KR101260911B1 - 고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법 - Google Patents

고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101260911B1
KR101260911B1 KR1020100011356A KR20100011356A KR101260911B1 KR 101260911 B1 KR101260911 B1 KR 101260911B1 KR 1020100011356 A KR1020100011356 A KR 1020100011356A KR 20100011356 A KR20100011356 A KR 20100011356A KR 101260911 B1 KR101260911 B1 KR 101260911B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
copper alloy
strength
rolling
weight
high strength
Prior art date
Application number
KR1020100011356A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110091973A (ko
Inventor
김대현
이동우
김인달
최상영
이지훈
전보민
Original Assignee
주식회사 풍산
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 풍산 filed Critical 주식회사 풍산
Priority to KR1020100011356A priority Critical patent/KR101260911B1/ko
Priority to EP10845319A priority patent/EP2535433A2/en
Priority to JP2012552786A priority patent/JP5461711B2/ja
Priority to US13/577,512 priority patent/US20120312430A1/en
Priority to CN2010800633983A priority patent/CN102782168A/zh
Priority to PCT/KR2010/007462 priority patent/WO2011096632A2/ko
Publication of KR20110091973A publication Critical patent/KR20110091973A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101260911B1 publication Critical patent/KR101260911B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/10—Alloys based on copper with silicon as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 동합금 조성을 적절히 배합하여 기존 제품보다 우수한 인장강도, 전기전도도를 동시에 겸비하여, 단자, 커넥터, 스위치, 릴레이 등의 전기, 전자부품에 적합한 동합금에 관한 것이다.
그에 따른 구성은 100중량%로서, Fe 0.05∼0.25중량%, P 0.025∼0.15중량%, Cr 0.01∼0.25중량%, Si 0.01∼0.15중량%, Mg 0.01∼0.25중량%이고, 나머지가 Cu 및 불가피한 불순물로 조성됨을 특징으로 하는 고강도 및 고전도성 동합금으로 이루어진다.
또한 본 발명은 상기 조성된 용탕을 얻는 단계, 이어서 주조하여 주괴를 얻는 단계, 850∼1000℃에서 열간압연하는 단계, 냉각한 후 냉간압연하는 단계, 400∼600℃에서 1∼10시간 소둔 열처리하는 단계, 압하율 30∼70%로 중간압연하는 단계, 500∼800℃에서 30∼600초간 열처리하는 단계, 20∼40%로 완제압연하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 고강도 및 고전도성 동합금의 제조방법으로 이루어진다.

Description

고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법{COPPER ALLOY HAVING HIGH STRENGTH, HIGH CONDUCTIVITY AND METHOD OF MANUFACTURE FOR THE SAME}
본 발명은 인장강도를 증대 내지는 유지하면서 고전도성과 고가공성을 갖는 반도체용 리드프레임재, 발광다이오드(LED) 리드프레임재 등에 적합한 동합금과 그 제조방법에 관한 것이다.
리드프레임용 동합금으로는 Cu-Fe-P 합금이 일반적으로 사용되고 있다. 예를들면, Fe 0.05∼0.15중량%, P 0.025∼0.04중량%를 함유한 동합금(C19210)이나, Fe 2.1∼2.6중량%, P 0.015∼0.15중량%, Zn 0.05∼0.20중량%을 함유한 동합금(CDA194)은 동합금 중에서도 강도, 전도성이 우수하여 국제표준 합금으로서 범용되고 있다.
그러나 고집적화나 소형화로 나아감에 따라 전기, 열전도성 외에 가공성에 필요한 고신율성, 도금성 등의 표면상태가 우수한 고전도용 동합금이 한층 더 강력하게 요구되고 있다.
Cu-Fe-P 합금의 장점은 고도전율이 특징이지만, 고강도를 위하여 Fe와 P의 함량을 늘리거나, Sn, Mg, Ca 등의 제3원소를 첨가하기도 하였으나, 이들의 원소량을 증가시키면 강도는 증가하지만 필연적으로 도전율이 저하된다. 따라서 동합금에서의 성분조성의 제어만으로 상기한 반도체 장치에 대용량화, 소형화 및 고기능화의 경향에 따라 요구되는 고도전율과 고강도의 밸런스가 좋거나 이들의 특성을 양립한 동합금을 실현하는 것에는 한계가 있다.
일본 특개 2001-244400호의 실시예 1에서는 Fe 2.41중량%, Zn 0.24중량%, P 0.03중량%이고, 잔부가 Cu로 이루어지고 있으며, 이러한 조성의 용탕을 주괴로 하여 열간가공 및 용체화처리, 1차 냉간압연, 시효처리, 최종 패스(pass)의 롤(roll)지름이 100mm 이상, 압연속도가 200mm/min 이상, 압연유의 점도가 0.05cm2/s 이상의 조건으로 최종 냉간압연(가공도 50%), 소둔의 순서로 동합금을 제조하였다.
그러나 Fe의 함유량이 2.4중량%를 넘는다면 도전율 등의 재료 특성 뿐만 아니라, 주조성 등의 생산성이 현저하게 저하되는 문제가 생긴다. 실제로 상기 특허문헌 실시예1에서는 Cu-Fe-P계 동합금의 인장강도는 530MPa로 비교적 높지만, 도전율은 63%IACS로 고도전율을 확보할 수 없었다.
일본 특개 2000-178670호에서는 Fe 또는 Ni과 P의 합계를 0.05∼2.0중량%, Zn 5.중량% 이상, Sn 0.1∼3.0중량%이고, 잔부가 Cu로 이루어지고 있으며, Fe 또는 Ni과 P의 원자량비(Fe/P, Ni/P, (Fe+Ni)/P)가 0.2∼3.0이고, 입경이 35㎛ 이하로 제어되고, 0.2㎛ 미만의 Fe-P 화합물이 균일하게 분산되어 있는 동합금이 개시되어 있다.
그러나 Zn이나 Sn의 함유량이 많아 미세한 석출물입자를 늘렸다 하여도 필연적으로 도전율이 저하되는 문제가 생긴다. 따라서 상기 기술에서는 고강도와 도전율을 양립한 Cu-Fe-P계 동합금을 실현하는데 문제점이 있었다.
일본 특개 소63-161134호에서는 Fe 0.01∼0.3중량%, P 0.4중량% 이하, Zn 1.5∼5.0중량%, Sn 0.2∼1.5중량%이고, 잔부가 Cu로 이루어진 동합금이 개시되어 있다. 근래, 전자부품의 소형화에 수반하고 전자부품용의 재료도 얇은 경향이고, 그 재료에는 높은 강도가 요구되고 있다. 그러나 상기 특허에서는 고강도의 동합금을 얻으려고 한다면, 냉간압연의 가공도를 높게하지 않으면 안되고, 그 때문에 가공성이 나빠지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 동합금 조성을 적절히 배합하여 기존 제품보다 우수한 인장강도, 전기전도도를 동시에 겸비하여, 단자, 커넥터, 스위치, 릴레이 등의 전기, 전자부품에 적합한 동합금을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 100중량%로서, Fe 0.05∼0.25중량%, P 0.025∼0.15중량%, Cr 0.01∼0.25중량%, Si 0.01∼0.15중량%, Mg 0.01∼0.25중량% 이고, 나머지가 Cu 및 불가피한 불순물로 조성된 고전도성, 고강도를 갖는 전기 및 전자부품용 동합금으로 이루어진다.
또한 본 발명은 상기한 조성에 Zn, Sn, Mn, Al, Ni 중 적어도 1종을 1.0중량% 이하로 조성할 수 있다.
상기한 조성을 갖는 본 발명은 Cu 기지에 Fe 입자분산 및 Fe와 P의 결합에 의한 Fe-P계 석출물을 형성하여 전기전도도 및 강도를 향상시키는 것으로, Fe 0.05% 미만에서는 분산효과 및 석출물 형성부족에 따른 강도 확보가 어려우며, Fe 0.25중량% 초과시에는 첨가원소 함량 과다에 따른 적정 석출량을 벗어나 전기전도도 저하로 특성을 요구하는 리드프레임용 요구수준인 70%IACS를 확보하기 어렵다.
본 발명은 Cu 기지에 Cr과 Si의 결합에 의한 Cr-Si계 석출물을 형성하여 전기전도도 및 강도를 향상시키는 것으로, Cr 0.01중량% 미만의 경우 석출물의 형성부족에 따른 강도확보 및 가공성의 향상이 어려우며, Cr 0.25중량% 초과시에는 Cr-Si계 석출물이 조대화 되기 때문에 도전율의 저하를 초래한다.
도 3은 Cu 매트릭스내에 Cr-Si계 석출물 주사현미경 사진을 나타낸 것이다.
본 발명은 Cu 기지에 Mg와 P의 결합에 의한 Mg-P계 석출물을 형성하여 전기전도도 및 강도를 향상시키는 것으로, Mg 0.01중량% 미만의 경우 석출물 형성부족에 따른 강도확보가 어려우며, Mg 0.25중량% 초과시에는 전기전도도의 대폭적인 저하나 굽힘 가공성의 저하를 초래하고, 제조비용이 증대한다.
도 4는 Cu 매트릭스 내에 Mg-P계 석출물 주사현미경 사진을 나타낸 것이다.
본 발명은 Si 0.01중량% 미만시에는 용해주조시 탈산 및 주괴 가열 이후의 제조공정의 석출물 생성이 불충분하기 때문에 강도에 기여하지 못하고, Si 0.15중량% 이상 함유시키면 상기한 효과에 대한 더 이상의 개선효과가 없음과 동시에 도전율의 저하가 커지기 때문이다.
도 2는 Cu 매트릭스 내에 Mg-Si계 석출물 주사현미경 사진을 나타낸 것이다.
P는 탈산 작용 및 Fe,Mg과 석출물을 형성하고, 동합금의 강도나 내열성을 향상시키는 주요원소로서, P 0.025중량% 미만에서는 석출물의 형성이 부족하기 때문에 충분한 강도나 내열성이 얻어지지 않으며, P 0.15중량% 초과시에는 도전율의 저하뿐 아니라, 내열성이나 열간 가공성, 프레스 가공성이 저하된다.
본 발명은 상기 합금조성에서 Fe, Mg 및 P의 비율이 (Mg+Fe)/P= 0.4∼50으로 이루어지고, 바람직하게는 Fe, Mg, P의 비율이 (Mg+Fe)/P= 2∼10 이다.
또한 본 발명은 Cr, Mg, Si의 비율이 (Cr+Mg)/Si= 0.1∼50 으로 이루어지고, 바람직하게 Cr, Mg, Si의 비율이 (Cr+Mg)/Si= 1∼10 이다.
본 발명은 상기한 조성에 Zn, Sn, Mn, Al, Ni 중 적어도 1종이 1.0중량% 이하 첨가시킬 수 있는 것으로, 상기 원소는 전기전도도 및 강도에 영향을 미치며, 그 첨가량이 1.0중량%를 초과하면 강도는 증가하나 전기전도도가 저하된다.
또한 본 발명은 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기한 조성이 되게 용탕을 얻는 단계, 이어서 주조하여 주괴를 얻는 단계, 850∼1000℃에서 열간압연하는 단계, 냉각한 후 냉간압연하는 단계, 400∼600℃에서 1∼10시간 소둔 열처리하는 단계(1차소둔), 압하율 30∼70%로 중간압연하는 단계(2차 냉간압연), 500∼800℃에서 30∼600초간 열처리하는 단계(2차 소둔), 20∼40%로 완제압연(최종 냉간압연)하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 제조방법으로 이루어진다.
상기 열간압연에서 1000℃를 초과하면 오히려 석출물의 형성이 저하되며, 800℃미만에서도 마찬가지 현상을 나타낸다.
또한 냉간압연시 압하율의 상한은 특별히 규정되어 있지 않지만, 통상 85% 이하의 가공율 범위에서 양호한 결과가 얻어진다. 높은 가공율은 압연기 등에 부하를 증대시키게 된다.
1차 소둔시의 적정 조건은 400∼600℃에서 1∼10시간으로, 600℃를 초과하고 10시간 초과하면 강도에 직접적인 영향을 미치며 높은 온도 및 장시간에서는 오히려 전기전도도가 감소하는 현상을 나타내며, 400℃ 미만이고, 1시간 미만에서는 석출물의 확보나 재결정화가 불충분하게 된다.
2차 냉간압연에서는 냉간 가공율이 70% 이상이면 재료 중에 왜곡량이 증가하고, 굽힘 가공성이 저하된다, 반면, 냉간 가공율이 20% 이하면 충분한 강도 향상 효과를 얻을 수 없다.
2차 소둔은 뒤틀림 제거 소둔으로서, 500℃ 이하이고, 30초 이하이면, 프레스 가공의 뒤틀림을 충분히 제거할 수 없고, 750℃ 이상이고, 600초 이상이면 재료의 연화가 진행되어 원하는 기계적 특성을 얻을 수 없다.
이상에서와 같이 본 발명은 Cu-Fe-P계 합금에 Mg, Cr, Si을 사용하여 표면결함이 없으면서 최종합금 특성인 도전율을 크게 떨어뜨리지 않고 기존보다 높은 고강도, 고가공성을 유지하면서도 고전도성을 갖는 동합금으로 반도체용 리드프레임 소재 및 트랜지스터용 소재로 가능하며, 고강도, 고전도성 및 고가공성 소재로 커넥터용 단자재로 활용할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 제조공정도이다.
도 2는 동 매트릭스내에 석출된 Mg-Si계 석출물을 나타낸 주사전자현미경 사진이다.
도 3은 동 매트릭스내에 석출된 Cr-Si계 석출물을 나타낸 주사전자현미경 사진이다.
도 4는 동 매트릭스내에 석출된 Mg-P계 석출물을 나타낸 주사전자현미경 사진이다.
이하 본 발명을 실시예에 따라 설명한다.
표 1에 나타낸 합금을 고주파 용해로에서 용해하고, 두께 22mm, 폭 40mm, 길이 180mm의 주괴를 제작하였다. 이 주괴를 950℃로 1시간 가열 후, 두께 10mm로 열간압연하고, 양면을 각 1mm씩 면삭한 뒤 1.5mm까지 냉간압연하였다. 이 냉간압연재를 480℃의 온도로 3시간 열처리를 행하고, 그 뒤 0.4mm까지 냉간압연한 뒤, 650℃의 온도로 뒤틀림제거 소둔처리를 행하고, 0.25mm까지 마무리압연하여 표 2에 나타내는 냉간압연재를 얻었다.
또한 표면 세척을 위해 선택적인 시효처리 실시 후에 대해서도 산세연마를 실시함과 함께 2번째의 열처리 후에는 텐션 레벨러(tension leveler)로 교정 가공을 실시하였다.
본 발명의 상기 실시예에 따른 제조공정은 이것으로 한정되는 것은 아니며, 개별 고객 요구 품질에 대응하기 위해 신동공장에서 통상 실시되는 것과 같이 열간압연 후에 대해 냉간압연, 시효처리, 표면클리닝(산세연마), 인장소둔, 텐션 레벨링 등의 공정을 취사 선택하여 필요에 따라 대응하여 조합할 수도 있다.

구분
시료		 성분(중량%)
Cu Fe P Cr Si Mg Zn Sn Mn Al Ni


본

발

명

 1 bal. 0.22 0.05 0.02 0.03 0.02
2 bal. 0.07 0.03 0.15 0.04 0.08
3 bal 0.11 0.04 0.03 0.02 0.15
4 bal. 0.14 0.07 0.09 0.03 0.2
5 bal. 0.22 0.05 0.22 0.03 0.02 0.003 0.002
6 bal. 0.07 0.03 0.15 0.04 0.08 0.007 0.001
7 bal. 0.11 0.04 0.03 0.02 0.15 0.006 0.001
8 bal. 0.14 0.07 0.09 0.03 0.2 0.001 0.005
9 bal. 0.25 0.15 0.05 0.01 0.02 0.003 0.004
10 bal. 0.17 0.04 0.03 0.13 0.01 0.003 0.001 0.003



비

교

예



 1 bal. 0.035 0.2
2 bal 0.4 0.01
3 bal. 0.05 0.03 0.005
4 bal 0.05 0.03 0.4
5 bal. 0.07 0.04 0.01 0.01 0.005
6 bal. 0.08 0.2 0.03 0.02 0.4
7 bal 0.05 0.04 0.03 0.004 0.03
8 bal. 0.1 0.04 0.02 0.3 0.03
9 bal. 0.07 0.03 0.15 0.04 0.08 0.5 0.6
10 bal. 0.05 0.02 0.01 0.01 0.02 0.2
11 bal. 0.14 0.07 0.09 0.03 0.2 1.3
12 bal. 0.08 0.15 0.01 0.01 0.03 1.2
13 bal. 0.2 0.13 0.01 0.02 0.03 0.5 0.7
C19210 bal. 0.12 0.035
CDA194 bal. 2.3 0.03 0.15
상기한 조성 및 제조공정을 통해 얻은 시험편을 잘라 인장강도(TS) 및 전기전도도(EC)를 조사한 실험결과를 표 2에 나타내었다.
인장강도는 KS BO802에 준해, 전기전도도는 KS D0240에 준해 측정하였다.
표면결함은 압연조의 폭 및 길이 방향의 모두 중앙에 해당하는 부위에서 폭 30mm*길이 10mm의 시험편을 잘라 양면을 육안으로 관찰해 길이 1mm 이상의 결함을 세어 평가하였다. 다만, 근본적으로 합금 자체의 건전성과 관계없는 롤마크(roll mark), 찍힘, 긁힘, 이물 등은 대상에서 제외하였다.
합금 No TS(kgf/mm2) ES(%IACS)



본 발명




 1 53 74
2 55 70
3 52 75
4 55 69
5 55 73
6 53 71
7 54 75
8 53 74
9 53 75
10 55 72




비교예






 1 43 72
2 50 67
3 51 66
4 50 68
5 50 66
6 52 65
7 51 65
8 53 64
9 53 60
10 48 55
11 51 56
12 53 54
13 54 53
C19210 38 85
CDA194 40 65

상기 표 1 및 표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 시료 1∼10은 비교예 1∼13 및 종래의 C19210, CDA194에 비해 강도 및 전기전도도가 우수하면서도 이들 특성의 조화가 잘 이루어진 우수한 합금으로 평가되었다.
삭제
각 특성을 살펴보면, 본 발명 시료 1∼10의 전기전도도는 C19210(85%IACS)에 비해 다소 떨어졌으나, 인장강도 면에서 모두 52kgf/mm2 이상으로 C19210의 38kgf/mm2 에 비해 매우 우수하여, 강도 및 전기전도도의 조화가 잘 이루어진 우수한 합금으로 평가되었다.
삭제

Claims (9)

100중량%로서, Fe 0.05∼0.25중량%, P 0.025∼0.15중량%, Cr 0.01∼0.25중량%, Si 0.01∼0.15중량%, Mg 0.01∼0.25중량% 이고, 나머지가 Cu 및 불가피한 불순물로 조성되고, Fe-P, Mg-P, Cr-Si, Mg-Si계 석출물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고강도 및 고전도성 동합금.
제 1항에 있어서,
상기 동합금이 그 조성 중에 Zn, Sn, Mn, Al, Ni 중 적어도 1종을 1.0중량% 이하 더 포함하는 고강도 및 고전도성 동합금.
제 1항에 있어서,
Fe, Mg 및 P의 비율이 (Mg+Fe)/P= 0.4∼50인 고강도 및 고전도성 동합금.
제 3항에 있어서,
Fe, Mg, P의 비율이 (Mg+Fe)/P= 2∼10인 고강도 및 고전도성 동합금.
제 1항에 있어서,
Cr, Mg, Si의 비율이 (Cr+Mg)/Si= 0.1∼50 인 고강도 및 고전도성 동합금.
제 5항에 있어서,
Cr, Mg, Si의 비율이 (Cr+Mg)/Si= 1∼10 인 고강도 및 고전도성 동합금.
100중량%로서, Fe 0.05∼0.25중량%, P 0.025∼0.15중량%, Cr 0.01∼0.25중량%, Si 0.01∼0.15중량%, Mg 0.01∼0.25중량%이고, 나머지가 Cu 및 불가피한 불순물로 조성된 용탕을 얻는 단계, 이어서 주조하여 주괴를 얻는 단계, 850∼1000℃에서 열간압연하는 단계, 냉각한 후 냉간압연하는 단계, 400∼600℃에서 1∼10시간 동안 소둔 열처리하는 단계, 압하율 30∼70%로 중간압연하는 단계, 500∼800℃에서 30∼600초간 열처리하는 단계, 20∼40%로 완제압연하는 단계로 이루어진 고강도 및 고전도성 동합금의 제조방법.
제 7항에 있어서,
상기 400∼600℃에서 1∼10시간 동안 소둔 열처리하는 단계를 통하여 Fe-P, Mg-P, Cr-Si, Mg-Si계 석출물을 형성시킨 고강도 및 고전도성 동합금의 제조방법.
제 7항에 있어서,
상기 동합금이 그 조성 중에 Zn, Sn, Mn, Al, Ni 중 적어도 1종을 1.0중량% 이하로 더 포함하는 고강도 및 고전도성 동합금의 제조방법.
KR1020100011356A 2010-02-08 2010-02-08 고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법 KR101260911B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100011356A KR101260911B1 (ko) 2010-02-08 2010-02-08 고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법
EP10845319A EP2535433A2 (en) 2010-02-08 2010-10-28 Copper alloy having high strength and high conductivity, and preparation method thereof
JP2012552786A JP5461711B2 (ja) 2010-02-08 2010-10-28 高強度、高伝導性を有する銅合金及びその製造方法
US13/577,512 US20120312430A1 (en) 2010-02-08 2010-10-28 Copper alloy having high strength and high conductivity, and method for preparing the same
CN2010800633983A CN102782168A (zh) 2010-02-08 2010-10-28 具有高强度和高传导性的铜合金及其制备方法
PCT/KR2010/007462 WO2011096632A2 (ko) 2010-02-08 2010-10-28 고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100011356A KR101260911B1 (ko) 2010-02-08 2010-02-08 고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110091973A KR20110091973A (ko) 2011-08-17
KR101260911B1 true KR101260911B1 (ko) 2013-05-06

Family

ID=44355896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100011356A KR101260911B1 (ko) 2010-02-08 2010-02-08 고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120312430A1 (ko)
EP (1) EP2535433A2 (ko)
JP (1) JP5461711B2 (ko)
KR (1) KR101260911B1 (ko)
CN (1) CN102782168A (ko)
WO (1) WO2011096632A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101965345B1 (ko) * 2018-12-19 2019-04-03 주식회사 풍산 굽힘가공성이 우수한 단자 및 커넥터용 구리합금 및 이의 제조방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130136183A (ko) * 2012-06-04 2013-12-12 박효주 동합금부재와 그 제조 방법
KR101463092B1 (ko) * 2012-08-21 2014-11-21 한국철도기술연구원 고강도 및 고전도 고속전철용 전차선
JP5851000B1 (ja) * 2014-08-22 2016-02-03 株式会社神戸製鋼所 Ｌｅｄのリードフレーム用銅合金板条
CN104928527A (zh) * 2015-07-13 2015-09-23 苏州科茂电子材料科技有限公司 一种电缆用导电铜材料及其制备方法
KR101834335B1 (ko) * 2017-11-02 2018-04-13 주식회사 풍산 고강도 및 고전기전도도 특성을 가진 전기전자 부품 및 반도체용 동합금 및 이의 제조 방법
CN108754218B (zh) * 2018-09-10 2019-09-10 江西理工大学 一种高强高导Cu-Cr-Fe-Mg-P合金线材及其制备方法
KR102120295B1 (ko) * 2018-12-26 2020-06-08 태원공업(주) 양백각선의 제조 방법
CN111020283B (zh) * 2019-12-06 2021-07-20 宁波金田铜业(集团)股份有限公司 插件用铜合金带材及其制备方法
CN114657410B (zh) * 2022-04-06 2022-09-09 中南大学 一种高强高导铜铁系合金及其制备方法
CN114774733B (zh) * 2022-04-28 2023-05-26 郑州大学 一种铸轧辊套用高性能铜基合金材料及其制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0676630B2 (ja) 1986-12-23 1994-09-28 三井金属鉱業株式会社 配線接続具用銅合金
JP4042920B2 (ja) * 1995-02-21 2008-02-06 三菱伸銅株式会社 強度および打抜き加工性に優れた電気電子部品用Ｃｕ合金
JP3717321B2 (ja) 1998-12-11 2005-11-16 古河電気工業株式会社 半導体リードフレーム用銅合金
JP3318309B2 (ja) 2000-02-29 2002-08-26 日鉱金属株式会社 リードフレームおよびリードフレーム用銅合金
KR100366843B1 (ko) * 2000-10-09 2003-01-09 한국카파매트리얼 주식회사 동합금 및 그의 제조방법
JP3856018B2 (ja) * 2004-06-03 2006-12-13 日立電線株式会社 高強度・高導電性銅合金の製造方法
CN100439530C (zh) * 2004-12-24 2008-12-03 株式会社神户制钢所 具有弯曲性和应力弛豫性能的铜合金
JP3838521B1 (ja) * 2005-12-27 2006-10-25 株式会社神戸製鋼所 高強度および優れた曲げ加工性を備えた銅合金およびその製造方法
JP2008024995A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Kobe Steel Ltd 耐熱性に優れた電気電子部品用銅合金板
JP5214282B2 (ja) * 2008-03-07 2013-06-19 株式会社神戸製鋼所 ダイシング加工性に優れるｑｆｎパッケージ用銅合金板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101965345B1 (ko) * 2018-12-19 2019-04-03 주식회사 풍산 굽힘가공성이 우수한 단자 및 커넥터용 구리합금 및 이의 제조방법
WO2020130403A1 (ko) * 2018-12-19 2020-06-25 주식회사 풍산 굽힘가공성이 우수한 단자 및 커넥터용 구리합금 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20120312430A1 (en) 2012-12-13
WO2011096632A3 (ko) 2011-10-20
JP2013518993A (ja) 2013-05-23
EP2535433A2 (en) 2012-12-19
WO2011096632A2 (ko) 2011-08-11
JP5461711B2 (ja) 2014-04-02
CN102782168A (zh) 2012-11-14
KR20110091973A (ko) 2011-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101260911B1 (ko) 고강도, 고전도성을 갖는 동합금 및 그 제조방법
EP1873267B1 (en) Copper alloy for electronic material
KR101159404B1 (ko) 강도와 성형성이 우수한 전기전자 부품용 구리 합금판
EP2957646B1 (en) High-strength cu-ni-co-si base copper alloy sheet, process for producing same, and current-carrying component
KR102126731B1 (ko) 구리합금 판재 및 구리합금 판재의 제조 방법
KR100674396B1 (ko) 고강도 고도전성 구리 합금
WO2010126046A1 (ja) 導電性と曲げ性を改善したＣｕ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｍｇ系合金
CN102112641B (zh) 用于电气/电子部件的铜合金材料
JP4787986B2 (ja) 銅合金およびその製造方法
KR102005332B1 (ko) 굽힘가공성이 우수한 Cu-Co-Si-Fe-P계 구리 합금 및 그 제조 방법
KR20100132044A (ko) 전기전자기기용 동합금 재료 및 전기전자부품
KR102210703B1 (ko) 강도 및 굽힘가공성이 우수한 자동차 또는 전기전자 부품용 동합금판재의 제조 방법 및 이로부터 제조된 동합금판재
KR20130136183A (ko) 동합금부재와 그 제조 방법
JP4431741B2 (ja) 銅合金の製造方法
JP4664584B2 (ja) 高強度銅合金板および高強度銅合金板の製造方法
KR101537151B1 (ko) 전기 전자 기기용 Cu-Zn-Sn-Ca 합금
KR20160001634A (ko) 구리합금재, 구리합금재의 제조방법, 리드프레임 및 커넥터
KR101031816B1 (ko) 리드프레임용 동합금의 제조방법
JP3941308B2 (ja) 熱間加工性に優れた銅合金
JP4447300B2 (ja) 曲げ性に優れるりん青銅条
KR101060529B1 (ko) 고강도 및 고전도성 동합금 및 그 제조방법
KR20130109238A (ko) 고강도 동합금 단조재
JP6246454B2 (ja) Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法
KR101208578B1 (ko) 고강도 및 도전성 동합금 및 그 제조방법
KR20080091929A (ko) 고전도성, 고강도 및 고가공성을 갖는 전기 및 전자부품용동합금 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160405

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170414

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180403

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190313

Year of fee payment: 7