KR101832529B1 - 내습성 인광체 및 관련 방법 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 37
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 27
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- -1 alkaline earth metal ortho silicate Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N phosphorus trifluoride Chemical compound FP(F)F WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010012373 Depressed level of consciousness Diseases 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001085205 Prenanthella exigua Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- DGXKDBWJDQHNCI-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium nickel(2+) Chemical compound [Ni++].[O-][Ti]([O-])=O DGXKDBWJDQHNCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910001437 manganese ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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Abstract
인광체 물질은 망간(Mn4 +) 도핑된 플루오라이드 인광체의 캡슐화된 입자를 함유한다. 이러한 입자의 캡슐화 방법도 제공된다. 각각의 입자들은 망간-비함유 플루오라이드 인광체의 층으로 캡슐화되어 있다. 조명 장치에 이러한 인광체 물질을 사용하면, 장치 수명 동안 개선된 안정성 및 허용가능한 루멘(lumen) 유지능이 수득된다.
Description
본 발명은, 일반적으로 인광체 물질, 특히 적색발광 인광체에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 내습성 인광체, 및 이러한 인광체를 사용하는 조명 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 다른 광원, 예를 들어 백열 램프의 대안으로서 종종 사용되는 반도체 발광장치이다. 이는 특히 디스플레이 광, 경고등 및 지시등 등, 또는 착색된 광이 바람직한 다른 적용례에서 특히 유용하다. LED에 의해 생성된 광의 색은 제조시에 사용된 반도체 물질의 타입에 좌우된다.
발광 다이오드 및 레이저(둘다 본원에서는 LED로 일반적으로 지칭함)를 포함하는 착색된 반도체 발광 장치는, III족 내지 V족 합금, 예를 들어 갈륨 니트라이드(GaN)로부터 제조되었다. GaN계 LED와 관련하여, 광은 일반적으로 전자기 스펙트럼의 UV 내지 녹색 범위에서 일반적으로 발광한다. 최근까지, LED에 의해 생성되는 광의 고유의 색상으로 인하여, 밝은 백색광이 요구되는 조명 용도의 경우에는 적합하지 않았다.
최근에, LED로부터 방출된 광을 조명 목적을 위해 유용한 광으로 전환시키기 위한 기법들이 개발되어 왔다. 하나의 기법에서, LED는 인광체 층으로 코팅되거나 덮힌다. 인광체는, 전자기 스펙트럼의 일정 부분의 복사선 에너지를 흡수하고 전자기 스펙트럼의 다른 부분의 에너지를 방출하는 발광성 물질이다. 하나의 중요한 부류의 인광체는, 소량의 다른 원소들("활성제(activator)"로 지칭됨)이 첨가되어 효과적인 형광성 물질로 전환된, 높은 화학적 순도 및 제어된 조성의 결정성 무기 화합물이다. 활성제와 무기 화합물의 적절합 조합을 사용하여, 방출 색상이 제어될 수 있다. 가장 유용하고 잘 공지된 인광체는 가시광선 영역 밖의 전자기 복사선에 의한 여기에 대한 반응으로 전자기 스펙트럼의 가시광선 부분의 복사선을 방출한다.
LED에 의해 발생되는 복사선에 의해 여기되는 인광체를 삽입함으로써, 상이한 파장, 예를 들어 스펙트럼의 가시광선 영역의 광이 발생될 수 있다. 착색된 LED는 종종 장난감, 지시등 및 다른 장치에 사용된다. 계속적인 성능 개선은, 신호등, 유도등, 상점 간판 등에서의 강렬한 색상의 LED에 대한 신규한 용도를 가능하게 해 왔다.
착색된 LED 이외에, LED 발생 광과 인광체 발생 광의 조합이 백색광을 제조하는데 사용될 수 있다. 가장 대중적인 백색 LED는 청색 발광 GalnN 칩으로 구성된다. 청색 발광 칩들에서 청색 복사선의 일부는 보색, 예를 들어 황색을 띤 발광으로 전환시키는 인광체로 코팅된다. 청색 복사선과 황색을 띤 복사선은 함께 백색광을 만든다. 또한, UV 복사선을 가시광선으로 전환시키도록 고안된 백색 발광 LED도 있다. 이러한 LED는 근-UV 발광 칩 및 적색, 녹색 및 청색 발광 인광체를 포함하는 인광체 블렌드를 사용하여 백색광을 생성한다.
많은 백색광 적용례에서, 선 방출 스펙트럼을 갖는 인광체(예를 들어, Y2O3: Eu3+)가 적색 성분으로서 선호되는데, 그 이유는 이것이 관심있는 보정색 온도(correlated color temperature; CCT)(예를 들어, 3000 내지 6500K)에서 허용가능한 연색 지수(CRI) 값(예를 들어, 80 내지 86)에서 복사선의 발광 효율(LER)을 최대화하기 때문이다. Eu3 + 도핑된 이러한 적색 형광성 램프 인광체는 UV LED 램프에 성공적으로 사용될 수 없는데, 그 이유는 이것이 궁극적으로 근-UV 광(370 내지 420nm)에 대해 어떠한 흡수도 없이 인광체에 의한 산란으로 인해 허용불가능한 광 손실을 유발하기 때문이다. 현재, 망간(Mn4 +) 도핑된 착체 플루오라이드에 기초한 인광체의 부류가, 300nm 내지 520nm의 파장에서 그의 주요 발광 피크를 갖기 때문에, LED 램프에 사용될 수 있다. 이러한 플루오라이드 인광체는 일반적으로 높은 양자 효율을 갖고, 그의 좁은 적색 선 방출은 따뜻한 백색광에서의 잠재된 사용을 유도한다. 따뜻한 백색 LED(CCT<4500K)는 높은 CRI(>80)를 갖고 높은 루멘 당량(lument equivalent)을 갖는다.
그러나, 이러한 플루오라이드 인광체는 습기에 민감하여, 고온(약 60℃ 초과) 및 높은 습기 조건하에서 열화된다. 인광체는 아마도 MnF6 -2 이온의 수화된 이산화망간으로의 가수분해로 인하여 갈색으로 변하고, 이는 이러한 인광체의 휘도의 상당한 열화를 유발한다.
따라서, LED의 발광을 연장하기 위해서, 습도-유발 열화에 대해 내성을 갖는 플루오라이드 인광체를 제조하는 것이 바람직할 것이다. 게다가, 신규한 플루오라이드 인광체는 간단 포장법, 예를 들어 보다 소량의 기밀 밀봉을 요구할 수 있는 포장법의 장점을 제공할 수 있다. 이러한 습기-보호된 인광체를 도입한 개선된 LED를 개발하는 것이 매우 유리할 수 있다.
본 발명의 한가지 실시양태는, 각각의 입자들이 망간-비함유 플루오라이드 인광체의 층으로 캡슐화된, 망간(Mn4 +) 도핑된 플루오라이드 인광체의 개별적인 입자를 함유하는 인광체 물질이다.
본 발명의 또다른 실시양태는, 조명 장치이다. 상기 조명 장치는 광원 및 상기 광원에 복사선적으로 결합된 인광체 물질을 포함한다. 상기 인광체 물질은 망간(Mn4+) 도핑된 플루오라이드 인광체의 개별적인 입자로서, 상기 각각의 입자가 망간-비함유 플루오라이드 인광체의 층으로 캡슐화되어 있는, 입자를 함유한다. 상기 조명 장치는 상기 광원을 둘러싸는 봉합제 물질 및 하우징 내부의 인광체 물질을 추가로 포함하고, 상기 인광체 물질은 상기 광원의 표면 또는 상기 하우징의 표면 위에 침착되어 있을 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에 따르면, 망간-도핑된 플루오라이드 인광체 입자의 캡슐화 방법이 제공된다. 망간-비함유 플루오라이드 인광체의 포화 용액을 제조하고, 망간-도핑된 플루오라이드 인광체 분말과 혼합하여 현탁액을 형성한다. 페이스트가 형성될 때까지 상기 현탁액을 증발시키고, 그다음 건조시켜 모든 캡슐화된 입자들을 포함하는 분말을 제조한다.
본 발명의 상기 또는 다른 특징부, 양태 및 이점은, 하기 상세한 설명을 첨부된 도면과 함께 읽음으로써 보다 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 또다른 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또다른 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 하나의 실시양태에 따른 조명 장치의 컷어웨이(cutaway) 측면도이다.
도 5는 표면 장착된 장치(surface-mounted device; SMD) 백라이트 LED의 개략도이다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 또다른 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또다른 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 하나의 실시양태에 따른 조명 장치의 컷어웨이(cutaway) 측면도이다.
도 5는 표면 장착된 장치(surface-mounted device; SMD) 백라이트 LED의 개략도이다.
본 명세서 및 특허청구범위 전반에 걸쳐서 본원에 사용된 근사치 용어들은, 이와 관련된 기본적인 기능에서의 어떠한 변화도 유발하지 않으면서 허용가능하게 변할 수 있는 임의의 정량적인 대표값을 수식하기 위해서 적용될 수 있다. 따라서, 예를 들어 "약"이라는 용어 또는 용어들로 수식된 값은 명시된 정확한 값으로 제한되지 않는다. 일부 예에서, 근사치 용어는 상기 값들을 측정하기 위한 기기의 정확도에 상응할 수 있다.
하기 명세서 및 특허청구범위에서, 단수형은, 문맥상 다르게 뚜렷하게 명시하지 않는 한, 복수형 지시 대상을 포함한다.
본원에 사용되는 경우, "할 수도 있다" 및 "일 수도 있다"라는 용어는, 일정 세트의 환경 내에서의 발생 가능성; 구체화된 특성, 특징 또는 기능의 보유 가능성; 및/또는 수식된 동사와 관련된 하나 이상의 능력, 용량 또는 가능성의 표현에 의한 다른 동사의 수식을 나타낸다. 따라서, "할 수도 있다" 및 "일 수도 있다"의 사용은, 일부 상황을 고려하면, 수식된 용어가 다소 적절하지 않을 수 있거나 할 수 있지 않거나 적합하지 않을 수도 있지만, "할 수도 있다" 및 "일 수도 있다"의 사용은, 수식된 용어가 지시된 용량, 기능 또는 사용에 적합하거나 명백하게 적절함을 나타낸다. 예를 들어, 일부 환경에서, 사건 또는 용량이 예상될 수 있는 반면, 다른 환경에서는 이러한 사건 또는 용량이 발생하지 않을 수 있고 - 이러한 차이는 "할 수도 있다" 및 "일 수도 있다"라는 용어에 의해 포착된다.
하기에서 상세하게 논의하는 바와 같이, 본 발명의 일부 실시양태는, 습기에 내성을 갖는 인광체 물질, 및 이러한 조성물을 제조하는 방법을 제공한다. 이러한 실시양태는, 유리하게는 습기-민감성 인광체, 예를 들어 망간 도핑된 플루오라이드 인광체의 개별적인 입자에 코팅을 제공하여 대기 조건으로부터 이들을 보호한다. LED 또는 다른 광원에서의 이러한 인광체 및 블렌드의 사용도 고려된다. 본 논의내용은 망간 도핑된 플루오라이드의 문맥에서 예를 제공하지만, 이러한 방법은 다른 인광체 함유 습기 민감성 구성요소에 적용될 수 있다.
본원에 사용되는 경우, "인광체", "인광체 조성물" 또는 "인광체 물질"은, 단독 인광체 조성물, 뿐만 아니라 2종 이상의 인광체 조성물의 블렌드를 지시하기 위해서 사용될 수 있다. 하나의 실시양태에서, 인광체는 적어도 플루오라이드 인광체(적색 인광체)를 함유한다. 일부 실시양태에서, 상기 인광체는, 청색, 적색 및 녹색 인광체를 함유한다. 상기 청색, 적색, 및 녹색 인광체는, 그의 발광 색상에 따라 지칭되거나 공지되어 있다.
본 발명의 하나의 실시양태에 따르면, 습기 보호를 갖는 인광체 물질이 제공된다. 망간-도핑된 플루오라이드 인광체의 개별적인 입자들은 습기-유발 열화에 대한 그의 내성을 개선시키기 위해서 망간-비함유 플루오라이드 인광체 물질의 층으로 캡슐화된다. 다시 말하면, 상기 인광체 물질은 핵-외피 구조를 가질 수 있다. 망간-도핑된 플루오라이드 인광체의 실질적으로 모든 핵 입자(또는 "핵 인광체"로도 지칭됨)는 망간-비함유 플루오라이드의 얇은 보호성 층(또한 "외피 인광체"로도 지칭됨)으로 코팅된다. 유리하게도, 얇은 보호성 층은 고온 다습 조건에서 핵 입자들에 비해 상당히 덜 열화되어, 대기 습기의 영향으로부터 핵 입자들을 보호한다. 바람직한 실시양태에서, 각각의 입자는 보호성 외피 층으로 덮힌다. 그러나, 적은 개수의 입자들이 가공 조건하에서 완전이 덮히지 않더라도, 인광체의 전체 특징은 대부분의 적용례의 경우 불리하게 영향받지는 않을 것이다.
플루오라이드 인광체는 전형적으로 착체 플루오라이드 인광체이고, (1) A2[MF6](여기서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M은 Ge, Si, Sn, Ti, Zr, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택된다); (2) A2[MF5](여기서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M은 Al, Ga, In, Sc 및 이들의 조합 중에서 선택된다); (3) E[MF6](여기서, E는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M은 Ge, Si, Sn, Ti, Zr, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택된다); (4) A3[MF6](여기서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M은 Al, Ga, In, Sc, Y, La, 란탄족, Bi 및 이들의 조합 중에서 선택된다); (5) A2[MF7](여기서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M은 Nb, Ta 및 이들의 조합 중에서 선택된다); (6) Zn2[MF7](여기서, M은 Al, Ga, In 및 이들의 조합 중에서 선택된다); (7) Ba0.65Zr0.35F2.70; (8) A[In2F7](여기서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택된다); 또는 (9) A3[MF7](여기서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고, M은 Zr, Si, Ge, Sn, Ti, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택된다) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
본원에 사용되는 "착체 플루오라이드 인광체"란, 인광체가 필요에 따라, 리간드로서 작용하는 플루오라이드 이온에 의해 둘러싸여있고 짝이온(예를 들어, 전술한 예에서는 "A" 또는 "E")에 의해 전하-보상되는 하나 이상의 배위 중심(예를 들어, 전술한 예에서는 "M")을 함유하는 배위 화합물임을 의미한다. 착체 플루오라이드는 때때로 단순한 2원 플루오라이드의 조합으로서 적히지만(예를 들어, E[MF6] 대신 EF2.MF4), 이러한 묘사는 배위 중심 주변의 리간드에 대한 배위수가 나타나지 않는다(상기 예에서는 6). 꺽쇠괄호([])(때때로 간단히 하기 위해서 생략됨)은, 이들이 포함하는 착체 이온이 단순한 플루오라이드 이온과는 상이한 종임을 나타낸다. 이러한 착체 플루오라이드는 추가로 활성제 이온, 예를 들어 망간 이온(Mn4+)을 포함할 수 있고, 또한 망간 도핑된 플루오라이드 인광체로서 지칭될 수도 있다. 활성제 이온(Mn4+)은 또한 배위 중심으로서 작용하여, 호스트 인광체 격자의 중심, 예를 들어 M의 일부를 대체한다. 호스트 인광체 격자(짝이온을 포함함)는 활성제 이온의 여기 및 발광 특성들을 추가로 변형시킬 수 있다.
동일하거나 상이한 호스트 인광체를 사용하여, 핵-외피 구조(앞에서 논의함)에서의 핵 인광체 입자 및 외피 인광체를 준비하는데 사용될 수 있다. 상기 핵 인광체 입자들은 망간(Mn4 +)으로 활성화된 전술한 플루오라이드 인광체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 망간-비함유 플루오라이드 인광체를 사용하여 망간-도핑된 핵 인광체의 개별적인 입자들을 캡슐화할 수 있다. 일부 실시양태에서, 상기 외피 인광체는 핵 입자에서의 호스트 인광체로서 사용되는 것과 동일한 물질일 수 있다. 일부 다른 실시양태에서, 외피 인광체는 코어 입자에 대해 사용되는 호스트 인광체와 상이하다.
상이한 출발 물질, 적절한 산화 상태의 망간 활성제를 제공하는 방법 등에 따라, 망간-도핑된 플루오라이드 인광체 또는 망간-비함유 플루오라이드 인광체를 제조하기 위해서 다양한 방법들이 사용될 수 있다. 바람직한 방법들 중 일부는, 본원에서 참고문헌으로 인용되는 미국특허 제 7,497,973 호에 기술되어 있다.
하나의 실시양태는 망간-비함유 플루오라이드 인광체로 망간-도핑된 플루오라이드 인광체 입자를 캡슐화하는 방법을 제공한다. 망간-비함유 플루오라이드 인광체의 포화 용액은 우선 산에서 제조될 수 있다. 포화된 용액을 제조하기 위해서 사용된 산의 예는 HF, NH4HF2, NH4F 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 그다음, 계속 교반하면서 상기 용액을, 용기 내 망간-도핑된 플루오라이드 인광체 분말에 부어서, 포화된 용액을 망간-도핑된 플루오라이드 인광체의 분말과 혼합하여 현탁액을 형성한다. 그다음, 상기 현탁액을 증발시키고 잔류물을 여과지 위에서 건조시킴으로써 걸쭉한 페이스트가 회수될 수 있다. 걸쭉한 페이스트는 드라이박스 분위기에서 건조되어 캡슐화된 입자들을 갖는 분말을 회수 또는 제조할 수 있다. 상기 페이스트의 건조는 약 10℃ 내지 약 300 ℃에서, 보다 구체적으로 약 50 ℃ 내지 약 200 ℃에서 수행될 수 있다.
본 발명의 실시양태에 의해 제공되는 내습성 플루오라이드 인광체는, 생성물의 다양한 흡광 필드(absorption field)에 상응하는 전자기 여기에 대해 강렬한 적색 루미네센스 특성을 갖는다. 이러한 플루오라이드 인광체들은 조명 또는 디스플레이 시스템에 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 발명의 하나의 실시양태는 광원에 복사선적으로 결합된 인광체 물질을 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 본원에 사용되는 경우, "복사선적으로 결합된"이라는 용어는, 하나로부터 방출된 복사선의 적어도 일부가 다른 것을 투과하도록 구성요소가 서로 회합되어 있음을 의미한다. 전술한 실시양태에서 논의한 바와 같이, 인광체 물질은 망간-비함유 플루오라이드 인광체의 층으로 캡슐화된, 망간-도핑된 플루오라이드 인광체 입자를 함유한다.
조명 장치 또는 장치들의 비-제한적인 예로는, UV 여기 장치, 예를 들어 크로마틱 램프(chromatic lamp), 백라이팅 액정 시스템을 위한 램프, 플라즈마 스크린, 제논 여기 램프, 발광 다이오드(LED)에 의한 여기를 위한 장치, 형광성 램프, 캐쏘드 레이 튜브, 플라즈마 디스플레이 장치, 액정 디스플레이(LCD), 및 UV 여기 마킹 시스템을 포함한다. 플루오라이드 인광체는 또한 전자기 열량계, 감마선 카메라, 컴퓨터화 단층촬영 스캐너, 또는 레이저로서 사용될 수도 있다. 이러한 용도는 단순히 예시적인 것인 것을 의미하는 것이지 배타적인 것은 아니다.
하나의 실시양태에서, 조명 장치는 LED 램프이다. 백색광을 형성하는 LED 램프는, LED에 광원으로서 바람직한 품질을 부여하는데 유용할 수 있다. 따라서, 하나의 실시양태에서, 인광체 물질 블렌드(인광체 블렌드)-코팅된 LED 칩은 백색광을 형성하기 위해서 제공된다. 이러한 실시양태에서 언급한 인광체 블렌드는 특성들의 최적의 조합을 갖는 백색광을 가능하게 한다. 이들은, 약 250 내지 550 nm의 복사선에 의해 여기될 때(근-UV 내지 녹색의 LED에 의해 발광되는 것과 같음), 관심있는 임의의 보정색 온도(CCT)에서 복사선의 발광 효율(LER, 루멘/W로서 표시됨) 및 비교적 높은 연색 지수(CRI) 값을 포함한다.
연색 지수(CRI)(종종 색 연출(rendition) 지수)는, 이상 또는 천연 광원에 비해, 다양한 대상의 색상들을 충실히 재현하는 광원의 능력의 정량적인 척도이다. 높은 CRI를 갖는 광원은 바람직하게는 색상-임계(color-critical) 적용례, 예를 들어 사진촬영, 및 영화예술에서 바람직하다. "CRI"라는 용어는, 표준 광원 하에서 그의 색상 출현을 의식적 또는 세미-의식적 비교함에 의한 대상 색의 현시에 대한 광원의 영향으로서 국제조명협회에 의해 정의된 것이다. CRI 자체는 기준 광원의 색온도를 나타내지 않는다. 따라서, 보정된 색온도(CCT)를 인용하는 것이 관례적이다.
전술한 바와 같이, 망간-도핑된 플루오라이드 인광체들은 전형적으로 습기에 매우 민감하고 고온 다습 조건하에서 열화된다. 본 발명은 유리하게는 이러한 환경에서 망간-도핑된 플루오라이드 인광체를 사용하는 잠재적인 능력을 제공한다. 게다가, 이러한 인광체들은 캡슐화로 인하여 LED 포장재 내부의 임의의 성분과도 원하지 않게 반응할 가능성이 훨씬 낮다. 망간-도핑된 플루오라이드 인광체의 이러한 캡슐화된 입자들은 또한 LED 조명에서 높은 루멘 당량 및 높은 CRI 값의 조합을 제공할 수도 있다. 게다가, 특성상 내습성이기 때문에, 플루오라이드 인광체는 앞에서 논의한 바와 같이, 조명 장치의 성분들의 기밀 포장에 대한 요구를 최소화할 수 있다.
도 1를 보면, 본 발명의 바람직하게 구조에 따른 예시적인 LED계 발광 조립체 또는 램프(10)가 도시되어 있다. 발광 조립체(10)는 반도체 UV 또는 가시광선 광원, 예를 들어 발광 다이오드(LED) 칩(12), 및 상기 LED 칩에 전기적으로 부착된 납(14)을 포함한다. 상기 납(14)은 보다 두꺼운 납 프레임(또는 다층 프레임)(16)에 의해 지지된 얇은 와이어들을 포함할 수 있다. 대안으로는, 납이 자가-지지된 전극을 포함하여, 납 프레임이 배제될 수도 있다. 납(14)은 LED 칩(12)에 전류를 제공하고, 따라서 LED 칩(12)이 복사선을 방출하도록 한다.
램프는, 그의 방출된 복사선이 인광체를 향하는 경우, 백색광을 생성할 수 있는 임의의 가시광선 또는 UV 광원을 포함할 수 있다. 전형적으로, 상기 광원은 다양한 불순물로 도핑된 반도체 LED를 포함한다. 상기 LED는 임의의 적절한 III-V, II-VI 또는 IV-IV 반도체 층에 기초한 반도체 다이오드를 포함할 수 있다. 본 발명의 LED의 바람직한 피크 발광은 개시된 실시양태의 인광체의 정체에 따라 좌우될 것이고, 예를 들어 250 내지 550 nm의 범위일 것이다. 그러나, 일부 특정한 실시양태에서, LED의 발광은 근 UV 내지 청녹색 영역일 것이고, 피크 파장은 약 370나노미터 내지 약 500나노미터의 범위일 것이다.
바람직하게, LED는 GaN, ZnO 또는 SiC를 포함하는 반도체 층을 하나 이상 함유할 수 있다. 예를 들어, LED는, 약 250 nm 초과 약 550 nm 미만의 피크 발광 파장을 갖는, 화학식 IniGajAlkN(여기서, 0≤i; 0≤j; 0≤k 및 i+j+k=l)로 표시되는 니트라이드 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 이러한 LED 반도체는 당업계에 공지되어 있다. 복사선 또는 광원은, 편의상 LED로서 본원에서 기술된다. 그러나, 본원에 사용되는 경우, 상기 용어는 예를 들어 반도체 레이저 다이오드를 포함하는 모든 반도체 복사선 공급원을 포함함을 의미한다.
본원에서 논의된 본 발명의 예시적인 구조에 대한 일반적인 논의가 무기 LED계 광원에 대한 것이지만, 다른 언급이 없는 한, LED 칩은 유기 발광 구조물 또는 다른 복사선 공급원으로 대체될 수 있다는 점 및 LED 칩 또는 반도체에 대한 어떠한 지칭도 단순히 임의의 적절한 복사선원을 나타낸다는 점을 이해해야만 한다.
도 1과 관련하여, LED 칩(12)은, 상기 LED 칩과 봉합제 물질(20)을 에워싸는 엔벨로프(18) 내부에 캡슐화될 수 있다. 엔벨로프(18)는 예를 들어 유리 또는 플라스틱일 수 있다. 바람직하게, LED(12)는 실질적으로 봉합제(20)의 중심에 놓인다. 봉합제(20)는 바람직하게는 중합체(가소성), 수지, 저온 유리 또는 당업계에 공지된 바와 같은 다른 유형의 LED 캡슐화 물질이다. 하나의 실시양태에서, 봉합제(20)는 스핀-온 유리 또는 높은 굴절지수를 갖는 일부 다른 물질이다. 하나의 실시양태에서, 봉합제 물질(20)은 중합체 물질, 예를 들어 에폭시, 실리콘 또는 실리콘 에폭시이며, 다른 유기 또는 무기 봉합제도 사용될 수 있다. 열가소성 또는 열경화성 중합체도 사용될 수 있다. 대안의 실시양태에서, 램프(10)는 단지 외부 엔벨로프(18) 내부에 봉합제를 포함할 수도 있다. LED 칩(12)은, 예를 들어 납 프레임(16)에 의해, 또는 자가-지지형 전극에 의해, 엔벨로프(18)의 바닥에 의해, 또는 외피에 또는 납 프레임에 장착된 받침대(도시하지 않음)에 의해 지지될 수 있다.
램프를 구성하는, 조명 장치의 구조는, LED 칩(12)에 복사선적으로 결합된 인광체 물질(22)을 포함한다. 인광체 물질(22)은 임의의 적절한 방법에 의해 LED(12) 위에 침착될 수 있다. 예를 들어, 인광체의 현탁액이 형성되어, LED 표면에 인광체 층으로서 적용될 수 있다. 하나의 이러한 방법에서, 실리콘, 에폭시 또는 다른 매트릭스 물질이 사용되어(직접 사용되거나 유기 용매, 예를 들어 아세톤, MIBK 또는 부틸 아세테이트로 희석되어 사용되어) 인광체 입자가 불규칙하게 현탁된 슬러리를 형성하여 LED 주변에 놓는다. 이러한 방법은 LED(12)에 대한 인광체(22)의 가능한 위치에 대한 예이다. 따라서, LED 칩(12) 위로 인광체(22)를 코팅시키고 건조시키거나 경화시킴으로써, LED 칩(12)의 발광 표면 위로 또는 상기 발광 표면 쪽으로, 인광체(22)가 코팅될 수 있다. 엔벨로프(18) 및 봉합제(20) 둘다는 투명하여 이를 통해 광(24)이 투과하도록 해야만 한다. 제한하고자 하는 것은 아니지만, 광 산란법 또는 현미경(전자 또는 광학) 측정법을 사용하여 측정된 인광체 물질의 메디안 입자 크기는 1 내지 약 20 마이크론일 수 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 양태에 따른 시스템의 제 2 바람직한 구조를 도시한다. 도 1 내지 4에서의 상응하는 번호들(예를 들어, 도 1의 12와 도 2의 112)은 달리 언급되지 않는 한 각각의 도면에서 상응하는 구조에 관한 것이다. 도 2의 실시양태의 구조는, 인광체 물질(122)이 LED 칩(112) 바로 위에 형성되는 것 대신에, 봉합제 물질(120) 내부에 사이사이 배치된 점을 제외하고, 도 1의 것과 유사하다. 인광체(분말의 형태)는 봉합제 물질의 단일 영역 내부에 또는 보다 바람직하게는 봉합제 물질의 전체 체적 전반에 걸쳐서 사이사이에 분산될 수 있다. LED 칩(112)에 의해 방출된 복사선(화살표 126으로 표시됨)은 인광체(122)에 의해 방출된 광과 혼합되고 상기 혼합된 광은 백색광(124)으로서 보인다. 인광체가 봉합제 물질(120) 내부에 사이사이 분배되는 경우, 그다음 인광체 분말은 중합체 전구체에 첨가되어 LED 칩(112) 주위에 담지될 수 있다. 그다음, 중합체 전구체는 경화되어 중합체를 고화시킬 수 있다. 다른 공지된 인광체 사이사이-분산법, 예를 들어 이동 성형법(transfer molding)도 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일부 바람직한 양태에 따른 시스템의 제 3 가능한 구조를 도시한다. 도 3에 도시된 실시양태의 구조는, 인광체 물질(222)이 LED 칩(212) 위에 형성되는 대신에, 엔벨로프(218)의 표면에 코팅되어 있다는 점을 제외하고는, 도 1의 것과 유사하다. 인광체는 요구되는 경우 엔벨로프의 바깥면 위에 코팅될 수도 있지만, 인광체 물질(222)은 바람직하게는 엔벨로프(218)의 내부면 위에 코팅된다. 인광체(222)는 엔벨로프의 전체 표면 위에 또는 엔벨로프의 표면 중 상단부 위에만 코팅될 수 있다. LED 칩(212)에 의해 방출된 복사선(226)은 인광체(222)에 의해 방출된 광과 혼합되고, 상기 혼합된 광은 백색 광(224)을 나타낸다. 물론, 도 1 내지 3의 구조는 조합될 수 있고, 인광체는 임의의 2개 또는 모든 3개의 위치에 위치할 수 있거나, 임의의 다른 적합한 위치에 위치할 수 있다. 예를 들어 엔벨로프로부터 분리된 채로 위치하거나 LED와 일체형일 수 있다.
전술한 임의의 구조에서, 램프(10)(도 1에 예시된 바와 같음)는 봉합제 물질 내부에 매입되어 있는 복수개의 산란 입자(도시하지 않음)를 포함할 수도 있다. 상기 산란 입자는, 예를 들어 Al2O3 입자들(예를 들어 알루미나 분말) 또는 Ti02 입자들을 포함할 수도 있다. 산란 입자들은, 바람직하게는 흡수가 무시할 만하면서, LED 칩으로부터 방출된 간섭성 광을 효율적으로 산란한다.
도 4의 4번째 바람직한 실시양태에서 도시한 바와 같이, LED 칩(412)은 반사성 컵(430) 내에 장착될 수 있다. 상기 컵(430)은 반사성 물질, 예를 들어 알루미나, 티타니아, 또는 당업계에 공지된 다른 유전체 물질로 형성되거나 코팅될 수 있다. 바람직한 반사성 물질은 Al2O3이다. 도 4의 실시양태의 구조의 나머지는 이전의 임의의 도면의 것과 동일하고, 2개의 납(416), 전도성 와이어(432) 및 봉합제 물질(420)을 포함할 수 있다. 반사성 컵(430)은 제 1 납(416)에 의해 지지되고, 전도성 와이어(432)는 LED 칩(412)을 제 2 납(416)과 전기적으로 연결하는데 사용된다.
또다른 구조물(특히 백라이트 적용례의 경우)은 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같은, 표면 장착 장치(surface mounted device; SMD)형 발광 다이오드(550)이다. 이러한 SMD는 "사이드-발광 타입"이며, 도광 부재(554)의 돌출부 위의 발광 윈도우(552)를 갖는다. SMD 타입 발광 다이오드(550)는, 미리 형성되어 있는 LED를, 위에 전기전도성 패턴이 이미 형성되어 있는 유리 에폭시 기판 위에 유동 납땜 등을 수행하고 LED를 윈도우(552)로 덮어서 배치함으로서 제조될 수 있다. SMD 포장은 전술한 바와 같은 LED 칩, 및 LED 칩으로부터 방출된 광에 의해 여기된 인광체 물질을 포함할 수 있다.
하나의 실시양태에서, 인광체 물질은 일부 추가 인광체를 포함한다. 즉, 인광체의 블렌드가 조명 장치에 사용될 수 있다. 250 내지 550 nm에서 방출되는 LED 칩과 함께 사용되는 경우, 추가 인광체(예를 들어, 청색 및 녹색 방출 인광체)가 사용되어 백색 LED를 제공할 수 있다. 일부 추가 인광체는 전술한 바와 같이 미국특허 제 7,497,973 호에 보다 상세하게 기술되어 있다. 추가로, 다른 인광체들, 예를 들어 본원에서 기술한 인광체와는 실질적으로 상이한 파장에서, 가시광선 스펙트럼 전반에 걸쳐서 발광하는 인광체들이 사용될 수도 있다. 이러한 추가 인광체들은 블렌드로 사용되어 생성물인 광의 백색을 주문제작하거나 개선된 광 품질을 갖는 공급원을 제공할 수 있다. 상기 추가 인광체의 하나 이상은 약 430 내지 약 500 nm의 범위, 또는 약 500 내지 약 630 nm의 범위에서 발광 최대치를 갖는다. 또한, 상기 추가 인광체의 하나 이상은 Ce3+에 의해 활성화된 가넷, Eu2+에 의해 활성화된 알칼리 토금속 오르쏘실리케이트, 또는 Ce3+에 의해 활성화된 (Sr,Ca,Ba)3(Si,Al)O4(F,0)일 수 있다.
구체적인 인광체의 정체에 따라, 약 80 초과, 바람직하게는 약 90 초과의 CRI(Ra) 값을 갖는 조명 장치가 제조될 수 있다. CCT 값들은 바람직하게는 약 3500K 미만, 일부 예에서는 약 3000K 미만이다.
인광체 물질이 2종 이상의 인광체의 블렌드를 포함하는 경우, 인광체 블렌드내 개별적인 인광체 각각의 비는, 목적하는 광 출력의 특징에 따라 변할 수 있다. 다양한 인광체 블렌드 내 개별적인 인광체의 상대적 부는, 이들의 발광이 혼합되어 조명 장치에 사용되는 경우, CIE(국제조명협회) 색도도에서의 예정된 x 및 y 값의 가시광선을 생성하도록, 조절될 수 있다. 언급된 바와 같이, 백색광이 바람직하게 제조된다. 이러한 백색광은, 예를 들어 약 0.30 내지 약 0.55의 범위의 x 값, 및 약 0.30 내지 약 0.55의 범위의 y 값을 보유한다.
인광체 물질에 안료 또는 필터를 추가하는 것이 바람직할 수 있다. LED가 UV 방출 LED인 경우, 인광체 층(22)은, 또한 200nm 내지 450nm의 파장을 갖는 UV 복사선을 흡수 또는 반사할 수 있는 안료 또는 기타 UV 흡수 물질을 0 내지 10중량%(인광체의 총 중량을 기준으로)를 포함할 수 있다.
적합한 안료 또는 필터는 200nm 내지 450nm에서 발생된 복사선을 흡수할 수 있는, 당업계의 숙련자들에게 공지된 임의의 것을 포함한다. 이러한 안료는, 예를 들어 니켈 티타네이트 또는 프라세디뮴 지르코네이트를 포함한다. 안료는 200nm 내지 500nm 범위에서 발생된 복사선의 10% 내지 100%를 여과하는데 효과적인 양으로 사용될 수 있다.
실시예
하기 실시예는 단순히 설명하기 위한 것이고, 청구된 발명의 범주에 대한 어떠한 종류의 제한도 있을 것으로 추론되어서는 안된다.
실시예 1
K2TiF6 코팅(외피)과 함께 K2TiF6:Mn4 + 핵을 갖는 착체 플루오라이드 인광체의 제조
망간-비함유 K2TiF6는 플루카(Fluka)로부터 상업적으로 입수하였고, 망간-도핑된 K2TiF6는 미국특허 제 7,497,973 호에서 설명한 절차에 따라, 70% HF 용액에서, 70℃의 건조 온도를 사용하여 제조하였다.
3그램의 K2TiF6을, 70 내지 90℃의 수욕에서 70% HF, 5밀리리터와 혼합하여 포화된 용액을 제조하였다. 그다음, 이러한 포화된 용액을 비이커 내 3그램의 K2TiF6:Mn4+ 분말에 붓고, 이것을 수욕에 놓고, 일부 경우에는 오일 욕에 두었다. 상기 용액은 부으면서 약 70℃에서 연속적으로 교반하였다. 15분 동안 교반한 후, 현탁액을 회수하고, 그다음 이것을 70℃에서 걸쭉한 페이스트가 될 때까지 증발시켰다. 그다음, 걸쪽한 페이스트를 여과지에 부어서 건조시켰다. 건조는 약 100 ℃에서 드라이박스 분위기 하에서 수행하였다.
분광광도계 측정(발광 세기 측정)
앞에서와 같이 제조된 코팅된 인광체, 0.72그램을, 0.88그램의 RTV-615(상표) 실리콘 엘라스토머(모멘티브 퍼포먼스 머티리알즈(Momentive Performance Material))와 혼합하여 인광체-실리콘 슬러리(슬러리 I)를 제조하였다. 슬러리 I를 분광광도계 측정을 위해서 사용되는 알루미늄 홀더에 부었다. 유사하게, 슬러리 II의 혼합물은, 실리콘과 혼합된 K2TiF6:Mn4+ 인광체 분말(어떠한 코팅도 없음)로 제조하였다. 슬러리 II는 또한 또다른 알루미늄 홀더에 부었다. 그다음, 발광 세기는 슬러리 I 및 슬러리 II 둘다에 대해 450nm 여기에서 측정하였다. 알루미늄 홀더 둘다를 습한 챔버에 놓고 80℃ 및 80% RH 환경에 노출하여 인광체의 내습성을 테스트하였다. 챔버 내 포화된 KCl 용액에 의해 환경이 형성되었다. 홀더들은 습한 챔버로부터 제거하였다. 그다음, 슬러리 I 및 슬러리 II에 대한 발광 세기를 측정하였다. 코팅되지 않은 인광체 입자들을 갖는 슬러리 II는 망간 산화에 의해 갈색이 되었다. 슬러리는 또한 발광 세기 측면에서 약 90%가 손실되는 심각한 열화를 나타냈다. 대조적으로, 코팅된(캡슐화된) 플루오라이드 인광체 입자를 포함하는 슬러리 I에 대해서는 어떠한 심각한 색상의 변화도 관찰되지 않았다. 게다가, 슬러리 I은 슬러리 II에 대해 적용된 것과 동일한 테스트 조건하에서, 발광 세기 측면에서 약 1% 미만의 손실만을 나타냈다.
본 발명의 단지 특정 특징부들만이 본원에서 설명되고 기술되고 있지만, 당업계의 숙련자에게는 많은 개조 및 변형이 떠오를 것이다. 따라서, 첨부된 특허청구범위는 본 발명의 진의에 속하는 이러한 개조 및 변형도 포괄하는 것으로 이해되어야만 한다.
Claims (24)
- 망간(Mn4 +) 도핑된 플루오라이드 인광체의 개별적인 입자들을 포함하되, 각각의 입자가 망간-비함유(free) 플루오라이드 인광체의 층으로 캡슐화되어 있는, 인광체 물질.
- 제 1 항에 있어서,
Mn4+(망간) 도핑된 플루오라이드 인광체가,
(A) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Ge, Si, Sn, Ti, Zr, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF6]:Mn4+;
(B) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Al, Ga, In, Sc 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF5]:Mn4+;
(C) E가 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Ge, Si, Sn, Ti, Zr, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택되는, E[MF6]:Mn4+;
(D) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Al, Ga, In, Sc, Y, La, 란탄족, Bi 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A3[MF6]:Mn4+;
(E) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Nb, Ta 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF7]:Mn4+;
(F) M이 Al, Ga, In 및 이들의 조합 중에서 선택되는, Zn2[MF7]:Mn4+;
(G) Ba0.65Zr0.35F2.7:Mn4+;
(H) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A[In2F7]:Mn4+; 또는
(I) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Zr, Si, Ge, Sn, Ti, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A3[MF7]:Mn4+
중 하나 이상을 포함하는 물질인, 인광체 물질. - 제 1 항에 있어서,
상기 망간-비함유 플루오라이드 인광체가,
(A) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Ge, Si, Sn, Ti, Zr 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF6];
(B) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Al, Ga, In 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF5];
(C) E가 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Ge, Si, Sn, Ti, Zr 및 이들의 조합 중에서 선택되는, E[MF6];
(D) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Al, Ga, In, Sc, Y, La, 란탄족, Bi 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A3[MF6];
(E) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Nb, Ta 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF7];
(F) M이 Al, Ga, In 및 이들의 조합 중에서 선택되는, Zn2[MF7];
(G) Ba0.65Zr0.35F2.7;
(H) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A[In2F7]; 또는
(I) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Zr, Si, Ge, Sn, Ti, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A3[MF7]
중 하나 이상을 포함하는 물질인, 인광체 물질. - 광원; 및
상기 광원에 복사선적으로 결합되어 있고(radiationally coupled), 망간(Mn4 +) 도핑된 플루오라이드 인광체의 개별적인 입자들을 포함하되 각각의 입자가 망간-비함유 플루오라이드 인광체의 층으로 캡슐화되어 있는, 인광체 물질
을 포함하는 조명 장치. - 제 4 항에 있어서,
Mn4+(망간) 도핑된 플루오라이드 인광체가,
(A) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Ge, Si, Sn, Ti, Zr, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF6]:Mn4+;
(B) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Al, Ga, In, Sc 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF5]:Mn4+;
(C) E가 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Ga, Si, Sn, Ti, Zr, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택되는, E[MF6]:Mn4+;
(D) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Al, Ga, In, Sc, Y, La, 란탄족, Bi 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A3[MF6]:Mn4+;
(E) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Nb, Ta 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF7]:Mn4+;
(F) M이 Al, Ga, In 및 이들의 조합 중에서 선택되는, Zn2[MF7]:Mn4+;
(G) Ba0.65Zr0.35F2.7:Mn4+;
(H) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A[In2F7]:Mn4+; 또는
(I) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Zr, Si, Ge, Sn, Ti, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A3[MF7]:Mn4+
중 하나 이상을 포함하는 물질인, 조명 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 망간-비함유 플루오라이드 인광체가,
(A) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Ge, Si, Sn, Ti, Zr 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF6];
(B) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Al, Ga, In 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF5];
(C) E가 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Ge, Si, Sn, Ti, Zr 및 이들의 조합 중에서 선택되는, E[MF6];
(D) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Al, Ga, In, Sc, Y, La, 란탄족, Bi 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A3[MF6];
(E) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Nb, Ta 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A2[MF7];
(F) M이 Al, Ga, In 및 이들의 조합 중에서 선택되는, Zn2[MF7];
(G) Ba0.65Zr0.35F2.7;
(H) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A[In2F7]; 또는
(I) A가 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 및 이들의 조합 중에서 선택되고; M이 Zr, Si, Ge, Sn, Ti, Hf 및 이들의 조합 중에서 선택되는, A3[MF7]
중 하나 이상을 포함하는 물질인, 조명 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 광원이, 370 내지 500 nm의 범위의 피크 파장을 갖는 복사선을 방출하는 반도체 발광 다이오드(LED)인, 조명 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 반도체 발광 다이오드가 화학식 IniGajAlkN의 니트라이드를 포함하고, 상기 화학식에서 i는 0 이상이고, j는 0 이상이고, k는 0 이상이고, i+j+k의 합은 1인, 조명 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 광원이 유기 발광 구조물인, 조명 장치. - 제 4 항에 있어서,
하우징 내부의 인광체 물질 및 상기 광원을 둘러싸는 봉합제 물질을 추가로 포함하는 조명 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 봉합제 물질이 하나 이상의 실리콘 또는 에폭시 물질을 포함하는, 조명 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 인광체 물질이 상기 광원의 표면 위에 침착되어 있는, 조명 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 인광체 물질이 상기 봉합제 물질에 분산되어 있는, 조명 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 인광체 물질이 상기 하우징의 표면 위에 침착되어 있는, 조명 장치. - 제 4 항에 있어서,
반사성 컵(reflective cup)을 추가로 포함하고, 상기 광원이 상기 반사성 컵에 장착되어 있는, 조명 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 인광체 물질이 하나 이상의 추가 인광체를 추가로 포함하는, 조명 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 추가 인광체의 하나 이상이 430 내지 500 nm의 범위에서 발광 최대치를 갖는, 조명 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 추가 인광체의 하나 이상이 500 내지 630 nm의 범위에서 발광 최대치를 갖는, 조명 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 추가 인광체의 하나 이상이, Ce3 +에 의해 활성화된 가넷, Eu2 +에 의해 활성화된 알칼리 토금속 오르쏘실리케이트, 또는 Ce3 +에 의해 활성화된 (Sr,Ca,Ba)3(Si,Al)O4(F,0)인, 조명 장치. - 제 4 항에 있어서,
백색 광을 생성하는 능력을 특징으로 하는 조명 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/843,947 US8057706B1 (en) | 2010-07-27 | 2010-07-27 | Moisture-resistant phosphor and associated method |
| US12/843,947 | 2010-07-27 | ||
| PCT/US2011/043490 WO2012015581A1 (en) | 2010-07-27 | 2011-07-11 | Moisture-resistant phosphor and associated method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130041239A KR20130041239A (ko) | 2013-04-24 |
| KR101832529B1 true KR101832529B1 (ko) | 2018-02-26 |
Family
ID=44522332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020137004332A KR101832529B1 (ko) | 2010-07-27 | 2011-07-11 | 내습성 인광체 및 관련 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8057706B1 (ko) |
| EP (1) | EP2598601B1 (ko) |
| JP (1) | JP5941464B2 (ko) |
| KR (1) | KR101832529B1 (ko) |
| CN (1) | CN103003388B (ko) |
| WO (1) | WO2012015581A1 (ko) |
Families Citing this family (86)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8252613B1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-08-28 | General Electric Company | Color stable manganese-doped phosphors |
| US9897276B2 (en) * | 2011-08-26 | 2018-02-20 | Cree, Inc. | Reduced phosphor lighting devices |
| US9422471B2 (en) | 2011-12-16 | 2016-08-23 | Koninklijke Philips N.V. | Mn-activated hexafluorosilicates for LED applications |
| EP2814905B1 (en) * | 2012-02-16 | 2016-04-20 | Koninklijke Philips N.V. | Coated narrow band red-emitting fluorosilicates for semiconductor leds |
| US9210775B2 (en) | 2012-10-31 | 2015-12-08 | General Electric Company | Method and system for storage of perishable items |
| CN104024374B (zh) * | 2012-12-28 | 2017-07-14 | 信越化学工业株式会社 | 荧光体的表面处理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |