KR20060088151A

KR20060088151A - 에지프레임 및 이를 포함하는 기판처리장치

Info

Publication number: KR20060088151A
Application number: KR1020050008916A
Authority: KR
Inventors: 한근조
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2005-02-01
Filing date: 2005-02-01
Publication date: 2006-08-04
Also published as: KR101137691B1

Abstract

본 발명은, 중앙에 개방부를 가진 동체부; 상기 동체부에 설치되는 1 개 이상의 응력 완화부를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지프레임과 이를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.

본 발명에 따르면, 두께를 두껍게 하지 않고도 자중이나 열에 의한 변형을 크게 줄일 수 있는 에지프레임을 제공함으로써 액정표시소자 제조장치의 공정수율 및 비용절감을 도모할 수 있게 된다.

에지프레임, 응력완화부, 간극

Description

에지프레임 및 이를 포함하는 기판처리장치{Edge frame and handling apparatus for substrate comprising the same}

도 1a 및 도 1b는 일반적인 액정표시소자 제조장치의 개략 구성도

도 2a 및 도 2b는 종래 에지프레임의 사시도 및 저면사시도

도 3은 종래의 에지프레임과 서셉터의 결합관계를 나타낸 부분 단면도

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 에지프렘의 저면사시도

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 에지프렘의 저면사시도

도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 제2 실시예에 따른 에지프레임의 세로변 및 가로변과 서셉터의 결합관계를 나타낸 부분단면도

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 에지프레임의 다른 유형을 나타낸 저면사시도

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 에지프레임의 저면사시도

도 9는 도 8의 저면도

도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 에지프레임의 다른 유형을 나타낸 저면도

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

10 : PECVD 장치 11 : 챔버

12 : 서셉터 13 : 샤워헤드

14 : 가스유입관 15 : RF전원

16, 20 : 에지프레임 17 : 거치대

18 : 배기구 21 : 동체부

21a : 제1 돌출부 21b : 제2 돌출부

21c : 함몰부 22 : 기판덮개부

23 : 간극 24 : 거치부

25 : 제3 돌출부

본 발명은 액정표시소자(Liquid Crystal Display, LCD)의 제조장치에 사용되는 에지프레임(edge frame)에 관한 것으로서, 특히 기판의 사이즈가 커짐에 따라 갈수록 대형화되는 제조장치에 사용될 수 있는 에지프레임에 관한 것이다.

일반적으로, 액정표시소자는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 화소 영역에 박막트랜지스터와 화소전극을 구비한 박막트랜지스터 기판과, 컬러필터층과 공통전극을 구비한 컬러필터 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재되는 액정층으 로 구성된다.

이러한 기판을 제조하기 위해서는, 유리기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝(patterning)하는 식각공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 공정챔버에서 진행된다.

도 1a는 액정표시소자 제조장치 중에서 원료물질을 플라즈마 상태로 변환시킨 후 이를 이용하여 박막을 증착하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.

이를 살펴보면, 일정한 반응영역을 정의하는 챔버(11)와, 상기 챔버(11)의 내부에 위치하며 상면에 기판(s)을 안치하는 서셉터(12)와, 상기 서셉터(12)의 상부로 원료가스를 분사하는 샤워헤드(13)와, 상기 샤워헤드(13)로 원료가스를 유입하는 가스유입관(14)과, 챔버의 저면에 위치하며 공정을 마친 잔류가스를 배출하는 배기구(18)를 포함한다.

가스유입관(14)에는 RF전원(15)이 연결되는데, RF전원(15)으로부터 공급되는 RF전력은 샤워헤드(13)와 접지된 서셉터(12) 사이에 RF전기장을 형성하며, RF전기장의 내부에서 전자가 가속되어 중성기체와 충돌함으로써 강력한 산화력을 가진 플라즈마 활성종이 생성된다.

챔버(11)의 측벽에 설치되어 있는 것은 에지프레임(16)으로서, 사시도 및 저면사시도인 도 2a및 도 2b에 도시된 바와 같이 가운데에 개방부를 가지는 사각판 형상이며, 평상시에는 도 1a에 도시된 바와 같이 챔버 측벽의 거치대(17)에 동체부의 외측이 거치되어 있다가, 공정시에는 도 1b에 도시된 바와 같이 상승하는 서셉터(12)의 가장자리에 의해 동체부의 내측 가장자리가 들어올려져서 서셉터(12)와 함께 상승하게 된다.

PECVD 장치에 이와 같은 에지프레임(16)이 사용되는 이유는 기판(s)의 가장자리를 덮어서 플라즈마가 하부로 누설되는 것을 방지하기 위한 것이다.

만일 에지프레임(16)이 없다면, 샤워헤드(13)에서 분사된 원료물질이 플라즈마 활성종으로 변환된 이후에 서셉터(12)의 가장자리에서 곧바로 하부로 유동하게 되므로, 기판(s)의 가운데 영역과 가장자리 부근의 플라즈마 밀도 불균형으로 인하여 박막균일도가 크게 저하될 수밖에 없다.

따라서 에지프레임(16)을 이용하여 기판(s)의 가장자리를 덮어주면, 활성종이 기판의 가장자리에서 곧바로 하부로 배출되지 않고 챔버 측벽쪽으로 천천히 유동하였다가 챔버 측벽과 에지프레임 가장자리 사이의 틈새를 통해 하부로 배출되므로 기판의 가장자리 부근에서도 균일한 두께의 박막을 얻을 수 있다.

도 2a 및 도 2b와 에지프레임(16)과 서셉터(12)의 결합관계를 단면도로 나타낸 도 3을 참조하여 종래 에지프레임(16)의 구체적인 모습을 살펴보면 다음과 같다.

에지프레임(16)은 중앙에 개방부를 가지는 동체부(16a)와 상기 동체부(16a)에서 내측의 개방부쪽으로 연장되는 기판덮개부(16b)로 이루어지며, 동체부(16a)와 기판덮개부(16b)의 상면은 공정시에 플라즈마에 노출되는 부분이므로 국부적인 아킹을 방지하기 위하여 평탄하게 가공되며 경계부에도 단차가 없도록 가공된다.

동체부(16a)는 에지프레임(16)의 골격을 이루는 부분이므로 뒤틀림을 방지할 수 있도록 소정의 두께를 가져야 한다.

기판덮개부(16b)는 서셉터(12)가 상승할 때 기판(s)의 가장자리를 누르는 부분이므로 기판(s)의 파손을 막기 위하여 저면이 평탄하게 가공되어야 하며, 통상 동체부(16a)보다 얇게 제작되므로 동체부(16a)의 저면과 기판덮개부(16b)의 저면 사이에는 단차가 형성된다.

5세대 기판에 사용되는 에지프레임(16)의 경우, 동체부(16a)는 약 20mm 정도, 기판덮개부(16b)는 약 5mm 정도의 두께를 가지며, 통상 알루미늄 재질로 제조되므로 그 무게는 약 15kg 정도에 이른다.

동체부(16a)의 저면 외측에는 에지프레임(16)을 거치대(17)에 거치할 때 상기 거치대(17)와 치합하는 거치부(16c)를 둘 수 있는데, 통상 무게를 줄이기 위해서 도시된 것처럼 오목하게 형성한다.

에지프레임(16)은 평상시에 상기 거치부(16c)가 거치대(17) 위에 놓여진 상태에 있다가, 공정시에는 기판(s)을 안치한 서셉터(12)에 의해 위로 들어올려지게 되는데 이때 서셉터(12)의 가장자리를 따라 형성된 단차부(12a)가 에지프레임(16)의 동체부(16a) 저면에 닿아 에지프레임(16)을 들어올리게 된다.

상기 단차부(12a)는 에지프레임(16)의 동체부(16a)와 기판덮개부(16b) 사이에 형성되는 단차에 대응하여 형성되는 것으로서, 동체부(16a)의 저면이 상기 단차 부(12a)에 접할 때 기판덮개부(16b)의 저면이기판(s)에 접할 수 있을 정도의 높이로 가공되는 것이 바람직하다. 그러나 통상적으로는 금속재질의 에지프레임(16)과 직접 접촉하여 기판이 손상되는 것을 피하기 위하여 기판덮개부(16b)와 기판(s) 사이에 약간(예를 들어 1mm 이하)의 간격이 유지될 수 있도록 에지프레임(16) 단차의 높이가 서셉터의 단차부(12a)보다 약간 높게 제작되고 있다.

한편 에지프레임의 동체부(16a) 외측(측벽쪽 가장자리 부근)은 공정 중이라 하더라도 약 100도 내지 150도 정도의 온도를 가지는 반면에, 서셉터(120)는 내부의 히터에 의해 가열되어 300도 내지 400도 정도의 온도를 가지므로, 에지프레임(16)의 동체부(16a)가 서셉터(12)와 직접 접하게 되면 에지프레임(16)은 내측과 외측 간의 온도 불균형으로 인하여 열적변형이 심해질 수 있다.

따라서 이를 방지하기 위하여 서셉터 단차부(12a)의 상면에는 에지프레임 동체부(16a)가 서셉터(12)와 직접 접촉하는 것을 막아 열전도를 차단할 수 있는 세라믹 커버(19)를 설치하기도 한다.

세라믹 커버(19)를 설치하는 경우에도 단차부(12a) 높이는 기판덮개부(16b)와 기판(s) 사이에 전술한 정도의 최소 간격이 유지될 수 있을 정도로 결정된다.

이러한 에지프레임(16)은 고온의 공정환경에 노출되고, 가운데 개방부를 가지는 판상의 사각링 구조를 가지므로 공정챔버 내부에서도 열적 스트레스를 가장 많이 받는 부품 중의 하나라고 할 수 있다.

열적 스트레스로 인하여 에지프레임(16)이 변형되면, 기판의 온도균일성이 저하되거나 기판(s)과의 사이에 갭이 생겨 이를 통해 플라즈마가 누설되는 현상이 발생하므로 제품불량의 원인이 되고, 변형된 일부분에 자중(自重)이 집중되어 하부의 기판이 파손되는 경우가 자주 발생한다.

또한 국부적인 변형이 아킹(arching) 소스로 작용하여 기생 플라즈마가 발생하고 이를 통해 박막이 증착됨으로써 박막의 균일도가 저하되기도 한다.

이러한 에지프레임(16)은 PECVD장치 뿐만 아니라 플라즈마를 이용하는 에처(Etcher)나 애싱(ashing) 장치 등에도 사용되는 것이고, 에지프레임이 대형화될수록 전술한 문제점들이 훨씬 심각해지므로 이에 대한 대비책을 마련하여야 한다.

종래에는 에지프레임의 두께를 두껍게 함으로써 이러한 열적변형에 대처하여 왔다. 예를 들어 1500mm*1850mm의 크기를 가지는 6세대 기판용 공정장비에 사용되는 에지프레임을 필요한 강성을 유지하고 열적변형을 방지할 수 있도록 제작하기 위해서는 5세대 기판용 에지프레임보다 2배 이상의 무게를 가질 수 있어야 한다.

그러나 이와 같이 무게를 늘리게 되면 비용이 크게 증가뿐만 아니라 장비 운용에도 상당한 불편이 따르므로 기판의 사이즈가 대형화되는 현재의 추세를 감안할 때 보다 근본적인 대비책을 마련하는 것이 시급한 실정이다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 두께를 두껍게 하지 않고도 자중이나 열에 의한 변형을 크게 줄일 수 있는 구조를 가지는 에지프레임을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위해서, 중앙에 개방부를 가진 동체부; 상기 동체부에 설치되는 1 개 이상의 응력 완화부를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지프레임을 제공한다.

이때 상기 응력완화부는 상기 동체부의 길이방향으로 상기 동체부에 일정간격으로 형성된 간극인 것을 특징으로 하고, 상기 동체부의 상면은 평탄하고, 저면은 굴곡을 가지는 것을 특징으로 하며, 상기 동체부의 저면은 돌출부와 함몰부가 교대로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 응력완화부는 상기 돌출부의 길이방향으로 상기 돌출부에 일정간격으로 형성된 간극인 것을 특징으로 하며, 상기 돌출부는 제1돌출부와 제2돌출부를 포함하고, 상기 제1돌출부와 상기 제2돌출부는 서로 높이가 다른 것을 특징으로 한다.

또한 상기 제1돌출부와 상기 제2돌출부의 상기 간극은 서로 교번되어 배열되는 것을 특징으로 하고, 상기 제1돌출부와 상기 제2돌출부사이에 횡방향으로 제3돌출부가 더 설치되는 것을 특징으로 하며, 상기 제1돌출부와 상기 제3돌출부의 사이 및 상기 제2돌출부와 상기 제3돌출부의 사이에는 간극이 형성되는 것을 특징으로 한다.

한편 본 발명은, 챔버; 상기 챔버의 내주연을 따라 측벽에 설치된 거치대; 상기 챔버 내에 위치하며 기판을 안치하는 서셉터; 상기 거치대와 상기 서셉터의 단부에 거치되며, 중앙에 개방부를 가지고, 1 개 이상의 응력 완화부를 포함하는 에지프레임을 포함하는 기판처리장치를 제공한다.

여기서 상기 에지프레임은, 상기 개방부쪽으로 연장되는 기판덥개부; 상기 거치대와 치합하는 거치부를 더 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 에지프레임의 상면은 평탄하고, 저면은 돌출부와 함몰부가 교대로 형성되는 것을 특징으로 한다.

상기 응력완화부는 상기 돌출부의 길이방향으로 상기 돌출부에 일정간격으로 형성된 간극인 것을 특징으로 하고, 상기 돌출부는 제1 돌출부와 제2 돌출부를 포함하고 상기 서셉터의 단부에는 단차가 형성되며, 상기 거치대에 인접한 상기 제1 돌출부와 상기 단차에 거치되는 상기 제2 돌출부는 서로 높이가 다른 것을 특징으로 하며, 상기 에지프레임의 장변의 상기 제1 돌출부와 상기 에지프레임의 단변의 상기 제1 돌출부는 서로 높이가 다른 것을 특징으로 한다.

또한 상기 응력완화부는 상기 에지프레임의 단변보다 상기 에지프레임의 장변에 더 많이 설치되는 것을 특징으로 하며, 상기 에지프레임의 중앙에 형성되는 개방부는 사각형인 것을 특징으로 한다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 하는데, 본 발명은 에지프레임의 열적변형을 방지하기 위하여 두께를 두껍게 하는 대신에, 열적 변형을 자체적으로 흡수할 수 있도록 하여 에지프레임의 무게를 줄일 수 있도록 하고 자그마한 충격에도 기판이 손상되는 위험을 최소화하는 구조 를 제공하는데 특징이 있다.

제1 실시예

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 에지프레임(20)의 저면사시도를 나타낸 것으로서, 가운데에 개방부를 가지는 사각판 형상을 가지며, 기본 골격을 이루는 동체부(21)와 상기 동체부(21)에서 내측(개방부쪽)으로 연장되는 기판덮개부(22)를 구비하며, 동체부(21)와 기판덮개부(22)의 상면은 국지적인 아킹을 방지하기 위하여 평탄하게 가공되는 점은 종래와 동일하다.

다만 본 발명의 제1 실시예에 따른 에지프레임(20)은 동체부(21)의 길이방향을 따라 소정 간격으로 간극(23)이 형성되는 점에 특징이 있다. 상기 간극(23)은 동체부(21)의 열팽창에 의한 응력을 흡수 또는 완화시켜 에지프레임(20)의 뒤틀림을 방지하는 역할을 하게 된다.

도면에 의하면 장변에 5개, 단변에 3개, 각 모서리에 1개씩의 간극(23)이 형성되어 있는데, 간극(23)의 개수나 깊이는 구체적인 공정조건, 예를 들어 공정온도에 따라 얼마든지 조절 될 수 있는 것이다.

이와 같이 간극(23)을 형성함으로써 에지프레임(20)의 크기가 증가하더라도 두께를 크게 증가시키지 않고도 필요한 강도를 유지할 수 있고 열적변형도 방지할 수 있다.

기판덮개부(22)는 동체부(21)보다 얇게 형성되는 것이 바람직하므로 에지프레임(20)의 저면 내측에는 서셉터의 단차부(12a)에 대응하는 단차가 형성된다. 또 는 저면 외측에는 챔버의 거치대(17)에 치합하는 거치부(24)가 오목하게 형성된다.

제2 실시예

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 에지프레임(20)의 저면 사시도로서, 골격을 이루는 동체부(21)의 저면에 길이방향을 따라 제1,2 돌출부(21a,21b)를 형성하고 상기 제1,2 돌출부(21a,21b) 사이에 역시 길이방향을 따라 함몰부(21c)를 형성한 점에 특징이 있다.

그리고 제1,2 돌출부(21a,21b)에는 길이방향을 따라 소정간격으로 이격된 간극(23)을 형성하는데, 상기 간극(23)은 열팽창에 의한 제1,2 돌출부(21a,21b)의 응력을 흡수 또는 완화시키는 역할을 한다.

제1,2 돌출부(21a,21b)는 에지프레임(20)의 기본 골격을 유지할 수 있는 강성을 부여하는 역할을 하며, 그 사이의 함몰부(21c)는 에지프레임(20)의 무게를 줄여서 자중에 의한 변형을 최소화하고, 에지프레임(20)의 개방부쪽과 외측(챔버측)에서 서로 다르게 작용하는 열응력을 해소하는 역할도 한다.

실험결과에 따르면 1500mm*1850mm의 6세대 기판에 적용되는 에지프레임의 경우 함몰부(21c)에서의 동체부 두께를 약 5mm 정도, 제1 돌출부(21a)에서의 동체부 두께를 약 20mm 정도로 형성하면 통상의 공정온도에서 열적변형으로 인한 기판의 손상 없이 높은 균일도의 박막을 얻을 수 있는 것으로 나타났다.

이 정도 두께로 가공하면 6세대 기판용 에지프레임(20)의 무게가 약 15kg 정도가 되는데, 이는 5세대 기판에 사용되는 종래 방식의 에지프레임과 같은 정도의 무게에 불과하다.

만일 6세대 기판용 에지프레임을 종래와 같은 방식으로 제작하면, 각 변의 길이도 증가시켜야 할 뿐만 아니라 강성을 보강하고 열적변형을 방지하기 위해서 동체부를 더 두껍게 가공하여야 하기 때문에 30kg 이상의 무게를 가져야 하는데, 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임은 그 절반에 가까운 무게를 가지므로 비용절감 및 장비운용 면에서 훨씬 유리해진다.

제1,2 돌출부(21a, 21b)의 두께는 에지프레임(20)의 크기나 공정온도에 따라 달라질 수 있는 것이며, 제2 돌출부(21b)는 서셉터(12)의 단차부(12a)에 의해 들어올려지는 부분으로서, 상기 단차부(12a)의 높이에 따라 높이가 조정되어야 하며 무게를 줄이는 관점에서 제1 돌출부(21a)보다 낮은 높이를 가지는 것이 바람직하다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 에지프레임(20)과 서셉터(12)의 결합관계를 도시한 부분단면도로서, 도 6a는 도 5의 A-A선에 따른 에지프레임의 단면을 나타내고, 도 6b는 도 5의 B-B선에 따른 에지프레임의 단면을 나타낸다.

이를 살펴보면, 에지프레임(20)의 단변에서의 제1 돌출부(21a)의 높이가 장변에서의 제1 돌출부(21a)높이보다 낮은 것을 알 수 있는데, 이는 통상 기판(s)이 장변에 평행한 방향으로 반입 또는 반출되기 때문에 기판(s)이 진입하다가 단변의 제1 돌출부(21a)와 충돌하지 않도록 하기 위한 것이다.

따라서 이러한 위험이 없다면 굳이 장변과 단변의 제1 돌출부(21a) 높이를 다르게 하지 않아도 무방하다.

한편 도 7은 제2 실시예에 따른 에지프레임(20)을 약간 변형한 것으로서 제1,2 돌출부(21a,21b)의 간극(23)을 서로 교번하여 형성한 점에 특징이 있다. 즉, 도 5에 의하면 제1,2 돌출부(21a,21b)의 간극(23)이 서로 나란히 형성되어 있으나, 도 7의 경우에는 제1,2 돌출부(21a,21b)의 간극(23)이 서로 지그재그 형태로 교번하고 있는 점에서 차이가 있다.

한편 제2 실시예에 따른 에지프레임(20)도 동체부(21)의 저면 외측에 챔버의 거치대(17)와 치합할 수 있는 오목한 형태의 거치부(24)를 형성하는 것이 바람직하다.

제3 실시예

도 8 및 도 9는 각각 본 발명의 제3 실시예에 따른 에지프레임(20)의 저면사시도 및 저면도를 나타낸 것으로서, 제2 실시예에 따른 에지프레임(20)에서 제1,2 돌출부(21a,21b) 사이의 함몰부(21c)에 제3 돌출부(25)를 형성한 점에 특징이 있다.

상기 제3 돌출부(25)의 양단과 1,2 돌출부(21a,21b)의 측면은 서로 접하여도 무방하나, 횡방향으로 응력이 전달되는 것을 방지하기 위하여 간극(미도시)을 형성하는 것이 바람직하다.

도 10은 제3 실시예에 따른 에지프레임(20)을 약간 변형한 것으로서, 도 8또는 도 9에서는 제3 돌출부(25)를 제1,2 돌출부(21a,21b)의 길이방향과 수직한 방향 으로 형성하고 있는데 반하여, 제3 돌출부(25)를 사선방향으로 형성하여 전체적으로 지그재그 형태를 가지도록 하였다.

이 경우에도 상기 제3 돌출부(25)의 양단과 1,2 돌출부(21a,21b)의 측면 사이에는 횡방향으로 응력이 전달되는 것을 방지할 수 있는 간극(미도시)을 형성하는 것이 바람직하다.

한편 제3 실시예에 따른 에지프레임(20)도 동체부(21)의 저면 외측에 챔버의 거치대(17)와 치합할 수 있는 오목한 형태의 거치부(24)를 형성하는 것이 바람직하다.

Claims

중앙에 개방부를 가진 동체부;

상기 동체부에 설치되는 1 개 이상의 응력 완화부

를 포함하는 것을 특징으로 하는 에지프레임
제1항에 있어서,

상기 응력완화부는 상기 동체부의 길이방향으로 상기 동체부에 일정간격으로 형성된 간극인 것을 특징으로 하는 에지프레임
제1항에 있어서,

상기 동체부의 상면은 평탄하고, 저면은 굴곡을 가지는 것을 특징으로 하는 에지프레임
제3항에 있어서,

상기 동체부의 저면은 돌출부와 함몰부가 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 에지프레임
제4항에 있어서,

상기 응력완화부는 상기 돌출부의 길이방향으로 상기 돌출부에 일정간격으로 형성된 간극인 것을 특징으로 하는 에지프레임
제4항에 있어서,

상기 돌출부는 제1돌출부와 제2돌출부를 포함하며, 상기 제1돌출부와 상기 제2돌출부는 서로 높이가 다른 것을 특징으로 하는 에지프레임
제6항에 있어서,

상기 제1돌출부와 상기 제2돌출부의 상기 간극은 서로 교번되어 배열되는 것을 특징으로 하는 에지프레임
제6항에 있어서,

상기 제1돌출부와 상기 제2돌출부사이에 횡방향으로 제3돌출부가 더 설치되는 것을 특징으로 하는 에지프레임
제6항에 있어서,

상기 제1돌출부와 상기 제3돌출부의 사이 및 상기 제2돌출부와 상기 제3돌출부의 사이에는 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 에지프레임
챔버;

상기 챔버의 내주연을 따라 측벽에 설치된 거치대;

상기 챔버 내에 위치하며 기판을 안치하는 서셉터;

상기 거치대와 상기 서셉터의 단부에 거치되며, 중앙에 개방부를 가지고, 1 개 이상의 응력 완화부를 포함하는 에지프레임

을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치
제10항에 있어서,

상기 에지프레임은,

상기 개방부쪽으로 연장되는 기판덥개부;

상기 거치대와 치합하는 거치부

를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치
제10항에 있어서,

상기 에지프레임의 상면은 평탄하고, 저면은 돌출부와 함몰부가 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치
제12항에 있어서,

상기 응력완화부는 상기 돌출부의 길이방향으로 상기 돌출부에 일정간격으로 형성된 간극인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
제12항에 있어서,

상기 돌출부는 제1 돌출부와 제2 돌출부를 포함하고 상기 서셉터의 단부에는 단차가 형성되며, 상기 거치대에 인접한 상기 제1 돌출부와 상기 단차에 거치되는 상기 제2 돌출부는 서로 높이가 다른 것을 특징으로 하는 기판처리장치
제14항에 있어서,

상기 에지프레임의 장변의 상기 제1 돌출부와 상기 에지프레임의 단변의 상 기 제1 돌출부는 서로 높이가 다른 것을 특징으로 하는 기판처리장치
제15항에 있어서,

상기 응력완화부는 상기 에지프레임의 단변보다 상기 에지프레임의 장변에 더 많이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치
제10항에 있어서,

상기 에지프레임의 중앙에 형성되는 개방부는 사각형인 것을 특징으로 하는 기판처리장치