KR101827928B1 - ＳｉＣ 단결정의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

흑연 도가니 내의 저부에 SiC 종결정을 설치함과 아울러, 이 도가니 내에 Si와 C와 R(R은 Sc 및 Y를 포함하는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상) 또는 X(X는 Sc 및 Y를 제외한 천이금속, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상)를 함유하는 용액을 존재시키고, 이 용액을 과냉각시켜 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시킴과 아울러, 이 SiC 단결정을 성장시키면서 상기 흑연 도가니의 상부로부터 상기 용액에 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료를 첨가하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
본 발명의 SiC 단결정의 제조 방법에 의하면, 용액 내의 C의 용해도를 높여 SiC 단결정의 성장 속도를 향상시킴과 아울러, 단결정의 성장에 따른 SiC 성분의 소비 등에 의한 용액의 조성 변동을 억제하고, 단결정 성장을 위한 조건을 안정시킬 수 있다.

Description

ＳｉＣ 단결정의 제조 방법{Method of Producing SiC Single Crystal}
본 발명은 용액법을 사용한 SiC(탄화규소) 단결정의 제조 방법에 관한 것이다.
SiC는 밴드갭, 절연 파괴 전압, 전자 포화 속도, 열전도율 등에 있어서 우수한 특성을 가지기 때문에, Si의 한계를 넘는 차세대 파워 디바이스나 고온 디바이스용 재료로서 기대되고 있으며, 이것에 따라 기판 재료의 개발도 활발하게 행해지고 있다.
종래, SiC 단결정의 성장 방법으로서는 승화법, CVD법, 애치슨(Acheson)법, 용액법 등이 알려져 있다.
애치슨법은 공업적으로 예로부터 행해져 온 방법으로, 무수 규산과 탄소를 고온 가열하여 SiC 단결정을 석출시킨다. 그러나, 이 방법에 의해 고순도의 단결정을 만드는 것은 어렵다. 승화법은 SiC 원료 분말을 2,200 내지 2,400℃로 승온하고, 감압하에서 일단 Si, Si2C, SiC2 등의 가스로 변환하고, 저온의 종결정 상에 다시 SiC로서 석출시킨다. 이 방법은 현재 SiC 벌크 단결정 제작에 있어서 주류의 방법이다. 그러나, 승화법은 기상성장법이기 때문에 얻어진 결정 중에 각종의 결함이 생기기 쉽다는 문제가 있다. 또 CVD법은 원료가 가스 성분이기 때문에 벌크 단결정을 제조하는 것이 어렵다.
용액법은 흑연 도가니 내에서 Si나 Si 함유 합금을 용해하고, 또한 흑연 도가니로부터도 탄소를 용출시킴으로써, Si와 C를 함유하는 용액으로부터 저온부에 설치한 종결정 상에 SiC 단결정을 석출 성장시키는 방법이다. 일반적으로는, Si 융액(融液)만으로는 C가 충분히 고용(固溶)되기 어렵다. 그러므로, 제3 원소를 함유하는 용액으로 함으로써 C의 용해도를 높이는 수법이 취해진다. 용액법에서는 승화법보다 결함이 적은 고품질의 단결정을 얻는 것이 가능하다. 그러나, 한편으로 승화법 만큼 높은 성장 속도가 얻어지기 어렵다. 이 때문에, 용액법을 사용한 SiC 단결정의 제조 방법에 대해서, 지금까지 각종 검토가 행해져 왔다.
특허문헌 1(일본 특허 공개 2000-264790호 공보)에서는, Si, C와 천이금속을 함유하는 융액을 사용하여, SiC 단결정을 석출 성장시키는 방법이 개시되어 있다. 또 특허문헌 2(일본 특허 공개 2004-002173호 공보)에서는, Si-C-M(M은 Mn 또는 Ti), 특허문헌 3(일본 특허 공개 2006-143555호 공보)에서는, Si-C-M(M은 Fe 또는 Co), 특허문헌 4(일본 특허 공개 2007-076986호 공보)에서는, Si-C-Ti-M(M은 Co 또는 Mn)의 융액을 사용하여 SiC 단결정을 성장시키고 있다.
특허문헌 5(일본 특허 공개 2006-321681호 공보)는, Si, C와 제3 원소 혹은 그 화합물을 포함하는 원료를 융해한 융액을 사용하여, 15R, 3C 및 6H 중 원하는 결정 구조의 SiC 단결정을 성장시키는 방법이며, 제3 원소로서 붕화물, Sn(15R), Gd(3C), Al, Dy, La(6H) 등을 들 수 있다. 특허문헌 6(일본 특허 공개 2007-277049호 공보)에서는, Si에 희토류 원소와 Sn, Al, Ge의 어느 하나를 첨가한 융액이 사용되고 있다. 여기서는, 희토류 원소의 첨가가 Si 융액 중의 C의 용해도를 높여 SiC 단결정의 성장 속도를 향상시키는 효과를 가진다. 그러나, 성장 속도가 큰 조건하에서는 성장 표면에서의 다핵화 또는 다결정화가 일어나 쉽다. 이 때문에, 이 문헌은 성장 표면을 균일하게 활성화시키는 원소로서 Sn, Al 또는 Ge를 첨가하고, 평탄 성장을 안정적으로 확보하는 기술을 보여준다. 특허문헌 7(일본 특허 공개 2009-167045호 공보)에서는, Si-Cr-X(X는 Ce 또는 Nd)의 융액이 사용되고 있고, Cr과 X를 동시에 첨가함으로써, SiC 단결정 중의 매크로적인 결함의 수를 저감할 수 있는 것을 보여준다. 또 특허문헌 8 및 9(일본 특허 공개 2005-154190호 공보 및 일본 특허 공개 2005-350324호 공보)는, SiC 원료봉, 용매, 종결정을 밑에서부터 순서대로 적층하고, 용매의 상하 단면에서 온도 구배를 형성하여 SiC 단결정을 성장시키는 방법을 보여준다. 이 경우에, Y, 란타노이드, I족 원소, II족 원소, IIIB족 원소 등으로 구성되는 군으로부터 선택되는 원소와 Si를 포함하는 용매가 사용되고 있다.
희토류 원소를 함유하는 용액을 사용하면 C의 용해도를 높일 수 있고, 용액법에 있어서의 과제의 하나인 성장 속도는 향상된다. 그러나, C의 용해도를 높이면, 성장 표면의 거칠기나 다결정화가 일어나기 쉽고, SiC 단결정의 품질이 저하되는 문제가 있었다. 이에 대해 C의 용해도를 억제하는 원소를 희토류 원소와 동시에 첨가하는 시도가 행해졌다 그러나, 이러한 접근은 용액이 추가적인 성분들을 함유하는 다성분계가 되기 때문에 용액 조성의 컨트롤이 어렵고, 결정 성장의 방법이 결정 성장 조건의 미묘한 변화에 영향받기 쉽다. 또한, 용액으로부터 SiC 단결정이 성장함에 따라서 용액 성분으로부터 Si나 C가 소비되어 용액 조성의 변동이 생기기 때문에, 결정 성장에 최적의 조건은 시간과 함께 크게 변화되어 버린다. 이 때문에, 용액법으로, 길고 또한 대구경의 SiC 단결정을 제작하는 것은 어렵다. 특허문헌 8 및 9(일본 특허 공개 2005-154190호 공보 및 일본 특허 공개 2005-350324호 공보)에서는 SiC 원료봉으로부터 원료가 공급되는 방법이 개시되어 있고, 이 경우 용매의 조성은 크게 변동하지 않지만, 미리 SiC 원료봉을 준비할 필요가 있어, 제조 비용이 높아진다.
또, 특허문헌 8에서는, 용매의 조성이 Si와, Y, Sc, 란타노이드, 주기율표 1족 원소, 및 주기율표 2족 원소로 구성되는 군으로부터 선택한 적어도 1종의 공존 원소를 포함하는 탄화규소 단결정의 제조 방법을 개시한다. 특허문헌 9에서는, 용매의 조성이 Si와, Y와, 주기율표의 IIIB족으로부터 선택한 적어도 1종의 원소를 포함하는 SiC 단결정의 제조 방법을 개시하고 있으며, 이들의 경우, 용매의 조성은 크게 변동하지 않지만, 미리 SiC 원료봉을 준비할 필요가 있어 제조 비용이 높아진다.
일본 특허 공개 2000-264790호 공보 일본 특허 공개 2004-002173호 공보 일본 특허 공개 2006-143555호 공보 일본 특허 공개 2007-076986호 공보 일본 특허 공개 2006-321681호 공보 일본 특허 공개 2007-277049호 공보 일본 특허 공개 2009-167045호 공보 일본 특허 공개 2005-154190호 공보 일본 특허 공개 2005-350324호 공보
본 발명은 종래 기술의 문제들을 감안하여 이루어졌다. 따라서, 본 발명은 다결정화 등의 결함이 억제된 길고 또한 대구경의 SiC 단결정을 높은 성장 속도로 얻을 수 있는 SiC 단결정의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 이러한 과제를 해결하는 수단에 대해서 검토하였다. 검토한 결과, 탄소의 용해도를 향상시키는 효과가 있는, 희토류 원소 또는 Sc 및 Y를 제외한 천이금속, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 원소를 함유하는 용액을 사용하고, 또한 용액 성분의 증발 등이 생기기 쉽고 국소적인 조건 변동이 심한 용액 상면으로부터가 아니라, 흑연 도가니에 둘러싸여 있는 상태로 인해 조건이 안정적이며, 보다 완만한 온도 구배를 설정할 수 있는 용액의 저부로부터 SiC 단결정을 성장시킴과 아울러, 흑연 도가니 상부로부터는 용액 내에 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료를 적시에 첨가하여, 시간 경과에 의존하지 않고 용액 조성을 실질적으로 일정하게 유지하는 방법을 알아내어, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
본 발명의 구체예에 따르면, 하기에 나타내는 SiC 단결정의 제조 방법을 제공한다.
[1] 흑연 도가니 내의 저부에 SiC 종결정을 설치함과 아울러, 이 도가니 내에 Si와 C와 R(R은 Sc 및 Y를 포함하는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상)을 함유하는 용액을 존재시키고, 이 용액을 과냉각시켜 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시킴과 아울러, 이 SiC 단결정을 성장시키면서 상기 흑연 도가니의 상부로부터 상기 용액에 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료를 첨가하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
[2] SiC 단결정을 성장시키고 있을 때의 상기 용액 중에 있어서의 Si의 질량 WSi와 R의 질량 WR의 합계에 대한 R의 질량비[WR/(WSi+WR)]가 0.05 내지 0.75 의 범위가 되도록, 상기 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료의 상기 용액에 대한 첨가량을 조정하는 [1]에 기재된 SiC 단결정의 제조 방법.
[3] SiC 단결정을 성장시키고 있을 때의 상기 용액 중에 있어서의 R의 질량비와 상기 흑연 도가니 내에 초기에 도입하는 상기 용액의 원료 조성에 있어서의 R의 질량비의 차이가 ±0.1을 넘지 않도록, 상기 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료의 첨가량을 조정하는 [1] 또는 [2]에 기재된 SiC 단결정의 제조 방법.
[4] R이 La, Ce, Pr, Nd, Gd 및 Dy로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 SiC 단결정의 제조 방법.
[5] 흑연 도가니가 배열설치되는 노의 내부가 진공 또는 불활성 분위기이며, 또한 노의 내부에 하방을 향하여 연속적으로 저하하는 온도 구배 영역을 가지고, 상기 온도 구배의 영역 중에서 상기 흑연 도가니를 하강시킴으로써, 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시키는 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 SiC 단결정의 제조 방법.
[6] 흑연 도가니 내의 저부에 SiC 종결정을 설치함과 아울러, 이 도가니 내에 Si와 C와 X(X는 Sc 및 Y를 제외한 천이금속, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상)를 함유하는 용액을 존재시키고, 이 용액을 과냉각시켜 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시킴과 아울러, 이 SiC 단결정을 성장시키면서 상기 흑연 도가니의 상부로부터 상기 용액에 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료를 첨가하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
[7] SiC 단결정을 성장시키고 있을 때의 상기 용액 중에 있어서의 Si의 질량 WSi와 X의 질량 WX의 합계에 대한 X의 질량비[WX/(WSi+WX)]가 0.01 내지 0.75의 범위가 되도록, 상기 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료의 상기 용액에 대한 첨가량을 조정하는 [6]에 기재된 SiC 단결정의 제조 방법.
[8] SiC 단결정을 성장시키고 있을 때의 상기 용액 중에 있어서의 X의 질량비와 상기 흑연 도가니 내에 초기에 도입하는 상기 용액의 원료 조성에 있어서의 X의 질량비의 차이가 ±0.1을 넘지 않도록, 상기 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료의 첨가량을 조정하는 [6] 또는 [7]에 기재된 SiC 단결정의 제조 방법.
[9] X가 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 [6] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 SiC 단결정의 제조 방법.
[10] 흑연 도가니가 배열설치되는 노의 내부가 진공 또는 불활성 분위기이며, 또한 노의 내부에 하방을 향하여 연속적으로 저하하는 온도 구배 영역을 가지고, 상기 온도 구배의 영역 중에서 상기 흑연 도가니를 하강시킴으로써, 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시키는 [6] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 SiC 단결정의 제조 방법.
본 발명의 SiC 단결정의 제조 방법에 의하면, 용액 내의 C의 용해도를 높여 SiC 단결정의 성장 속도를 향상시킴과 아울러, 단결정의 성장에 따른 SiC 성분의 소비 등에 의한 용액의 조성 변동을 억제하고, 단결정 성장을 위한 조건을 안정시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 방법을 실시하는데 적합한 SiC 단결정 제조 장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 방법을 실시하는데 적합한 SiC 단결정 제조 장치의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 R 또는 X의 질량비의 시간 변화를 모식적으로 나타내는 것이다
도 1 및 도 2에 본 발명의 방법을 실시하기 위한 장치예를 나타낸다. 각 도면에 있어서, 1은 노를 나타내고, 노(1) 내는 진공 또는 불활성 가스 분위기로 유지된다. 이 노(1) 내에 흑연 도가니(10)가 배열설치된다. 이 흑연 도가니(10)는 상단이 개구하고, 하단이 폐색된 중공의 원통상으로 형성되고, 상하운동 이동 가능하게 배열설치된 지지체(2) 상에 배치된다. 지지체(2)가 하강할 때에 이것과 일체로 흑연 도가니(10)가 하강하도록 되어 있다. 여기서, 도 1의 흑연 도가니(10)는 그 내벽이 내벽 중간부로부터 하부를 향함에 따라, 점차 하향 경사지는 깔때기상으로 형성되고, 흑연 도가니(10)의 저부 중앙부에 SiC 종결정(20)이 배치된다. 한편, 도 2의 흑연 도가니(10)는 그 내벽이 원통상이며, 흑연 도가니(10)의 저면 중앙부에 SiC 종결정(20)이 배치된다. 그리고 이 상태에 있어서, 상기 흑연 도가니(10) 내에 Si와 C와 R 또는 X를 함유하는 용액(30)을 존재시킨다. 또, 상기 흑연 도가니(10) 내의 상방에 원료 투입 용기(40)가 배열설치되고, 이 원료 투입 용기(40)로부터 투입물(추가 투입물)(41)(Si 및/또는 SiC 원료)이 흑연 도가니(10)의 상단 개구부로부터 상기 용액(30)에 추가로 투입된다. 또한, 도면 중 50은 서셉터, 51은 단열재, 52는 유도 코일을 나타낸다.
본 발명에 있어서는, 상기 흑연 도가니 내의 저부에 SiC 종결정을 설치하고, 또한 용액이 되는 원료를 도가니에 도입한다(초기 투입). 용액은 Si와 C와 R(R은 Sc 및 Y를 포함하는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상) 또는 X(X는 Sc 및 Y를 제외한 천이원소, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상)를 함유한다. 그러므로, 원료에는 Si 및 R금속 또는 X금속이나 그 화합물, 합금 등을 사용하는 것이 바람직하다. C의 원료로서, SiC나 R탄화물 또는 X탄화물 등을 사용해도 되고, 또는 흑연 도가니로부터 C가 용액 중에 용출하는 것을 이용해도 된다.
용액에 대한 C의 용해도를 높이기 위해서, 제3 원소로서 R(R은 Sc 및 Y를 포함하는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상) 또는 X(X는 Sc 및 Y 이외의 천이금속, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상)를 선택한다. R이 La, Ce, Pr, Nd, Gd 및 Dy로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상 또는 X가 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상이면, 원료 비용의 관점에서 보다 바람직하다. R, X의 공급 원료 각각은 원소상 금속을 사용해도 되고, 화합물로서 사용해도 된다.
이 경우, Si와 C와 R의 사용 비율은, 적당히 선정되는데, 용액 중에 있어서의 R의 질량비[WR/(WSi+WR)]는 SiC 단결정의 성장 중, 0.05 내지 0.75 범위내에 유지되는 것이 바람직하다. 질량비가 0.05 미만인 경우는 용액 중으로의 C의 용해도가 작고, SiC 단결정의 충분한 성장 속도가 얻어지지 않는다. 또 질량비가 0.75를 넘으면 SiC의 다결정화가 생기기 쉬워져 단결정의 육성이 어려워지는 경우가 있다. R의 질량비는 0.1 내지 0.7 범위이면 보다 바람직하고, 0.15 내지 0.6 범위이면 더욱 바람직하다.
용액 중의 C농도는 가능한 한 높은 것이 바람직하다. 그러나, C 농도가 지나치게 높은 경우는 용액 중에 미용해의 SiC 및 C가 존재하고, 단결정의 성장에 악영향을 주게 된다. 이 때문에, 이러한 미용해 SiC나 C가 존재하지 않는 범위의 농도로 하는 것이 바람직하다. 최적의 C량은 R/(Si+R)질량비 및 용액 온도에 크게 의존한다. 용액 전체에 기초한 C의 질량비로서 0.1 내지 15질량%, 특히 1 내지 10질량%의 범위에서 조정하는 것이 바람직하다. 필요하면, R에 더하여, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Al, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W 등으로 구성되는 군으로부터 선택되는 제4 원소 Z를 추가로 첨가해도 된다. 이 때 Z의 첨가량은 질량비로 R량의 0.5배 이하가 바람직하다.
또, Si와 C와 X의 사용 비율은 적당히 선정되는데, 용액 중에 있어서의 X의 질량비[WX/(WSi+WX)]는 SiC 단결정의 성장중 0.01 내지 0.75 범위로 유지하는 것이 바람직하다. 질량비가 0.01 미만인 경우는 용액 중의 C의 용해도가 작고, SiC 단결정의 충분한 성장 속도가 얻어지지 않는다. 질량비가 0.75를 넘으면 SiC의 다결정화가 생기기 쉬워져 단결정의 육성이 어려워지는 경우가 있다. X의 질량비는 0.05 내지 0.7 범위이면 보다 바람직하고, 0.1 내지 0.6 범위이면 더욱 바람직하다.
상기 서술한 바와 같이 용액 중의 C의 농도는 가능한 한 높은 것이 바람직하다. 그러나, C 농도가 지나치게 높은 경우는 용액 중에 미용해의 SiC 및 C가 존재하고, 단결정의 성장에 악영향을 주게 된다. 이 때문에, 이러한 미용해 SiC 및 C가 존재하지 않는 범위의 농도로 하는 것이 바람직하다. 최적의 C량은 X/(Si+X)질량비 및 용액 온도에 크게 의존한다. 용액 전체에 기초한 C의 질량비로서 0.1 내지 15질량%, 특히 1 내지 10질량%의 범위에서 조정하는 것이 바람직하다. 또 필요하면, X에 더하여, Ga, In, As, Sb 등으로 구성되는 군으로부터 선택되는 제4 원소 Y를 추가로 첨가해도 된다. 이 때 Y의 첨가량은 질량비로 X량의 0.5배 이하가 바람직하다.
종결정과 용액 원료를 도입한 흑연 도가니를 노 내에 설치한 후, 노 내를 진공 혹은 Ar 등의 불활성 분위기로 하여, 히터 가열에 의해 도가니 내의 원료를 융해한다. 히터는 유도 코일과 서셉터를 조합한 방식이어도 되고, 또는 저항 가열 방식이어도 된다. 장치 내부에는 하방을 향하여 연속적으로 저하하는 온도 구배 영역이 형성되어 있다. 도가니 내가 소정 온도에 도달한 후, 온도 구배 영역을 통과하도록 도가니를 점차적으로 하강시킨다. 이 때, 도가니 내의 용액 온도는 저부로부터 서서히 저하되어 가고, 용액 내의 C의 용해도가 작아진다. 이 때문에, 저부에 설치된 종결정 부근에서 과포화 상태가 되면, 이 과포화도를 구동력으로 하여 종결정 상에 SiC 단결정이 성장한다.
여기서, 도가니 내의 원료 온도는 1,400 내지 2,200℃, 특히 1,600 내지 2,100℃로 하는 것이 바람직하다. 또, 노 내의 온도 구배는 5 내지 100℃/cm, 특히 10 내지 50℃/cm가 되도록, 하방으로 연속적으로 저하하도록 하는 것이 바람직하다.
또, 도가니의 하강은 10 내지 1,000μm/hr, 특히 50 내지 500μm/hr의 속도로 행하는 것이 바람직하다.
제3 원소로서 R 또는 X를 사용하면, 용액 중의 C의 용해도를 높일 수 있지만, 일반적으로 SiC 단결정의 다핵화 또는 다결정화가 일어나 쉬워진다. 이러한 현상을 억제하기 위해서, SiC 단결정의 성장을 용액면에 가까운 상부가 아니라 조건이 안정적인 용액 하부에서 실행한다. 이것은 용액면으로부터의 성분 증발이나 진동 등의 국소적인 조건 변동이 생기기 어려워, 온도 구배도 성장면 전체에 걸쳐서 균일하게 할 수 있다. 결과적으로, 완만한 온도 구배의 설정이 가능해져 SiC의 석출을 완만하게 하고, 다결정화를 억제할 수 있다.
도가니의 하강을 계속하면, SiC 단결정은 용액 중으로부터 Si 및 C 원소를 취입하여 더욱 성장해 간다. 이것에 따라, 용액은 초기 용액 조성으로부터 서서히 Si가 감소해 가고, 상대적으로 R 또는 X가 많은 조성으로 점차 변동해 간다. 또 용액 표면으로부터의 Si 성분의 증발 등도 조성 변동의 요인이 된다. 조성이 R 또는 X 리치상으로 이동해가면, 용액 중으로부터 SiC상이 석출하는 조건도 또한 점차 변동해간다. 따라서, 도가니 하강 시간의 경과와 함께 SiC 단결정의 성장에 적합한 조건은 조금씩 변화되어 가게 된다. 결과적으로, 처음에는 만족스럽게 성장하고 있던 SiC 단결정이 결정 성장 도중에 다결정성 SiC의 형성을 나타내게 되거나, 각종 결함을 발생시키게 된다.
이에 대해, SiC 단결정의 성장을 계속하면서, 용액 조성의 변동분에 맞는 원료를 첨가해감으로써, 용액을 일정 범위 내의 조성으로 유지할 수 있다. 원료는 흑연 도가니의 상부로부터 용액 내에 추가적으로 투입한다. 만약 종결정을 용액 상부에 침지하고 나서 상방으로 끌어가는 방법으로, 동일하게 추가 원료를 용액면 상으로부터 투입하면, SiC 단결정이 바로 옆에서 성장하고 있기 때문에, 추가 원료를 투입했을 때의 용액면 부근의 혼란이나 조성의 국소적인 변동이 SiC의 석출에 크게 영향을 주어버리게 된다. 본 발명에서는, SiC 단결정의 성장을 용액 하부에서 행하고, 원료의 투입은 결정 성장부로부터 떨어진 용액 상부에서 행함으로써, 원료를 첨가하는 작업이 SiC 단결정의 성장에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
원료로서는 투입하기 쉬운 분말상이나 입상의 Si를 사용한다. 용액의 C의 농도가 시간 경과와 함께 감소하는 조건의 경우는, 분말상이나 입상의 SiC도 Si의 첨가와 동시에 첨가한다. 원료의 첨가량은 미리 첨가 없음의 조건으로 실험을 하여 냉각 고화한 용액의 나머지의 잔류물의 조성을 분석하고, 조성의 변화량을 파악한 다음 운전 시간과 조성의 변화량의 관계로부터 추가량을 산출하면 된다.
원료의 첨가는 연속적으로 행해도 된다. 또 다르게는, 용액의 조성이 초기 조성으로부터 크게 벗어나지 않는 범위에서 일정량을 단속적으로 투입하는 방법이어도 된다. 단속적으로 투입하는 경우의 용액 조성의 변화를 모식적으로 도 3에 나타낸다. 여기서, Si의 질량 WSi와 R의 질량 WR의 합계에 대한 R의 질량 WR의 비율을 질량비[WR/(WSi+WR)]로 하면, 용액 중 Si와 R의 합계에 대한 R의 질량비[WR/(WSi+WR)]와, 흑연 도가니 내에 초기에 도입하는 용액 원료의 전체에 기초한 R의 질량비의 차이가 0.1을 넘지 않는 것이 바람직하고, 0.05 이하이면 더욱 바람직하며, 0.03 이하이면 한층 더 바람직하다. 또, Si의 질량 WSi와 X의 질량 WX의 합계에 대한 X의 질량 WX의 비율을 질량비[WX/(WSi+WX)]로 하면, 용액 중 Si와 X의 합계에 대한 X의 질량비[WX/(WSi+WX)]와, 흑연 도가니 내에 초기에 도입하는 용액 원료의 전체에 기초한 X의 질량비의 차이가 0.1을 넘지 않는 것이 바람직하고, 0.05 이하이면 더욱 바람직하며, 0.03 이하이면 한층 더 바람직하다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1 내지 6, 비교예 1 및 2]
도 1의 장치를 사용하여, 흑연 도가니의 저부에 SiC 종결정을 설치하고, 또한 그 위에 Si와 R의 원료를 소정의 조성이 되도록 도입했다(초기 투입). 노 내를 Ar 분위기로 하고 설정 온도(유지 온도)로 승온하여 30분 내지 3시간 유지한 후, 도가니의 하강을 개시했다.
도가니의 하강은 100시간동안 행하였다. 하강 동안 3 내지 10시간마다 SiC분말과 Si분말을 도가니 상부로부터 용액 중에 투입했다(추가 투입). 원료의 양은 추가 투입을 행하지 않았을 때의 잔류물 조성 분석 결과와 원료 조성의 차이를 바탕으로 산출했다. 실시예에서는 모두 양호한 SiC 단결정이 얻어졌다. 표 1에 초기 도입시의 원료와 R의 질량비 및 유지 온도를, 표 2에 도가니의 하강 후의 잔류물의 R의 질량비와 SiC 단결정의 성장 속도를 나타낸다.
비교예 1은 도가니의 하강 중에 SiC분말과 Si분말의 투입을 행하지 않았다. 이 경우에, 도가니의 하강 종료후에 꺼낸 SiC 결정은 성장 도중부터 다결정성 SiC가 생겨 있었다. 비교예 2는 R원소를 함유하지 않는 용액을 사용했지만, 매우 낮은 성장 속도밖에 얻어지지 않고, 결정성도 만족스럽게 얻어지지 않았다.
Figure 112011093307659-pat00001
Figure 112011093307659-pat00002
[실시예 7 내지 9, 비교예 3 및 4]
도 1의 장치를 사용하여, 흑연 도가니의 저부에 SiC 종결정을 설치하고, 또한 그 위에 Si와 X의 원료를 소정의 조성이 되도록 도입했다. 노 내를 Ar 분위기로 하고나서 설정 온도로 승온하여 30분 내지 3시간 유지한 후, 도가니의 하강을 개시했다.
도가니의 하강은 100시간동안 행하였다. 그 동안 3 내지 10시간마다 SiC분말과 Si분말을 도가니 상부로부터 용액 중에 투입했다(추가 투입). 원료의 양은 투입을 행하지 않았을 때의 잔류물 조성 분석 결과와 원료 조성의 차이를 바탕으로 산출했다. 실시예에서는 모두 양호한 SiC 단결정이 얻어졌다. 표 3에 초기 도입시의 원료와 X의 질량비 및 유지 온도를, 표 4에 도가니의 하강 후의 잔류물의 X의 질량비와 SiC 단결정의 성장 속도를 나타낸다.
비교예 3은 도가니의 하강 중에 SiC분말과 Si분말의 투입을 행하지 않았다. 이 경우에, 도가니의 하강 종료후에 꺼낸 SiC 결정은 성장 도중부터 다결정화가 생겨 있었다. 비교예 4는 X원소를 함유하지 않는 용액을 사용했지만, 매우 낮은 성장 속도밖에 얻어지지 않고, 결정성도 만족스럽게 얻어지지 않았다.
Figure 112011093307659-pat00003
Figure 112011093307659-pat00004
본 발명에 의하면, 용액법에 있어서의 장시간 결정 성장에 있어서도, 조성 변동이 적고 결정 성장 조건이 안정되기 때문에, 양질이고 또한 긴 SiC 단결정을 제작할 수 있다.

Claims (14)

  1. 흑연 도가니 내의 저부에 SiC 종결정을 설치하는 단계;
    흑연 도가니 내에 Si, C 및 R(R은 Sc 및 Y를 포함하는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상)을 함유하는 용액을 존재시키는 단계;
    용액을 과냉각시켜 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시키는 단계; 및
    SiC 단결정을 성장시키면서 용액을 일정 범위 내의 조성으로 유지하도록 상기 흑연 도가니의 상부로부터 상기 용액에 용액 조성의 변동분에 걸맞는 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료를 첨가하는 단계;를 포함하고,
    SiC 단결정을 성장시키고 있을 때의 상기 용액 중에 있어서의 Si의 질량 WSi와 R의 질량 WR의 합계에 대한 R의 질량비[WR/(WSi+WR)]가 0.05 내지 0.75 범위가 되도록, 상기 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료의 상기 용액에 대한 첨가량을 조정하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, SiC 단결정을 성장시키고 있을 때의 상기 용액 중에 있어서의 R의 질량비와 상기 흑연 도가니 내에 초기에 도입하는 상기 용액의 원료 조성에 있어서의 R의 질량비의 차이가 ±0.1을 넘지 않도록, 상기 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료의 상기 용액에 대한 첨가량을 조정하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, R이 La, Ce, Pr, Nd, Gd 및 Dy로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 용액 전체에 기초한 C의 질량비가 0.1 내지 15 질량%의 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Al, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, 및 W으로 구성되는 군으로부터 선택된 원소 Z가 추가로 R에 첨가되고, Z의 양은 질량비로 R의 양의 0.5배 이하인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 흑연 도가니가 배열설치되는 노의 내부가 진공 또는 불활성 가스 분위기이며, 노의 내부에 하방을 향하여 연속적으로 저하하는 온도 구배 영역을 가지고, 상기 온도 구배 영역 내에서 상기 흑연 도가니를 하강시킴으로써, 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 도가니 내의 원료의 온도가 1,400 내지 2,200℃이고, 온도 구배 영역이 5 내지 100℃/cm로 설정되고, 그리고 도가니의 하강이 10 내지 1,000 ㎛/hr의 속도로 수행되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  8. 흑연 도가니 내의 저부에 SiC 종결정을 설치하는 단계;
    흑연 도가니 내에 Si, C 및 X(X는 Sc 및 Y를 제외한 천이금속, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상)를 함유하는 용액을 존재시키는 단계;
    용액을 과냉각시켜 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시키는 단계; 및
    SiC 단결정을 성장시키면서 용액을 일정 범위 내의 조성으로 유지하도록 상기 흑연 도가니의 상부로부터 상기 용액에 용액 조성의 변동분에 걸맞는 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료를 첨가하는 단계;를 포함하고,
    SiC 단결정을 성장시키고 있을 때의 상기 용액 중에 있어서의 Si의 질량 WSi과 X의 질량 WX의 합계에 대한 X의 질량비[WX/(WSi+WX)]가 0.01 내지 0.75 범위가 되도록, 상기 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료의 상기 용액에 대한 첨가량을 조정하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, SiC 단결정을 성장시키고 있을 때의 상기 용액 중에 있어서의 X의 질량비와 상기 흑연 도가니 내에 초기에 도입하는 상기 용액의 원료 조성에 있어서의 X의 질량비의 차이가 ±0.1을 넘지 않도록, 상기 분말상 혹은 입상의 Si 및/또는 SiC 원료의 상기 용액에 대한 첨가량을 조정하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, X가 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Ge 및 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 용액 전체에 기초한 C의 질량비가 0.1 내지 15 질량 %의 범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서, Ga, In, As, 및 Sb으로 구성되는 군으로부터 선택된 원소 Y가 추가로 X에 첨가되고, Y의 양은 질량비로 X의 양의 0.5배 이하인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 흑연 도가니가 배열설치되는 노의 내부가 진공 또는 불활성 가스 분위기이며, 노의 내부에 하방을 향하여 연속적으로 저하하는 온도 구배 영역을 가지고, 상기 온도 구배 영역 내에서 상기 흑연 도가니를 하강시킴으로써, 상기 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 도가니 내의 원료의 온도가 1,400 내지 2,200℃이고, 온도 구배 영역이 5 내지 100℃/cm로 설정되고, 그리고 도가니의 하강이 10 내지 1,000 ㎛/hr의 속도로 수행되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11873576B2 (en) 2018-05-25 2024-01-16 Lg Chem, Ltd. Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5478528B2 (ja) * 2011-02-09 2014-04-23 トヨタ自動車株式会社 溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法
JP2014088290A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Kyocera Corp 結晶の製造方法
JPWO2015072136A1 (ja) * 2013-11-12 2017-03-16 新日鐵住金株式会社 ＳｉＣ単結晶の製造方法
US10443149B2 (en) * 2014-01-29 2019-10-15 Kyocera Corporation Method of producing crystal
JP6287941B2 (ja) * 2015-04-20 2018-03-07 トヨタ自動車株式会社 ｐ型ＳｉＣ単結晶
US10718065B2 (en) 2015-10-26 2020-07-21 Lg Chem, Ltd. Silicon-based molten composition and manufacturing method of SiC single crystal using the same
EP3316279B1 (en) 2015-10-26 2022-02-23 LG Chem, Ltd. Silicon-based molten composition and method for manufacturing sic single crystals using same
KR102091629B1 (ko) * 2016-09-29 2020-03-20 주식회사 엘지화학 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법
WO2018062689A1 (ko) * 2016-09-29 2018-04-05 주식회사 엘지화학 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법
JP6558394B2 (ja) * 2017-04-26 2019-08-14 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置
KR102142424B1 (ko) 2017-06-29 2020-08-07 주식회사 엘지화학 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법
KR102158624B1 (ko) 2017-11-03 2020-09-22 주식회사 엘지화학 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법
CN114525587B (zh) * 2022-04-22 2022-07-19 中电化合物半导体有限公司 基于pvt法生长碳化硅单晶的设备及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3644746A1 (de) 1986-12-30 1988-07-14 Hagen Hans Dr Ing Verfahren und vorrichtung zum zuechten von kristallen
JP2004002173A (ja) 2002-04-15 2004-01-08 Sumitomo Metal Ind Ltd 炭化珪素単結晶とその製造方法
JP2006321681A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Toyota Motor Corp 炭化珪素単結晶の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61236681A (ja) * 1985-04-13 1986-10-21 Tohoku Metal Ind Ltd 単結晶の製造方法及び製造装置
JPS61242981A (ja) * 1985-04-22 1986-10-29 Tohoku Metal Ind Ltd 単結晶の製造方法
JPS6227397A (ja) * 1985-07-30 1987-02-05 Tohoku Metal Ind Ltd 単結晶の製造方法
JPH06239691A (ja) * 1993-02-12 1994-08-30 Japan Energy Corp 単結晶の成長方法
JP2004339012A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Toyota Motor Corp ＳｉＣ単結晶の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3644746A1 (de) 1986-12-30 1988-07-14 Hagen Hans Dr Ing Verfahren und vorrichtung zum zuechten von kristallen
JP2004002173A (ja) 2002-04-15 2004-01-08 Sumitomo Metal Ind Ltd 炭化珪素単結晶とその製造方法
JP2006321681A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Toyota Motor Corp 炭化珪素単結晶の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11873576B2 (en) 2018-05-25 2024-01-16 Lg Chem, Ltd. Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

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Publication number Publication date
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