聚硅烷和/或低聚硅烷中的硅-硅键和/或硅-氯键的方法 | |
| CN102099104B (zh) | 卤代聚硅烷和制备卤代聚硅烷的热方法 | |
| JPS6133857B2 (zh) | ||
| JPH0789708A (ja) | 水素ガスの存在下での直接法高沸点成分のシランモノマーへの転化 | |
| US11008349B2 (en) | Process for the production of organohydridochlorosilanes | |
| Kawahara et al. | A spherosilicate oligomer with eight stable silanol groups as a building block of hybrid materials | |
| US5877337A (en) | Process for preparing alkylchlorosilanes from the residues of direct synthesis of alkylchlorosilanes | |
| US11352377B2 (en) | Process for the production of organohydridochlorosilanes | |
| Herzog et al. | Preparation and NMR spectroscopical investigations of (diethylamino)(methoxy)-methylchlorodi–and–trisilanes | |
| Sturm et al. | Müller–Rochow Reloaded: Single-Step Synthesis of Bifunctional Monosilanes | |
| WO2019060475A2 (en) | SYNTHESIS OF ORGANO-CHLOROSILANES FROM ORGANOSILANES | |
| US20120296106A1 (en) | Process for preparing organosilanes | |
| Fuchise et al. | Straightforward synthesis of polycarbosilanes from chlorosilanes and chloromethanes by polycondensation using magnesium and titanium (IV) chloride | |
| Uhlig | Tailor-made synthesis of functional substituted oligo-and polysilanes from silyl triflates and (aminosilyl) lithium compounds | |
| WO2019060481A1 (en) | CLEAVING DISILANE, CARBODISILANE AND OLIGOSILANE WITH CLEAVING COMPOUND AS CATALYST AND HYDROGENATION SOURCE | |
| US20220169520A1 (en) | Low temperature process for the safe conversion of the siemens process side-product mixture to chloromonosilanes | |
| Wang et al. | An efficient method to synthesize chlorosilanes from hydrosilanes | |
| WO2019060486A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING ORGANOHYDRIDOCHLOROSILANES FROM HYDRUROSILANES | |
| WO2019060479A1 (en) | CLEAVAGE OF METHYLDISILANES IN METHYLMONOSILANES | |
| Whitmarsh et al. | Synthesis and characterization of mono-, bis-, tris-and tetrakis (trimethylsilylmethyl) silanes:(Me3SiCH2) xSiH4− x (x= 1− 4) | |
| JPH0733881A (ja) | ポリオルガノシランの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |