KR101531985B1 - 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 - Google Patents

진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101531985B1
KR101531985B1 KR1020130110440A KR20130110440A KR101531985B1 KR 101531985 B1 KR101531985 B1 KR 101531985B1 KR 1020130110440 A KR1020130110440 A KR 1020130110440A KR 20130110440 A KR20130110440 A KR 20130110440A KR 101531985 B1 KR101531985 B1 KR 101531985B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processed
processing
chamber
time
transporting
Prior art date
Application number
KR1020130110440A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140046983A (ko
Inventor
게이타 노기
데루오 나카타
겐지 다마이
미치노리 가와구치
요시로 스에미츠
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Publication of KR20140046983A publication Critical patent/KR20140046983A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101531985B1 publication Critical patent/KR101531985B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Abstract

처리실이 연결되어 있는 반송 기구부에, 복수의 반송 로봇이 배치되고, 복수의 반송 로봇 사이에서 피처리체의 수도가 행하여지는 선형 툴의 진공 처리 장치에서, 어느 처리실에서 처리를 완료한 웨이퍼가, 처리 종료 후에 다른 웨이퍼가 반송 로봇을 점유함으로써, 처리실 내에서 기다리는 시간이 장기화됨에 따라, 처리실 내에서 오염되는 것을 방지하는 반도체 처리 장치를 제공한다. 각 처리실에 있어서, 웨이퍼의 처리가 종료한 후, 처리실 내에 대기할 수 있는 시간의 허용값을 설정하고, 다음 처리 예정 웨이퍼가 반송 완료할 때까지의 반송 시간을 예측함으로써, 예측한 반송 시간이 대기 시간의 허용값을 넘은 경우, 처리 완료 웨이퍼의 반출 후의 가는 곳이 이미 수용 가능한 범위 내에서, 처리실에서 처리가 끝난 웨이퍼를 반출하는 동작을 우선하도록 반송 로봇을 제어한다.

Description

진공 처리 장치 및 진공 처리 방법{VACUUM PROCESSING APPARTUS AND VACUUM PROCESSING METHOD}
본 발명은, 진공 처리 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 처리 장치의 처리실 등의 사이에서, 반도체 피처리체(이하, 「웨이퍼」라고 한다.)를 반송하는 방법에 관한 것이다.
반도체 처리 장치, 특히, 감압된 장치 내에 있어서 처리 대상을 처리하는 장치에 있어서는, 처리의 미세화, 정밀화와 함께, 처리 대상인 웨이퍼의 처리의 효율의 향상이 요구되어 왔다. 이 때문에, 최근에는, 하나의 장치에 복수의 처리실이 접속되어 구비된 멀티 챔버 장치가 개발되어, 클린룸의 설치 면적당 생산성의 효율을 향상시키는 것이 행하여져 왔다. 이러한 복수의 처리실을 구비하여 처리를 행하는 장치에서는, 각각의 처리실이, 내부의 가스나 그 압력이 감압 가능하게 조절되고, 또한, 웨이퍼를 반송하기 위한 로봇 등이 구비된 반송실에 접속되어 있다.
이러한 멀티 챔버 장치에 있어서는, 반송실의 주위에 방사상으로 처리실이 접속된 클러스터 툴이라고 불리는 구조의 장치가 널리 보급되어 있다. 그러나, 이 클러스터 툴 장치는, 큰 설치 면적을 필요로 하고, 특히, 최근의 웨이퍼의 대구경화에 따라, 점점 설치 면적이 커지는 문제를 안고 있다. 그래서, 이 문제를 해결하기 위하여, 선형 툴이라고 불리는 구조의 장치가 등장하였다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조). 선형 툴의 특징은, 복수의 반송실을 가지며, 각각의 반송 처리실이 접속되고, 또한, 반송실끼리도 직접 접속, 또는, 중간에 수도(受渡) 공간(이하, 「중간실」)을 사이에 두고 접속되는 구조이다.
이처럼 설치 면적을 작게 하기 위하여 선형 툴이라는 구조가 제안되고 있으나, 한편, 생산성의 향상에 대해서도 몇 개의 제안이 이루어지고 있다. 생산성의 향상에는, 처리 시간의 단축이나 반송의 효율화가 중요하지만, 특히, 효율적인 반송 방법에 관하여, 몇 개의 제안이 이루어져 있다. 대표적인 방법으로서, 스케줄링에 의한 방법이 알려져 있다. 스케줄링에 의한 방법이란, 사전에 반송 동작을 정해 두고, 그것에 기초하여 반송을 행하는 것으로, 반송 동작의 결정 방법의 예를 들면, 각 처리실의 반송 순서마다 예를 들면 스루풋과 같은 생산성을 계산하여, 가장 생산성이 높은 반송 순서를 선택하는 방법(특허문헌 2를 참조)이나, 처리실의 배치에 따라 반송 횟수를 변경하는 반송 동작 제어 룰에 기초하여 반송 동작을 결정하는 방법(특허문헌 3을 참조)이 있다.
일본 특허 공표 제2007-511104호 공보 일본 특허 공개 제2011-124496호 공보 일본 특허 공개 제2011-181750호 공보
일반적으로 에칭이나 성막 등의 처리 시간은, 제품에 따라 다르며, 처리실의 배치에 따라 반송 시간도 다르기 때문에, 상기의 방법은 처리 시간이나 반송 시간이 다른 경우에도, 높은 생산성을 실현하는 방법이다. 그러나, 웨이퍼는 반송 로봇에 의해 반송되고 있고, 어느 웨이퍼가 반송 로봇을 점유하고 있기 때문에, 다른 웨이퍼는 반송 로봇이 이용 가능해지는 것을 기다리는 것과 같은 사례가 실제로는 종종 일어날 수 있다. 이러한 상황에서는, 반송 로봇이 점유되어 있기 때문에, 어떤 처리실에서 처리가 종료한 후, 처리 후 처리실 내에서 장시간 기다리게 되는 경우가 있어, 처리 시에 발생한 먼지가 웨이퍼 위로 떨어져, 웨이퍼가 오염될 가능성이 높아진다. 상기 종래 기술에서는, 다음과 같은 점에 대해서 과제가 있었다.
생산성의 저하를 경감하기 위하여, 각 웨이퍼의 반송처와 반송 순서를 결정 하기 위한 반송 스케줄을 다시 짜도, 반송 로봇에 의한 반송 방법에 따라서는, 어느 웨이퍼가 반송 로봇을 점유하는 시간이 길어져, 웨이퍼를 오염시킬 가능성이 높아진다.
그래서, 본 발명의 목적은, 선형 툴에 있어서, 어느 처리실에서 처리를 완료한 웨이퍼가, 처리 종료 후에 다른 웨이퍼가 반송 로봇을 점유함으로써, 처리실 내에서 기다리는 시간이 장기화되는 것에 의해, 처리실 내에서 오염되는 것을 방지하는 반도체 처리 장치를 제공하는 것이다.
대기 측에 놓인 피처리체를 진공 측으로 가져오는 로드 록과, 진공 측에 배치되어, 상기 피처리체의 수도 및 반송을 행하는 진공 로봇을 구비하여 이루어지는 복수의 반송 기구부와, 상기 반송 기구부에 접속된 상기 피처리부에 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 상기 반송 기구부 사이를 연결하여 상기 피처리체를 중계 재치하는 중간실과, 상기 로드 록과 상기 중간실에 설치된 복수의 상기 피처리체를 유지하는 유지 기구부와, 상기 피처리체의 수도 및 반송을 제어하는 제어부를 구비한 진공 처리 장치로서, 상기 제어부는, 상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간에 기초하여, 상기 피처리체를 반송하는 반송실 및, 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정하는 구성으로 한다. 또, 상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간의 허용값을 입력할 수 있는 입력부를 구비하고, 당해 입력부로부터 상기 피처리체의 상기 처리실 내에 있어서의 대기 시간의 허용값에 기초하여, 상기 제어부는, 상기 피처리체의 반송 동작을 결정한다.
또, 상기 제어부는, 시뮬레이션에 의해, 상기 피처리체를 처리하는 스루풋을 산출하고, 당해 스루풋에 기초하여, 상기 피처리체를 반송하는 반송실 및 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정한다.
또, 상기 제어부는, 상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간보다 빨리, 상기 피처리체를 반출할 수 있는 경우에는, 상기 피처리체 중, 상기 처리실 내에 처리가 끝난 피처리체가 있고, 당해 처리실과 접속된 상기 반송 기구부에 있어서, 당해 반송 기구부와 접속된 상기 중간실 내에 다음 반송처가 당해 처리실인 미처리의 피처리체가 있는 상황에서는, 미처리의 피처리체를, 상기 처리실 내에 있는 처리가 끝난 피처리체에 우선하여 반출한다.
또, 상기 제어부는, 상기 처리실까지의 반송 시간을 추정하고, 추정된 반송 시간이, 처리가 끝난 상기 피처리체의 대기 시간의 허용값을 초과한 경우에, 상기 피처리체의 다음 반송처인 실(室)이 상기 피처리체를 수용 가능한 상태인 범위 내에서, 상기 반송 기구가 처리가 끝난 상기 피처리체의 반출을, 미처리인 상기 피처리체의 반출에 우선한다.
또, 상기 제어부는, 복수의 반송 기구부의 동작 순서에 대하여, 당해 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기하는 시간을 산출하고, 산출된 시간이 상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간을 넘지 않는 상기 반송 기구부의 동작 순서를 선택한다.
본 발명에 의하면, 처리를 완료한 웨이퍼가, 처리실 내에서 기다리는 시간이 장기화됨으로써, 처리실 내에서 오염되는 것을 방지하는 반도체 처리 장치를 제공 할 수 있다.
도 1은 반도체 처리 장치의 전체 구성의 개략을 설명한 도면이다.
도 2는 반도체 처리 장치의 기계부의 구성을 설명한 도면이다.
도 3은 반도체 처리 장치의 기계부의 웨이퍼 유지 구조에 대해서 설명한 도면이다.
도 4는 반도체 처리 장치의 동작 제어 시스템의 전체 플로우를 설명한 도면이다.
도 5는 동작 명령 계산의 처리와 입출력 정보에 대하여 설명한 도면이다.
도 6은 추정 시간 계산의 상세한 계산 처리를 설명한 도면이다.
도 7은 반송 동작의 간트 차트(Gantt chart)를 설명한 도면이다.
도 8은 반송처 결정 계산의 처리와 입출력 정보에 대하여 설명한 도면이다.
도 9는 할당 대상 처리실 계산의 상세한 계산 처리를 설명한 도면이다.
도 10은 할당 대상 처리실 계산의 상세한 계산 처리를 설명한 도면이다.
도 11은 콘솔 단말의 화면의 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 장치 상태 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 반송처 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 동작 지시 룰 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 동작 지시 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 동작 시간 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 추정 시간 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 허용값 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 동작 순서 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 동작 시퀀스 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 처리실 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 할당 대상 처리실 정보의 예를 나타낸 도면이다.
도 23은 처리 대상 정보의 예를 나타낸 도면이다.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다.
본 발명의 반도체 처리 장치의 전체 구성의 개략에 대하여, 도 1을 이용하여 설명한다. 반도체 처리 장치는, 크게 나누면, 처리실이나 반송 기구를 포함하는 기계부(101)와 동작 제어부(102)와 콘솔 단말(103)로 이루어져 있다. 기계부(101)는, 웨이퍼에 대하여 에칭이나 성막 등의 처리를 실시할 수 있는 처리실과 웨이퍼의 반송을 행하는 로봇 등을 구비한 반송 기구로 구성되어 있다. 동작 제어부(102)는, 처리실이나 반송 기구의 동작을 제어하는 컨트롤러이며, 연산 처리를 행하는 연산부(104)와 각종 정보를 기억하는 기억부(105)로 이루어져 있다. 연산부(104)에는, 이용자가 지정한 「수동」 또는 「자동」의 제어 모드에 의해, 제어시스템의 내부 처리를 전환하는 제어 모드 설정부(106)와, 처리실이나 반송 기구를 실제로 동작시키기 위한 연산을 행하는 동작 지시 계산부(107)와, 새롭게 투입하는 웨이퍼의 반송처의 후보가 되는 처리실을 계산하는 할당 대상 처리실 계산부(108)와, 새롭게 투입하는 웨이퍼의 반송처 처리실을 계산하는 반송처 계산부(109)와, 각 처리실에 대하여, 다음 처리 예정 웨이퍼가 반송 완료할 때까지의 반송 시간을 추정하는 반송 시간 추정 계산부(110)가 있다. 또, 기억부(105)에는, 장치 상태 정보(111), 처리 대상 정보(112), 처리실 정보(113), 반송처 정보(114), 동작 지시 정보(115), 동작 지시 룰 정보(116), 동작 시퀀스 정보(117), 할당 대상 처리실 정보(118), 추정 반송 시간 정보(119), 대기 시간 허용값 정보(120)의 정보가 기억되어 있다. 콘솔 단말(103)은, 이용자가 제어 방법을 입력하거나, 장치의 상태를 확인하기 위한 것으로, 키보드나 마우스나 터치 펜 등의 입력 기기와 정보를 출력하는 화면이 구비되어 있다. 또, 반도체 처리 장치는, 네트워크(122)를 통하여, 호스트 컴퓨터(121)와 접속되어 있고, 처리에 이용하는 가스의 종류나 농도 등의 레시피나 처리에 요하는 표준적인 시간 등, 필요한 정보를 필요한 때, 호스트 컴퓨터(121)로부터 다운로드 할 수 있다.
다음으로, 처리실 및 반송 기구를 포함하는 기계부의 구성에 대하여, 도 2를 사용하여 설명한다. 도 2는, 기계부를 상면으로부터 부감(俯瞰)한 도면이다. 기계부는, 크게 나누어, 대기 측 기계부(232)와 진공 측 기계부(233)로 나누어진다. 대기 측 기계부(232)는, 대기압 하에서, 웨이퍼가 수납되어 있는 카세트로부터, 웨이퍼를 취출하거나 수납하는 웨이퍼의 반송 등을 행하는 부분이다. 진공 측 기계부(233)는, 대기압으로부터 감압된 압력 하에서 웨이퍼를 반송하고, 처리실 내에 있어서 처리를 행하는 부분이다. 그리고, 대기 측 기계부(232)와 진공 측 기계부(233) 사이에, 웨이퍼를 내부에 가진 상태에서 압력을 대기압과 진공압 사이에서 상하시키는 부분인 로드 록(211)을 구비하고 있다.
대기 측 기계부(232)에는, 로드 포트(201, 202)와, 얼라이너(234)와 대기 로봇(203)과, 대기 로봇의 가동 에어리어를 덮는 박스체(204)가 있다. 이 로드 포트(201, 202)에 처리 대상의 웨이퍼를 수납한 카세트가 놓인다. 그리고, 웨이퍼를 유지할 수 있는 핸드를 가지는 대기 로봇(203)이, 카세트 안에 수납되어 있는 웨이퍼를 취출하여, 로드 록(211) 안으로 반송하거나, 반대로, 로드 록(211)의 안으로부터 웨이퍼를 취출하여, 카세트 안에 수납한다. 이 대기 로봇(203)은, 로봇 아암을 신축시키거나, 상하 이동하거나, 선회할 수 있고, 또한, 박스체(204)의 내부를 수평 이동할 수도 있다. 또한, 얼라이너(234)란, 웨이퍼의 방향을 맞추기 위한 기계이다. 단, 대기 측 기계부(232)는, 일례이며, 본 발명의 장치가, 두 개의 로드 포트를 가지는 장치에 한정되는 것은 아니며, 로드 포트의 수가 두 개보다 적어도 되고, 많아도 된다. 또한, 본 발명의 장치가, 하나의 대기 로봇을 가지는 장치에 한정되는 것은 아니며, 복수의 대기 로봇을 가지고 있어도 된다. 또한, 본 발명의 장치가, 하나의 얼라이너를 가지는 장치에 한정되는 것은 아니며, 복수의 얼라이너를 가지고 있어도 되고, 얼라이너가 없어도 된다.
진공 측 기계부(233)에는, 처리실(205, 206, 207, 208, 209, 210)과 반송실(214, 215, 216)과 중간실(212, 213)이 있다. 처리실(205, 206, 207, 208, 209, 210)은, 웨이퍼에 대하여 에칭이나 성막 등의 처리를 행하는 부위이다. 이들은, 게이트 밸브(222, 223, 226, 227, 230, 231)를 개재하여, 각각 반송실(214, 215, 216)과 접속되어 있다. 게이트 밸브(222, 223, 226, 227, 230, 231)는, 개폐하는 밸브를 가지고 있고, 처리실 내부의 공간과 반송실 내부의 공간을 구분짓거나, 공간을 연결시킬 수 있다.
반송실(214, 215, 216)에는, 진공 로봇(217, 218, 219)이 각각 구비되어 있다. 이 진공 로봇(217, 218, 219)은, 웨이퍼를 유지할 수 있는 핸드를 구비하고 있고, 로봇 아암이 신축이나 선회나 상하 이동할 수 있어, 웨이퍼를 로드 록으로 반송하거나, 처리실로 반송하거나, 중간실로 반송한다.
중간실(212, 213)은, 반송실(214, 215, 216)의 사이에 접속되어 있고, 웨이퍼를 유지하는 기구를 구비하고 있다. 진공 로봇(217, 218, 219)이, 이 중간실(212, 213)에 웨이퍼를 놓거나, 취출함으로써, 반송실 사이에서 웨이퍼를 수도할 수 있다. 이 중간실(212, 213)은, 게이트 밸브(224, 225, 228, 229)를 개재하여, 각각 반송실(214, 215, 216)과 접속하고 있다. 이 게이트 밸브(224, 225, 228, 229)는, 개폐하는 밸브를 가지고 있고, 반송실 내부의 공간과 중간실 내부의 공간을 구분짓거나, 공간을 연결시킬 수 있다. 단, 진공 측 기계부(233)는, 일례이며, 본 발명의 장치가, 여섯 개의 처리실을 가지는 장치에 한정되는 것은 아니며, 처리실 수가 여섯 개보다 적어도 되고, 많아도 된다. 또, 본 실시예에서는, 하나의 반송실에 두 개의 처리실이 접속되는 장치로서 설명하지만, 본 발명의 장치가, 하나의 반송실에 두 개의 처리실이 접속된 장치에 한정되는 것은 아니며, 하나의 반송실에 하나의 처리실이나 세 개 이상의 처리실이 접속된 장치이어도 된다. 또한, 본 발명 장치가, 세 개의 반송실을 가지는 장치에 한정되는 것은 아니며, 반송실이 세 개보다 적어도 되고, 많아도 된다. 또, 본 실시예에서는 반송실과 중간실 사이에 게이트 밸브를 구비한 장치로서 설명하지만, 이 게이트 밸브는 없어도 된다.
로드 록(211)은, 게이트 밸브(220, 221)를 개재하여, 각각 대기 측 기계부(232)와 진공 측 기계부(233)에 접속되어 있고, 웨이퍼를 내부에 가진 상태에서 압력을 대기압과 진공압 사이에서 상하시킬 수 있다.
다음으로, 기계부를 측면으로터 부감한 도 3을 이용하여, 웨이퍼를 유지하는 구조에 대하여 설명한다. 웨이퍼는, 로드 록(305)이나, 중간실(310, 315)에 유지 할 수 있다. 이들 로드 록(305)이나 중간실(310, 315)은, 복수의 웨이퍼를 각각 별개로 유지할 수 있는 구조[이후, 유지단(段)이라고 부른다]로 유지한다. 물리적으로는, 임의의 웨이퍼를 어느 유지단에 놓는 것도 가능하지만, 운용적으로, 일부의 유지단에는 미처리 웨이퍼만, 또한, 다른 일부의 유지단에는 처리가 끝난 웨이퍼만을 놓는 운용이 일반적이다. 이것은, 처리가 끝난 웨이퍼에는, 처리에 이용한 부식성 가스 등이 부착되어 있어, 유지단에 가스를 남기는 경우가 있다. 이 가스에 미처리 웨이퍼가 접촉되면, 웨이퍼에 변질이 일어나, 웨이퍼의 품질을 저하시킬 우려가 있기 때문이다. 따라서, 예를 들면, 도 3에 나타낸 바와 같이 로드 록에 4단의 유지단이 있다고 한 경우, 2단을 미처리 웨이퍼용 유지단, 나머지 2단을 처리가 끝난 웨이퍼용 유지단으로 하는 운용이 행하여진다.
또한, 번호 301은 로드 포트에 놓인 카세트를, 번호 302는 대기 로봇의 가동 에어리어를 덮는 박스체를, 번호 303은 대기 로봇을, 번호 307, 312, 318은 반송실을, 번호 308, 313, 317은 진공 로봇을, 번호 304, 306, 309, 311, 314, 316은 게이트 밸브를, 번호 319, 320, 321, 322, 323, 324, 325는 웨이퍼를, 각각 의미한다.
다음으로, 본 발명의 반도체 처리 장치의 동작 제어 시스템의 전체 플로우에 대하여, 도 4를 이용하여 설명한다. 또한, 각 웨이퍼가 반송 로봇을 점유하는 시간은, 처리 공정에 따라 다르다. 처리실에서 일회의 처리를 행하여 처리를 완료하는 처리 공정도 있으면, 복수 회의 처리를 행하여 처리를 완료하는 처리 공정도 있다. 또한, 운용 조건에 따라서도 다른 경우가 있다. 웨이퍼의 처리 예정의 처리실을 언제라도 자유롭게 바꿀 수 있는 운용 조건도 있으면, 초기 위치로부터 웨이퍼의 반송이 개시되면, 처리 예정의 처리실을 변경할 수 없는 운용 조건도 있다. 웨이퍼의 처리 예정의 처리실을 언제라도 자유롭게 변경할 수 있는 운용 조건이란, 처리에 사용하는 가스의 종류 등 처리 조건이 복수의 처리실에서 동일하고, 어느 처리실에서 처리해도 처리 후의 웨이퍼의 품질에 차이가 없는 경우이다. 또한, 초기 위치로부터 웨이퍼의 반송이 개시되면, 처리 예정의 처리실을 변경할 수 없는 운용 조건이란, 처리에 사용하는 가스의 종류 등 처리 조건이 복수의 처리실에서 동일하지만, 어느 웨이퍼에 대하여, 한번 처리 예정의 처리실이 결정되면, 막 두께 등 그 웨이퍼 특유의 상태에 따라 처리 조건을 미세 조정하는 운용이 행하여지는 경우나, 처리에 사용하는 가스의 종류 등 처리 조건이 처리실에 따라 다른 경우이다. 이하의 설명에 있어서, 본 실시예에서는, 선형 툴에 있어서, 처리실에서 일회의 처리를 행하여 처리를 완료하는 일 공정 처리만을 취급하는 것으로 하여 초기 위치로부터 웨이퍼의 반송이 개시되면, 처리 예정의 처리실을 변경할 수 없는 운용 조건 하에서 반송을 행하는 것으로 한다.
콘솔 화면(401)으로부터, 이용자가 제어 모드의 「수동」이나 「자동」을 선택할 수 있다. 여기서, 또한, 각 처리실에 있어서, 웨이퍼가 처리 종료 후에 처리실 내에 대기하는 시간의 허용값을 설정할 수 있다. 선택된 제어 모드나 처리실 내에 대기하는 시간의 허용값에 의해, 제어의 계산 처리가 다르다. 특히 제어 모드에 관해서는, 제어 모드 설정부(402)가, 지정된 제어 모드에 따라, 제어의 계산 처리를 전환한다. 예를 들면, 제어 모드에서 「수동」이 지정되면, 수동 반송처 설정(403)이 실행된다. 한편, 제어 모드가 「자동」이면, 반송처 결정 계산(404)이 실행된다.
이 연산 처리(403, 404) 모두, 이제부터 투입하는 웨이퍼의 반송처 처리실을 정하는 처리이며, 출력으로서 반송처 정보(405)를 출력한다. 이 반송처 정보(405)와 장치 상태 정보(406)을 바탕으로 하여, 동작 명령 계산(407)에서, 동작 명령(408)이 산출되어, 기계부(409)가 그 동작 명령(408)에 기초하여, 동작을 행한다. 그리고, 동작을 행함으로써, 장치 내의 상태가 변화되어, 장치 상태 정보(406)가 갱신된다. 그리고, 다시, 반송처 정보(405)와 장치 상태 정보(406)를 바탕으로 동작 명령 계산(407)에서, 동작 명령(408)이 산출되고, 기계부(409)는 다음 동작을 행하게 된다.
또, 반송처 처리실을 자동으로 결정하는 연산 처리(404)는, 새로운 처리 대상의 반송처를 결정할 때, 그때마다 실행되어, 반송처 정보(405)를 갱신한다. 예를 들면, 대기 로봇이 어느 웨이퍼의 반송을 종료하고, 새로운 웨이퍼에 대한 동작을 행할 수 있는 상태가 되었을 때, 그 새로운 웨이퍼의 반송처를 계산하는 상태이다.
본 발명은, 제어 모드 「자동」의 경우의 효율적인 제어 방법에 관한 것이므로, 이후, 제어 모드 「자동」의 경우의 제어 방법에 대하여 설명한다. 따라서 이후, 반송처 결정 계산이란, 반송처 계산(404)을 가리키는 것으로 한다.
먼저, 도 4에서 나타낸 동작 명령 계산(407)에 대하여, 도 5를 사용하여 상세하게 설명한다. 도 5는, 동작 명령 계산(407)의 처리와 입출력 정보의 관계를 상세하게 나타낸 도면이다. 동작 명령 계산(407)은, 동작 지시 계산(507)과 추정 시간 계산(509)과 동작 순서 계산(511)과 동작 명령 생성(513)의 4개의 연산 처리로부터 구성된다.
동작 지시 계산(507)이란, 장치 상태 정보(501)와 반송처 정보(502)와 동작 지시 룰 정보(503)를 입력으로 하여, 동작 지시 정보(508)를 출력하는 것이다. 장치 상태 정보(501)는, 도 12에 예시하는 것과 같은 정보이며, 각 부위의 상태나 거기에 있는 웨이퍼의 번호나 처리의 상태를 나타낸 정보이다. 예를 들면, 「부위:로드 록(221)_단 1, 상태: 진공, 웨이퍼 번호: W11, 웨이퍼 상태: 미처리」라는 데이터는, 로드 록(221)의 유지단의 1단째의 상태를 나타내고 있으며, 로드 록의 상태는 진공 상태, 웨이퍼 번호 W11의 웨이퍼가 유지되어 있고, 그 W11은 미처리 웨이퍼인 것을 의미하고 있다. 반송처 정보(502)는, 도 13에 예시하는 정보이며, 각 웨이퍼의 반송처 처리실을 나타낸 정보이다. 동작 지시 룰 정보(503)는, 도 14에 예시하는 것과 같은 정보이며, 동작 지시와, 그 동작 지시를 행하는 조건을 기술한 정보이다. 예를 들면, 「로드 록(211)으로부터 중간실(212)로 반송」이라는 동작 지시는, 「로드 록(211)에 반송처가 처리실(205, 206) 이외인 미처리 웨이퍼가 있고, 또한, 로드 록(211)이 진공 상태이다」 「중간실(212)에 빈 유지단이 있다」 「진공 로봇(217)의 적어도 한쪽의 핸드가 대기 상태이다」라는 조건이 일치했을 때 지시가 이루어진다는 것을 의미한다. 동작 지시 정보(508)는, 도 15에 예시하는 것과 같은 정보이며, 반송의 동작 지시와 반송 대상의 웨이퍼 번호와 동작 순서 번호와 각 동작 지시의 순서를 가지는 정보이다. 동작 지시 계산(507)에서는, 장치 상태 정보(501), 반송처 정보(502)를 참조하여, 동작 지시 룰 정보(503)의 동작 지시 조건이 모두 충족된 동작 지시를 추출하고, 그 동작 지시를 동작 지시 정보(508)로서 출력한다.
추정 시간 계산(509)이란, 장치 상태 정보(501)와 반송처 정보(502)와 동작 시간 정보(504)와 동작 지시 정보(508)를 이용하여, 추정 시간 정보(510)를 출력하는 처리이다. 동작 시간 정보(504)는, 도 16에 예시하는 것과 같은 정보이며, 반송 로봇이나 로드 록과 같은 장치 내의 부위가 동작할 때 필요한 시간을 나타낸 정보이다. 추정 시간 정보(510)란, 도 17에 예시하는 것과 같은 정보이며, 동작 순서마다, 각 처리실에 있어서의 처리 종료 후의 처리실 대기 추정 시간과 스루풋을 나타내는 정보이다.
여기서, 도 5에서 나타낸 추정 시간 계산을 도 6의 플로우 차트를 이용하여 설명한다. 우선 처리 단계 601에서 다음 처리 예정 웨이퍼의 현재 위치를 취득한다. 다음으로 처리 단계 602에서, 다음 처리 예정 웨이퍼의 현재 위치로부터 처리실까지의 반송 경로를 추출한다. 단계 603에서 반송 경로 상에 있는 임의의 부위에 대하여, 동작 시간 정보를 이용하여 반송 시간을 추정한다. 추정한 반송 시간에 의해, 처리 종료 후의 웨이퍼 대기 시간을 추정한다. 본 실시예에서는, 반송 시간을 계산하는 일례로서 시뮬레이션을 사용하고 있다. 도 17에 나타낸 정보는, 시뮬레이션에 의해 계산된 결과이다. 복수의 동작 순서를 상정하여, 각각의 처리실로의 반송 시간 및 웨이퍼의 처리가 종료하고 나서 취출될 때까지의 처리실 대기 시간, 스루풋을 추정한 것이다. 도 7은 각 동작 순서 1∼3에 의해 동작 지시를 한 경우의 간트 차트(Gantt cahrt)를 나타낸 도면이다. 간트 차트란, 가로축에 시간을 나타내고, 각 부위가 동작하고 있는 시간대를 블록으로 표현한 것이다. 도 7은, 시뮬레이션에 의해 계산된 3 정도의 동작 순서를 나타내고 있다. 처리실(207, 208)에서의 웨이퍼의 처리 및 처리가 끝난 웨이퍼의 반출, 반입을 진공 로봇(218)의 동작, 중간실(212, 213)의 관계로 나타내고 있다. 실제로는, 시뮬레이션에서 계산되는 것은 3 정도에 한정되지 않고, 다수의 동작의 조합에 대하여 시뮬레이션을 행할 수 있다.
장치의 스루풋은 단위 시간당 처리 매수에 의해 계산된다. 도 7로부터 알 수 있는 바와 같이, 각 동작의 종료 시간과 처리한 매수로부터 스루풋이 계산된다. 도 7의 간트 차트에서 처리한 매수는 2매이기 때문에, 각 동작 순서의 스루풋은, 처리 매수를 동작 종료까지의 시간으로 나눔으로써, 동작 순서 1이 0.0036, 동작 순서 2가 0.OO32, 동작 순서 3이 0.003으로 계산할 수 있다.
시뮬레이션 이외에 반송 시간을 계산하는 예로서, 각 동작 시간의 합계값을 사용해도 된다. 또, 반송 시간을 계산하는 경우에, 이미 다른 웨이퍼에 점유되어 있는 부위가 있는 경우, 그 동작이 완료할 때까지의 시간을 추가함으로써, 반송 시간으로 해도 된다.
동작 순서 계산(511)이란, 추정 시간 정보(510)와 허용값 정보(505)를 사용하여, 동작 순서 정보(512)를 계산하는 처리이다. 허용값 정보(505)는 도 18에 예시되는 것과 같은 정보이며, 웨이퍼가 처리 후에 처리실 내에서 대기하는 것을 허용되는 시간을 처리실마다 나타낸 정보이다. 동작 순서 정보는 도 19에 예시되는 것과 같은 정보이며, 동작 순서와 동작 지시와 반송 대상을 나타내는 정보이다.
추정 시간 정보로부터, 처리실 대기 시간이 허용값 내가 되는 동작 순서 중, 가장 스루풋이 높아지는 동작 순서를 도 17과 도 18에 예시한 정보에 있어서는, 동작 순서 1을 출력한다
또한, 시뮬레이션의 결과를 고려하면 스루풋 향상을 위하여, 하기와 같은 동작을 행하게 해도 된다. 즉, 웨이퍼를 허용값 내에서 처리실로부터 반출할 수 있는 경우에는, 처리실 내에 처리가 끝난 웨이퍼가 있고, 처리실과 접속된 반송 기구부에 있어서, 당해 반송 기구부와 접속된 중간실 내에 다음 반송처가 당해 처리실인 미처리의 웨이퍼가 있는 상황에서는, 미처리의 웨이퍼를, 처리실 내에 있는 처리가 끝난 웨이퍼에 우선하여 반출함으로써 스루풋 향상이 의도된다.
또, 처리실까지의 반송 시간을 추정하고, 추정된 반송 시간이, 처리가 끝난 웨이퍼의 대기 시간의 허용값을 초과한 경우에, 웨이퍼의 다음 반송처인 실이 수용가능한 상태인 범위 내에서, 처리가 끝난 웨이퍼의 반출을, 미처리인 웨이퍼의 반출에 우선함으로써, 웨이퍼의 대기 시간의 허용값의 초과를 회피해도 된다. 또, 실제의 동작에 있어서는, 웨이퍼의 대기 시간의 허용값을 넘는 경우에는, 동작을 멈추지 않고(데드 록으로 하지 않고)에, 다소의 허용 시간을 초과하여도 가능한 한 처리가 끝난 웨이퍼의 반출을, 미처리인 웨이퍼의 반출에 우선해도 된다.
다음으로, 동작 명령 생성(513)이란, 동작 지시 정보(508)와 동작 순서 정보(512)와 동작 시퀀스 정보(506)를 입력으로 하여, 동작 명령(514)을 출력하고, 기계부로 동작 명령을 전달하는 것이다. 동작 시퀀스 정보(506)는, 도 20에 예시하는 것과 같은 정보이다. 이것은, 동작 지시에 대하여, 대기 로봇이나 진공 로봇의 동작이나, 로드 록이나 중간실이나 처리실의 게이트 밸브의 개폐 동작이나, 로드 록의 진공 흡인을 행하는 펌프의 동작 등, 각 부위의 구체적인 동작 내용을 기술한 것이며, 동작 순서 정보에 기재된 번호가 작은 순으로부터 동작을 실행한다는 것을 의미하고 있다. 이 동작 시퀀스 정보(506)는, 각 동작 지시에 관하여, 각각 정의되는 것이다. 또, 동작을 시작할 수 있는 상태이면, 작은 번호의 동작이 완료되지 않더라도, 동작을 개시해도 된다.
동작 명령 생성(513)에서는, 동작 지시 정보(508)에 있는 동작 지시에 대하여, 동작 시퀀스 정보(506)로부터 해당하는 동작 지시의 동작 시퀀스 데이터를 동작 순서 정보(512)의 번호가 작은 순서로 추출하고, 동작 시퀀스 데이터의 번호가 작은 순서로부터, 동작 명령으로서 기계부로 전달한다.
다음으로, 도 4에서 나타낸 반송처 결정 계산(404)에 있어서의 일 실시예로서, 도 8을 이용하여 설명한다. 반송처 결정 계산(404)은, 할당 대상 처리실 정보계산(804), 반송처 계산(806)의 2개의 연산 처리로 이루어진다.
할당 대상 처리실 계산(804)이란, 처리실 정보(801)와 장치 상태 정보(802)를 입력으로 하여, 할당 대상 처리실 정보(805)를 출력하는 것이다. 처리실 정보(801)란, 도 21에 예시하는 것과 같은 정보이며, 각 처리실의 가동 상황을 나타내는 정보이다. 상태가 「가동」이면, 처리를 행할 수 있는 상태를 의미하고, 상태가 「정지」이면, 처리를 행할 수 없는 상태를 의미한다. 할당 대상 처리실 계산(804)은, 반송이 가능한 처리실을 추출하는 처리이다. 할당 대상 처리실 정보(805)란, 도 22에 예시하는 것과 같은 정보이며, 웨이퍼의 반송처를 계산할 때, 반송처의 할당 후보가 되는 처리실을 리스트업한 정보이다. 하나의 예로서는, 상태가 「가동」인 임의의 처리실을 할당 대상 처리실로 하는 방법이 있다. 이 추출은 일례이며, 다른 추출 방법으로 할당 대상 처리실을 추출해도 된다.
반송처 계산(806)이란, 처리 대상 정보(803)와 반송처 정보(801)와 할당 대상 처리실 정보(805)를 입력으로 하여, 반송처 정보(807)를 갱신한다. 처리 대상 정보(803)란, 도 23에 예시하는 바와 같은 정보이며, 처리 대상의 웨이퍼를 식별하는 웨이퍼 번호가 기술된 정보이다.
다음으로, 도 8에서 나타낸 반송처 계산(806)의 상세한 계산 처리를 도 9의 플로우 차트를 사용하여 설명한다. 반송처 계산(806)은, 이제부터 장치 내로 투입되는 웨이퍼에 대하여, 반송처의 처리실을 정하는 처리이다. 우선, 처리 단계 901에서, 이제부터 장치 내에 투입하는 웨이퍼의 웨이퍼 번호를 취득한다. 구체적인 처리로서는, 처리 대상 정보로부터, 반송처 정보에 없는 웨이퍼 번호의 데이터를 추출하고, 그 중에서 가장 웨이퍼 번호가 작은 것을 취득하여, 이것을 이제부터 장치 내로 투입하는 웨이퍼로 한다. 다음으로, 처리 단계 902에서, 반송처 정보로부터 가장 웨이퍼 번호가 큰 데이터를 추출하고, 그 데이터의 반송처의 처리실을 취득한다. 그리고, 다음으로, 처리 단계 903에서, 할당 대상 처리실 정보에 있는 모든 처리실 번호를 추출하여, 그 중에서 처리 단계 902에서 취득한 처리실 번호보다 큰 처리실 번호가 있으면, 그 처리 단계 902에서 취득한 처리실 번호보다 큰 처리실 번호 중에서 가장 작은 처리실 번호의 처리실을, 반송처 처리실로 한다. 만일, 처리 단계 902에서 취득한 처리실 번호보다 큰 처리실 번호가 없으면, 할당 대상 처리실 정보에 있는 모든 처리실 번호 중, 가장 작은 처리실 번호의 처리실을, 반송처 처리실로 한다. 마지막으로, 처리 단계 904에서, 처리 단계 901에서 취득한 웨이퍼의 반송처 처리실로서, 처리 단계 903에서 취득한 반송처 처리실을 할당하고, 반송처 정보에 추가한다. 단, 본 실시예에서 설명한 반송처를 결정하는 알고리즘은 일례이며, 본 발명이 이 알고리즘에 한정되는 것은 아니다. 미처리 웨이퍼 매수 정보를 바탕으로 계산된 할당 대상 처리실 정보를 입력으로서, 웨이퍼의 반송처를 계산하는 알고리즘이면, 다른 알고리즘이어도 된다.
예를 들면, 도 4에서 나타낸 반송처 계산(404)에 있어서의 또 하나의 실시예에 대하여, 도 10의 플로우를 이용하여 설명한다. 우선, 처리 단계 1001에서, 이제부터 장치 내로 투입되는 웨이퍼의 웨이퍼 번호를 취득한다. 구체적인 처리로서는, 처리 대상 정보로부터, 반송처 정보에 없는 웨이퍼 번호의 데이터를 추출하고, 그 중에서 가장 웨이퍼 번호가 작은 것을 취득하고, 이것을 이제부터 장치 내에 투입하는 웨이퍼로 한다. 다음으로, 처리 단계 1002에서, 반송처 정보로부터 가장 웨이퍼 번호가 큰 데이터를 추출하고, 그 데이터의 반송처의 처리실을 취득한다. 그리고, 다음으로, 처리 단계 1003에서, 할당 대상 처리실 정보에 있는 모든 처리실 번호를 추출하고, 각 처리실을 반송처로서 할당한 경우의 시뮬레이션을 실시한다. 도 7과 마찬가지로 시뮬레이션의 결과로서, 각 반송처마다 처리 종료 후의 처리실 내의 웨이퍼 대기 시간과 스루풋을 계산하고, 대기 시간이 허용값 이내의 반송처 중, 가장 스루풋이 높은 처리실을 취득한다. 마지막으로, 처리 단계 1004에서, 처리 단계 1001에서 취득한 웨이퍼의 반송처 처리실로서, 처리 단계 1003에서 취득한 반송처 처리실을 할당하여, 반송처 정보에 추가한다. 즉, 반송처를 결정할 때, 처리실에서의 대기 시간을 추정하여, 허용값 이내로 제한하는 반송처를 출력하도록 계산하는 방법이다.
여기서, 도 6에서 설명한 장치 상태 정보(501)나, 도 8에서 설명한 처리실 정보(801)는, 기계부를 모니터한 정보이며, 연달아 시시각각 갱신되고, 또한, 처리 대상 정보(803)는, 처리 대상의 웨이퍼가 들어간 카세트가 로드 포트에 도착했을 때, 호스트 컴퓨터로부터 다운로드되는 것이다.
마지막으로, 도 1에 나타낸 콘솔 단말(103)의 화면에 대하여, 도 11을 이용하여 설명한다. 콘솔 단말(103)은, 입력부와 출력부가 있고, 입력부로서 키보드나 마우스, 터치 펜 등이 갖추어져 있다. 또, 출력부로서 화면이 구비되어 있다. 그 화면에는, 제어 방법을 선택하는 에어리어(1101)와 장치 상태의 개요를 표시하는 에어리어(1102)와 장치 상태의 상세 데이터를 표시하는 에어리어(1103)가 있다. 제어 방법을 선택하는 에어리어(1101)에는, 제어 방법으로서 「수동」「자동」을 선택할 수 있도록 되어 있다. 또한, 제어 방법으로서 「자동」을 선택하면, 처리실 불확실 대응의 유무를 선택할 수 있게 된다. 또, 처리가 끝난 웨이퍼의 대기 시간 허용값도 처리실마다 입력하는 것이 가능하다. 장치 상태의 개요를 표시하는 에어리어(1102)에는, 어느 웨이퍼가 어디에 있는 것인지, 간편하게 파악할 수 있도록, 장치와 웨이퍼의 위치를 비주얼로 표시한다. 웨이퍼가 이동하면, 웨이퍼의 표시 위치가 그것에 따라, 변경된다. 도면 중의 에어리어(1102) 내의 원형으로 기재한 것이 웨이퍼(1104)를 나타내는 것이다. 또, 장치 상태의 상세 데이터를 표시하는 에어리어(1103)에는, 장치 내에 있는 웨이퍼의 상세한 상태나 처리실이나 반송 기구의 상세한 상태를 표시한다.
101: 기계부 102: 동작 제어부
103: 콘솔 단말 104: 연산부
105: 기억부 106: 제어 모드 설정부
107: 동작 지시 계산부 108: 할당 대상 처리실 계산부
109: 반송처 계산부 110: 반송 시간 추정 계산부
111: 장치 상태 정보 112: 처리 대상 정보
113: 처리실 정보 114: 반송처 정보
115: 동작 지시 정보 116: 동작 지시 룰 정보
117: 동작 시퀀스 정보 118: 할당 대상 처리실 정보
119: 추정 시간 정보 120: 대기 시간 허용값 정보
121: 호스트 컴퓨터 122: 네트워크
201, 202: 로드 포트 203: 대기 로봇
204: 박스체
205, 206, 207, 208, 209, 210: 처리실
211: 로드 록 212, 213: 중간실
214, 215, 216: 반송실 217, 218, 219: 진공 로봇
220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231: 게이트 밸브
232: 대기 측 기계부 233: 진공 측 기계부
224: 얼라이너 301: 카세트
302: 박스체 303: 대기 로봇
307, 312, 318: 반송실 308, 313, 317: 진공 로봇
304, 306, 309, 311, 314, 316: 게이트 밸브
319, 320, 321, 322, 323, 324, 325: 웨이퍼
402: 제어 모드 설정부 처리 403: 수동 반송처 설정
404: 반송처 결정 계산 407: 동작 명령 계산
408: 동작 명령 507: 동작 지시 계산
509: 추정 시간 계산 511: 동작 순서 계산
513: 동작 명령 생성 804: 할당 대상 처리실 정보 계산
806: 반송처 계산
601, 602, 603, 901, 902, 903, 904, 1001, 1002, 1003, 1004: 처리 단계
1101: 제어 방법 선택 에어리어 1102: 장치 상태 개요 표시 에어리어
1103: 장치 상태 상세 데이터 표시 에어리어
1104: 웨이퍼

Claims (11)

  1. 대기 측에 놓인 피처리체를 진공 측으로 가져오는 로드 록과,
    진공 측에 배치되어, 상기 피처리체의 수도(受渡) 및 반송을 행하는 진공 로봇을 구비하여 이루어지는 복수의 반송 기구부와,
    상기 반송 기구부에 접속된 상기 피처리체에 미리 설정된 처리를 실시하는 복수의 처리실과,
    상기 반송 기구부 사이를 연결하여 상기 피처리체를 중계 재치(載置)하는 중간실과,
    상기 로드 록과 상기 중간실에 배치된 복수의 상기 피처리체를 유지하는 유지 기구부와,
    상기 피처리체의 수도 및 반송을 제어하는 제어부를 구비한 진공 처리 장치로서,
    상기 제어부는, 상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간보다 빨리, 상기 피처리체를 반출할 수 있는 경우에는, 상기 피처리체 중, 상기 처리실 내에 처리가 끝난 피처리체가 있고, 당해 처리실과 접속된 상기 반송 기구부에 있어서, 당해 반송 기구부와 접속된 상기 중간실 내에 다음 반송처가 당해 처리실인 미처리의 피처리체가 있는 상황에서는, 미처리의 피처리체를, 상기 처리실 내에 있는 처리가 끝난 피처리체에 우선하여 반출하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
  2. 대기 측에 놓인 피처리체를 진공 측으로 가져오는 로드 록과,
    진공 측에 배치되어, 상기 피처리체의 수도(受渡) 및 반송을 행하는 진공 로봇을 구비하여 이루어지는 복수의 반송 기구부와,
    상기 반송 기구부에 접속된 상기 피처리체에 미리 설정된 처리를 실시하는 복수의 처리실과,
    상기 반송 기구부 사이를 연결하여 상기 피처리체를 중계 재치(載置)하는 중간실과,
    상기 로드 록과 상기 중간실에 배치된 복수의 상기 피처리체를 유지하는 유지 기구부와,
    상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간의 허용값을 입력할 수 있는 입력부와,
    상기 피처리체의 수도 및 반송을 제어하는 제어부를 구비한 진공 처리 장치로서,
    상기 제어부는, 상기 처리실까지의 반송 시간을 추정하고, 추정된 반송 시간이, 처리가 끝난 상기 피처리체에 대하여 입력된 상기 대기할 수 있는 시간의 허용값을 초과한 경우에, 상기 피처리체의 다음 반송처인 실(室)이 상기 피처리체를 수용 가능한 상태인 범위 내에서, 상기 반송 기구부가 처리가 끝난 상기 피처리체를, 미처리인 상기 피처리체보다 우선하여 반출하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 시뮬레이션에 의해, 상기 피처리체를 처리하는 스루풋을 산출하고, 당해 스루풋에 기초하여, 상기 피처리체를 반송하는 반송실 및 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제어부는, 복수의 반송 기구부의 동작 순서에 대하여, 당해 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기하는 시간을 산출하고, 산출된 시간이 상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간을 넘지 않도록 상기 반송 기구부의 동작 순서를 선택하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
  5. 대기 측에 놓인 피처리체를 진공 측으로 가져오는 로드 록과, 진공 측에 배치되어, 상기 피처리체의 수도 및 반송을 행하는 진공 로봇을 구비하여 이루어지는 복수의 반송 기구부와, 상기 반송 기구부에 접속된 상기 피처리체에 미리 설정된 처리를 실시하는 복수의 처리실과, 상기 반송 기구부 사이를 연결하여 상기 피처리체를 중계 재치하는 중간실과, 상기 로드 록과 상기 중간실에 배치된 복수의 상기 피처리체를 유지하는 유지 기구부를 구비한 진공 처리 장치에 있어서 상기 피처리체를 처리하는 진공 처리 방법으로서,
    상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간을 설정하는 단계와,
    설정된 상기 대기할 수 있는 시간에 기초하여, 상기 피처리체를 반송하는 반송실 및 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정하는 단계를 구비하고,
    상기 피처리체를 반송하는 반송실 및 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정하는 단계는, 상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간보다 빨리, 상기 피처리체를 반출할 수 있는 경우에는, 상기 피처리체 중, 상기 처리실 내에 처리가 끝난 피처리체가 있고, 당해 처리실과 접속된 상기 반송 기구부에 있어서, 당해 반송 기구부와 접속된 상기 중간실 내에 다음 반송처가 당해 처리실인 미처리의 피처리체가 있는 상황에서는, 미처리의 피처리체의 반출을, 상기 처리실 내에 있는 처리가 끝난 피처리체의 반출에 우선하는 것인 것을 특징으로 하는 진공 처리 방법.
  6. 대기 측에 놓인 피처리체를 진공 측으로 가져오는 로드 록과, 진공 측에 배치되어, 상기 피처리체의 수도 및 반송을 행하는 진공 로봇을 구비하여 이루어지는 복수의 반송 기구부와, 상기 반송 기구부에 접속된 상기 피처리체에 미리 설정된 처리를 실시하는 복수의 처리실과, 상기 반송 기구부 사이를 연결하여 상기 피처리체를 중계 재치하는 중간실과, 상기 로드 록과 상기 중간실에 배치된 복수의 상기 피처리체를 유지하는 유지 기구부를 구비한 진공 처리 장치에 있어서 상기 피처리체를 처리하는 진공 처리 방법으로서,
    상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간을 설정하는 단계와,
    설정된 상기 대기할 수 있는 시간에 기초하여, 상기 피처리체를 반송하는 반송실 및 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정하는 단계를 구비하고,
    상기 피처리체를 반송하는 반송실 및 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정하는 단계는, 상기 처리실까지의 반송 시간을 추정하고, 추정된 반송 시간이, 처리가 끝난 상기 피처리체의 대기 시간의 허용값을 초과한 경우에, 상기 피처리체의 다음 반송처인 실이, 상기 피처리체를 수용 가능한 상태인 범위 내에서, 상기 반송 기구부가 처리가 끝난 상기 피처리체의 반출을, 미처리인 상기 피처리체의 반출보다 우선하는 것인 것을 특징으로 하는 진공 처리 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    시뮬레이션에 의해 상기 피처리체를 처리하는 스루풋을 산출하는 단계와,
    당해 스루풋에 기초하여 상기 피처리체를 반송하는 반송실 및 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 방법.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 피처리체를 반송하는 반송실 및 상기 반송 기구부의 동작 순서를 결정하는 단계는, 복수의 반송 기구부의 동작 순서에 대하여, 당해 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기하는 시간을 산출하고, 산출된 시간이 상기 피처리체가 처리 종료 후에 상기 처리실 내에 대기할 수 있는 시간을 넘지 않는 상기 반송 기구부의 동작 순서를 선택하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
KR1020130110440A 2012-10-10 2013-09-13 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 KR101531985B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-224685 2012-10-10
JP2012224685A JP6002532B2 (ja) 2012-10-10 2012-10-10 真空処理装置及び真空処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140046983A KR20140046983A (ko) 2014-04-21
KR101531985B1 true KR101531985B1 (ko) 2015-06-26

Family

ID=50432787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130110440A KR101531985B1 (ko) 2012-10-10 2013-09-13 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140099176A1 (ko)
JP (1) JP6002532B2 (ko)
KR (1) KR101531985B1 (ko)
TW (1) TWI518833B (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014025918A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Applied Materials, Inc Linked vacuum processing tools and methods of using the same
JP6298318B2 (ja) * 2014-02-25 2018-03-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6297001B2 (ja) * 2014-03-19 2018-03-20 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、プログラム、および物品の製造方法
US10520932B2 (en) 2014-07-03 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Transport system and method
AU2015100138A4 (en) * 2015-01-12 2015-03-05 Macau University Of Science And Technology Method for Scheduling Single-arm Cluster Tools with Wafer Revisiting and Residency Time Constraints
US9618930B1 (en) * 2015-09-20 2017-04-11 Macau University Of Science And Technology Scheduling start-up process for time-constrained single-arm cluster tools
KR20210027503A (ko) * 2016-10-18 2021-03-10 베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 워크피스 처리를 위한 시스템 및 방법
US11482434B2 (en) 2016-10-18 2022-10-25 Belting E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Systems and methods for workpiece processing
US10043693B1 (en) * 2017-06-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for handling substrates in a processing system having a buffer chamber
KR20200072060A (ko) * 2018-12-12 2020-06-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102315878B1 (ko) * 2018-12-26 2021-10-21 세메스 주식회사 이송유닛제어부 및 기판처리장치
CN111801785B (zh) * 2019-02-07 2023-09-05 株式会社日立高新技术 真空处理装置的运转方法
CN111446186B (zh) * 2020-03-27 2023-02-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种防止调度死锁的物料分类调度方法
CN112582320B (zh) * 2020-12-08 2024-02-09 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003241818A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システムのスケジュール作成方法及びそのプログラム
KR20080054149A (ko) * 2006-12-12 2008-06-17 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
JP2011124496A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 半導体処理システム及びプログラム

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW276353B (ko) * 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
US6201999B1 (en) * 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6480756B1 (en) * 1999-10-12 2002-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Real-time monitor mechanism for heterogeneous production lines
US6889105B2 (en) * 2001-05-16 2005-05-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Scheduling method and program for a substrate processing apparatus
JP3758992B2 (ja) * 2001-05-16 2006-03-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP4657528B2 (ja) * 2001-09-05 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 処理システムおよび処理方法
JP3916473B2 (ja) * 2002-01-31 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4283559B2 (ja) * 2003-02-24 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び真空処理装置並びに常圧搬送装置
KR100831108B1 (ko) * 2003-12-24 2008-05-20 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 생산·물류 스케줄 작성 장치 및 방법, 생산·물류 프로세스제어 장치 및 방법, 컴퓨터 프로그램, 및 컴퓨터 판독가능한 기록 매체
US20050233477A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method
US7246985B2 (en) * 2004-04-16 2007-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Work-piece processing system
US8257013B2 (en) * 2004-11-24 2012-09-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate treatment apparatus
US8078311B2 (en) * 2004-12-06 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus
JP4353903B2 (ja) * 2005-01-07 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 クラスタツールの処理システム
JP4925650B2 (ja) * 2005-11-28 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
DE102006025407A1 (de) * 2006-05-31 2007-12-06 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum dynamischen Ändern der Transportsequenz in einer Cluster-Anlage
US20080216077A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Software sequencer for integrated substrate processing system
US20090029502A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing
DE102007046848A1 (de) * 2007-09-29 2009-04-02 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum Steuern der Transportsequenzen in einer Prozessanlage mittels eines vorausschauenden Modus
JP5330721B2 (ja) * 2007-10-23 2013-10-30 オルボテック エルティ ソラー，エルエルシー 処理装置および処理方法
US8731706B2 (en) * 2008-09-12 2014-05-20 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
JP4707749B2 (ja) * 2009-04-01 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板交換方法及び基板処理装置
JP5433290B2 (ja) * 2009-04-20 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び制御装置
JP5358366B2 (ja) * 2009-09-14 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び方法
JP2011091334A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置
JP5586271B2 (ja) * 2010-03-02 2014-09-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及びプログラム
JP5503006B2 (ja) * 2010-08-06 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、搬送モジュール、基板処理方法及び半導体素子の製造方法
JP2012114259A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Lapis Semiconductor Co Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
JP5476337B2 (ja) * 2011-05-26 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及びプログラム
JP5592863B2 (ja) * 2011-11-02 2014-09-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置および被処理体の搬送方法
WO2013103119A1 (ja) * 2012-01-05 2013-07-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 自動分析装置および自動分析装置における試薬処理方法
JP2013143413A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2013143513A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP6013792B2 (ja) * 2012-06-12 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板搬送装置
JP5981307B2 (ja) * 2012-11-07 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP6216530B2 (ja) * 2013-03-29 2017-10-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置の運転方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003241818A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システムのスケジュール作成方法及びそのプログラム
KR20080054149A (ko) * 2006-12-12 2008-06-17 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
JP2011124496A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 半導体処理システム及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140046983A (ko) 2014-04-21
US20140099176A1 (en) 2014-04-10
JP6002532B2 (ja) 2016-10-05
TW201414654A (zh) 2014-04-16
JP2014078576A (ja) 2014-05-01
TWI518833B (zh) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101531985B1 (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
KR101447985B1 (ko) 진공 처리 장치 및 피처리체의 반송 방법
JP5586271B2 (ja) 真空処理装置及びプログラム
KR101357889B1 (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
KR102168354B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5476162B2 (ja) 真空処理装置及びプログラム
JP5282021B2 (ja) 半導体処理システム及び半導体処理方法
KR20060043261A (ko) 재료 제어 시스템 인터페이스를 위한 방법 및 장치
TWI716275B (zh) 真空處理裝置之運轉方法
KR20140077829A (ko) 기판 처리 장치
KR101530945B1 (ko) 진공 처리 장치의 운전 방법
JP6106370B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法
JP6430889B2 (ja) 真空処理装置およびその運転方法
TWI792520B (zh) 真空處理裝置之運轉方法
US20230163003A1 (en) Substrate processing apparatus and process control method thereof
JP2024010382A (ja) 真空処理装置の運転方法
Dash et al. Enhancing Utilization and Cycle Times at Clustered Etch Tools through Concurrent Dispatching

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180530

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 5