KR101553004B1

KR101553004B1 - 자성막 부착체 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR101553004B1
Application number: KR1020117009843A
Authority: KR
Inventors: 코이치 콘도; 히로시 오노; 유키히로 누마타
Original assignee: 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤
Priority date: 2008-11-12
Filing date: 2009-07-29
Publication date: 2015-09-14
Also published as: US20150235764A1; US20110217531A1; KR20110093771A; CN102209997B; JP4416178B1; WO2010055597A1; CN102209997A; US9991051B2; JP2010138484A

Abstract

자성막을 기체(基體)에 부착하여 이루어진 자성막 부착체의 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법은, 기체를 준비하는 공정과, 교대로 적층된 유기물막 및 페라이트막으로 이루어진 자성막을 기체 위에 형성하는 공정을 구비한다. 이 제조 방법에 있어서, 자성막을 형성하는 공정은, 20㎛ 이하의 막 두께를 가지는 페라이트막을 페라이트 도금법에 의해 형성하는 공정과, 0.1㎛ 이상 20㎛ 이하의 막 두께를 가지는 유기물막으로서, 상기 유기물막의 막 두께(t)와 영률(E)의 비(t/E)가 0.025㎛/GPa 이상인 유기물막을 형성하는 공정을 교대로 행하는 것이다.

Description

자성막 부착체 및 그 제조 방법{BODY WITH MAGNETIC FILM ATTACHED AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR}

본 발명은, 기체에 자성막, 특히 스피넬형 페라이트막을 부착하여 이루어진 자성막 부착체와, 자성막 부착체의 제조 방법에 관한 것이다.

페라이트 도금법은, 양질의 페라이트막을 제공하는 것으로, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시되어 있다. 페라이트 도금법은 : 적어도 제 1 철 이온을 포함하는 특정 수용액을 준비하는 단계와; 기체의 표면을 특정 수용액에 접촉시켜, Fe² ⁺이온 또는 Fe² ⁺이온과 다른 수산화 금속 이온을 기체의 표면에 흡착시키는 단계와; 흡착한 Fe² ⁺이온을 산화시킴으로써 Fe³ ⁺이온을 얻으며, Fe³ ⁺이온과 특정 수용액 중의 수산화 금속 이온으로 페라이트 결정화 반응을 일으키게 하여, 기체의 표면에 페라이트막을 형성하는 단계를 구비하고 있다.

이 페라이트 도금법에 따르면, 기체가 수용액에 대해 내성을 가지고 있는 한, 모든 기체를 이용할 수 있다. 또한, 페라이트 도금법은 수용액을 통한 반응에 근거하고 있기 때문에, 비교적 저온(상온~수용액의 비점 이하)에서 스피넬형 페라이트막을 생성할 수 있다. 따라서, 페라이트 도금법은, 다른 페라이트막 형성 기술과 비교하여, 기체에 대한 한정이 적다고 하는 점에서 우수하다. 또한, 페라이트 도금법에 따른 페라이트막은, 세라믹이면서 유연하고, 취급이 용이하다는 점에서 우수하다.

페라이트 도금법에 관련된 문헌으로서는, 특허문헌 2~특허문헌 6 및 비특허문헌 1이 있다. 특허문헌 2는, 형성된 페라이트막의 균질화 및 페라이트막의 형성 공정에서의 반응속도의 향상을 도모하는 기술을 개시하고 있다. 특허문헌 3은, 기체 표면을 플라즈마 처리에 의해 표면을 변성시킴으로써 기체 표면에 계면활성을 부여하여 다양한 기체에 대해 페라이트막을 형성하고자 하는 기술을 개시하고 있다. 특허문헌 4는, 페라이트막의 형성 속도의 향상에 관한 기술을 개시하고 있다. 특허문헌 5는, 페라이트막 또는 그 지지체를 절연성 재료로 코팅함으로써, 페라이트막 또는 그 지지체의 절연성 향상을 도모하는 기술을 개시하고 있다. 특허문헌 6은, 광범위한 주파수 대역에 걸쳐 높은 투자율을 가지는 페라이트 박막에 관한 기술을 개시하고 있다. 특허문헌 7은, 왜곡 완화 화합물층과 페라이트 구성 원자의 층을 적층시킴으로써 자성막(페라이트막)을 형성하는 기술을 개시하고 있다. 비특허문헌 1은, 특허문헌 6의 기술에 근거하는 페라이트 박막을 이용한 노이즈 억제체에 관한 기술을 개시하고 있다.

특허문헌 1 : 일본국 공개특허공보 소59-111929호

특허문헌 2 : 일본국 공개특허공보 소60-140713호

특허문헌 3 : 일본국 공개특허공보 소61-030674호

특허문헌 4 : 일본국 공개특허공보 평02-166311호

특허문헌 5 : 일본국 공개특허공보 제2005-298875호

특허문헌 6 : 일본국 공개특허공보 제2005-191098호

특허문헌 7 : 일본국 공개특허공보 평1-122929호

비특허문헌 1 : 「폴리이미드 시트 형상으로 도금한 페라이트 박막의 GHz 전도 노이즈 억제 효과」: NEC TOKIN Technical Review vol.31,p.92,2004; 콘도 코이치, 치바 타츠야, 오노 히로시, 요시다 시게요시, 아베 마사노리

특허문헌 7의 기술에 따르면, 자성막의 막 두께가 2㎛를 초과하는 경우에 있어서도, 박리가 발생하지 않는 것으로 되어 있지만, 형성 조건에 따라서는, 막 두께가 2㎛를 초과하는 경우에 기체로부터 자성막이 박리하거나 자성막 자체가 손상하거나 할 우려가 있었다.

따라서, 본 발명은 자성막을 기체에 부착시킬 때의 적절한 형성 조건을 정하여, 자성막의 막 두께가 2㎛를 초과하는 경우에 있어서도 박리가 발생하지 않는 자성막 부착체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 자성막 부착체의 제조 방법에 따라 제조된 자성막 부착체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일측면은, 기체(基體)를 준비하는 공정과, 교대로 적층된 유기물막 및 페라이트막으로 이루어진 자성막을 상기 기체 위에 형성하는 공정을 구비하는 자성막 부착체의 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법에 있어서, 상기 자성막을 형성하는 공정은, 20㎛ 이하의 막 두께를 가지는 페라이트막을 페라이트 도금법에 의해 형성하는 공정과, 0.1㎛ 이상 20㎛ 이하의 막 두께를 가지는 유기물막으로서, 상기 유기물막의 막 두께(t)와 영률(E)의 비(t/E)가 0.025㎛/GPa 이상인 유기물막을 형성하는 공정을 교대로 행하는 것이다.

본 발명의 다른 측면은, 기체와 상기 기체에 부착된 자성막을 구비한 자성막 부착체로서, 상기 자성막은, 교대로 적층된 유기물막과 페라이트막을 구비하고 있으며, 상기 유기물막과 상기 페라이트막의 밀착 강도는 0.1kN/m 이상인, 자성막 부착체를 제공한다.

본 발명에 따르면, 적절한 형성 조건을 설정함으로써 높은 밀착 강도를 가지는 페라이트막과 유기물막으로 이루어진 자성막을 기체 위에 형성할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 자성막 부착체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 자성막 부착체의 제조 방법에서 이용한 장치를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 자성막 부착체의 변형예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 밀착 강도의 평가방법을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 유연성의 평가방법을 모식적으로 나타내는 도면이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 따른 자성막 부착체(10)는, 기체(3)와, 그 기체(3)에 부착된 자성막(5)을 구비한 것이다. 여기서, 자성막(5)은, 교대로 적층된 유기물막(6)과 페라이트막(7)을 구비하고 있으며, 유기물막(6)과 페라이트막(7)의 밀착 강도는 0.1kN/m 이상이다. 특히, 본 실시형태에 따른 자성막 부착체(10)에 있어서는, 기체(3) 위에 직접 형성되어 있는 것은 페라이트막(7)이 아니라 유기물막(6)이며, 기체(3)와 기체(3)에 직접 형성된 유기물막(6)의 밀착 강도도 0.1kN/m 이상이다. 이와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 기체(3), 유기물막(6) 및 페라이트막(7)의 어느 사이에 있어서도, 밀착 강도를 0.1kN/m 이상으로 했기 때문에, 박리 문제가 발생하지 않는다. 덧붙여, 본 실시형태에 있어서 밀착 강도는, 규격 JIS C5016(플렉시블 프린트 배선판 시험방법)에 따라 행한 필링(peeling) 시험에 의해 평가한 값이다.

각 사이의 밀착 강도를 0.1kN/m 이상으로 하기 위하여, 본 실시형태는 페라이트막(7)의 막 두께, 유기물막(6)의 막 두께, 및 유기물막(6)의 막 두께(t)와 영률(E)의 비(t/E)에 대한 최적 조건을 다음과 같이 규정한다. 우선, 각 유기물막(6)에 대해 t/E를 0.025㎛/GPa 이상으로 한다. 이러한 조건을 만족하는 유기물막(6)을 이용하면, 충분한 응력 완화 작용을 얻을 수 있다. 추가로, 페라이트막(7) 사이에 0.1㎛ 이상의 막 두께를 가지는 유기물막(6)을 개재(介在)시키는 한편, 각 페라이트막(7)의 막 두께를 20㎛ 이하로 함으로써, 전술한 바와 같은 0.1kN/m 이상의 밀착 강도를 얻을 수 있다. 덧붙여, t/E에 대해서는, 생산성 등을 고려하여, 1000㎛/GPa 이하인 것이 바람직하다. 또한, 자성막(5)에 포함되는 페라이트막(7)의 총 막 두께를 1㎛ 이상으로 함으로써, 높은 전자기적 효과를 발휘할 수 있는 자성막(5)을 얻을 수 있다. 또한, 각 유기물막(6)의 막 두께를 20㎛ 이하로 함으로써, 본 실시형태에 따른 자성막 부착체를 이용한 디바이스의 소형화를 도모할 수 있다.

기체(3)의 재질로서는, 전술한 바와 같이, 수용액에 대해 내성이 있는 재질이면 특별히 한정은 없다. 예를 들면, 폴리이미드 시트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 각종 플라스틱류, 구리, 니켈, 은, 금, 텅스텐, 몰리브텐, 백금, 팔라듐, 철, 철합금 등의 금속류, 각종 유기 적층판, 즉 종이 기재 엑폭시, 유리 천 에폭시, 유리기재 폴리에스테르 등의 적층판, 각종 유리류, 세라믹 등을 기체(3)의 재료로서 이용할 수 있다.

본 실시형태에 있어서, 유기물막(6)을 이용한 목적은, 페라이트막(7)끼리의 절연이나, 페라이트막(7)과 외부의 절연을 취하는 것은 아니다. 따라서, 유기물막(6)의 재료로서는, 모든 비저항의 물질을 이용하는 것이 가능하다. 예를 들면, 유기물막(6)은, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 요소 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리초산비닐, ABS 수지, 아크릴 수지, 폴리아미드, 나일론, 폴리아세탈, 폴리카보네이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 비정질(amorphous) 폴리아릴레이트, 액정 폴리머, 폴리아미드이미드 등의 수지로 이루어지는 것이어도 되고, 그들 수지 중에 금속 분말을 함유한 것이어도 된다. 또한, 유기물막(6)은, 수지에 자성체 분말을 함유하여 이루어지는 것이어도 된다. 자성체 분말의 재료로서는, 예를 들면, 페라이트, Fe, Fe-Co합금, Fe-Si합금, Fe-Si-Al 등의 Fe기 합금이나 Ni, Ni-Fe합금 등의 Ni기 합금이 있다. 또한, 유기물막(6)은, 카본이나 금속 분말 등을 수지에 함유하여 이루어지는 고유전율 재료여도 된다.

본 실시형태에 있어서, 유기물막(6)의 성막 방법에는 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 적당한 유동성을 갖게 한 수지 등을 스핀 코터 등의 도포 장치로 도포하여 유기물막(6)을 성막해도 되며, 스퍼터 등의 성막 장치로 유기물막(6)을 성막 해도 된다.

본 실시형태에 있어서, 페라이트막(7)은, 페라이트 도금법에 의해 형성된 것이다. 여기서 페라이트 도금 형성에는, 예를 들면, 도 2에 도시한 성막 장치를 이용할 수 있다. 도시된 성막 장치는, 기체(3)에 대해 페라이트막을 형성하기 위한 장치로서, 반응액 노즐(1)과, 산화액 노즐(2)과, 회전 테이블(4)를 구비하고 있다. 회전 테이블(4)은, 그 축 주위로 회전 가능한 테이블이며, 기체(3)는 회전 테이블(4)의 회전에 따라 이동한다. 반응액 노즐(1)은, 적어도 제 1 철 이온을 포함하는 반응액을 회전 테이블(4) 측을 향해 공급하기 위한 것으로, 회전 테이블(4)의 상방에 고정되어 있다. 산화액 노즐(2)은, 적어도 산화제를 포함하는 산화액을 회전 테이블(4) 측을 향해 공급하기 위한 것으로, 회전 테이블(4)의 상방에 고정되어 있다. 도시된 성막 장치에 있어서, 반응액 노즐(1)은, 정지 상태에 있는 회전 테이블(4)의 일방의 절반(half) 영역 위에 위치하고 있으며, 산화액 노즐(2)은, 정지 상태에 있는 회전 테이블(4)의 타방의 절반 영역 위에 위치하고 있다. 반응액 노즐(1)로부터 반응액을 공급하며, 산화액 노즐(2)로부터 산화액을 공급하면서 회전 테이블(4)을 회전시키면, 기체(3)에는 반응액과 산화액이 교대로 공급되는 한편, 여분의 반응액과 산화액은 원심력으로 제거되게 된다. 그 결과, 기체(3) 위에는 페라이트 도금법 베이스의 페라이트막이 형성된다. 덧붙여, 페라이트막(7)은 서로 조성이 상이해도 된다.

본 실시형태에 있어서, 기체(3)에 직접 형성된 것은, 페라이트막(7)은 아니었지만, 예를 들면, 도 3에 도시한 바와 같이, 자성막 부착체(10a)는, 기체(3)에 직접 페라이트막(7)을 형성하여 이루어진 자성막(5a)을 구비하는 것으로 해도 된다. 이 경우, 기체(3)는, 유기물로 이루어진 것이어도 된다. 이 경우의 기체(3)의 유기물에 대해서도 유기물막(6)의 경우와 마찬가지로, t/E가 0.025㎛/GPa 이상인 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 유기물로 이루어지는 기체(3)와, 그에 직접 형성된 페라이트막(7)의 밀착 강도도 0.1kN/m 이상으로 할 수 있다. 덧붙여, 기체(3)의 유기물에 관해서도, 1000㎛/GPa 이하인 것이 바람직하다.

자성막 부착체의 특성 평가를 위해, 이하의 표에 나타내는 자성막 부착체를 형성하였다. 여기서, 실시예 1~5는 각각 본 실시형태에 따른 조건을 만족하는 자성막 부착체이며, 비교예 1~5는 각각 본 실시형태에 따른 조건을 만족하지 않는 자성막 부착체이다.

[표 1]

이하, 표에 기재된 각 실시예에 대해 크기는 제조 조건에 대해 보충 설명한다.

유리판으로 이루어진 기체(3)의 크기는, 50㎜×50㎜×1㎜이며, 폴리이미드 시트로 이루어진 기체(3)의 크기는, 50㎜×50㎜×25㎛이다. 전자의 예는, 실시예 1~3과 비교예 1~3이며, 후자의 예는, 실시예 4 및 5와 비교예 4이다.

유기물막(6)으로서 예시되어 있는 것 중, 「폴리이미드 A」는 비교적 높은 영률(영률 4GPa)을 가지는 폴리이미드막이며, 「폴리이미드 B」는 비교적 낮은 영률(영률 3GPa)을 가지는 폴리이미드막이다. 폴리이미드막의 형성 방법에 대해, 유리판 형상으로 형성한 경우를 예로 들어 설명한다. 우선, 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산에 희석제를 첨가하고, 이를 혼합하였다. 다음으로, 스핀 코터를 이용하여 조금 전의 혼합물을 유리판의 표면에 도포하였다. 도포 두께는 용액의 점도와 스핀 코터의 회전 수 등에 의해 조정하였다. 그 후, 용액을 도포한 유리판을 90℃에서 5분간 가열한 후, 320℃에서 60분간 가열하여, 유리판 위에 폴리이미드막을 형성하였다. 이 형성시의 조건을 조정하면, 고(高)영률(4GPa)의 폴리이미드 A나 저(低)영률(3GPa)의 폴리이미드 B로 이루어진 유기물막(6)을 형성할 수 있다.

실시예 5의 유기물막(6)은, 에폭시 수지와 Fe의 혼합물이다. 이 유기물막(6)은, 에폭시 수지의 프리폴리머(prepolymer)에 평균 입자 직경 3㎛인 Fe입자를 45vol% 혼합하며, 경화제를 더 혼합하였다. 다음으로, 그 혼합물을 평균 두께가 20㎛가 되도록 도포하였다. 또한, 도포막을 100℃에 6시간 유지하여 경화시켰다. 이와 같이 하여, 형성된 에폭시 수지와 Fe의 혼합물의 비저항은 약 100Ω㎝였다.

페라이트막(7)은, 다음과 같이 하여 형성하였다. 우선, 전처리로서, 기체(3)를 회전 테이블(4) 위에 설치하고, 그 회전 테이블(4)을 회전시킨 상태에서, 탈산소이온 교환수를 공급하면서 90℃까지 가열하였다. 다음으로, 성막 장치 내에 질소 가스를 도입하여, 탈산소 분위기를 형성하였다. 다음으로, 반응액을 반응액 노즐(1)로부터 기체(3) 위로 공급하는 단계와, 산화액을 산화액 노즐(2)로부터 기체(3)로 공급하는 단계를 회전 테이블(4)을 회전시킨 상태에서 행하였다. 즉, 반응액을 공급하는 단계와, 산화액을 공급하는 단계를 교대로 반복하였다. 이때, 반응액과 산화액 공급시의 유량은, 모두 40㎖/min로 하였다. 또한, 반응액은, FeCl₂-4H₂O, NiCl₂-6H₂O, ZnCl₂를 탈산소이온 교환수 중에 녹여 형성하였다. 한편, 산화액은, NaNo₂와 CH₃COONH₄를 탈산소이온 교환 수 중에 녹여 형성하였다. 반응액 및 산화액은, 예를 들면, US2009-0047507 A1이나 US2007-0231614 A1 등을 참조하여 형성해도 된다. 덧붙여, 여기에서는, 기체(3) 위에 페라이트막(7)을 형성하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 유기물막(6) 위에 페라이트막(7)을 형성하는 경우도 동일한 방법에 의해 행하였다.

표에 나타내는 실시예 1~5와 비교예 1~4에서의 페라이트막의 화학 조성에 대하여, 유전결합 플라즈마 발광 분광(ICPS)법에 의해 평가하였다. 그 결과, 어떤 페라이트막의 평균적인 조성도 Ni_0.2Zn_0.3Fe_2.5O₄였다. 막 두께의 측정과 같은 구조 해석에는, 주사형 전자현미경(SEM)을 사용하였다.

밀착 강도의 평가는, JIS C5016(플렉시블 프린트 배선판 시험방법) 규격에 따라 행하여, 필링 강도(peeling intensity)를 밀착 강도로 하였다. 상세하게는, 도 4에 도시한 바와 같이, 얻어진 자성막 부착체(10)를 양면 테이프(22)로 설치대(20)에 고정하였다. 또한, 최상층의 페라이트막(7)에 양면 테이프(22)로 PET 필름(24)을 부착하였다. 그 상태에서, PET 필름(24)을 90°의 방향으로 잡아당겨 박리(peeling)하였다. 박리한 층간 위치와 그때의 포스 게이지의 눈금을 기록하여, 이 값을 밀착 강도로 하였다.

유연성의 평가는, JIS C5016(플렉시블 프린트 배선판 시험방법) 규격에 따라 행하였다. 상세하게는, 도 5에 도시한 바와 같이, 우선, 굴곡 반경(R)을 3㎜로 하여 얻어진 자성막 부착체(10)를 벤딩시켰다. 또한, 자성막 부착체(10)의 단부(端部)를 각각 고정판(30)과 진동판(32)에 부착하였다. 그 상태에서, 진동판(32)에 30㎜의 스트로크를 2왕복/s의 주기로 부여하고, 10만회 왕복시킨 굴곡 시험을 행하였다. 10만회 왕복시킨 굴곡 시험 후의 각 층 사이에서의 박리의 유무를 육안으로 조사하였다. 그 결과, 박리가 없는 경우에, 유연성은 양호한 것으로 판정하였다. 덧붙여, 이 굴곡 시험은, 기체가 유리판인 경우에는 벤딩시킬 수 없기 때문에, 기체가 폴리이미드인 자성막 부착체인 것에 대해서만 행하였다. 이들 평가 결과도 전술한 표에 나타내고 있다.

표의 내용으로부터 명확한 바와 같이, 실시예 1~5의 자성막 부착체에 있어서는, 각 유기물막(6)의 막 두께가 0.1㎛ 이상 20㎛ 이하이며, 각 유기물막(6)의 막 두께(t)와 영률(E)의 비(t/E)가 0.025㎛/GPa 이상이며, 각 페라이트막(7)의 막 두께가 20㎛ 이하이므로, 기체(3), 유기물막(6) 및 페라이트막(7)의 각 사이에 있어서의 밀착 강도가 0.1kN/m 이상이 된다. 그 때문에, 자성막 부착체(10)에서의 박리는 발생하지 않는다.

한편, 비교예 1~3의 자성막 부착체의 경우, 유기물막의 막 두께나 영률, 페라이트막의 막 두께 등의 조건을 만족하지 않으므로, 자성막 부착체 내에서 밀착 강도가 0.1kN/m 이하가 되어, 자성막 부착체(10)의 어느 층 사이에서 박리가 발생하고 있다. 또, 비교예 4의 경우, 10만회의 굴곡 시험 후에 박리가 관찰되었다. 이 원인은, 유기물로 이루어진 기체(3)에 대해 단층의 페라이트막(7)이 형성되었기 때문이라고 생각된다.

산업상 이용 가능성

본 발명에 따른 자성막 부착체는, 인덕턴스 소자, 임피던스 소자, 자기 헤드, 마이크로파 소자, 자왜(磁歪) 소자, 및 전자 간섭 억제체 등의 고주파 자기 디바이스에서 이용할 수 있다. 특히, 페라이트막을 포함하는 자성막을 비교적 두껍게 하고자 하는 경우에 적합하다. 여기서, 전자 간섭 억제체란, 고주파 영역에서 불필요한 전자파의 간섭에 의해 발생하는 전자 장해를 억제하기 위한 것이다.

1 : 반응액 노즐
2 : 산화액 노즐
3 : 기체
4 : 회전 테이블
5, 5a : 자성막
6 : 유기물막
7 : 페라이트막
10, 10a : 자성막 부착체
20 : 설치대
22 : 양면 테이프
24 : PET 필름
30 : 고정판
32 : 진동판
R : 굴곡 반경

Claims

기체(基體)를 준비하는 공정과, 교대로 적층된 유기물막 및 페라이트막으로 이루어진 자성막을 상기 기체 위에 형성하는 공정을 구비하는 자성막 부착체의 제조 방법으로서,
상기 자성막을 형성하는 공정은,
20㎛ 이하의 막 두께를 가지는 페라이트막을 페라이트 도금법에 의해 형성하는 공정과,
0.1㎛ 이상 20㎛ 이하의 막 두께를 가지는 유기물막으로서, 상기 유기물막의 막 두께(t)와 영률(E)의 비(t/E)가 0.025㎛/GPa 이상인 유기물막을 형성하는 공정을 교대로 행하는 것인, 자성막 부착체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 자성막을 형성하는 공정은, 상기 기체 위에 1층의 상기 유기물막을 형성하는 공정을 포함하고 있는, 자성막 부착체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 자성막을 형성하는 공정은, 상기 기체 위에 1층의 상기 페라이트막을 형성하는 공정을 포함하고 있는, 자성막 부착체의 제조 방법.
기체와 상기 기체에 부착된 자성막을 구비하는 자성막 부착체로서,
상기 자성막은, 교대로 적층된 유기물막과 페라이트막을 구비하고 있으며,
상기 유기물막과 상기 페라이트막의 밀착 강도는 0.1kN/m 이상이고,
상기 페라이트막 각각은, 20㎛ 이하이며,
상기 유기물막 각각은, 0.1㎛ 이상 20㎛ 이하의 두께를 가지고 있으며,
상기 유기물막 각각의 막 두께(t)와 상기 유기물막의 영률(E)의 비(t/E)는, 0.025㎛/GPa 이상인, 자성막 부착체.
제 4 항에 있어서,
상기 기체 위에는 상기 자성막의 상기 유기물막이 직접 형성되어 있으며,
상기 직접 형성된 상기 유기물막과 상기 기체의 밀착 강도는 0.1kN/m 이상인, 자성막 부착체.
제 4 항에 있어서,
상기 기체는 유기물로 이루어진 것이고,
상기 기체 위에는 상기 자성막의 상기 페라이트막이 직접 형성되어 있으며,
상기 직접 형성된 상기 페라이트막과 상기 기체의 밀착 강도는 0.1kN/m 이상인, 자성막 부착체.
제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 자성막에 포함되는 상기 페라이트막의 총 막 두께는 1㎛ 이상인, 자성막 부착체.
제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 페라이트막은, 페라이트 도금법에 의해 형성된 것인, 자성막 부착체.
제 7 항에 있어서,
상기 페라이트막은, 페라이트 도금법에 의해 형성된 것인, 자성막 부착체.