KR101765231B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 식각하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내부에 구비되며 복수개의 기판들이 m×n(m, n은 2 이상의 자연수)의 배열로 안착된 트레이를 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간의 상측에 설치되어 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스공급부를 포함하는 기판처리장치로서, 상기 가스공급부의 분사면은 중앙분사면과, 상기 중앙분사면을 둘러싸며 상기 기판과의 수직거리가 상기 중앙분사면보다 작은 수직거리를 가지는 외곽분사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 식각하는 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치란 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판지지대를 포함하여 구성되며, 처리공간에 처리가스를 주입하면서 전원을 인가하여 기판의 표면을 식각하거나 증착하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.
상기 기판처리장치에 의하여 처리되는 기판은 반도체용 웨이퍼, LCD 패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등이 있다.
상기 기판처리장치의 일례로서, 기판지지대 상에 트레이를 사용하여 다수개의 태양전지용 기판을 안착시킨 후 반응성 이온 에칭과 같은 건식 식각을 이용하여 기판의 표면에 미세한 요철-요철형성의 목적은 소자의 특성에 따라 달라질 수 있으며 특히 태양전지소자의 효율을 높이기 위하여 기판에 의한 빛의 반사율을 낮추는 것이 그 하나이다-을 형성하도록 기판처리를 수행하는 기판처리장치가 있다.
상기와 같이 기판의 표면에 미세한 요철을 형성하는 기판처리장치는 다음과 같은 공정을 거쳐 기판의 표면에 요철을 형성한다.
종래의 일예에 따른 기판처리장치는 공정챔버 내에 가스를 주입하면서 전원을 인가하면 처리공간 내에서 플라즈마를 형성하여 기판의 표면을 식각한다.
그리고 기판식각에 의하여 형성되는 화합물 중 일부는 기판의 표면에 부착되어 기판식각 과정에서 마스크로서 작용하여 기판표면에 미세요철의 형성을 촉진한다.
한편 미세요철을 형성하는 종래의 기판처리방법은 기판이 안착되는 트레이의 중앙분사면분 및 가장자리부분 등 위치에 따른 화합물의 밀도에 차이가 발생할 수 있는데, 위치에 따른 화합물의 밀도차이는 기판의 표면상의 미세요철형성에 영향을 미쳐 기판의 색차를 야기하는 문제점이 있다.
도 1은 종래의 기판처리장치에 의하여 기판 처리된 실리콘 기판을 보여주는 개념도이다.
특히 종래의 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리방법은 도 1에 도시된 바와 같이, 기판이 안착되는 트레이를 기준으로 가장자리부분에 위치된 기판에서 현저한 색차가 발생한다.
그리고 기판 표면의 색차는 반사율의 차이를 의미하며 기판 상의 미세요철의 형성에 의한 반사율저감 효과를 충분히 달성되지 못하여 태양전지소자의 효율을 저하시키는 문제점이 있다.
또한 색차가 있는 기판은 시각적으로 좋지 않아 불량품으로 오인되는 등 시장에서 제품에 대한 신뢰도를 떨어뜨리고 색차없는 기판에 비하여 낮은 가격으로 유통되는 등 시장에서 판매가 용이하지 않은 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 복수개의 기판들이 적재되는 트레이를 기준으로 가장자리에 위치된 기판의 표면에 색차 발생을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내부에 구비되며 복수개의 기판들이 m×n(m, n은 2 이상의 자연수)의 배열로 안착된 트레이를 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간의 상측에 설치되어 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스공급부를 포함하는 기판처리장치로서, 상기 가스공급부의 분사면은 중앙분사면과, 상기 중앙분사면를 둘러싸며 상기 기판과의 수직거리가 상기 중앙분사면보다 작은 수직거리를 가지는 외곽분사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 중앙분사면과 상기 외곽분사면은 불연속구간 없이 연결될 수 있다.
상기 외곽분사면은 상기 중앙분사면보다 기판 쪽으로 더 돌출되도록 형성될 수 있다.
상기 중앙분사면과 상기 외곽분사면의 경계는 단차가 형성될 수 있다.
상기 외곽분사면은 가장자리 쪽으로 가면서 기판 쪽으로 더 돌출되는 하나 이상의 단차가 추가로 형성될 수 있다.
상기 외곽분사면은 상기 중앙분사면의 경계로부터 상기 트레이의 가장자리로 가면서 적어도 일부분이 상기 기판과의 수직거리가 연속적으로 감소할 수 있다.
상기 외곽분사면은 상기 중앙분사면의 경계로부터 가장자리로 가면서 적어도 일부가 곡면, 경사면, 및 곡면 및 경사면 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 기판처리장치는 상기 기판처리시, 상하로 관통 형성된 다수의 개구부들이 형성되며 상기 기판과 간격을 가지고 상기 기판을 복개하는 커버 플레이트와, 상기 기판과 간격을 두고 설치될 수 있도록 상기 커버 플레이트를 지지하는 지지부를 포함하는 커버부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 트레이의 가장자리에 위치된 기판을 기준기판이라고 할 때 상기 중앙분사면과 외곽분사면의 경계는 상기 기준기판의 중앙선과 상기 기준기판들의 내측으로 위치된 내측 기판의 중앙선 사이에 위치될 수 있다.
상기 기판처리장치의 기판처리대상은 태양전지용 결정계 실리콘 기판일 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 가스공급부의 분사면에서 외곽분사면으로부터의 기판과의 수직거리를 중앙분사면으로부터의 기판과의 수직거리보다 작게 함으로써 중앙 및 외곽에서의 기판처리의 편차를 줄여 균일한 기판처리를 수행할 수 있는 이점이 있다.
특히 m×n으로 배치된 복수의 기판들이 태양전지용 실리콘 기판이며, 기판처리가 반응성 이온 에칭에 의하여 기판의 표면에 미세요철을 형성하는 공정인 경우, 외곽에 위치된 기판의 표면에 형성되는 미세요철을 위치에 관계없이 균일하게 형성함으로써 기판의 표면에 형성되는 색차를 방지할 수 있는 이점이 있다.
더 나아가 본 발명에 따른 기판처리장치는 m×n으로 배치된 복수의 기판들에 있어서 트레이의 가장자리에 위치된 기판의 표면에 기판처리의 편차가 현저하게 발생하는바 상기와 같은 가스공급부의 중앙분사면과 외곽분사면의 경계를 기준기판의 중앙선과 기준기판의 내측으로 위치된 기판의 중앙선 사이에 위치시킴으로써 간단한 구조의 가스공급부에 의하여 최적의 색차 개선효과를 달성할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래의 기판처리장치에 의하여 기판 처리된 실리콘 기판을 보여주는 개념도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3는 도 2에서 트레이, 트레이 상에 안착된 기판들을 보여주는 평면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 각각 도 2의 기판처리장치에 사용되는 가스공급부의 실시예들을 보여주는 일부 단면도들이다.
도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 기판 처리된 실리콘 기판을 보여주는 개념도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 첨부된 도면들은 본 발명의 설명을 위하여 도시한 것으로 설명의 편의상 실제와는 크기 및 비율을 과장하여 도시하였다.
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2에서 트레이, 트레이 상에 안착된 기판들을 보여주는 평면도이다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100) 내부에 구비되며 기판(10)들이 안착되는 트레이(30)를 지지하는 기판지지대(130)와; 처리공간(S)의 상측에 설치되어 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스공급부(140)를 포함하여 구성된다. 여기서 기판처리는 다양한 기판처리가 가능하며, 특히 반응성 이온 에칭(Reactive ion etching)이 가장 바람직하다.
기판처리의 대상인 기판(10)은 식각 등 기판처리를 요하는 기판이면 어떠한 기판도 가능하며, 특히 식각을 통하여 그 표면에 미세요철을 형성할 필요가 있는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 등의 태양전지용 결정계 실리콘 기판도 가능하다.
상기 기판(10)이 태양전지용 실리콘 기판인 경우, 기판(10)은 본 발명에 따른 기판처리장치를 사용하여 태양전지의 효율은 높이기 위하여 기판(10) 표면에 다수의 미세요철을 형성함으로써 반사율을 낮추고 있다.
한편 상기 기판(10)은 기판처리의 효율을 위하여 복수개의 기판들이 n×m(n, m은 2 이상의 자연수)의 배열로 트레이(30) 상에 안착되어 공정챔버(100) 등으로 이송된다.
상기 트레이(30)는 다수개의 기판(10)들을 이송하는 구성으로서 기판(10)의 종류 및 처리공정에 따라서 그 재질 및 형상은 다양하게 구성될 수 있다. 여기서 상기 트레이(30)는 Al2O3, 석영(Quartz), 붕규산유리(pyrex), 각종 수지와 같은 플라즈마에 강한 재질이 사용되며, 안착된 상태로 기판(10)들을 이송하기 위한 구성으로서 기판(10)이 기판지지대(130)에 직접 안착되는 경우에는 필요하지 않음은 물론이다.
상기 공정챔버(100)는 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 기판처리공정에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 2에 도시된 바와 같이, 서로 탈착 가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(120) 및 탑리드(110)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 처리공정은 진공상태에서 플라즈마를 형성하여 기판(10)의 표면을 식각하는 식각공정 등이 있다.
상기 챔버본체(120)는 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)이 직접 입출되거나, 기판(10)이 안착된 트레이(30)가 입출될 수 있도록 게이트 밸브에 의하여 개폐되는 적어도 하나의 게이트(170)가 형성될 수 있다.
상기 탑리드(110)는 챔버본체(120)와 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하며, 플레이트 형상, 그릇 형상 등 다양한 형성이 가능하다.
한편 상기 공정챔버(100)에는 기판(10)이 트레이(30)를 통하여 안착되는 기판지지대(130), 처리공간(S) 내의 압력조절 및 배기를 위한 배기시스템(미도시)과 연결되는 배기관(180) 등 진공처리공정을 수행하기 위한 장치들이 설치될 수 있다.
상기 기판지지대(130)는 기판(10)이 직접 안착되거나, 기판(10)들이 안착된 트레이(30)가 안착되며, 처리공간(S)에서 플라즈마 형성 등 기판처리를 위한 반응이 일어날 수 있도록 전원이 인가되는 하부전극(미도시)이 설치될 수 있다.
상기 가스공급부(140)는 소위 샤워헤드로서 처리공간(S)의 상측에 설치되어 외부에 설치된 가스공급장치(미도시)로부터 공급받아 처리공간(S)으로 처리가스를 분사하는 구성으로서 가스의 종류 및 수, 분사방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 가스공급부(140)는 다수개의 분사구들이 상하로 관통 형성되며 탑리드의 저면에 간격을 두고 결합되는 제1플레이트와; 다수개의 분사구들이 상하로 관통 형성되며 제1플레이트와 간격을 두고 설치되며 처리공간(S)을 향하는 면이 분사면을 이루는 제2플레이트를 포함하여 구성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 각각 도 2의 기판처리장치에 사용되는 가스공급부의 실시예들을 보여주는 일부 단면도들이고, 도 1 및 5는 각각 종래의 기판처리장치에 의하여 기판 처리된 실리콘 기판을, 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 기판 처리된 실리콘 기판을 보여주는 개념도이다.
한편 앞서 설명한 바와 같이, 기판(10) 표면에 형성되는 미세요철은 트레이(30)의 상면을 기준으로 중앙 및 외곽 등 위치에 따라서 불균일하게 형성되며, 특히 트레이(30)의 외곽, 즉 가장자리 부분에 위치된 기판(10)의 표면이 실험에 따르면 도 1과 같은 색차가 발생되는 문제가 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 상기 가스공급부(140)의 분사면은 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 분사면 중 중앙분사면(CA)과, 중앙분사면(CA)을 둘러싸며 기판(10)과의 수직거리가 중앙분사면(CA)보다 작은 수직거리를 가지는 외곽분사면(SL)를 포함하여 구성된다.
상기 중앙분사면(CA) 및 외곽분사면(SL)은 가스공급부(140)를 물리적으로 분리한 것이 아니라 가스공급부(140)의 분사면을 가상으로 분할한 것으로서, 하나의 샤워헤드블록 또는 복수의 샤워헤드블록들로도 구성될 수 있음은 물론이다.
그리고 상기 가스공급부(140)는 분사면으로부터 기판(10)과의 수직거리가 중앙분사면보다 작은 수직거리를 가지는 외곽분사면(SL)을 포함하는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이 다양한 구성이 가능하다.
특히 상기 외곽분사면(SL)은 기판(10) 쪽으로 중앙분사면(CA)보다 더 돌출되도록 형성될 수 있다.
상기 가스공급부(140)의 제1실시예로서, 도 4a에 도시된 바와 같이, 중앙분사면(CA)과 외곽분사면(SL)의 경계(310)는 단차가 형성될 수 있다.
상기 중앙분사면(CA)과 외곽분사면(SL)의 경계(310)에 형성되는 단차는 도 4a에 도시되 바와 같이, 기판(10)의 상면에 대하여 수직을 이루도록 구성되거나, 가스공급부(140)의 제2실시예로서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 일부 구간이 기판(10)의 상면에 대하여 경사면을 이루도록 구성될 수 있다.
한편 상기 가스공급부(140)의 제3실시예로서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 외곽분사면(SL)은 가장자리 쪽으로 가면서 기판(10) 쪽으로 더 돌출되는 하나 이상의 단차가 추가로 형성될 수도 있다.
또한 상기 가스공급부(140)의 제4실시예로서, 도시되지 않았지만, 외곽분사면(SL)은 중앙분사면(CA)의 경계(310)로부터 가장자리로 가면서 적어도 일부분이 수직거리가 연속적으로 감소하도록 구성될 수 있다.
특히 상기 외곽분사면(SL)은 중앙분사면(CA)의 경계(310)로부터 가장자리로 가면서 적어도 일부가 곡면, 경사면, 및 경사면 및 곡면을 포함하여 이루어질 수 있다.
한편 기판처리 후 기판(10)의 표면에 발생하는 색차가 가장자리에 위치된 기판(10)에 현저하게 발생하는바, 트레이(30)의 가장자리에 위치된 기판(10)을 기준기판이라고 할 때 중앙분사면(CA)과 외곽분사면(SL)의 경계(310)는 도 3 및 도 4a에 도시된 바와 같이, 기준기판(10)의 중앙선(C)과 기준기판(10)의 내측으로 위치된 기판(10)의 중앙선 사이에 위치됨이 바람직하다.
상기 중앙분사면(CA)과 외곽분사면(SL)의 경계(310)가 기준기판(10)의 내측으로 위치된 기판(10)의 중앙선보다 중앙분사면(CA) 쪽에 위치되는 경우 색차 개선 효과는 있으나 중앙분사면(CA) 쪽에 위치된 기판(10)의 표면에 개구부(211)의 패턴이 형성되는 등 중앙분사면(CA) 쪽에 위치된 기판(10)에 색차를 유발하는 문제점이 있다.
또한 상기 중앙분사면(CA)과 외곽분사면(SL)의 경계(310)가 기준기판의 중앙선(C)보다 가장자리 쪽으로 위치된 경우 기준기판에 대한 색차 개선 효과를 달성할 수 없는 문제점이 있다.
그리고 상기 중앙분사면(CA)과 외곽분사면(SL)은 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 뾰족한 불연속구간 없이, 즉 각진 부분의 형성없이 완만하게 연결되는 것이 바람직하다. 상기 중앙분사면(CA)과 외곽분사면(SL)에 각진 부분이 형성되는 경우 각진 부분에서 아크가 발생되는 등 기판처리에 영향을 미칠 수 있기 때문이다.
한편 상기와 같이 상기 가스공급부(140)의 중앙분사면(CA)를 둘러싸며 기판(10)과의 수직거리가 중앙분사면(CA)보다 작은 수직거리를 가지는 외곽분사면(SL)를 포함하여 구성되는 경우로서 실험한 결과 도 5에 도시된 개념도와 같이, 가장자리에 위치된 기판(10)의 표면에 형성되는 색차가 현저하게 개선됨을 확인하였다.
이는 종래기술의 경우 기판처리시 발생하는 화합물, 특히 실리콘 화합물의 밀도가 가스공급부(140)의 외곽분사면(SL), 특히 가장자리에 위치된 기판(10) 상의 실리콘 화합물의 밀도가 중앙부분의 밀도보다 낮아 도 1과 같은 색차가 발생한 것으로 해석된다.
따라서 본 발명에 따른 기판처리장치와 같이, 가스공급부(140)의 분사면을 중앙분사면(CA)를 둘러싸며 기판(10)과의 수직거리가 중앙분사면(CA)보다 작은 수직거리를 가지는 외곽분사면(SL)를 포함하여 구성함으로써, 가스공급부(140)의 외곽분사면(SL), 특히 가장자리에 위치된 기판(10) 상의 실리콘 화합물의 밀도를 상대적으로 높임으로써 도 5에 도시된 바와 같이 기판 표면상의 색차 발생을 방지한 것으로 해석된다.
즉, 본 발명은 상기와 같이 가스공급부(140)의 외곽분사면(SL)에서의 기판(10)과의 상대거리를 중앙분사면(CA)에 비하여 감소시킴으로써 중앙분사면(CA)에 대응되는 공간보다 외곽분사면(SL)에 대응되는 공간을 줄임으로써 화합물의 밀도를 상대적으로 높임으로써 외곽분사면(SL)에서의 기판(10)에 대한 미세요철의 형성을 촉진하여 색차 형성을 방지할 수 있다.
한편 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리방법은 다음과 같이 수행될 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 기판처리방법은 기판지지대(130) 상에 트레이(30)에 n×m(n, m은 2 이상의 자연수)로 배열된 복수개의 기판(10)들에 대하여 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판처리는 다양한 공정이 가능하며, 앞서 설명한 바와 같이 반응성 이온 에칭에 의하여 태양전지로 사용되는 결정계 실리콘 기판, 특히 다결정계 실리콘 기판의 표면에 다수의 미세요철을 형성하는 공정이 될 수 있다.
한편 상기 기판처리는 미세요철의 형성을 촉진하기 위하여 다수개의 개구부들이 형성된 커버부(200)가 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(10)들을 복개한 상태에서 수행될 수 있다.
상기 커버부(200)는 그 사용목적에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 다수개의 개구부(211)들이 형성되는 커버 플레이트(210)와, 트레이(30)에 안착된 기판(10)으로부터 커버 플레이트(210)가 소정의 간격을 두고 설치되도록 커버 플레이트(210)의 가장자리에 설치되어 커버 플레이트(210)를 지지하는 지지부(220)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 커버부(200)는 공정챔버(100) 내에 도입되기 전에 트레이(30)에 안착된 기판(10)들을 복개하거나, 공정챔버(100) 내에서 별도의 복개장치(미도시)에 의하여 기판(10)들을 복개할 수 있다.
예를 들면 상기 커버부(200)는 기판(10)이 안착된 트레이(30) 사이에 복개공간을 형성하여 개구부(211)를 통하여 유입된 플라즈마에 의하여 형성되는 화합물을 가두어 화합물이 기판(10)의 표면에 부착되어 미세요철을 형성하는 등 소정의 목적을 위해 사용될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10 : 기판 30 : 트레이
100 : 공정챔버 140 : 가스공급부

Claims (10)

  1. 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내부에 구비되며 복수개의 기판들이 m×n(m, n은 2 이상의 자연수)의 배열로 안착된 트레이를 지지하며 전원이 인가되는 하부전극이 설치되는 기판지지대와; 상기 처리공간의 상측에 설치되어 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스공급부를 포함하는 반응성 이온 에칭을 위한 기판처리장치로서,
    상기 가스공급부의 분사면은 중앙분사면과, 상기 중앙분사면를 둘러싸며 상기 기판과의 수직거리가 상기 중앙분사면보다 작은 수직거리를 가지는 외곽분사면을 포함하며,
    상기 트레이의 가장자리에 위치된 기판을 기준기판이라고 할 때 상기 중앙분사면과 외곽분사면의 경계는 상기 기준기판의 중앙선과 상기 기준기판들의 내측으로 위치된 내측 기판의 중앙선 사이에 위치되며,
    상기 기판처리시, 상하로 관통 형성된 다수의 개구부들이 형성되며 상기 기판과 간격을 가지고 상기 기판을 복개하는 커버 플레이트와, 상기 기판과 간격을 두고 설치될 수 있도록 상기 커버 플레이트를 지지하는 지지부를 포함하는 커버부를 추가로 포함하며,
    상기 기판은 태양전지용 결정계 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 중앙분사면과 상기 외곽분사면은 불연속구간 없이 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 외곽분사면은 상기 중앙분사면보다 기판 쪽으로 더 돌출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 중앙분사면과 상기 외곽분사면의 경계는 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 외곽분사면은 가장자리 쪽으로 가면서 기판 쪽으로 더 돌출되는 하나 이상의 단차가 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 외곽분사면은 상기 중앙분사면의 경계로부터 상기 트레이의 가장자리로 가면서 적어도 일부분이 상기 기판과의 수직거리가 연속적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 외곽분사면은 상기 중앙분사면의 경계로부터 가장자리로 가면서 적어도 일부가 곡면, 경사면, 및 곡면 및 경사면을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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