KR101371691B1 - 표시장치 및 표시장치의 구동방법과 전자기기 - Google Patents
표시장치 및 표시장치의 구동방법과 전자기기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101371691B1 KR101371691B1 KR1020070052797A KR20070052797A KR101371691B1 KR 101371691 B1 KR101371691 B1 KR 101371691B1 KR 1020070052797 A KR1020070052797 A KR 1020070052797A KR 20070052797 A KR20070052797 A KR 20070052797A KR 101371691 B1 KR101371691 B1 KR 101371691B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- subframes
- subframe
- subpixel
- gradation
- pixel
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 310
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 369
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 204
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 134
- 239000000463 material Substances 0.000 description 95
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 91
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 65
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 62
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 50
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 38
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 34
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 33
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 31
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 31
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 28
- 230000006870 function Effects 0.000 description 23
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 20
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 10
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 a-InGaZnO Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,2-n,2-n-tetraphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(CC)=CC=C1N1C(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQDKMJGHCDDRBE-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[In].[Si]=O Chemical compound [Sn]=O.[In].[Si]=O UQDKMJGHCDDRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon;$l^{2}-alumanylidenesilylidenealuminum Chemical compound [Si]#[Al].[Si]#[Al].[Al]=[Si]=[Al] LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2018—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals
- G09G3/2022—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals using sub-frames
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/28—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels
- G09G3/288—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels using AC panels
- G09G3/296—Driving circuits for producing the waveforms applied to the driving electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0443—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
- G09G2300/0866—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes by means of changes in the pixel supply voltage
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0261—Improving the quality of display appearance in the context of movement of objects on the screen or movement of the observer relative to the screen
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0266—Reduction of sub-frame artefacts
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2074—Display of intermediate tones using sub-pixels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/28—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels
- G09G3/288—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels using AC panels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
시간 계조 방식 표시에서 발생하는 의사 윤곽의 저감을 과제로 한다. 하나의 화소를 m개(m는 m≥2의 정수)의 서브화소로 분할하고, (s+1)번째(1≤s≤m-1)의 서브화소의 면적은 s번째의 서브화소의 면적의 2배이다. 또한, 1 프레임을 n개(n는 n≥2의 정수)의 서브프레임으로 분할하고, (p+1)번째(1≤p≤n-1)의 서브프레임의 점등 기간의 길이는 p번째의 서브프레임의 점등 기간의 길이의 2m배이다. 또한, n개의 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임을, 이 서브프레임보다 짧은 점등 기간을 가지는 복수의 서브프레임으로 분할하고, n개의 서브프레임을 t개(t＞n)의 서브프레임으로 한다. 그리고, t개의 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임에서, m개의 서브화소에 대하여 점등 상태에 있는 서브프레임의 점등 기간을 순차로 더함으로써 계조를 표현한다.
면적 계조 방식, 시간 계조 방식, 의사 윤곽, 서브화소, 서브프레임,
Description
도 1은 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 구동방법에서 의사(擬似) 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도 면.
도 9는 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 구동방법에 따른 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 구동방법에 따른 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 14는 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 15는 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 16은 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 17은 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 18은 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도 면.
도 19는 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 20은 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 21은 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 22는 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 23은 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 24는 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 25는 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 26은 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 27은 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 28은 본 발명의 구동방법으로 감마 보정을 행한 경우의 서브화소 및 서브 프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 29는 본 발명의 구동방법으로 감마 보정을 행한 경우의 계조와 휘도의 관계를 나타내는 도면.
도 30은 본 발명의 구동방법으로 감마 보정을 행한 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 31은 본 발명의 구동방법으로 감마 보정을 행한 경우의 계조와 휘도의 관계를 나타내는 도면.
도 32는 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 33은 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 34는 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 35는 본 발명의 구동방법에서 의사 윤곽이 저감하는 원인을 나타내는 도면.
도 36은 본 발명의 구동방법에서의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 나타내는 도면.
도 37은 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등 기간이 분리되어 있는 경우의 타이밍 차트의 일례를 나타내는 도면.
도 38은 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등 기간이 분리되어 있는 경우의 화소 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 39는 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등 기간이 분리되어 있는 경우의 화소 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 40은 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등 기간이 분리되어 있는 경우의 화소 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 41은 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등 기간이 분리되어 있지 않은 경우의 타이밍 차트의 일례를 나타내는 도면.
도 42는 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등 기간이 분리되어 있지 않은 경우의 화소 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 43은 1 게이트 선택 기간 중에 2행분 선택하기 위한 타이밍 차트의 일례를 나타내는 도면.
도 44는 화소의 신호를 소거하는 동작을 행하는 경우의 타이밍 차트의 일례를 나타내는 도면.
도 45는 화소의 신호를 소거하는 동작을 행하는 경우의 화소 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 46은 화소의 신호를 소거하는 동작을 행하는 경우의 화소 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 47은 화소의 신호를 소거하는 동작을 행하는 경우의 화소 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 48은 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 화소부 레이아웃의 일례를 나타내는 도면.
도 49는 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 화소부 레이아웃의 일례를 나타내는 도면.
도 50은 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 화소부 레이아웃의 일례를 나타내는 도면.
도 51은 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 화소부 레이아웃의 일례를 나타내는 도면.
도 52는 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 일례를 나타내는 도면.
도 53은 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 일례를 나타내는 도면.
도 54는 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 일례를 나타내는 도면.
도 55는 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 일례를 나타내는 도면.
도 56은 본 발명의 구동방법을 사용한 표시장치의 일례를 나타내는 도면.
도 57은 본 발명의 표시장치에 사용하는 표시 패널의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 58은 본 발명의 표시장치에 사용하는 발광소자의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 59는 본 발명의 표시장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 60은 본 발명의 표시장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 61은 본 발명의 표시장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 62는 본 발명의 표시장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 63은 본 발명의 표시장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 64는 본 발명의 표시장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 65는 본 발명의 표시장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 66은 본 발명의 표시장치의 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 67은 본 발명의 표시장치에 사용하는 트랜지스터의 구조를 나타내는 도면.
도 68은 본 발명의 표시장치에 사용하는 트랜지스터의 제조방법을 설명하는 도면.
도 69는 본 발명의 표시장치에 사용하는 트랜지스터의 제조방법을 설명하는 도면.
도 70은 본 발명의 표시장치에 사용하는 트랜지스터의 제조방법을 설명하는 도면.
도 71은 본 발명의 표시장치에 사용하는 트랜지스터의 제조방법을 설명하는 도면.
도 72는 본 발명의 표시장치에 사용하는 트랜지스터의 제조방법을 설명하는 도면.
도 73은 본 발명의 표시장치에 사용하는 트랜지스터의 제조방법을 설명하는 도면.
도 74는 본 발명의 표시장치를 제어하는 하드웨어의 일례를 나타내는 도면.
도 75는 본 발명의 표시장치를 사용한 EL 모듈의 일례를 나타내는 도면.
도 76은 본 발명의 표시장치를 사용한 표시 패널의 구성예를 나타내는 도면.
도 77은 본 발명의 표시장치를 사용한 표시 패널의 구성예를 나타내는 도면.
도 78은 본 발명의 표시장치를 사용한 EL 텔레비전 수상기의 일례를 나타내는 도면.
도 79는 본 발명의 표시장치가 적용되는 전자기기의 일례를 나타내는 도면.
도 80은 종래의 구동방법에서 의사 윤곽이 발생하는 원인을 나타내는 도면.
도 81은 종래의 구동방법에서 의사 윤곽이 발생하는 원인을 나타내는 도면.
본 발명은 표시장치 및 그의 구동방법, 특히 면적 계조 방식을 적용한 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다.
근년, 화소를 발광 다이오드(LED) 등의 발광소자로 형성한, 소위 자기발광형 표시장치가 주목을 받고 있다. 이러한 자기발광형 표시장치에 사용되는 발광소자로서는, 유기 발광 다이오드(OLED(Organic Light Emitting Diode), 유기 EL 소자, 일렉트로 루미네슨스(Electro Luminescence : EL) 소자 등이라고도 칭한다)가 주목을 모으고 있고, EL 디스플레이 등에 사용되어 오고 있다. OLED 등의 발광소자는 자기발광형이기 때문에, 액정 디스플레이에 비하여 화소의 시인성(視認性)이 높고 백라이트가 불필요하고 응답 속도가 빠르다는 등의 이점이 있다. 또한, 발광소자의 휘도는 그곳을 흐르는 전류값에 의해 제어된다.
이와 같은 표시장치의 발광 계조를 제어하는 구동방법으로서, 디지털 계조 방식과 아날로그 계조 방식이 있다. 디지털 계조 방식은 디지털 제어로 발광소자를 온·오프시켜 계조를 표현하고 있다. 한편, 아날로그 계조 방식에는, 발광소자의 휘도를 아날로그 제어하는 방식과, 발광소자의 발광 시간을 아날로그 제어하는 방식이 있다.
디지털 계조 방식의 경우, 발광·비발광의 2 상태밖에 없기 때문에, 이 상태로는 2 계조밖에 표현할 수 없다. 따라서, 다른 방법을 조합하여, 다계조화를 도모하는 것이 행해지고 있다. 다계조화를 위한 방법으로서는, 면적 계조 방식이나 시간 계조 방식이 사용되는 일이 많다.
면적 계조 방식이란, 점등하고 있는 부분의 면적을 제어하여 계조를 표현하는 방법이다. 즉, 하나의 화소를 복수의 서브(sub)화소로 분할하고, 점등하고 있는 서브화소의 개수나 면적을 제어하여 계조를 표현하고 있다(예를 들어, 일본국 공개특허공고 11-73158호 공보, 일본국 공개특허공고 2001-125526호 공보 참조). 면적 계조 방식의 결점으로서는, 서브화소의 개수를 많이 할 수가 없기 때문에, 고해상도화나 다계조화가 어렵다는 것을 들 수 있다.
또한, 시간 계조 방식이란, 발광하고 있는 기간의 길이나 발광한 횟수를 제어하여 계조를 표현하는 방법이다. 즉, 1 프레임을 복수의 서브프레임으로 분할하고, 각 서브프레임에 발광 횟수나 발광 시간 등의 가중을 행하고, 가중의 총량(발광 횟수의 총합이나 발광 시간의 총합)을 계조마다 차이를 냄으로써 계조를 표현하고 있다. 이와 같은 시간 계조 방식을 이용하면, 의사(擬似) 윤곽(또는 거짓 윤곽) 등으로 불리는 표시 불량을 일으킨다는 것이 알려져 있고, 그 대책이 검토되고 있다(예를 들어, 일본 특허 제2903984호 공보, 일본 특허 제3075335호 공보, 일본 특허 제2639311호 공보, 일본 특허 제3322809호 공보, 일본국 공개특허공고 10-307561호 공보, 일본 특허 제3585369호 공보, 일본 특허 제3489884호 공보 참조).
그러나, 다양한 의사 윤곽을 저감할 방법이 제안되고 있지만, 의사 윤곽 저감의 효과는 아직 충분히 얻지 못하고 있다.
예를 들어, 일본 특허 제3075335호 공보의 도 1을 참조한다. 그리고, 화소 A에서는 계조 127을 표현하고, 그 옆의 화소 B에서는, 계조 128을 표현하는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 점등·비점등 상태를 도 80에 나타낸다.
여기서, 도 80의 보는 방법에 대하여 설명한다. 도 80은 1 프레임에서의 화소의 점등·비점등 상태를 나타내는 도면이다. 도 80의 횡 방향은 시간을 나타내고, 종 방향은 화소의 위치를 나타내고 있다. 그리고, 도 80에 나타낸 사각형의 횡 방향의 길이가 각 서브프레임의 점등 기간의 길이의 비를 나타내고 있다. 또한, 도 80에 묘사된 각각의 사각형의 면적이 각 서브프레임에서의 화소의 밝기를 나타내고 있다.
예를 들어, 시선이 움직이지 않고, 계속 화소 A만 또는 화소 B만을 보고 있었을 경우를 도 80(A)에 나타낸다. 이 경우, 의사 윤곽은 생기지 않는다. 왜냐 하면, 시선이 통과해 간 장소의 밝기의 합을 통하여 눈이 밝기를 느끼기 때문이다. 따라서, 화소 A에서는 계조가 127 (= 1＋2＋4＋8＋16＋32＋32＋32)라고 느끼고, 화소 B에서는 계조가 128 (= 32＋32＋32＋32)라고 느낀다. 즉, 올바른 계조를 눈이 느끼고 있게 된다.
한편, 시선이 화소 A로부터 화소 B로 또는 화소 B로부터 화소 A로 옮겨진 경우를 도 80(B)에 나타낸다. 이 경우, 시선의 움직임에 따라, 어느 때는 계조가 96 (= 32＋32＋32)이라고 느끼고, 어느 때는 계조가 159 (= 1＋2＋4＋8＋16＋32＋32＋32＋32)이라고 느끼게 된다. 본래는, 계조가 127과 128로 보여야 하지만, 계조가 96이나 159로 보여지게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다.
도 80에서는, 8 비트 계조(256 계조)의 경우에 대하여 나타내었다. 다음에, 도 81에서는, 6 비트 계조(64 계조)의 경우를 나타낸다. 여기서도 마찬가지로, 시선의 움직임에 따라, 어느 때는 계조가 16 (= 16)이라고 느끼고, 어느 때는 계조가 47 (= 1＋2＋4＋8＋16＋16)이라고 느끼게 된다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 16이나 47로 보여지게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다.
이와 같이, 종래의 면적 계조 방식만으로는, 고해상도화나 다계조화가 어렵고, 종래의 시간 계조 방식만으로는, 의사 윤곽이 발생하게 되어, 화질의 열화(劣化)를 억제하는 것이 충분하지 않았다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여, 다계조 표시가 가능함과 동시에, 적은 서브프레임수로 구성되고, 의사 윤곽을 저감할 수 있는 표시장치 및 표시장치의 구동방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 발광소자가 제공된 m개(m은 m≥2의 정수(整數))의 서브(sub)화소를 포함하는 화소를 복수 가지는 표시장치의 구동방법으로서, 상기 m개의 서브 화소에서, (s+1)번째(1≤s≤m-1)의 서브화소의 면적은 s번째의 서브화소의 면적의 2배이고, 상기 m개의 서브화소의 각 점등 기간에서, 1 프레임을 n개(n는 n≥2의 정수)의 서브프레임으로 분할하고, 상기 n개의 서브 프레임에서, (p+1)번째(1≤p≤n-1)의 서브프레임의 점등 기간의 길이는 p번째의 서브프레임의 점등 기간의 길이의 2m배이고, 상기 n개의 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임을, 이 서브프레임보다 짧은 점등 기간을 가지는 복수의 서브프레임으로 분할하여, 상기 n개의 서브프레임을 t개(t＞n)의 서브프레임으로 하고, 상기 t개의 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임에서, 상기 m개의 서브화소에 대하여 점등 상태에 있는 서브프레임의 점등 기간을 순차로 더함으로써, 상기 화소의 계조를 표현하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동방법이다.
또한, 본 발명의 구동방법에 있어서, n개의 서브프레임 중 최장의 점등 기간을 가지는 서브프레임을, 이 서브프레임보다 짧은 점등 기간을 가지는 복수의 서브프레임으로 분할하여도 좋다.
또한, 본 발명의 구동방법에 있어서, n개의 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임을 서로 동일한 점등 기간을 가지는 복수의 서브프레임으로 분할하여도 좋다.
또한, 본 발명의 구동방법에 있어서, 서브프레임이 점등 기간의 올림차순 또는 내림차순으로 배치되어도 좋다.
또한, 본 발명의 구동방법에 있어서, 저계조 영역에 대해서는, 휘도를 계조에 대하여 선형으로 변화시키고, 상기 저계조 영역 이외의 계조 영역에 대해서는, 휘도를 계조에 대하여 비선형으로 변화시켜도 좋다.
본 발명은, 상기 본 발명의 구동방법을 행하는 표시장치로서, m개의 서브화소는 각각 발광소자와, 신호선과, 주사선과, 제1 전원선과, 제2 전원선과, 선택 트랜지스터와, 구동 트랜지스터를 가지고, 선택 트랜지스터는 제1 전극이 신호선과 전기적으로 접속되고, 제2 전극이 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 접속되고, 구동 트랜지스터는 제1 전극이 제1 전원선과 전기적으로 접속되고, 발광소자는 제1 전극이 구동 트랜지스터의 제2 전극과 전기적으로 접속되고, 제2 전극이 제2 전원선에 접속되는 것을 특징으로 하는 표시장치이다.
또한, 본 발명의 표시장치에서, m개의 서브화소에서 신호선 또는 주사선 또는 제1 전원선이 공유되어 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 표시장치에서, 화소가 가지는 신호선의 개수가 2개 이상 m개 이하이고, m개의 서브화소 중의 어느 하나의 서브화소가 가지는 선택 트랜지스터가, 다른 서브화소가 가지는 선택 트랜지스터와 다른 신호선에 전기적으로 접속되어도 좋다.
또한, 본 발명의 표시장치에서, 화소가 가지는 주사선의 개수가 2개 이상이고, m개의 서브화소 중의 어느 하나의 서브화소가 가지는 선택 트랜지스터가, 다른 서브화소가 가지는 선택 트랜지스터와 다른 주사선에 전기적으로 접속되어도 좋다.
또한, 본 발명의 표시장치에서, 화소가 가지는 제1 전원선의 개수가 2개 이 상 m개 이하이고, m개의 서브화소 중의 어느 하나의 서브화소가 가지는 구동 트랜지스터가 다른 서브화소가 가지는 구동 트랜지스터와 다른 제1 전원선에 전기적으로 접속되어도 좋다.
또한, 서브프레임의 분할이란, 서브프레임이 가지는 점등 기간의 길이를 나누는 것을 말한다.
또한, 본 발명에서는, 서브프레임들에서의 점등 기간(또는, 어느 시간에 있어서의 점등 횟수)을 순차로 더하여 감으로써, 계조를 표현한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 한다. 따라서, 작은 계조를 표현하는 경우에 점등하고 있는 서브프레임은 그것보다 큰 계조를 표현하는 경우에도 점등하고 있게 된다. 이러한 계조 방식을 본 명세서 중에서는 중합(overlapping) 시간 계조 방식이라고 부르기로 한다.
또한, 본 발명에서, 어느 계조를 표현하는 경우에, 어느 서브프레임에서 어느 서브화소가 점등한 경우, 그것보다 큰 계조를 표현하는 경우에도 같은 서브프레임에서 같은 서브화소가 점등하는 구동방법을 사용하여도 좋다.
또한, 본 발명에서는, 1 화소란 하나의 색 요소를 나타내는 것으로 한다. 따라서, R(적) G(녹) B(청)의 색 요소로 이루어지는 컬러 표시장치의 경우에는, 화상의 최소 단위는 R의 화소와 G의 화소와 B의 화소의 3 화소로 구성되는 것으로 한다. 또한, 색 요소는 3색에 한정되지 않고, 그 이상의 수를 사용하여도 좋고, RGB 이외의 색을 사용하여도 좋다. 예를 들어, 백색(W)을 더하여 RGBW로 하여도 좋다. 또한, RGB에, 예를 들어, 옐로우(yellow), 시안(cyan), 마젠타(magenta) 등 1색 이상을 추가한 것이어도 좋다. 또한, 예를 들어, RGB 중의 적어도 1색에 대하여, 유사한 색을 추가하여도 좋다. 예를 들어, R, G, B1, B2로 하여도 좋다. B1과 B2는 어느 쪽도 청색이지만, 파장에 차이가 있다. 이와 같은 색 요소를 사용함으로써, 보다 실물에 가까운 표시를 행할 수 있거나 소비전력을 저감할 수 있다. 또한, 하나의 색 요소에 대하여 복수의 영역을 사용하여 밝기를 제어하여도 좋다. 이 경우는, 하나의 색 요소를 1 화소로 하고, 그의 밝기를 제어하는 각 영역을 서브화소로 한다. 따라서, 예를 들어, 면적 계조 방식을 행하는 경우, 하나의 색 요소에 대하여, 밝기를 제어하는 영역이 복수 있고, 그 전체로 계조를 표현하는 것이지만, 밝기를 제어하는 각 영역을 서브화소로 한다. 따라서, 그 경우에는, 하나의 색 요소는 복수의 서브화소로 구성되게 된다. 또한, 그 경우, 서브화소에 따라, 표시에 기여하는 영역의 크기가 다른 경우가 있다. 또한, 하나의 색 요소에 대하여 복수 있는, 밝기를 제어하는 영역에서, 즉, 하나의 색 요소를 구성하는 복수의 서브화소에서, 각각에 공급하는 신호를 약간 다르게 하도록 하여, 시야각을 넓히도록 하여도 좋다.
또한, 본 발명에서, 화소는 매트릭스 형상으로 배치(배열)되어 있는 경우를 포함하고 있다. 여기서, 화소가 매트릭스 형상으로 배치(배열)되어 있다는 것은, 종 방향 또는 횡 방향에서 직선 상으로 나열하여 배치되어 있는 경우나 울퉁불퉁한 선 상으로 나열하여 있는 경우를 포함하고 있다. 따라서, 예를 들어, 3색의 색 요소(예를 들어, RGB)로 풀 컬러 표시를 행하는 경우에, 스트라이프 배치로 되어 있는 경우나 3개의 색 요소의 도트가 소위 델타 배치로 되어 있는 경우도 포함하는 것으로 한다. 또한, 베이어(Bayer) 배치로 되어 있는 경우도 포함하고 있다.
또한, 트랜지스터는 그의 구조상, 소스와 드레인의 구별이 곤란하다. 또한, 회로의 동작에 따라서는, 전위의 고저가 바뀌는 경우도 있다. 따라서, 본 명세서 중에서는, 소스와 드레인은 특별히 특정하지 않고, 제1 전극 및 제2 전극이라고 기술한다. 예를 들어, 제1 전극이 소스인 경우에는, 제2 전극은 드레인을 나타내고, 반대로, 제1 전극이 드레인인 경우에는, 제2 전극은 소스를 가리키는 것으로 한다.
또한, 본 발명에서, 트랜지스터는 다양한 형태의 트랜지스터를 적용시킬 수 있다. 따라서, 적용 가능한 트랜지스터의 종류에 한정은 없다. 따라서, 예를 들어, 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘으로 대표되는 비(非)단결정 반도체막을 가지는 박막트랜지스터(TFT) 등을 적용할 수 있다. 이들에 의해, 제조 온도가 높지 않아도 제조할 수 있거나, 저비용으로 제조할 수 있거나, 대형 기판 상에 제조할 수 있거나, 투명 기판 상에 제조할 수 있거나, 트랜지스터로 광을 투과시키거나 할 수 있다. 또한, 반도체 기판이나 SOI 기판을 사용하여 형성되는 트랜지스터, 접합형 트랜지스터, 바이폴러 트랜지스터 등을 적용할 수 있다. 이들에 의해, 편차가 적은 트랜지스터를 제조할 수 있거나, 전류 공급 능력이 높은 트랜지스터를 제조할 수 있거나, 사이즈가 작은 트랜지스터를 제조할 수 있거나, 소비전력이 적은 회로를 구성할 수 있다. 또한, ZnO, a-InGaZnO, SiGe, GaAs 등의 화합물 반도체를 가지는 트랜지스터나, 또한, 그것들을 박막화한 박막트랜지스터 등을 적용할 수 있다. 이들에 의해, 제조 온도가 높지 않아도 제조할 수 있거나, 실온에서 제조할 수 있거나, 내열성이 낮은 기판, 예를 들어, 플라스틱 기판이나 필름 기판에 직접 트랜지스터를 형성할 수 있다. 또한, 잉크젯이나 인쇄법을 사용하여 작성한 트랜지스터 등을 적용할 수 있다. 이들에 의해, 실온에서 제조하거나, 진공도가 낮은 상태에서 제조하거나, 대형 기판으로 제조할 수 있다. 또한, 마스크(레티클)를 사용하지 않고도 제조하는 것이 가능해지기 때문에, 트랜지스터의 레이아웃을 용이하게 변경할 수 있다. 또한, 유기 반도체나 카본 나노튜브를 가지는 트랜지스터, 그 외의 트랜지스터를 적용할 수 있다. 이들에 의해, 굽히는 것이 가능한 기판 위에 트랜지스터를 형성할 수 있다. 또한, 비단결정 반도체막에는 수소 또는 할로겐이 함유되어 있어도 좋다. 또한, 트랜지스터가 배치되어 있는 기판의 종류는 다양한 것을 사용할 수 있고, 특정의 것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 예를 들어, 단결정 기판, SOI 기판, 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판, 종이 기판, 셀로판 기판, 석재 기판, 스테인리스 스틸 기판 등을 배치할 수 있다. 또한, 어느 기판에 트랜지스터를 형성하고, 그 후, 다른 기판으로 트랜지스터를 이동시켜, 다른 기판 위에 배치하도록 하여도 좋다. 이들 기판을 사용함으로써, 특성이 좋은 트랜지스터를 형성하거나, 소비전력이 작은 트랜지스터를 형성하거나, 망가지기 어려운 장치로 하거나, 내열성을 갖게 할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 접속되어 있다는 것은 전기적으로 접속되어 있는 것과 동의이다. 따라서, 본 발명이 개시하는 구성에서, 소정의 접속 관계에 부가하여, 그 사이에 전기적 접속을 가능하게 하는 다른 소자(예를 들어, 다른 소자나 스위치 등)가 배치되어 있어도 좋다.
또한, 본 발명에 나타내는 스위치는, 다양한 형태의 것을 사용할 수가 있고, 일례로서 전기적 스위치나 기계적 스위치 등이 있다. 즉, 전류의 흐름을 제어할 수 있는 것이라면 좋고, 특정의 것에 한정되지 않고, 다양한 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터이어도 좋고, 다이오드(예를 들어, PN 다이오드, PIN 다이오드, 쇼트키(Schottky) 다이오드, 다이오드 접속의 트랜지스터 등)이어도 좋고, 사이리스터(thyristor)이어도 좋고, 그것들을 조합한 논리 회로이어도 좋다. 따라서, 스위치로서 트랜지스터를 사용하는 경우, 그 트랜지스터는 단순한 스위치로서 동작하기 때문에, 트랜지스터의 극성(도전형)은 특별히 한정되는 것은 아니다. 단, 오프 전류가 적은 것이 바람직한 경우, 오프 전류가 적은 쪽의 극성의 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 오프 전류가 적은 트랜지스터로서는, LDD 영역을 마련하고 있는 것이나 멀티게이트 구조로 하고 있는 것 등이 있다. 또한, 스위치로서 동작시키는 트랜지스터의 소스 단자의 전위가, 저전위측 전원(VSS, GND, 0 V 등)에 가까운 상태로 동작하는 경우에는 N채널형을, 반대로, 소스 단자의 전위가 고전위측 전원(VDD 등)에 가까운 상태로 동작하는 경우에는 P채널형을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 게이트·소스간 전압의 절대치를 크게 할 수 있기 때문에, 스위치로서 기능하기 쉽기 때문이다. 또한, N채널형과 P채널형의 모두를 사용하여, CMOS형 스위치로 하여도 좋다. CMOS형 스위치로 하면, P채널형과 N채널형 중의 어느 한쪽의 스위치가 도통(導通)하면 전류를 흘릴 수 있기 때문에, 스위치로서 기능하기 쉬워진다. 예를 들어, 스위치에의 입력 신호의 전압이 높은 경우에도, 또는 낮은 경우에도, 적절히 전압을 출력시킬 수 있다. 또한, 스위치를 온·오프시키기 위한 신호의 전압 진폭치를 작게 할 수 있으므로, 소비전력을 작게 할 수도 있다.
또한, 본 발명에서, "어느 것 위에 형성되어 있다", 또는, "∼상에 형성되어 있다"와 같이, "∼의 위에", 또는, "∼상에"라고 하는 기재에 대해서는, 어느 것 위에 직접 접하고 있는 것에 한정되는 것은 아니다. 직접 접하지는 않는 경우, 즉, 사이에 다른 것이 끼워져 있는 경우도 포함하는 것으로 한다. 따라서, 예를 들어, 층 A 위에(또는 층 A 상에), 층 B가 형성되어 있다고 하는 경우에는, 층 A 위에 직접 접하여 층 B가 형성되어 있는 경우와, 층 A 위에 직접 접하여 다른 층(예를 들어, 층 C나 층 D 등)이 형성되어 있고, 그 위에 직접 접하여 층 B가 형성되어 있는 경우를 포함하는 것으로 한다. 또한, "∼의 상방에"라고 하는 기재에 대해서도 마찬가지로, 어느 것 위에 직접 접하고 있는 것에 한정되지 않고, 사이에 다른 것이 끼워져 있는 경우도 포함하는 것으로 한다. 따라서, 예를 들어, 층 A의 상방에 층 B가 형성되어 있다고 하는 경우는, 층 A 위에 직접 접하여 층 B가 형성되어 있는 경우와 층 A 위에 직접 접하여 다른 층(예를 들어, 층 C나 층 D 등)이 형성되어 있고, 그 위에 직접 접하여 층 B가 형성되어 있는 경우를 포함하는 것으로 한다. 또한, "∼의 아래에" 또는, "∼의 하방에"의 경우에 대해서도, 마찬가지로, 직접 접하고 있는 경우와 접하지 않은 경우를 포함하는 것으로 한다.
또한, 본 발명에서, 반도체장치란, 반도체 소자(트랜지스터나 다이오드 등)를 포함하는 회로를 가지는 장치를 말한다. 또한, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반이어도 좋다. 또한, 표시장치란, 표시 소자(액정 소자나 발광소자 등)를 가지는 장치를 말한다. 또한, 기판 위에 액정 소자나 EL 소자 등의 표시 소자를 포함하는 복수의 화소나 그들 화소를 구동시키는 주변 구동회로가 형성된 표시 패널 본체이어도 좋다. 또한, 가요성 인쇄 회로(FPC)나 프린트 배선 기판(PWB)이 장착된 것(IC나 저항 소자나 용량 소자나 인덕터나 트랜지스터 등)도 포함하여도 좋다. 또한, 편광판이나 위상차판 등의 광학 시트를 포함하고 있어도 좋다. 또한, 백 라이트(도광판이나 프리즘 시트나 확산 시트나 반사 시트나 광원(LED나 냉음극관 등)을 포함하고 있어도 좋다)를 포함하고 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 표시장치는 다양한 형태를 이용하거나, 다양한 표시 소자를 가질 수가 있다. 예를 들어, EL 소자(유기 EL 소자, 무기 EL 소자 또는 유기물 및 무기물을 포함하는 EL 소자), 전자 방출 소자, 액정 소자, 전자 잉크, 글레이팅 라이트 밸브(GLV), 플라즈마 디스플레이(PDP), 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD), 압전 세라믹 디스플레이, 카본 나노튜브 등, 전기 자기적 작용에 의해 콘트라스트가 변화하는 표시 매체를 적용할 수 있다. 또한, EL 소자를 사용한 표시장치로서는 EL디스플레이, 전자 방출 소자를 사용한 표시장치로서는 필드 에미션 디스플레이(FED)나 SED 방식 평면형 디스플레이(SED : Surface-conduction Electron-emitter Display) 등, 액정 소자를 사용한 표시장치로서는 액정 디스플레이, 투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 전자 잉크를 사용한 표시장치로서는 전자 페이퍼가 있다.
또한, 본 명세서에서의 발광소자란, 표시 소자 중에서, 소자에 흐르는 전류값에 의해 발광 휘도를 제어하는 것이 가능한 소자를 가리킨다. 대표적으로는, EL 소자를 가리킨다. EL 소자 이외에도, 예를 들어, 전자 방출 소자 등도 발광소자에 포함된다.
또한, 본 명세서 중에서는, 표시 소자로서 주로 발광소자를 가지는 경우를 예로 들어 설명하지만, 본 발명의 내용에서 표시 소자는 발광소자에 한정되는 것은 아니다. 상기에 나타낸 다양한 표시 소자를 적용할 수 있다.
이하에, 본 발명의 실시형태를 도면에 의거하여 설명한다. 그러나, 본 발명은 많은 다른 양태로 행하는 것이 가능하고, 본 발명의 취지 및 그 범위로부터 벗어남이 없이 그의 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있는 것은 당업자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
[실시형태 1]
본 실시형태에서는, 본 발명의 구동방법을 6 비트 표시(64 계조)의 경우에 적용한 예에 대하여 설명한다.
본 실시형태에 관한 구동방법은, 하나의 화소를 복수의 서브화소로 분할하고, 점등하고 있는 서브화소의 개수나 면적을 제어하여 계조를 표현하는 면적 계조 방식과, 1 프레임을 복수의 서브프레임으로 분할하고, 각 서브프레임에 발광 횟수나 발광 시간 등의 가중을 행하고, 가중의 총량을 계조마다 차이를 냄으로써, 계조를 표현하는 시간 계조 방식을 조합한 구동방법이다. 즉, 하나의 화소를 m개(m은 m≥2의 정수)의 서브화소로 분할하고, m개의 서브 프레임에서, (s+1)번째(1≤s≤m-1)의 서브화소의 면적은 s번째의 서브화소의 면적의 2배, 즉, s번째의 서브화소의 면적과 (s+1)번째의 서브화소의 면적의 비는 1 : 2이다. 또한, 1 프레임을 n개의 서브프레임으로 분할하고, n개의 서브프레임에서, (p+1)번째(1≤p≤n-1)의 서브프레임의 점등 기간의 길이는 p번째의 서브프레임의 점등 기간의 길이의 2m배이다. 즉, p번째의 서브 프레임의 점등 기간의 길이와 (p+1)번째의 서브프레임의 점등 기간의 길이의 비는 1 : 2m이다. 또한, n개의 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임을 복수의 서브프레임으로 분할하여, 상기 n개의 서브프레임을 t개(t＞n)의 서브프레임으로 하고, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합(overlapping) 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 한다. 그리고, 각 서브프레임에서 m개의 각 서브화소를 점등시키는 방법을 제어함으로써 계조를 표현한다. 또한, 본 발명에서는, 각 서브화소의 면적과 각 서브프레임의 점등 기간의 곱(積)을 발광 강도로 한다.
처음에, 서브화소 및 서브프레임의 분할 방법에 대하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 하나의 화소를, 각 서브화소의 면적비가 1 : 2가 되도록 2개의 서브화소(SP1, SP2)로 분할함과 동시에, 1 프레임을, 각 서브프레임의 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개의 서브프레임(SF1, SF2, SF3)으로 분할하고, 또한, 3개의 서브프레임(SF1∼SF3) 중의 하나의 서브프레임을 2개의 서브프레임으로 분할한 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 이 예는 m = 2, n = 3에 대응한다.
여기서, 각 서브화소의 면적을 SP1 = 1, SP2 = 2, 각 서브프레임의 점등 기간을 SF1 = 1, SF2 = 4, SF3 = 16으로 한다.
본 실시형태에서는, 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개로 분할된 서브프레임(SF1∼SF3) 중 하나의 서브프레임을, 다시 2개의 서브프레임으로 분할한다. 예를 들어, 2개의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임을 SF3으로 한 경우, 점등 기간 16을 가지는 SF3을, 점등 기간 8을 가지는 2개의 서브프레임 SF31, SF32로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 4개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF2 = 4, SF31 = 8, SF32 = 8이 된다.
이 경우의, 각 계조를 표현하기 위한 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법의 일례를 도 1에 나타낸다. 또한, 도 1을 보는 방법으로서, 각 서브프레임에서 ○표(동그라미표)가 붙어 있는 서브화소는 점등하고, ×표(가위표)가 붙어 있는 서브화소는 비점등인 것을 나타내고 있다.
본 발명에서는, 각 서브화소의 면적과 각 서브프레임의 점등 기간의 곱을 발광 강도로 한다. 예를 들어, 도 1에서, 점등 기간 1을 가지는 SF1에서는, 면적 1의 서브화소 1(SP1)만이 점등한 경우의 발광 강도는 1×1 = 1이 되고, 면적 2의 서브화소 2(SP2)만이 점등한 경우의 발광 강도는 2×1 = 2가 된다. 마찬가지로, 점등 기간 4를 가지는 SF2에서는, SP1만이 점등한 경우의 발광 강도는 4가 되고, SP2만이 점등한 경우의 발광 강도는 8이 된다. 마찬가지로, 점등 기간 8을 가지는 SF31, SF32에서는, SP1만이 점등한 경우의 발광 강도는 8이 되고, SP2만이 점등한 경우의 발광 강도는 16이 된다. 이와 같이, 서브화소의 면적과 서브프레임의 점등 기간의 조합에 의해, 다른 발광 강도를 만들어 낼 수가 있고, 이 발광 강도를 사용 하여 계조를 표현한다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여, 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 1에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF31과 SF32에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, SF31과 SF32에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은, 계조 8 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF31에서 점등하고, 계조 16 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF32에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는, SF31과 SF32에서의 발광 강도가 16이 되기 때문에, SF31과 SF32에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP2는 계조 32 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF31에서 점등하고, 계조 48 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF32에서 점등한다.
다음에, 각 계조를 표현하기 위한 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법에 대하여 설명한다.
예를 들어, 도 1에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법에서, 계조 1을 표현하는 경우에는, SF1에서 SP1을 점등시킨다. 또한, 계조 2를 표현하는 경우에는, SF1에서 SP2를 점등시킨다. 또한, 계조 3을 표현하는 경우에는, SF1에서 SP1과 SP2를 점등시킨다. 또한, 계조 6을 표현하는 경우에는, SF1에서 SP2를 점등시키고, SF2에서 SP1을 점등시킨다. 또한, 계조 32를 표현하는 경우에는, SF31에서 SP1과 SP2를 점등시키고, SF32에서 SP1을 점등시킨다. 그 외의 계조에 대해서 도 마찬가지로 각 서브프레임에서 점등시키는 각 서브화소를 선택한다.
이상과 같이, 각 서브프레임에서 점등시키는 서브화소를 선택함으로써, 6 비트 계조(64 계조)를 표현할 수 있다.
본 발명의 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사(擬似) 윤곽을 저감시킬 수 있다. 예를 들어, 도 1에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32에서 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의, 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 2에 나타낸다.
여기서, 도 2를 보는 방법을 설명한다. 도 2는 1 프레임에서의 화소의 점등·비점등 상태를 나타내는 도면이다. 도 2의 횡 방향은 시간을 나타내고, 종 방향은 화소의 위치를 나타내고 있다. 그리고, 도 2에 나타낸 사각형의 종 방향의 길이가 각 서브화소의 면적비를 나타내고, 횡 방향의 길이가, 각 서브프레임의 점등 기간의 길이의 비를 나타내고 있다. 또한, 도 2에 묘사된 각각의 사각형의 면적이 발광 강도를 나타내고 있다.
예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 29 (= 1＋4＋8＋8＋8)로 느끼고, 어느 때는 계조가 32 (= 16＋8＋8)로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 29나 32로 보여지게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 점등 기간의 길이는 전체의 계조수(비트수)나 전체의 서브프레임수 등 에 의해 적절히 바뀌는 것이다. 따라서, 점등 기간의 길이가 같아도, 전체의 계조수(비트수)나 전체의 서브프레임수가 바뀌면, 실제로 점등하고 있는 기간의 길이(예를 들어, 몇 μs인가)에 대해서는, 바뀔 가능성이 있다.
또한, 점등 기간은 계속하여 점등을 하는 경우에 사용하는 것이고, 점등 횟수는 어느 시간 내에서 계속하여 점멸하는 경우에 사용하는 것이다. 점등 횟수를 사용하는 대표적인 디스플레이는 플라즈마 디스플레이이다. 점등 기간을 사용하는 대표적인 디스플레이는 유기 EL 디스플레이이다.
또한, 도 1에 나타낸 예에서는, SF3을 2개의 서브프레임으로 분할하였지만, SF3을 3개 이상의 서브프레임으로 분할하여도 좋다. 예를 들어, 도 1에서, SF3을 4개의 서브프레임으로 분할한 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 3에 나타낸다.
도 3에 나타낸 예에서는, 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개로 분할된 서브프레임(SF1∼SF3) 중에서, 점등 기간 16을 가지는 SF3을, 점등 기간 4를 가지는 4개의 서브프레임 SF31, SF32, SF33, SF34로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 6개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF2 = 4, SF31 = 4, SF32 = 4, SF33 = 4, SF34 = 4가 된다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여, 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 3에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF2, SF31∼SF34에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, 이들 서브프레임 중, SF2와 SF31∼SF33에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF2에서 점등하고, 계조 8 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF31에서 점등하고, 계조 12 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF32에서 점등하고, 계조 16 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF33에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는, SF2, SF31∼SF34에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, SF2와 SF31∼SF34에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
또한, 도 3에서 나타낸 바와 같이, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용하는 경우, 해당하는 서브프레임 중, 적어도 하나의 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용하면 좋다. 따라서, 해당하는 서브프레임 중 복수의 서브프레임에 중합 시간 계조 방식을 적용해도 좋고, 해당하는 모든 서브프레임에 중합 시간 계조 방식을 적용해도 좋다.
또한, 도 3에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수 있다. 예를 들어, 도 3에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32를 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 4에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 21 (= 1＋4＋8＋4＋4)로 느끼고, 어느 때는 계조가 28 (= 8＋8＋4＋4＋4)로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 21이나 28으로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이 가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 도 3에 나타낸 예와 같이, SF3의 분할수를 많게 하면, 최장 점등 기간을 가지는 서브프레임의 개수가 많아지고, 소거 동작을 행할 필요가 없는 서브프레임의 개수가 많아진다. 이것에 의해, 소거 동작을 행하기 위해 소비되는 전력을 저감시킬 수가 있다. 또한, 듀티비를 향상시킬 수 있고, 휘도를 높일 수가 있다. 또한, 듀티비의 향상에 의해, 발광소자에게 걸리는 전압을 작게 할 수 있다. 따라서, 소비전력을 저감할 수 있고, 발광소자의 열화도 줄일 수 있다.
또한, 도 1이나 도 3에 나타낸 예에서는, SF3을 같은 점등 기간을 가지는 복수의 서브프레임으로 분할했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. SF3을 각각 다른 점등 기간을 가지는 복수의 서브프레임으로 분할하여도 좋다. 예를 들어, 도 1에서, SF3을 각각 다른 점등 기간을 가지는 2개의 서브프레임으로 분할한 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 5에 나타낸다.
도 5에 나타낸 예에서는, 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개로 분할된 서브프레임(SF1∼SF3) 중에서, 점등 기간 16을 가지는 SF3을, 점등 기간 4를 가지는 서브프레임 SF31과 점등 기간 12를 가지는 서브프레임 SF32으로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 4개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF2 = 4, SF31 = 4, SF32 = 12가 된다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하여, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에 서도 점등한 채로 한다.
도 5에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF2와 SF31에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF2에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF2로 점등한다. 마찬가지로, SP2는 SF2와 SF31에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF2에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
도 5에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 예를 들어, 도 5에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 6에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 25 (= 1＋4＋8＋12)로 느끼고, 어느 때는 계조가 28 (= 8＋8＋12)로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 25나 28로 보여지게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 도 1에서, SF3을 각각 다른 점등 기간을 가지는 3개의 서브프레임으로 분할한 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 7 및 도 9에 나타낸다.
도 7에 나타낸 예에서는, 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개로 분할된 서브프레임(SF1∼SF3) 중에서 점등 기간 16을 가지는 SF3을, 점등 기간 4를 가지는 서브프레임 SF31, SF32와 점등 기간 8을 가지는 서브프레임 SF33으로 분할 한다.
이것에 의해, 1 프레임은 5개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF2 = 4, SF31 = 4, SF32 = 4, SF33 = 8이 된다.
또한, 각 서브화소에서 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 7에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF2, SF31, SF32에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF2와 SF31에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF2에서 점등하고, 계조 8 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF31에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는 SF2, SF31, SF32에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, SF2, SF31, SF32에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
도 7에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 예를 들어, 도 7에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하고, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 8에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 20 (= 8＋8＋4)로 느끼고, 어느 때는 계조가 29 (= 1＋4＋8＋8＋8)로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 20이나 29 로 보여 지게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
도 9에 나타낸 예에서는, 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개로 분할된 서브프레임(SF1∼SF3) 중에서 점등 기간 16을 가지는 SF3을, 점등 기간 4를 가지는 서브프레임 SF31과 점등 기간 6을 가지는 서브프레임 SF32, SF33으로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 5개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF2 = 4, SF31 = 4, SF32 = 6, SF33 = 6이 된다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 9에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF2, SF31에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF2에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 또한, SF32, SF33에서의 발광 강도가 6이 되기 때문에, SF32, SF33에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF2에서 점등하고, 계조 12 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF32에서 점등하고, 계조 18 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF33에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는 SF2, SF31에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF2에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 또한, SF32, SF33에서의 발광 강도가 12가 되기 때문에, SF32, SF33에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
도 9에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수 있다. 예를 들어, 도 9에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 10에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 25 (= 1＋4＋8＋6＋6)로 느끼고, 어느 때는 계조가 28 (= 8＋8＋6＋6)으로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 25나 28로 보여지게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 도 9에 나타낸 예에서는, SF1∼SF3 중 하나의 서브프레임(SF3)을 더욱 복수의 서브프레임으로 분할하였지만, 복수의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임의 개수는 이것에 한정되는 것은 아니다. SF1∼SF3 중의 복수의 서브프레임을 각각 복수의 서브프레임으로 분할하여도 좋다.
예를 들어, 도 1에서, 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개로 분할된 서브프레임(SF1∼SF3) 중의 2개의 서브프레임을 더욱 더 복수의 서브프레임으로 분할한 경우의 예를 도 11 및 도 13에 나타낸다. 또한, 도 11 및 도 13에 나타낸 예에서는 복수의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임을 SF2, SF3으로 하고 있다.
도 11에 나타낸 예는, SF2, SF3을 각각 2개의 서브프레임으로 분할하는 경우를 나타내고 있다. 예를 들어, 점등 기간 4를 가지는 SF2를, 점등 기간 2를 가지 는 2개의 서브프레임 SF21, SF22로 분할한다. 또한, 점등 기간 16을 가지는 SF3을, 점등 기간 8을 가지는 2개의 서브프레임 SF31, SF32로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 5개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF21 = 2, SF22 = 2, SF31 = 8, SF32 = 8이 된다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 11에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF21, SF22에서의 발광 강도가 2가 되기 때문에, SF21, SF22에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 또한, SF31, SF32에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF32에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 2 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF21에서 점등하고, 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF22에서 점등하고, 계조 16 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF31에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는 SF21, SF22에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF21에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 또한, SF31, SF32에서의 발광 강도가 16이 되기 때문에, SF31, SF32에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
도 11에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 예를 들어, 도 11에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하 는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 12에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 19 (= 1＋2＋4＋4＋8)로 느끼고, 어느 때는 계조가 28 (= 4＋16＋8)로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 19나 28로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
도 13에 나타낸 예는, SF2를 2개의 서브프레임으로 분할하고, SF3을 4개의 서브프레임으로 분할하는 경우를 나타내고 있다. 예를 들어, 점등 기간 4를 가지는 SF2를, 점등 기간 2를 가지는 2개의 서브프레임 SF21, SF22로 분할한다. 또한, 점등 기간 16을 가지는 SF3을, 점등 기간 4를 가지는 4개의 서브프레임 SF31, SF32, SF33, SF34로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 7개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF21 = 2, SF22 = 2, SF31 = 4, SF32 = 4, SF33 = 4, SF34 = 4가 된다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 13에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF21, SF22에서의 발광 강도가 2가 되기 때문에, SF21, SF22에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 또한, SF31∼SF34에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, SF31∼SF34에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 2 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF21에서 점등하고, 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF22에서 점등하고, 계조 8 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF31에서 점등하고, 계조 12 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF32에서 점등하고, 계조 16 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF33에서 점등하고, 계조 20 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF34에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는 SF21, SF22에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF21에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 또한, SF31∼SF34에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, SF31∼SF34에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
도 13에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수 있다. 예를 들어, 도 13에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 14에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 19 (= 1＋2＋4＋4＋4＋4)로 느끼고, 어느 때는 계조가 24 (= 4＋8＋4＋4＋4)로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 19나 24로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 지금까지에 나타낸 예에서는, 복수의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임으로서 SF3을 반드시 포함하도록 선택하였지만, 복수의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임의 선택 방법은 이것에 한정되는 것은 아니다. 복수의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임으로서 SF1 및 SF2 중에서 선택하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서, 복수의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임으로서 n개의 서브프레임 중의 최장 점등 기간을 가지는 서브프레임을 포함하도록 선택하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 최장 점등 기간을 가지는 서브프레임을 분할함으로써, 의사 윤곽을 보다 저감시킬 수가 있기 때문이다. 또한, 최장 점등 기간을 가지는 서브프레임을 분할함으로써, 분할 후에 최장 점등 기간을 가지는 서브프레임의 개수가 많아지게 되고, 소거 동작을 행할 필요가 없는 서브프레임의 개수가 많아짐으로써, 소거 동작을 행하기 위해 소비되는 전력을 저감시킬 수가 있기 때문이다. 또한, 듀티비를 향상시킬 수가 있어 휘도를 높일 수가 있다. 또한, 듀티비의 향상에 따라, 발광소자에 걸리는 전압을 작게 할 수 있다. 따라서, 소비전력을 저감할 수 있고, 발광소자의 열화도 줄일 수가 있다.
또한, 서브프레임을 복수로 분할함으로써, 같은 계조를 표현하기 위한 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법이 증가한다. 따라서, 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법은 지금까지에 나타낸 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 1에서, 계조 31 및 계조 32를 표현하기 위한 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 바꾼 경우의 예를 도 15에 나타낸다.
도 1 및 도 15에 나타낸 각각의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법이 다른 개소에 대하여 설명한다. 먼저, 계조 31을 표현하는 경우, 도 1에 나타낸 예에서는 SF31과 SF32에서 SP1를 점등시키지만, 도 15에 나타낸 예에서는 SF31과 SF32에 서 SP1을 점등시키지 않고, SF31에서 SP2를 점등시킨다. 다음에, 계조 32를 표현하는 경우, 도 1에 나타낸 예에서는, SF31에서 SP1을 점등시키지만, 도 15에 나타낸 예에서는, SF31에서 SP1을 점등시키지 않고, SF2에서 SP2를 점등시킨다.
또한, 도 1에 나타낸 예에서는, SP1, SP2 모두, SF31과 SF32에 중합 시간 계조 방식을 적용하고 있었지만, 도 15에 나타낸 예에서는, SP2의 SF31과 SF32에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
도 15에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 예를 들어, 도 15에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 16에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 37 (= 1＋4＋8＋16＋8)로 느끼고, 어느 때는 계조가 40 (= 8＋16＋16)으로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 37이나 40과 같이 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 바꾸는 계조는 계조 31과 계조 32에 한정되는 것은 아니다. 다른 계조에 대하여, 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 바꾸어도 좋다. 또한, 계조 31과 계조 32와 같이, 의사 윤곽이 특히 나오기 쉬운 계조에 대하여, 선택적으로 각 서브프레임에서의 서브화소의 선택 방법을 바꿈으로써, 의사 윤곽을 저감시키는 효과를 크게 할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 각 서브프레임을 점등 기간의 올림차순으로 배치했지만, 서브프레임의 배치의 순서는 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 1에서, 서브프레임의 배치의 순서를 바꾼 경우의 예를 도 17에 나타낸다.
도 17에 나타낸 예에서는, 도 1에서 점등 기간 4를 가지는 SF2와 점등 기간 8을 가지는 SF32의 배치를 바꾸어 넣고 있다.
도 17에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 예를 들어, 도 17에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 18에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 28 (= 8＋8＋8＋4)로 느끼고, 어느 때는 계조가 33 (= 1＋8＋8＋16)으로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 28이나 33으로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
이와 같이, 각 서브프레임의 배치의 순서를 바꿈으로써, 눈이 속아 시선이 움직였을 때의 계조의 차이를 종래의 구동방법보다 작게 할 수 있다. 따라서, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다.
또한, 도 17에 나타낸 예에서는, SF2와 SF32의 배치를 바꾸었지만, 배치를 바꾸는 서브프레임은 이들에 한정되는 것은 아니다. 임의의 복수의 서브프레임을 선택하여 배치를 바꿔도 좋다. 또한, 배치를 바꾸는 서브프레임으로서, 점등 기간이 최장이 되는 서브프레임을 선택하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 점등 기간이 최장이 되는 서브프레임의 배치를 바꿈음으로써, 눈이 속게 되어 시선이 움직였을 때의 계조의 차이를 종래의 구동방법보다 작게 할 수가 있어, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있기 때문이다.
또한, 서브프레임의 배치의 순서로서 점등 기간의 올림차순 또는 내림차순으로 배치하는 것이 보다 바람직하다. 왜냐하면, 점등 기간의 올림차순 또는 내림차순으로 배치한 것이 종래의 구동방법보다 계조의 차이를 보다 작게 할 수가 있어, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 보다 저감시킬 수가 있기 때문이다.
또한, 본 실시형태에서는, 각 서브화소의 면적비를 1 : 2로 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 1 : 4로 분할하여도 좋고, 1 : 8로 분할하여도 좋다.
예를 들어, 각 서브화소의 면적비를 1 : 1로 하면, 같은 서브프레임에서 어느 쪽의 서브화소를 발광시켜도 발광 강도는 같아진다. 따라서, 같은 계조를 표현할 때, 어느 쪽의 서브화소를 발광시킬지를 전환하여도 좋다. 이것에 의해, 특정의 서브화소만 집중하여 발광하는 것을 방지할 수가 있어, 소부(燒付)(burn-in)을 방지할 수 있다.
또한, m개(m은 m≥2의 정수)의 서브화소에서, (s+1)번째(1≤s≤m-1)의 서브화소의 면적은 s번째의 서브화소의 면적의 2배이다. 즉, s번째의 서브화소의 면적과 (s+1)번째의 서브화소의 면적의 비는 1 : 2이다. 또한, n개(n은 n≥2의 정수)의 서브프레임에서, (p+1)번째(1≤p≤n-1)의 서브프레임의 점등 기간의 길이는 p번 째의 서브프레임의 점등 기간의 길이의 2m배이다. 즉, p번째의 서브 프레임의 점등 기간의 길이와 (p+1)번째의 서브프레임의 점등 기간의 길이의 비는 1 : 2m이다. 이것에 의해, 보다 적은 서브화소수 및 보다 적은 서브프레임수로 보다 많은 계조를 표현할 수 있게 된다. 또한, 이 방법으로 표현할 수 있는 계조는, 계조의 변화율이 일정하게 되기 때문에, 보다 완만한 계조 표시가 가능하게 되고, 화질을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 서브화소의 개수는 2개로 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 하나의 화소를, 각 서브화소의 면적비가 1 : 2 : 4가 되도록 3개의 서브화소(SP1, SP2, SP3)로 분할함과 동시에, 1 프레임을, 각 서브프레임의 점등 기간의 비율이 1 : 8이 되도록 2개의 서브프레임(SF1, SF2)으로 분할하고, 또한, 2개의 서브프레임(SF1, SF2) 중의 하나의 서브프레임을 2개의 서브프레임으로 분할한 경우를 예로 들어 설명한다. 이 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 19에 나타낸다. 또한, 이 예는 m =3 및 n = 2에 대응한다.
여기서, 각 서브화소의 면적을 SP1 = 1, SP2 = 2, SP3 = 4, 각 서브프레임의 점등 기간을 SF1 = 1, SF2 = 8로 한다.
도 19에서는, 점등 기간의 비율이 1 : 8이 되도록 2개로 분할된 서브프레임(SF1, SF2) 중 하나의 서브프레임을, 다시 2개의 서브프레임으로 분할한다. 예를 들어, 2개의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임을 SF2로 한 경우, 점등 기간 8을 가지는 SF2를 점등 기간 4를 가지는 2개의 서브프레임 SF21, SF22로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 3개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF21 = 4, SF22 = 4가 된다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 19에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF21과 SF22에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, SF21과 SF22에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF21에서 점등하고, 계조 8 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF22에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는 SF21과 SF22에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, 이들 서브프레임 중 SF21에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 마찬가지로, SP3은 SF21과 SF22에서의 발광 강도가 16이 되기 때문에, SF21과 SF22에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
도 19에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수 있다. 예를 들어, 도 19에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 20에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 19 (= 1＋2＋8＋4＋4)로 느끼고, 어느 때는 계조가 36 (= 16＋8＋4＋8)로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 19나 36으로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 도 19에 나타낸 예에서는, SF2를 2개의 서브프레임으로 분할하였지만, SF2를 3개 이상의 서브프레임으로 분할하여도 좋다. 예를 들어, 도 19에서, SF2를 4개의 서브프레임으로 분할한 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 21에 나타낸다.
도 21에 나타낸 예에서는, 점등 기간의 비율이 1 : 8이 되도록 2개로 분할된 서브프레임(SF1, SF2) 중에서, 점등 기간 8을 가지는 SF2를 점등 기간 2를 가지는 4개의 서브프레임 SF21, SF22, SF23, SF4로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 5개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF21 = 2, SF22 = 2, SF23 = 2, SF24 = 2가 된다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에 있어서도 점등한 채로 한다.
도 21에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF21∼SF24에서의 발광 강도가 2가 되기 때문에, SF21∼SF24에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 2 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF21에서 점등하고, 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF22에서 점등하고, 계조 6 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF23 에서 점등하고, 계조 8 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF24에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는 SF21∼SF24에서의 발광 강도가 4가 되기 때문에, SF21∼SF24에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 마찬가지로, SP3은 SF21∼SF24에서의 발광 강도가 8이 되기 때문에, SF21∼SF24에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
도 21에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수 있다. 예를 들어, 도 21에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 31을 표시하고, 화소 B에서는 계조 32로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 22에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 17 (= 1＋2＋4＋2＋4＋4)로 느끼고, 어느 때는, 계조가 24 (= 8＋4＋4＋2＋4＋2)로 느낀다. 본래는, 계조가 31과 32로 보여야 하지만, 계조가 17이나 24로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 도 21에 나타낸 예와 같이, SF2의 분할수를 많게 하면, 최장 점등 기간을 가지는 서브프레임의 개수가 많아지게 되고, 소거 동작을 행할 필요가 없는 서브프레임의 개수가 많아진다. 이것에 의해, 소거 동작을 행하기 위해 소비되는 전력을 저감시킬 수가 있다. 또한, 듀티비를 향상시킬 수가 있어 휘도를 높일 수가 있다. 또한, 듀티비의 향상에 따라, 발광소자에 걸리는 전압을 작게 할 수 있다. 따라서, 소비전력을 저감할 수 있고, 발광소자의 열화도 줄일 수가 있다.
또한, 어느 계조에서 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 시간적으로 또 는 장소적으로 바꾸어도 좋다. 즉, 시각에 따라, 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 바꾸어도 좋고, 화소에 따라, 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 바꾸어도 좋다. 또한, 시각에 따라 바꾸고, 또, 화소에 따라 바꾸어도 좋다.
예를 들어, 어느 계조를 표현할 때, 프레임수가 홀수번째일 때와 짝수번째일 때, 각 서브프레임에서의 서브화소의 선택 방법을 바꾸어도 좋다. 예를 들어, 프레임수가 홀수번째일 때는, 도 1에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법으로 계조를 표현하고, 프레임수가 짝수번째일 때는, 도 15에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법으로 계조를 표현해도 좋다.
이와 같이, 의사 윤곽이 특히 나오기 쉬운 계조에 대한 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 프레임수가 홀수번째일 때와 짝수번째일 때 바꿈으로써, 의사 윤곽을 저감할 수 있다.
또한, 어느 계조를 표현할 때, 홀수행째의 화소를 표시할 때와, 짝수행째의 화소를 표시할 때, 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 바꾸어도 좋다. 또한, 어느 계조를 표현할 때, 홀수열째의 화소를 표시할 때와, 짝수열째의 화소를 표시할 때, 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 바꾸어도 좋다.
또한, 어느 계조를 표현할 때, 프레임수가 홀수번째일 때와 짝수번째일 때, 서브프레임의 개수나 점등 기간의 비율을 바꾸어도 좋다. 예를 들어, 프레임수가 홀수번째일 때는, 도 1에 나타낸 서브화소의 선택 방법으로 계조를 표현하고, 프레임수가 짝수번째일 때는, 도 3에서 나타낸 서브화소의 선택 방법으로 계조를 표현해도 좋다.
또한, 어느 계조를 표현할 때, 홀수행째의 화소를 표시할 때와, 짝수행째의 화소를 표시할 때, 서브프레임의 개수나 점등 기간의 비율을 바꾸어도 좋다. 또한, 어느 계조를 표현할 때, 홀수열째의 화소를 표시할 때와, 짝수열째의 화소를 표시할 때, 서브프레임의 개수나 점등 기간의 비율을 바꾸어도 좋다.
또한, 어느 계조를 표현할 때, 프레임수가 홀수번째일 때와 짝수번째일 때, 서브프레임의 배치의 순서를 바꾸어도 좋다. 예를 들어, 프레임수가 홀수번째 때는, 도 1에서 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법으로 계조를 표현하고, 프레임수가 짝수번째일 때는, 도 17에서 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법으로 계조를 표현해도 좋다.
또한, 어느 계조를 표현할 때, 홀수행째의 화소를 표시할 때와 짝수행째의 화소를 표시할 때, 서브프레임의 배치의 순서를 바꾸어도 좋다. 또한, 어느 계조를 표현할 때, 홀수열째의 화소를 표시할 때와, 짝수열째의 화소를 표시할 때, 서브프레임의 배치와 순서를 바꾸어도 좋다.
이와 같이, 어느 계조에서, 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법이나 서브프레임의 개수나 점등 기간의 비율, 서브프레임의 배치의 순서를 시간적으로 또는 장소적으로 바꿈으로써, 눈을 더욱 속여, 계조의 차이를 보다 작게 할 수 있기 때문에, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 6 비트 계조(64 계조)의 경우를 예로 들었지만, 표시하는 계조수는 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명의 구동방법을 사용하여, 8 비트 계조(256 계조)를 표현할 수 있다. 이 경우의 예를 도 23∼ 도 26에 나타낸다. 또한, 도 23은 계조 0∼63, 도 24는 계조 64∼127, 도 25는 계조 128∼191, 도 26은 계조 192∼255에 있어서의 서브화소의 선택 방법을 나타낸다.
도 23∼도 26에서는, 하나의 화소를, 각 서브화소의 면적비가 1 : 2가 되도록 2개의 서브화소(SP1, SP2)로 분할함과 동시에, 1 프레임을, 각 서브프레임의 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16 : 64가 되도록 4개의 서브프레임(SF1∼SF4)으로 분할하고, 또한, 4개의 서브프레임(SF1∼SF4) 중 하나의 서브프레임을 2개의 서브프레임으로 분할하고 있다. 또한, 이 예는 m = 2 및 n = 4에 대응한다.
여기서, 각 서브화소의 면적을 SP1 = 1, SP2 = 2, 각 서브프레임의 점등 기간을 SF1 = 1, SF2 = 4, SF3 = 16, SF4 = 64로 한다.
또한, 도 23∼도 26에서는, 2개의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임을 SF4로 하고, 점등 기간 64를 가지는 SF4를 점등 기간 32를 가지는 2개의 서브프레임 SF41, SF42로 분할하고 있다.
이것에 의해, 1 프레임은 5개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF2 = 4, SF3 = 16, SF41 = 32, SF42 = 32가 된다.
또한, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하는 서브프레임을, 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 23∼도 26에 나타낸 예의 경우, SP1은 SF41과 SF42에서의 발광 강도가 32 가 되기 때문에, SF41과 SF42에 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, SP1은 계조 32 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF41에서 점등하고, 계조 64 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF42에서 점등한다. 마찬가지로, SP2는 SF41과 SF42에서의 발광 강도가 64가 되기 때문에, SF41과 SF42에 중합 시간 계조 방식을 적용한다.
이상과 같이, 각 서브프레임에서 점등시키는 서브화소를 선택함으로써, 8 비트 계조(256 계조)를 표현할 수 있다.
도 23∼도 26에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 예를 들어, 도 23∼도 26에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 127을 표시하고, 화소 B에서는 계조 128로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 27에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 109 (= 1＋4＋8＋32＋32＋32)로 느껴지고, 어느 때는, 계조가 128 (= 64＋32＋32)로 느껴진다. 본래는, 계조가 127과 128로 보여야 하지만, 계조가 109나 128로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
이와 같이, 본 실시형태의 구동방법을 사용함으로써, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 또한, 듀티비를 향상시킬 수가 있기 때문에, 휘도를 높일 수 있다. 또한, 듀티비의 향상에 의해, 소비전력을 삭감할 수 있는 것 과 동시에, 발광소자의 열화를 줄일 수가 있다.
또한, 지금까지 설명한, 표시하는 계조수, 서브프레임의 점등 기간의 비율 및 분할 방법, 서브프레임의 배치 순서, 서브화소의 면적비와 개수, 계조에 따라 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 바꾸는 등의 내용을 서로 조합하여 사용하여도 좋다.
[실시형태 2]
실시형태 1에서는, 계조가 증가하면, 그것에 선형(線形)으로 비례하여 점등 기간이 증가하고 있는 경우에 대하여 설명하였다. 본 실시형태에서는, 감마 보정을 행한 경우에 대하여 설명한다.
감마 보정이란, 계조가 증가하면 비선형으로 점등 기간이 증가해 가도록 한 것을 가리킨다. 사람의 눈은 휘도가 선형에 비례하여 커져도, 비례하여 밝아지고 있다고는 느껴지지 않는다. 휘도가 높아질수록, 밝기의 차를 느끼기 어려워지게 된다. 따라서, 사람의 눈으로 밝기의 차이를 느끼도록 하기 위해서는, 계조가 증가해 감에 따라, 점등 기간을 보다 길게 취한다, 즉, 감마 보정을 행할 필요가 있다. 또한, 계조를 x, 휘도를 y로 하면, 감마 보정에서의 휘도와 계조의 관계는 아래의 식 1로 나타내어진다.
[식 1]
y = Axγ
식 1에서, A는, 휘도(y)를 0≤y≤1로 규격화하기 위한 정수이다. 여기서, 계조(x)의 지수인 γ가 감마 보정 정도를 나타내는 파라미터가 되고 있다.
가장 단순한 방법은, 실제로 표시하는 비트수(계조수)보다 많은 비트수(계조수)로 표시할 수 있도록 해 둔다는 것이다. 예를 들어, 6 비트 계조(64 계조)로 표시를 행할 때, 실제로는, 8 비트 계조(256 계조)를 표시할 수 있도록 해 둔다. 그리고, 실제로 표시할 때는, 계조의 휘도가 비선형이 되도록 하여 6 비트 계조(64 계조)로 표시한다. 이것에 의해 감마 보정을 실현할 수 있다.
일례로서, 6 비트 계조(64 계조)를 표시할 수 있도록 해 두고, 감마 보정을 행한 5 비트 계조(32 계조)를 표시하는 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 28에 나타낸다.
또한, 본 실시형태에서는, 하나의 화소를, 각 서브화소의 면적비가 1 : 2가 되도록 2개의 서브화소(SP1, SP2)로 분할함과 동시에, 1 프레임을, 각 서브프레임의 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개의 서브프레임(SF1, SF2, SF3)으로 분할하고, 또한, 3개의 서브프레임(SF1∼SF3) 중 하나의 서브프레임을 2개의 서브프레임으로 분할한 경우를 예로 들어 설명한다. 구체예로서, 도 1에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용한 경우를 예로 들어 설명한다.
도 28은, 전계조에 걸쳐 γ = 2.2가 되는 감마 보정을 행하여 5 비트 계조(32 계조)를 표시하는 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 나타내고 있다. 또한, γ = 2.2라는 값은 사람의 시각 특성을 가장 잘 보충하는 값으로 되어 있고, 휘도가 높아져도 가장 적절한 밝기의 차이를 느낄 수가 있게 된다. 도 28에서는, 감마 보정이 끝난 5 비트에서의 계조가 3까지는 실제로는 6 비트의 계조 0의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법으로 점등시킨다. 마찬가지로, 감마 보정이 끝난 5 비트에서의 계조가 4일 때는 실제로는 6 비트의 계조 1로 표시시키고, 감마 보정이 끝난 5 비트에서의 계조가 6일 때는 실제로는 6 비트의 계조 2로 표시시킨다. 여기서, 계조(x)와 휘도(y)의 그래프를 도 29에 나타낸다. 도 29(A)는 전계조에서의 계조(x)와 휘도(y)의 관계를 나타내고, 도 29(B)는 저계조 영역에서의 계조(x)와 휘도(y)의 그래프를 나타낸다. 이와 같이, 감마 보정이 끝난 5 비트에서의 계조와 6 비트에서의 계조와의 대응표를 작성하여, 거기에 따라 서브화소 및 서브프레임을 선택하여 계조를 표시시키면 좋다. 이것에 의해, γ = 2.2가 되는 감마 보정을 실현할 수가 있다.
단, 도 29(B)로부터 알 수 있는 바와 같이, 도 28의 경우, 계조 0∼계조 3이나, 계조 4∼계조 5, 계조 6∼계조 7까지는 같은 휘도로 표시시키게 된다. 왜냐하면, 6 비트 표시에서는 계조수가 충분하지 않기 때문에, 휘도의 차이를 표현할 수 없기 때문이다. 이것의 대책 방법으로서 다음의 2개를 생각할 수 있다.
첫번째의 방법은 표시할 수 있는 비트수를 더 늘리는 것이다. 6 비트가 아니고, 7 비트 이상, 바람직하게는 8 비트 이상으로 표시할 수 있도록 한다. 그 결과, 저계조 영역에서도 완만한 표시를 행할 수가 있다.
두번째의 방법은, 저계조 영역에서는 γ = 2.2의 관계를 만족하지 않지만, 휘도가 선형으로 변화하도록 하여, 완만하게 표시시키는 방법이다. 이 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 30에 나타낸다. 도 30에서는, 5 비트에서의 계조가 17까지는 6 비트에서의 계조와 같다. 그러나, 감마 보정이 끝난 5 비트 에서의 계조가 18일 때는, 실제로는 6 비트의 계조 19의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법으로 점등시킨다. 마찬가지로, 감마 보정이 끝난 5 비트에서의 계조가 19일 때는, 실제로는 6 비트의 계조 21로 표시시키고, 감마 보정이 끝난 5 비트에서의 계조가 20일 때는, 실제로는 6 비트의 계조 24로 표시시킨다. 여기서, 계조(x)와 휘도(y)의 그래프를 도 31에 나타낸다. 도 31(A)는 전계조에서의 계조(x)와 휘도(y)의 관계를 나타내고, 도 31(B)는 저계조 영역에서의 계조(x)와 휘도(y)의 그래프를 나타낸다. 저계조 영역에서는, 휘도가 선형으로 변화하고 있다. 이러한 감마 보정을 행함으로써, 저계조 영역이 보다 완만하게 표시될 수 있게 된다.
즉, 저계조 영역에 대해서는, 휘도를 선형에 비례하도록 변화시키고, 그 이외의 계조 영역에 대해서는, 휘도를 비선형으로 변화시킴으로써, 저계조 영역이 보다 완만하게 표시될 수 있게 된다.
또한, 감마 보정이 끝난 5 비트에서의 계조와 6 비트에서의 계조와의 대응표는 적절히 변경하는 것이 가능하다. 따라서, 대응표를 변경함으로써, 감마 보정의 정도(즉, γ의 값)를 용이하게 변경하는 것이 가능하다. 따라서, γ = 2.2에 한정되는 것은 아니다.
또한, 몇 비트(예를 들어, p 비트, 여기서 p는 정수)를 표시할 수 있도록 해 두고, 감마 보정이 끝난 상태에서 몇 비트(예를 들어, q 비트, 여기서 q는 정수)로 표시할지에 대해서도, 이것에 한정되는 것은 아니다. 감마 보정이 끝난 상태로 표시하는 경우, 계조를 완만하게 표현하기 위해서는, 비트수 p를 가능한 한 크게 해 두는 것이 바람직하다. 단, 너무 크게 하면, 서브프레임수가 많아지게 되는 등, 폐해도 나오게 된다. 따라서, 비트수 q와 비트수 p와의 관계는 q+2≤p≤q+5로 하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 계조를 완만하게 표현하면서, 서브프레임수도 너무 증가하지 않는 것을 실현할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에서 설명한 방법에 의해 감마 보정을 행함으로써, 보다 고화질의 영상을 표시할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 설명한 내용은 실시형태 1에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 3]
실시형태 1에서는, 각 서브화소에서, 발광 강도가 같아지는 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용하였만, 각 서브화소에서 중합 시간 계조 방식을 적용하는 서브프레임은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 실시형태에서는, 각 서브화소에서 모든 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한 경우에 대하여 설명한다.
본 실시형태에서는, 하나의 화소를, 각 서브화소의 면적이 모두 동일한 2개의 서브화소(SP1, SP2)로 분할함과 동시에, 1 프레임을, 각 서브프레임의 점등 기간의 길이가 모두 같은 8개의 서브프레임(SF1∼SF8)으로 분할한 경우에 대하여 설명한다. 이 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 32에 나타낸다.
여기서, 각 서브화소의 면적을 SP1 = SP2 = 1, 각 서브프레임의 점등 기간을 SF1 = SF2 = SF3 = SF4 = SF5 = SF6 = SF7 = SF8 = 1로 한다.
도 32에 나타낸 예에서는, 각 서브화소의 면적이 모두 동일하고, 또한, 각 서브프레임의 점등 기간의 길이가 모두 동일하기 때문에, 전서브화소 및 전서브프레임에서 발광 강도가 같아진다. 구체적으로는, 각 서브화소의 면적이 1이고, 각 서브프레임의 점등 기간이 1이므로, 발광 강도는 1×1 = 1이 된다.
또한, 각 서브화소에서, 모든 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 32에 나타낸 예의 경우, SP1은 계조 1 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF1에서 점등하고, 계조 3 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF2에서 점등하고, 계조 5 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF3에서 점등하고, 계조 7 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF4에서 점등하고, 계조 9 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF5에서 점등하고, 계조 11 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF6에서 점등하고, 계조 13 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF7에서 점등하고, 계조 15 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF8에서 점등한다. SP2에 대해서도 마찬가지이다.
이상과 같이, 각 서브프레임에서 점등시키는 서브화소를 선택함으로써, 17 계조를 표현할 수 있다.
도 32에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 예를 들어, 도 32에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 7을 표시하고, 화소 B에서는 계조 8로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 33에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 4 ( =1＋1＋1＋1)로 느끼고, 어느 때는 계조가 5 (= 1＋1＋1＋1＋1)로 느낀다. 본래는, 계조가 7과 8로 보여야 하지만, 계조가 4나 5로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 오차 확산이나 디더(dither) 확산 등의 화상 처리 기술을 이용하여, 보다 많은 계조를 표현하여도 좋다.
또한, 도 32에 나타낸 예에서는, 각 서브화소의 면적을 모두 동일하게 하고, 또한, 각 서브프레임의 점등 기간의 길이를 모두 동일하게 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 하나의 화소를, 각 서브화소의 면적비가 1 : 2가 되도록 2개의 서브화소(SP1, SP2)로 분할함과 동시에, 1 프레임을, 각 서브프레임의 점등 기간의 길이가 모두 동일한 8개의 서브프레임(SF1∼SF8)으로 분할한 경우에 대하여 설명한다. 이 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 34에 나타낸다.
여기서, 각 서브화소의 면적을 SP1 = 1, SP2 = 2, 각 서브프레임의 점등 기간을, SF1 = SF2 = SF3 = SF4 = SF5 = SF6 = SF7 = SF8 = 1로 한다.
또한, 각 서브화소에서 모든 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하고 있는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 34에 나타낸 예의 경우, SP1은, 계조 1 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF1에서 점등하고, 계조 4 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF2에서 점등하고, 계조 7 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF3에서 점등하고, 계조 10 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF4에서 점등하고, 계조 13 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF5에서 점등하고, 계조 16 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF6에서 점등하고, 계조 19 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF7에서 점등하고, 계조 22 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF8에서 점등한다. SP2에 대해서도 마찬가지이다.
이상과 같이, 각 서브프레임에서 점등시키는 서브화소를 선택함으로써, 계조 0으로부터 계조 24 중 17개의 계조를 표현할 수 있다. 또한, 계조 0으로부터 계조 24 중에서 표현할 수 없었던 나머지의 계조는 오차 확산이나 디더 확산 등의 화상 처리 기술을 이용하여 표현한다. 이것에 의해, 계조 0으로부터 계조 24의 25 계조를 표현할 수 있다.
도 34에 나타낸 구동방법을 사용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다. 예를 들어, 도 34에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용하여, 화소 A에서는 계조 15를 표시하고, 화소 B에서는 계조 16으로 표시하고 있는 것으로 한다. 그 경우의 각 서브프레임에서의 각 서브화소의 점등·비점등 상태를 도 35에 나타낸다. 예를 들어, 시선이 움직였다고 하면, 시선이 가는 쪽에 따라, 어느 때는 계조가 10 (= 2＋2＋2＋1＋1＋2)으로 느끼고, 어느 때는, 계 조가 11 (= 1＋2＋2＋2＋2＋1＋1)로 느낀다. 본래는, 계조가 15와 16으로 보여야 하지만, 계조가 10이나 11로 보이게 되어, 의사 윤곽이 발생하게 된다. 그러나, 계조의 차이가 종래의 구동방법보다 작아지기 때문에, 의사 윤곽이 저감된다.
또한, 오차 확산이나 디더 확산 등의 화상 처리 기술을 이용하여, 보다 많은 계조를 표현하여도 좋다.
또한, 다른 예로서, 하나의 화소를, 각 서브화소의 면적비가 1 : 2가 되도록 2개의 서브화소(SP1, SP2)로 분할함과 동시에, 1 프레임을, 각 서브프레임의 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개의 서브프레임(SF1∼SF3)으로 분할하고, 또한, 3개의 서브프레임(SF1∼SF3) 중 2개의 서브프레임을 더 복수의 서브프레임으로 분할한 경우에 대하여 설명한다. 이 경우의 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 도 36에 나타낸다. 또한, 도 36에 나타낸 예에서는, 복수의 서브프레임으로 분할하는 서브프레임을 SF2, SF3으로 하고 있다.
여기서, 각 서브화소의 면적을 SP1 = 1, SP2 = 2, 각 서브프레임의 점등 기간을 SF1 = 1, SF2 = 4, SF3 = 16으로 한다.
도 36에 나타낸 예는, SF2를 2개의 서브프레임으로 분할하고, SF3을 4개의 서브프레임으로 분할하는 경우를 나타내고 있다. 예를 들어, 점등 기간 4를 가지는 SF2를, 점등 기간 2를 가지는 2개의 서브프레임 SF21, SF22로 분할한다. 또한, 점등 기간 16을 가지는 SF3을, 점등 기간 4를 가지는 4개의 서브프레임 SF31, SF32, SF33, SF34로 분할한다.
이것에 의해, 1 프레임은 7개의 서브프레임으로 분할되고, 각 서브프레임의 점등 기간은 SF1 = 1, SF21 = 2, SF22 = 2, SF31 = 4, SF32 = 4, SF33 = 4, SF34 = 4가 된다.
또한, 각 서브화소에서, 모든 서브프레임에 대하여 중합 시간 계조 방식을 적용한다. 즉, 계조가 커짐에 따라, 점등하는 서브프레임이 연속적으로 증가해 가도록 하고, 작은 계조에서 점등하는 서브프레임을 큰 계조에서도 점등한 채로 한다.
도 36에 나타낸 예의 경우, SP1은, 계조 1 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF1에서 점등하고, 계조 5 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF21에서 점등하고, 계조 11 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF22에서 점등하고, 계조 19 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF31에서 점등하고, 계조 31 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF32에서 점등하고, 계조 43 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF33에서 점등하고, 계조 55 이상의 계조를 표현하는 경우는 항상 SF34로 점등한다. SP2에 대해서도 마찬가지이다.
이상과 같이, 각 서브프레임에서 점등시키는 서브화소를 선택함으로써, 계조 0으로부터 계조 63 중 17개의 계조를 표현할 수 있다. 또한, 계조 0으로부터 계조 63 중에서 표현할 수 없었던 나머지의 계조는 오차 확산이나 디더 확산 등의 화상 처리 기술을 이용하여 표현한다. 이것에 의해, 계조 0으로부터 계조 63의 64 계조를 표현할 수 있다.
또한, 오차 확산이나 디더 확산 등의 화상 처리 기술을 이용하여, 보다 많은 계조를 표현해도 좋다.
이와 같이, 본 실시형태의 구동방법을 이용하면, 종래의 구동방법보다 의사 윤곽을 저감시킬 수가 있다.
또한, 도 32나 도 34에 나타낸 예와 마찬가지로, 모든 서브프레임의 점등 기간의 길이를 동일하게 하면, 모든 서브프레임에서 소거 동작을 행할 필요가 없어지기 때문에, 소거 동작을 행하기 위해 소비되는 전력을 없앨 수 있다. 또한, 듀티비를 향상시킬 수가 있어 휘도를 높일 수가 있다. 또한, 듀티비의 향상에 의해, 발광소자에 걸리는 전압을 작게 할 수 있다. 따라서, 소비전력을 저감할 수 있고, 발광소자의 열화도 줄일 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 설명한 내용은 실시형태 1∼실시형태 2에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 4]
본 실시형태에서는, 본 발명의 표시장치의 동작에 대하여 타이밍 차트를 사용하여 설명한다.
또한, 본 실시형태에서는, 하나의 화소를, 각 서브화소의 면적비가 1 : 2가 되도록 2개의 서브화소(SP1, SP2)로 분할함과 동시에, 1 프레임을, 각 서브프레임의 점등 기간의 비율이 1 : 4 : 16이 되도록 3개의 서브프레임(SF1, SF2, SF3)으로 분할하고, 또한, 3개의 서브프레임(SF1∼SF3) 중 하나의 서브프레임을 2개의 서브프레임으로 분할한 경우를 예로 들어 설명한다. 구체적인 예로서, 도 1에 나타낸 서브화소 및 서브프레임의 선택 방법을 사용한 경우를 예로 들어 설명한다.
먼저, 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등하는 기간이 분리되어 있는 경우 의 타이밍 차트를 도 37에 나타낸다.
또한, 타이밍 차트란, 1 프레임에서의 화소의 발광의 타이밍을 나타내는 도면이고, 횡 방향은 시간, 종 방향은 화소가 배치되어 있는 행(行)을 나타내고 있다.
먼저, 신호 기입 기간에서, 1 화면분의 신호를 전화소에 입력한다. 이 동안은 화소는 점등하지 않는다. 신호 기입 기간이 종료한 후, 점등 기간이 시작되어, 화소가 점등한다. 그 때의 점등 기간의 길이는 1이다. 다음에, 다음의 서브프레임이 시작되고, 신호 기입 기간에서, 1 화면분의 신호를 전화소에 입력한다. 이 동안은 화소는 점등하지 않는다. 신호 기입 기간이 종료한 후, 점등 기간이 시작되고, 화소가 점등한다. 그 때의 점등 기간의 길이는 4이다.
마찬가지의 것을 반복함으로써, 점등 기간의 길이가 1, 4, 8, 8이라는 순서로 배치된다.
이와 같이, 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등하는 기간이 분리되어 있는 구동방법은 플라즈마 디스플레이에 적용하는 것이 적합하다. 또한, 플라즈마 디스플레이에 사용하는 경우에는, 초기화의 동작 등이 필요하게 된다. 그러나, 도 37에서는, 간단하게 하기 위해, 생략하고 있다.
또한, 이 구동방법은 EL 디스플레이(유기 EL 디스플레이, 무기 EL 디스플레이 또는 무기와 유기를 포함하는 소자로 이루어지는 디스플레이 등)나 필드 에미션 디스플레이나 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)를 사용한 디스플레이 등에 적용하는 것도 적합하다.
여기서, 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등하는 기간이 분리되어 있는 구동방법을 실현하기 위한 화소 구성을 도 38에 나타낸다. 또한, 도 38에서는, 각 서브화소의 면적을 발광소자의 개수로 표현하고 있다. 따라서, 서브화소 1(SP1)에는 발광소자를 1개, 서브화소 2(SP2)에는 발광소자를 2개 기재하고 있다.
먼저, 도 38에 나타낸 화소의 구성에 대하여 설명한다. SP1은 제1 선택 트랜지스터(3811), 제1 구동 트랜지스터(3813), 제1 보유 용량(3812), 신호선(3815), 제1 전원선(3816), 제1 주사선(3817), 제1 발광소자(3814), 제2 전원선(3818)을 가진다.
제1 선택 트랜지스터(3811)는, 그의 게이트 전극이 제1 주사선(3817)에 접속되고, 제1 전극이 신호선(3815)에 접속되고, 제2 전극이 제1 보유 용량(3812)의 제2 전극 및 제1 구동 트랜지스터(3813)의 게이트 전극과 접속된다. 제1 보유 용량(3812)은, 그의 제1 전극이 제1 전원선(3816)에 접속된다. 제1 구동 트랜지스터(3813)는, 그의 제1 전극이 제1 전원선(3816)에 접속되고, 제2 전극이 제1 발광소자(3814)의 제1 전극에 접속된다. 제1 발광소자(3814)는, 그의 제2 전극이 제2 전원선(3818)에 접속된다.
SP2는 제2 선택 트랜지스터(3821), 제2 구동 트랜지스터(3823), 제2 보유 용량(3822), 신호선(3815), 제1 전원선(3816), 제2 주사선(3827), 제2 발광소자(3824), 제3 전원선(3828)을 가진다. 또한, SP2의 각 소자 및 배선의 접속은 SP1과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
다음에, 도 38에 나타낸 화소의 동작에 대하여 설명한다. 여기서는, SP1의 동작에 대하여 설명한다. 제1 주사선(3817)의 전위를 높게 함으로써, 제1 주사선(3817)을 선택하고, 제1 선택 트랜지스터(3811)를 온(on) 상태로 하여, 신호선(3815)으로부터 신호를 제1 보유 용량(3812)에 입력한다. 그러면, 그 신호에 따라, 제1 구동 트랜지스터(3813)의 전류가 제어되고, 제1 전원선(3816)으로부터 제1 발광소자(3814)에 전류가 흐른다. 또한, SP2의 동작에 대해서는, SP1의 동작과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
이때, 제1 및 제2 주사선 중 어느 주사선을 선택할지에 따라, 발광하는 발광소자의 개수가 변화한다. 예를 들어, 제1 주사선(3817)만을 선택한 경우는 제1 선택 트랜지스터(3811)만이 온 상태가 되고, 제1 구동 트랜지스터(3813)만의 전류가 제어되기 때문에, 제1 발광소자(3814)만이 발광한다. 즉, SP1만이 발광한다. 한편, 제 2의 주사선(3827)만을 선택한 경우는, 제2 선택 트랜지스터(3821)만이 온 상태가 되고, 제2 구동 트랜지스터(3823)만의 전류가 제어되기 때문에, 제2 발광소자(3824)만이 발광한다. 즉, SP2만이 발광한다. 또한, 제1 및 제2 주사선(3817, 3827) 모두를 선택하면, 제1 및 제2 선택 트랜지스터(3811, 3821)가 온 상태가 되고 제1 및 제2 구동 트랜지스터(3813, 3823)의 전류가 제어되기 때문에, 제1 및 제2 발광소자(3814, 3824) 모두가 발광한다. 즉, SP1과 SP2 모두가 발광한다.
또한, 신호 기입 기간에서는, 제2 및 제3 전원선(3818, 3828)의 전위를 제어함으로써, 발광소자(3814, 3824)에 전압이 가해지지 않게 해 둔다. 예를 들어, SP1의 경우, 제2 전원선(3818)을 플로팅으로 하면 좋다. 또는, 제2 전원선(3818)의 전위를 신호선(3815)의 전위보다 제1 구동 트랜지스터(3813)의 스레시홀드 전압 분만큼 낮게 하면 좋다. 또한, 제2 전원선(3818)의 전위를 신호선(3815)의 전위와 동일한 정도, 또는 그것보다 높게 해도 좋다. 그 결과, 신호 기입 기간에서, 발광소자(3814)가 점등하는 것을 피할 수가 있다. 또한, SP2에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 제2 전원선(3818)과 제3 전원선(3828)은 각각 다른 배선이어도 좋고, 공통의 배선이어도 좋다.
또한, 하나의 화소를 m개(m은 m≥2의 정수)의 서브화소로 분할하는 경우, 도 38에 나타낸 화소 구성을 실현하기 위해서는, 하나의 화소가 가지는 주사선의 개수를 2개 이상 m개 이하로 하고, m개의 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소가 가지는 선택 트랜지스터를, 다른 서브화소가 가지는 선택 트랜지스터와 다른 주사선에 접속하면 된다.
또한, 도 38은 주사선을 복수 마련하고, 어느 주사선을 선택할지를 제어하여, 발광시키는 발광소자의 개수를 바꿈으로써, 계조를 표현하는 경우의 구성예이었지만, 신호선을 복수 마련하고, 어느 신호선에 어떠한 신호를 입력할지를 제어하여, 발광시키는 발광소자의 개수를 바꿈으로써, 계조를 표현하는 것도 가능하다. 이 경우의 구성예를 도 39에 나타낸다.
먼저, 도 39에 나타낸 화소의 구성에 대하여 설명한다. SP1은 제1 선택 트랜지스터(3911), 제1 구동 트랜지스터(3913), 제1 보유 용량(3912), 제1 신호선(3915), 제1 전원선(3916), 주사선(3917), 제1 발광소자(3914), 제2 전원선(3918)을 가진다.
제1 선택 트랜지스터(3911)는, 그의 게이트 전극이 주사선(3917)에 접속되고, 제1 전극이 제1 신호선(3915)에 접속되고, 제2 전극이 제1 보유 용량(3912)의 제2 전극 및 제1 구동 트랜지스터(3913)의 게이트 전극에 접속된다. 제1 보유 용량(3912)은, 그의 제1 전극이 제1 전원선(3916)에 접속된다. 제1 구동 트랜지스터(3913)는, 그의 제1 전극이 제1 전원선(3916)에 접속되고, 제2 전극이 제1 발광소자(3914)의 제1 전극에 접속된다. 제1 발광소자(3914)는, 그의 제2 전극이 제2 전원선(3918)에 접속된다.
SP2는 제2 선택 트랜지스터(3921), 제2 구동 트랜지스터(3923), 제2 보유 용령(3922), 제2 신호선(3925), 제1 전원선(3916), 주사선(3927), 제2 발광소자(3924), 제3 전원선(3928)을 가진다. SP2의 각 소자 및 배선의 접속은 SP1과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
다음에, 도 39에 나타낸 화소의 동작에 대하여 설명한다. 여기서는, SP1의 동작에 대하여 설명한다. 주사선(3917)의 전위를 높게 함으로써, 주사선(3917)을 선택하고, 제1 선택 트랜지스터(3911)를 온 상태로 하고, 제1 신호선(3915)으로부터 비디오 신호를 제1 보유 용량(3912)에 입력한다. 그러면, 그 비디오 신호에 따라, 제1 구동 트랜지스터(3913)의 전류가 제어되어 제1 전원선(3916)으로부터 제1 발광소자(3914)에 전류가 흐른다. 또한, SP2의 동작에 대해서는, SP1의 동작과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
이때, 제1 및 제2 신호선에 입력하는 비디오 신호에 따라, 발광하는 발광소자의 개수가 변화한다. 예를 들어, 제1 신호선(3915)에 Low의 신호를 입력하고, 제2 신호선(3925)에 High의 신호를 입력하면, 제1 구동 트랜지스터(3913)만이 온 상태가 되기 때문에, 제1 발광소자(3914)만이 발광한다. 즉, SP1만이 발광한다. 한편, 제 1 신호선(3915)에 High의 신호를 입력하고, 제2 신호선(3925)에 Low의 신호를 입력하면, 제2 구동 트랜지스터(3923)만이 온 상태가 되기 때문에, 제2 발광소자(3924)만이 발광한다. 즉, SP2만이 발광한다. 또한, 제1 및 제2 신호선(3915, 3925)에 Low의 신호를 입력하면, 제1 및 제2 구동 트랜지스터(3913, 3923)가 모두 온 상태가 되기 때문에, 제1 및 제2 발광소자(3914, 3924)가 발광한다. 즉, SP1과 SP2 모두가 발광한다.
여기서, 제1 및 제2 신호선(3915, 3925)에 입력하는 비디오 신호의 전압을 제어함으로써, 제1 및 제2 발광소자(3914, 3924)에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. 그 결과, 각 서브화소의 휘도를 바꿀 수가 있어 계조를 표현할 수 있다. 예를 들어, 점등 기간 1을 가지는 SF1에서, 면적 1을 가지는 SP1이 점등한 경우, 발광 강도는 1이지만, 제1 신호선(3915)에 입력하는 비디오 신호의 전압의 크기를 바꿈으로써, 제1 발광소자(3914)의 휘도를 바꿀 수 있다. 이것에 의해, 서브화소의 면적 및 서브프레임의 점등 기간의 길이를 사용하여 표현할 수 있는 계조수보다 더욱 많은 계조를 표현할 수 있다. 또한, 서브화소의 면적 및 서브프레임의 점등 기간의 길이에 더하여, 각 서브화소가 가지는 발광소자에 인가하는 전압에 의해 계조를 표현함으로써, 같은 계조수를 표현하는데 필요한 서브화소의 개수 및 서브프레임수를 보다 적게 할 수 있다. 이것에 의해, 화소부의 개구율을 높일 수가 있다. 또한, 듀티비를 향상시킬 수가 있어 휘도를 높일 수가 있다. 또한, 듀티비의 향상에 의 해, 발광소자에 걸리는 전압을 작게 할 수 있다. 따라서, 소비전력을 저감할 수 있고, 발광소자의 열화도 줄일 수가 있다.
또한, 하나의 화소를 m개(m는 m≥2의 정수)의 서브화소로 분할하는 경우, 도 39에 나타낸 화소 구성을 실현하기 위해서는, 하나의 화소가 가지는 신호선의 개수를 2개 이상 m개 이하로 하고, m개의 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소가 가지는 선택 트랜지스터를, 다른 서브화소가 가지는 선택 트랜지스터와 다른 신호선에 접속하면 된다.
또한, 도 38 및 도 39에서는, 각 서브화소에는 공통의 전원선(제1 전원선(3816, 3916))이 접속되어 있었지만, 도 38 및 도 39에서의 제1 전원선에 상당하는 전원선을 복수 마련하여, 서브화소에 가하는 전원 전압을 바꾸어도 좋다. 예를 들어, 도 38에서, 제1 전원선에 상당하는 전원선을 2개로 한 경우의 구성예를 도 40에 나타낸다.
먼저, 도 40에 나타낸 화소의 구성에 대하여 설명한다. SP1은 제1 선택 트랜지스터(4011), 제1 구동 트랜지스터(4013), 제1 보유 용량(4012), 신호선(4015), 제1 전원선(4016), 제1 주사선(4017), 제1 발광소자(4014), 제2 전원선(4018)을 가진다.
제1 선택 트랜지스터(4011)는, 그의 게이트 전극이 제1 주사선(4017)에 접속되고, 제1 전극이 신호선(4015)에 접속되고, 제2 전극이 제1 보유 용량(4012)의 제2 전극 및 제1 구동 트랜지스터(4013)의 게이트 전극에 접속된다. 제1 보유 용량(4012)은, 그의 제1 전극이 제1 전원선(4016)에 접속된다. 제1 구동 트랜지스 터(4013)는, 그의 제1 전극이 제1 전원선(4016)에 접속되고, 제2 전극이 제1 발광소자(4014)의 제1 전극에 접속된다. 제1 발광소자(4014)는, 그의 제2 전극이 제2 전원선(4018)에 접속된다.
SP2는 제2 선택 트랜지스터(4021), 제2 구동 트랜지스터(4023), 제2 보유 용량(4022), 신호선(4015), 제2 주사선(4027), 제2 발광소자(4024), 제3 전원선(4028), 제4 전원선(4026)을 가진다. 또한, SP2의 각 소자 및 배선의 접속은 SP1과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
여기서, 제1 및 제4 전원선(4016, 4026)에 인가하는 전압을 제어함으로써, 제1 및 제2 발광소자(4014, 4024)에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. 그 결과, 각 서브화소의 휘도를 바꿀 수가 있고, 계조를 표현할 수 있다. 예를 들어, 점등 기간 1을 가지는 SF1에서, 면적 1을 가지는 SP1이 점등한 경우, 발광 강도는 1이지만, 제1 전원선(4016)에 인가하는 전압의 크기를 바꿈으로써, 제1 발광소자(4014)의 휘도를 바꿀 수 있다. 이것에 의해, 서브화소의 면적 및 서브프레임의 점등 기간의 길이를 사용하여 표현할 수 있는 계조수보다 더욱 많은 계조를 표현할 수 있다. 또한, 서브화소의 면적 및 서브프레임의 점등 기간의 길이에 더하여, 각 서브화소가 가지는 발광소자에 인가하는 전압에 의해 계조를 표현함으로써, 같은 계조수를 표현하는데 필요한 서브화소의 개수 및 서브프레임수를 보다 적게 할 수 있다. 이것에 의해, 화소부의 개구율을 높일 수가 있다. 또한, 듀티비를 향상시킬 수 있어 휘도를 높일 수가 있다. 또한, 듀티비의 향상에 의해, 발광소자에 걸리는 전압을 작게 할 수 있다. 따라서, 소비전력을 저감할 수 있고, 발광소자의 열화도 줄일 수가 있다.
또한, 하나의 화소를 m개(m는 m≥2의 정수)의 서브화소로 분할하는 경우, 도 40에 나타낸 화소 구성을 실현하기 위해서는, 하나의 화소가 가지는 도 38 및 도 39에서의 제1 전원선에 상당하는 전원선의 개수를 2개 이상 m개 이하로 하고, m개의 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소가 가지는 구동 트랜지스터를, 다른 서브화소가 가지는 구동 트랜지스터와 다른 전원선에 접속하면 된다.
다음에, 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등하는 기간이 분리되어 있지 않은 경우의 타이밍 차트를 도 41에 나타낸다. 각 행에서 신호 기입 동작을 행하면, 바로 점등 기간이 개시된다.
어느 행에서, 신호를 기입하고, 소정의 점등 기간이 종료한 후, 다음의 서브프레임에서의 신호의 기입 동작을 개시한다. 이것을 반복함으로써, 점등 기간의 길이가 1, 4, 8, 8이라는 순서로 배치된다.
이와 같이 함으로써, 신호의 기입 동작이 늦어도, 1 프레임 내에 복수의 서브프레임을 배치하는 것이 가능하게 된다.
이와 같은 구동방법은 플라즈마 디스플레이에 적용하는 것이 적합하다. 또한, 플라즈마 디스플레이에 사용하는 경우는, 초기화의 동작 등이 필요하게 되지만, 도 41에서는 간단하게 하기 위해 생략하고 있다.
또한, 이 구동방법은 EL 디스플레이나 필드 에미션 디스플레이나 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)를 사용한 디스플레이 등에 적용하는 것도 적합하다.
여기서, 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등하는 기간이 분리되어 있지 않은 구동방법을 실현하기 위한 화소 구성을 도 42에 나타낸다. 또한, 이러한 구동방법을 실현하기 위해서는, 동시에 복수의 행을 선택하는 것이 가능하지 않으면 안 된다.
먼저, 도 42에 나타낸 화소의 구성에 대하여 설명한다. SP1은 제1 선택 트랜지스터(4211), 제2 선택 트랜지스터(4221), 제1 구동 트랜지스터(4213), 제1 보유 용량(4212), 제1 신호선(4215), 제2 신호선(4225), 제1 전원선(4216), 제1 주사선(4217), 제2 주사선(4227), 제1 발광소자(4214), 제2 전원선(4218)을 가진다.
제1 선택 트랜지스터(4211)는, 그의 게이트 전극이 제1 주사선(4217)에 접속되고, 제1 전극이 제1 신호선(4215)에 접속되고, 제2 전극이 제2 선택 트랜지스터(4221)의 제2 전극 및 제1 보유 용량(4212)의 제2 전극 및 제1 구동 트랜지스터(4213)의 게이트 전극에 접속된다. 제2 선택 트랜지스터(4221)는, 그의 게이트 전극이 제2 주사선(4227)에 접속되고, 제1 전극이 제2 신호선(4225)에 접속된다. 제1 보유 용량(4212)은, 그의 제1 전극이 제1 전원선(4216)에 접속된다. 제1 구동 트랜지스터(4213)는, 그의 제1 전극이 제1 전원선(4216)에 접속되고, 제2 전극이 제1 발광소자(4214)의 제1 전극에 접속된다. 제1 발광소자(4214)는, 그의 제2 전극이 제2 전원선(4218)에 접속된다.
SP2는 제3 선택 트랜지스터(4231), 제4 선택 트랜지스터(4241), 제2 구동 트랜지스터(4223), 제2 보유 용량(4222), 제1 신호선(4215), 제2 신호선(4225), 제1 전원선(4216), 제3 주사선(4237), 제4 주사선(4247), 제2 발광소자(4224), 제3 전원선(4228)을 가진다. SP2의 각 소자 및 배선의 접속은 SP1과 마찬가지이므로, 설 명을 생략한다.
다음에, 도 42에 나타낸 화소의 동작에 대하여 설명한다. 여기서는, SP1의 동작에 대하여 설명한다. 제1 주사선(4217)의 전위를 높게 함으로써, 제1 주사선(4217)을 선택하여, 제1 선택 트랜지스터(4211)를 온 상태로 하여, 제1 신호선(4215)으로부터 신호를 제1 보유 용량(4212)에 입력한다. 그러면, 그 신호에 따라, 제1 구동 트랜지스터(4213)의 전류가 제어되어, 제1 전원선(4216)으로부터 제1 발광소자(4214)에 전류가 흐른다. 마찬가지로, 제2 주사선(4227)의 전위를 높게 함으로써, 제2 주사선(4227)을 선택하여, 제2 선택 트랜지스터(4221)를 온 상태로 하여, 제2 신호선(4225)으로부터 신호를 제1 보유 용량(4212)에 입력한다. 그러면, 그 신호에 따라, 제1 구동 트랜지스터(4213)의 전류가 제어되어, 제1 전원선(4216)으로부터 제1 발광소자(4214)에 전류가 흐른다. 또한, SP2의 동작에 대해서는, SP1의 동작과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
제1 주사선(4217)과 제2 주사선(4227)은 따로따로 제어할 수 있다. 마찬가지로, 제3 주사선(4237)과 제4 주사선(4247)은 따로따로 제어할 수 있다. 또한, 제1 신호선(4215)과 제2 신호선(4225)은 따로따로 제어할 수 있다. 따라서, 동시에 2행분의 화소에 신호를 입력하는 것이 가능하기 때문에, 도 41과 같은 구동방법을 실현할 수 있다.
또한, 도 38의 화소 구성을 사용하여, 도 41과 같은 구동방법을 실현하는 것도 가능하다. 이때, 1 게이트 선택 기간을 복수의 서브게이트 선택 기간으로 분할하는 방법을 이용한다. 먼저, 도 43에 나타내는 바와 같이, 1 게이트 선택 기간을 복수(도 43에서는 2개)의 서브게이트 선택 기간으로 분할한다. 그리고, 각 서브게이트 선택 기간 내에서, 각각의 주사선의 전위를 높게 함으로써, 각각의 주사선을 선택하고, 그때에 대응하는 신호를 신호선(3815)에 입력한다. 예를 들어, 어느 1 게이트 선택 기간에서, 전반(前半)의 서브게이트 선택 기간에서는 i번째행을 선택하고, 후반의 서브게이트 선택 기간에서는 j번째행을 선택한다. 그러면, 1 게이트 선택 기간에서, 마치 동시에 2행분을 선택한 것과 같이 동작시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 이와 같은 구동방법의 상세한 것에 대하여는, 예를 들어, 일본국 공개특허공고 2001-324958호 공보 등에 기재되어 있고, 그 내용을 본원과 조합하여 적용할 수 있다.
또한, 도 42에서는, 주사선을 복수 마련한 예를 나타내었지만, 신호선을 1개로 하고, 제1∼제4 선택 트랜지스터의 제1 전극을 신호선에 접속하여도 좋다. 또한, 도 42에서의 제1 전원선에 상당하는 전원선을 복수 마련하여도 좋다.
다음에, 화소의 신호를 소거하는 동작을 행하는 경우의 타이밍 차트를 도 44에 나타낸다. 각 행에서, 신호 기입 동작을 행하고, 다음의 신호 기입 동작이 오기 전에 화소의 신호를 소거한다. 이와 같이 함으로써, 점등 기간의 길이를 용이하게 제어할 수 있게 된다.
어느 행에서, 신호를 기입하고, 소정의 점등 기간이 종료한 후, 다음의 서브프레임에서의 신호의 기입 동작을 개시한다. 만약, 점등 기간이 짧은 경우는, 신호 소거 동작을 행하여, 강제적으로 비점등 상태로 한다. 이러한 것을 반복함으로 써, 점등 기간의 길이가 1, 4, 8, 8이라는 순서로 배치된다.
또한, 도 44에서는, 점등 기간이 1과 4인 경우에 있어서, 신호 소거 동작을 행하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 다른 점등 기간에 있어서도, 소거 동작을 행하여도 좋다.
이와 같이 함으로써, 신호의 기입 동작이 늦어도, 1 프레임 내에 복수의 서브프레임을 배치하는 것이 가능하게 된다. 또한, 소거 동작을 행하는 경우는, 소거용 데이터를 비디오 신호와 마찬가지로 취득할 필요가 없기 때문에, 신호선 구동회로의 구동 주파수도 저감할 수 있다.
이와 같은 구동방법은 플라즈마 디스플레이에 적용하는 것이 적합하다. 또한, 플라즈마 디스플레이에 이용하는 경우는 초기화의 동작 등이 필요하게 되지만, 도 44에서는, 간단하게 하기 위해, 생략하고 있다.
또한, 이 구동방법은 EL디스플레이나 필드 에미션 디스플레이나 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)를 이용한 디스플레이 등에 적용하는 것도 적합하다.
여기서, 소거 동작을 행하는 경우의 화소 구성을 도 45에 나타낸다. 도 45에 나타내는 화소는 소거 트랜지스터를 사용하여 소거 동작을 행하는 경우의 구성예이다.
먼저, 도 45에 나타낸 화소의 구성에 대하여 설명한다. SP1은 제1 선택 트랜지스터(4511), 제1 구동 트랜지스터(4513), 제1 소거 트랜지스터(4519), 제1 보유 용량(4512), 신호선(4515), 제1 전원선(4516), 제1 주사선(4517), 제2 주사선(4527), 제1 발광소자(4514), 제2 전원선(4518)을 가진다.
제1 선택 트랜지스터(4511)는, 그의 게이트 전극이 제1 주사선(4517)에 접속되고, 제1 전극이 신호선(4515)에 접속되고, 제2 전극이 제1 소거 트랜지스터(4519)의 제2 전극 및 제1 보유 용량(4512)의 제2 전극 및 제1 구동 트랜지스터(4513)의 게이트 전극에 접속된다. 제1 소거 트랜지스터(4519)는, 그의 게이트 전극이 제2 주사선(4527)에 접속되고, 제1 전극이 제1 전원선(4516)에 접속된다. 제1 보유 용량(4512)은, 그의 제1 전극이 제1 전원선(4516)에 접속된다. 제1 구동 트랜지스터(4513)는, 그의 제1 전극이 제1 전원선(4516)에 접속되고, 제2 전극이 제1 발광소자(4514)의 제1 전극에 접속된다. 제1 발광소자(4514)는, 그의 제2 전극이 제2 전원선(4518)에 접속된다.
SP2는 제2 선택 트랜지스터(4521), 제2 구동 트랜지스터(4523), 제2 소거 트랜지스터(4529), 제2 보유 용량(4522), 신호선(4515), 제1 전원선(4516), 제3 주사선(4537), 제4 주사선(4547), 제2 발광소자(4524), 제3 전원선(4528)을 가진다. SP2의 각 소자 및 배선의 접속은 SP1과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
다음에, 도 45에 나타낸 화소의 동작에 대하여 설명한다. 여기서는, SP1의 동작에 대하여 설명한다. 제1 주사선(4517)의 전위를 높게 함으로써, 제1 주사선(4517)을 선택하여, 제1 선택 트랜지스터(4511)를 온 상태로 하여, 신호선(4515)으로부터 신호를 제1 보유 용량(4512)에 입력한다. 그러면, 그 신호에 따라, 제1 구동 트랜지스터(4513)의 전류가 제어되어, 제1 전원선(4516)으로부터 제1 발광소자(4514)에 전류가 흐른다.
신호를 소거하고자 하는 경우는, 제2 주사선(4527)의 전위를 높게 함으로써, 제2 주사선(4527)을 선택하여, 제1 소거 트랜지스터(4519)를 온 상태로 하여, 제1 구동 트랜지스터(4513)가 오프 상태가 되도록 한다. 그러면, 제1 발광소자(4514)에는 전류가 흐르지 않게 된다. 그 결과, 비점등 기간을 만들 수가 있어, 점등 기간의 길이를 자유롭게 제어할 수 있게 된다.
또한, SP2의 동작은 SP1의 동작과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
도 45에서는, 소거 트랜지스터(4519, 4529)를 사용하여 소거 동작을 행하였지만, 다른 방법을 사용할 수도 있다. 왜냐하면, 강제적으로 비점등 기간을 만들면 되므로, 발광소자(4514, 4524)에 전류가 공급되지 않게 하면 되기 때문이다. 따라서, 제1 전원선(4516)으로부터 발광소자(4514, 4524)를 통과하여 제2 및 제3 전원선(4518, 4528)에 전류가 흐르는 경로 중에 스위치를 배치하고, 그 스위치의 온·오프를 제어하여 비점등 기간을 만들면 된다. 또는, 구동 트랜지스터(4513, 4523)의 게이트·소스간 전압을 제어하여, 구동 트랜지스터가 강제적으로 오프가 되도록 하여도 좋다.
여기서, 구동 트랜지스터를 강제적으로 오프로 하는 경우의 화소 구성의 예를 도 46에 나타낸다. 도 46에 나타낸 화소는 소거 다이오드를 사용하여 구동 트랜지스터를 강제적으로 오프로 하는 경우의 구성예이다.
먼저, 도 46에 나타낸 화소의 구성에 대하여 설명한다. SP1은 제1 선택 트랜지스터(4611), 제1 구동 트랜지스터(4613), 제1 보유 용량(4612), 신호선(4615), 제1 전원선(4616), 제1 주사선(4617), 제2 주사선(4627), 제1 발광소자(4614), 제2 전원선(4618), 제1 소거 다이오드(4619)를 가진다.
제1 선택 트랜지스터(4611)는, 그의 게이트 전극이 제1 주사선(4617)에 접속되고, 제1 전극이 신호선(4615)에 접속되고, 제2 전극이 제1 소거 다이오드(4619)의 제2 전극 및 제1 보유 용량(4612)의 제2 전극 및 제1 구동 트랜지스터(4613)의 게이트 전극에 접속된다. 제1 소거 다이오드(4619)는, 그의 제1 전극이 제2 주사선(4627)에 접속된다. 제1 보유 용량(4612)은, 그의 제1 전극이 제1 전원선(4616)에 접속된다. 제1 구동 트랜지스터(4613)는, 그의 제1 전극이 제1 전원선(4616)에 접속되고, 제2 전극이 제1 발광소자(4614)의 제1 전극에 접속된다. 제1 발광소자(4614)는, 그의 제2 전극이 제2 전원선(4618)에 접속된다.
SP2는 제2 선택 트랜지스터(4621), 제2 구동 트랜지스터(4623), 제2 보유 용량(4622), 신호선(4615), 제1 전원선(4616), 제3 주사선(4637), 제4 주사선(4647), 제2 발광소자(4624), 제3 전원선(4628), 제2 소거 다이오드(4629)를 가진다. SP2의 각 소자 및 배선의 접속은 SP1과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
다음에, 도 46에 나타낸 화소의 동작에 대하여 설명한다. 여기서는, SP1의 동작에 대하여 설명한다. 제1 주사선(4617)의 전위를 높게 함으로써, 제1 주사선(4617)을 선택하여, 제1 선택 트랜지스터(4611)를 온 상태로 하여, 신호선(4615)으로부터 신호를 제1 보유 용량(4612)에 입력한다. 그러면, 그 신호에 따라, 제1 구동 트랜지스터(4613)의 전류가 제어되어, 제1 전원선(4616)으로부터 제1 발광소자(4614)에 전류가 흐른다.
신호를 소거하고자 하는 경우에는, 제2 주사선(4627)의 전위를 높게 함으로써, 제2 주사선(4627)을 선택하여, 제1 소거 다이오드(4619)를 온으로 하여, 제2 주사선(4627)으로부터 제1 구동 트랜지스터(4613)의 게이트 전극에 전류가 흐르도록 한다. 그 결과, 제1 구동 트랜지스터(4613)가 오프 상태로 된다. 그러면, 제1 전원선(4616)으로부터 제1 발광소자(4614)에 전류가 흐르지 않게 된다. 그 결과, 비점등 기간을 만들 수가 있고, 점등 기간의 길이를 자유롭게 제어할 수 있게 된다.
신호를 보유해 두고자 하는 경우에는, 제2 주사선(4627)의 전위를 낮게 함으로써, 제2 주사선(4627)을 비선택으로 해 둔다. 그러면, 제1 소거 다이오드(4619)가 오프로 되므로, 제1 구동 트랜지스터(4613)의 게이트 전위는 보유된다.
또한, SP2의 동작은 SP1의 동작과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.
또한, 소거 다이오드(4619, 4629)는 정류성이 있는 소자라면 무엇이든지 좋다. PN형 다이오드이어도 좋고, PIN형 다이오드이어도 좋고, 쇼트키형 다이오드이어도 좋고, 제너형 다이오드이어도 좋다.
또한, 다이오드 접속(게이트와 드레인을 접속)된 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 그 경우의 회로도를 도 47에 나타낸다. 제1 및 제2 소거 다이오드(4619, 4629)로서, 다이오드 접속된 트랜지스터(4719, 4729)를 사용하고 있다. 또한, 도 47에서는, 다이오드 접속된 트랜지스터로서 N채널형을 사용하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, P채널형을 이용해도 좋다.
또한, 또 다른 방법으로서, 도 38의 화소 구성을 사용하여 도 44와 같은 구동방법을 실현하는 것도 가능하다. 이 경우, 1 게이트 선택 기간을 복수의 서브게이트 선택 기간으로 분할한다는 방법을 사용한다. 먼저, 도 43에 나타내는 바와 같이, 1 게이트 선택 기간을 복수(도 43에서는 2개)의 서브게이트 선택 기간으로 분할한다. 그리고, 각 서브게이트 선택 기간 내에서, 각각의 주사선의 전위를 높게 함으로써, 각각의 주사선을 선택하고, 그때에 대응하는 신호(비디오 신호와 소거하기 위한 신호)를 신호선(3815)에 입력한다. 예를 들어, i번째행의 화소에는 신호를 기입하고, j번째행의 화소에서는 신호를 소거하는 경우, 어느 1 게이트 선택 기간에서, 전반(前半)의 서브게이트 선택 기간에서는 i번째행을 선택하고, 후반의 서브게이트 선택 기간에서는 j번째행을 선택한다. 그리고, i번째행이 선택되어 있을 때는, i번째행의 화소에 입력해야 할 비디오 신호를 신호선(3815)에 입력한다. 한편, j번째행이 선택되어 있을 때는, j번째행의 화소의 구동 트랜지스터가 오프하도록 하는 신호를 신호선(3815)에 입력한다. 그러면, 1 게이트 선택 기간에서, 마치 동시에 2행분을 선택하여 신호 기입 동작과 신호 소거 동작을 행한 것과 같이 동작시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 이와 같은 구동방법의 상세한 것에 대하여는, 예를 들어, 일본국 공개특허공고 2001-324958호 공보 등에 기재되어 있고, 그 내용을 본원과 조합하여 적용할 수 있다.
또한, 도 45∼도 47에서는, 주사선을 복수 마련한 예를 나타냈지만, 신호선을 복수 마련하여도 좋고, 도 45∼도 47에서의 제1 전원선에 상당하는 전원선을 복수 마련하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 타이밍 차트나 화소 구성이나 구동방법은 일례이고, 이것에 한정되는 것은 아니다. 다양한 타이밍 차트나 화소 구성이나 구동 방법으로 적용하는 것이 가능하다. 또한, 본 실시형태에서 나타낸 화소 구성에서, 트랜지스터의 극성은 이것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 실시형태에서, 1 프레임 내에 점등 기간이나 신호 기입 기간이나 비점등 기간이 배치되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 그 이외의 동작 기간이 배치되어 있어도 좋다. 예를 들어, 발광소자에 가하는 전압을 통상과는 반대의 극성의 것으로 하는 기간, 소위, 역바이어스 기간을 마련하여도 좋다. 역바이어스 기간을 마련함으로써, 발광소자의 신뢰성이 향상하는 경우가 있다.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 화소 구성에서, 보유 용량은 트랜지스터의 기생 용량으로 대용함으로써 생략할 수도 있다.
또한, 본 실시형태로 설명한 내용은 실시형태 1∼실시형태 3에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 5]
본 실시형태에서는, 본 발명의 표시장치에서의 화소의 레이아웃에 대하여 설명한다. 예로서 도 38에 나타낸 화소 구성에 대하여, 그의 레이아웃도를 도 48에 나타낸다. 또한, 도 48 중에 붙인 부호는 도 38에 붙인 부호에 대응하고 있다. 또한, 레이아웃의 방법은 도 48에 한정되는 것은 아니다.
도 48에 나타낸 레이아웃도에서는, 제1 및 제2 선택 트랜지스터(3811, 3821), 제1 및 제2 구동 트랜지스터(3813, 3823), 제1 및 제2 보유 용량(3812, 3822), 제1 발광소자(3814)의 전극(3819) 및 제2 발광소자(3824)의 전극(3829), 신호선(3815), 제1 전원선(3816), 제1 및 제2 주사선(3817, 3827)이 배치되어 있다. 그리고, 제1 발광소자(3814)의 전극(3819)과 제2 발광소자(3824)의 전극(3829)의 면적비는 1 : 2로 되어 있다.
신호선(3815) 및 제1 전원선(3816)은 제2 배선에 의해 형성되고, 제1 및 제2 주사선(3817, 3827)은 제1 배선에 의해 형성되어 있다.
트랜지스터가 탑 게이트 구조인 경우는, 기판, 반도체층, 게이트 절연막, 제1 배선, 층간절연막, 제2 배선의 순으로 막이 구성된다. 또한, 트랜지스터가 보텀 게이트 구조인 경우는, 기판, 제1 배선, 게이트 절연막, 반도체층, 층간절연막, 제2 배선의 순으로 막이 구성된다.
또한, 제1 및 제2 선택 트랜지스터(3811, 3821)와, 제1 및 제2 구동 트랜지스터(3813, 3823)의 구조는 다양한 형태를 취할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극이 2개 이상으로 되어 있는 멀티게이트 구조를 이용하여도 좋다. 멀티게이트 구조로 하면, 채널 영역이 직렬로 접속되는 것과 같은 구성이 되기 때문에, 복수의 트랜지스터가 직렬로 접속된 것과 같은 구성이 된다. 제1 및 제2 구동 트랜지스터(3813, 3823)를 멀티게이트 구조로 한 경우의 레이아웃도를 도 49에 나타낸다. 멀티게이트 구조로 함으로써, 오프 전류를 저감하는 것이나, 트랜지스터의 내압을 향상시켜 신뢰성을 좋게 하는 것이나, 포화 영역에서 동작할 때에 드레인·소스간 전압이 변화하여도, 드레인·소스간 전류가 그다지 변화하지 않고, 플랫(flat)한 특성으로 할 수 있다. 또한, 채널의 상하에 게이트 전극이 배치되어 있는 구조이어도 좋다. 채널의 상하에 게이트 전극이 배치되어 있는 구조로 함으로써, 채널 영역이 증가하기 때문에, 전류값을 크게 하는 것이나, 공핍층이 생기기 쉬워져 S치를 작게 할 수 있다. 채널의 상하에 게이트 전극이 배치되면, 복수의 트랜지스터가 병렬로 접속된 것과 같은 구성이 된다. 또한, 채널 위에 게이트 전극이 배치되어 있는 구조이어도 좋고, 채널 아래에 게이트 전극이 배치되어 있는 구조이어도 좋고, 정(正)스태거 구조이어도 좋고, 역스태거 구조이어도 좋고, 채널 영역이 복수의 영역으로 나누어져 있어도 좋고, 병렬로 접속되어 있어도 좋고, 직렬로 접속되어 있어도 좋다. 또한, 채널(또는 그의 일부)에 소스 전극이나 드레인 전극이 겹쳐 있어도 좋다. 채널(또는 그의 일부)에 소스 전극이나 드레인 전극이 겹쳐 있는 구조로 함으로써, 채널의 일부에 전하가 쌓여, 동작이 불안정하게 되는 것을 막을 수가 있다. 또한, LDD 영역이 있어도 좋다. LDD 영역을 마련함으로써, 오프 전류를 저감하는 것이나, 트랜지스터의 내압을 향상시켜 신뢰성을 좋게 하는 것이나, 포화 영역에서 동작할 때 드레인·소스간 전압이 변화하더라도, 드레인·소스간 전류가 그다지 변화하지 않고, 플랫한 특성으로 할 수 있다.
또한, 배선이나 전극은, 알루미늄(Al), 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 네오디뮴(Nd), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 스칸듐(Sc), 코발트(Co), 아연(Zn), 니오브(Nb), 규소(Si), 인(P), 붕소(B), 비소(As), 갈륨(Ga), 인듐(In), 주석(Sn), 산소(O)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 복수의 원소, 또는, 상기 군에서 선택된 하나 또는 복수의 원소를 성분으로 하는 화합물이나 합금 재료(예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide(ITO)), 인듐 아연 산화물(산화인듐 산화아연이라고도 한다(Indium Zinc Oxide(IZO))), 산화규소를 첨가한 인듐 주석 산화물(본 명세서에서는 "ITSO"라고 칭한다), 산화아연(ZnO), 알루미늄 네오디뮴(Al-Nd), 마그네슘 은(Mg-Ag) 등), 또는, 이들 화합물을 조합한 물질 등으로 형성된다. 또는, 그들과 규소의 화합물(실리사이드)(예를 들어, 규화 알루미늄, 규화 몰리브덴, 니켈 실리사이드 등)이나, 그들과 질소의 화합물(예를 들어, 질화티탄, 질화탄탈, 질화몰리브덴 등)로 형성된다. 또한, 규소(Si)에는, N형 불순물(인 등)이나 P형 불순물(붕소 등)을 많이 함유하고 있어도 좋다. 이들 불순물을 함유함으로써, 도전율이 향상하거나 통상의 도체와 같은 행동을 하므로, 배선이나 전극으로서 이용하기 쉬워지거나 한다. 또한, 규소는 단결정이어도 좋고, 다결정(폴리실리콘)이어도 좋고, 비정질(아모르퍼스 실리콘)이어도 좋다. 단결정 규소나 다결정 규소를 이용함으로써, 저항을 작게 할 수 있다. 비정질 규소를 이용함으로써, 간단한 제조공정으로 만들 수 있다. 또한, 알루미늄이나 은은 도전율이 높기 때문에, 신호 지연을 저감할 수가 있고, 에칭하기 쉽기 때문에, 미세 가공을 행할 수 있다. 또한, 구리는 도전율이 높기 때문에, 신호 지연을 저감할 수 있다. 또한, 몰리브덴은 ITO나 IZO 등의 산화물 반도체나 규소와 접촉하여도 재료가 불량을 일으키는 등의 문제가 생기는 일 없이 제조할 수 있거나, 에칭이 하기 쉽거나, 내열성이 높기 때문에, 바람직하다. 또한, 티탄은 ITO나 IZO 등의 산화물 반도체나 규소와 접촉하여도 재료가 불량을 일으키는 등의 문제가 생기는 일 없이 제조할 수 있거나, 내열성이 높기 때문에, 바람직하다. 또한, 텅스텐은 내열성이 높기 때문에 바람직하다. 또한, 네오디뮴은 내열성이 높기 때문에 바람직하다. 특히, 네오디뮴과 알루미늄과의 합금으로 하면, 내열성이 향상되어, 알루미늄이 힐록을 일으키기 어려워지기 때문에 바람직하다. 또한, 규소는 트랜지스터가 가지는 반도체층과 동시에 형성할 수 있거나, 내열성이 높기 때문에, 바람직하다. 또한, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 산화규소를 첨가한 인듐 주석 산화물(ITSO), 산화아연(ZnO), 규소(Si)는 투광성을 가지고 있기 때문에, 광을 투과시키는 부분 등에 사용할 수가 있기 때문에 바람직하다. 예를 들어, 화소 전극이나 공통 전극으로서 사용할 수가 있다.
또한, 이들이 단층으로 배선이나 전극을 형성하고 있어도 좋고, 다층 구조로 되어 있어도 좋다. 단층 구조로 형성함으로써, 제조 공정을 간략화할 수가 있고, 공정 일수를 적게 할 수 있어, 비용을 저감할 수 있다. 또한, 다층 구조로 함으로써, 각각의 재료의 장점을 살리고, 단점을 저감시켜, 성능이 좋은 배선이나 전극을 형성할 수 있다. 예를 들어, 저항이 낮은 재료(알루미늄 등)를 다층 구조 중에 포함하도록 함으로써, 배선의 저저항화를 도모할 수 있다. 또한, 내열성이 높은 재료를 포함하도록 하면, 예를 들어, 내열성이 약하지만 다른 장점을 가지는 재료를 내열성이 높은 재료 사이에 끼우는 적층 구조로 함으로써, 배선이나 전극 전체적으로 내열성을 높게 할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄을 포함하는 층을 몰리브덴이나 티탄을 포함하는 층 사이에 끼운 형태로 한 적층 구조로 하면 바람직하다. 또한, 다른 재료의 배선이나 전극 등과 직접 접하는 부분이 있는 경우, 서로에 악영향을 미치는 일이 있다. 예를 들어, 한쪽의 재료가 다른 쪽의 재료 안에 들어가 있어, 성질을 바꾸어, 본래의 목적을 할 수 없게 되거나, 제조할 때에 문제가 생겨, 정상적으로 제조할 수 없게 되거나 하는 일이 있다. 그러한 경우, 어느 층을 다른 층 사이에 끼우거나 다른 층으로 덮거나 함으로써, 문제를 해결할 수 있다. 예를 들어, 인듐 주석 산화물(ITO)과 알루미늄을 접촉시키고자 하는 경우에는, 사이에 티탄이나 몰리브덴을 끼우는 것이 바람직하다. 또한, 규소와 알루미늄을 접촉시키고자 하는 경우는, 사이에 티탄이나 몰리브덴을 끼우는 것이 바람직하다.
또한, R(적), G(녹), B(청)의 각 화소에서, 화소의 총 발광면적을 바꾸어도 좋다. 이 경우의 실시예를 도 50에 나타낸다.
도 50에 나타낸 예에서는, 각 화소가 2개의 서브화소로 구성되어 있다. 또한, 신호선(5015), 제1 전원선(5016), 제1 및 제2 주사선(5017, 5027)이 배치되어 있다. 또한, 도 50에서, 각 서브화소의 면적의 크기가 각 서브화소의 발광 면적에 대응하고 있다.
도 50에서는, 화소의 총 발광면적이 큰 순으로 G, R, B로 되어 있다. 이것에 의해, R, G, B의 적절한 색 밸런스를 실현할 수 있어, 보다 고정세한 컬러 표시가 가능하게 된다. 또한, 소비전력을 저감시키거나 발광소자의 수명을 늘리거나 할 수 있다.
또한, R, G, B, W(백) 구성에서, RGB부의 서브화소의 개수와 W부의 서브화소의 개수가 달라도 좋다. 이 경우의 실시예를 도 51에 나타낸다.
도 51에 나타낸 예에서는, RGB부는 2개의 서브화소로 분할되어 있고, W부는 3개의 서브화소로 분할되어 있다. 또한, 신호선(5115), 제1 전원선(5116), 제1 주사선(5117), 제2 주사선(5127), 제3 주사선(5137)이 배치되어 있다.
도 51에 나타낸 바와 같이, RGB부의 서브화소와 W부의 서브화소를 각각 다른 개수로 함으로써, 보다 고정세한 백색 표시가 가능하게 된다.
또한, 본 실시형태에서 설명한 내용은 실시형태 1∼실시형태 4에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 6]
본 실시형태에서는, 표시장치에 있어서의 신호선 구동회로나 주사선 구동회로 등의 구성과 그의 동작에 대하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 하나의 화소를 2개의 서브화소(SP1, SP2)로 분할한 경우를 예로 설명한다.
먼저, 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등하는 기간이 분리되어 있는 경우에 대하여 설명한다. 여기서는, 화소 구성으로서, 도 38에 나타낸 화소 구성을 사용한 경우를 예로 들어 설명한다. 이 경우의 표시장치의 구성예를 도 52에 나타낸다.
도 52에 나타낸 표시장치는, 화소부(5201), 제1 및 제2 주사선 구동회로(5202, 5203), 신호선 구동회로(5204)를 가지고 있고, 제1 주사선 구동회로(5202)와 제1 주사선(3817)이 접속되고, 제2 주사선 구동회로(5203)와 제2 주사선(3827)이 접속되고, 신호선 구동회로(5204)와 신호선(3815)이 접속된다. 또한, 제1 및 제2 주사선과 신호선에 붙인 부호는 도 38에 붙인 부호에 대응하고 있다.
먼저, 주사선 구동회로에 대하여 설명한다. 제1 주사선 구동회로(5202)는 서브화소 1(SP1)에 접속된 제1 주사선(3817)에 순차 선택 신호를 출력하기 위한 회로이다. 또한, 제2 주사선 구동회로(5203)는 서브화소 2(SP2)에 접속된 제2 주사선(3827)에 순차 선택 신호를 출력하기 위한 회로이다. 이것에 의해, SP1과 SP2에 선택 신호가 기입된다. 또한, 일반적으로, 하나의 화소를 m개(m는 m≥2의 정수)의 서브화소로 분할한 경우, m개의 주사선 구동회로를 마련하면 좋다.
여기서, 제1 및 제2 주사선 구동회로(5202, 5203)의 구성예를 도 53에 나타낸다. 제1 및 제2 주사선 구동회로(5202, 5203)는 주로, 시프트 레지스터(5301)나 증폭 회로(5302) 등을 가지고 있다.
다음에, 도 53에 나타낸 제1 및 제2 주사선 구동회로(5202, 5203)의 동작을 간단히 설명한다. 시프트 레지스터(5301)에는, 클록 신호(G-CLK), 스타트 펄스(G-SP), 클록 반전 신호(G-CLKB)가 입력되고, 이들 신호의 타이밍에 따라, 순차로 샘플링 펄스가 출력된다. 출력된 샘플링 펄스는 증폭 회로(5302)에서 증폭되고, 각 주사선으로부터 화소부(5201)에 입력된다.
또한, 증폭 회로(5302)의 구성으로서, 버퍼 회로를 가지고 있어도 좋고, 레벨 시프터 회로를 가지고 있어도 좋다. 또한, 주사선 구동회로에는, 시프트 레지스터(5301)나 증폭 회로(5302) 외에, 펄스폭 제어회로 등이 배치되어도 좋다.
다음에, 신호선 구동회로에 대하여 설명한다. 신호선 구동회로(5204)는 SP1 및 SP2에 접속된 신호선(3815)에 비디오 신호를 순차로 출력하기 위한 회로이다. 신호선 구동회로(5204)로부터 출력된 비디오 신호는 화소부(5201)에 입력된다. 화소부(5201)에서는, 비디오 신호에 따라 화소의 발광 상태를 제어함으로써, 화상을 표시한다.
여기서, 신호선 구동회로(5204)의 구성예를 도 54에 나타낸다. 도 54(A)는 선 순차 구동으로 화소에 신호를 공급하는 경우의 신호선 구동회로(5204)의 일례를 나타내고 있다. 이 경우의 신호선 구동회로(5204)는 주로, 시프트 레지스 터(5401), 제1 래치 회로(5402), 제2 래치 회로(5403), 증폭 회로(5404) 등을 가지고 있다. 또한, 증폭 회로(5404)의 구성으로서 버퍼 회로를 가지고 있어도 좋고, 레벨 시프터 회로를 가지고 있어도 좋고, 디지털 신호를 아날로그로 변환하는 기능을 가지는 회로를 가지고 있어도 좋고, 감마 보정을 행하는 기능을 가지는 회로를 가지고 있어도 좋다.
또한, 화소가 가지고 있는 발광소자에 전류(비디오 신호)를 출력하는 회로, 즉, 전류원 회로를 가지고 있어도 좋다.
다음에, 도 54(A)에 나타낸 신호선 구동회로(5204)의 동작을 간단히 설명한다. 시프트 레지스터(5401)에는, 클록 신호(S-CLK), 스타트 펄스(S-SP), 클록 반전 신호(S-CLKB)가 입력되고, 이들 신호의 타이밍에 따라 순차로 샘플링 펄스가 출력된다.
시프트 레지스터(5401)로부터 출력된 샘플링 펄스는 제1 래치 회로(5402)에 입력된다. 제1 래치 회로(5402)에는, 비디오 신호선으로부터 비디오 신호가 전압(Vdata)으로 입력되고 있고, 샘플링 펄스가 입력되는 타이밍에 따라 각 열에서 비디오 신호를 보유해 간다.
제1 래치 회로(5402)에서, 최종 열까지 비디오 신호의 보유가 완료되면, 수평 귀선 기간 중에 래치 제어선으로부터 래치 신호가 입력되고, 제1 래치 회로(5402)에 보유되어 있던 비디오 신호는 일제히 제2 래치 회로(5403)로 전송된다. 그 후, 제2 래치 회로(5403)에 보유된 비디오 신호는 1행분이 동시에 증폭 회 로(5404)로 입력된다. 그리고, 증폭 회로(5404)에서 비디오 신호 전압(Vdata)의 진폭이 증폭되고, 비디오 신호가 각 신호선으로부터 화소부(5201)에 입력된다.
제2 래치 회로(5403)에 보유된 비디오 신호가 증폭 회로(5404)에 입력되고, 그리고, 화소부(5201)에 입력되어 있는 동안, 시프트 레지스터(5401)에서는 다시 샘플링 펄스가 출력된다. 즉, 동시에 2개의 동작이 행해진다. 이것에 의해, 선 순차 구동이 가능하게 된다. 이후, 이 동작을 반복한다.
또한, 점 순차 구동으로 화소에 신호를 공급하는 경우도 있다. 그 경우의 신호선 구동회로(5204)의 일례를 도 54(B)에 나타낸다. 이 경우의 신호선 구동회로(5204)는 시프트 레지스터(5401)와 샘플링 회로(5405) 등을 가지고 있다. 시프트 레지스터(5401)로부터 샘플링 펄스가 샘플링 회로(5405)로 출력된다. 또한, 샘플링 회로(5405)에는 비디오 신호선으로부터 비디오 신호가 전압(Vdata)으로 입력되고, 샘플링 펄스에 따라 순차로 화소부(5201)에 비디오 신호가 출력된다. 이것에 의해, 점 순차 구동이 가능하게 된다.
또한, 신호선 구동회로나 그의 일부(전류원 회로나 증폭 회로 등)는 화소부(5201)와 동일 기판 상에 존재하지 않고, 예를 들어, 외부 부착의 IC 칩을 사용하여 구성되는 일도 있다.
이상과 같은 주사선 구동회로 및 신호선 구동회로를 사용함으로써, 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등하는 기간이 분리되어 있는 경우의 구동을 실현할 수 있다.
또한, 도 52에 나타낸 표시장치는 주사선 구동회로가 복수 마련되어 있었지만, 화소 구성에 따라서는 신호선 구동회로가 복수 마련되는 경우도 있다. 예를 들어, 화소 구성으로서, 도 39에 나타낸 화소 구성을 사용한 경우의 표시장치의 구성예를 도 55에 나타낸다.
도 55에 나타낸 표시장치는, 화소부(5501), 주사선 구동회로(5502), 제1 및 제2 신호선 구동회로(5503, 5504)를 가지고 있고, 주사선 구동회로(5502)와 주사선(3917)이 접속되고, 제1 신호선 구동회로(5503)와 제1 신호선(3915)이 접속되고, 제2 신호선 구동회로(5504)와 제2 신호선(3925)이 접속된다. 또한, 제1 및 제2 신호선과, 주사선에 붙인 부호는 도 39에 붙인 부호에 대응하고 있다. 또한, 제1 및 제2 신호선 구동회로(5503, 5504), 및 주사선 구동회로(5502)의 구성은 도 53 및 도 54에서 설명한 것과 마찬가지이므로, 여기서는 설명을 생략한다.
여기서, 주사선 구동회로(5502)는 SP1 및 SP2에 접속된 주사선(3917)에 순차로 선택 신호를 출력하기 위한 회로이다. 이것에 의해, SP1 및 SP2에 선택 신호가 기입된다.
제1 신호선 구동회로(5503)는 SP1에 접속된 제1 신호선(3915)에 비디오 신호를 순차로 출력하기 위한 회로이다. 제1 신호선 구동회로(5503)로부터 출력된 비디오 신호는 SP1에 입력된다. 또한, 제2 신호선 구동회로(5504)는 SP2에 접속된 제2 신호선(3925)에 비디오 신호를 순차로 출력하기 위한 회로이다. 제2 신호선 구동회로(5504)로부터 출력된 비디오 신호는 SP2에 입력된다. 화소부(5501)에서는, 비디오 신호에 따라 화소의 발광 상태를 제어함으로써 화상을 표시한다. 또 한, 일반적으로, 하나의 화소를 m개(m는 m≥2의 정수)의 서브화소로 분할한 경우, m개의 신호선 구동회로를 마련하면 좋다.
이상과 같은 주사선 구동회로 및 신호선 구동회로를 사용함으로써, 화소에 신호를 기입하는 기간과 점등하는 기간이 분리되어 있는 경우의 구동을 실현할 수 있다.
다음에, 화소의 신호를 소거하는 동작을 행하는 경우에 대하여 설명한다. 여기서는, 화소 구성으로서, 도 45에 나타낸 화소 구성을 이용한 경우를 예로 들어 설명한다. 이 경우의 표시장치의 구성예를 도 56에 나타낸다.
도 56에 나타낸 표시장치는, 화소부(5601), 제1∼제4 주사선 구동회로(5602∼5605), 신호선 구동회로(5606)를 가지고 있고, 제1 주사선 구동회로(5602)와 제1 주사선(4517)이 접속되고, 제2 주사선 구동회로(5603)과 제2 주사선(4527)이 접속되고, 제3 주사선 구동회로(5604)와 제3 주사선(4537)이 접속되고, 제4 주사선 구동회로(5605)와 제4 주사선(4547)이 접속되고, 신호선 구동회로(5606)와 신호선(4515)이 접속된다. 또한, 제1∼제4 주사선, 및 신호선에 붙인 부호는 도 45에 붙인 부호에 대응하고 있다. 또한, 제1∼제4 주사선 구동회로(5602∼5605) 및 신호선 구동회로(5606)의 구성은 도 53 및 도 54에서 설명한 것과 마찬가지이므로, 여기서는 설명을 생략한다.
여기서, 제1 및 제2 주사선 구동회로(5602, 5603)는 SP1에 접속된 제1 및 제2 주사선(4517, 4527)을 구동시키기 위한 회로이다. 여기서, 제1 주사선 구동회로(5602)는 SP1에 접속된 제1 주사선(4517)에 순차로 선택 신호를 출력한다. 한 편, 제2 주사선 구동회로(5603)는 SP1에 접속된 제2 주사선(4527)에 순차로 소거 신호를 출력한다. 이것에 의해, SP1에 선택 신호나 소거 신호가 기입된다.
마찬가지로, 제3 및 제4 주사선 구동회로(5604, 5605)는 SP2에 접속된 제3 및 제4 주사선(4537, 4547)을 구동시키기 위한 회로이다. 여기서, 제3 주사선 구동회로(5604)는 SP2에 접속된 제3 주사선(4537)에 순차로 선택 신호를 출력한다. 한편, 제4 주사선 구동회로(5605)는 SP2에 접속된 제4 주사선(4547)에 순차로 소거 신호를 출력한다. 이것에 의해, SP2에 선택 신호나 소거 신호가 기입된다.
신호선 구동회로(5606)는 SP1 및 SP2에 접속된 신호선(4515)에 비디오 신호를 순차로 출력하기 위한 회로이다. 신호선 구동회로(5606)로부터 출력된 비디오 신호는 화소부(5601)에 입력된다.
이상과 같은 주사선 구동회로 및 신호선 구동회로를 사용함으로써, 화소의 신호를 소거하는 동작을 행하는 경우의 구동을 실현할 수 있다.
또한, 표시장치, 신호선 구동회로, 주사선 구동회로 등의 구성은 도 52∼도 56에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명에 있어서의 트랜지스터는 어떠한 타입의 트랜지스터라도 좋고, 어떠한 기판 위에 형성되어 있어도 좋다. 따라서, 도 52∼도 56에서 나타낸 회로가 모두 유리 기판 위에 형성되어 있어도 좋고, 플라스틱 기판에 형성되어 있어도 좋고, 단결정 기판에 형성되어 있어도 좋고, SOI 기판에 형성되어 있어도 좋고, 어떠한 기판 위에 형성되어 있어도 좋다. 또는, 도 52∼도 56에서의 회로의 일부가 어느 기판에 형성되고, 도 52∼도 56에서의 회로의 다른 일부가 다른 기판 에 형성되어 있어도 좋다. 즉, 도 52∼도 56에서의 회로의 모두가 같은 기판 위에 형성되어 있지 않아도 좋다. 예를 들어, 도 52∼도 56에서, 화소부와 주사선 구동회로는 유리 기판 위에 트랜지스터를 사용하여 형성하고, 신호선 구동회로(또는 그의 일부)는 단결정 기판 위에 형성하고, 그 IC 칩을 COG(Chip On Glass)로 접속하여 유리 기판 위에 배치하여도 좋다. 또는, 그 IC 칩을 TAB(Tape Automated Bonding)나 프린트 기판을 사용하여 유리 기판과 접속해도 좋다. 이와 같이, 회로의 일부가 같은 기판에 형성되어 있음으로써, 부품 수를 줄여 비용을 저감하거나 회로 부품과의 접속 수를 줄여 신뢰성을 향상시키거나 할 수 있다. 또한, 구동 전압이 높은 부분이나 구동 주파수가 높은 부분은 소비전력이 커지게 되므로, 그와 같은 부분은 같은 기판에 형성하지 않도록 하면, 소비전력의 향상을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 설명한 내용은 실시형태 1∼실시형태 5에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 7]
본 실시형태에서는, 본 발명의 표시장치에 사용하는 표시 패널에 대하여 도 57 등을 사용하여 설명한다. 또한, 도 57(A)는 표시 패널을 나타내는 상면도, 도 57(B)는 도 57(A)의 A-A＇선을 따라 절단한 단면도이다. 점선으로 나타난 신호선 구동회로(5701), 화소부(5702), 제1 주사선 구동회로(5703), 제2 주사선 구동회로(5706)를 가진다. 또한, 봉지(封地) 기판(5704)과 시일(seal)재(5705)를 가지고, 시일재(5705)로 둘러싸인 내측은 공간(5707)으로 되어 있다.
또한, 배선(5708)은 제1 주사선 구동회로(5703), 제2 주사선 구동회로(5706) 및 신호선 구동회로(5701)에 입력되는 신호를 전송하기 위한 배선이고, 외부 입력 단자가 되는 FPC(5709)로부터 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호 등을 받는다. FPC(5709)와 표시 패널과의 접합부 상에는 IC 칩(메모리 회로나, 버퍼 회로 등이 형성된 반도체 칩)(5719)이 COG(Chip On Glass) 등으로 실장되어 있다. 또한, 여기서는 FPC만이 도시되어 있지만, 이 FPC에는 프린트 배선 기판(PWB)이 부착되어 있어도 좋다.
다음에, 단면 구조에 대하여 도 57(B)를 사용하여 설명한다. 기판(5710) 위에는 화소부(5702)와 그의 주변 구동회로(제1 주사선 구동회로(5703), 제2 주사선 구동회로(5706) 및 신호선 구동회로(5701))가 형성되어 있지만, 여기서는, 신호선 구동회로(5701)와 화소부(5702)가 나타내어져 있다.
또한, 신호선 구동회로(5701)는 트랜지스터(5720)나 트랜지스터(5721) 등 복수의 트랜지스터로 구성되어 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 기판 위에 주변 구동회로를 일체로 형성한 표시 패널을 나타내지만, 반드시 그럴 필요는 없고, 주변 구동회로의 전부 또는 일부를 IC 칩 등에 형성하고, COG 등으로 실장하여도 좋다.
또한, 화소부(5702)는 선택 트랜지스터(5711)와 구동 트랜지스터(5712)를 포함하는 화소를 구성하는 복수의 회로를 가지고 있다. 또한, 구동 트랜지스터(5712)의 소스 전극은 제1 전극(5713)과 접속되어 있다. 또한, 제1 전극(5713)의 단부를 덮도록 절연물(5714)이 형성되어 있다. 여기서는, 포지티브형의 감광성 아크릴 수지막을 사용함으로써 형성한다.
또한, 커버리지를 양호한 것으로 하기 위해, 절연물(5714)의 상단부 또는 하단부에 곡률을 가지는 곡면이 형성되도록 한다. 예를 들어, 절연물(5714)의 재료로서 포지티브형의 감광성 아크릴을 사용한 경우, 절연물(5714)의 상단부에만 곡률 반경(0.2 ㎛∼3 ㎛)을 가지는 곡면을 가지게 하는 것이 바람직하다. 또한, 절연물(5714)로서, 감광성의 광에 의해 에천트에 불용해성이 되는 네거티브형과, 광에 의해 에천트에 용해성이 되는 포지티브형 중의 어느 것이나 사용할 수 있다.
제1 전극(5713) 위에는, 유기 화합물을 함유하는 층(5716), 및 제2 전극(5717)이 각각 형성되어 있다. 여기서, 양극으로서 기능하는 제1 전극(5713)에 사용하는 재료로서는, 일 함수가 큰 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, ITO(인듐 주석 산화물)막, 인듐 아연 산화물(IZO)막, 질화티탄막, 크롬막, 텅스텐막, Zn막, Pt막 등의 단층막의 외에, 질화티탄과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과의 적층, 질화티탄막과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과 질화티탄막과의 3층 구조 등을 사용할 수가 있다. 또한, 적층 구조로 하면, 배선으로서의 저항도 낮고, 양호한 오믹 콘택트(ohmic contact)를 취할 수 있어, 더욱 양극으로서 기능시킬 수가 있다.
또한, 유기 화합물을 함유하는 층(5716)은, 증착 마스크를 사용한 증착법, 또는 잉크젯법에 의해 형성된다. 유기 화합물을 함유하는 층(5716)에는, 원소 주기표 4족 금속 착체를 그 일부에 사용하는 것으로 하고, 그 외, 조합하여 사용할 수 있는 재료로서는, 저분자계 재료이어도 좋고, 고분자계 재료이어도 좋다. 또한, 유기 화합물을 함유하는 층에 사용하는 재료로서는, 통상, 유기 화합물을 단층 또는 적층으로 사용하는 경우가 많지만, 본 실시형태에서는, 유기 화합물로 이루어지는 막의 일부에 무기 화합물을 사용하는 구성도 포함하는 것으로 한다. 또한, 공지의 삼중항 재료를 사용하는 것도 가능하다.
또한, 유기 화합물을 함유하는 층(5716) 위에 형성되는, 음극인 제2 전극(5717)에 사용하는 재료로서는, 일 함수가 작은 재료(Al, Ag, Li, Ca, 또는 이들의 합금 MgAg, MgIn, AlLi, CaF2, 또는 질화칼슘)를 사용하면 좋다. 또한, 유기 화합물을 함유하는 층(5716)에서 발생한 광이 제2 전극(5717)을 투과하는 경우에는, 제2 전극(5717)으로서, 막 두께를 얇게 한 금속 박막과, 투명 도전막(ITO(인듐 주석 산화물)), 산화인듐 산화아연 합금(In2O3-ZnO), 산화아연(ZnO) 등)과의 적층을 사용하는 것이 좋다.
또한, 시일재(5705)로 봉지 기판(5704)을 기판(5710)에 접합함으로써, 기판(5710), 봉지 기판(5704), 및 시일재(5705)로 둘러싸인 공간(5707)에 발광소자(5718)가 구비된 구조로 되어 있다. 또한, 공간(5707)에는 불활성 기체(질소나 아르곤 등)가 충전되는 경우의 외에, 시일재(5705)로 충전되는 구성도 포함하는 것으로 한다.
또한, 시일재(5705)에는 에폭시계 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 재료는 가능한 한 수분이나 산소를 투과하지 않는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 봉지 기판(5704)에 사용하는 재료로서, 유리 기판이나 석영 기판의 외에, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics), PVF(폴리비닐플로라이드), 마일러(등록상 표), 폴리에스터 또는 아크릴 등으로 이루어지는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
이상과 같이 하여, 본 발명의 화소 구성을 가지는 표시 패널을 얻을 수 있다.
도 57에 나타내는 바와 같이, 신호선 구동회로(5701), 화소부(5702), 제1 주사선 구동회로(5703) 및 제2 주사선 구동회로(5706)를 일체로 형성함으로써, 표시장치의 저비용화를 도모할 수 있다 또한, 신호선 구동회로(5701), 화소부(5702), 제1 주사선 구동회로(5703) 및 제2 주사선 구동회로(5706)에 사용되는 트랜지스터를 단극성으로 함으로써 제조공정의 간략화를 도모할 수 있기 때문에 더욱 저비용화를 도모할 수 있다. 또한, 신호선 구동회로(5701), 화소부(5702), 제1 주사선 구동회로(5703) 및 제2 주사선 구동회로(5706)에 사용되는 트랜지스터의 반도체층에 아모르퍼스 실리콘을 적용함으로써 더욱 더 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 표시 패널의 구성으로서는, 도 57(A)에 나타낸 바와 같이 신호선 구동회로(5701), 화소부(5702), 제1 주사선 구동회로(5703) 및 제2 주사선 구동회로(5706)를 일체로 형성한 구성에 한정되지 않고, 신호선 구동회로(5701)에 상당하는 신호선 구동회로를 IC 칩 상에 형성하고, COG 등으로 표시 패널에 실장한 구성으로 하여도 좋다.
즉, 구동회로의 고속 동작이 요구되는 신호선 구동회로만을, CMOS 등을 사용하여 IC 칩에 형성하여, 저소비전력화를 도모한다. 또한, IC 칩은 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 칩으로 함으로써, 더욱 고속 동작을 도모하고, 저소비전력화를 도모할 수 있다.
그리고, 주사선 구동회로를 화소부와 일체로 형성함으로써, 저비용화를 도모할 수 있다. 또한, 이 주사선 구동회로 및 화소부는 단극성의 트랜지스터로 구성 함으로써 더욱 저비용화를 도모할 수 있다. 화소부가 가지는 화소의 구성으로서는 실시형태 4에서 나타낸 구성을 적용할 수 있다. 또한, 트랜지스터의 반도체층에 아모르퍼스 실리콘을 사용함으로써, 제조 공정이 간략화하여, 더욱 저비용화를 도모할 수 있다.
이렇게 하여, 고정세한 표시장치의 저비용화를 도모할 수 있다. 또한, FPC(5709)와 기판(5710)과의 접속부에서 기능 회로(메모리나 버퍼)가 형성된 IC 칩을 실장함으로써 기판 면적을 유효하게 이용할 수 있다.
또한, 도 57(A)의 신호선 구동회로(5701), 제1 주사선 구동회로(5703) 및 제2 주사선 구동회로(5706)에 상당하는 신호선 구동회로, 제1 주사선 구동회로 및 제2 주사선 구동회로를 IC 칩 상에 형성하고, COG 등으로 표시 패널에 실장한 구성으로 하여도 좋다. 이 경우에는 고정세한 표시장치를 더욱 저소비전력으로 하는 것이 가능하다. 따라서, 소비전력이 더욱 적은 표시장치로 하기 위해, 화소부에 사용되는 트랜지스터의 반도체층에는 폴리실리콘을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 화소부(5702)의 트랜지스터의 반도체층에 아모르퍼스 실리콘을 사용함으로써 더욱 저비용화를 도모할 수 있다. 또한, 대형의 표시 패널을 제조하는 것 가능하게 된다.
또한, 주사선 구동회로 및 신호선 구동회로는 화소의 행 방향 및 열 방향으로 마련하는 것에 한정되는 것은 아니다.
다음에, 발광소자(5718)에 적용 가능한 발광소자의 예를 도 58에 나타낸다.
기판(5801) 위에 양극(5802), 정공 주입 재료로 된 정공 주입층(5803), 그 위에 정공 수송 재료로 된 정공 수송층(5804), 발광층(5805), 전자 수송 재료로 된 전자 수송층(5806), 전자 주입 재료로 된 전자 주입층(5807), 및 음극(5808)을 적층시킨 소자 구조이다. 여기서, 발광층(5805)은 1 종류의 발광재료만으로 형성되는 일도 있지만, 2 종류 이상의 재료로 형성되어도 좋다. 또한, 본 발명의 소자의 구조는 이 구조에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 58에 나타낸 각 기능층을 적층한 적층 구조 외에, 고분자 화합물을 사용한 소자, 발광층에 삼중항 여기 상태로부터 발광하는 삼중항 발광재료를 이용한 고효율 소자 등, 변경은 다양하다. 정공 블로킹 층에 의해 캐리어의 재결합 영역을 제어하고, 발광 영역을 2개의 영역으로 나눔으로써 얻어질 수 있는 백색 발광소자 등에도 응용 가능하다.
다음에, 도 58에 나타내는 본 발명의 소자의 제조방법에 대하여 설명한다. 먼저, 양극(5802)(ITO(인듐 주석 산화물))을 가지는 기판(5801)에 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 발광재료를 순서대로 증착한다. 다음에, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료를 증착하고, 마지막으로 음극(5808)을 증착에 의해 형성한다.
다음에, 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 발광재료의 재료에 적합한 재료를 이하에 열거한다.
정공 주입 재료로서는, 유기 화합물이라면 포르피린계 화합물이나, 프탈로시 아닌(이하, "H2Pc"라고 기재한다), 구리 프탈로시아닌(이하, "CuPc"라고 기재한다) 등이 유효하다. 또한, 사용하는 정공 수송 재료보다 이온화 포텐셜이 작고, 또한, 정공 수송 기능을 가지는 재료라면, 이것도 정공 주입 재료로서 사용할 수 있다. 도전성 고분자 화합물에 화학 도핑을 실시한 재료도 있고, 폴리스티렌 술폰산(이하, "PSS"라고 기재한다)을 도핑한 폴리에틸렌 디옥시티오펜(이하, "PEDOT"라고 기재한다)이나, 폴리아닐린 등을 들 수 있다. 또한, 절연체의 고분자 화합물도 양극의 평탄화의 점에서 유효하고, 폴리이미드(이하, "PI"라고 기재한다)가 자주 사용된다. 또한, 무기 화합물도 사용되고, 금이나 백금 등의 금속 박막의 외에, 산화알루미늄(이하, "알루미나"라고 기재한다)의 초박막 등이 있다.
정공 수송 재료로서 가장 넓게 사용되고 있는 것은 방향족 아민계(즉, 벤젠환-질소의 결합을 가지는 것)의 화합물이다. 넓게 사용되고 있는 재료로서, 4,4＇-비스(디페닐아미노)-비페닐(이하, "TAD"라고 기재한다)이나, 그의 유도체인 4,4＇-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐-아미노]-비페닐(이하, "TPD"라고 기재한다), 4,4＇-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]-비페닐(이하, "α-NPD"라고 기재한다)이 있다. 4,4＇,4''-트리스(N,N-디페닐-아미노)-트리페닐아민(이하, "TDATA"라고 기재한다), 4,4＇,4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐-아미노]-트리페닐아민(이하, "MTDATA"라고 기재한다) 등의 스타버스트형 방향족 아민 화합물이 있다.
전자 수송 재료로서는, 금속 착체가 잘 사용되고, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(이하, "Alq3"라고 기재한다), BAlq, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미 늄(이하, "Almq"라고 기재한다), 비스(10-하이드록시벤조[h]-퀴놀리나토)베릴륨(이하, "Bebq"라고 기재한다) 등의 퀴놀린 골격 또는 벤조퀴놀린 골격을 가지는 금속 착체 등이 있다. 또한, 비스[2-(2-하이드록시페놀)-벤조옥사졸라토]아연(이하, "Zn(BOX)2"라고 기재한다), 비스[2-(2-하이드록시페놀)-벤조티아졸라토]아연(이하, "Zn(BTZ)2"라고 기재한다) 등의 옥사졸계, 티아졸계 배위자를 가지는 금속 착체도 있다. 또한, 금속 착체 이외에도, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(이하, "PBD"라고 기재한다), OXD-7 등의 옥사디아졸 유도체, TAZ, 3-(4-tert-부틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-비페닐릴)-1,2,4-트리아졸(이하, "p-EtTAZ"라고 기재한다) 등의 트리아졸 유도체, 바소페난트롤린(이하, "BPhen"라고 기재한다), BCP 등의 페난트롤린 유도체가 전자 수송성을 가진다.
전자 주입 재료로서는, 위에서 설명한 전자 수송 재료를 사용할 수 있다. 그 외에, 불화칼슘, 불화리튬, 불화세슘 등의 금속 할로겐화물이나, 산화리튬 등의 알칼리 금속 산화물과 같은 절연체의 초박막이 잘 사용된다. 또한, 리튬 아세틸 아세토네이트(이하, "Li(acac)"라고 기재한다)나 8-퀴놀리놀라토-리튬(이하, "Liq"라고 기재한다) 등의 알칼리 금속 착체도 유효하다.
발광재료로서는, 앞에서 설명한 Alq3, Almq, BeBq, BAlq, Zn(BOX)2, Zn(BTZ)2 등의 금속 착체의 외에, 각종 형광 색소가 유효하다. 형광 색소로서는, 청색의 4,4＇-비스(2,2-디페닐-비닐)-비페닐이나, 적등(赤橙)색의 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란 등이 있다. 또한, 삼중항 발광재료도 가 능하고, 백금 내지는 이리듐을 중심 금속으로 하는 착체가 주체이다. 삼중항 발광재료로서 트리스(2-페닐피리딘)이리듐, 비스(2-(4＇-토릴)피리디나토-N,C2')아세틸아세토나토 이리듐(이하 "acacIr(tpy)2"라고 기재한다), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H, 23H 포르피린 백금 등이 알려져 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 각 기능을 가지는 재료를 각각 조합하여 고신뢰성의 발광소자를 제조할 수 있다.
또한, 도 58과는 역의 순서로 층을 형성한 발광소자를 사용할 수도 있다. 즉, 기판(5801) 위에 음극(5808), 전자 주입 재료로 된 전자 주입층(5807), 그 위에 전자 수송 재료로 된 전자 수송층(5806), 발광층(5805), 정공 수송 재료로 된 정공 수송층(5804), 정공 주입 재료로 된 정공 주입층(5803), 및 양극(5802)을 적층시킨 소자 구조이다.
또한, 발광소자는 발광을 취출하기 위하여 양극과 음극 중의 어느 한쪽 또는 모두가 투명하면 좋다. 그리고, 기판 위에 트랜지스터 및 발광소자를 형성하고, 기판과는 반대측의 면으로부터 발광을 취출하는 상면 사출이나, 기판측의 면으로부터 발광을 취출하는 하면 사출이나, 기판측 및 기판과는 반대측의 면으로부터 발광을 취출하는 양면 사출 구조의 발광소자가 있고, 본 발명의 화소 구성은 어느 사출 구조의 발광소자에도 적용할 수 있다.
먼저, 상면 사출 구조의 발광소자에 대하여 도 59(A)를 사용하여 설명한다.
기판(5900) 위에 구동 트랜지스터(5901)가 형성되고 구동 트랜지스터(5901) 의 소스 전극에 접하여 제1 전극(5902)이 형성되고, 그 위에 유기 화합물을 함유하는 층(5903)과 제2 전극(5904)이 형성되어 있다.
또한, 제1 전극(5902)은 발광소자의 양극이고, 제2 전극(5904)은 발광소자의 음극이다. 즉, 제1 전극(5902)과 제2 전극(5904) 사이에 유기 화합물을 함유하는 층(5903)이 끼워져 있는 곳이 발광소자가 된다.
또한, 여기서, 양극으로서 기능하는 제1 전극(5902)에 사용하는 재료로서는, 일 함수가 큰 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 질화티탄막, 크롬막, 텅스텐막, Zn막, Pt막 등의 단층막의 외에, 질화티탄과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과의 적층, 질화티탄막과 알루미늄을 주성분으로 하는 막과 질화티탄막과의 3층 구조 등을 사용할 수가 있다. 또한, 적층 구조로 하면, 배선으로서의 저항도 낮고, 양호한 오믹 콘택트를 취할 수 있어, 더욱 양극으로서 기능시킬 수가 있다. 광을 반사하는 금속막을 사용함으로써, 광을 투과시키지 않는 양극을 형성할 수 있다.
또한, 음극으로서 기능하는 제2 전극(5904)에 사용하는 재료로서는, 일 함수가 작은 재료(Al, Ag, Li, Ca, 또는 이들의 합금 MgAg, MgIn, AlLi, CaF2, 또는 질화칼슘)로 이루어지는 금속 박막과, 투명 도전막(ITO(인듐 주석 산화물), 인듐 아연 산화물(IZO), 산화아연(ZnO) 등)과의 적층을 사용하는 것이 좋다. 이렇게 하여 얇은 금속 박막과, 투명성을 가지는 투명 도전막을 사용함으로써, 광을 투과시키는 것이 가능한 음극을 형성할 수 있다.
이렇게 하여, 도 59(A)의 화살표에 나타내는 바와 같이 발광소자로부터의 광을 상면으로 취출하는 가능하게 된다. 즉, 도 57의 표시 패널에 적용한 경우에는, 봉지 기판(5704) 측으로 광이 사출하게 된다. 따라서, 상면 사출 구조의 발광소자를 표시장치에 사용하는 경우에는, 봉지 기판(5704)은 광투과성을 가지는 기판을 사용한다.
또한, 광학 필름을 마련하는 경우에는, 봉지 기판(5704)에 광학 필름을 마련하면 좋다.
또한, 제1 전극(5902)을, 음극으로서 기능하는 MgAg, MgIn, AlLi 등의 일 함수가 작은 재료로 이루어지는 금속막을 사용하여 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 제2 전극(5904)에는 ITO(인듐 주석 산화물)막, 인듐 아연 산화물(IZO) 등의 투명 도전막을 사용할 수가 있다. 따라서, 이 구성에 의하면, 상면 사출의 투과율을 높게 할 수 있다.
다음에, 하면 사출 구조의 발광소자에 대하여 도 59(B)를 사용하여 설명한다. 사출 구조 이외는 도 59(A)와 같은 구조의 발광소자이기 때문에 동일 부호를 사용하여 설명한다.
여기서, 양극으로서 기능하는 제1 전극(5902)에 사용하는 재료로서는, 일 함수가 큰 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, ITO(인듐 주석 산화물) 막, 인듐 아연 산화물(IZO)막 등의 투명 도전막을 사용할 수 있다. 투명성을 가지는 투명 도전막을 사용함으로써 광을 투과시키는 것이 가능한 양극을 형성할 수 있다.
또한, 음극으로서 기능하는 제2 전극(5904)에 사용하는 재료로서는, 일 함수가 작은 재료(Al, Ag, Li, Ca, 또는 이들의 합금 MgAg, MgIn, AlLi, CaF2, 또는 질화칼슘)로 이루어지는 금속막을 사용할 수 있다. 이렇게 하여, 광을 반사하는 금속막을 사용함으로써, 광이 투과하지 않는 음극을 형성할 수 있다.
이렇게 하여, 도 59(B)의 화살표로 나타내는 바와 같이 발광소자로부터의 광을 하면으로 취출하는 것이 가능하게 된다. 즉, 도 57의 표시 패널에 적용한 경우에는, 기판(5710) 측으로 광이 사출하게 된다. 따라서, 하면 사출 구조의 발광소자를 표시장치에 사용하는 경우에는, 기판(5710)은 광투과성을 가지는 기판을 사용한다.
또한, 광학 필름을 마련하는 경우에는, 기판(5710)에 광학 필름을 마련하면 좋다.
다음에, 양면 사출 구조의 발광소자에 대하여 도 59(C)를 사용하여 설명한다. 사출 구조 이외는 도 59(A)와 같은 구조의 발광소자이기 때문에 같은 부호를 사용하여 설명한다.
여기서, 양극으로서 기능하는 제1 전극(5902)에 사용하는 재료로서는, 일 함수가 큰 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, ITO(인듐 주석 산화물)막, 인듐 아연 산화물(IZO)막 등의 투명 도전막을 사용할 수 있다. 투명성을 가지는 투명 도전막을 사용함으로써 광을 투과시키는 것이 가능한 양극을 형성할 수 있다.
또한, 음극으로서 기능하는 제2 전극(5904)에 사용하는 재료로서는, 일 함수 가 작은 재료(Al, Ag, Li, Ca, 또는 이들의 합금 MgAg, MgIn, AlLi, CaF2, 또는 질화칼슘)로 이루어지는 금속 박막과, 투명 도전막(ITO(인듐 주석 산화물), 산화인듐 산화아연 합금(In2O3-ZnO), 산화아연(ZnO) 등)과의 적층을 사용하는 것이 좋다. 이렇게 하여 얇은 금속 박막과 투명성을 가지는 투명 도전막을 사용함으로써 광을 투과시키는 것이 가능한 음극을 형성할 수 있다.
이렇게 하여, 도 59(C)의 화살표로 나타내는 바와 같이 발광소자로부터의 광을 양면으로 취출하는 것이 가능하게 된다. 즉, 도 57의 표시 패널에 적용한 경우에는, 기판(5710)측과 봉지 기판(5704)측으로 광이 사출하게 된다. 따라서, 양면 사출 구조의 발광소자를 표시장치에 사용하는 경우에는, 기판(5710) 및 봉지 기판(5704)은 모두 광투과성을 가지는 기판을 사용한다.
또한, 광학 필름을 마련하는 경우에는, 기판(5710)과 봉지 기판(5704) 모두에 광학 필름을 마련하면 좋다.
또한, 백색의 발광소자와 컬러 필터를 사용하여 풀 컬러 표시를 실현하는 표시장치에도 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.
도 60에 나타내는 바와 같이, 기판(6000) 위에 하지막(6002)이 형성되고, 하지막(6002) 위에 구동 트랜지스터(6001)가 형성되고, 구동 트랜지스터(6001)의 소스 전극에 접하여 제1 전극(6003)이 형성되고, 그 위에, 유기 화합물을 함유하는 층(6004)과 제2 전극(6005)이 형성되어 있다.
또한, 제1 전극(6003)은 발광소자의 양극이고, 제2 전극(6005)은 발광소자의 음극이다. 즉, 제1 전극(6003)과 제2 전극(6005) 사이에 유기 화합물을 함유하는 층(6004)이 끼워져 있는 곳이 발광소자가 된다. 도 60의 구성에서는 백색 광을 발광한다. 그리고, 발광소자의 상부에 적색의 컬러 필터(6006R), 녹색의 컬러 필터(6006G), 청색의 컬러 필터(6006B)가 마련되어 있고, 풀 컬러 표시를 행할 수 있다. 또한, 이들 컬러 필터를 격리하는 블랙 매트릭스(BM이라고도 한다)(6007)가 마련되어 있다.
상기한 발광소자의 구성은 조합하여 사용할 수 있고, 본 발명의 표시장치에 적절히 이용할 수 있다. 또한, 상기한 표시 패널의 구성이나 발광소자는 예시이고, 상기한 구성과 상이한 다른 구성을 가지는 표시장치에 적용할 수도 있다.
다음에, 표시 패널의 화소부의 부분 단면도를 나타낸다.
먼저, 트랜지스터의 반도체층에 폴리실리콘(p-Si:H)막을 사용한 경우에 대하여 도 61, 도 62 및 도 63을 사용하여 설명한다.
여기서, 반도체층은, 예를 들어, 기판 위에 아모르퍼스 실리콘(a-Si)막을 공지의 성막법으로 형성한다. 또한, 아모르퍼스 실리콘막에 한정할 필요는 없고, 비정질 구조를 포함하는 반도체막(미(微)결정 반도체막을 포함한다)이면 좋다. 또한 비정질 실리콘 게르마늄막 등의, 비정질 구조를 포함하는 화합물 반도체막이어도 좋다.
그리고, 아모르퍼스 실리콘막을 레이저 결정화법이나 RTA나 퍼니스 어닐노를 사용한 열결정화법이나 결정화를 조장하는 금속 원소를 사용한 열결정화법 등에 의해 결정화시킨다. 물론, 이들을 조합하여 행하여도 좋다.
상기한 결정화에 의해 비정질 반도체막에 부분적으로 결정화된 영역이 형성된다.
또한, 부분적으로 결정성이 높아진 결정성 반도체막을 소망의 형상으로 패턴을 형성하여, 결정화된 영역으로부터 섬 형상의 반도체막을 형성한다. 이 반도체막을 트랜지스터의 반도체층에 사용한다.
도 61(A)에 나타내는 바와 같이, 기판(6101) 위에 하지막(6102)이 형성되고, 그 위에 반도체층이 형성되어 있다. 반도체층은 구동 트랜지스터(6118)의 채널 형성 영역(6103), LDD 영역(6104) 및 소스 영역 또는 드레인 영역이 되는 불순물 영역(6105), 및 용량 소자(6119)의 하부 전극이 되는 채널 형성 영역(6106), LDD 영역(6107) 및 불순물 영역(6108)을 가진다. 또한, 채널 형성 영역(6103) 및 채널 형성 영역(6106)은 채널 도핑이 행해져 있어도 좋다.
기판은 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 하지막(6102)으로서는, 질화알루미늄(AlN)이나 산화규소(SiO2), 산화질화규소(SiOxNy) 등의 단층이나 이들의 적층을 사용할 수 있다.
반도체층 위에는, 게이트 절연막(6109)을 사이에 두고 게이트 전극(6110) 및 용량 소자(6119)의 상부 전극(6111)이 형성되어 있다.
용량 소자(6119) 및 구동 트랜지스터(6118)를 덮도록 층간절연막(6112)이 형성되고, 층간절연막(6112) 위에, 콘택트 홀을 통하여 배선(6113)이 불순물 영역(6105)과 접하고 있다. 배선(6113)에 접하여 화소 전극(6114)이 형성되고, 화소 전극(6114)의 단부 및 배선(6113)을 덮도록 절연물(6115)이 형성되어 있다. 여기서는, 포지티브형의 감광성 아크릴 수지막을 사용하여 형성한다. 그리고, 화소 전극(6114) 위에, 유기 화합물을 함유하는 층(6116) 및 대향 전극(6117)이 형성되고, 화소 전극(6114)과 대향 전극(6117) 사이에 유기 화합물을 함유하는 층(6116)이 끼워진 영역에 발광소자(6120)가 형성되어 있다.
또한, 도 61(B)에 나타내는 바와 같이, 용량 소자(6119)의 하부 전극의 일부를 구성하는 LDD 영역이 용량 소자(6119)의 상부 전극(6111)과 겹치는 영역(6121)을 마련하여도 좋다. 또한, 도 61(A)와 공통하는 개소는 공통의 부호를 사용하고, 설명은 생략한다.
또한, 도 62(A)에 나타내는 바와 같이, 용량 소자(6123)는 구동 트랜지스터(6118)의 불순물 영역(6105)과 접하는 배선(6113)과 같은 층에 형성된 제2 상부 전극(6122)을 가지고 있어도 좋다. 또한, 도 61(A)와 공통하는 개소는 공통의 부호를 사용하고, 설명은 생략한다. 제2 상부 전극(6122)은 불순물 영역(6108)과 접하고 있기 때문에, 상부 전극(6111)과 채널 형성 영역(6106) 사이에 게이트 절연막(6109)을 끼워 구성되는 제1 용량 소자와, 상부 전극(6111)과 제2 상부 전극(6122) 사이에 층간절연막(6112)을 끼워 구성되는 제2 용량 소자가 병렬로 접속되고, 제1 용량 소자와 제2 용량 소자로 이루어지는 용량 소자(6123)가 형성된다. 이 용량 소자(6123)의 용량은 제1 용량 소자와 제2 용량 소자의 용량을 가산한 합성 용량이기 때문에, 작은 면적으로 큰 용량의 용량 소자를 형성할 수 있다. 즉, 본 발명의 화소 구성의 용량 소자로서 사용하면 더욱 개구율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 도 62(B)에 나타내는 바와 같은 용량 소자의 구성으로 하여도 좋다. 기판(6201) 위에 하지막(6202)이 형성되고, 그 위에 반도체층이 형성되어 있다. 반도체층은 구동 트랜지스터(6218)의 채널 형성 영역(6203), LDD 영역(6204) 및 소스 영역 또는 드레인 영역이 되는 불순물 영역(6205)을 가진다. 또한, 채널 형성 영역(6203)은 채널 도핑이 행해져 있어도 좋다.
기판은 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판 등을 사용할 수가 있다. 또한, 하지막(6202)으로서는, 질화알루미늄(AlN)이나 산화규소(SiO2), 산화질화규소(SiOxNy) 등의 단층이나 이들의 적층을 사용할 수 있다.
반도체층 위에는, 게이트 절연막(6206)을 사이에 두고 게이트 전극(6207) 및 제1 전극(6208)이 형성되어 있다.
구동 트랜지스터(6218) 및 제1 전극(6208)을 덮도록 제1 층간절연막(6209)이 형성되고, 제1 층간절연막(6209) 위에, 콘택트 홀을 통하여 배선(6210)이 불순물 영역(6205)과 접하고 있다. 또한, 배선(6210)과 같은 층에, 배선(6210)과 같은 재료로 된 제2 전극(6211)이 형성된다.
또한, 배선(6210) 및 제2 전극(6211)을 덮도록 제2 층간절연막(6212)이 형성되고, 제2 층간절연막(6212) 위에, 콘택트 홀을 통하여 배선(6210)과 접하여 화소 전극(6213)이 형성되어 있다. 또한, 화소 전극(6213)과 같은 층에, 화소 전극(6213)과 같은 재료로 된 제3 전극(6214)이 형성되어 있다. 또한, 화소 전 극(6213)의 단부 및 제3 전극(6214)을 덮도록 절연물(6215)이 형성되어 있다. 절연물(6215)은, 예를 들어, 포지티브형의 감광성 아크릴 수지막을 사용할 수 있다. 여기서, 제1 전극(6208), 제2 전극(6211) 및 제3 전극(6214)으로 이루어지는 용량 소자(6219)가 형성된다.
화소 전극(6213) 위에, 유기 화합물을 함유하는 층(6216) 및 대향 전극(6217)이 형성되고, 화소 전극(6213)과 대향 전극(6217) 사이에 유기 화합물을 함유하는 층(6216)이 끼워진 영역에 발광소자(6220)가 형성되어 있다.
상기한 바와 같이, 결정성 반도체막을 반도체층에 사용한 트랜지스터의 구성은 도 61 및 도 62에 나타낸 바와 같은 구성이 있다. 또한, 도 61 및 도 62에 나타낸 트랜지스터의 구조는 탑 게이트 구조의 트랜지스터의 일례이다. 즉, LDD 영역은 게이트 전극과 겹쳐 있어도 좋고, 게이트 전극과 겹치지 않아도 좋고, 또는 LDD 영역의 일부의 영역이 겹쳐 있어도 좋다. 또한, 게이트 전극은 테이퍼 형상이어도 좋고, 게이트 전극의 테이퍼부의 하부에 LDD 영역이 자기정합적으로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 게이트 전극은 2개로 한정되지 않고, 3개 이상의 멀티게이트 구조이어도 좋고, 하나의 게이트 전극이어도 좋다.
본 발명의 화소를 구성하는 트랜지스터의 반도체층(채널 형성 영역이나 소스 영역이나 드레인 영역 등)에 결정성 반도체막을 사용함으로써, 주사선 구동회로 및 신호선 구동회로를 화소부와 일체로 형성하는 것이 용이하게 된다. 또한, 신호선 구동회로의 일부를 화소부와 일체로 형성하고, 일부는 IC 칩 상에 형성하여, 도 57의 표시 패널에 나타내는 바와 같이 COG 등으로 실장하여도 좋다. 이와 같은 구성 과 함으로써, 제조 비용의 삭감을 도모할 수 있다.
또한, 반도체층에 폴리실리콘(p-Si:H)을 사용한 트랜지스터의 구성으로서, 기판과 반도체층 사이에 게이트 전극이 끼워진 구조, 즉, 반도체층 아래에 게이트 전극이 위치하는 보텀 게이트 구조의 트랜지스터를 적용하여도 좋다. 여기서, 보텀 게이트 구조의 트랜지스터를 적용한 표시 패널의 화소부의 부분 단면도를 도 63에 나타낸다.
도 63(A)에 나타내는 바와 같이, 기판(6301) 위에 하지막(6302)이 형성되어 있다. 또한, 하지막(6302) 위에 게이트 전극(6303)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 전극(6303)과 같은 층에, 게이트 전극(6303)과 같은 재료로 된 제1 전극(6304)이 형성되어 있다. 게이트 전극(6303)의 재료에는, 인이 첨가된 다결정 실리콘을 사용할 수가 있다. 다결정 실리콘 외에, 금속과 실리콘의 화합물인 실리사이드이어도 좋다.
게이트 전극(6303) 및 제1 전극(6304)을 덮도록 게이트 절연막(6305)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(6305)으로서는, 산화규소막이나 질화규소막 등이 사용된다.
게이트 절연막(6305) 위에 반도체층이 형성되어 있다. 반도체층은 구동 트랜지스터(6322)의 채널 형성 영역(6306), LDD 영역(6307) 및 소스 영역 또는 드레인 영역이 되는 불순물 영역(6308), 및 용량 소자(6323)의 제2 전극이 되는 채널 형성 영역(6309), LDD 영역(6310) 및 불순물 영역(6311)을 가진다. 또한, 채널 형성 영역(6306) 및 채널 형성 영역(6309)은 채널 도핑이 행해져 있어도 좋다.
기판은 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 하지막(6302)으로서는, 질화알루미늄(AlN)이나 산화규소(SiO2), 산화질화규소(SiOxNy) 등의 단층이나 이들의 적층을 사용할 수 있다.
반도체층을 덮도록 제1 층간절연막(6312)이 형성되고, 제1 층간절연막(6312) 위에, 콘택트 홀을 통하여 배선(6313)이 불순물 영역(6308)과 접하여 있다. 또한, 배선(6313)과 같은 층에, 배선(6313)과 같은 재료로 제3 전극(6314)이 형성되어 있다. 제1 전극(6304), 제2 전극, 제3 전극(6314)에 의해 용량 소자(6323)가 구성되어 있다.
또한, 제1 층간절연막(6312)에는 개구부(6315)가 형성되어 있다. 구동 트랜지스터(6322), 용량 소자(6323) 및 개구부(6315)를 덮도록 제2 층간절연막(6316)이 형성되고, 제2 층간절연막(6316) 위에, 콘택트 홀을 통하여 화소 전극(6317)이 형성되어 있다. 또한, 화소 전극(6317)의 단부를 덮도록 절연물(6318)이 형성되어 있다. 예를 들어, 포지티브형의 감광성 아크릴 수지막을 사용할 수 있다. 그리고, 화소 전극(6317) 위에, 유기 화합물을 함유하는 층(6319) 및 대향 전극(6320)이 형성되고, 화소 전극(6317)과 대향 전극(6320) 사이에 유기 화합물을 함유하는 층(6319)이 끼워진 영역에 발광소자(6321)가 형성되어 있다. 그리고, 발광소자(6321)의 하부에 개구부(6315)가 위치하고 있다. 즉, 발광소자(6321)로부터의 발광을 기판측으로부터 취출할 때는, 개구부(6315)를 가지기 때문에, 투과율을 높일 수가 있다.
또한, 도 63(A)에서, 화소 전극(6317)과 같은 층에, 같은 재료를 사용하여 제4 전극(6324)을 형성하여, 도 63(B)와 같은 구성으로 하여도 좋다. 그러면, 제1 전극(6304), 제2 전극, 제3 전극(6314) 및 제4 전극(6324)에 의해 구성되는 용량 소자(6325)를 형성할 수 있다.
다음에, 트랜지스터의 반도체층에 아모르퍼스 실리콘(a-Si:H) 막을 사용한 경우에 대하여 도 64, 도 65 및 도 66을 사용하여 설명한다.
아모르퍼스 실리콘을 반도체층에 사용한 탑 게이트 구조의 트랜지스터를 적용한 표시 패널의 화소부의 부분 단면도를 도 64에 나타낸다. 도 64(A)에 나타내는 바와 같이, 기판(6401) 상에 하지막(6402)이 형성되어 있다. 또한, 하지막(6402) 위에 화소 전극(6403)이 형성되어 있다. 또한, 화소 전극(6403)과 같은 층에, 화소 전극(6403)과 같은 재료로 된 제1 전극(6404)이 형성되어 있다.
기판은 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판 등을 사용할 수가 있다. 또한, 하지막(6402)으로서는, 질화알루미늄(AlN)이나 산화규소(SiO2), 산화질화규소(SiOxNy) 등의 단층이나 이들의 적층을 사용할 수 있다.
하지막(6402) 위에 배선(6405) 및 배선(6406)이 형성되고, 화소 전극(6403)의 단부가 배선(6405)으로 덮여 있다. 배선(6405) 및 배선(6406)의 상부에,, N형의 도전형을 가지는 N형 반도체층(6407) 및 N형 반도체층(6408)이 형성되어 있다. 또한, 배선(6405)과 배선(6406) 사이에서 하지막(6402) 위에 반도체층(6409)이 형성되어 있다. 그리고, 반도체층(6409)의 일부는 N형 반도체층(6407) 및 N형 반도 체층(6408) 위까지 연장하여 있다. 또한, 이 반도체층(6409)은 아모르퍼스 실리콘(a-Si:H), 미(微)결정 반도체(μc-Si:H) 등의, 비결정성을 가지는 반도체막으로 형성되어 있다.
반도체층(6409) 위에 게이트 절연막(6410)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 절막(6410)과 같은 층에, 게이트 절연막(6410)과 같은 재료로 된 절연막(6411)이 제1 전극(6404) 위에도 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막(6410)으로서는, 산화규소막이나 질화규소막 등이 사용된다.
게이트 절연막(6410) 위에 게이트 전극(6412)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 전극(6412)과 같은 층에, 게이트 전극(6412)과 같은 재료로 된 제2 전극(6413)이, 제1 전극(6404) 위에 절연막(6411)을 사이에 두고 형성되어 있다. 이것에 의해, 제1 전극(6404) 및 제2 전극(6413) 사이에 절연막(6411)을 끼운 구조의 용량 소자(6419)가 형성되어 있다. 또한, 화소 전극(6403)의 단부, 구동 트랜지스터(6418) 및 용량 소자(6419)를 덮는 층간절연막(6414)이 형성되어 있다.
층간절연막(6414) 및 그의 개구부에 위치하는 화소 전극(6403) 위에, 유기 화합물을 함유하는 층(6415) 및 대향 전극(6416)이 형성되고, 화소 전극(6403)과 대향 전극(6416) 사이에 유기 화합물을 함유하는 층(6415)이 끼워진 영역에 발광소자(6417)가 형성되어 있다.
또한, 도 64(A)에 나타내는 제1 전극(6404)을, 도 64(B)에 나타내는 바와 같이 제1 전극(6420)으로 형성하여도 좋다. 또한, 도 64(B)에 나타낸 제1 전극(6420)은 배선(6405, 6406)과 같은 층에 배선(6405, 6406)과 동일 재료로 형성되 어 있다.
다음에, 아모르퍼스 실리콘을 반도체층에 사용한 보텀 게이트 구조의 트랜지스터를 적용한 표시 패널의 화소부의 부분 단면도를 도 65 및 도 66에 나타낸다.
도 65(A)에 나타내는 바와 같이, 기판(6501) 위에 하지막(6502)이 형성되어 있고, 하지막(6502) 위에 게이트 전극(6503)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 전극(6503)과 같은 층에, 게이트 전극(6503)과 같은 재료로 된 제1 전극(6504)이 형성되어 있다. 게이트 전극(6503)의 재료에는, 인이 첨가된 다결정 실리콘을 사용할 수 있다. 다결정 실리콘 외에, 금속과 실리콘의 화합물인 실리사이드이어도 좋다.
게이트 전극(6503) 및 제1 전극(6504)을 덮도록 게이트 절연막(6505)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(6505)으로서는, 산화규소막이나 질화규소막 등이 사용된다.
게이트 절연막(6505) 위에 반도체층(6506)이 형성되어 있다. 또한, 반도체층(6506)과 같은 층에, 반도체층(6506)과 같은 재료로 된 반도체층(6507)이 형성되어 있다.
기판은 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 하지막(6502)으로서는, 질화알루미늄(AlN)이나 산화규소(SiO2), 산화질화규소(SiOxNy) 등의 단층이나 이들의 적층을 사용할 수 있다.
반도체층(6506) 위에는 N형의 도전성을 가지는 N형 반도체층(6508, 6509)이 형성되고, 반도체층(6507) 위에는 N형 반도체층(6510)이 형성되어 있다.
N형 반도체층(6508, 6509) 위에는 각각 배선(6511, 6512)이 형성된다. 또한, 배선(6511, 6512)과 같은 층에, 배선(6511, 6512)과 동일 재료로 된 도전층(6513)이 N형 반도체층(6510) 위에 형성되어 있다.
이것에 의해, 반도체층(6507), N형 반도체층(6510) 및 도전층(6513)으로 이루어지는 제2 전극이 구성된다. 또한, 이 제2 전극과 제1 전극(6504) 사이에 게이트 절연막(6505)을 끼운 구조의 용량 소자(6520)가 형성되어 있다.
또한, 배선(6511)의 한쪽 단부는 연장하여 있고, 그 연장한 배선(6511) 상부에 접하여 화소 전극(6514)이 형성되어 있다.
또한, 화소 전극(6514)의 단부, 구동 트랜지스터(6519) 및 용량 소자(6520)를 덮도록 절연물(6515)이 형성되어 있다.
화소 전극(6514) 및 절연물(6515) 위에는, 유기 화합물을 함유하는 층(6516) 및 대향 전극(6517)이 형성되고, 화소 전극(6514)과 대향 전극(6517) 사이에 유기 화합물을 함유하는 층(6516)이 끼워진 영역에 발광소자(6518)가 형성되어 있다.
또한, 용량 소자(6520)의 제2 전극의 일부가 되는 반도체층(6507) 및 N형 반도체층(6510)은 마련하지 않아도 좋다. 즉, 용량 소자(6520)의 제2 전극은 도전층(6513)으로 하고, 용량 소자(6520)의 구조를, 제1 전극(6504)과 도전층(6513) 사이에 게이트 절연막을 끼운 구조로 하여도 좋다.
또한, 도 65(A)에서, 배선(6511)을 형성하기 전에 화소 전극(6514)을 형성함으로써, 도 65(B)에 나타내는 바와 같은, 화소 전극(6514)과 같은 층에 화소 전 극(6514)과 같은 재료로 된 제2 전극(6521)을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 제2 전극(6521)과 제1 전극(6504) 사이에 게이트 절연막(6505)을 끼운 구조의 용량 소자(6522)를 형성할 수 있다.
또한, 도 65에서는, 역 스태거형의 채널 에칭 구조의 트랜지스터를 적용한 예에 대하여 나타냈지만, 물론, 채널 보호 구조의 트랜지스터를 적용하여도 좋다. 채널 보호 구조의 트랜지스터를 적용한 경우에 대하여 도 66(A) 및 도 66(B)를 사용하여 설명한다.
도 66(A)에 나타내는 채널 보호형 구조의 트랜지스터는, 도 65(A)에 나타낸 채널 에칭 구조의 구동 트랜지스터(6519)의 반도체층(6506)의 채널이 형성되는 영역 위에, 에칭 마스크가 되는 절연물(6601)이 마련되어 있는 점이 다르고, 그 외의 공통되는 곳은 공통의 부호를 사용하고 있다.
또한, 마찬가지로, 도 66(B)에 나타내는 채널 보호형 구조의 트랜지스터는, 도 65(B)에 나타낸 채널 에칭 구조의 구동 트랜지스터(6519)의 반도체층(6506)의 채널이 형성되는 영역 위에, 에칭 마스크가 되는 절연물(6601)이 마련되어 있는 점이 다르고, 그 외의 공통되는 곳은 공통의 부호를 사용하고 있다.
본 발명의 화소를 구성하는 트랜지스터의 반도체층(채널 형성 영역이나 소스 영역이나 드레인 영역 등)에 비정질 반도체막을 사용함으로써, 제조 비용을 삭감 할 수 있다.
또한, 본 발명의 표시장치의 화소부에 적용할 수 있는 트랜지스터의 구조나, 용량 소자의 구조는 상기한 구성에 한정되지 않고, 다양한 구성의 트랜지스터의 구 조나 용량 소자의 구조를 사용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 설명한 내용은 실시형태 1∼실시형태 6에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 8]
본 실시형태에서는, 트랜지스터를 비롯한 반도체장치를 제조하는 방법으로서, 플라즈마 처리를 사용하여 반도체장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
도 67은 트랜지스터를 포함하는 반도체장치의 구조예를 나타낸 도면이다. 또한, 도 67에서, 도 67(B)는 도 67(A)의 a-b선을 따라 취한 단면도에 상당하고, 도 67(C)는 도 67(A)의 c-d선을 따라 취한 단면도에 상당한다.
도 67에 나타내는 반도체장치는, 기판(6701) 위에 절연막(6702)을 사이에 두고 형성된 반도체막(6703a, 6703b)과, 이 반도체막(6703a, 6703b) 위에 게이트 절연막(6704)을 사이에 두고 형성된 게이트 전극(6705)과, 게이트 전극을 덮도록 형성된 절연막(6706, 6707)과, 반도체막(6703a, 6703b)의 소스 영역 또는 드레인 영역과 접속하고, 또한, 이 절연막(6707) 위에 형성된 도전막(6708)을 가지고 있다. 또한, 도 67에서는, 반도체막(6703a)의 일부를 채널 영역으로 사용한 N채널형 트랜지스터(6710a)와, 반도체막(6703b)의 일부를 채널 영역으로 사용한 P채널형 트랜지스터(6710b)를 제공한 경우를 나타내고 있지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 67에서는, N채널형 트랜지스터(6710a)에 LDD 영역을 마련하고, P채널형 트랜지스터(6710b)에는 LDD 영역을 마련하지 않지만, 양쪽 모두에 마련한 구성으로 하여도 좋고, 양쪽 모두에 마련하지 않는 구성으로 하는 것도 가능하다.
또한, 본 실시형태에서는, 기판(6701), 절연막(6702), 반도체막(6703a 및 6703b), 게이트 절연막(6704), 절연막(6706) 또는 절연막(6707) 중 적어도 어느 한 층에, 플라즈마 처리를 사용하여 산화 또는 질화를 행함으로써 반도체막 또는 절연막을 산화 또는 질화하여, 도 67에 나타낸 반도체장치를 제조한다. 이와 같이, 플라즈마 처리를 사용하여 반도체막 또는 절연막을 산화 또는 질화함으로써, 이 반도체막 또는 절연막의 표면을 개질하여, CVD법이나 스퍼터링법에 의해 형성한 절연막과 비교하여 보다 치밀한 절연막을 형성할 수 있기 때문에, 핀홀 등의 결함을 억제하여 반도체장치의 특성 등을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 67의 반도체막(6703a, 6703b) 또는 게이트 절연막(6704)에 플라즈마 처리를 행하여 이 반도체막(6703a, 6703b) 또는 게이트 절연막(6704)을 산화 또는 질화함으로써 반도체장치를 제조하는 방법에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
처음에, 기판 위에 형성된 섬 형상의 반도체막에 있어서, 이 섬 형상의 반도체막의 단부를 직각에 가까운 형상으로 형성하는 경우에 대하여 나타낸다.
먼저, 기판(6701) 위에 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 형성한다(도 68(A)). 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)은, 기판(6701) 위에 미리 형성된 절연막(6702) 위에 공지의 수단(스퍼터링법, LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등)을 사용하여 실리콘(Si)을 주성분으로 하는 재료(예를 들어, SixGe1-x 등) 등을 사용하여 비정질 반도체막을 형성하고, 이 비정질 반도체막을 결정화시키고, 반도체막을 선택적으로 에칭함으로써 형성될 수 있다. 또한, 비정질 반도체막의 결정화는 레이저 결정화법, RTA 또는 퍼니스 어닐노를 사용한 열결정화법, 결정화를 조장하는 금속 원소를 사용한 열결정화법 또는 이들 방법을 조합한 방법 등의 공지의 결정화법에 의해 행할 수 있다. 또한, 도 68에서는, 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)의 단부를 직각에 가까운 형상(θ = 85∼100°)으로 형성한다.
다음에, 플라즈마 처리를 행하여 반도체막(6703a, 6703b)을 산화 또는 질화함으로써, 이 반도체막(6703a, 6703b)의 표면에 각각 산화 반도체막 또는 질화 반도체막인 절연막(6721a, 6721b)을 형성한다(도 68(B)). 예를 들어, 반도체막(6703a, 6703b)으로서 Si를 사용한 경우, 절연막(6721a) 및 절연막(6721b)으로서 산화규소(SiOx) 또는 질화규소(SiNx)가 형성된다. 또한, 플라즈마 처리에 의해 반도체막(6703a, 6703b)을 산화시킨 후에, 재차 플라즈마 처리를 행함으로써 질화시켜도 좋다. 이 경우, 반도체막(6703a, 6703b)에 접하여 산화규소(SiOx)가 형성되고, 이 산화규소의 표면에 질화산화규소(SiNxOy)(x＞y)가 형성된다. 또한, 플라즈마 처리에 의해 반도체막을 산화하는 경우에는, 산소 분위기하(예를 들어, 산소(O2)와 희가스(He, Ne, Ar, Kr, Xe 중의 적어도 하나를 포함한다) 분위기하 또는 산소와 수소(H2)와 희가스 분위기하 또는 일산화이질소와 희가스 분위기하)에서 플라즈마 처리를 행한다. 한편, 플라즈마 처리에 의해 반도체막을 질화하는 경우에는, 질소 분위기하(예를 들어, 질소(N2)와 희가스(He, Ne, Ar, Kr, Xe 중의 적어도 하나를 포함한다) 분위기하 또는 질소와 수소와 희가스 분위기하 또는 NH3와 희가스 분 위기하)에서 플라즈마 처리를 행한다. 희가스로서는, 예를 들어, Ar을 사용할 수 있다. 또한, Ar과 Kr을 혼합한 가스를 사용하여도 좋다. 따라서, 절연막(6721a, 6721b)은 플라즈마 처리에 사용한 희가스(He, Ne, Ar, Kr, Xe 중의 적어도 하나를 포함한다)를 함유하고 있고, Ar을 사용한 경우에는 절연막(6721a, 6721b)에 Ar이 함유되어 있다.
또한, 플라즈마 처리는, 상기 가스의 분위기 중에서, 전자 밀도가 1×1011 cm-3 이상 1×1013 cm-3 이하이고, 플라즈마의 전자 온도가 0.5 eV 이상 1.5 eV 이하에서 행한다. 플라즈마의 전자 밀도가 고밀도이고, 기판(6701) 위에 형성된 피처리물(여기서는, 반도체막(6703a, 6703b)) 부근에서의 전자 온도가 낮기 때문에, 피처리물에 대한 플라즈마에 의한 손상을 방지할 수 있다. 또한, 플라즈마의 전자 밀도가 1×1011 cm-3 이상으로 고밀도이기 때문에, 플라즈마 처리를 사용하여 피조사물을 산화 또는 질화함으로써 형성되는 산화물 또는 질화막은, CVD법이나 스퍼터링법 등에 의해 형성된 막과 비교하여 막 두께 등의 균일성이 뛰어나고, 또한, 치밀한 막을 형성할 수 있다. 또한, 플라즈마의 전자 온도가 1 eV 이하로 낮기 때문에, 종래의 플라즈마 처리나 열 산화법과 비교하여 낮은 온도로 산화 또는 질화처리를 행할 수 있다. 예를 들어, 유리 기판의 왜곡점 온도보다 100℃ 이상 낮은 온도로 플라즈마 처리를 행하여도 충분히 산화 또는 질화 처리를 행할 수 있다. 또한, 플라즈마를 형성하기 위한 주파수로서는, 마이크로파(2.45 GHz) 등의 고주파를 사용할 수 있다. 또한, 이하에 특별히 언급하지 않는 경우는, 플라즈마 처리로서 상기 조건을 사용하여 행하는 것으로 한다.
다음에, 절연막(6721a, 6721b)을 덮도록 게이트 절연막(6704)을 형성한다(도 68(C)). 게이트 절연막(6704)은, 공지의 수단(스퍼터링법, LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등)을 사용하여 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화질화규소(SiOxNy)(x＞y), 질화산화규소(SiNxOy)(x＞y) 등의, 산소 또는 질소를 가지는 절연막의 단층 구조, 또는 이들의 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체막(6703a, 6703b)으로서 Si를 사용하고, 플라즈마 처리에 의해 이 Si를 산화시킴으로써, 이 반도체막(6703a, 6703b)의 표면에 절연막(6721a, 6721b)으로서 산화규소를 형성한 경우, 이 절연막(6721a, 6721b) 위에 게이트 절연막으로서 산화규소(SiOx)를 형성한다. 또한, 도 68(B)에서, 플라즈마 처리에 의해 반도체막(6703a, 6703b)을 산화 또는 질화함으로써 형성된 절연막(6721a, 6721b)의 막 두께가 충분한 경우에는, 이 절연막(6721a, 6721b)을 게이트 절연막으로서 사용하는 것도 가능하다.
다음에, 게이트 절연막(6704) 위에 게이트 전극(6705) 등을 형성함으로써, 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 채널 영역으로서 사용한 N채널형 트랜지스터(6710a), P채널형 트랜지스터(6710b)를 가지는 반도체장치를 제조할 수 있다(도 68(D)).
이와 같이, 반도체막(6703a, 6703b) 위에 게이트 절연막(6704)을 형성하기 전에, 플라즈마 처리에 의해 반도체막(6703a, 6703b)의 표면을 산화 또는 질화함으로써, 채널 영역의 단부(6751a, 6751b) 등에서의 게이트 절연막(6704)의 피복 불량에 기인하는 게이트 전극과 반도체막의 단락(短絡) 등을 방지할 수 있다. 즉, 섬 형상의 반도체막의 단부가 직각에 가까운 형상(θ = 85∼100°)을 가지는 경우에는, CVD법이나 스퍼터링법 등에 의해 반도체막을 덮도록 게이트 절연막을 형성했을 때, 반도체막의 단부에서 게이트 절연막의 절단 등에 의한 피복 불량의 문제가 생길 우려가 있지만, 미리 반도체막의 표면에 플라즈마 처리를 사용하여 산화 또는 질화해 둠으로써, 반도체막의 단부에서의 게이트 절연막의 피복 불량 등을 방지하는 것이 가능하게 된다.
또한, 도 68에서, 게이트 절연막(6704)을 형성한 후에 플라즈마 처리를 행함으로써, 게이트 절연막(6704)을 산화 또는 질화시켜도 좋다. 이 경우, 반도체막(6703a, 6703b)을 덮도록 형성된 게이트 절연막(6704)(도 69(A))에 플라즈마 처리를 행하여 게이트 절연막(6704)을 산화 또는 질화함으로써, 게이트 절연막(6704)의 표면에 산화 절연막 또는 질화 절연막인 절연막(6723)을 형성한다(도 69(B)). 플라즈마 처리의 조건은 도 68(B)과 마찬가지로 행할 수가 있다. 또한, 절연막(6723)은 플라즈마 처리에 사용한 희가스를 함유하고 있고, 예를 들어, Ar을 사용한 경우에는 절연막(6723)에 Ar이 함유되어 있다.
또한, 도 69(B)에서, 일단 산소 분위기하에서 플라즈마 처리를 행함으로써 게이트 절연막(6704)을 산화시킨 후에, 재차 질소 분위기하에서 플라즈마 처리를 행함으로써 질화시켜도 좋다. 이 경우, 반도체막(6703a, 6703b)측에 산화규소(SiOx) 또는 산화질화규소(SiOxNy)(x＞y)가 형성되고, 게이트 전극(6705)에 접하여 질화산화규소(SiNxOy)(x＞y)가 형성된다. 그 후, 게이트 절연막(6704) 위에 게이트 전극(6705) 등을 형성함으로써, 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 채널 영 역으로서 사용한 N채널형 트랜지스터(6710a), P채널형 트랜지스터(6710b)를 가지는 반도체장치를 제조할 수 있다(도 69(C)). 이와 같이, 게이트 절연막에 플라즈마 처리를 행하여 이 게이트 절연막의 표면을 산화 또는 질화함으로써, 게이트 절연막의 표면을 개질하여 치밀한 막을 형성할 수 있다. 플라즈마 처리를 행함으로써 얻어지는 절연막은, CVD법이나 스퍼터링법에 의해 형성된 절연막과 비교하여 치밀하고, 핀홀 등의 결함도 적기 때문에, 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 69에서는, 미리 반도체막(6703a, 6703b)에 플라즈마 처리를 행함으로써, 이 반도체막(6703a, 6703b)의 표면을 산화 또는 질화시킨 경우를 나타냈지만, 반도체막(6703a, 6703b)에 플라즈마 처리를 행하지 않고 게이트 절연막(6704)을 형성한 후에 플라즈마 처리를 행하는 방법을 사용하여도 좋다. 이와 같이, 게이트 전극을 형성하기 전에 플라즈마 처리를 행함으로써, 반도체막의 단부에서 게이트 절연막의 절단 등에 의한 피복 불량이 생긴 경우에도, 피복 불량에 의해 노출한 반도체막을 산화 또는 질화할 수 있기 때문에, 반도체막의 단부에서의 게이트 절연막의 피복 불량에 기인하는 게이트 전극과 반도체막의 단락 등을 방지할 수 있다.
이와 같이, 섬 형상의 반도체막의 단부를 직각에 가까운 형상으로 형성한 경우에도, 반도체막 또는 게이트 절연막에 플라즈마 처리를 행하여 이 반도체막 또는 게이트 절연막을 산화 또는 질화함으로써, 반도체막의 단부에서의 게이트 절연막의 피복 불량에 기인하는 게이트 전극과 반도체막의 단락 등을 방지할 수 있다.
다음에, 기판 위에 형성된 섬 형상의 반도체막에서, 이 섬 형상의 반도체막 의 단부를 테이퍼 형상(θ = 30∼85°)으로 형성하는 경우에 대하여 나타낸다.
먼저, 기판(6701) 위에 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 형성한다(도 70(A)). 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)은, 기판(6701) 위에 미리 형성된 절연막(6702) 위에 공지의 수단(스퍼터링법, LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등)을 사용하여 실리콘(Si)을 주성분으로 하는 재료(예를 들어, SixGe1-x 등) 등을 사용하여 비정질 반도체막을 형성하고, 이 비정질 반도체막을 레이저 결정화법, RTA 또는 퍼니스 어닐노를 사용하는 열 결정화법, 결정화를 조장하는 금속 원소를 사용한 열 결정화법 등의 공지의 결정화법에 의해 결정화시키고, 반도체막을 선택적으로 에칭하여 제거함으로써 형성될 수 있다. 또한, 도 70에서는, 섬 형상의 반도체막의 단부를 테이퍼 형상(θ = 30∼85°)으로 형성한다.
다음에, 반도체막(6703a, 6703b)을 덮도록 게이트 절연막(6704)을 형성한다(도 70(B)). 게이트 절연막(6704)은, 공지의 수단(스퍼터링법, LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등)을 이용하여 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화질화규소(SiOxNy)(x＞y), 질화산화규소(SiNxOy)(x＞y) 등의, 산소 또는 질소를 가지는 절연막의 단층 구조, 또는 이들의 적층 구조로 형성될 수 있다.
다음에, 플라즈마 처리를 행하여 게이트 절연막(6704)을 산화 또는 질화함으로써, 이 게이트 절연막(6704)의 표면에 각각 산화 절연막 또는 질화 절연막인 절연막(6724)을 형성한다(도 70(C)). 또한, 플라즈마 처리의 조건은 상기와 마찬가지로 행할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(6704)으로서 산화규소(SiOx) 또는 산화질화규소(SiOxNy)(x＞y)를 사용한 경우, 산소 분위기하에서 플라즈마 처리를 행하여 게이트 절연막(6704)을 산화함으로써, 게이트 절연막의 표면에는 CVD법이나 스퍼터링법 등에 의해 형성된 게이트 절연막과 비교하여 핀홀 등의 결함이 적은 치밀한 막을 형성할 수 있다. 한편, 질소 분위기하에서 플라즈마 처리를 행하여 게이트 절연막(6704)을 질화함으로써, 게이트 절연막(6704)의 표면에 절연막(6724)으로서 질화산화규소(SiNxOy)(x＞y)를 형성할 수 있다. 또한, 일단 산소 분위기하에서 플라즈마 처리를 행함으로써 게이트 절연막(6704)을 산화시킨 후에, 재차 질소 분위기하에서 플라즈마 처리를 행함으로써 질화시켜도 좋다. 또한, 절연막(6724)은 플라즈마 처리에 사용한 희가스를 함유하고 있고, 예를 들어, Ar을 사용한 경우에는 절연막(6724) 중에 Ar이 함유되어 있다.
다음에, 게이트 절연막(6704) 위에 게이트 전극(6705) 등을 형성함으로써, 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 채널 영역으로서 사용한 N채널형 트랜지스터(6710a), P채널형 트랜지스터(6710b)를 가지는 반도체장치를 제조할 수 있다(도 70(D)).
이와 같이, 게이트 절연막에 플라즈마 처리를 행하여 게이트 절연막의 표면에 산화막 또는 질화막으로 된 절연막을 형성하여, 게이트 절연막의 표면의 개질을 할 수 있다. 플라즈마 처리를 행함으로써 산화 또는 질화된 절연막은 CVD법이나 스퍼터링법으로 형성된 게이트 절연막과 비교하여 치밀하고 핀홀 등의 결함도 적기 때문에, 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 반도체막의 단부를 테이퍼 형상으로 함으로써, 반도체막의 단부에서의 게이트 절연막의 피복 불량에 기인하는 게이트 전극과 반도체막의 단락 등을 억제할 수 있지만, 게이트 절연막을 형성한 후에 플라즈마 처리를 행함으로써, 게이트 전극과 반도체막의 단락 등을 한층 더 방지할 수 있다.
다음에, 도 70과는 다른 반도체장치의 제조방법에 관하여 도면을 참조하여 설명한다. 구체적으로는, 테이퍼 형상을 가지는 반도체막의 단부에 선택적으로 플라즈마 처리를 행하는 경우에 대하여 나타낸다.
먼저, 기판(6701) 위에 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 형성한다(도 71(A)). 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)은, 기판(6701) 위에 미리 형성된 절연막(6702) 위에 공지의 수단(스퍼터링법, LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등)을 사용하여 실리콘(Si)을 주성분으로 하는 재료(예를 들어, SixGe1-x 등) 등을 사용하여 비정질 반도체막을 형성하고, 이 비정질 반도체막을 결정화시키고, 레지스트(6725a, 6725b)를 마스크로 하여 반도체막을 선택적으로 에칭함으로써 형성될 수 있다. 또한, 비정질 반도체막의 결정화는 레이저 결정화법, RTA 또는 퍼니스 어닐노를 사용한 열 결정화법, 결정화를 조장하는 금속 원소를 사용한 열 결정화법 또는 이들 방법을 조합한 방법 등의 공지의 결정화법에 의해 행할 수가 있다.
다음에, 반도체막의 에칭을 위하여 사용한 레지스트(6725a, 6725b)를 제거하기 전에, 플라즈마 처리를 행하여 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)의 단부를 선택적으로 산화 또는 질화함으로써, 이 반도체막(6703a, 6703b)의 단부에 각각 산화 반도체막 또는 질화 반도체막인 절연막(6726)을 형성한다(도 71(B)). 플라즈마 처 리는 상기한 조건 하에서 행한다. 또한, 절연막(6726)은 플라즈마 처리에 사용한 희가스를 함유하고 있다.
다음에, 반도체막(6703a, 6703b)을 덮도록 게이트 절연막(6704)을 형성한다(도 71(C)). 게이트 절연막(6704)은 상기와 마찬가지로 형성될 수 있다.
다음에, 게이트 절연막(6704) 위에 게이트 전극(6705) 등을 형성함으로써, 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 채널 영역으로서 사용한 N채널형 트랜지스터(6710a), P채널형 트랜지스터(6710b)를 가지는 반도체장치를 제조할 수 있다(도 71(D)).
반도체막(6703a, 6703b)의 단부를 테이퍼 형상으로 형성한 경우, 반도체막(6703a, 6703b)의 일부에 형성되는 채널 영역의 단부(6752a, 6752b)도 테이퍼 형상이 되어, 반도체막의 막 두께나 게이트 절연막의 막 두께가 중앙 부분과 비교하여 변화하기 때문에, 트랜지스터의 특성에 영향을 미치는 경우가 있다. 그 때문에, 여기서는 플라즈마 처리에 의해 채널 영역의 단부를 선택적으로 산화 또는 질화하여, 이 채널 영역의 단부가 되는 반도체막에 절연막을 형성함으로써, 채널 영역의 단부에 기인하는 트랜지스터에의 영향을 저감할 수 있다.
또한, 도 71에서는, 반도체막(6703a, 6703b)의 단부에 한하여 플라즈마 처리에 의해 산화 또는 질화를 행한 예를 나타냈지만, 물론, 도 70에서 나타낸 바와 같이 게이트 절연막(6704)에도 플라즈마 처리를 행하여 산화 또는 질화시키는 것도 가능하다(도 73(A)).
다음에, 상기와는 다른 반도체장치의 제조방법에 대하여 도면을 참조하여 설 명한다. 구체적으로는, 테이퍼 형상을 가지는 반도체막에 플라즈마 처리를 행하는 경우에 대하여 나타낸다.
먼저, 기판(6701) 위에 상기와 마찬가지로 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 형성한다(도 72(A)).
다음에, 플라즈마 처리를 행하여 반도체막(6703a, 6703b)을 산화 또는 질화함으로써, 이 반도체막(6703a, 6703b)의 표면에 각각 산화 반도체막 또는 질화 반도체막인 절연막(6727a, 6727b)을 형성한다(도 72(B)). 플라즈마 처리는 상기한 조건 하에서 마찬가지로 행할 수 있다. 예를 들어, 반도체막(6703a, 6703b)으로서 Si를 사용한 경우, 절연막(6727a) 및 절연막(6727b)으로서 산화규소(SiOx) 또는 질화규소(SiNx)가 형성된다. 또한, 플라즈마 처리에 의해 반도체막(6703a, 6703b)을 산화시킨 후에, 재차 플라즈마 처리를 행함으로써 질화시켜도 좋다. 이 경우, 반도체막(6703a, 6703b)에 접하여 산화규소(SiOx) 또는 산화질화규소(SiOxNy)(x＞y)가 형성되고, 이 산화규소의 표면에 질화산화규소(SiNxOy)(x＞y)가 형성된다. 그 때문에, 절연막(6727a, 6727b)은 플라즈마 처리에 사용한 희가스를 함유하고 있다. 또한, 플라즈마 처리를 행함으로써 반도체막(6703a, 6703b)의 단부도 동시에 산화 또는 질화된다.
다음에, 절연막(6727a, 6727b)을 덮도록 게이트 절연막(6704)를 형성한다(도 72(C)). 게이트 절연막(6704)은, 공지의 수단(스퍼터링법, LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등)을 사용하여, 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화질화규소(SiOxNy)(x＞y), 질화산화규소(SiNxOy)(x＞y) 등의, 산소 또는 질소를 가지는 절연막의 단층 구 조, 또는 이들의 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체막(6703a, 6703b)으로서 Si를 사용하여 플라즈마 처리에 의해 산화시킴으로써, 이 반도체막(6703a, 6703b)의 표면에 절연막(6727a, 6727b)으로서 산화규소를 형성한 경우, 이 절연막(6727a, 6727b) 위에 게이트 절연막으로서 산화규소(SiOx)를 형성한다.
다음에, 게이트 절연막(6704) 위에 게이트 전극(6705) 등을 형성함으로써, 섬 형상의 반도체막(6703a, 6703b)을 채널 영역으로서 사용한 N채널형 트랜지스터(6710a), P채널형 트랜지스터(6710b)를 가지는 반도체장치를 제조할 수 있다(도 72(D)).
반도체막의 단부를 테이퍼 형상으로 형성한 경우, 반도체막의 일부에 형성되는 채널 영역의 단부(6753a, 6753b)도 테이퍼 형상이 되기 때문에, 반도체 소자의 특성에 영향을 미치는 경우가 있다. 그 때문에, 플라즈마 처리에 의해 반도체막을 산화 또는 질화함으로써, 결과적으로 채널 영역의 단부도 산화 또는 질화되기 때문에 반도체 소자에의 영향을 저감할 수 있다.
또한, 도 72에서는, 반도체막(6703a, 6703b)에 한하여 플라즈마 처리에 의해 산화 또는 질화를 행한 예를 나타냈지만, 물론, 도 70에서 나타낸 바와 같이, 게이트 절연막(6704)에 플라즈마 처리를 행하여 산화 또는 질화시키는 것도 가능하다(도 73(B)). 이 경우, 일단 산소 분위기하에서 플라즈마 처리를 행함으로써, 게이트 절연막(6704)을 산화시킨 후에, 재차 질소 분위기하에서 플라즈마 처리를 행함으로써 질화시켜도 좋다. 이 경우, 반도체막(6703a, 6703b)측에 산화규소(SiOx) 또는 산화질화규소(SiOxNy)(x＞y)가 형성되고, 게이트 전극(6705)에 접하여 질화산 화규소(SiNxOy)(x＞y)가 형성된다.
이와 같이, 플라즈마 처리를 행하여 반도체막 또는 게이트 절연막을 산화 또는 질화하여 표면을 개질함으로써, 치밀하고 막질이 좋은 절연막을 형성할 수 있다. 그 결과, 절연막을 얇게 형성하는 경우에도 핀홀 등의 결함을 방지하고, 트랜지스터 등의 반도체 소자의 미세화 및 고성능화를 실현하는 것이 달성될 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 67에서의 반도체막(6703a, 6703b) 또는 게이트 절연막(6704)에 플라즈마 처리를 행하여, 이 반도체막(6703a, 6703b) 또는 게이트 절연막(6704)을 산화 또는 질화를 행하였지만, 플라즈마 처리를 사용하여 산화 또는 질화를 행하는 층은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(6701) 또는 절연막(6702)에 플라즈마 처리를 행하여도 좋고, 절연막(6706) 또는 절연막(6707)에 플라즈마 처리를 행하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서 설명한 내용은 실시형태 1∼실시형태 7에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 9]
본 실시형태에서는, 실시형태 1∼실시형태 6에서 설명한 구동방법을 제어하는 하드웨어에 대하여 설명한다.
대략적인 구성도를 도 74에 나타낸다. 기판(7401) 위에, 화소부(7404), 신호선 구동회로(7406), 주사선 구동회로(7405)가 배치되어 있다. 그 이외에도, 전원 회로나 프리차지 회로나 타이밍 생성 회로 등이 배치되어도 좋다. 또한, 신호선 구동회로(7406)나 주사선 구동회로(7405)가 배치되어 있지 않아도 좋다. 그 경 우, 기판(7401)에 배치되어 있지 않은 것을 IC에 형성하여도 좋다. 그 IC는, 기판(7401) 위에 COG(Chip On Glass)에 의해 배치되어도 좋다. 또는, 주변 회로 기판(7402)과 기판(7401)을 접속하는 접속 기판(7407) 위에 IC가 배치되어도 좋다.
주변 회로 기판(7402)에는 신호(7403)가 입력된다. 그리고, 컨트롤러(7408)가 제어하여 메모리(7409, 7410) 등에 신호가 보존된다. 신호(7403)가 아날로그 신호인 경우는, 아날로그·디지털 변환을 행한 후, 메모리(7409, 7410) 등에 보존되는 일이 많다. 그리고, 컨트롤러(7408)가 메모리(7409, 7410) 등에 보존된 신호를 사용하여 기판(7401)에 신호를 출력한다.
실시형태 1∼실시형태 6에서 설명한 구동방법을 실현하기 위해, 컨트롤러(7408)가 서브프레임의 출현 순서 등을 제어하고, 기판(7401)에 신호를 출력한다.
또한, 본 실시형태에서 설명한 내용은 실시형태 1∼실시형태 8에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 10]
본 실시형태에서는, 본 발명의 표시장치를 사용한 EL 모듈 및 EL 텔레비전 수상기의 구성예에 대하여 설명한다.
도 75는 표시 패널(7501)과, 회로 기판(7502)을 조합한 EL 모듈을 나타내고 있다. 표시 패널(7501)은 화소부(7503), 주사선 구동회로(7504) 및 신호선 구동회로(7505)를 가지고 있다. 회로 기판(7502)에는, 예를 들어, 컨트롤 회로(7506)나 신호 분할 회로(7507) 등이 형성되어 있다. 표시 패널(7501)과 회로 기판(7502)은 접속 배선(7508)에 의해 접속되어 있다. 접속 배선에는 FPC 등을 사용할 수가 있다.
컨트롤 회로(7506)가 실시형태 9에서의 컨트롤러(7408)나 메모리(7409, 7410) 등에 상당한다. 주로, 컨트롤 회로(7506)에서, 서브프레임의 출현 순서 등을 제어하고 있다.
표시 패널(7501)은, 화소부와 일부의 주변 구동회로(복수의 구동회로 중 동작 주파수가 낮은 구동회로)를 기판 위에 트랜지스터를 사용하여 일체로 형성하고, 일부의 주변 구동회로(복수의 구동회로 중 동작 주파수가 높은 구동회로)를 IC 칩 위에 형성하고, 그 IC 칩을 COG(Chip On Glass) 등으로 표시 패널(7501)에 실장하면 좋다. 또는, 그 IC 칩을 TAB(Tape Automated Bonding)나 프린트 기판을 사용하여 표시 패널(7501)에 실장하여도 좋다.
또한, 주사선이나 신호선에 설정하는 신호를 버퍼 회로에 의해 임피던스 변환함으로써, 1행마다의 화소의 기입 시간을 짧게 할 수 있다. 따라서 고정세한 표시장치를 제공할 수 있다.
또한, 더욱 소비전력의 저감을 도모하기 위해, 유리 기판 위에 트랜지스터를 사용하여 화소부를 형성하고, 모든 신호선 구동회로를 IC 칩 위에 형성하여, 그 IC 칩을 COG(Chip On Glass)에 의해 표시 패널에 실장하여도 좋다.
예를 들어, 표시 패널의 화면 전체를 몇 개의 영역으로 분할하고, 각각의 영역에 일부 또는 모든 주변 구동회로(신호선 구동회로, 주사선 구동회로 등)를 형성한 IC 칩을 배치하고, COG(Chip On Glass) 등으로 표시 패널에 실장하여도 좋다. 이 경우의 표시 패널의 구성을 도 76에 나타낸다.
도 76에서는, 화면 전체를 4개의 영역으로 분할하고, 8개의 IC 칩을 사용하여 구동시키는 예이다. 표시 패널의 구성은, 기판(7610), 화소부(7611), FPC(7612a∼7612h), IC 칩(7613a∼7613h)을 가진다. 8개의 IC 칩 중, 부호 7613a∼7613d에는 신호선 구동회로를 형성하고 있고, 7613e∼7613h에는 주사선 구동회로를 형성하고 있다. 그리고, 임의의 IC 칩을 구동시킴으로써, 4개의 화면 영역 중 임의의 화면 영역만을 구동시키는 것이 가능하게 된다. 예를 들어, IC 칩(7613a와 7613e)만을 구동시키면, 4개의 화면 영역 중, 왼쪽 위의 영역만을 구동시킬 수가 있다. 이와 같이 함으로써, 소비전력을 저감시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 다른 구성을 가지고 있는 표시 패널의 예를 도 77에 나타낸다. 도 77의 표시 패널은, 기판(7720) 위에, 화소(7730)가 복수 배열된 화소부(7721), 주사선(7733)의 신호를 제어하는 주사선 구동회로(7722), 신호선(7731)의 신호를 제어하는 신호선 구동회로(7723)를 가지고 있다. 또한, 화소(7730)에 포함되는 발광소자의 휘도 변화를 보정하기 위한 모니터 회로(7724)가 제공되어 있어도 좋다. 화소(7730)에 포함되는 발광소자와 모니터 회로(7724)에 포함되는 발광소자는 같은 구조를 가지고 있다. 발광소자의 구조는 한 쌍의 전극 사이에 일렉트로루미네슨스(EL)를 발현하는 재료를 포함하는 층을 끼운 형으로 되어 있다.
기판(7720)의 주변부에는, 주사선 구동회로(7722)에 외부 회로로부터 신호를 입력하는 입력 단자(7725), 신호선 구동회로(7723)에 외부 회로로부터 신호를 입력하는 입력 단자(7726), 모니터 회로(7724)에 신호를 입력하는 입력 단자(7729)를 가지고 있다.
화소(7730)에 제공된 발광소자를 발광시키기 위해서는, 외부 회로로부터 전력을 공급할 필요가 있다. 화소부(7721)에 제공되는 전원선(7732)은 입력 단자(7727)에서 외부 회로와 접속된다. 전원선(7732)은 인출 배선의 길이에 의해 저항 손실이 생기므로, 입력 단자(7727)는 기판(7720)의 주변부에 복수 개소 제공되는 것이 바람직하다. 입력 단자(7727)는 기판(7720)의 양단부에 제공되고, 화소부(7721)의 면내에서 휘도 얼룩이 눈에 띄지 않게 배치되어 있다. 즉, 화면 중에서 한쪽이 밝고, 반대측이 어두워지는 것을 방지하고 있다. 또한, 한 쌍의 전극을 구비한 발광소자의, 전원선(7732)과 접속하는 전극과는 반대측의 전극은, 복수의 화소(7730)에서 공유하는 공통 전극으로서 형성되지만, 이 전극의 저항 손실도 낮게 하기 때문에, 단자(7728)를 복수개 구비하고 있다.
이와 같은 표시 패널은, 전원선이 Cu 등의 저저항 재료로 형성되어 있으므로, 특히 화면 사이즈가 대형화했을 때에 유효하다. 예를 들어, 화면 사이즈가 13 인치 급의 경우 대각선의 길이는 340 mm이지만, 60 인치 급의 경우에는 1500 mm 이상이 된다. 이러한 경우에는, 배선 저항을 무시할 수가 없기 때문에, Cu 등의 저저항 재료를 배선으로서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 배선 지연을 고려하면, 마찬가지로 하여 신호선이나 주사선을 형성하여도 좋다.
상기와 같은 패널 구성을 구비한 EL 모듈에 의해 EL 텔레비전 수상기를 완성시킬 수 있다. 도 78은, EL 텔레비전 수상기의 주요한 구성을 나타내는 블럭도이다. 튜너(7801)는 영상 신호와 음성 신호를 수신한다. 영상 신호는, 영상 신호 증폭 회로(7802)와, 거기로부터 출력되는 신호를 적, 녹, 청의 각 색에 대응한 색 신호로 변환하는 영상 신호 처리 회로(7803)와, 그 영상 신호를 구동회로의 입력 사양으로 변환하기 위한 컨트롤 회로(7506)에 의해 처리된다. 컨트롤 회로(7506)는 주사선측과 신호선측에 각각 신호를 출력한다. 디지털 구동하는 경우에는, 신호선측에 신호 분할 회로(7507)를 마련하여 입력 디지털 신호를 M개로 분할하여 공급하는 구성으로 하여도 좋다.
튜너(7801)에서 수신한 신호 중 음성 신호는 음성 신호 증폭 회로(7804)로 보내지고, 그의 출력은 음성 신호 처리 회로(7805)를 거쳐 스피커(7806)에 공급된다. 제어 회로(7807)는 수신국(수신 주파수)이나 음량의 제어 정보를 입력부(7808)로부터 받아, 튜너(7801)나 음성 신호 처리 회로(7805)로 신호를 송출한다.
EL 모듈을 케이스에 조립하여 텔레비전 수상기를 완성시킬 수 있다. EL 모듈에 의해 표시부가 형성된다. 또한, 스피커, 비디오 입력 단자 등이 적절히 구비되어 있다.
물론, 본 발명은 텔레비전 수상기에 한정되지 않고, 퍼스널 컴퓨터의 모니터를 비롯하여, 철도 역이나 공항 등의 정보 표시반이나, 가두(街頭)의 광고 표시반 등, 특히 대면적의 표시 매체로서 다양한 용도에 적용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 표시장치 및 그의 구동방법을 이용함으로써, 의사 윤곽이 저감된, 깨끗한 화상을 볼 수 있게 된다.
또한, 본 실시형태에서 설명한 내용은 실시형태 1∼실시형태 9에서 설명한 내용과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
[실시형태 11]
본 발명의 표시장치를 사용한 전자기기로서, 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이(헤드 장착형 디스플레이), 내비게이션 시스템, 음향 재생장치(카 오디오, 오디오 컴포넌트 등), 노트형 퍼스널 컴퓨터, 게임기기, 휴대형 정보 단말기(모바일 컴퓨터, 휴대 전화기, 휴대형 게임기, 전자 책 등), 기록 매체를 구비한 화상 재생장치(구체적으로는, DVD(Digital Versatile Disc) 등의 기록 매체를 재생하고, 그 화상을 표시할 수 있는 디스플레이를 구비한 장치) 등을 들 수 있다. 그러한 전자기기의 구체적인 예를 도 79에 나타낸다.
도 79(A)는 자기발광형 디스플레이이고, 케이스(7901), 지지대(7902), 표시부(7903), 스피커부(7904), 비디오 입력 단자(7905) 등을 포함한다. 본 발명은 표시부(7903)를 구성하는 표시장치에 사용할 수 있고, 본 발명에 의해, 의사 윤곽이 저감된, 깨끗한 화상을 볼 수 있게 된다. 자기발광형이기 때문에 백라이트가 필요 없어, 액정 디스플레이보다 얇은 표시부로 할 수 있다. 또한, 디스플레이에는, 퍼스널 컴퓨터용, TV 방송 수신용, 광고 표시용 등의 모든 정보 표시용 표시장치가 포함된다.
도 79(B)는 디지털 스틸 카메라이고, 본체(7906), 표시부(7907), 수상부(7908), 조작 키(7909), 외부 접속 포트(7910), 셔터 버튼(7911) 등을 포함한다. 본 발명은 표시부(7907)를 구성하는 표시장치에 사용할 수 있고, 본 발명에 의해, 의사 윤곽이 저감된 깨끗한 화상을 볼 수 있게 된다.
도 79(C)는 노트형 퍼스널 컴퓨터이고, 본체(7912), 케이스(7913), 표시부(7914), 키보드(7915), 외부 접속 포트(7916), 포인팅 마우스(7917) 등을 포함한다. 본 발명은 표시부(7914)를 구성하는 표시장치에 사용할 수 있고, 본 발명에 의해, 의사 윤곽이 저감된 깨끗한 화상을 볼 수가 있게 된다.
도 79(D)는 모바일 컴퓨터이고, 본체(7918), 표시부(7919), 스위치(7920), 조작 키(7921), 적외선 포트(7922) 등을 포함한다. 본 발명은 표시부(7919)를 구성하는 표시장치에 사용할 수 있고, 본 발명에 의해, 의사 윤곽이 저감된 깨끗한 화상을 볼 수 있게 된다.
도 79(E)는 기록 매체 판독부를 구비한 화상 재생장치(구체적으로는, 예를 들어 DVD 재생장치)이고, 본체(7923), 케이스(7924), 표시부 A(7925), 표시부 B(7926), 기록 매체(DVD 등) 판독부(7927), 조작 키(7928), 스피커부(7929) 등을 포함한다. 표시부 A(7925)는 주로 화상 정보를 표시하고, 표시부 B(7926)는 주로 문자 정보를 표시한다. 본 발명은 표시부 A(7925) 및 표시부 B(7926)를 구성하는 표시장치에 사용할 수 있고, 본 발명에 의해, 의사 윤곽이 저감된 깨끗한 화상을 볼 수 있게 된다. 또한, 기록 매체를 구비한 화상 재생장치에는 가정용 게임기기 등도 포함된다.
도 79(F)는 고글형 디스플레이(헤드 장착형 디스플레이)이고, 본체(7930), 표시부(7931), 아암(arm)부(7932) 등을 포함한다. 본 발명은 표시부(7931)를 구성하는 표시장치에 사용할 수 있고, 본 발명에 의해, 의사 윤곽이 저감된 깨끗한 화상을 볼 수 있게 된다.
도 79(G)는 비디오 카메라이고, 본체(7933), 표시부(7934), 케이스(7935), 외부 접속 포트(7936), 리모콘 수신부(7937), 수상부(7938), 배터리(7939), 음성 입력부(7940), 조작 키(7941) 등을 포함한다. 본 발명은 표시부(7934)를 구성하는 표시장치에 사용할 수 있고, 본 발명에 의해, 의사 윤곽이 저감된 깨끗한 화상을 볼 수 있게 된다.
도 79(H)는 휴대 전화기이고, 본체(7942), 케이스(7943), 표시부(7944), 음성 입력부(7945), 음성 출력부(7946), 조작 키(7947), 외부 접속 포트(7948), 안테나(7949) 등을 포함한다. 본 발명은 표시부(7944)를 구성하는 표시장치에 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 의해, 의사 윤곽이 저감된 깨끗한 화상을 볼 수 있게 된다.
또한, 발광 휘도가 높은 발광재료를 사용하면, 출력한 화상 정보를 포함하는 광을 렌즈 등으로 확대 투영하여 프런트형 또는 리어형 프로젝터에 이용하는 것도 가능하게 된다.
또한, 근년에는, 상기 전자기기는 인터넷이나 CATV(케이블 TV) 등의 전자 통신 회선을 통하여 전달된 정보를 표시하는 것이 많아지고, 특히 동화상 정보를 표시할 기회가 증가하고 있다. 발광재료의 응답 속도는 매우 높기 때문에, 발광장치는 동화상 표시에 바람직하다.
또한, 발광형 표시장치는 발광하고 있는 부분이 전력을 소비하기 때문에, 발광 부분이 극력 적게 되도록 정보를 표시하는 것이 바람직하다. 따라서, 휴대형 정보 단말기, 특히 휴대 전화기나 음향 재생장치와 같은 문자 정보를 주로 하는 표 시부에 발광형 표시장치를 사용하는 경우에는, 비발광 부분을 배경으로 하여 문자 정보를 발광 부분에서 형성하도록 구동하는 것이 바람직하다.
이상과 같이, 본 발명의 적용 범위는 극히 넓고, 모든 분야의 전자기기에 사용하는 것이 가능하다. 또한, 본 실시형태의 전자기기는 실시형태 1∼실시형태 10에 나타낸 어느 하나의 구성의 표시장치를 사용하여도 좋다.
본 발명에서는, 면적 계조 방식과 시간 계조 방식을 조합함으로써, 다계조 표시가 가능하게 됨과 동시에, 의사 윤곽을 저감하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 표시 품위가 향상되고, 깨끗한 화상을 볼 수가 있게 된다. 또한, 종래의 시간 계조 방식보다 듀티비(1 프레임에서의 점등 기간의 비율)를 향상시킬 수가 있고, 휘도를 높일 수 있다. 또한, 듀티비의 향상에 따라, 발광소자에 걸리는 전압을 작게 할 수 있다. 따라서, 소비전력을 저감할 수 있고, 발광소자의 열화도 줄일 수가 있다.
Claims (28)
- 표시장치의 구동방법으로서,상기 표시장치는, 발광 소자를 각각 가지는 첫번째 내지 m번째 서브(sub)화소를 포함하는 화소를 복수 가지고,(s+1)번째 서브화소의 면적이 s번째 서브화소의 면적의 2배이고,상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 각각의 1 프레임이 첫번째 내지 n번째 서브프레임(subframe)으로 분할되고,(p+1)번째 서브프레임의 점등 기간이 p번째 서브프레임의 점등 기간보다 2m배 더 길고,상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 적어도 하나의 서브프레임은 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 상기 하나의 서브프레임의 점등 기간보다 짧은 점등 기간을 각각 가지는 복수의 서브프레임으로 분할되어, 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임이 첫번째 내지 t번째 서브프레임으로 증가되고,i의 계조를 표시하기 위해 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소가 점등할 때, i보다 큰 계조를 표시하는 경우에도 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 상기 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 상기 하나의 서브화소가 점등하고,m은 m≥2의 정수(整數)이고,s는 1≤s≤(m-1)의 정수이고,n은 n≥2의 정수이고,p는 1≤p≤(n-1)의 정수이고,t는 t>n의 정수이고,i는 i≥0의 정수인, 표시장치의 구동방법.
- 표시장치의 구동방법으로서,상기 표시장치는, 발광 소자를 각각 가지는 첫번째 내지 m번째 서브화소를 포함하는 화소를 복수 가지고,(s+1)번째 서브화소의 면적이 s번째 서브화소의 면적의 2배이고,상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 각각의 1 프레임이 첫번째 내지 n번째 서브프레임으로 분할되고,(p+1)번째 서브프레임의 점등 기간이 p번째 서브프레임의 점등 기간보다 2m배 더 길고,상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 적어도 하나의 서브프레임은 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 상기 하나의 서브프레임의 점등 기간보다 짧은 점등 기간을 각각 가지는 복수의 서브프레임으로 분할되어, 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임이 첫번째 내지 t번째 서브프레임으로 증가되고,i의 계조를 표시하기 위해 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소가 점등할 때, i보다 큰 계조를 표시하는 경우에도 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 상기 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 상기 하나의 서브화소가 점등하고,상기 복수의 서브프레임으로 분할된 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 상기 하나의 서브프레임은 상기 n번째 서브프레임이고,m은 m≥2의 정수이고,s는 1≤s≤(m-1)의 정수이고,n은 n≥2의 정수이고,p는 1≤p≤(n-1)의 정수이고,t는 t>n의 정수이고,i는 i≥0의 정수인, 표시장치의 구동방법.
- 표시장치의 구동방법으로서,상기 표시장치는, 발광 소자를 각각 가지는 첫번째 내지 m번째 서브화소를 포함하는 화소를 복수 가지고,(s+1)번째 서브화소의 면적이 s번째 서브화소의 면적의 2배이고,상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 각각의 1 프레임이 첫번째 내지 n번째 서브프레임으로 분할되고,(p+1)번째 서브프레임의 점등 기간이 p번째 서브프레임의 점등 기간보다 2m배 더 길고,상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 적어도 하나의 서브프레임은 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 상기 하나의 서브프레임의 점등 기간보다 짧은 점등 기간을 각각 가지는 복수의 서브프레임으로 분할되어, 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임이 첫번째 내지 t번째 서브프레임으로 증가되고,i의 계조를 표시하기 위해 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소가 점등할 때, i보다 큰 계조를 표시하는 경우에도 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 상기 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 상기 하나의 서브화소가 점등하고,상기 복수의 서브프레임이 서로 동일한 점등 기간을 가지고,m은 m≥2의 정수이고,s는 1≤s≤(m-1)의 정수이고,n은 n≥2의 정수이고,p는 1≤p≤(n-1)의 정수이고,t는 t>n의 정수이고,i는 i≥0의 정수인, 표시장치의 구동방법.
- 표시장치의 구동방법으로서,상기 표시장치는, 발광 소자를 각각 가지는 첫번째 내지 m번째 서브화소를 포함하는 화소를 복수 가지고,(s+1)번째 서브화소의 면적이 s번째 서브화소의 면적의 2배이고,상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 각각의 1 프레임이 첫번째 내지 n번째 서브프레임으로 분할되고,(p+1)번째 서브프레임의 점등 기간이 p번째 서브프레임의 점등 기간보다 2m배 더 길고,상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 적어도 하나의 서브프레임은 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 상기 하나의 서브프레임의 점등 기간보다 짧은 점등 기간을 각각 가지는 복수의 서브프레임으로 분할되어, 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임이 첫번째 내지 t번째 서브프레임으로 증가되고,i의 계조를 표시하기 위해 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소가 점등할 때, i보다 큰 계조를 표시하는 경우에도 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 상기 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 상기 하나의 서브화소가 점등하고,상기 복수의 서브프레임으로 분할된 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 상기 하나의 서브프레임은 상기 n번째 서브프레임이고,상기 복수의 서브프레임이 서로 동일한 점등 기간을 가지고,m은 m≥2의 정수이고,s는 1≤s≤(m-1)의 정수이고,n은 n≥2의 정수이고,p는 1≤p≤(n-1)의 정수이고,t는 t>n의 정수이고,i는 i≥0의 정수인, 표시장치의 구동방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임이 상기 점등 기간의 길이의 오름차순으로 배치되어 있는, 표시장치의 구동방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임이 상기 점등 기간의 길이의 내림차순으로 배치되어 있는, 표시장치의 구동방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 각각이 상기 점등 기간과 신호 기입 기간을 가지고 있는, 표시장치의 구동방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,낮은 계조 영역에서는, 휘도가 상기 계조에 대하여 선형으로 변경되고,상기 낮은 계조 영역 이외의 계조 영역에서는, 휘도가 상기 계조에 대하여 비선형으로 변경되는, 표시장치의 구동방법.
- 발광 소자를 각각 가지는 첫번째 내지 m번째 서브(sub)화소를 포함하는 화소와, 신호선과, 주사선과, 제1 전원선과, 제2 전원선과, 선택 트랜지스터, 및 구동 트랜지스터를 포함하고,상기 선택 트랜지스터의 제1 전극이 상기 신호선에 전기적으로 접속되고, 상기 선택 트랜지스터의 제2 전극은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고,상기 구동 트랜지스터의 제1 전극이 상기 제1 전원선에 전기적으로 접속되고,상기 발광 소자의 제1 전극이 상기 구동 트랜지스터의 제2 전극에 전기적으로 접속되고, 상기 발광 소자의 제2 전극은 상기 제2 전원선에 전기적으로 접속되고,(s+1)번째 서브화소의 면적이 s번째 서브화소의 면적의 2배이고,상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 각각의 1 프레임이 첫번째 내지 n번째 서브프레임으로 분할되고,(p+1)번째 서브프레임의 점등 기간이 p번째 서브프레임의 점등 기간보다 2m배 더 길고,상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 적어도 하나의 서브프레임은 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임 중의 상기 하나의 서브프레임의 점등 기간보다 짧은 점등 기간을 각각 가지는 복수의 서브프레임으로 분할되어, 상기 첫번째 내지 n번째 서브프레임이 첫번째 내지 t번째 서브프레임으로 증가되고,i의 계조를 표시하기 위해 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 적어도 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소가 점등할 때, i보다 큰 계조를 표시하는 경우에도 상기 첫번째 내지 t번째 서브프레임 중 상기 하나의 서브프레임에서 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 상기 하나의 서브화소가 점등하고,m은 m≥2의 정수(整數)이고,s는 1≤s≤(m-1)의 정수이고,n은 n≥2의 정수이고,p는 1≤p≤(n-1)의 정수이고,t는 t>n의 정수이고,i는 i≥0의 정수인, 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 신호선이 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소에서 공유되어 있는, 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 주사선이 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소에서 공유되어 있는, 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제1 전원선이 상기 첫번째 내지 m번째 서브화소에서 공유되어 있는, 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 화소에 포함되는 상기 신호선의 수가 2개 이상 m개 이하이고,상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 하나의 서브화소에 포함되는 상기 선택 트랜지스터가, 다른 서브화소에 포함되는 상기 선택 트랜지스터에 접속되는 것과 다른 상기 신호선에 전기적으로 접속되어 있는, 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 화소에 포함되는 상기 주사선의 수가 2개 이상이고,상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 하나의 서브화소에 포함되는 상기 선택 트랜지스터가, 다른 서브화소에 포함되는 상기 선택 트랜지스터에 접속되는 것과 다른 상기 주사선에 전기적으로 접속되어 있는, 표시장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 화소에 포함되는 상기 제1 전원선의 수가 2개 이상 m개 이하이고,상기 첫번째 내지 m번째 서브화소 중 하나의 서브화소에 포함되는 상기 구동 트랜지스터가, 다른 서브화소에 포함되는 상기 구동 트랜지스터에 접속되는 것과 다른 상기 제1 전원선에 전기적으로 접속되어 있는, 표시장치.
- 제 9 항에 따른 표시장치를 가지는 전자기기.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006151100 | 2006-05-31 | ||
| JPJP-P-2006-00151100 | 2006-05-31 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120013707A Division KR101371695B1 (ko) | 2006-05-31 | 2012-02-10 | 반도체장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070115729A KR20070115729A (ko) | 2007-12-06 |
| KR101371691B1 true KR101371691B1 (ko) | 2014-03-07 |
Family
ID=38789499
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070052797A KR101371691B1 (ko) | 2006-05-31 | 2007-05-30 | 표시장치 및 표시장치의 구동방법과 전자기기 |
| KR1020120013707A KR101371695B1 (ko) | 2006-05-31 | 2012-02-10 | 반도체장치 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120013707A KR101371695B1 (ko) | 2006-05-31 | 2012-02-10 | 반도체장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8115788B2 (ko) |
| KR (2) | KR101371691B1 (ko) |
| CN (2) | CN101083052A (ko) |
| TW (3) | TWI476745B (ko) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070001954A1 (en) * | 2005-07-04 | 2007-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method of display device |
| JP5037221B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2012-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び電子機器 |
| JP5142831B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2013-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| US9041202B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US9344694B2 (en) * | 2008-08-26 | 2016-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator sub-pixel architecture and method |
| JP5456372B2 (ja) | 2009-05-29 | 2014-03-26 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 表示装置 |
| WO2011048945A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
| TWI404447B (zh) * | 2009-12-28 | 2013-08-01 | Au Optronics Corp | 電激發光顯示面板之畫素結構 |
| KR20190093706A (ko) | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
| US8879010B2 (en) | 2010-01-24 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP5852793B2 (ja) | 2010-05-21 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| KR101739805B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2017-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| TWI514058B (zh) * | 2011-11-11 | 2015-12-21 | Au Optronics Corp | 畫素陣列 |
| TWI468829B (zh) * | 2011-11-11 | 2015-01-11 | Au Optronics Corp | 畫素陣列 |
| US20140139540A1 (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods and apparatus for interpolating colors |
| JP6082908B2 (ja) * | 2012-11-13 | 2017-02-22 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
| KR102037273B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20140106013A (ko) * | 2013-02-25 | 2014-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 의사 윤곽 감소용 표시 장치 |
| US11209286B2 (en) | 2013-02-26 | 2021-12-28 | Polaris Industies Inc. | Recreational vehicle interactive telemetry, mapping and trip planning system |
| WO2014134148A2 (en) | 2013-02-26 | 2014-09-04 | Polaris Industries Inc. | Recreational vehicle interactive telemetry, mapping, and trip planning system |
| US9324195B2 (en) | 2013-02-26 | 2016-04-26 | Polaris Industries Inc. | Recreational vehicle interactive, telemetry, mapping, and trip planning system |
| CN104575366B (zh) * | 2013-10-15 | 2017-04-19 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种扫描驱动电路结构及有机发光显示器 |
| US10432920B2 (en) * | 2013-11-25 | 2019-10-01 | Tesseland, Llc | Immersive compact display glasses |
| CN104732953B (zh) * | 2013-12-18 | 2017-10-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Gamma参数的确定方法和装置以及显示器的显示方法和装置 |
| US10741116B2 (en) * | 2013-12-18 | 2020-08-11 | Kunshan New Flat Panel Display Tech. Cr. Co. Ltd. | Method and device for determining Gamma parameters and displaying method |
| CN103871366B (zh) * | 2014-04-02 | 2016-09-14 | 杭州士兰控股有限公司 | 用于led显示器的灰度显示驱动方法及装置 |
| WO2015182330A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| CN104749847B (zh) * | 2015-04-20 | 2017-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及图像显示方法 |
| CA3013678A1 (en) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | Polaris Industries Inc. | Recreational vehicle group management system |
| CN109891485B (zh) * | 2016-10-27 | 2022-08-16 | 索尼公司 | 显示装置 |
| CN107068056A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-08-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled混合补偿方法 |
| CN107731145B (zh) * | 2017-09-18 | 2020-09-04 | 昀光微电子（上海）有限公司 | 一种高效的显示器灰度成像方法及装置 |
| US10706799B2 (en) * | 2017-12-06 | 2020-07-07 | Au Optronics Corporation | Display device without a driver IC |
| CN110400538B (zh) * | 2018-04-19 | 2021-02-09 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
| US10885832B1 (en) * | 2019-07-08 | 2021-01-05 | Innolux Corporation | Display device |
| US11018122B1 (en) * | 2019-10-31 | 2021-05-25 | Black Peak LLC | Area-efficient subpixel apparatus |
| CN113327540A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-08-31 | 成都辰显光电有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
| US20230011754A1 (en) * | 2021-07-01 | 2023-01-12 | Universal Display Corporation | Means to Reduce OLED Transient Response |
| CN114708823B (zh) * | 2022-04-15 | 2024-05-28 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | Led显示屏驱动系统及led显示屏 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10307561A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
| JP2000206922A (ja) | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Sharp Corp | 表示装置 |
| US6518941B1 (en) | 1997-08-28 | 2003-02-11 | Seiko Epson Corporation | Display device |
| JP2004264442A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Canon Inc | 映像表示装置 |
Family Cites Families (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2639311B2 (ja) | 1993-08-09 | 1997-08-13 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
| JPH07152017A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Sony Corp | 液晶素子の駆動方法及びその液晶素子 |
| JP2903984B2 (ja) | 1993-12-17 | 1999-06-14 | 株式会社富士通ゼネラル | ディスプレイ装置の駆動方法 |
| US6222512B1 (en) | 1994-02-08 | 2001-04-24 | Fujitsu Limited | Intraframe time-division multiplexing type display device and a method of displaying gray-scales in an intraframe time-division multiplexing type display device |
| JP3489884B2 (ja) | 1994-02-08 | 2004-01-26 | 富士通株式会社 | フレーム内時分割型表示装置及びフレーム内時分割型表示装置における中間調表示方法 |
| JP3464285B2 (ja) * | 1994-08-26 | 2003-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5808594A (en) * | 1994-09-26 | 1998-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for display device and display apparatus |
| JP3075335B2 (ja) | 1995-07-14 | 2000-08-14 | 日本放送協会 | 中間調表示方法 |
| JP3322809B2 (ja) | 1995-10-24 | 2002-09-09 | 富士通株式会社 | ディスプレイ駆動方法及び装置 |
| US6072555A (en) * | 1996-02-01 | 2000-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus capable of gradational display |
| JPH09298305A (ja) * | 1996-05-08 | 1997-11-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびかかる薄膜トランジスタを有する液晶表示装置 |
| JPH1068931A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| GB9626359D0 (en) | 1996-12-19 | 1997-02-05 | Olivetti Telemedia Spa | Method for encoding digital information |
| JP4027465B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法 |
| US6081309A (en) * | 1997-08-28 | 2000-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US6614413B2 (en) | 1998-04-22 | 2003-09-02 | Pioneer Electronic Corporation | Method of driving plasma display panel |
| JP3585369B2 (ja) | 1998-04-22 | 2004-11-04 | パイオニア株式会社 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
| JP4484276B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2010-06-16 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイ装置およびその表示方法 |
| JP2001125526A (ja) | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| US7129918B2 (en) | 2000-03-10 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving electronic device |
| TW484238B (en) * | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
| US6873320B2 (en) * | 2000-09-05 | 2005-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device and driving method thereof |
| JP2002333870A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、ｅｌ表示装置及びその駆動方法、並びに副画素の表示パターン評価方法 |
| US7071911B2 (en) | 2000-12-21 | 2006-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method thereof and electric equipment using the light emitting device |
| JP4822590B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2011-11-24 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌ回路 |
| JP2003068472A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置 |
| WO2003027997A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ecran et procede de fonctionnement associe |
| US6861810B2 (en) * | 2001-10-23 | 2005-03-01 | Fpd Systems | Organic electroluminescent display device driving method and apparatus |
| US7061014B2 (en) * | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
| JP2003168109A (ja) | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Canon Inc | 画像処理装置およびデータ処理装置および画像処理方法およびデータ処理方法 |
| US6639574B2 (en) * | 2002-01-09 | 2003-10-28 | Landmark Screens Llc | Light-emitting diode display |
| JP3573150B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2004-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びこれを含む電気光学装置 |
| TWI240842B (en) * | 2002-04-24 | 2005-10-01 | Sipix Imaging Inc | Matrix driven electrophoretic display with multilayer back plane |
| US7170479B2 (en) * | 2002-05-17 | 2007-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| AU2003281005A1 (en) * | 2002-07-12 | 2004-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring structure, display apparatus, and active device substrate |
| KR100982104B1 (ko) * | 2002-09-23 | 2010-09-13 | 치메이 이노럭스 코포레이션 | 디스플레이 디바이스 |
| JP3796499B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | カラー表示素子、カラー表示素子の駆動方法及びカラー表示装置 |
| WO2004047064A1 (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機ｅｌディスプレイ及びアクティブマトリクス基板 |
| TWI236977B (en) * | 2003-02-21 | 2005-08-01 | Seiko Epson Corp | Writing device for color electronic paper |
| WO2004086348A1 (en) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method of display apparatus in which a handwriting can be overweitten on the displayed image |
| US20050017244A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-01-27 | Randy Hoffman | Semiconductor device |
| JP4213637B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2009-01-21 | 株式会社日立製作所 | 表示装置及びその駆動方法 |
| WO2005032149A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Color display screen comprising a plurality of cells |
| JP4623498B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2011-02-02 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| KR100579549B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-05-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| CN100524790C (zh) * | 2004-02-02 | 2009-08-05 | 三垦电气株式会社 | 半导体发光元件与保护元件的复合半导体装置 |
| US7223641B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television |
| JP2005354035A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-12-22 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置の形成方法 |
| JP2006013433A (ja) * | 2004-05-24 | 2006-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP2005352572A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Canon Inc | 座標入力装置 |
| US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
| JP4096315B2 (ja) * | 2004-08-04 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 表示システム |
| US20070035488A1 (en) | 2004-12-03 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of display device |
| US20070001954A1 (en) | 2005-07-04 | 2007-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method of display device |
| TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
-
2007
- 2007-05-23 TW TW096118289A patent/TWI476745B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-05-23 US US11/802,473 patent/US8115788B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-23 TW TW101107400A patent/TWI478134B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-05-23 TW TW103145479A patent/TWI539423B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-05-30 CN CNA2007101098219A patent/CN101083052A/zh active Pending
- 2007-05-30 KR KR1020070052797A patent/KR101371691B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-30 CN CN201210034412.8A patent/CN102592535B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-08 US US13/368,604 patent/US20120154456A1/en not_active Abandoned
- 2012-02-10 KR KR1020120013707A patent/KR101371695B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-11-04 US US14/532,449 patent/US20150053979A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10307561A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
| US6518941B1 (en) | 1997-08-28 | 2003-02-11 | Seiko Epson Corporation | Display device |
| JP2000206922A (ja) | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Sharp Corp | 表示装置 |
| JP2004264442A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Canon Inc | 映像表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102592535B (zh) | 2017-07-04 |
| CN102592535A (zh) | 2012-07-18 |
| US20120154456A1 (en) | 2012-06-21 |
| KR20070115729A (ko) | 2007-12-06 |
| CN101083052A (zh) | 2007-12-05 |
| TW201514956A (zh) | 2015-04-16 |
| KR101371695B1 (ko) | 2014-03-07 |
| TW200813956A (en) | 2008-03-16 |
| KR20120028949A (ko) | 2012-03-23 |
| TW201239854A (en) | 2012-10-01 |
| US8115788B2 (en) | 2012-02-14 |
| TWI476745B (zh) | 2015-03-11 |
| TWI478134B (zh) | 2015-03-21 |
| US20150053979A1 (en) | 2015-02-26 |
| US20070279344A1 (en) | 2007-12-06 |
| TWI539423B (zh) | 2016-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101371691B1 (ko) | 표시장치 및 표시장치의 구동방법과 전자기기 | |
| KR101369280B1 (ko) | 표시장치 및 이를 구비한 전자기기 | |
| US8743030B2 (en) | Display device and driving method of display device | |
| US8633919B2 (en) | Display device, driving method of the display device, and electronic device | |
| US8477085B2 (en) | Semiconductor device and driving method thereof | |
| US20150187253A1 (en) | Display Device, and Driving Method and Electronic Device Thereof | |
| JP5531032B2 (ja) | 表示装置の駆動方法 | |
| KR20070042455A (ko) | 표시장치 및 그의 구동방법 | |
| JP2007086762A (ja) | 表示装置及びその駆動方法 | |
| JP2006317909A (ja) | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 | |
| JP2008009392A (ja) | 表示装置及び表示装置の駆動方法、並びに電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170201 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180201 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190129 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200129 Year of fee payment: 7 |