KR101514108B1 - 챔버 및 처리 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 수송 사이즈의 한계를 넘어도 수송하는 것이 가능한 챔버를 제공하는 것이다. 이러한 본 발명에 따르면, 적어도 하나의 측면(2b, 2c)을 개방한 직방체 형상의 본체(2)와, 본체(2)의 개방된 측면(2b, 2c)에 착탈 가능하게 장착된 측판(3a, 3b)을 구비한다.

Description

챔버 및 처리 장치{CHAMBER AND PROCESS APPARATUS}

본 발명은 플랫 패널 디스플레이용 기판(이하 FPD용 기판이라고 한다) 등의 대형의 피처리체에 처리를 실행하는 처리 챔버(처리실) 등의 챔버 및 처리 장치에 관한 것이다.

FPD 생산 공장에 있어서 사용되는 장치로서, 진공 또는 감압 분위기하에서 FPD용 기판에 각종의 처리를 실시하는 처리 장치가 있고, 예컨대 피처리체인 FPD용 기판에 플라즈마를 이용하여 에칭 등의 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다.

플라즈마 처리 장치는, 예컨대 특허문헌 1에 기재된 것과 같이, 피처리체에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버(처리실), 피처리체를 반송하는 반송 기구를 구비한 반송 챔버(반송실), 로드록 챔버(로드록실) 등의 각종 챔버를 구비하고 있다. 처리 챔버내에는 서로 대향하는 상부 전극과, 피처리체를 탑재하는 탑재대를 겸한 하부 전극이 배설되어 있다. 상부 전극과 하부 전극의 사이에는 고주파가 인가되고, 상부 전극과 하부 전극의 사이의 처리 공간에 플라즈마를 발생시킨다.

그런데, 피처리체, 특히 FPD용 기판은 해마다 대형화가 진행되고, 현재는 대략 2000㎜ 내지 2400㎜ 사방의 크기의 것이 실제의 FPD 제조에 사용되고 있다. FPD용 기판의 사이즈는 앞으로도 대형화가 진행되고, 곧 약 3000㎜ 사방, 또는 그것을 초과하게 된다. FPD용 기판의 대형화는 한 장의 기판으로부터 얻어지는 FPD 패널의 수를 늘릴 수 있기 때문에 비용 절감이 도모되는 등의 장점이 있다.

또한, 챔버를 설치한 후에 있어서도 사용자의 요망 등에 의해 챔버의 형상이나 크기를 간이하게 변경할 수 있는 챔버가 특허문헌 2에 기재되어 있다.

일본 특허 공개 제 2007-67218 호 공보 일본 특허 공개 제 2004-335743 호 공보

FPD용 기판의 대형화는 FPD용 기판에 처리를 실행하는 처리 챔버 등의 챔버 자체의 대형화를 초래하여 처리 장치 전체의 대형화를 수반한다. 통상, FPD용 기판의 처리 장치는 처리 장치를 챔버마다에 나누어서 처리 장치 제조 공장으로부터 FPD 생산 공장으로 수송된다. 그러나, 챔버 자체가 커지면, 결국은 챔버 자체가 수송 사이즈의 한계를 초과하게 되기 때문에 처리 장치를 그 제조 공장으로부터 FPD 생산 공장으로 수송하는 것이 곤란해진다.

본 발명은 수송 사이즈의 한계를 초과하여도 수송하는 것이 가능한 챔버 및 그 챔버를 이용한 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 제 1 태양에 따른 챔버는 적어도 하나의 측면을 개방한 직방체 형상의 본체와, 상기 본체의 개방된 측면에 착탈 가능하게 장착된 측판을 구비한다.

본 발명의 제 2 태양에 따른 챔버는 적어도 하나의 측면을 개방한 직방체 형상의 본체와, 상기 본체의 개방된 측면에 장착되고, 상기 본체의 개구 형상에 합치하는 개구를 갖는 스페이서와, 상기 스페이서에 착탈 가능하게 장착된 측판을 구비한다.

본 발명의 제 3 태양에 따른 처리 장치는 상기 제 1 또는 제 2 태양에 따른 챔버를 피처리체에 처리를 실행하는 처리실로 사용한다.

본 발명에 의하면, 수송 사이즈의 한계를 초과하여 수송하는 것이 가능한 챔버 및 그 챔버를 이용한 처리 장치를 제공할 수 있다.

도 1의 (A)는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 챔버의 일 예를 도시하는 사시도이며, 도 1의 (B)는 도 1의 (A)에 도시하는 챔버의 분해 사시도,
도 2의 (A)는 도 1의 (A)에 도시하는 챔버를 이용한 처리 챔버를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 2의 (B)는 측판을 개방한 상태를 도시하는 단면도,
도 3의 (A)는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 챔버의 일 예를 도시하는 사시도이며, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)에 도시하는 챔버의 분해 사시도,
도 4의 (A)는 도 3의 (A)에 도시하는 챔버를 이용한 처리 챔버를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 4의 (B)는 측판을 개방한 상태를 도시하는 단면도,
도 5의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 실시형태에 따른 챔버에 의한 이점의 일 예를 도시하는 수평 단면도,
도 6의 (A)는 비교예에 따른 처리 챔버를 도시하는 단면도이며, 도 6의 (B)는 상부 덮개를 개방한 상태를 도시하는 단면도,
도 7은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 챔버의 일 예를 도시하는 분해 사시도,
도 8은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 챔버의 것 외의 예를 도시하는 분해 사시도,
도 9의 (A)는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 처리 챔버의 일 예를 도시하는 수평 단면도,
도 9의 (B)는 도 9의 (A)에 도시하는 9B-9B선을 따라 도시하는 단면도이며, 도 9의 (C)는 도 9의 (A)에 도시하는 9C-9C선을 따라 도시하는 단면도,
도 10의 (A)는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 처리 챔버의 것 외의 예를 도시하는 수평 단면도이며, 도 10의 (B)는 도 10의 (A)에 도시하는 10B-10B선을 따라 도시하는 단면도이고, 도 10의 (C)는 도 10의 (A)에 도시하는 10C-10C선을 따라 도시하는 단면도,
도 11의 (A)는 본 발명의 실시형태의 제 1 변형예에 따른 처리 챔버를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 11의 (B)는 측판을 개방한 상태를 도시하는 단면도,
도 12는 본 발명의 실시형태의 제 2 변형예에 따른 처리 챔버를 개략적으로 도시하는 단면도,
도 13은 본 발명의 실시형태의 제 3 변형예에 따른 처리 챔버를 개략적으로 도시하는 단면도.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조해서 설명한다. 참조하는 도면 전체에 걸쳐서 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙인다.

(제 1 실시형태)

도 1의 (A)는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 챔버를 처리 챔버에 적응시킨 일 예를 도시하는 사시도이며, 도 1의 (B)는 도 1의 (A)에 도시하는 처리 챔버의 분해 사시도이다.

도 1의 (A) 및 (B)에 도시하는 바와 같이, 처리 챔버(1a)는 적어도 하나의 측면을 개방한 직방체 형상의 본체(2)와, 이 본체(2)의 개방된 측면에 착탈 가능하게 장착된 측판(3a, 3b)을 구비한다.

본체(2)는 예컨대, 알루미늄제이다. 본 예에서는 4개의 측면(2a 내지 2d) 중 측면(2a)이 피처리체 본 예에서는 FPD용 기판을 반입출하기 위한 반입·반출구(게이트 밸브 개구)(4)가 형성된 제 1 측벽(5)으로 되어 있다. 또한, 본 예에서는 측면(2a)에 인접하는 2개의 측면(2b, 2c)이 개방되고, 측면(2a)과 서로 대면하는 하나의 측면(2d)이 제 2 측벽(6)으로 되어 있다. 본체(2)의 상부는 전극 등이 장착되는 개구(7)가 형성된 천판(8)이 되어 있고, 하부는 탑재대 등에 배선 등을 삽통시키는 개구나 배기구(도 1의 (A) 및 (B)는 도시하지 않음)가 형성된 바닥판(10)으로 되어 있다. 즉, 처리 챔버(1a)는 제 1 측벽(5), 제 2 측벽(6), 천판(8) 및 바닥판(10)에 의해 구성된 각통 형상의 본체(2)와, 그 각통의 개방된 양단부를 막는 측판(3a, 3b)에 의해 구성되어 있다.

측판(3a, 3b)은 본 예에서는 측면(2b, 2c)에 시일 부재(11), 예컨대 O링 등을 거쳐서 탈착 가능한 고정 부재(12), 예컨대 볼트 등을 이용하여 착탈 가능하게 장착되어 있다.

본체(2)의 폭(w), 높이(h), 깊이(l)는 본 예에서는 각각 수송 사이즈의 한계이내에 수용되지만, 본체(2)에 측판(3)이 장착된 상태에서는 측판 설치 방향을 따르는 폭(w1)이 수송 사이즈의 한계를 초과한다.

이러한 크기의 처리 챔버(1a)는 종래와 같이, 알루미늄제의 판재를 용접에 의해 접합하고, 상자 형상으로 기계 가공을 실행해서 제작한 경우에는 수송이 불가능하다.

그러나, 제 1 실시형태에 따른 처리 챔버(1a)는 본체(2)와 측판(3a, 3b)으로 분할되어 있다. 본체(2)의 각 변의 길이는 수송 사이즈의 한계 이내에 수용되고, 본체(2) 및 측판(3a, 3b)을 생산 공장, 예컨대 FPD 생산 공장으로 수송하고, 생산 공장에서, 측판(3a, 3b)을 본체(2)에 장착한다. 이로써, 수송이 불가능한 크기의 처리 챔버(1a)이어도 생산 공장에 설치하는 것이 가능해진다.

이와 같이, 제 1 실시형태에 의하면 수송 사이즈의 한계를 초과하여도 수송하는 것이 가능한 처리 챔버를 제공할 수 있다.

도 2의 (A)는 도 1의 (A)에 도시하는 처리 챔버를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 또한, 도 2의 (A)에 도시하는 단면은 도 1의 (A) 중의 2A-2A 선을 따르는 단면에 해당한다.

도 2의 (A)에 도시하는 처리 챔버(1a)는 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 처리 챔버로서 구성되어 있다. 여기에서, FPD로서는 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로 루미네센스(Electro Luminescence ; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.

처리 챔버(1a)의 바닥판(10)상에는 피처리체, 예컨대 FPD용 기판(G)을 탑재하기 위한 탑재대(21)가 마련되어 있다. 탑재대(21)는 절연 부재(22)를 거쳐서 처리 챔버(1a)의 바닥판(10)에 지지되어 있다. 탑재대(21)는 바닥판(10)에 형성된 개구(9)를 거쳐서 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(23)이 접속되어 있고, 이 급전선(23)에는 정합기(24) 및 고주파 전원(25)이 접속되어 있다. 고주파 전원(25)으로부터는 예를 들면 13.56MHz의 고주파 전력이 탑재대(21)에 공급된다. 이에 의해, 탑재대(21)는 하부 전극으로서 기능한다.

탑재대(21)의 천판(8)의 개구(7)상에는 상부 전극 베이스(26)가 장착되어 있고, 이 상부 전극 베이스(26)에 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(27)가 지지되어 있다. 샤워 헤드(27)는 가스 공급관(28a)을 거쳐서 가스 공급원(29)에 접속되어 있다. 샤워 헤드(27)의 탑재대(21)와 대향하는 면에는 처리 가스를 토출하는 도시하지 않는 복수의 토출 구멍이 형성되어 있다. 처리 가스 공급원(29)으로부터 플라즈마 처리, 예컨대, 플라즈마 에칭을 위한 처리 가스는 도시하지 않는 토출 구멍을 거쳐서 처리 챔버(1a)의 내부에 공급된다. 샤워 헤드(27)는 하부 전극으로서 기능하는 탑재대(21)와 함께 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성한다. 또한, 개구(7)의 사이즈는 탑재대(21)의 사이즈보다도 크다. 탑재대(21)는 예컨대, 개구(7)로부터 처리 챔버(1a)의 내부로 넣을 수 있다.

측판(3a, 3b)은 본체(2)의 측면(2b, 2c)에 착탈 가능하게 장착되어 있다. 본 예에서는 측판(3a, 3b)이 본체(2)에 힌지(30)를 거쳐서 개폐 가능하게 장착되어 있다.

처리 챔버(1a)에 있어서는 예컨대, 피처리체가 직사각형의 평면 형상을 갖는 FPD용 기판(G)이다. 또한, 직사각형의 FPD용 기판(G)은 대략 3000㎜ 사방, 또는 그것을 초과하는 대형의 것이다. 이러한 대형의 FPD용 기판(G)의 가장 짧은 변의 길이는 대략 3000㎜, 예컨대 2800㎜ 이상이다. 이러한 대형의 FPD용 기판(G)을 처리하는 처리 챔버(1a)의 예컨대, 측판(3a, 3b)의 설치 방향의 폭(w1)은 이미 수송 사이즈의 한계를 초과하고 있다.

그러나, 본 예에서는 챔버(1a)의 측판(3a, 3b)이 수송 사이즈의 한계 이내에 수용되어 있는 본체(2)에 착탈 가능하게 접속되어 있다. 이 때문에, 본체(2)와 측판(3a, 3b)을 분할한 상태로 처리 챔버(1a)를 제조하는 제조 공장으로부터 FPD를 생산하는 생산 공장까지 수송할 수 있다. 수송된 본체(2)와 측판(3a, 3b)은 생산 공장내에서 장착하는 것으로 수송 사이즈의 한계를 넘은 챔버(1a)를 갖는 처리 챔버(1a)이어도 생산 공장에 설치하는 것이 가능해진다.

또한, 본 예에서는 본체(2)와 측판(3a, 3b)이 착탈 가능하게 접속된다. 본 예에서는 특히, 힌지(30)를 거쳐서 개폐 가능하게 장착되어 있다.

이러한 처리 챔버(1a)에 의하면, 예컨대, 도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이 측판(3a, 3b)의 전체가 개폐되고, 챔버(1a)의 내부를 전체적으로 외계에 노출시킬 수 있다. 측판(3a, 3b)이 전체적으로 개폐되는 챔버(1a)에 의하면, 예컨대, 원래 챔버(1a)를 부분적으로 개방하는 개구(7, 9)를 거쳐서만 챔버(1a)의 내부의 유지 보수를 행할 수 있는 장치에 비교해서 챔버(1a)의 내부의 유지 보수를 실행하기 쉽다는 이점을 얻을 수 있다.

(제 2 실시형태)

도 3의 (A)는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 챔버를 처리 챔버에 적응시킨 일 예를 도시하는 사시도, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)에 도시하는 챔버의 분해 사시도이다.

도 3의 (A) 및 (B)에 도시하는 바와 같이, 제 2 실시형태에 따른 챔버(1b)가 제 1 실시형태에 따른 챔버(1a)와 다른 점은 본체(2)가 개방된 측면(2b, 2c)과, 측판(3a, 3b)의 사이에 스페이서(31a, 31b)를 더 구비하는 것이다. 그 외는 챔버(1a)와 거의 동일하다.

스페이서(31a, 31b)는 본체(2)의 개방된 측면(2b, 2c)에 장착되고, 본 예에서는 본체(2)의 측면(2b, 2c)의 개구 형상에 합치하는 개구(32)를 갖는다.

도 4의 (A)는 도 3의 (A)에 도시하는 챔버를 이용한 기판 처리 장치의 일 예를 도시하는 단면도이다. 또한, 도 4의 (A)에 도시하는 단면은 도 3의 (A) 중의 4A-4A 선을 따르는 단면에 해당한다.

도 4의 (A)에 도시하는 처리 챔버(1b)는 도 2의 (A)에 도시한 처리 챔버(1a)와 마찬가지로 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 처리 챔버로서 구성되어 있다.

처리 챔버(1b)가 처리 챔버(1a)와 다른 점은 챔버(1b)의 본체(2)의 개방된 측면(2b, 2c)과, 측판(3a, 3b)의 사이에 스페이서(31a, 31b)를 더 구비하는 것, FPD용 기판(G)의 사이즈가 처리 챔버(1a)보다도 크게 되어 있는 것이다. 그 외는 처리 챔버(1a)와 거의 동일하다.

도 5의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 실시형태에 따른 처리 챔버(1a, 1b)에 의한 이점의 일 예를 도시하는 수평 단면도이다.

도 5의 (A)는 판재를 용접에 의해 접합하고, 상자 형상으로 기계 가공을 실행해서 일체형으로 제작한 처리 챔버(1c)를 갖는 비교예이다. FPD용 기판(GO)의 사이즈가 작은 경우, 처리 챔버(1c)가 일체형이어도, 처리 챔버(1c)의 크기는 수송 사이즈의 한계 이내에 수용된다.

도 5의 (B)는 제 1 실시형태에 따른 처리 챔버(1a)를 갖는 실시예이다. FPD용 기판(G1)의 사이즈가 커지고, 처리 챔버(1a)를 일체형으로 제작하면, 수송 사이즈의 한계를 넘는 경우에는 도 5의 (B)에 도시하는 바와 같이, 본체(2)와 측판(3a, 3b)을 분할형으로 해서 본체(2)를 수송 사이즈의 한계 이내에 수용한다. 이로써, 상술한 대로, 수송 사이즈의 한계를 넘는 처리 챔버(1a)이어도 수송하는 것이 가능해진다.

도 5의 (C)는 제 2 실시형태에 따른 처리 챔버(1b)를 갖는 실시예이다. FPD용 기판(G2)의 사이즈가 더욱 커진 경우에는 스페이서(31a, 31b)를 측면(2b, 2c)과, 측판(3a, 3b)의 사이에 개재시키고, 본체(2)와 측판(3a, 3b)의 사이의 거리를 늘린다. 이로써, 또한 사이즈가 큰 FPD용 기판(G2)이어도 처리할 수 있고, 또한 수송하는 것도 가능한 처리 챔버(1b)를 얻을 수 있다.

또한, FPD용 기판(G)의 크기에는 비록 같은 세대라도 FPD 제조 메이커마다 미묘한 사이즈 차이가 있다. 이러한 경우에도, 제 2 실시형태에 따른 처리 챔버(1b)에 의하면, 스페이서(31a, 31b)를 이용함으로써 처리 챔버(1b)의 크기를 미세 조정할 수 있다. 처리 챔버(1b)의 크기를 미세 조정함으로써, 예컨대 유리 기판(G)의 가장자리에서 측판(3a, 3b)까지의 거리를 사이즈 차이가 다른 FPD 기판(G)이어도 일정하게 할 수 있고, 사이즈 차이가 있는 FPD 기판(G)에 대해서도 균일한 처리를 가능하게 하는 처리 챔버(1b)가 얻어진다는 이점도 얻을 수 있다.

또한, 챔버(1a, 1b)는 예컨대 도 2의 (B), 도 4의 (B)에 도시한 것과 같이, 측판(3a, 3b)의 전체가 개폐된다.

이러한 챔버(1a, 1b)에 의하면, 예컨대 도 6의 (A) 및 (B)에 도시하는 바와 같이 측판(3)과 바닥판(10)이 일체로 된 본체(2)를 갖고, 천판(8a)이 상부 덮개로서 개폐되는 챔버(1c)와 비교해서 하부 전극(21)에 접근하기 쉽고 유지 보수를 실행하기 쉽다는 이점을 얻을 수 있다.

(제 3 실시형태)

도 7은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 챔버를 처리 챔버에 적응시킨 일 예를 도시하는 분해 사시도이며, 도 8은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 챔버의 다른예를 도시하는 분해 사시도이다.

도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 제 3 실시형태에 따른 처리 챔버(1d, 1e)는 천판(8)을 더 분할형으로 한 것이다. 천판(8)은 본 예에서는 상자형 형상으로 되어 있고, 본체(2)의 상면에 밀봉 부재(11), 예컨대 0링 등을 거쳐서 착탈 가능하게 상부 덮개로서 장착된다. 도 7에 도시하는 처리 챔버(1d)는 제 1 실시형태에 따른 처리 챔버(1a)에 대하여, 추가로 천판(8)을 분할형으로 한 것이고, 도 8에 도시하는 처리 챔버(1e)는 제 2 실시형태에 따른 처리 챔버(1b)에 대하여, 추가로 천판(8)을 분할형으로 한 것이다.

이와 같이, 측판(3a, 3b)을 분할형으로 하는 것만이 아니라 천판(8)을 추가로 분할해서, 본체(2)에 착탈 가능하게 상부 덮개로서 장착하도록 해도 좋다.

제 3 실시형태에 의하면, 제 1, 2 실시형태와 비교해서 처리 챔버의 높이 방향의 크기가 수송 사이즈의 한계를 넘은 경우에도 대응할 수 있다는 이점을 얻을 수 있다.

또한, 천판(8)이 착탈 가능한 것에 의해, 측판(3a, 3b)만이 착탈 가능한 제 1, 2 실시형태에 비교해서 보다 유지 보수가 실행하기 쉽다는 이점을 얻을 수 있다.

또한, 특히 도시하지 않지만, 천판(8)만이 아니라 도 1의 (B)나 도 3의 (B)에 도시한 바닥판(10)을 추가로 분할하도록 해도 좋고, 분할은 천판(8) 및 바닥판(10)도 평판 부분만이어도 좋다.

(제 4 실시형태)

도 9의 (A)는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 챔버를 처리 챔버에 적응시킨 일 예를 도시하는 수평 단면도이며, 도 9의 (B)는 도 9의 (A)에 도시하는 9B-9B선을 따라 도시하는 단면도이며, 도 9의 (C)는 도 9의 (A)에 도시하는 9C-9C선을 따라 도시하는 단면도이다.

도 9의 (A) 내지 (C)에 도시하는 바와 같이, 제 4 실시형태에 따른 처리 챔버(1f)는 측판(3a, 3b)에 리브(33)를 장착하고, 측판(3a, 3b)의 두께(t1)를 제 1 내지 제 3 실시형태와 비교해서 더 얇게 한 것이다. 리브(33)는 측판(3a, 3b)의 보강재로서 기능할 수 있다. 이 때문에, 본 예에서는 예컨대 측판(3a, 3b)의 두께(t1)를 본체(2)의 측벽(5, 6)의 두께(t2, t3)보다도 얇게 하는 것이 가능해진다.

제 4 실시형태에 따른 처리 챔버(1f)에 의하면, 측판(3a, 3b)의 두께(t1)를 얇게 할 수 있으므로, 처리 챔버(1f)에 필요한 재료, 예컨대 알루미늄의 사용량을 경감할 수 있어서 처리 챔버(1f)에 따른 비용을 낮추는 것이 가능해진다는 이점을 얻을 수 있다.

물론, 두께(t1)가 얇은 측판(3a, 3b)이어도, 본체(2)에 착탈 가능하고, 본 예에서는 힌지(30)를 거쳐서 개폐 가능하게 장착할 수 있다. 이 때문에, 양호한 유지 보수성도 제 1 내지 제 3 실시형태와 동일하게 얻을 수 있다.

도 10의 (A)는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 처리 챔버의 다른예를 도시하는 수평 단면도이며, 도 10의 (B)는 도 10의 (A)에 도시하는 10B-10B선으로 도시하는 단면도이며, 도 10의 (C)는 도 10의 (A)에 도시하는 1OC-10C선에 도시하는 단면도이다.

도 10의 (A) 내지 (C)에 도시하는 바와 같이, 리브(33)가 장착된 측판(3a, 3b)은 스페이서(31a, 31b) 부착식 처리 챔버(1g)에도 적용할 수 있다. 이 경우에도 처리 챔버(1g)에 따른 비용을 낮출 수 있다. 또한, 리브(33) 부착 측판(3a, 3b)은 스페이서(31a, 31b)에, 예컨대 힌지(30)를 거쳐서 개폐 가능하게 장착하는 것도 가능하므로, 양호한 유지 보수성도 유지할 수 있다.

이상, 본 발명을 몇 개의 실시형태에 의해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 여러가지 변형이 가능하다.

예컨대 상기 실시형태에서는 본 발명을 FPD용 기판의 처리 챔버에 대해서 도시했지만, 반송 챔버나 로드록실 등의 각종 챔버에 적용해도 좋고, 또는, 다른 여러가지의 기판에 대한 처리 장치의 챔버에 대해서도 적용 가능하다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는 측판(3a, 3b)을 한 장의 판형상의 부재로 했지만, 예컨대 도 11의 (A) 및 (B)에 도시하는 바와 같이, 측판(3a, 3b)에 챔버(1h)의 내부를 향해서 오목부(34)를 갖는 상자형의 부재로 해도 좋다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는 측판(3a, 3b)을 바닥판(10)측을 향해서 개폐시키도록 했지만, 도 12에 도시하는 바와 같이, 천판(8)측을 향해서 개폐시키도록 해도 좋다. 측판(3a, 3b)을 천판(8)측을 향해서 개폐시키도록 한 경우에는 예컨대 유지 보수 등으로 측판(3a, 3b)을 개방한 때에 작업자가 챔버(1i)에 근접하기 쉽다는 이점을 얻을 수 있다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는 측판(3a, 3b)을 본체(2)의 측면(2b, 2c)에 힌지(30)를 거쳐서 개폐 가능하게 장착했지만, 도 13에 도시하는 바와 같이, 측판(3a, 3b)의 전체를 본체(2)의 측면(2b, 2c)으로부터 분리 가능한 상태로, 측면(2b, 2c)에 장착하도록 해도 좋다. 이러한 챔버(1j)에 있어서도, 측판(3a, 3b)이 분리됨으로써, 유지 보수시에 작업자가 챔버(1j)에 가까이 가기 쉽다는 이점이 얻어진다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는 두개의 측면 각각에 측판(3a, 3b)을 착탈 가능하게 장착했지만, 측판은 적어도 하나의 측면에 착탈 가능하게 장착되면 좋다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는 두개의 측면에 대하여 분할 구조로 하는 예를 도시했지만, 모든 면에 대하여 분할 구조로 해도 좋다.

또한, 상기 실시형태 및 도 11 내지 도 13에 도시한 변형예는 임의로 조합하여 실시하는 것도 가능하다.

1a 내지 1g : 챔버 2 : 본체
2a 내지 2d : 측면 3a, 3b : 측판
12 : 고정 부재 30 : 힌지
31 : 스페이서 32 : 개구
33 : 리브 34 : 오목부
G : FPD용 기판(피처리체) w : 폭
h : 높이 I : 깊이

Claims (9)

1. 적어도 하나의 측면을 개방한 직방체 형상의 본체와,
   상기 본체의 개방된 측면에 착탈 가능하게 장착된 측판을 구비하며,
   상기 본체의 개방된 측면과 상기 측판의 사이에, 상기 본체의 개구 형상에 합치하는 개구를 갖는 스페이서가 존재하며,
   상기 본체의 폭, 높이, 깊이가 각각 수송 사이즈의 한계 이내에 들어가고, 상기 측판이 장착된 본체의, 측판 장착 방향을 따른 폭이 수송 사이즈의 한계를 초과하는 것을 특징으로 하는
   챔버.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 본체는 각통(角筒) 형상을 갖고, 상기 각통의 단부가 상기 측면에 대응하는 것을 특징으로 하는
   챔버.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 본체는 개폐 가능한 상부 덮개를 갖는 것을 특징으로 하는
   챔버.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 측판은 상기 본체 내부를 향해서 오목부를 갖는 상자형의 부재인 것을 특징으로 하는
   챔버.
5. 삭제
6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 측판이 상기 본체에 힌지를 거쳐서 개폐 가능하게 장착되는 것을 특징으로 하는
   챔버.
7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 측판에 리브가 장착되고, 상기 측판의 두께가 상기 본체의 측벽의 두께보다도 얇은 것을 특징으로 하는
   챔버.
8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   피처리체의 평면 형상이 직사각형이고, 상기 직사각형의 가장 짧은 변의 길이가 2800㎜ 이상인 것을 특징으로 하는
   챔버.
9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 챔버를, 피처리체에 처리를 실행하는 처리실로 사용한 것을 특징으로 하는
   처리 장치.
   

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