CN101604610A - 腔室和处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种腔室和处理装置,即使超过输送尺寸的界限也能够进行输送。该腔室包括:开放至少一个侧面(2b)、(2c)的长方体状的本体(2);和自由装卸地安装在本体(2)的被开放的侧面(2b)、(2c)上的侧板(3a)、(3b)。
Description
技术领域
本发明涉及一种对平板显示器用基板(下面称FPD用基板)等大型的被处理体进行处理的处理腔室(处理室)等的腔室和处理装置。
背景技术
众所周知,作为在FPD生产工厂中使用的装置,具有在真空或者减压状态下,对FPD用基板实施各种处理的处理装置,例如,利用等离子体对作为被处理体的FPD用基板实施蚀刻等处理的等离子体处理装置。
作为等离子体处理装置,例如在专利文献1中有所记载,其包括:对被处理体实施等离子体处理的处理腔室(处理室);具有用于搬送被处理体的搬送机构的搬送腔室(搬送室);和负载锁定腔室(负载锁定室)等各种腔室。在处理腔室内,配设有相互相对的上部电极和兼作载置被处理体的载置台的下部电极。在上部电极和下部电极之间施加高频波,由此,在上部电极和下部电极之间的处理空间中产生等离子体。
然而,随着被处理体、特别是FPD用基板的大型化的日益发展,现阶段,在实际的FPD制造中,使用边长大约为2000mm~2400mm左右的四方形的基板。今后,FPD用基板的尺寸还有可能进一步大型化,即,有可能达到边长大约为3000mm左右的四方形或者超过该尺寸。对于FPD用基板的大型化而言,因为增加了由一块基板所得到的FPD面板的数量,因此,具有成本降低等优点。
此外,在专利文献2中记载有即使在设置完腔室后,也能够根据用户的要求等简易地改变腔室的形状和大小的腔室。
专利文献1:日本特开2007-67218号公报
专利文献2:日本特开2004-335743号公报
FPD用基板的大型化,导致对FPD用基板进行处理的处理腔室等的腔室本身也变得大型化,并最终导致整个处理装置也随之大型化。通常,对于FPD用基板的处理装置而言,将处理装置分成各个腔室,从处理装置制造工厂将各腔室运送到FPD生产工厂。但是,如果腔室本身过大,即,由于腔室本身超过输送尺寸的界限,则将处理装置从其制造工厂向FPD生产工厂进行输送存在困难。
发明内容
本发明的目的在于提供一种即使超过输送尺寸的界限也能够进行输送的腔室以及使用该腔室的处理装置。
为了解决上述问题,本发明的第一方面提供一种腔室,其包括:开放至少一个侧面的长方体状的本体和自由装卸地安装在上述本体的被开放的侧面上的侧板。
本发明的第二方面提供一种腔室,其包括:开放至少一个侧面的长方体状的本体;安装在上述本体的被开放的侧面的、具有与上述本体的开口形状相一致的开口的隔板;和自由装卸地安装在上述隔板上的侧板。
本发明的第三方面提供一种处理装置,在对被处理体实施处理的处理室中,使用上述第一或第二方面所述的腔室。
根据本发明,提供一种即使超过输送尺寸的界限也能够进行输送的腔室以及使用该腔室的处理装置。
附图说明
图1A是表示本发明第一实施方式所涉及的腔室的一个例子的立体图,图1B是表示图1A所示的腔室的分解立体图。
图2A是简要表示使用图1A所示的腔室的处理腔室的截面图,图2B是表示打开侧板的状态的截面图。
图3A表示本发明第二实施方式所涉及的腔室的一个例子的立体图,图3B是表示图3A所示的腔室的分解立体图。。
图4A是简要表示使用图3A所示的腔室的处理腔室的截面图,图4B是表示打开侧板的状态的截面图。
图5A至图5C是表示利用本发明实施方式所涉及的腔室得到的优点的一个例子的水平截面图。
图6A是表示比较例所涉及的处理腔室的截面图,图6B是打开上盖的状态的截面图。
图7是表示本发明第三实施方式所涉及的腔室的一个例子的分解立体图。
图8是表示本发明第三实施方式所涉及的腔室的另一个例子的分解立体图。
图9A是表示本发明第四实施方式所涉及的腔室的一个例子的水平截面图,图9B是图9A中所示的9B-9B线所示的截面图,图9C是图9A中所示的9C-9C线所示的截面图。
图10是表示本发明第四实施方式所涉及的腔室的另一个例子的水平截面图,图10B是图10A中所示的10B-10B线所示的截面图,图10C是图10A中所示的10C-10C线所示的截面图。
图11A是简要表示本发明实施方式的第一变形例所涉及的处理腔室的截面图,图11B是表示打开侧板的状态的截面图。
图12是简要表示本发明实施方式的第二变形例所涉及的处理腔室的截面图。
图13是简要表示本发明实施方式的第三变形例所涉及的处理腔室的截面图。
符号说明:
1a~1g:腔室;2:本体;2a~2d:侧面;3a、3b:侧板;12:固定部件;30:铰链;31:隔板(隔件);32:开口;33:肋部;34:凹部;G:FPD用基板(被处理体);W:宽度;h:高度;I:深度
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。在所有参照附图中,对同一部分标注相同的标号。
第一实施方式
图1A是表示使本发明第一实施方式所涉及的腔室适用于处理腔室的一个例子的立体图,图1B是表示图1A所示的腔室的分解立体图。
如图1A和图1B所示,处理腔室1a包括:开放至少一个侧面的长方体状的本体2;和自由装卸地安装在本体2的被开放的侧面上的侧板3a、3b。
本体2例如由铝制造。在本例子中,在四个侧面2a~2d中,侧面2a是形成有用于搬入搬出被处理体(在本例子中是FPD用基板)的搬入搬出口(门阀开口)4的第一侧壁5。而且,在本例子中,与侧面2a相邻的两个侧面2b、2c呈开放状态,与侧面2a相对的一个侧面2d为第二侧壁6。本体2的上部是形成有安装电极等的开口7的顶板8,下部是形成有向载置台等插通配线的开口、排气口(在图1A和图1B中未示出)的底板10。即,处理腔室1a由角筒状(方筒状)的本体2和挡住该角筒的开放的两个端部的侧板3a、3b构成,其中,该角筒状的本体2由第一侧壁5、第二侧壁6、顶板8和底板10构成。
在本例子中,侧板3a、3b经由密封部件11(例如,O形环等),使用可装卸的固定部件12(例如螺栓等)可自由装卸地安装到侧面2b、2c上。
在本例子中,本体2的宽度w、高度h、深度(纵深)I分别都在输送尺寸的界限以内,但是,在将侧板3安装到本体2上的状态下,沿着侧板安装方向的宽度w1则超过输送尺寸的界限。
这种大型的处理腔室1a,如现有的技术,在通过焊接接合铝制的板材,进行机械加工制作成箱形的形状时,不可能进行输送。
然而,第一实施方式所涉及的腔室1a被分割成本体2和侧板3a、3b。本体2的各边的长度都在输送尺寸的界限以内,将本体2和侧板3a、3b输送到生产工厂例如FPD生产工厂,在生产工厂中,将侧板3a、3b安装到本体2上。由此,即使是对于不可能进行输送的大型的处理腔室1a,也能够将其设置在生产工厂内。
由此,根据第一实施方式,能够提供一种即使超过输送尺寸的界限,也能够进行输送的处理腔室。
图2A是简要表示图1A所示的处理腔室的截面图。此外,图2A所示的截面图相当于沿着图1A中的2A-2A线的截面。
图2A所示的腔室1a构成为容量结合型平行平板等离子体蚀刻处理腔室。这里,作为FPD,例示有液晶显示器(LCD)、电致发光(EL)显示器和等离子体显示面板(PDP)等。
在处理腔室1a的底板10上,设置有用于载置被处理体例如FPD用基板G的载置台21,载置台21通过绝缘部件22被支撑在处理腔室1a的底板10上。载置台21通过在底板10上形成的开口9而与用于供给高频电力的供电线23连接,该供电线23与匹配器24和高频电源25连接。从高频电源25向载置台21供给例如13.56MHz的高频电力。由此,载置台21具有作为下部电极的功能。
在载置台21的顶板8的开口7上,安装有上部电极基座26,在该上部电极基座26上支撑有具有作为上部电极功能的喷淋头27。喷淋头27通过气体供给管28a与气体供给源29连接。在喷淋头27的与载置台21相对的面上,形成有多个喷出处理气体的未图示的喷出孔。来自处理气体供给源29的用于等离子体处理例如用于等离子体蚀刻的处理气体通过未图示的喷出孔被供给到处理腔室1a的内部。喷淋头27与具有作为下部电极的功能的载置台21一起构成一对平行平板电极。此外,开口7的尺寸也可以比载置台21的尺寸大。载置台21能够通过例如开口7进入到处理腔室1a的内部。
侧板3a、3b可自由装卸地安装在本体2的侧面2b、2c。在本例子中,侧板3a、3b通过铰链30可自由开闭地安装在本体2上。
在处理腔室1a中,例如,被处理体是具有矩形的平面形状的FPD用基板G。此外,矩形的FPD用基板G是边长大约为3000mm的四方形或者超过该尺寸的大型基板。这种大型的FPD用基板G的最短边的边长大约为3000mm左右,例如为2800mm。处理这种大型的FPD用基板G的处理腔室1a的例如侧板3a、3b的安装方向上的宽度w1已经超过输送尺寸的界限。
然而,在本例子中,腔室1a的侧板3a、3b与在输送尺寸的界限以内的本体2可自由装卸地连接。因此,在分割成本体2和侧板3a、3b的状态下,能够从制造处理腔室1a的制造工厂输送到生产FPD的生产工厂。通过将输送的本体2和侧板3a、3b在生产工厂内进行安装,即使是具有超过输送尺寸的界限的腔室1a的处理腔室1a,也能够将其设置在生产工厂内。
此外,在本例子中,本体2与侧板3a、3b可自由装卸地连接。特别地,在本例子中,通过铰链30可自由装卸地安装。
根据这种处理腔室1a,例如,如图2B所示,能够使侧板3a、3b的全体开闭,从而使腔室1a的内部全部暴露于外界。根据侧板3a、3b全部开闭的腔室1a,与例如原有的通过部分开设于腔室1a上的开口7、9进行腔室1a的内部的维护的装置比较,侧板3a、3b全部开闭的腔室1a具有所谓的能够容易地进行腔室1a的内部维护的优点。
第二实施方式
图3A表示使本发明第二实施方式所涉及的腔室适用于处理腔室的一个例子的立体图,图3B是表示图3A所示的腔室的分解立体图。
如图3a和图3b所示,第二实施方式所涉及的腔室1b与第一实施方式所涉及的腔室1a的不同点是,在本体2的开放的侧面2b、2c和侧板3a、3b之间还具有隔板31a、31b。其它的部分与腔室1a大致相同。
隔板31a、31b被安装在本体2的开放的侧面2b、2c上,在本例子中,具有与本体2的侧面2b、2c的开口形状相一致的开口32。
图4A是表示使用图3A所示的腔室的基板处理装置的一个例子的截面图。此外,图4A所示的截面与沿着图3A中的4A-4A线的截面相当。
图4A所示的处理腔室1b与图2A所示的处理腔室1a相同,构成为容量结合型平行平板等离子体蚀刻处理腔室。
处理腔室1b与处理腔室1a的不同点是,在腔室1b的本体2的开放的侧面2b、2c和侧板3a、3b之间还具有隔板31a、31b,以及FPD用基板G的尺寸比处理腔室1a的大。其它的部分与腔室1a相同。
图5A至图5C是表示本发明实施方式所涉及的腔室1a和1b所带来的优点的一个例子的水平截面图。
图5A是通过焊接接合板材并进行机械加工,以一体成型方式制作成箱型形状的处理腔室1c的比较例。在FPD用基板G0的尺寸小的情况下,即使处理腔室1c是一体型的,处理腔室1c的大小也是在输送尺寸的界限以内。
图5B是第一实施方式所涉及的处理腔室1a的实施例。在FPD用基板G1的尺寸变大,若处理腔室1a以一体成型方式制作,则其尺寸超过输送尺寸的界限的情况下,如图5B所示,作为分割成本体2和侧板3a、3b的分割型,本体2在输送尺寸的界限以内。由此,如上所述,即使是超过输送尺寸的界限的处理腔室1a,也能够进行输送。
图5C是第二实施方式所涉及的处理腔室1b的实施例。在FPD用基板G2的尺寸进一步变大的情况下,使隔板31a、31b位于侧面2b、2c和侧板3a、3b之间,使本体2与侧板3a、3b之间的距离得以延长。由此,对于处理尺寸更大的FPD用基板G2也能够进行处理,并且,能够得到可进行输送的处理腔室1b。
此外,对于FPD用基板的大小而言,即使是相同批次,每次制造的FPD制品也存在微细的尺寸差。即使在这种情况下,根据第二实施方式所涉及的处理腔室1b,也能够通过利用隔板31a、31b对处理腔室1b的大小进行微调整。通过对处理腔室1b的大小进行微调整,能够得到以下优点,即,能够得到下述的处理腔室,例如,即便是尺寸差不同的FPD基板G,也能够使从玻璃基板G的边缘至侧板3a、3b的距离一定,相对于存在尺寸差的FPD基板G能够均匀地进行处理。
此外,腔室1a、1b,例如,如图2B、图4B所示,开闭所有的侧板3a、3b。
根据这样的腔室1a、1b,例如与如图6B和图6B所示的、具有侧板3与底板10为一体的本体2,顶板8a作为上盖而开闭的腔室1c相比,能够得到容易接近下部电极21,容易进行维护这样的优点。
第三实施方式
图7是表示使本发明第三实施方式所涉及的腔室适用于处理装置的一个例子的分解立体图。图8是表示本发明第三实施方式所涉及的腔室的另一例子的分解立体图。
如图7和图8所示,第三实施方式所涉及的处理腔室1d、1e进一步使顶板8成为分割型。对于顶板8而言,在本例子中呈箱形形状,其经由密封部件11例如O形环等,作为上盖而自由装卸地安装在本体2的上面。如图7所示的处理腔室1d,相对于第一实施方式所涉及的处理腔室1a,进一步使顶板8成为分割型,如图8所示的处理腔室1e,相对于第二实施方式所涉及的处理腔室1b,进一步使顶板8成为分割型。
这样,不但使侧板3a、3b成为分割型,而且还进一步使顶板8成为分割型,使其作为上盖自由装卸地安装在本体2上。
根据第三实施方式,与第一、第二实施方式进行对比,处理腔室的高度方向的大小,能够对应于超过输送尺寸的界限的情况,能够得到这样的优点。
此外,通过使顶板8能够自由装卸地安装,与只有侧板3a、3b能够自由装卸地安装的第一、第二实施方式比较,能够得到更容易进行维护这样的优点。
此外,特别地,虽然图中未示出,但是不仅顶板8,还可以进一步对图1B和图3B所示的底板10进行分割,也可以将顶板8和底板10都分割成平板部分。
第四实施方式
图9A是表示使本发明第四实施方式所涉及的腔室适用于处理腔室的一个例子的水平截面图,图9B是图9A中所示的9B-9B线所示的截面图,图9C是图9A中所示的9C-9C线所示的截面图。
如图9A至图9C所示,第四实施方式所涉及的处理腔室1f在侧板3a、3b上安装有肋部33,与第一至第三实施方式相比,使侧板3a、3b的厚度t1进一步变薄。肋部33具有作为侧板3a、3b的加强件的功能。由此,在本例子中,例如,侧板3a、3b的厚度t1可以比本体2的侧壁5、6的厚度t2、t3薄。
根据第四实施方式的处理腔室1f,能够得到下述优点:因为能够使侧板3a、3b的厚度t1薄,因此,能够减少用于处理腔室1f所需的材料,例如铝的使用量,从而能够降低处理腔室1f的成本。
当然,即使是厚度t1薄的侧板3a、3b,也能够在本例子中通过铰链30自由装卸地且自由开闭地安装在本体2上。由此,能够与第一至第三实施方式一样得到良好的维护性能。
图10是表示本发明第四实施方式所涉及的处理腔室的另一例子的水平截面图,图10B是图10A中所示的10B-10B线所示的截面图,图10C是图10A中所示的10C-10C线所示的截面图。
如图10A至图10C所示,安装有肋部33的侧板3a、3b也能够适用于带有隔板31a、31b的处理腔室1g。在这种情况下,能够降低处理腔室1g的成本。并且,因为能够通过例如铰链30,将带有肋部33的侧板3a、3b自由开闭地安装在隔板31a、31b上,因此,也能够保持良好的维护性能。
以上,对本发明的几种实施方式进行了说明,但是,本发明不局限于上述实施方式,能够进行各种变形。
例如,在上述实施方式中,使用FPD用基板的处理腔室例示了本发明,但是,也可以使用于搬送腔室或者负载锁定室等各种腔室,还能够适用于对其它各种基板进行处理的处理装置的腔室。
此外,在上述实施方式中,侧板3a、3b为一块板状部件,但是,例如如图11A和图11B所示,侧板3a、3b也可以是朝向腔室1h的内部具有凹部34的箱形部件。
此外,在上述实施方式中,使侧板3a、3b朝向底板10侧开闭,但是,如图12所示,也可以朝向顶板8侧开闭。在侧板3a、3b朝向顶板8侧开闭的情况下,具有下述优点,例如,在打开侧板3a、3b进行维护时,操作者容易靠近腔室1i。
此外,在上述实施方式中,侧板3a、3b通过铰链30自由开闭地安装在本体2的侧面2b、2c上,但是,如图13所示,也可以以能够将侧板3a、3b整体从本体2的侧面2b、2c卸载的状态,将其安装于侧面2b、2c上。在这样的腔室中1j中,因为侧板3a、3b被卸载,因此,在进行维护时,操作者也容易靠近腔室1j。
此外,在上述实施方式中,分别将侧板3a、3b自由装卸地安装在两个侧面上,但是,侧板也可以自由装卸地安装在至少一个侧面上。
此外,在上述实施方式中,例示出相对于两个侧面成为分割结构的结构,但是,也可以是相对全部的侧面成为分割结构。
此外,可以使上述实施方式和图11至图13所示的变形例任意组合进行实施。
Claims (10)
1.一种腔室,其特征在于,包括:
开放至少一个侧面的长方体状的本体;和
自由装卸地安装在所述本体的被开放的侧面上的侧板。
2.根据权利要求1所述的腔室,其特征在于:
所述本体具有角筒形状,该角筒的端部与所述侧面相对应。
3.根据权利要求1所述的腔室,其特征在于:
所述本体具有自由开闭的上盖。
4.根据权利要求1~3任一项所述的腔室,其特征在于:
所述侧板是朝向所述本体内部具有凹部的箱形的部件。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的腔室,其特征在于:
在所述本体的被开放的侧面与所述侧板之间具有隔板,该隔板具有与所述本体的开口形状相一致的开口。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的腔室,其特征在于:
所述侧板通过铰链自由开闭地安装在所述本体上。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的腔室,其特征在于:
在所述侧板上安装有肋部,所述侧板的厚度比所述本体的侧壁的厚度薄。
8.根据权利要求1~3中任一项所述的腔室,其特征在于:
所述本体的宽度、高度和纵深分别在输送尺寸的界限以内,安装有所述侧板的本体在沿着侧板安装方向上的宽度超过输送尺寸的界限。
9.根据权利要求1~3中任一项所述的腔室,其特征在于:
所述被处理体的平面形状是矩形,所述矩形的最短边的边长为2800mm以上。
10.一种处理装置,其特征在于:
在对被处理体进行处理的处理室中,使用根据权利要求1~3中任一项所述的腔室。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008151533 | 2008-06-10 | ||
JP2008151533A JP5551346B2 (ja) | 2008-06-10 | 2008-06-10 | チャンバ及び処理装置 |
JP2008-151533 | 2008-06-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101604610A true CN101604610A (zh) | 2009-12-16 |
CN101604610B CN101604610B (zh) | 2013-02-13 |
Family
ID=41470288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009101460317A Active CN101604610B (zh) | 2008-06-10 | 2009-06-10 | 腔室和处理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5551346B2 (zh) |
KR (2) | KR101148393B1 (zh) |
CN (1) | CN101604610B (zh) |
TW (1) | TWI505397B (zh) |
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---|---|---|---|---|
WO2010082467A1 (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-22 | 株式会社アルバック | プラズマcvd装置 |
JP5158994B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-03-06 | 株式会社アルバック | チャンバ |
US11049740B1 (en) | 2019-12-05 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Reconfigurable mainframe with replaceable interface plate |
Family Cites Families (10)
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---|---|---|---|---|
JPH0521581A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
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-
2008
- 2008-06-10 JP JP2008151533A patent/JP5551346B2/ja active Active
-
2009
- 2009-06-09 TW TW098119214A patent/TWI505397B/zh active
- 2009-06-09 KR KR1020090051074A patent/KR101148393B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-10 CN CN2009101460317A patent/CN101604610B/zh active Active
-
2011
- 2011-05-02 KR KR1020110041595A patent/KR101514108B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201011855A (en) | 2010-03-16 |
CN101604610B (zh) | 2013-02-13 |
KR101148393B1 (ko) | 2012-05-21 |
JP5551346B2 (ja) | 2014-07-16 |
JP2009302106A (ja) | 2009-12-24 |
KR101514108B1 (ko) | 2015-04-22 |
KR20110069748A (ko) | 2011-06-23 |
KR20090128339A (ko) | 2009-12-15 |
TWI505397B (zh) | 2015-10-21 |
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C06 | Publication | ||
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