KR101414418B1 - 땜납 페이스트 - Google Patents

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후미오 이시가
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아츠오 나카무라
테루오 오코치
마사키 산지
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하리마카세이 가부시기가이샤
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Abstract

 본 발명의 하나의 땜납 페이스트는, 분자량이 250 이하의 2염기산과, 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산과, 분자량이 300 이상 600 이하의 2염기산을 갖는 활성제와, 고밀도 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌으로부터 구성되는 군에서부터 선택되는 적어도 1종류의 수지 첨가물을 플럭스 중에 함유하고, 그 수지 첨가물을 그 플럭스 중에 4중량% 이상 12중량% 이하를 가짐과 동시에, 80℃에 있어서의 점도가 400 Pa·s이상이다.

Description

땜납 페이스트{Solder paste}
본 발명은, 땜납 페이스트에 관한 것이다.
종래부터, 전자 회로 부품 등을 땜납 접속하기 위하여, 여러 가지의 땜납 페이스트가 사용되고 있다. 특히, 땜납 페이스트에 포함되는 플럭스(flux)는, 땜납 표면 및 회로 기판 표면의 금속 산화물을 제거함과 동시에, 납땜시의 금속의 재 산화를 방지하는 재료로서 이용된다. 또한, 이 플럭스는, 땜납의 표면장력을 저하시키고, 또한, 납땜을 양호하게 실시하기 위한 중요한 역할도 한다.
그런데 종래부터, 유기산 등을 조합하여 땜납 페이스트용 플럭스(이하, 단지, 플럭스라고도 함)에 첨가함으로써, 신뢰성 및 납땜성의 향상이 도모되고 있다. 그러나 최근, 전자 회로 부품 등의 미세화에 따라 주목받기 시작한 내가열 슬럼핑(slumping)에 대한 시장의 요구를 충분히 만족하는 플럭스는, 아직도 발견되고 있지 않다. 내가열 슬럼핑이 떨어지는 플럭스는, 칩 부품에 있어서의 땜납 볼을 다수 발생시키는 일이 있다. 따라서, 이 땜납 볼이 탈락하면, 부품의 미세화에 의해 좁게 피치화한 부품 리드 사이에 땜납 볼이 비집고 들어가기 때문에, 합선 불량을 발생시킬 가능성이 커진다. 또한, 상술한 시장의 요구는, 특히 차재용(車載用) 전자 부품에 대해서 엄격하다고 말할 수 있다.
상술한 내가열 슬럼핑, 환언하면, 가열에 의한 「슬럼핑」의 개선에 대해서는, 지금까지 몇 개 제안되어 왔다. 예를 들면, 구체적으로는, 이하의 각 수단을 들 수 있다.
a) 땜납 분말, 로진계 수지, 활성제 및 용제를 함유하는 솔더페이스트 조성물에 폴리에틸렌글리콜 폴리프로필렌글리콜-폴리에틸렌글리콜 블록 폴리머를 함유시키는 수단(특허 문헌 1 참조)
 b) 솔더페이스트의 플럭스 중에 불소 수지 화합물이나 불소계 계면활성제 등의 불소 화합물을 0.05∼10중량% 첨가시키는 수단(특허 문헌 2 참조)
 c) 구 형태의 구형분말과 여러 가지 형상의 부정형 분말로 이루어지는 분말 땜납과 페이스트 형태의 플럭스를 혼화한 솔더페이스트에서, 모든 분말 땜납에 대해 그 부정형 분말을 10∼50중량% 혼화시키는 수단(특허 문헌 3 참조)
JP 2002-336993 A JPH06-7989 A JPH07-88675 A JPH09-253884 A
상술한 바와 같이, 미세화의 진보가 현저한 전자 회로 부품에 충분히 적용할 수 있는 플럭스 및 땜납 페이스트를 개발하는 것은 매우 어렵다. 예를 들면, 상술한 특허 문헌 1 및 2에 기재된 수단 (a), (b)를 채용하여도, 휘발성이 낮은 극성 물질의 첨가는, 땜납 용해 후에도 잔류하기 때문에, 충분한 신뢰성을 얻을 수 없다. 또, 상술한 특허 문헌 3에 기재된 수단 (c)를 채용하여도, 부정형 분말이 첨가되기 때문에, 땜납 페이스트의 유동성이 저하할 뿐만 아니라, 미세부의 인쇄 전사성이 저하해 버린다.
또한, 지금까지 사용되어 온 땜납 페이스트 조성물 중의 플럭스에는, 활성제로서 유기산, 특히 활성력의 점 때문에 비교적 분자량의 작은(예를 들면, 분자량 250 이하의) 2염기산이 이용되고 있었다(특허 문헌 4 참조). 그러나 최근 사용되고 있는 무연 땜납 페이스트에서는, 종래의 주석 납 합금을 이용한 땜납 페이스트와 비교하여 강한 활성력이 필요하게 되기 때문에, 상기 2염기산을 다량으로 사용해야 한다. 그러면, 납땜시, 상기 2염기산과 금속 산화물이 반응함으로써 생성되는 유기산 금속염이, 플럭스 잔재 중에 깨끗이 용해를 할 수 없게 되기 때문에, 그 유기산 금속염이 기판상에 점 형태로 석출해 버린다. 이 석출물은, 수분에 의해 용이하게 유기산이 해리하기 때문에, 부식이나 절연 열화의 원인이 된다.
따라서, 땜납 페이스트 조성물 중의 플럭스에 포함되는 2염기산의 함유량을 억제하거나, 또는 상기 2염기산을 1염기산으로 치환하여 사용함으로써 대처할 방법을 생각할 수 있다. 그러나 이들 방법을 실시한 경우, 비록 금속염이 석출되는 점은 개선될지라도, 활성력이 저하하게 된다. 그 결과, 이 활성력의 저하에 따라 납땜 불량이 다발한다.
본 발명은, 상술한 기술 과제를 해결함으로써, 최근, 미세화의 진보가 현저한 전자 회로 부품에도 충분히 적용할 수 있는 땜납 페이스트의 구현화 및 그 실용화에 크게 공헌하는 것이다. 발명자들은, 높은 신뢰성과 양호한 납땜성을 양립시키는 땜납 페이스트를 얻기 위하여, 특히 땜납 페이스트용 플럭스 및 땜납 페이스트에 포함되는 활성제 및 베이스 수지의 기능성 향상에 착안하여 예의 연구를 하였다. 그 결과, 일정한 분자량의 범위 내에 넣은 복수 종류의 2염기산 및 1종류의 1염기산으로 이루어지는 활성제와 특정 수지 첨가물을 포함하는 땜납 페이스트를 채용하는 것이, 높은 신뢰성과 뛰어난 납땜성을 양립하고, 또한 내가열 슬럼핑의 향상으로 연결된다는 것을 발견하였다. 또, 발명자들은, 그 땜납 페이스트는, 제조 비용을 올리지 않고, 환경에 대한 부하에도 배려된 것이라는 것을 확인하였다. 본 발명은, 이러한 시점과 경위에 의해 창출되었다.
본 발명의 하나의 땜납 페이스트는, 분자량이 250 이하의 2염기산과, 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산과, 분자량이 300 이상 600 이하의 이염기산을 갖는 활성제와 고밀도 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌으로 구성되는 군에서부터 선택되는 적어도 1종류의 수지 첨가물을 플러스중에 함유하고, 상술한 플럭스의 전체를 100중량%로 했을 때에 그 수지 첨가물을 4중량% 이상 12중량% 이하 갖는다. 또한, 상술한 땜납 페이스트의 80℃에 있어서의 점도가, 400 Pa·S 이상이다.
이 땜납 페이스트에 의하면, 상술의 활성제를 가짐으로써, 높은 신뢰성과 뛰어난 납땜성을 양립할 수 있다. 또, 고밀도 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌으로 구성되는 군에서부터 선택되는 적어도 1종류를 포함하는 것으로, 고온(80℃) 조건하에 있어서의 땜납 페이스트의 고점도화에 기여하기 때문에, 내가열 슬럼핑이 향상할 수 있다. 환언하면, 가열에 의한 「슬럼핑」이 억제될 수 있다.
 본 발명의 하나의 땜납 페이스트에 의하면, 내가열 슬럼핑이 향상된다. 환언하면, 가열에 의한 「슬럼핑」이 억제될 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시 형태에 있어서의 플럭스의 광학 현미경 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시 예 1의 고밀도 폴리에틸렌의 입도 분포를 나타내는 그래프이다.
이어서, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 땜납 페이스트용 플럭스는, 분자량이 250 이하의 2염기산과, 분자량이 150 이상에서 300 이하의 1염기산과, 분자량이 300 이상 600 이하의 2염기산을 갖는 활성제가 있다. 또, 본 실시 형태의 땜납 페이스트용 플럭스는, 고밀도 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌으로 구성되는 군에서부터 선택되는 적어도 1종류의 수지 첨가물도 포함하고 있고, 상술한 수지 첨가물의 첨가량은, 상술한 플럭스의 전체를 100중량%로 하였을 때에 4중량% 이상 12중량% 이하이다. 또한, 본 실시 형태의 땜납 페이스트의 80℃에 있어서의 점도가, 400Pa·s이상이다. 또한, 본 발명에 있어서의 고밀도 폴리에틸렌은, JIS K6922-1:1997에 기재된 바와 같이, 밀도가 942 ㎏/㎥ 이상의 것이다. 동일하게 내밀도 폴리에틸렌은, 밀도가 930 ㎏/㎥ 이상 942 ㎏/㎥미만이며, 저밀도 폴리에틸렌은, 밀도가 910 ㎏/㎥ 이상 930㎏/㎥ 미만이다.
따라서, 상술한 활성제는, 내가열 슬럼핑의 향상, 환언하면, 가열에 의한 「슬럼핑」의 억제에 기여할 수 있다. 또, 상술한 바와 같이, 고밀도 폴리에틸렌과 폴리프로필렌과의 어느 하나 또는 양쪽은, 예를 들면, 일반적인 땜납 페이스트용 플럭스의 연화가 시작되는 80℃ 이하에 있어서의 플럭스 및 땜납 페이스트의 고점도화에 기여한다. 따라서, 예를 들면, 땜납을 가열 용해시킴으로써 기판 전극과 전자 부품을 납땜하는 일반적으로 리플로우로 불리는 공정에서 가열에 의한 「슬럼핑」이 억제될 수 있다. 그러면, 이들 땜납 페이스트는, 상술한 땜납 볼의 발생을 억제할 수가 있기 때문에, 미세화의 진보가 현저한 전자 회로 부품에도 적용할 수 있다.
또, 분자량이 250 이하의 2염기산으로서는, 분자량이 90 이상의 2염기산이 바람직하다. 또한, 분자량이 250 이하의 2염기산의 대표 예는, 말론산, 호박산, 글루타르산, 아디핀산, 수베릭산(suberic acid), 세바신산(sebacic acid), 프탈산, 헥사 히드로 프탈산, 아미노 호박산 및 디펜산의 군에서부터 선택될 수 있다. 또, 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산의 대표 예는, 데칸산, 스테아린산, 올레인산, 아니스산(anisic acid), 벤조일 안식향산, 디클로로 안식향산, 디브로모실리실산, 디페닐 아세트산 및 쿠민산의 군에서부터 선택될 수 있다. 또한, 분자량이 300 이상 600 이하의 2염기산의 대표 예는, 형번 SL-20(오카무라세이유 제조), 디에틸렌글리콜과 무수 호박산의 에스테르화 반응물, 불포화 지방산의 (메타)아크릴산 부가물 및 불포화 지방산의 2량체의 군에서부터 선택될 수 있다. 또한, 그 외 이용할 수 있는 활성제의 예로서는, 에틸아민, 프로필아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디페닐구아니딘, 에틸렌디아민, 아닐린 등의 할로겐화 수소 염산, 유산 또는 구연산이 적용될 수 있다.
상술한 분자량이 250 이하의 2염기산, 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산, 및 분자량이 300 이상 600 이하의 이염기산의 사용량은 특별히 제한되지 않는다. 단, 분자량이 250 이하의 2염기산 100 중량부에 대해, 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산을 100 이상 500 이하의 중량부 정도로 하는 것이, 납땜성과 신뢰성의 양립을 도모한다는 관점에서 바람직하다. 상술한 관점에서 말하자면, 분자량이 250 이하의 2염기산 100 중량부에 대해, 특히 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산을 150 이상 350 이하의 중량부 정도로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 분자량이 250 이하의 2염기산 100 중량부에 대해, 분자량이 300 이상 600 이하의 2염기산을 80 이상 400 이하의 중량부 정도로 하는 것이 상술한 관점에서 바람직하다. 상술한 관점에서 말하자면, 분자량이 250 이하의 2염기산 100 중량부에 대해, 분자량이 300 이상 600 이하의 2염기산을 80 이상 300 이하의 중량부 정도로 하는 것이 더욱 바람직하다.
또, 고밀도 폴리에틸렌과 폴리프로필렌과 중 어느 하나 또는 양쪽의 사용량은, 플럭스의 전체를 100중량%로 했을 때에 4중량% 이상 12중량% 이하의 범위라면 좋다. 그러나 플럭스 100 중량부에 대해서, 고밀도 폴리에틸렌과 폴리프로필렌 중 어느 하나 또는 그 양쪽이 5 이상 9 이하의 중량부 정도가 되는 것이, 가열 슬럼핑의 방지 및 땜납 페이스트의 점성 조정의 용이성의 관점에서 더욱 바람직하다.
여기서, 본 실시 형태로 사용되는 고밀도 폴리에틸렌에 대해서는, 땜납 페이스트용 플럭스 중의 입자 형태의 고밀도 폴리에틸렌의 입자 지름, 입자 지름 분포, 또는 형상이, 이하의 a)∼d)의 조건 중, 적어도 1개를 만족하는 것이 바람직한 한 형태이다.
a) 상기 고밀도 폴리에틸렌의 입자 지름의 최장 지름의 평균 입자 지름이, 0. 001㎛ 이상 50㎛ 이하이다.
b) 광학 현미경에 의해 배율 200배로 관찰했을 때에, 상술한 땜납 페이스트용 플럭스의 1.5㎜×1.1㎜의 무작위로 선택한 범위안에 있어서의 입자 지름의 최장 지름이 60㎛ 이하인 고밀도 폴리에틸렌의 개수가, 상기 고밀도 폴리에틸렌의 총수의 90% 이상이다.
c) 광학 현미경에 의해 배율 100배로 관찰했을 때에, 상술한 땜납 페이스트용 플럭스의 3.1㎜×2.3㎜의 무작위로 선택한 범위안에 있어서의 입자 지름의 최장 지름이 100㎛ 이상인 고밀도 폴리에틸렌의 개수가, 상기 고밀도 폴리에틸렌의 총수의 1% 이하이다.
d) 그 고밀도 폴리에틸렌이 다면형이다.
상술한 조건을 만족함으로써, 예를 들면, 플럭스 중의 고밀도 폴리에틸렌이 미세화된 전극 등의 위에 배치되는 확실도가 높아지기 때문에, 전자 회로 부품 등의 미세화로의 적용성이 한층 더 높아진다. 또한, 도 1은, 본 실시 형태의 땜납 페이스트의 일부를 구성하는 플럭스의 광학 현미경 사진이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 플럭스중에는, 상술한 범위에 포함되는 복수의 입자 지름을 갖는 고밀도 폴리에틸렌이 관찰된다. 도 1에 나타내는 플럭스의 경우, 입자 게이지 측정에 따르면 50㎛보다 큰 쓸림은 인정되지 않기 때문에, 고밀도 폴리에틸렌의 최장 지름은 약 50㎛ 이하이다. 또, 많은 고밀도 폴리에틸렌이 다면형이다. 또한, 상기 각 조건 a)∼d) 중 2개 이상을 동시에 만족하는 것이 보다 바람직하고, 모든 조건을 동시에 만족하는 것은 더욱 바람직하다.
또한, 고밀도 폴리에틸렌의 점도 분자량이, 1500 이상 4500 이하인 것은 바람직한 한 형태이다. 상기 점도 분자량의 범위를 만족하면, 가열시의 「슬럼핑」의 억제 작용이 더욱 향상한다.
또, 고밀도 폴리에틸렌의 융점이, 110℃ 이상 130℃ 이하인 것도, 또 하나의 바람직한 한 종류이다. 상기 융점의 범위를 만족하면, 가열시의 「슬럼핑」의 억제 작용이 한층 더 향상된다.
또, 고밀도 폴리에틸렌의 산가가 1 이하인 것도, 또 하나의 바람직한 한 종류이다. 상기 산가의 범위를 만족하면, 고밀도 폴리에틸렌의 첨가에 의한 절연 신뢰성의 저하를 방지할 수가 있다.
또한, 고밀도 폴리에틸렌의 유리 전이 온도가, -50℃ 이하인 것도, 또 하나의 바람직한 한 종류이다. 상기 유리 전이 온도의 범위를 만족하면, 특히 차재 전자 부품용 페이스트에 요구되는, 플럭스 잔재의 내균열성의 열화를 억제할 수가 있다.
이어서, 본 실시 형태에서 사용되는 폴리프로필렌에 대해서는, 땜납 페이스트용 플럭스 중의 입자 형태의 폴리프로필렌의 입자 지름, 입자 지름 분포, 또는 형상이, 이하의 a)∼d)의 조건 중, 적어도 1개를 만족하는 것이 바람직한 한 형태이다.
a) 상기 폴리프로필렌의 입자 지름의 최장 지름의 평균 입자 지름이, 0. 001㎛ 이상 50㎛ 이하이다.
b) 광학 현미경에 의해 배율 200배로 관찰했을 때에, 상술한 페이스트용 플럭스의 1.5㎜×1.1㎜의 무작위로 선택한 범위안에 있어서의 입자 지름의 최장 지름이 60㎛ 이하인 폴리프로필렌의 개수가, 상기 폴리프로필렌의 총수의 90% 이상이다.
c) 광학 현미경에 의해 배율 100배로 관찰했을 때에, 상술한 땜납 페이스트용 플럭스의 3.1㎜×2.3㎜의 무작위로 선택한 범위안에 있어서의 입자 지름의 최장 지름이 100㎛ 이상인 폴리프로필렌의 개수가, 상기 폴리프로필렌의 총수의 1% 이하이다.
d) 그 폴리프로필렌이 다면형이다.
상술한 조건을 만족함으로써, 예를 들면, 플럭스 중의 폴리프로필렌이 미세화된 전극 등 위에 배치되는 확실도가 높아지기 때문에, 전자 회로 부품 등의 미세화로의 적용성이 더욱 높아진다. 또한, 상기의 각 조건 a)∼d) 중 2개 이상을 동시에 만족하는 것이 보다 바람직하고, 모든 조건을 동시에 만족하는 것은, 더욱 바람직하다.
여기서, 폴리프로필렌의 점도 분자량이, 5000 이상 20000 이하인 것은 바람직한 한 종류이다. 이 점도 분자량의 범위를 만족하면, 가열시의 「슬럼핑」의 억제 작용이 더욱 향상된다.
또, 폴리프로필렌의 융점이, 130℃ 이상 160℃ 이하인 것도, 또 하나의 바람직한 한 형태이다. 상기 융점의 범위를 만족하면, 가열시의 「슬럼핑」의 억제 작용이 더욱 향상된다.
또, 폴리프로필렌의 산가가 1 이하인 것도, 또 하나의 바람직한 한 형태이다. 상기 산가의 범위를 만족하면, 폴리프로필렌의 첨가에 의한 절연 신뢰성의 저하를 방지할 수가 있다.
부가적으로, 폴리프로필렌의 유리 전이 온도가, 0℃ 이하인 것도, 또 하나의 바람직한 한 종류이다. 상기 유리 전이 온도의 범위를 만족하면, 특히 차재 전자 부품용 페이스트에 요구되는, 플럭스 찌꺼기의 내균열성의 열화를 억제할 수가 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 고밀도 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌의 한쪽만이 포함되는 땜납 페이스트뿐만이 아니라, 그 양쪽이 포함되는 땜납 페이스트용 플럭스도 바람직한 한 형태이다. 고밀도 폴리에틸렌과 폴리프로필렌과의 양쪽 모두가 포함되는 땜납 페이스트가, 상술한 매우 적합한 각 범위를 만족하면, 상술한 각 효과가 나타날 수 있다.
또한, 상술한 각 땜납 페이스트는, 100℃ 이상의 융점을 갖는, 고급 지방족모노카르본산, 다염기산 및 디아민을 탈수 반응시키는 것으로 얻어지는 왁스 형태 생성물을 더욱 포함하는 것은, 다른 바람직한 한 형태이다. 이 왁스 형태 생성물은, 상술한 고밀도 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌의 작용을 도울 수가 있다.
이 땜납 페이스트를 채용하는 것으로, 분자량이 250 이하의 2염기산의 활성을 높일 수 있다. 따라서, 양호한 땜납성이 확보되게 된다. 또, 병용되는 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산 및 분자량이 300 이상 600 이하의 2염기산은, 활성 작용을 조장하게 된다. 또한, 분자량이 250 이하의 2염기산과 병용되는 상술한 1염기산 및 2염기산은, 저분자량의 2염기산의 금속염을 플럭스의 잔재 중에 균일하게 분산시킴과 동시에, 로진이나 아크릴 수지 등의 소수성의 베이스 수지에 의해 그 금속염을 감싸게 하는 것이 가능해진다. 여기서, 저분자량의 2염기산의 금속염은, 납땜시에 생성되는, 플럭스 잔재로의 용해성이 낮은 금속염이다. 따라서, 찌꺼기 중의 유기산 금속염의 수분에 의한 분해 및 이온화를 큰 폭으로 억제할 뿐만 아니라, 잔존 유기산의 이온화도 억제할 수가 있다. 그 결과, 전기적 절연 불량과 부식 발생을 더욱 억제할 수 있는 플럭스가 얻어진다. 또한, 이들 플럭스를 포함하는 땜납 페이스트는, 납땜성이 양호함과 동시에, 신뢰성이 풍부하다.
또한, 본 실시 형태의 땜납 페이스트의 플럭스에 포함되는 수지는, 찌꺼기의 내균열성을 향상시키는 관점에서, 유연성이 뛰어난 아크릴 수지로 대표되는 수지가 적용될 수 있다. 그러나 종래부터 이용되어 온 로진과 그 유도체와 중 어느 하나 또는 양쪽이 추가로 더하는 것은 보다 바람직한 한 종류이다. 또한, 로진과 그 유도체 중 어느 하나 또는 양쪽이 사용되는 경우, 로진과 그 유도체 중 어느 하나 또는 양쪽의 사용량은 특별히 제한되지 않는다. 그러나 로진과 그 유도체 중 어느 하나 또는 양쪽이 플럭스 100 중량부에 대해서 10 중량부 이상 50 중량부 이하가 되는 것이 납땜 성능 및 내식성이나, 인쇄 작업성 등의 관점에서 바람직하다. 또, 상술한 관점에서 말하자면, 로진과 그 유도체 중 어느 하나 또는 양쪽이 플럭스 100 중량부에 대해서 15 중량부 이상 30 중량부 이하가 되는 것이 더욱 바람직하다.
또, 상술한 로진의 대표 예는, 통상의 껌 로진, 참기름 로진, 또는 우드 로진이다. 또, 그 유도체의 대표 예는, 열처리 한 수지, 중합 로진, 수소 첨가 로진, 포르밀화 로진, 로진 에스테르, 로진 변성 말레인산 수지, 로진 변성 페놀 수지, 아크릴산 부가 로진, 또는 로진 변성 알키드 수지 등이다. 이들의 로진 및 그 유도체는, 금속에 활성제를 균일하게 도포하기 위한 바인더로서 사용된다.
또한, 상술한 아크릴 수지의 대표 예는, 중합성 불포화기를 갖는 모노머를 라디칼 중합에 의해 중합 한 열가소성 아크릴 수지이다. 여기서, 중합성 불포화기를 갖는 모노머의 대표 예는, (메타)아크릴산, 그 각종 에스테르, 크로톤산, 이타콘산, (무수)말레인산 및 이들 에스테르, (메타)아크릴로니트릴, (메타)아크릴 아미드, 염화비닐, 아세트산비닐이다. 또, 대표적인 라디칼 중합은, 과산화물 등을 촉매로서 이용한 덩어리 형태 중합법, 액상 중합법, 현탁 중합법, 유화 중합법이지만, 다른 공지의 중합법이 적용될 수 있다. 또한, 뛰어난 내균열, 유연성을 얻기 위하여, 이 아크릴 수지의 중량 평균 분자량을 6000 이상 12000 이하로, 또한, 수평균 분자량을 4000 이상 6000 이하로 하는 것도, 더욱 바람직한 한 형태이다.
또, 본 실시 형태에서 사용되는 용제의 바람직한 일례는, 용이하게 활성제나 수지 등의 성분을 용해하는 것으로 용액으로 할 수 있는 극성 용제이다. 대표적으로는, 알코올계가 사용되고, 특히, 디에틸렌글리콜 모노 에테르류는, 휘발성 및 활성제의 용해성이 우수하다. 또한, 상술한 용제가 사용될 경우, 그 용제의 사용량은 특별히 제한되지 않는다. 그러나 플럭스 100 중량부에 대해서, 상술한 용제가 15 중량부 이상 40 중량부 이하가 되는 것이 인쇄 작업성이나 페이스트의 안정성의 관점에서 바람직하다. 단, 복수의 용제가 병용되는 경우는, 이들 용제의 합계량이 상술한 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 또, 상술한 관점에서 말하자면, 상술한 용제가 20 중량부 이상 35 중량부 이하가 되는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 실시 형태의 땜납 페이스트가 제조될 때에, 필요에 따라서 용제가 이용되어도 된다. 용제의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 그러나 비점 150℃ 이상의 용제가 채용되는 것은, 땜납 페이스트의 제조 중에 증발하기 어려운 점에서 바람직하다. 구체적으로는, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노헥실 에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐 에테르, 디에틸렌글리콜 모노페닐 에테르, 디에틸렌글리콜 모노 부틸 아세테이트, 디프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜-2-에틸헥실 에테르,α-테르피네올, 벤질 알코올, 2-헥실데카놀, 안식향산 부틸, 아디핀산 디에틸, 프탈산 디에틸, 도데칸, 테트라데센, 도데실벤젠, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 1,5-펜탄디올, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨을 들 수 있다. 바람직하게는, 트리에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 아세테이트 등이, 용제의 예로서 들 수 있다.
이어서, 본 실시 형태의 땜납 페이스트에 이용되는 플럭스의 제조 방법을 설명한다.
우선, 본 실시 형태의 플럭스는, 상술한 각 성분을 공지의 방법에 의해 용해 내지 혼합시키는 것으로 얻을 수 있다. 예를 들면, 우선, 상술한 각 성분이, 한 번에 또는 차례대로, 가열되어 용해 및/또는 혼합한 후, 냉각된다. 그 후, 기계적인 분쇄 처리 공정이나 충격 변형 파괴 처리 공정 등에 의해 물리적인 충격력이 주어진다. 또한, 이 물리적인 충격력은, 상술한 용해 공정 전에, 고밀도 폴리에틸렌과 폴리프로필렌 중 어느 하나 또는 양쪽에 대해 주어져도 괜찮다. 본 실시 형태의 플럭스는, 상술한 방법을 이용하여 각 성분을 혼합함으로써 얻어진다. 구체적으로는, 혼련장치, 진공교반장치, 호모디스퍼(homodisper), 쓰리원 모터(three-one moter), 또는 플래너터리 믹서(planetary mixer) 등의 공지의 장치가, 상술한 각 성분을 혼합하기 위한 장치로서 적용될 수 있다. 여기서, 상술한 각 성분의 혼합 온도는, 특별히 한정되지 않는다. 단, 혼합에 이용되는 용제의 비점보다 낮은 온도로 가온하는 것에 의해 상술의 각 성분을 용해하는 것은, 바람직한 한 종류이다.
이어서, 본 실시 형태의 땜납 페이스트의 제조 방법을 설명한다.
우선, 본 실시 형태의 땜납 페이스트에 이용되는 땜납 분말의 조성은 특히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 주석(Sn), 동(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 안티몬(Sb), 납(Pb), 인듐(In), 비스머스(Bi), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 게르마늄(Ge)으로 구성되는 군에서부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 땜납 분말이, 그 일례로서 들 수 있다. 또, 공지의 주석/납 합금, 주석/은 합금, 주석/은/구리 합금, 주석/은/비스머스/인듐, 주석/구리합금, 주석/동/니켈, 주석/아연 합금, 주석/아연/비스머스 합금, 주석/아연/알루미늄 합금, 주석/아연/비스머스/알루미늄 합금, 주석/아연/비스머스/인듐 합금, 주석/비스머스 합금 및 주석/인듐 합금으로 구성되는 군에서부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 땜납 분말도, 다른 1개의 예이다.
또, 땜납 분말의 형상은, 구 형태 또는 대략 구 형태인 것이 바람직하다. 또, 땜납 분말의 입자 지름은, 통상의 것이면 상술한 플럭스와 혼합될 수 있다. 또한, 예를 들면, 구의 땜납 분말이 채용되는 경우, 지름 5㎛ 이상 60㎛ 이하의 땜납 분말이 채용되는 곳은, 미세하고 작은 전자 부품의 실장의 고정밀화가 도모되는 점에서 바람직하다. 또, 땜납 분말을 구성하는 조성의 조성 비율도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, Sn 63/Pb 37, Sn 96.5/Ag 3.5, Sn 96/Ag 3.5/Cu 0.5, Sn 96.6/Ag 2.9/Cu 0.5, Sn 96.5/Ag 3.0/Cu 0.5, Sn 42/Bi 58, Sn 99.3/Cu 0.7, Sn 91/Zn 9, Sn 89/Zn 8/Bi 3 등이, 매우 적합한 땜납 분말의 일례로서 들 수 있다. 또한 상술한 각 수치는, 각 금속의 중량비를 나타낸다.
본 실시 형태의 땜납 페이스트는, 상술한 플럭스와 상술의 땜납 분말을 공지의 수단으로 혼련 배합함으로써 제조될 수 있다. 구체적으로는, 진공 교반장치, 혼련장치 또는 플래너터리 믹서 등의 공지의 장치가, 상술한 각 성분을 혼련 배합하기 위한 장치로서 적용될 수 있다. 여기서, 혼련 배합을 할 때의 처리 온도 및 조건은 특별히 한정되지 않는다. 그러나 외부 환경에서의 수분의 흡수, 땜납 금속 입자의 산화, 온도 상승에 의한 플럭스의 열적인 열화 등의 관점에서부터, 5℃ 이상 50℃ 이하로 처리되는 것이 바람직하다. 또, 플럭스와 땜납 분말과의 중량비는 특별히 한정되지 않는다. 그러나 인쇄 작업성이나 페이스트의 안정성의 관점에서, 플럭스가 5 이상 20 이하의 중량비에 대해서, 땜납 분말이 80 이상 95 이하의 중량비인 것이 바람직하다.
또, 본 실시 형태의 땜납 페이스트는, 본 실시 형태의 효과를 해치지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 더욱, 산화 방지제, 윤활제, 착색제, 소포제, 분산 안정제, 및 킬레이트제 등으로 구성되는 군에서부터 선택되는 1종 또는 복수 종의 재료가 적절히 배합될 수 있다.
그러나 본 출원에 있어서의 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌의 점도 분자량은, 우베로데(Ubbelohde) 개량형 점도계를 이용한 점도법에 의해 측정한 점도 분자량 Mv이다. 구체적인 점도 분자량의 측정은, 다음과 같다.
우선, 측정 시료에 데칼린이 첨가되어 140℃에서 30분간, 진탕 용해가 된다. 이 가열 용해한 시료 용액의 135±0.2℃에 있어서의 유하 초수가 점도계로 측정되는 것으로, 극한 점도([η])를 얻을 수 있다. 또한, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 각각에 대해, 이하의 수식에[η]를 대입함으로써, 점도 분자량이 계산된다.
Figure 112012051867600-pct00001
Figure 112012051867600-pct00002
이하에, 상술한 실시 형태를, 실시 예에 근거하여 더욱 구체적으로 설명한다.
[실시 예 1, 2 및 비교 예 1]
본 실시 예 1, 2 및 비교 예 1에서는, 고밀도 폴리에틸렌을 함유하는 땜납 페이스트가, 상술한 실시 형태에서 개시된 제조 방법에 의해 제조된다. 표 1에, 본 실시 예 1, 2 및 비교 예 1의 땜납 페이스트의 조성 및 이들 조성비를 나타낸다. 또, 여기서, 본 실시 예 1, 2 및 비교 예 1의 땜납 페이스트로 이용된 고밀도 폴리에틸렌의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 35㎛이고, 이들 점도 분자량이 약 2000이며, 이들 융점이 120℃이며, 이들 산가가 0이고, 이들 유리 전이 온도가 -120℃이고, 밀도가 970 ㎏/㎥이다. 또한, 도 2는, 본 실시 예 1, 2 및 비교 예 1에 사용한 고밀도 폴리에틸렌의 입도 분포를 나타내는 그래프이다.
또, 실시 예 1 내지 실시 예 6 및 비교 예 1 내지 비교 예 3의 땜납 페이스트가 함유하는 아크릴 수지 A의 물성에 대해서는, 그 중량 평균 분자량이 약 9000이고, 그 수평균 분자량이 5000이며, 그 산가가 0이고, 그 유리 전이 온도가 -60℃이다. 또, 실시 예 1 내지 실시 예 6 및 비교 예 1 내지 비교 예 3의 땜납 페이스트가 함유하는 중합 로진 A에 대해서는, 그 연화점이 140℃이고, 그 산가는 145이다. 또, 실시 예 1 및 비교 예 1의 땜납 분말에 대해서는, 주석이 96.5중량%에 대해서, 은이 3.0중량%이고, 동이 0.5중량%이다. 또한, 본 실시 예 1의 땜납 분말의 입도 분포는, 25㎛ 이상 38㎛ 이하이다. 또한, 실시 예 2 내지 실시 예 6 비교 예 1 내지 비교 예 3에 사용되는 땜납 분말에 대해서는 본 실시 예 1과 동일하기 때문에, 땜납 분말에 대한 설명은 생략될 수 있다.
[실시 예 3, 4]
본 실시 예 3 및 4의 땜납 페이스트도, 실시 예 1과 동일하게 제조된다. 표 1은 본 실시 예 3 및 4의 땜납 페이스트의 조성 및 그 조성비도 나타낸다. 또한, 본 실시 예 3의 땜납 페이스트에 이용된 고밀도 폴리에틸렌의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 5㎛이고, 본 실시 예 4의 땜납 페이스트에 이용된 고밀도 폴리에틸렌의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 45㎛이다. 또, 고밀도 폴리에틸렌의 물성값은, 그 최장 지름의 평균 입자 지름 이외는 모두 실시 예 1의 것과 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
[실시 예 5]
본 실시 예 5의 땜납 페이스트도, 실시 예 1과 동일하게 제조된다. 표 1은, 본 실시 예 5의 땜납 페이스트의 조성 및 그 조성비도 나타낸다. 또한, 본 실시 예 5의 땜납 페이스트로 이용된 고밀도 폴리에틸렌의 점도 분자량은 약 4000이고, 그 융점이 130℃이고, 그 유리 전이 온도가 -100℃이고, 밀도가 980 ㎏/㎥이다. 또한, 고밀도 폴리에틸렌의 물성값은, 점도 분자량, 융점, 유리 전이 온도 및 밀도 이외는 모두 실시 예 1의 것과 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
[실시 예 6]
본 실시 예 6의 땜납 페이스트도, 실시 예 1과 동일하게 제조된다. 표 1은, 본 실시 예 6의 땜납 페이스트의 조성 및 그 조성비도 나타낸다. 또한, 본 실시 예 6의 땜납 페이스트는, 실시 예 5의 조성에 가세하여, 왁스 형태 생성물(상품명:라이트아마이드 WH-255, 쿄에이샤 화학제)을 0.1중량% 함유한다. 또, 고밀도 폴리에틸렌의 물성값은, 모두 실시 예 5의 것과 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
[비교 예 2, 3]
 본 비교 예 2 및 3의 땜납 페이스트도, 실시 예 1과 동일하게 제조된다. 표 1은 본 비교 예 2 및 3의 땜납 페이스트의 조성 및 그 조성비도 나타낸다. 또한, 본 비교 예 2의 땜납 페이스트에 이용된 저밀도 폴리에틸렌의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 40㎛이고, 그 점도 분자량이 약 2500이고, 그 융점이 105℃이며, 그 산가가 0이며, 그 유리 전이 온도가 -110℃이다. 또, 본 비교 예 3의 땜납 페이스트에 이용된 저밀도 폴리에틸렌의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 38㎛이고, 그 점도 분자량이 약 4500이고, 그 융점이 105℃이고, 그 산가가 0이고, 그 유리 전이 온도가 -100℃이다. 또, 비교 예 2의 저밀도 폴리에틸렌 A, 및 비교 예 3의 저밀도 폴리에틸렌 B의 밀도는, 모두 920 ㎏/㎥이다.
Figure 112012051867600-pct00003
* 제조회사: 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
*제품명, 제조회사(다이아싯드 1550, 하리마 카세이 가부시키가이샤)
[실시 예 7, 8 및 비교 예 4 내지 6]
본 실시 예 7 및 8에서는, 폴리프로필렌 A를 함유하는 땜납 페이스트가, 상술한 실시 형태로 개시된 제조 방법에 의해 제조된다. 표 2는, 본 실시 예 7 및 8의 땜납 페이스트의 조성 및 이들 조성비를 나타낸다. 또, 비교 예로서 비교 예 4 내지 비교 예 6의 조성 및 이들 조성비가 표 2에 나타내고 있다. 비교 예 4 내지 비교 예 6의 땜납 페이스트도, 상술한 실시 형태로 개시된 제조 방법에 의해 제조된다. 또한, 본 실시 예 7 및 8의 땜납 페이스트로 이용된 폴리프로필렌 A의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 30㎛이고, 이들 점도 분자량이 약 10000이고, 이들 융점이 145℃이고, 이들 산가가 0이고, 이들 유리 전이 온도가 약 -20℃이다. 또, 비교 예 4의 땜납 페이스트에는, 폴리프로필렌 A, B 대신에 경화 피마자유가 혼합되고 있다. 또한, 비교 예 5의 땜납 페이스트에는, 폴리프로필렌 A, B 대신에, 그 최장 지름의 평균 입자 지름이 약 33㎛이고, 그 점도 분자량이 약 2700이고, 그 융점이 110℃이고, 산가가 30이고, 그 유리 전이 온도가 약 -80℃이고, 밀도가 930 ㎏/㎥인 중 밀도 폴리에틸렌 A가 혼합되고 있다. 또한, 비교 예 6의 땜납 페이스트에는, 폴리프로필렌 A, B가 함유되고 있지 않고, 헥사메틸렌 비스 12 히드록시 스테아린산 아미드가 0.9중량% 함유되고 있다.
또, 본 실시 예 7 내지 실시 예 13 및 비교 예 4 내지 비교 예 6의 땜납 페이스트가 함유하는 아크릴 수지 B의 물성에 대해서는, 그 중량 평균 분자량이 약 9000이고, 그 수평균 분자량이 5000이고, 그 산가가 3이고, 그 유리 전이 온도가 -55℃이다. 또, 실시 예 7 내지 실시 예 13의 땜납 페이스트가 함유하는 수소 첨가 로진에 대해서는, 그 연화점이 81℃이고, 그 산가는 165이다. 또, 본 실시 예 7의 땜납 분말은, 실시 예 1의 땜납 분말과 동일하다. 또한, 실시 예 8 내지 실시 예 13 및 비교 예 4 내지 비교 예 6에 대해서도 본 실시 예 11과 동일하기 때문에, 땜납 분말에 대한 설명은 생략된다.
[실시 예 9, 10]
본 실시 예 9 및 10의 땜납 페이스트도, 실시 예 7과 동일하게 제조된다. 표 2는, 본 실시 예 9 및 10의 땜납 페이스트의 조성 및 그 조성비도 나타낸다. 또한, 본 실시 예 9의 땜납 페이스트로 이용된 폴리프로필렌 A의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 8㎛이고, 본 실시 예 10의 땜납 페이스트로 이용된 폴리프로필렌 A의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 42㎛이다. 또, 폴리프로필렌의 물성값은, 그 최장 지름의 평균 입자 지름 이외는 모두 실시 예 7의 것과 동일하다. 따라서, 중복하는 설명은 생략된다.
[실시 예 11]
본 실시 예 11의 땜납 페이스트도, 실시 예 7과 동일하게 제조된다. 표 2는, 본 실시 예 11의 땜납 페이스트의 조성 및 그 조성비도 나타낸다. 또한, 본 실시 예 11의 땜납 페이스트로 이용된 폴리프로필렌 B의 최장 지름의 평균 입자 지름은 약 20㎛이고, 그 점도 분자량이 약 19000이고, 그 융점이 147℃이고, 그 산가가 0이고, 그 유리 전이 온도가 -25℃이다.
[실시 예 12]
본 실시 예 12의 땜납 페이스트도, 실시 예 7과 동일하게 제조된다. 표 2는, 본 실시 예 12의 땜납 페이스트의 조성 및 그 조성비도 나타낸다. 또한, 본 실시 예 12의 땜납 페이스트는, 실시 예 11의 조성에 가세하여 왁스 형태 생성물(상품명:라이트아마이드 WH-255, 쿄에이샤 화학제)을 0.1중량% 함유한다. 또, 폴리프로필렌 B의 물성값은, 모두 실시 예 11의 것과 동일하다. 따라서, 중복하는 설명은 생략될 수 있다.
[실시 예 13]
본 실시 예 13의 땜납 페이스트도, 실시 예 7과 동일하게 제조된다. 표 2는, 본 실시 예 13의 땜납 페이스트의 조성 및 그 조성비도 나타낸다. 또한, 본 실시 예 13의 땜납 페이스트는, 실시 예 1에서 사용하고 있는 고밀도 폴리에틸렌 A와 실시 예 7에서 사용하고 있는 폴리프로필렌 A를, 0.4중량%씩 함유하고 있다.
Figure 112012051867600-pct00004
제조회사: 이스트만 케미컬
*제품명, 제조회사(하리다이머 250, 하리마 카세이 가부시키가이샤)
상술한 실시 예 1 내지 실시 예 13의 땜납 페이스트 및 비교 예 1 내지 비교 예 6의 땜납 페이스트를 분석한 결과, 표 3에 나타낸 바와 같이, 실시 예 1 내지 실시 예 13의 땜납 페이스트는, 모두 내가열 슬럼핑의 향상에 기여하는 것이 확인되었다. 또, 실시 예 1 내지 실시 예 13의 땜납 페이스트는, 모두 80℃에 있어서의 점도가 400 Pa·s이상이었다. 가열시의 땜납 페이스트가 고점도이기 때문에, 연속 인쇄를 4시간 간 후의 땜납 페이스트를 이용한 가열 슬럼핑 시험에서도 양호한 결과가 얻어졌다. 또한, 상술한 실시 예 1 내지 실시 예 13의 땜납 페이스트는 절연 저항값도 높은 값을 유지하고 있었다. 또한, 표 3에 있어서의, 「가열 슬럼핑」의 단위는 ㎜이고, 「절연 저항」값의 단위는 Ω이다.
Figure 112012051867600-pct00005
또한, 비교 예 1, 비교 예 4 및 비교 예 6의 80℃에 있어서의 땜납 페이스트의 점도는 400 Pa·s이하이고, 가열 슬럼핑도 상술한 각 실시 예와 비교하여 뒤떨어지고 있는 것이 확인되었다. 또, 비교 예 2, 비교 예 3 및 비교 예 5의 80℃에 있어서의 땜납 페이스트의 점도는 400 Pa·s이상이었지만, 이들 절연성은 상술한 각 실시 예의 절연성과 비교하여 뒤떨어진다는 것이 확인되었다.
또한, 본 출원에 있어서의 땜납 페이스트 점도의 측정은, 점탄성 측정 장치를 이용하여 측정되고, 구체적으로는, 이하와 같다.
(1) 시료가 되는 땜납 페이스트를 측정 장치의 시료대와 측정 지그의 직경 25㎜의 스테인리스 평행 평판과의 사이에 끼워 넣는다.
(2) 시료대와 평행 평판과의 틈을 1.0㎜로 한다.
(3) 주파수 5Hz, 진동각 0.1%의 조건으로 일그러짐을 가하고 80℃에서의 점도를 측정한다.
상술한 실시 형태 및 각 실시 예는, 본 발명을 어떻게 한정하는 것은 아니다. 상술의 실시 형태 및 각 실시 예의 다른 편성을 포함한 본 발명의 범위 내에 존재하는 변형 예도 또한 특허 청구의 범위에 포함되는 것이다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명의 땜납 페이스트는, 전자 회로 부품 등의 여러 가지의 용도의 땜납 접속에 지극히 유용하다.

Claims (13)

  1. 말론산, 호박산, 글루타르산, 아디핀산, 수베릭산 (suberic acid), 세바신산 (sebacic acid), 프탈산, 헥사 히드로 프탈산, 아미노 호박산 및 디펜산의 군에서부터 선택되는 분자량이 250 이하의 2염기산과, 데칸산, 스테아린산, 올레인산, 아니스산 (anisic acid), 벤조일 안식향산, 디클로로 안식향산, 디브로모실리실산, 디페닐 아세트산 및 쿠민산의 군에서부터 선택되는 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산과, 디에틸렌글리콜과 무수 호박산의 에스테르화 반응물, 불포화 지방산의 (메타)아크릴산 부가물 및 불포화 지방산의 2량체의 군에서부터 선택되는 분자량이 300 이상 600 이하의 2염기산을 가지는 활성제와, 여기서 상기 분자량이 250 이하의 2염기산 100 중량부에 대하여 상기 분자량이 150 이상 300 이하의 1염기산은 100 내지 500 중량부이고 상기 분자량이 300 이상 600 이하의 2염기산은 80 내지 400 중량부이며, 고밀도 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌으로 구성되는 군에서부터 선택되는 적어도 1종류의 수지 첨가물을 플럭스중에 함유하고, 상기 플럭스의 전체를 100중량%로 했을 때에 상기 수지 첨가물을 4 중량% 이상 12중량% 이하 가짐과 동시에, 80℃에 있어서의 점도가 400 Pa·s이상인 땜납 페이스트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 땜납 페이스트용 플럭스 내의 입자 형태의 상기 고밀도 폴리에틸렌이, 하기 a)∼d)의 조건, 즉,
    a) 상기 고밀도 폴리에틸렌의 입자 지름의 최장 지름의 평균 입자 지름이, 0. 001㎛ 이상 50㎛ 이하,
    b) 광학 현미경에 의해 배율 200배로 관찰했을 때에, 상기 땜납 페이스트용 플럭스의 1.5㎜×1.1㎜의 무작위로 선택한 범위안에 있어서의 입자 지름의 최장 지름이 60㎛ 이하인 상기 고밀도 폴리에틸렌의 개수가, 상기 고밀도 폴리에틸렌의 총수의 90% 이상,
    c) 광학 현미경에 의해 배율 100배로 관찰했을 때에, 상기 땜납 페이스트용 플럭스의 3.1㎜×2.3㎜의 무작위로 선택한 범위안에 있어서의 입자 지름의 최장 지름이 100㎛ 이상인 상기 고밀도 폴리에틸렌의 개수가, 상기 고밀도 폴리에틸렌의 총수의 1% 이하,
    d) 상기 고밀도 폴리에틸렌이 다면형,
    중 적어도 1개를 만족하는 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 고밀도 폴리에틸렌의 점도 분자량이, 1500 이상 4500 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 고밀도 폴리에틸렌의 융점이, 110℃ 이상 130℃ 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 고밀도 폴리에틸렌의 산가가, 1 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  6. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 고밀도 폴리에틸렌의 유리 전이 온도가, -50℃ 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 땜납 페이스트용 플럭스 내의 입자형태의 상기 폴리프로필렌이, 하기 a)∼d)의 조건, 즉,
    a) 상기 폴리프로필렌의 입자 지름의 최장 지름의 평균 입자 지름이, 0. 001㎛ 이상 50㎛ 이하,
    b) 광학 현미경에 의해 배율 200배로 관찰했을 때에, 상기 땜납 페이스트용 플럭스의 1.5㎜×1.1㎜의 무작위로 선택한 범위안에 있어서의 입자 지름의 최장 지름이 60㎛ 이하인 상기 폴리프로필렌의 개수가, 상기 폴리프로필렌의 총수의 90% 이상,
    c) 광학 현미경에 의해 배율 100배로 관찰했을 때에, 상기 땜납 페이스트용 플럭스의 3.1㎜×2.3㎜의 무작위로 선택한 범위안에 있어서의 입자 지름의 최장 지름이 100㎛ 이상인 상기 폴리프로필렌의 개수가, 상기 폴리프로필렌의 총수의 1% 이하,
    d) 상기 폴리프로필렌이 다면형,
    중, 적어도 1개를 만족하는 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  8. 청구항 1 또는 7에 있어서,
    상기 폴리프로필렌의 점도 분자량이, 5000 이상 20000 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  9. 청구항 1 또는 7에 있어서,
    상기 폴리프로필렌의 융점이, 130℃ 이상 160℃ 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  10. 청구항 1 또는 7에 있어서,
    상기 폴리프로필렌의 산가가, 1 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  11. 청구항 1 또는 7에 있어서,
    상기 폴리프로필렌의 유리 전이 온도가, 0℃ 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  12. 청구항 1, 2 또는 7중 어느 한 항에 있어서,
    고급 지방족 모노카르본산, 다염기산 및 디아민을 포함한 계를 탈수 반응시킴으로써 얻어지는 왁스 형태 생성물을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 왁스 형태 생성물의 융점이, 100℃ 이상인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
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