JP4430689B2 - 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレーザ素子とそのレーザ素子の共振面の作製方法に関する。

紫外〜青色の領域に発光するレーザ素子の材料として窒化物半導体が知られており、本出願人は、最近この材料を用いてパルス電流において、室温でのレーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.Appl.Phys. Vol35 (1996) pp.L74-76）。発表したレーザ素子はいわゆる電極ストライプ型のレーザ素子であり、レーザの共振面はエッチングにより形成されている。エッチングで共振面を作製する方法は、簡単に共振面ができるという利点があるが、エッチング手段によりエッチングされた面に凹凸が発生しやすく、互いに平行な面が得られにくいという欠点がある。レーザの共振面は赤外、赤色半導体レーザで多用されているように、劈開して形成することが最も望ましい。例えばＧａＡｓ基板を用いた赤外半導体レーザであれば、その共振面は基板の劈開性が利用された劈開面が利用される。

窒化物半導体はサファイア基板の上に成長されることが多く、サファイアは六方晶系（正確には菱面体であるが、六方晶系で近似される。）であるため劈開性がほとんどない。このためサファイア基板の上に成長された窒化物半導体層を、基板の劈開性を用いて劈開することは非常に困難であった。

半導体レーザの共振面は凹凸が非常に少ない、いわば鏡面に近い平坦面にする必要がある。従って、本発明の目的とするところは、劈開により鏡面に近い共振面が得られた窒化物半導体レーザ素子と、そのレーザ素子の共振面の作製方法を提供することにある。

従来、サファイアの上に成長されていた窒化物半導体は、サファイアが劈開性がないため、同様に六方晶系である窒化物半導体層も劈開性がないと信じられていたが、本発明者らは、基板に関わらず、特定の面方位で窒化物半導体層を割れば窒化物半導体層に劈開性があることを新規に見出し、本発明を成すに至った。即ち、本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、Ｃ軸配向した窒化物半導体単結晶よりなる基板の上に活性層を含む窒化物半導体層を成長させたウェーハを形成し、該窒化物半導体層の表面に［外１］乃至［外６］面の内のいずれかに相当する面に沿ってエッチングにより溝を形成し、その溝に沿ってウェーハを劈開し、劈開された窒化物半導体層の劈開面は［外１］乃至［外６］面の内のいずれか一種類に相当する面であり、該劈開面は、レーザ素子の少なくとも一方の共振面とすることを特徴とする。

また本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、Ｃ軸配向した窒化物半導体単結晶よりなる基板の上に、活性層を含む窒化物半導体層を成長させたウェーハを形成し、窒化物半導体層を成長させた面と対向する基板の表面に［外１］乃至［外６］面の内のいずれかに相当する面に沿ってエッチングにより溝を形成し、その溝に沿ってウェーハを劈開し、劈開された窒化物半導体層の劈開面は［外１］乃至［外６］面の内のいずれか一種類に相当する面であり、該劈開面は、レーザ素子の少なくとも一方の共振面とすることを特徴とする。

［作用］図１に窒化物半導体単結晶の面方位を示すユニットセル図を示す。窒化物半導体は正確には菱面体構造を有しているが、この図に示すように六方晶系で近似できる。本発明のレーザ素子はこのユニットセル図に示す［外１］〜［外６］の内のいずれか一種類の面方位に沿った劈開面が少なくとも一方の共振面とされている。この面方位は六角柱で示す側面に相当し、これらの面で劈開された窒化物半導体層面は鏡面に近い面が得られる。例えばこの図で示す斜線部は［外３］面と［外６］面とを示しており、このように対向する共振面を劈開で形成することが最も好ましいが、必ずしも両方とも劈開で形成する必要はなく、片方を劈開により形成して、もう片方を他の手段、例えばエッチングで形成しても良い。

図２は、基板の上に成長された窒化物半導体の結晶構造を拡大して示す模式的な平面図である。窒化物半導体はこのように六角柱の単位結晶が集まった亀甲状に成長される。本発明の共振面の作製方法では、最上層の窒化物半導体の［外１］〜［外６］面の内のいずれか一種類に相当する面、例えばこの図に示すII−IIの延長線上にある窒化物半導体層の表面に溝を設け、その溝よりII−IIに示す線で窒化物半導体を劈開し、劈開された窒化物半導体層の劈開面をレーザ素子の共振面とすると、鏡面に近い共振面が得られる。溝とは言い換えると劈開するための傷であり、例えばダイヤモンドを刃先に有する罫書針で形成できる他、エッチングにより形成することもできる。なお、レーザ素子を作製する場合、最上層の窒化物半導体層には、通常、電極層が形成されるが、電極層を貫通して最上層の窒化物半導体層に劈開のための溝を設けることも、本発明の範囲内である。

さらに、基板が窒化物半導体単結晶である場合は、基板そのものの劈開性が利用できるため、基板の上に成長させた窒化物半導体層側に傷を設ける必要はなく、窒化物半導体層を成長させた基板と反対側の面にある［外１］乃至［外６］面の内のいずれか一種類に相当する面に傷を付けて、その傷から劈開すればよい。

以上説明したように本発明によると、窒化物半導体の劈開性を用いて共振面が形成できるので、非常に平滑な鏡面に近い共振面が作製できる。このためはレーザ素子のしきい値電流を低下させることもできるので、窒化物半導体レーザ素子を実用化する上で非常に有意義である。

本発明のレーザ素子の構造は劈開面を共振面とするレーザ素子であればどのようなものでも良く、素子構造は限定されない。例えば利得導波型ストライプ型レーザとして、電極ストライプ型、メサストライプ型、ヘテロアイソレーション型等を挙げることができる。またその他、作りつけ導波機構をもつストライプ型レーザとして、埋め込みヘテロ型、ＣＳＰ型、リブガイド型等を挙げることができる。これらの構造のレーザ素子は、活性層中に導波路が作製され、導波路端面に相当する位置に共振面が作製されて、その共振面同士で活性層の発光が共振されて、導波路に沿って発振する。また、共振面に光の閉じ込めを図るために、通常行われているような誘電体多層膜を形成してもよい。

（実施例１）
図３は本発明の一態様に係るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、共振面と平行な方向で切断した際の図を示している。以下、この図を元に実施例１について説明する。

Ｃ軸配向した厚さ５００μｍのＧａＮよりなる基板１０をＭＯＶＰＥ装置の反応容器内に設置した後、原料ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）と、アンモニア、ドナー不純物としてＳｉＨ₄（シラン）ガスを用いて、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１１を４μｍの膜厚で成長させた。

本発明のレーザ素子では基板は特に限定されるものではなく、窒化物半導体を成長させるために、従来使用され、また提案されている全ての基板について適用可能である。例えば、ＧａＮの他に、サファイア、スピネル、酸化亜鉛等の酸化物基板、Ｓｉ、ＳｉＣ等の半導体基板等が知られており、本発明ではいずれにも適用可能である。特に好ましくは、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等の窒化物半導体よりなる単結晶の基板を用いる。その理由は、前記したように窒化物半導体単結晶の基板を用いることにより、基板の劈開性を用いて共振面を形成することができるので、半導体層側に溝を設けずに、基板側に溝を設けて、その溝から［外１］〜［外６］面に従って劈開することができるからである。また基板が窒化物半導体と格子整合しているため、非常に膜質のよい結晶を成長できる。

ｎ型コンタクト層１１はＩｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＧａＮ、ＩｎＧａＮ、その中でもＳｉをドープしたＧａＮで構成することにより、キャリア濃度の高いｎ型層が得られ、また負電極と好ましいオーミック接触が得られるので、レーザ素子のしきい値電流を低下させることができる。

温度を１０５０℃に保持して、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、不純物ガスにＣｐ₂Ｍｇを用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなる電流阻止層２０を０．５μｍの膜厚で成長させた。この電流阻止層は後に、活性層に電流を集中させて導波路を作製する作用がある。

電流阻止層２０を成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、電流阻止層２０を図３に示すように、ｎ型コンタクト層１１に達する深さでＶ溝状にメサエッチした。Ｖ溝の幅は５μｍとして、電流阻止層２０の表面にストライプ状に深さ２．５μｍで形成した。Ｖ溝状のストライプは、その溝の中にｎ型光閉じ込め層１２、ｎ型光ガイド層１３、活性層１４、ｐ型光ガイド層１５、及びｐ型光閉じ込め層１６がＶ溝中に入りやすくなる。活性層から発するレーザ光は、縦方向が活性層の上下にある光閉じ込め層により制御される。Ｖ溝を形成すると、活性層１５を挟む横方向の光閉じ込め層が溝中に入り込むことにより、レーザ光の横方向が制御でき、溝中に光閉じ込めが可能となるのでレーザのしきい値電流を下げることができる。つまり、Ｖ溝により横方向の活性層が屈折率の異なるクラッド層で挟まれたいわば屈折率導波のレーザ素子ができる。さらにＶ溝はメサ形状を有しているため、Ｖ溝の上に成長させる窒化物半導体層が均一な膜厚で結晶成長可能となる。

次に、再度ウェーハを反応容器に移送し、温度を７５０℃にして、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニア、不純物ガスにシランガスを用い、ＳｉドープＩｎ_0.1Ｇａ_0.9Ｎよりなるクラック防止層を３００オングストロームの膜厚で成長させた。このクラック防止層は特に図示していないが、Ｉｎを含むｎ型の窒化物半導体、好ましくはＩｎＧａＮで成長させることにより、次に成長させるＡｌを含む窒化物半導体よりなるｎ型光閉じこめ層１２を厚膜で成長させることが可能となる。ＬＤの場合は、光閉じ込め層、光ガイド層となる層を、例えば０．１μｍ以上の膜厚で成長させる必要がある。従来ではＧａＮ、ＡｌＧａＮ層の上に直接厚膜のＡｌＧａＮを成長させると、後から成長させたＡｌＧａＮにクラックが入るので素子作製が困難であったが、このクラック防止層が次に成長させる光閉じこめ層にクラックが入るのを防止することができる。しかも次に成長させる光閉じこめ層３を厚膜で成長させても膜質良く成長できる。なおこのクラック防止層は１００オングストローム以上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させることが好ましい。１００オングストロームよりも薄いと前記のようにクラック防止として作用しにくく、０．５μｍよりも厚いと、結晶自体が黒変する傾向にある。なお、このクラック防止層は成長方法、成長装置によっては省略することもできる。

次に、原料ガスにＴＥＧ、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アンモニア、不純物ガスにシランガスを用いて、Ｓｉドープｎ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎよりなるｎ型光閉じこめ層１２を０．５μｍの膜厚で成長させた。ｎ型光閉じこめ層１２はＡｌを含むｎ型の窒化物半導体で構成し、好ましくは二元混晶あるいは三元混晶のＡｌ_YＧａ_1-YＮ（０＜Y≦１）とすることにより、結晶性の良いものが得られ、また活性層との屈折率差を大きくしてレーザ光の縦方向の閉じ込めに有効である。この層は通常０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましい。０．１μｍよりも薄いと光閉じ込め層として作用しにくく、１μｍよりも厚いと、結晶中にクラックが入りやすくなり素子作成が困難となる傾向にある。

続いて、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層１３を５００オングストロームの膜厚で成長させた。ｎ型光ガイド層１３は、Ｉｎを含むｎ型の窒化物半導体若しくはｎ型ＧａＮで構成し、好ましくは三元混晶若しくは二元混晶のＩｎ_XＧａ_1-XＮ（０≦X＜１）とする。この層は通常１００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより次の活性層を量子井戸構造とすることが容易に可能になる。

次に原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いて活性層１４を成長させた。活性層は温度を７５０℃に保持して、まずノンドープＩｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度で、ノンドープＩｎ_0.01Ｇａ_0.95Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を１３回繰り返し、最後に井戸層を成長させ総膜厚０．１μｍの膜厚の多重量子井戸構造よりなる活性層１４を成長させた。

活性層１４成長後、温度を１０５０℃にしてＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、アクセプター不純物源としてＣｐ₂Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなるｐ型キャップ層を１００オングストロームの膜厚で成長させた。このｐ型キャップ層も特に図示していないが、Ａｌ_YＧａ_1-YＮ（０＜Y＜１）で形成することが好ましく、１μｍ以下、さらに好ましくは１０オングストローム以上、０．１μｍ以下の膜厚で成長させることにより、ＩｎＧａＮよりなる活性層が分解するのを防止するキャップ層としての作用があり、また活性層の上にＡｌを含むｐ型窒化物半導体よりなるｐ型キャップ層を成長させることにより、発光出力が格段に向上する。逆に活性層に接するｐ層をＧａＮとすると素子の出力が約１／３に低下してしまう。これはＡｌＧａＮがＧａＮに比べてｐ型になりやすく、またｐ型キャップ層成長時に、ＩｎＧａＮが分解するのを抑える作用があるためと推察されるが、詳しいことは不明である。このｐ型キャップ層の膜厚は１μｍよりも厚いと、層自体にクラックが入りやすくなり素子作製が困難となる傾向にある。なおこのｐ型キャップ層も省略可能である。

次に温度を１０５０℃に保持しながら、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ₂Ｍｇを用いＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層１５を５００オングストロームの膜厚で成長させた。このｐ型光ガイド層１５は、Ｉｎを含む窒化物半導体若しくはＧａＮで構成し、好ましくは二元混晶または三元混晶のＩｎ_YＧａ_1-YＮ（０＜Y≦１）を成長させる。光ガイド層は、通常１００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮとすることにより、次のｐ型光閉じこめ層１６を結晶性良く成長できる。

続いて、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ₂Ｍｇを用いてＭｇドープＡｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎよりなるｐ型光閉じこめ層１６を０．５μｍの膜厚で成長させた。このｐ型光閉じ込め層１６は、Ａｌを含むｐ型の窒化物半導体で構成し、好ましくは二元混晶または三元混晶のＡｌ_YＧａ_1-YＮ（０＜Y≦１）とすることにより結晶性の良いものが得られる。ｐ型光閉じこめ層１６はｎ型光閉じこめ層１２と同じく、０．１μｍ〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましく、ＡｌＧａＮのようなＡｌを含むｐ型窒化物半導体とすることにより、活性層との屈折率差を大きくして光閉じ込め層として有効に作用する。

続いて、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ₂Ｍｇを用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層１７を０．５μｍの膜厚で成長させた。ｐ型コンタクト層１７はｐ型Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、特にＩｎＧａＮ、ＧａＮ、その中でもＭｇをドープしたｐ型ＧａＮとすると、最もキャリア濃度の高いｐ型層が得られて、正電極と良好なオーミック接触が得られ、しきい値電流を低下させることができる。なお以上説明したｎ型層の一般式Ａｌ_XＧａ_1-XＮ、ｐ型層のＡｌ_XＧａ_1-XＮ等の組成比X値は単に一般式を示しているに過ぎず、ｎ型層のXとｐ型層のXとが同一の値を示すものではない。また同様に他の一般式において使用するY値も同一の一般式が同一の値を示すものではない。

次に最上層のｐ型コンタクト層１７のほぼ全面に正電極を形成し、窒化物半導体を成長させていない基板１０の表面に、対向する負電極を形成した。

電極形成後、基板側の負電極の上から、窒化物半導体単結晶基板の［外１］に相当するウェーハの端部に、スクライバーのダイヤモンドポイントカッターを用いて５ｍｍ程度の長さの傷をつけ、その傷に沿って外力によりウェーハを劈開した。劈開方向は、当然上記したＶ溝に垂直な方向とする。このように窒化物半導体層を有するウェーハを劈開することにより、［外１］面と［外４］面に相当する活性層の劈開面が露出した半導体バーを作製した。この操作により、互いに対向する共振面が窒化物半導体の劈開性により形成された。なおこの例は、基板側に傷を付けてウェーハを劈開したが、正電極側にある窒化物半導体層に傷を付けてウェーハを劈開してもよいことは云うまでもない。

以上のようにして得られた半導体バーの劈開面に誘電体多層膜よりなる反射鏡をスパッタリング装置を用いて形成した後、ダイシングにより劈開面に垂直な方向でバーを切断して０．８ｍｍ×０．５ｍｍ角のレーザ素子とした。このレーザ素子の共振器長は０．８ｍｍである。さらに、このレーザ素子をヒートシンクに設置し、常温でパルス発振させたところ、しきい値電流密度１ｋＡ／ｃｍ^２で４１０ｎｍのレーザ発振を示した。

（実施例２）
図４は本発明の他の態様に係るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、この図も共振面と平行な方向で切断した際の図を示しており、図３と同一符号は同一部材を示している。このような構造は絶縁体よりなる基板を用いたレーザ素子に多い。

実施例１において、基板３０に結晶成長面を（１１１面）とする１インチφ、厚さ５００μｍのスピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）を用い、原料ガスにＴＭＧ、アンモニアを用いて、基板３０の表面にＧａＮよりなるバッファ層を５００℃にて、２００オングストロームの膜厚で成長させた。この、バッファ層は基板と窒化物半導体との格子不整合を緩和する作用があり、他にＡｌＮ、ＡｌＧａＮ等を成長させることも可能であるが、実施例１のように基板の種類によっては成長されないこともあるので、このバッファ層は特に図示していない。

後は実施例１と同様にしてｎ型コンタクト層１１〜ｐ型コンタクト層１７までを順に積層した後、窒化物半導体を積層したウェーハを反応容器から取り出し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置にて、最上層のｐ型コンタクト層１７から選択エッチを行い、負電極を形成すべきｎ型コンタクト層１１の平面を露出させた。

次に、最上層のｐ型コンタクト層１７のほぼ全面に正電極を形成し、エッチングにより露出されたｎ型コンタクト層１１の表面にストライプ状の負電極を形成した。電極形成後、ウェーハを研磨装置に移送し、スピネル基板を５０μｍの厚さになるまで研磨して薄くした後、電極の上から、窒化物半導体層の［外１］に相当する窒化物半導体層のウェーハの端にダイヤモンドポイントカッターを用いて、実施例１と同様にして５ｍｍ程度の長さの傷をつけ、その傷に沿って外力によりウェーハを劈開した。劈開方向は、上記したＶ溝に垂直な方向、つまり、ストライプ状の負電極に垂直な方向である。なお、スピネル基板のように、基板に窒化物半導体と異なる材料を用いる場合、劈開する前に、基板の厚さを１００μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下の厚さに研磨することが望ましい。基板の厚さが１００μｍよりも厚いと、劈開時に窒化物半導体層は、基板の割れる方向につられてしまい、窒化物半導体独自の劈開性で割れにくくなる傾向にあるからである。

後は実施例１と同様にして、半導体バーの劈開面に誘電体多層膜よりなる反射鏡をスパッタリング装置を用いて形成した後、劈開面に垂直方向で、ダイシングによりバーを切断して０．８ｍｍ×０．５ｍｍ角のレーザ素子としたところ、しきい値電流密度２ｋＡ／ｃｍ^２で４１０ｎｍのパルス発振を示した。なおこのレーザ素子の共振器長も０．８ｍｍである。

（実施例３）
基板３０にサファイア（Ｃ面、０００１）を用い、基板研磨時に基板が２０μｍになるまで研磨する他は、実施例２と同様にしてレーザ素子を作製したところ、実施例２とほぼ同等の特性を示すレーザ素子が作製できた。

（実施例４）
基板３０にＳｉＣ（１１１面）を用い、基板研磨時に基板が８０μｍになるまで研磨する他は、実施例２と同様にしてレーザ素子を作製したところ、実施例２とほぼ同等の特性を示すレーザ素子が作製できた。

窒化物半導体単結晶の面方位を示すユニットセル図。 基板の上に成長された窒化物半導体の結晶構造を拡大して示す模式的な平面図。 本発明の一態様に係るレーザ素子の構造を示す模式的断面図。 本発明の他の態様に係るレーザ素子の構造を示す模式的な断面図。

符号の説明

１０、３０・・・・基板
１１・・・・ｎ型コンタクト層
２０・・・・ｐ型電流阻止層
１２・・・・ｎ型光閉じ込め層
１３・・・・ｎ型光ガイド層
１４・・・・活性層
１５・・・・ｐ型光ガイド層
１６・・・・ｐ型光閉じ込め層
１７・・・・ｐ型コンタクト層

Claims (6)

1. Ｃ軸配向した窒化物半導体単結晶よりなる基板の上に活性層を含む窒化物半導体層を成長させたウェーハを形成し、前記窒化物半導体層の表面に、
   ［外１］
   

   

   ［外２］
   

   

   ［外３］
   

   

   ［外４］
   

   

   ［外５］
   

   

   ［外６］
   

   

   の内のいずれかに相当する面に沿ってエッチングにより溝を形成し、
   その溝に沿って前記ウェーハを劈開し、劈開された窒化物半導体層の劈開面は
   ［外１］
   

   

   ［外２］
   

   

   ［外３］
   

   

   ［外４］
   

   

   ［外５］
   

   

   ［外６］
   

   

   面の内のいずれか一種類に相当する面であり、
   該劈開面は、レーザ素子の少なくとも一方の共振面とすることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
   
2. Ｃ軸配向した窒化物半導体単結晶よりなる基板の上に、活性層を含む窒化物半導体層を成長させたウェーハを形成し、前記窒化物半導体層を成長させた面と対向する前記基板の表面に、
   ［外１］
   

   

   ［外２］
   

   

   ［外３］
   

   

   ［外４］
   

   

   ［外５］
   

   

   ［外６］
   

   

   の内のいずれかに相当する面に沿ってエッチングにより溝を形成し、
   その溝に沿って前記ウェーハを劈開し、劈開された窒化物半導体層の劈開面は
   ［外１］
   

   

   ［外２］
   

   

   ［外３］
   

   

   ［外４］
   

   

   ［外５］
   

   

   ［外６］
   

   

   面の内のいずれか一種類に相当する面であり、
   該劈開面は、レーザ素子の少なくとも一方の共振面とすることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
3. 前記溝は、前記ウェーハの端部に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
4. 前記基板及び窒化物半導体層の表面には電極が形成され、該電極形成後に、前記溝が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
5. 前記共振器面に誘電体多層膜が形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
6. 前記窒化物半導体層は、前記基板側から順に、ｎ型窒化物半導体、活性層及びｐ型窒化物半導体が形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。

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