KR101781777B1 - 땜납 재료, 납땜 조인트 및 땜납 재료의 제조 방법 - Google Patents

땜납 재료, 납땜 조인트 및 땜납 재료의 제조 방법 Download PDF

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다이스케 소마
이사무 사토
유지 가와마타
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센주긴조쿠고교 가부시키가이샤
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Abstract

산화막의 성장을 억제할 수 있도록 한 땜납 재료를 제공한다. 땜납 재료인 땜납 볼(1A)은, 땜납층(2)과, 땜납층(2)을 피복하는 피복층(3)으로 구성된다. 땜납층(2)은 구상이며, Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금을 포함하는 금속 재료로 구성된다. 또는, 땜납층(2)은 Sn의 함유량이 100％인 금속 재료로 구성된다. 피복층(3)은 땜납층(2)의 외측에 SnO막(3a)이 형성되고, SnO막(3a)의 외측에 SnO2막(3b)이 형성된다. 피복층(3)의 두께는 0㎚보다 크고 4.5㎚ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 땜납 볼(1A)의 황색도는 5.7 이하인 것이 바람직하다.

Description

땜납 재료, 납땜 조인트 및 땜납 재료의 제조 방법{SOLDER MATERIAL, SOLDER JOINT, AND PRODUCTION METHOD FOR SOLDER MATERIAL}
본 발명은 Sn을 주성분으로 한 땜납 재료, 납땜 조인트 및 땜납 재료의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 소형 정보 기기의 발달에 의해, 탑재되는 전자 부품에서는 급속한 소형화가 진행되고 있다. 전자 부품은, 소형화의 요구에 의해 접속 단자의 협소화나 실장 면적의 축소화에 대응하기 위해, 이면에 전극이 설치된 볼 그리드 어레이(이하, 「BGA」라 칭함)가 적용되고 있다.
BGA를 적용한 전자 부품에는, 예를 들어 반도체 패키지가 있다. 반도체 패키지에서는, 전극을 갖는 반도체 칩이 수지로 밀봉되어 있다. 반도체 칩의 전극에는 땜납 범프가 형성되어 있다. 이 땜납 범프는, 땜납 볼을 반도체 칩의 전극에 접합함으로써 형성되어 있다. BGA를 적용한 반도체 패키지는, 각 땜납 범프가 프린트 기판의 도전성 랜드에 접촉하도록, 프린트 기판 상에 놓이고, 가열에 의해 용융한 땜납 범프와 랜드가 접합함으로써, 프린트 기판에 탑재된다.
그런데, 땜납 볼을 전극에 접합하기 위해서는, 땜납 볼의 표면에 금속 산화막이 형성되는 것을 억제하는 것이 요구된다. 또한, 땜납 볼이 플럭스와 혼합되어 솔더 페이스트로서 사용되는 경우, 보관 시의 점도 상승을 억제하는 것이 요구된다.
여기서, 땜납 볼 표면에 형성되는 산화막의 막 두께와 황색도에는 비례 관계가 있다.
따라서, 황색도가 소정값 이하, 즉, 산화막이 소정값 이하의 땜납 볼을 사용하고, 가열에 의해 산화막을 파괴하여, 접합할 수 있도록 한 기술이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 특허문헌 1에 있어서는, 우선, 제조 후에 표면의 황화도가 10 이하로 되는 땜납 볼을 선별하고, 보관 상태를 엄밀하게 관리함으로써, 땜납 볼 표면의 황화를 방지, 즉, 땜납 볼 표면의 SnO 산화막의 성장을 억제함과 함께, 이 땜납 볼을 사용하여 형성된 땜납 범프의 표면에, SnO 산화막 및 SnO2 산화막이 형성되는 것이 개시되어 있다.
또한, 땜납 볼의 표면에, 소정값의 산화막을 형성하고, 점도 상승을 억제할 수 있도록 한 기술이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 이 특허문헌 2에 있어서는, 땜납 입자 표면에 SnO 또는 SnO2를 주성분으로 하는 산화주석으로 이루어지는 산화 피막을 형성하고, 플럭스와 혼합ㆍ교반하여 제조되는 땜납 페이스트 제작 후의 경시적 점도 상승을 억제하는 것이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2009-248156호 공보 일본 특허 제4084657호 공보
Sn을 주성분으로 한 땜납 볼에서는, Sn과 공기 중의 O2가 반응하여 SnO의 막이 형성된다. 이 막 두께가 증가하면, 납땜 시에 플럭스로의 제거가 곤란해지는, 땜납 볼의 표면에 산화막이 남아 있으면, 습윤성이 나빠진다. 또한, 산화막 두께가 증가하면, 황색도가 상승한다. 땜납 볼의 외관 검사로서, 황색도를 이용하는 경우가 있고, 산화막 두께의 증가를 억제할 수 없으면, 땜납 볼이 사용에 적합하지 않다고 판단될 가능성이 높아진다.
특허문헌 1에서는, 보관 상태를 엄밀하게 관리함으로써, 땜납 볼 표면의 SnO 산화막의 성장을 억제하도록 하고 있다. 또한, 특허문헌 1에서는, 결정질인 SnO2 산화막이, 땜납 볼의 용융에 수반되는 내부 변형에 의해 파손되기 쉬운 것에 주목하여, 땜납과 전극 단자의 접합성을 향상시키고 있지만, 보관 상태의 관리 이외에, 산화막의 조성으로 산화막의 성장을 억제하는 것에 대한 개시는 일절 없다. 또한, 특허문헌 2에 관해서는, SnO 산화막의 성장을 억제하는 것에 대한 개시는 일절 없다.
따라서, 본 발명은 산화막의 성장을 억제할 수 있도록 하고, 이에 의해, 보관성 및 습윤성이 양호한 땜납 재료, 납땜 조인트 및 땜납 재료의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, Sn을 주성분으로 하는 땜납층을, SnO 및 SnO2를 갖는 피복층으로 피복함으로써, 산화막의 성장을 억제할 수 있는 것을 발견하였다. 또한, SnO 및 SnO2를 갖는 피복층이란, SnO를 주성분으로 하는 산화주석으로 이루어지는 산화 피막층 및 SnO2를 주성분으로 하는 산화주석으로 이루어지는 산화 피막층을 의미한다. 이하의 설명에 있어서도 마찬가지이다.
따라서, 청구항 1에 기재된 발명은, Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금을 포함하는 금속 재료 또는 Sn의 함유량이 100％인 금속 재료를 포함하는 땜납층과, 땜납층의 표면을 피복하는 피복층을 구비한 직경이 1∼1000㎛인 구체이고, 피복층은, 땜납층의 외측에 SnO막이 형성되고, SnO막의 외측에 SnO2막이 형성되고, 피복층의 두께는 0㎚보다 크고 4.5㎚ 이하인 땜납 재료이다.
청구항 2에 기재된 발명은, L*a*b* 표색계에 있어서의 황색도가 5.7 이하인 청구항 1에 기재된 땜납 재료이다.
청구항 3에 기재된 발명은, Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금을 포함하는 금속 재료 또는 Sn의 함유량이 100％인 금속 재료를 포함하는 땜납층과, 땜납층의 표면을 피복하는 피복층을 구비한 직경이 1∼1000㎛인 구체이고, 피복층은, 땜납층의 외측에 SnO막이 형성되고, SnO막의 외측에 SnO2막이 형성되고, L*a*b* 표색계에 있어서의 황색도가 5.7 이하인 땜납 재료이다.
청구항 4에 기재된 발명은, 땜납층은, Ag를 0％ 이상 4％ 미만, Cu를 0％ 이상 1％ 미만, P를 0ppm 이상 5ppm 미만, Ge를 0ppm 이상 20ppm 미만으로 포함하는 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 땜납 재료이다.
청구항 5에 기재된 발명은, 땜납층은, Sn의 함유량이 40％ 이상으로 되도록, (i) Ni, Co, Fe, Sb로부터 선택되는 적어도 1개의 원소를, 전체로 1％ 미만 또는 각각을 1％ 미만 함유하고, 및, In, Bi로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를, 전체로 40％ 미만 또는 In, Bi 중 한쪽을 40％ 미만, 다른 쪽을 20％ 미만 함유하고, 또는, (ii) Ni, Co, Fe, Sb로부터 선택되는 적어도 1개의 원소를, 전체로 1％ 미만 또는 각각을 1％ 미만 함유하거나, 또는, In, Bi로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를, 전체로 40％ 미만 또는 In, Bi 중 한쪽을 40％ 미만, 다른 쪽을 20％ 미만 함유한 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 땜납 재료이다.
청구항 6에 기재된 발명은, 방사되는 α선량이 0.0200cph/㎠ 이하인 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 땜납 재료이다.
삭제
청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 땜납 재료를 사용하여 얻은 납땜 조인트이다.
청구항 9에 기재된 발명은, Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금을 포함하는 금속 재료 또는 Sn의 함유량이 100％인 금속 재료를 포함하는 땜납층을 형성하는 땜납층 형성 공정과, 땜납층의 외측에 SnO막을 형성하고, SnO막의 외측에 SnO2막을 형성하여, 두께가 0㎚보다 크고 4.5㎚ 이하인 피복층을, 땜납층의 표면에 형성하는 산화막 형성 공정을 포함하고, 직경이 1∼1000㎛인 구체를 제조하는 땜납 재료의 제조 방법이다.
청구항 10에 기재된 발명은, 산화막 형성 공정에서, 피복층 표면의 L*a*b* 표색계에 있어서의 황색도가 5.7 이하로 형성되는 청구항 9에 기재된 땜납 재료의 제조 방법이다.
청구항 11에 기재된 발명은, 산화막 형성 공정은, 땜납층의 표면에 O2-Ar 플라즈마를 조사하는 청구항 9 또는 청구항 10에 기재된 땜납 재료의 제조 방법이다.
본 발명에서는, 땜납층을 피복하는 피복층에 있어서, SnO막의 외측에 SnO2막이 형성되면, Sn과 공기 중의 O2의 반응이 억제되어, SnO막 및 SnO2막 성장이 억제되어, 막 두께의 증가를 억제할 수 있고, 또한 막 두께의 증가가 억제됨으로써, 황변이 억제되어, L*a*b* 표색계에 있어서의 황색도를 5.7 이하로 억제할 수 있다. 이에 의해, 보관성 및 습윤성이 양호한 땜납 재료 및 이 땜납 재료를 사용한 납땜 조인트를 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 땜납 재료의 일례로서의 땜납 볼의 모식적인 구조를 도시하는 단면도이다.
도 2a는 본 실시 형태의 땜납 재료의 일례로서의 땜납 볼의 제조 방법을 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2b는 본 실시 형태의 땜납 재료의 일례로서의 땜납 볼의 제조 방법을 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2c는 본 실시 형태의 땜납 재료의 일례로서의 땜납 볼의 제조 방법을 모식적으로 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 땜납 재료, 납땜 조인트 및 땜납 재료의 제조 방법에 대하여 설명한다.
<땜납 재료의 구성예>
도 1은 본 실시 형태의 땜납 재료의 일례로서의 땜납 볼의 모식적인 구조를 도시하는 단면도이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 땜납 재료의 조성에 관한 단위(ppm, ppb 및 ％)는 특별히 지정하지 않는 한 질량에 대한 비율(질량ppm, 질량ppb 및 질량％)을 나타낸다.
본 실시 형태의 땜납 볼(1A)은, 땜납층(2)과, 땜납층(2)을 피복하는 피복층(3)으로 구성된다. 땜납층(2)은 구상이며, Ag를 0％ 이상 4％ 미만, Cu를 0％ 이상 1％ 미만, Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금 재료로 구성된다. 일반적으로, 소정량의 P 또는 Ge를 첨가함으로써 내산화성이 향상되지만, 본 발명에서는 이들을 첨가하지 않고 내산화성을 향상시킬 수 있다. 단, P를 5ppm 미만, Ge를 20ppm 미만 첨가해도 본 발명의 효과를 손상시키는 일은 없다. 따라서, P 또는 Ge는, 첨가하지 않아도 되고, 첨가하는 것이면, P의 첨가량은 5ppm 미만, Ge의 첨가량은 20ppm 미만으로 한다. 따라서, P의 첨가량을 0ppm 이상 5ppm 미만, Ge의 첨가량을 0ppm 이상 20ppm 미만으로 한다.
또한, 땜납층(2)은 Sn의 함유량이 40％ 이상으로 되도록, Ni, Co, Fe, Sb로부터 선택되는 적어도 1개의 원소를, 전체로 1％ 미만 또는 각각을 1％ 미만 함유하고, 및, In, Bi로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를, 전체로 40％ 미만 또는 In, Bi 중 한쪽을 40％ 미만, 다른 쪽을 20％ 미만 함유한다.
또는, Ni, Co, Fe, Sb로부터 선택되는 적어도 1개의 원소를, 전체로 1％ 미만 또는 각각을 1％ 미만 함유하거나, 또는, In, Bi로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를, 전체로 40％ 미만 또는 In, Bi 중 한쪽을 40％ 미만, 다른 쪽을 20％ 미만 함유한다.
또한, 땜납층(2)은 Sn의 함유량이 100％인 금속 재료로 구성되는 것이어도 된다. 또한, 땜납층(2)으로부터 방사되는 α선량이 0.0200cph/㎠ 이하인 것이 바람직하다.
피복층(3)은 땜납층(2)의 외측에 SnO막(3a)이 형성되고, SnO막(3a)의 외측에 SnO2막(3b)이 형성된다. 땜납 볼(1A)이 공기에 접촉함으로써, 땜납층(2)의 표면에 형성되는 SnO의 층은 시간의 경과와 함께 막 두께가 두꺼워진다. 또한, 막 두께가 두꺼워지면, 땜납 볼(1A)의 표면이 황변한다.
이에 반해, SnO막(3a)의 외측에 SnO2막(3b)이 형성되면, Sn과 공기 중의 O2의 반응이 억제되어, SnO막(3a) 및 SnO2막(3b) 자체의 성장이 억제되고, 결과로서 막 두께의 증가가 억제된다. 또한, 막 두께의 증가가 억제됨으로써, 황변이 억제되어, 땜납층(2)을 구성하는 금속 재료가 갖는 색에 가까운 소정의 백은색이 유지된다.
땜납 볼(1A)은, 직경이 1∼1000㎛인 것이 바람직하다. 또한, 피복층(3)의 두께는, 0㎚보다 크고(0㎚는 포함하지 않는 것을 의미함) 4.5㎚ 이하인 것이 바람직하다. 피복층(3)의 두께가 4.5㎚를 초과하면, 납땜 시에 플럭스로 피복층(3)의 제거가 곤란해져, 습윤성이 악화된다.
또한, 땜납 볼(1A)의 황색도 b*는 5.7 이하인 것이 바람직하다. 제조, 보존된 땜납 볼(1A)을 관리할 때에 황색도를 이용하는 경우가 있다. 이것은, 황색도가 높다고 하는 것은, SnO의 막 두께가 두껍다고 하는 것이며, 황색도가 소정값을 초과하는 땜납 볼은, 사용에 적합하지 않은 것으로서 제외할 수 있도록 하기 위해서이다.
명도 및 황색도는, 코니카 미놀타제 CM-3500d2600d형 분광 측색계를 사용하여, D65 광원, 10도 시야로 JIS Z 8722 「색의 측정 방법-반사 및 투과 물체색」에 준하여 분광 투과율을 측정하여, 색채값(L*, a*, b*)으로부터 구하였다.
또한, 색채값(L*, a*, b*)은 JIS Z 8729 「색의 표시 방법-L*a*b* 표색계 및 L*U*V* 표색계」에 규정되어 있는 대로이다.
또한, 땜납 재료의 형상은, 본 예에서는 구상으로 하였지만, 원통 형상, 사각 기둥 형상 등, 다른 형상이어도 된다. 또한, 땜납 볼(1A)로부터 방사되는 α선량도 0.0200cph/㎠ 이하인 것이 바람직하다.
<땜납 재료의 제조 방법예>
도 2a, 도 2b 및 도 2c는 본 실시 형태의 땜납 재료의 일례로서의 땜납 볼의 제조 방법을 모식적으로 도시한 단면도이다.
땜납층 형성 공정에서는, 도 2a에 도시한 바와 같이, 상술한 Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금을 포함하는 금속 재료, 또는, Sn의 함유량이 100％인 금속 재료로, 구상의 땜납층(2)이 형성된다. 땜납층 형성 공정은, 본 예에서는, 용융한 금속 재료를 적하하여 구상으로 경화시키는 적하법이 사용된다.
산화막 형성 공정에서는, 도 2b에 도시한 바와 같이, 땜납층(2)의 표면이 공기에 접촉함으로써 생성되는 SnO막(3a)의 표면에, 도 2c에 도시한 바와 같이, SnO2막(3b)이 형성된다. 산화막을 형성하는 방법으로서는, 종래 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 증착법, 스퍼터링법, 플라즈마 조사법 등을 들 수 있다. 본 예에서는, 산화막 형성 공정을 공지의 대기압 플라즈마 장치를 사용하여 플라즈마 조사법에 의해 실현한다. 플라즈마 조사법은, 용융한 금속이 적하되어 경화될 때까지의 동안에, 고농도의 O2-Ar 플라즈마가 조사된다.
이상의 제조 방법에 의해, 소정의 직경을 가진 땜납층(2)의 표면에 피복층(3)이 형성된 땜납 볼(1A)이 제조된다. 피복층(3a)은 두께가 0㎚보다 크고 4.5㎚ 이하이고, 땜납층(2)의 외측에 SnO막(3a)이 형성되고, SnO막(3a)의 외측에 SnO2막(3b)이 형성된다. 또한, 땜납 볼(1A)의 황색도는 5.66 이하이다.
<실시예>
Ag가 3％, Cu가 0.5％, 잔부가 Sn으로 이루어지는 금속 재료로, 적하법에 의해 땜납층(2)에 상당하는 금속구를 제작하였다. 이 금속구에, 플라즈마 조사법에 의해 피복층(3)에 상당하는 피막을 형성하여 실시예의 땜납 볼을 생성하였다. 플라즈마 조사법은, 용융한 금속이 적하되어 경화될 때까지의 동안에 고농도의 O2-Ar 플라즈마를 조사하였다.
비교예로서, 자연 산화에 의해 표면에 SnO의 층이 형성된 땜납 볼을 생성하였다.
실시예와 비교예의 땜납 볼을 200℃에서 가열하여, 산화 거동을 황색도 b*의 값으로 관찰한 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112016128471251-pct00001
표 1에 나타내는 바와 같이, 비교예의 땜납 볼은 빠르게 황색도 b*의 값이 상승한 것에 대하여, 실시예의 땜납 볼은, SERA(Sequential Electrochemical Reduction Analysis : 연속 전기 화학 환원법)에 의한 정성 분석에 의해, Sn을 주성분으로 한 땜납층의 외측에 SnO의 층이 형성되고, SnO의 층의 외측에 SnO2의 층이 형성됨으로써, 산화막 두께의 성장이 억제되어 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 참고로 비교예에 있어서 산화 공정과 가열 시험 공정을 분리하기 위해, 200℃에서 1분간의 가열을 행하고, 그 후, 냉각한 후에 다시 가열을 행하여 보았지만, 공정 분리 전과 마찬가지로 빠르게 황색도 b*의 값이 상승하였다.
다음에, 상술한 실시예의 땜납 볼로서, 200℃에서 15분간 가열한 실시예 1의 땜납 볼과, 200℃에서 30분간 가열한 실시예 2의 땜납 볼의 산화막 두께를 FE-AES(전계 방사형 오제 전자 분광법)에 의해 정량 분석하고, 또한, 형성된 산화막의 성분이 Sn의 산화물(SnO 및 SnO2)인 것의 확인을 SERA에 의해 정성 분석하였다.
또한, 정량 분석을 FE-AES에 의해 실시한 것은, SERA에 의한 분석값은 분산하기 쉬워, 정성 분석은 가능하지만, 구체적인 산화막 두께를 정량 분석으로서 의론하기 위해서는 FE-AES 분석쪽이 일정값을 나타내기 쉽기 때문이다. 산화막의 막 두께는, 이하의 장치 및 조건에 의해 측정되었다. 또한, 산화막 두께 측정값은 SiO2 환산에 의해 구하였다.
측정 장치 : ULVAC-PHI, INC제 주사형 FE 오제 전자 분광 분석 장치
측정 조건 : Beam Voltage : 10kV, 시료 전류 : 10nA(Ar 이온총을 사용한 스퍼터 깊이의 측정 방법은, ISO/TR 15969에 준거.)
표 2에 산화막 두께와 황색도의 측정 결과를 나타낸다.
Figure 112016128471251-pct00002
표 2에 나타내는 바와 같이, 산화막 두께는 5㎚ 이하로 억제되어 있는 것을 알 수 있고, 피복층의 막 두께는 4.5㎚ 이하로 하는 것이 바람직한 것을 알 수 있다. 또한, 황색도는 10 이하로 억제되어 있는 것을 알 수 있고, 표 2의 결과로부터, 5.7 이하로 하는 것이 바람직한 것을 알 수 있다.
다음에, 상술한 실시예와 비교예의 땜납 볼로, 막 두께, 황색도를 변화시킨 것을 제작하고, 보관성과 습윤성을 검증하였다.
각 실시예의 땜납 볼은, 막 두께가 4.5㎚ 이하이고, 실시예 1의 땜납 볼은 막 두께가 2.6㎚, 실시예 2의 땜납 볼은 막 두께가 4.1㎚, 실시예 3의 땜납 볼은 막 두께가 1.5㎚였다.
또한, 각 실시예의 땜납 볼은 황색도가 5.7 이하이고, 실시예 1의 땜납 볼은 황색도가 4.60, 실시예 2의 땜납 볼은 황색도가 5.66, 실시예 3의 땜납 볼은 황색도가 3.90이었다.
한편, 각 비교예의 땜납 볼은, 막 두께가 10㎚ 이상이고, 또한, 황색도가 10 이상이고, 비교예 1의 땜납 볼은 황색도가 10.21, 비교예 2의 땜납 볼은 황색도가 13.15였다.
검증 결과를 표 3에 나타낸다
Figure 112016128471251-pct00003
표 3에 나타내는 바와 같이, 실시예 1부터 실시예 3의 땜납 볼에서는, 보관성 및 습윤성 모두, 소정의 조건을 만족시키고, 한편, 각 비교예의 땜납 볼은, 보관성 및 습윤성 모두, 소정의 조건을 만족시키지 않았다.
따라서, 피복층의 두께가 0㎚보다 크고 4.5㎚ 이하, 황색도 b*가 5.7 이하인 땜납 볼에서는, 보관성 및 습윤성 모두 향상되는 것을 알 수 있었다.
또한, 본 발명에 관한 땜납 재료는, 땜납 페이스트로 전극에 전기적으로 접합됨으로써, 전자 부품의 납땜 조인트에 사용할 수 있다.
1A : 땜납 볼
2 : 땜납층
3 : 피막층
3a : SnO막
3b : SnO2막

Claims (11)

  1. Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금을 포함하는 금속 재료 또는 Sn의 함유량이 100％인 금속 재료를 포함하는 땜납층과,
    상기 땜납층의 표면을 피복하는 피복층을 구비한 직경이 1∼1000㎛인 구체이고,
    상기 피복층은, 상기 땜납층의 외측에 SnO막이 형성되고, 상기 SnO막의 외측에 SnO2막이 형성되고, 상기 피복층의 두께는 0㎚보다 크고 4.5㎚ 이하인 것을 특징으로 하는, 땜납 재료.
  2. 제1항에 있어서,
    L*a*b* 표색계에 있어서의 황색도가 5.7 이하인 것을 특징으로 하는, 땜납 재료.
  3. Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금을 포함하는 금속 재료 또는 Sn의 함유량이 100％인 금속 재료를 포함하는 땜납층과,
    상기 땜납층의 표면을 피복하는 피복층을 구비한 직경이 1∼1000㎛인 구체이고,
    상기 피복층은, 상기 땜납층의 외측에 SnO막이 형성되고, 상기 SnO막의 외측에 SnO2막이 형성되고,
    L*a*b* 표색계에 있어서의 황색도가 5.7 이하인 것을 특징으로 하는, 땜납 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 땜납층은, Ag를 0％ 이상 4％ 미만, Cu를 0％ 이상 1％ 미만, P를 0ppm 이상 5ppm 미만, Ge를 0ppm 이상 20ppm 미만으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 땜납 재료.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 땜납층은, Sn의 함유량이 40％ 이상으로 되도록,
    (i) Ni, Co, Fe, Sb로부터 선택되는 적어도 1개의 원소를, 전체로 1％ 미만 또는 각각을 1％ 미만 함유하고, 및, In, Bi로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를, 전체로 40％ 미만 또는 In, Bi 중 한쪽을 40％ 미만, 다른 쪽을 20％ 미만 함유하고,
    또는,
    (ii) Ni, Co, Fe, Sb로부터 선택되는 적어도 1개의 원소를, 전체로 1％ 미만 또는 각각을 1％ 미만 함유하거나, 또는, In, Bi로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를, 전체로 40％ 미만 또는 In, Bi 중 한쪽을 40％ 미만, 다른 쪽을 20％ 미만 함유한 것을 특징으로 하는, 땜납 재료.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    방사되는 α선량이 0.0200cph/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는, 땜납 재료.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. Sn의 함유량이 40％ 이상인 합금을 포함하는 금속 재료 또는 Sn의 함유량이 100％인 금속 재료를 포함하는 땜납층을 형성하는 땜납층 형성 공정과,
    상기 땜납층의 외측에 SnO막을 형성하고, 상기 SnO막의 외측에 SnO2막을 형성하여, 두께가 0㎚보다 크고 4.5㎚ 이하인 피복층을, 상기 땜납층의 표면에 형성하는 산화막 형성 공정을 포함하고, 직경이 1∼1000㎛인 구체를 제조하는 것을 특징으로 하는, 땜납 재료의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 산화막 형성 공정에서, 상기 피복층 표면의 L*a*b* 표색계에 있어서의 황색도가 5.7 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는, 땜납 재료의 제조 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 산화막 형성 공정은, 상기 땜납층의 표면에 O2-Ar 플라즈마를 조사하는 것을 특징으로 하는, 땜납 재료의 제조 방법.
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