KR101522746B1 - 반도체 레이저 소자의 제조 방법 - Google Patents

반도체 레이저 소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

가공 대상물(1)에 대해 절단 예정 라인(5a, 5b)을 따른 절단 기점 영역(8a, 8b)의 형성을 미리 행한다. 여기서, 절단 기점 영역(8b)은 가공 대상물(1)의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해 형성되는 개질 영역(7b)을 갖는 것이고, 또한 절단 예정 라인(5b)을 따른 부분 중, 절단 예정 라인(5a)과 교차하는 부분(34b)을 제외하고 형성된다. 이로 인해, 절단 기점 영역(8a)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)을 절단할 때에, 절단 기점 영역(8b)의 영향력이 매우 작아져서 정밀도가 양호한 벽개면을 갖는 바를 확실하게 얻을 수 있다. 따라서, 복수의 바 각각에 대해 절단 예정 라인(5b)을 따른 절단 기점 영역의 형성을 행하는 것이 불필요하게 되어, 반도체 레이저 소자의 생산성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.

Description

반도체 레이저 소자의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT}
본 발명은 스트라이프(stripe) 구조의 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
스트라이프 구조의 반도체 레이저 소자는, 예를 들어 비특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이 제조되는 것이 종래 일반적이다.
즉, 먼저, 반도체 레이저 소자로 이루어진 복수의 반도체 레이저부가 2차원 매트릭스 형상으로 배열된 가공 대상물을 준비한다. 그리고, 그 가공 대상물에 대해 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프 방향과 직교하는 방향으로 연재(延在)하는 절단 예정 라인의 단부(端部)를 따라서, 다이아몬드 커터 등의 스크라이버로 표시선(罫書)을 넣는다(1차 스크라이브). 이어서, 그 표시선을 기점(起点)으로 하여 가공 대상물을 절단 예정 라인을 따라서 벽개(劈開)시키는 것에 의해 복수의 반도체 레이저부가 1차원으로 배열된 바(bar)를 복수 얻는다.
그 후, 바에 있어서 스트라이프 방향과 직교하는 벽개면에, 보호막이나 반사 제어막으로 이루어진 유전체막을 코팅한다. 그리고, 그 바에 대해 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프 방향으로 연재하는 절단 예정 라인을 따라서 다이아몬드 커터 등의 스크라이버로 표시선을 넣는다(2차 스크라이브). 이어서, 그 표시선을 기점으로 하여 바를 절단 예정 라인을 따라서 벽개시키는 것에 의해 반도체 레이저 소자를 복수 얻는다.
또한, 1차 스크라이브에 의한 표시선을 기점으로 하여 가공 대상물을 벽개시키는 것에 의해 바를 복수 얻은 후에, 복수의 바 각각에 대해 2차 스크라이브를 행하는 것은 다음의 이유 때문이다. 즉, 가공 대상물에 대해 1차 스크라이브 및 2차 스크라이브 모두를 미리 행하면, 1차 스크라이브에 의한 표시선을 기점으로 하여 가공 대상물을 벽개시킬 때에, 2차 스크라이브에 의한 표시선이 영향을 받아 정밀도가 좋은 벽개면을 갖는 바가 얻어지지 않을 우려가 있기 때문이다.
비특허 문헌 1: 히라타 쇼지(平田照二) 저, 「이해하기 쉬운 반도체 레이저의 기초와 응용」, 제3판, CQ 출판 주식회사, 2004년 8월 1일, p.121-124
상술한 바와 같이, 종래 일반적인 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 있어서는, 가공 대상물을 벽개시키는 것에 의해 얻어진 복수의 바 각각에 대해 2차 스크라이브를 행해야 하기 때문에, 작업이 매우 번잡하여 생산성이 낮다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 생산성이 높은 반도체 레이저 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법은, 스트라이프 구조의 반도체 레이저 소자의 제조 방법으로서, 반도체 레이저 소자로 되는 복수의 반도체 레이저부가 2차원으로 배열된 가공 대상물에 대해, 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프 방향과 직교하는 방향으로 연재하는 제1 절단 예정 라인의 적어도 일부를 따라서, 제1 절단 기점 영역을 형성함과 아울러, 가공 대상물에 대해 그 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해, 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프 방향으로 연재하는 제2 절단 예정 라인을 따라서 개질(改質) 영역을 갖는 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정과; 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 가공 대상물을 제1 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것에 의해, 복수의 반도체 레이저부가 1차원으로 배열된 바를 복수 얻는 공정과; 제2 절단 기점 영역을 기점으로 하여 바를 제2 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것에 의해 반도체 레이저 소자를 복수 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 반도체 레이저 소자의 제조 방법에서는, 가공 대상물에 대해, 제1 절단 예정 라인의 적어도 일부를 따른 제1 절단 기점 영역의 형성, 및 제2 절단 예정 라인을 따른 제2 절단 기점 영역의 형성 모두를 미리 행한다. 여기서, 제2 절단 기점 영역은 가공 대상물의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해 형성되는 개질 영역을 갖는 것이다. 이로 인해, 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 가공 대상물을 절단할 때에, 예를 들어 표시선 등에 비해 제2 절단 기점 영역의 영향력이 작아져서, 정밀도가 좋은 벽개면을 갖는 바를 얻을 수 있다. 따라서, 복수의 바 각각에 대해, 제2 절단 예정 라인을 따른 제2 절단 기점 영역의 형성을 행하는 것이 불필요하게 되어, 반도체 레이저 소자의 생산성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 제1 절단 예정 라인의 적어도 일부를 따른 제1 절단 기점 영역의 형성, 및 제2 절단 예정 라인을 따른 제2 절단 기점 영역의 형성은 순서가 동일하지 않다.
본 발명에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 있어서, 제1 및 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 제2 절단 기점 영역을 기점으로 하여 가공 대상물을 제2 절단 예정 라인을 따라서 절단하는데 필요한 제2 절단력이, 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 가공 대상물을 제1 절단 예정 라인을 따라서 절단하는데 필요한 제1 절단력보다도 커지도록, 제2 절단 예정 라인을 따라서 제2 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 제2 절단 기점 영역을 형성함으로써, 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 가공 대상물을 절단할 때에, 제2 절단 기점 영역을 기점으로 하여 가공 대상물이 절단되는 것과 같은 사태를 확실하게 방지할 수 있다.
본 발명에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 있어서, 제1 및 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 가공 대상물에 대해 제2 절단 예정 라인을 따른 부분 중, 제1 절단 예정 라인과 교차하는 부분을 제외하고, 제2 절단 예정 라인을 따라서 제2 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 제2 절단 기점 영역을 형성함으로써, 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 가공 대상물을 절단할 때에, 제2 절단 기점 영역의 영향력을 한층 더 작게 할 수 있어, 정밀도가 좋은 벽개면을 갖는 바를 확실하게 얻는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 있어서, 제1 및 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 가공 대상물에 대해 그 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해, 제1 절단 예정 라인의 적어도 일부를 따라서, 개질 영역을 갖는 제1 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 가공 대상물에 대한 제1 절단 기점 영역의 형성 및 제2 절단 기점 영역의 형성 모두를 레이저 가공 장치만을 이용하여 미리 행할 수 있어, 반도체 레이저 소자의 생산성을 한층 더 향상시키는 것이 가능하게 된다.
이 때, 제1 및 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 가공 대상물에 대해 제1 절단 예정 라인을 따른 부분 중, 반도체 레이저 소자의 공진면(共振面)으로 되는 부분을 제외하고, 제1 절단 예정 라인을 따라서 제1 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 반도체 레이저 소자의 공진면에 있어서 레이저 광이 산란되거나, 레이저 광의 반사율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 있어서는, 바를 복수 얻는 공정과 반도체 레이저 소자를 복수 얻는 공정의 사이에, 바에 있어서 스트라이프 방향과 직교하는 단면에 유전체막을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 반도체 레이저 소자의 공진면으로 되는 부분에 보호막이나 반사 제어막을 효율적으로 형성할 수 있다.
본 발명에 의하면, 반도체 레이저 소자의 생산성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
도 1은 개질 영역 형성에 이용되는 레이저 가공 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 개질 영역 형성의 대상으로 되는 가공 대상물의 평면도이다.
도 3은 도 2의 가공 대상물의 II－II선을 따른 단면도이다.
도 4는 레이저 가공 후 가공 대상물의 평면도이다.
도 5는 도 4의 가공 대상물의 V－V선을 따른 단면도이다.
도 6은 도 4의 가공 대상물의 VI－VI선을 따른 단면도이다.
도 7은 레이저 가공 후 실리콘 웨이퍼의 절단면 사진을 나타내는 도면이다.
도 8은 레이저 광의 파장과 실리콘 기판 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9는 레이저 광의 피크 파워 밀도와 크랙 스폿 크기의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법이 적용되는 가공 대상물의 측면도이다.
도 11은 도 10의 가공 대상물의 표면측 일부 확대도이다.
도 12는 도 10의 가공 대상물의 이면측 일부 확대도이다.
도 13은 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프 방향과 직교하는 방향으로 연재하는 절단 예정 라인을 따른 도 11의 가공 대상물의 일부 확대 종단면도이다.
도 14는 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프 방향으로 연재하는 절단 예정 라인을 따른 도 12의 가공 대상물의 일부 확대 종단면도이다.
도 15는 절단 기점 영역 형성 후에 있어서 도 11의 가공 대상물의 일부 확대 횡단면도이다.
도 16은 도 11의 가공 대상물을 벽개시키는 것에 의해 얻어진 바의 표면측 일부 확대도이다.
도 17은 유전체막 형성 후에 있어서 도 16의 바의 표면측 일부 확대도이다.
도 18은 도 17의 바를 벽개시키는 것에 의해 얻어진 반도체 레이저 소자의 표면측 일부 확대도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 있어서는, 판 형상의 가공 대상물에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해, 절단 예정 라인을 따라서 가공 대상물에 개질 영역을 형성한다.
따라서, 우선, 본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 있어서 개질 영역의 형성에 대해 도 1 ~ 도 9를 참조하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(100)는 레이저 광(가공용 레이저 광; L)을 펄스 발진(發振)하는 레이저 광원(101)과, 레이저 광(L)의 광축의 방향을 90° 바꾸도록 배치된 다이크로익 미러(Dichroic Mirror; 103)와, 레이저 광(L)을 집광하기 위한 집광용 렌즈(105)를 구비하고 있다. 또, 레이저 가공 장치(100)는 집광용 렌즈(105)로 집광된 레이저 광(L)이 조사되는 가공 대상물(1)을 지지하기 위한 지지대(107)와, 지지대(107)를 X, Y, Z축 방향으로 이동시키기 위한 스테이지(111)와, 레이저 광(L)의 출력이나 펄스폭 등을 조절하기 위해 레이저 광원(101)을 제어하는 레이저 광원 제어부(102)와, 스테이지(111)의 이동을 제어하는 스테이지 제어부(115)를 구비하고 있다.
이 레이저 가공 장치(100)에 있어서, 레이저 광원(101)으로부터 출사된 레이저 광(L)은 다이크로익 미러(103)에 의해 그 광축의 방향이 90° 바뀌어져, 지지대(107)상에 재치(載置)된 가공 대상물(1)의 내부에 집광 렌즈(105)에 의해 집광된다. 이와 함께, 스테이지(111)가 이동되어, 가공 대상물(1)이 레이저 광(L)에 대해 절단 예정 라인(5)을 따라서 상대 이동된다. 이로 인해, 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단의 기점으로 되는 개질 영역이 가공 대상물(1)에 형성되게 된다. 이하, 이 개질 영역에 대해 상세하게 설명한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 판 형상의 가공 대상물(1)에는 가공 대상물(1)을 절단하기 위한 절단 예정 라인(5)이 설정되어 있다. 절단 예정 라인(5)은 직선 형상으로 뻗은 가상선(假想線)이다. 가공 대상물(1)의 내부에 개질 영역을 형성하는 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이 가공 대상물(1)의 내부에 집광점(P)을 맞춘 상태에서, 레이저 광(L)을 절단 예정 라인(5)에 따라서(즉, 도 2의 화살표 A 방향으로) 상대적으로 이동시킨다. 이로 인해, 도 4 ~ 도 6에 나타내는 바와 같이, 개질 영역(7)이 절단 예정 라인(5)을 따라서 가공 대상물(1)의 내부에 형성되고, 절단 예정 라인(5)을 따라서 형성된 개질 영역(7)이 절단 기점 영역(8)으로 된다.
또한, 집광점(P)은 레이저 광(L)이 집광하는 개소(箇所)이다. 또, 절단 예정 라인(5)은 직선 형상에 한하지 않고 곡선 형상이어도 되고, 가상선에 한하지 않고 가공 대상물(1)의 표면(3)에 실제로 그려진 선이어도 된다. 또, 개질 영역(7)은 연속적으로 형성되는 경우도 있고, 단속적으로 형성되는 경우도 있다. 또, 개질 영역(7)은 적어도 가공 대상물(1)의 내부에 형성되어 있으면 된다. 또, 개질 영역(7)을 기점으로 균열이 형성되는 경우가 있고, 균열 및 개질 영역(7)은 가공 대상물(1)의 외표면(표면, 이면, 또는 외주면(外周面))에 노출되어 있어도 된다.
덧붙여서 여기에서는, 레이저 광(L)이 가공 대상물(1)을 투과함과 아울러 가공 대상물(1) 내부의 집광점 근방에서 특히 흡수되고, 이로 인해 가공 대상물(1)에 개질 영역(7)이 형성된다(즉, 내부 흡수형 레이저 가공). 따라서, 가공 대상물(1)의 표면(3)에서는 레이저 광(L)이 거의 흡수되지 않으므로, 가공 대상물(1)의 표면(3)이 용융하는 일은 없다. 일반적으로, 표면(3)으로부터 용융되어 제거되어서 구멍이나 홈 등의 제거부가 형성되는(표면 흡수형 레이저 가공) 경우, 가공 영역은 표면(3)측으로부터 서서히 이면측으로 진행한다.
그런데 본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법으로 형성되는 개질 영역은 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위와는 다른 상태로 된 영역을 말한다. 예를 들어 (1) 용융 처리 영역, (2) 크랙 영역, 절연 파괴 영역, (3) 굴절률 변화 영역 등이 있고, 이들이 혼재(混在)한 영역도 있다.
본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 있어서 개질 영역은 레이저 광의 국소적인 흡수나 다광자 흡수라고 하는 현상에 의해 형성된다. 다광자 흡수는 재료의 흡수 밴드 갭 EG보다도 광자의 에너지 hυ가 작으면 광학적으로 투명하게 되기 때문에, 재료에 흡수가 생기는 조건은 hυ＞EG이지만, 광학적으로 투명해도 레이저 광(L)의 강도를 매우 크게 하면 nhυ＞EG의 조건(n=2, 3, 4, ㆍㆍㆍ)에서 재료에 흡수가 생기는 현상을 말한다. 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역의 형성은, 예를 들어 용접 학회 전국 대회 강연 개요 제66집(2000년 4월)의 제72페이지 ~ 제73페이지의 「피코 초 펄스 레이저에 의한 실리콘의 가공 특성 평가」에 기재되어 있다.
또, D.Du, X.Liu, G.Korn, J.Squier, and G.Mourou, “Laser Induced Breakdown by Impact Ionization in SiO2 with Pulse Widths from 7ns to 150fs”, Appl Phys Lett64(23), Jun. 6, 1994에 기재되어 있는 바와 같이 펄스폭이 수 피코 초부터 펨토 초의 초단(超短) 펄스 레이저 광을 이용하는 것에 의해 형성되는 개질 영역을 이용해도 된다.
(1) 개질 영역이 용융 처리 영역을 포함하는 경우
가공 대상물(예를 들어 실리콘과 같은 반도체 재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서 전계 강도가 1×108(W／㎠) 이상이고 펄스폭이 1㎲ 이하인 조건으로 레이저 광(L)을 조사한다. 이로 인해, 집광점 근방에서 레이저 광(L)이 흡수되어 가공 대상물의 내부가 국소적으로 가열되고, 이 가열에 의해 가공 대상물의 내부에 용융 처리 영역이 형성된다.
용융 처리 영역은 일단 용융 후 재고체화한 영역이나, 완전히 용융 상태인 영역이나, 용융 상태로부터 재고체화하는 상태의 영역이고, 상(相)이 변화된 영역이나 결정 구조가 변화된 영역이라고도 할 수도 있다. 또, 용융 처리 영역은 단결정 구조, 비정질 구조, 다결정 구조에 있어서, 어떤 구조가 별도의 구조로 변화한 영역이라고도 할 수도 있다. 즉, 예를 들어 단결정 구조로부터 비정질 구조로 변화한 영역, 단결정 구조로부터 다결정 구조로 변화한 영역, 단결정 구조로부터 비정질 구조 및 다결정 구조를 포함하는 구조로 변화한 영역을 의미한다. 가공 대상물이 실리콘 단결정 구조의 경우, 용융 처리 영역은 예를 들어 비정질 실리콘 구조이다.
도 7은 레이저 광이 조사된 실리콘 웨이퍼(반도체 기판)의 일부에 있어서 단면의 사진을 나타낸 도면이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(11)의 내부에 용융 처리 영역(13)이 형성되어 있다.
입사하는 레이저 광의 파장에 대해 투과성인 재료의 내부에 용융 처리 영역(13)이 형성된 것을 설명한다. 도 8은 레이저 광의 파장과 실리콘 기판 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 선도(線圖)이다. 단, 실리콘 기판의 표면측과 이면측 각각의 반사 성분을 제거하여 내부만의 투과율을 나타내고 있다. 실리콘 기판의 두께 t가 50㎛, 100㎛, 200㎛, 500㎛, 1000㎛인 각각에 대해 상기 관계를 나타내었다.
예를 들어 Nd：YAG 레이저의 파장인 1064㎚에 있어서, 실리콘 기판의 두께가 500㎛ 이하인 경우, 실리콘 기판의 내부에서는 레이저 광(L)이 80％ 이상 투과하는 것을 알 수 있다. 도 7에 나타내는 반도체 기판(11)의 두께는 350㎛이므로, 용융 처리 영역(13)은 반도체 기판(11)의 중심 부근, 즉 표면으로부터 175㎛인 부분에 형성된다. 이 경우의 투과율은 두께 200㎛의 실리콘 웨이퍼를 참고로 하면 90％ 이상이므로, 레이저 광(L)이 반도체 기판(11)의 내부에서 흡수되는 것은 얼마되지 않으며 거의 투과한다. 그러나 1×108(W／㎠) 이상이고 펄스폭이 1㎲ 이하인 조건에서 레이저 광(L)을 실리콘 웨이퍼 내부에 집광함으로써 집광점과 그 근방에서 국소적으로 레이저 광이 흡수되어 용융 처리 영역(13)이 반도체 기판(11)의 내부에 형성된다.
또한, 실리콘 웨이퍼에는 용융 처리 영역을 기점으로 하여 균열이 발생하는 경우가 있다. 또, 용융 처리 영역에 균열이 내포되어서 형성되는 경우가 있고, 이 경우에는, 그 균열이 용융 처리 영역에 있어서 전체 면에 걸쳐서 형성되어 있거나, 일부분만이나 복수 부분에 형성되어 있는 경우가 있다. 또한, 이 균열은 자연스럽게 성장(成長)하는 경우도 있고, 실리콘 웨이퍼에 힘이 인가되는 것에 의해 성장하는 경우도 있다. 용융 처리 영역으로부터 균열이 자연스럽게 성장하는 경우에는, 용융 처리 영역이 용융해 있는 상태로부터 성장하는 경우와, 용융 처리 영역이 용융해 있는 상태로부터 재고체화할 때에 성장하는 경우 모두 있다. 단, 어느 쪽의 경우도 용융 처리 영역은 실리콘 웨이퍼의 내부에 형성되고, 절단면에 있어서는 도 7에 나타내는 바와 같이, 내부에 용융 처리 영역이 형성되어 있다.
(2) 개질 영역이 크랙 영역을 포함하는 경우
가공 대상물(예를 들어 유리나 LiTaO3으로 이루어지는 압전 재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서 전계 강도가 1×108(W／㎠) 이상이고 펄스폭이 1㎲ 이하인 조건으로 레이저 광(L)을 조사한다. 이 펄스폭의 크기는 가공 대상물의 내부에 레이저 광(L)이 흡수되어 크랙 영역이 형성되는 조건이다. 이로 인해, 가공 대상물의 내부에는 광학적 손상이라고 하는 현상이 발생한다. 이 광학적 손상에 의해 가공 대상물의 내부에 열 변형이 유기(誘起)되고, 이로 인해 가공 대상물의 내부에 하나 또는 복수의 크랙을 포함하는 크랙 영역이 형성된다. 크랙 영역은 절연 파괴 영역이라고도 말할 수 있다.
도 9는 전계 강도와 크랙 크기 관계의 실험 결과를 나타내는 선도이다. 가로축은 피크 파워 밀도이고, 레이저 광(L)이 펄스 레이저 광이므로 전계 강도는 피크 파워 밀도로 나타낸다. 세로축은 1 펄스의 레이저 광(L)에 의해 가공 대상물의 내부에 형성된 크랙 부분(크랙 스폿)의 크기를 나타내고 있다. 크랙 스폿이 모여 크랙 영역으로 된다. 크랙 스폿의 크기는 크랙 스폿의 형상 중 최대의 길이로 되는 부분의 크기이다. 그래프 중의 검은 동그라미로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 100배, 개구수(NA)가 0.80인 경우이다. 한편, 그래프 중의 흰색 동그라미로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 50배, 개구수(NA)가 0.55인 경우이다. 피크 파워 밀도가 1011(W／㎠) 정도로부터 가공 대상물의 내부에 크랙 스폿이 발생하고, 피크 파워 밀도가 커짐에 따라 크랙 스폿도 커지는 것을 알 수 있다.
(3) 개질 영역이 굴절률 변화 영역을 포함하는 경우
가공 대상물(예를 들어 유리)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서 전계 강도가 1×108(W／㎠) 이상이고 펄스폭이 1ns 이하인 조건으로 레이저 광(L)을 조사한다. 이와 같이, 펄스폭이 매우 짧은 상태에서 가공 대상물의 내부에 레이저 광(L)이 흡수되면, 그 에너지가 열에너지로 바뀌지 않아, 가공 대상물의 내부에는 이온 가수(價數) 변화, 결정화 또는 분극 배향 등의 영속적인 구조 변화가 유기되어, 굴절률 변화 영역이 형성된다.
또한, 개질 영역은 용융 처리 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역 등이나 그것들이 혼재된 영역을 포함하고, 그 재료에 있어서 개질 영역의 밀도가 비개질 영역의 밀도와 비교해서 변화한 영역이거나 격자 결함이 형성된 영역이다. 이것들을 통틀어 고밀전이(高密轉移) 영역이라 할 수도 있다.
또한, 용융 처리 영역이나 굴절률 변화 영역, 개질 영역의 밀도가 비개질 영역의 밀도와 비교해서 변화한 영역, 격자 결함이 형성된 영역은 추가로 그들 영역의 내부나 개질 영역과 비개질 영역의 계면(界面)에 균열(갈라짐, 마이크로 크랙)을 내포하고 있는 경우가 있다. 내포되는 균열은 개질 영역의 전체 면에 걸친 경우나 일부분만이나 복수 부분에 형성되는 경우가 있다.
또한, 가공 대상물의 결정 구조나 그 벽개성 등을 고려하여 개질 영역을 다음과 같이 형성하면, 정밀도 좋게 가공 대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
즉, 실리콘 등의 다이아몬드 구조의 단결정 반도체로 이루어지는 기판의 경우는 (111)면(제1 벽개면)이나 (110)면(제2 벽개면)을 따른 방향으로 개질 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또, GaAs 등의 섬아연광형(閃亞鉛鑛型) 구조의 III－V족 화합물 반도체로 이루어지는 기판의 경우는 (110)면을 따른 방향으로 개질 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 사파이어(Al2O3) 등의 육방정계(六方晶系)의 결정 구조를 갖는 기판의 경우는 (0001)면(C면)을 주면으로 하여 (1120)면(A면) 또는(1100)면(M면)을 따른 방향으로 개질 영역을 형성하는 것이 바람직하다.
또, 상술한 개질 영역을 형성해야 할 방향(예를 들어 단결정 실리콘 기판에 있어서 (111)면을 따른 방향), 또는 개질 영역을 형성해야 할 방향에 직교하는 방향을 따라서 기판에 오리엔테이션 플랫(flat)을 형성하면, 그 오리엔테이션 플랫을 기준으로 함으로써 개질 영역을 용이하고 정확하게 기판에 형성하는 것이 가능하게 된다.
다음으로, 본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 10은 본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법이 적용되는 가공 대상물의 측면도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 판 형상의 가공 대상물(1)은 GaAs 등으로 이루어지는 반도체 기판(11)과, 반도체 기판(11)의 표면에 형성된 에피택셜 결정 성장층(31)과, 에피택셜 결정 성장층(31)의 표면에 형성된 애노드 전극층(32)과, 반도체 기판(11)의 이면에 형성된 캐소드 전극층(33)을 구비하고 있다. 에피택셜 결정 성장층(31)은 AlGaAs 등으로 이루어지는 클래드층 및 GaAs 등으로 이루어지는 활성층을 가지고 있다.
도 11은 도 10의 가공 대상물의 표면측 일부 확대도이고, 도 12는 도 10의 가공 대상물의 이면측 일부 확대도이다. 도 11, 12에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)은 스트라이프 구조의 반도체 레이저 소자로 되는 직사각형 판 형상(외형： 600㎛×200㎛, 두께： 120㎛)의 반도체 레이저부(34)가 2차원 매트릭스 형상으로 복수 배열되어서 구성되어 있다. 가공 대상물(1)에 대해서는 반도체 레이저부(34, 34) 사이에 있어서 스트라이프 방향(반도체 레이저 소자에 있어서 레이저 광의 공진 방향)과 직교하는 방향으로 연재하는 절단 예정 라인(제1 절단 예정 라인; 5a), 및 반도체 레이저부(34, 34) 사이에 있어서 스트라이프 방향으로 연재하는 절단 예정 라인(제2 절단 예정 라인; 5b)이 격자 형상으로 설정되어 있다.
또한, 반도체 기판(11)이 GaAs로 이루어지는 경우에는, (011)면 및 (0－1－1)면을 따라서 절단 예정 라인(5a, 5b)을 설정하고, 반도체 기판(11)이 GaN으로 이루어지는 경우에는, (1－100)면 및 (－1100)면을 따라서 절단 예정 라인(5a, 5b)을 설정한다.
애노드 전극층(32)은 도 11에 나타내는 바와 같이, 반도체 레이저부(34) 마다에 형성된 직사각 형상의 애노드 전극(35)을 가지고 있다. 행 방향 및 열 방향에서 인접하는 애노드 전극(35, 35)은 서로 수 ㎛ 정도의 틈새를 두고 형성되어 있고, 각 애노드 전극(35)의 네 모서리에는 절결부(35a)가 형성되어 있다. 또, 캐소드 전극층(33)은 도 12에 나타내는 바와 같이, 반도체 레이저부(34)마다에 형성된 직사각 형상의 캐소드 전극(36)을 가지고 있다. 행 방향 및 열 방향에서 인접하는 캐소드 전극(36, 36)은 서로 수 ㎛ 정도의 틈새를 두고 형성되어 있고, 각 캐소드 전극(36)에 있어서 스트라이프 방향과 직교하는 두 변에는 양 단부를 남기고 절결부(36a)가 형성되어 있다.
이상과 같이 구성된 가공 대상물(1)에 대해, 본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법이 적용된다.
우선, 가공 대상물(1)을 레이저 가공 장치의 지지대(도시하지 않음) 상에 고정한다. 그리고, 도 13에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 표면(3)을 레이저 광 입사면으로 하여 반도체 기판(11)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저 광(L)을 조사하고, 지지대의 이동에 의해 절단 예정 라인(5a)을 따라서 레이저 광(L)을 스캔한다. 이 때, 절단 예정 라인(5a)의 양측에는 수 ㎛ 정도의 틈새를 두고 애노드 전극(35)이 형성되어 있기 때문에, 레이저 광(L)은 절단 예정 라인(5a)에 있어서 애노드 전극(35)의 절결부(35a)에 끼워진 부분에서만 반도체 기판(11)의 내부에 집광된다. 이로 인해, 도 15에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에 있어서, 절단 예정 라인(5a)을 따른 부분 중, 반도체 레이저 소자의 공진면으로 되는 부분(34a)을 제외하고, 용융 처리 영역을 포함하는 개질 영역(7a)이 절단 예정 라인(5a)을 따라서 형성되어 절단 기점 영역(제1 절단 기점 영역; 8a)으로 된다.
이어서, 도 14에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 이면(21)을 레이저 광 입사면으로 하여 반도체 기판(11)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저 광(L)을 조사하고, 지지대의 이동에 의해 절단 예정 라인(5b)을 따라서 레이저 광(L)을 스캔한다. 이 때, 절단 예정 라인(5b)의 양측에는 수 ㎛ 정도의 틈새를 두고 캐소드 전극(36)이 형성되어 있기 때문에, 레이저 광(L)은 절단 예정 라인(5b)에 있어서 캐소드 전극(36)의 절결부(36a)에 끼워진 부분에서만 반도체 기판(11)의 내부에 집광된다. 이로 인해, 도 15에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에 있어서, 절단 예정 라인(5b)을 따른 부분 중, 절단 예정 라인(5a)과 교차하는 부분(34b)을 제외하고, 용융 처리 영역을 포함하는 개질 영역(7b)이 절단 예정 라인(5b)을 따라서 형성되어서 절단 기점 영역(제2 절단 기점 영역; 8b)으로 된다.
또한, 절단 기점 영역(8b)을 형성할 때에는, 절단 기점 영역(8b)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)을 절단 예정 라인(5b)에 따라서 절단하는데 필요한 절단력이, 절단 기점 영역(8a)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)을 절단 예정 라인(5a)을 따라서 절단하는데 필요한 절단력보다도 커지도록 한다. 구체적으로는, 1개의 절단 예정 라인(5a)에 대해 형성하는 개질 영역(7a)의 열수(列數)보다도, 1개의 절단 예정 라인(5b)에 대해 형성하는 개질 영역(7b)의 열수를 적게 하거나, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 조사하는 레이저 광(L)의 강도보다도, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 조사하는 레이저 광(L)의 강도를 작게 한다.
이어서, 도 16에 나타내는 바와 같이, 절단 기점 영역(8a)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)을 절단 예정 라인(5a)을 따라서 벽개시키는 것에 의해, 복수의 반도체 레이저부(34)가 1차원으로 배열된 바(37)를 복수 얻는다.
그리고, 도 17에 나타내는 바와 같이, 각 바(37)의 벽개면(바(37)에 있어서 스트라이프 방향과 직교하는 단면; 37a)에 유전체막(38)을 형성한다. 이로 인해, 반도체 레이저 소자의 공진면으로 되는 부분(34a)에, 보호막이나 반사 제어막을 효율 좋게 형성할 수 있다. 또한, 유전체막(38)의 형성은 증착이나 스퍼터링에 의해 Al2O3이나 Si2O3, Si3N4 등의 유전체를 소정의 두께로 적층하는 것으로 행해진다. 유전체막(38)은 특히 고출력의 반도체 레이저 소자를 제조하는 경우, 일단면측에서 반사율 5％ 정도의 저반사막으로 되고, 타단면측에서 반사율 95％ 정도의 고반사막으로 된다.
이어서, 도 18에 나타내는 바와 같이, 절단 기점 영역(8b)을 기점으로 하여 각 바(37)를 절단 예정 라인(5b)을 따라서 벽개시키는 것에 의해, 반도체 레이저 소자(39)를 복수 얻는다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에서는, 가공 대상물(1)에 대해 절단 예정 라인(5a)을 따른 절단 기점 영역(8a)의 형성, 및 절단 예정 라인(5b)을 따른 절단 기점 영역(8b)의 형성 모두를 미리 행한다. 여기서, 절단 기점 영역(8b)은 가공 대상물(1)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저 광(L)을 조사하는 것에 의해 형성되는 개질 영역(7b)을 갖는 것이고, 또한 절단 예정 라인(5b)을 따른 부분 중, 절단 예정 라인(5a)과 교차하는 부분(34b)을 제외하고, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 형성된다. 이로 인해, 절단 기점 영역(8a)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)을 절단할 때에, 예를 들어 표시선 등에 비해 절단 기점 영역(8b)의 영향력이 매우 작아져서, 정밀도가 좋은 벽개면(37a)을 갖는 바(37)를 확실하게 얻을 수 있다. 따라서, 복수의 바(37) 각각에 대해, 절단 예정 라인(5b)을 따른 절단 기점 영역의 형성을 행하는 것이 불필요하게 되어, 반도체 레이저 소자(39)의 생산성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
또, 절단 기점 영역(8a, 8b)을 형성할 때에는, 절단 기점 영역(8b)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)을 절단 예정 라인(5b)을 따라서 절단하는데 필요한 절단력이, 절단 기점 영역(8a)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)을 절단 예정 라인(5a)을 따라서 절단하는데 필요한 절단력보다도 커지도록, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 절단 기점 영역(8b)이 형성된다. 이로 인해, 절단 기점 영역(8a)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)을 절단할 때에, 절단 기점 영역(8b)을 기점으로 하여 가공 대상물(1)이 절단되는 사태를 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 절단 기점 영역(8a, 8b)을 형성할 때에는, 절단 기점 영역(8b)으로 되는 개질 영역(7b)뿐만 아니라 절단 기점 영역(8a)으로 되는 개질 영역(7a)도 가공 대상물(1)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저 광(L)을 조사하는 것에 의해 형성된다. 이 경우, 가공 대상물(1)에 대한 절단 기점 영역(8a)의 형성 및 절단 기점 영역(8b)의 형성 모두를, 레이저 가공 장치만을 이용하여 미리 행할 수 있다. 그리고, 절단 기점 영역(8a)은 가공 대상물(1)에 있어서 절단 예정 라인(5a)을 따른 부분 중, 반도체 레이저 소자(39)의 공진면으로 되는 부분(34a)을 제외하고, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 형성된다. 그 때문에, 반도체 레이저 소자(39)의 공진면에 있어서, 레이저 광이 산란되거나 레이저 광의 반사율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 반도체 기판(11)과 에피택셜 결정 성장층(31) 사이의 격자 정수의 미스피트를 방지하기 위해 반도체 기판(11)이 오프(OFF)각(角)을 갖는 것인 경우, 반도체 레이저부(34, 34) 사이에 있어서 스트라이프 방향으로 연재하는 절단 예정 라인(5b)을 따라서 표시선을 기점으로 하여 바(37)를 벽개시키면, 그 벽개면이 가공 대상물(1)의 표면(3)에 대해 경사지게 된다. 그에 대해, 본 실시 형태에 관한 반도체 레이저 소자의 제조 방법에서는 절단 기점 영역(8b)으로서 개질 영역(7b)을 형성하기 때문에, 절단 예정 라인(5b)을 따라서 바(37)를 분단시켰을 때에 있어서 분단면을 가공 대상물(1)의 표면(3)에 대해 거의 수직으로 할 수 있다. 이로 인해, 반도체 레이저 소자(39)에 있어서 칩핑(chipping)의 억제나 실장 면적의 소형화가 가능하게 된다.
본 발명은 상술한 실시 형태로 한정되지 않는다.
예를 들어 가공 대상물(1)을 벽개시키는 것에 의해 바(37)를 복수 얻기 위한 절단 기점 영역(5a)에 대해서는, 절단 예정 라인(5a)의 양단부 등, 절단 예정 라인(5a)의 적어도 일부를 따라서 형성하면 된다. 또한, 절단 기점 영역(5a)은 개질 영역(7a)을 갖는 것으로 한정되지 않으며 표시선 등이어도 된다.
또, 차광성을 갖는 애노드 전극(35)에 절결부(35a)를 설치함으로써, 가공 대상물(1)에 대해 절단 예정 라인(5a)을 따른 부분 중, 반도체 레이저 소자(39)의 공진면으로 되는 부분(34a)을 제외하고, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 절단 기점 영역(8a)을 형성하였으나, 이로 한정되지 않는다. 다른 예로서, 셔터 등에 의해 레이저 광(L)의 조사를 온/오프(ON/OFF)로 전환하거나, 레이저 광(L)의 발진 형태를 펄스파／CW파로 전환함으로써, 개질 영역(7a)의 형성／비형성을 행하여, 상술한 바와 같은 절단 기점 영역(8a)을 형성해도 된다. 이와 같은 경우에는, 애노드 전극층(32)의 형성 전에 절단 기점 영역(8a)을 형성할 수 있다. 이상의 점은 절단 기점 영역(8b)에 대해서도 동양(同樣)이다.
또한, 수 ㎛ 정도의 틈새를 두고 절단 예정 라인(5a)의 양측에 애노드 전극(35)을 형성하는 것은 레이저 광(L)의 차광을 실현함과 아울러, 절단 예정 라인(5a)을 따라서 가공 대상물(1)을 확실하고 고정밀도로 벽개시키기 위해서이다. 이는 캐소드 전극(36)에 대해서도 동양이다. 또, 반도체 레이저 소자(39)가 소형화할수록, 레이저 광(L)의 조사를 온/오프로 전환하거나, 레이저 광(L)의 발진 형태를 펄스파／CW파로 전환하는 것이 곤란하게 되기 때문에, 상술한 바와 같은 애노드 전극(35) 및 캐소드 전극(36)을 형성하는 것은 매우 유효하다. 특히 애노드 전극(35)이 그 네 모서리에 절결부(35a)를 가지고 있기 때문에, 반도체 레이저 소자(39)에 있어서 적합한 전압을 인가하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 의하면, 반도체 레이저 소자의 생산성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
1ㆍㆍㆍ가공 대상물,
5aㆍㆍㆍ절단 예정 라인(제1 절단 예정 라인),
5bㆍㆍㆍ절단 예정 라인(제2 절단 예정 라인),
7a, 7bㆍㆍㆍ개질 영역,
8aㆍㆍㆍ절단 기점 영역(제1 절단 기점 영역),
8bㆍㆍㆍ절단 기점 영역(제2 절단 기점 영역),
34ㆍㆍㆍ반도체 레이저부,
34aㆍㆍㆍ공진면으로 되는 부분,
34bㆍㆍㆍ교차하는 부분,
37ㆍㆍㆍ바,
37aㆍㆍㆍ벽개면(바에 있어서 스트라이프 방향과 직교하는 단면),
38ㆍㆍㆍ유전체막,
39ㆍㆍㆍ반도체 레이저 소자,
Lㆍㆍㆍ레이저 광,
Pㆍㆍㆍ집광점.

Claims (17)

  1. 스트라이프 구조의 반도체 레이저 소자의 제조 방법으로서,
    상기 반도체 레이저 소자로 되는 복수의 반도체 레이저부가 2차원으로 배열된 가공 대상물에 대해, 상기 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프(stripe) 방향과 직교하는 방향으로 연재(延在)하는 제1 절단 예정 라인의 적어도 일부를 따라서, 제1 절단 기점(起点) 영역을 형성함과 아울러, 상기 가공 대상물에 대해 그 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해, 상기 반도체 레이저부 사이에 있어서 상기 스트라이프 방향으로 연재하는 제2 절단 예정 라인을 따라서, 개질(改質) 영역을 갖는 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,
    상기 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 가공 대상물을 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것에 의해, 복수의 상기 반도체 레이저부가 1차원으로 배열된 바(bar)를 복수 얻는 공정과,
    상기 제2 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 바를 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것에 의해, 상기 반도체 레이저 소자를 복수 얻는 공정을 포함하고,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 제2 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 가공 대상물을 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서 절단하는데 필요한 제2 절단력이, 상기 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 가공 대상물을 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서 절단하는데 필요한 제1 절단력보다도 커지도록, 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서, 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해 상기 제2 절단 예정 라인을 따른 부분 중, 상기 제1 절단 예정 라인과 교차하는 부분을 제외하고, 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서, 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해 그 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해, 상기 제1 절단 예정 라인의 적어도 일부를 따라서, 개질 영역을 갖는 제1 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해 상기 제1 절단 예정 라인을 따른 부분 중, 상기 반도체 레이저 소자의 공진면(共振面)으로 되는 부분을 제외하고, 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서, 상기 제1 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 바를 복수 얻는 공정과 상기 반도체 레이저 소자를 복수 얻는 공정의 사이에, 상기 바에 있어서 상기 스트라이프 방향과 직교하는 단면(端面)에 유전체막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  7. 스트라이프 구조의 반도체 레이저 소자의 제조 방법으로서,
    상기 반도체 레이저 소자로 되는 복수의 반도체 레이저부가 2차원으로 배열된 가공 대상물에 대해, 상기 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프(stripe) 방향과 직교하는 방향으로 연재(延在)하는 제1 절단 예정 라인의 적어도 일부를 따라서, 제1 절단 기점(起点) 영역을 형성함과 아울러, 상기 가공 대상물에 대해 그 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해, 상기 반도체 레이저부 사이에 있어서 상기 스트라이프 방향으로 연재하는 제2 절단 예정 라인을 따라서, 개질(改質) 영역을 갖는 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,
    상기 제1 절단 기점 영역 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성한 후에, 상기 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 가공 대상물을 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것에 의해, 복수의 상기 반도체 레이저부가 1차원으로 배열된 바(bar)를 복수 얻는 공정과,
    상기 바를 복수 얻은 후에, 상기 제2 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 바를 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것에 의해, 상기 반도체 레이저 소자를 복수 얻는 공정을 포함하고,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 제2 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 가공 대상물을 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서 절단하는데 필요한 제2 절단력이, 상기 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 가공 대상물을 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서 절단하는데 필요한 제1 절단력보다도 커지도록, 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서, 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해 상기 제2 절단 예정 라인을 따른 부분 중, 상기 제1 절단 예정 라인과 교차하는 부분을 제외하고, 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서, 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해 그 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해, 상기 제1 절단 예정 라인의 적어도 일부를 따라서, 개질 영역을 갖는 제1 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해 상기 제1 절단 예정 라인을 따른 부분 중, 상기 반도체 레이저 소자의 공진면(共振面)으로 되는 부분을 제외하고, 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서, 상기 제1 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 바를 복수 얻는 공정과 상기 반도체 레이저 소자를 복수 얻는 공정의 사이에, 상기 바에 있어서 상기 스트라이프 방향과 직교하는 단면(端面)에 유전체막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  13. 스트라이프 구조의 반도체 레이저 소자의 제조 방법으로서,
    반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 에피택셜 결정 성장층을 구비하고, 상기 반도체 레이저 소자로 되는 복수의 반도체 레이저부가 2차원으로 배열된 가공 대상물에 대해, 상기 반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해 상기 반도체 레이저부 사이에 있어서 스트라이프(stripe) 방향과 직교하는 방향으로 연재(延在)하는 제1 절단 예정 라인을 따른 부분 중, 상기 반도체 기판에 있어서 상기 반도체 레이저 소자의 공진면으로 되는 부분을 제외하고 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서 개질 영역을 가지는 제1 절단 기점(起点) 영역을 형성함과 아울러, 상기 가공 대상물에 대해 상기 반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추어 레이저 광을 조사하는 것에 의해, 상기 반도체 레이저부 사이에 있어서 상기 스트라이프 방향으로 연재하는 제2 절단 예정 라인을 따라서, 개질(改質) 영역을 갖는 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,
    상기 제1 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 가공 대상물을 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것에 의해, 복수의 상기 반도체 레이저부가 1차원으로 배열된 바(bar)를 복수 얻는 공정과,
    상기 제2 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 바를 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것에 의해, 상기 반도체 레이저 소자를 복수 얻는 공정을 포함하고,
    상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 가공 대상물에 조사하는 레이저 광의 강도는, 상기 제1 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 상기 가공 대상물에 조사하는 레이저 광의 강도보다도 작은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서 형성하는 개질 영역의 열수는, 상기 제1 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 상기 제1 절단 예정 라인을 따라서 형성하는 개질 영역의 열수보다도 적은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 및 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해 상기 제2 절단 예정 라인을 따른 부분 중, 상기 제1 절단 예정 라인과 교차하는 부분을 제외하고, 상기 제2 절단 예정 라인을 따라서, 상기 제2 절단 기점 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
  17. 청구항 13에 있어서,
    상기 바를 복수 얻는 공정과 상기 반도체 레이저 소자를 복수 얻는 공정의 사이에, 상기 바에 있어서 상기 스트라이프 방향과 직교하는 단면(端面)에 유전체막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
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