KR100674396B1 - 고강도 고도전성 구리 합금 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 굽힘 가공성이 우수하고, 고강도, 고도전성의 전자 전기 부품용 구리 합금을 제공한다.
질량 비율로써, Ni: 1.5% 이상 4.0% 이하, Si: 0.15% 이상 1.0% 이하를 함유하고, Ni 와 Si 의 함유량 비율 Ni/Si: 3 이상 7 이하이고, O: 0.0050% 이하이며 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지는 구리 합금에 있어서, Ni-Si 계 석출물의 크기에 대해, 장직경: a, 단직경: b 로 하였을 때, a 가 20nm 이상 200nm 이하이고 또한 애스펙트비 a/b: 1 이상 3 이하의 석출물이 구리 합금 중에 포함되는 전체 석출물의 면적률로 80% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하고, 우수한 강도, 도전율, 굽힘 가공성을 겸비한 반도체 기기의 전자 부품용 고강도 고도전성 구리 합금.

Description

고강도 고도전성 구리 합금{COPPER ALLOY WITH HIGH STRENGTH AND HIGH CONDUCTIVITY}
도 1 은 실시예 1 의 석출물의 장직경 측정치의 빈도 분포를 나타내는 그래프이다.
도 2 는 실시예 1 의 석출물의 단직경 측정치의 빈도 분포를 나타내는 그래프이다.
도 3 은 비교예 16 의 석출물의 장직경 측정치의 빈도 분포를 나타내는 그래프이다.
도 4 는 비교예 16 의 석출물의 단직경 측정치의 빈도 분포를 나타내는 그래프이다.
일본 공개특허공보 평10-219374호
본 발명은 굽힘 가공성이 우수하고, 고강도, 고도전성의 전자 전기 부품용 구리 합금에 관한 것으로, 특히 소형, 고집적화된 반도체 기기 리드용 및 단자 커 넥터 스프링용 구리 합금에 있어서, 전기·열전도성이 우수하고, 특히 고강도 특성이 우수한 전자 부품용 구리 합금에 관한 것이다.
구리 및 구리 합금은 커넥터, 리드 단자 등의 전자 부품 및 플렉시블 회로 기판용으로서 다용도에 걸쳐 폭넓게 이용되어 있는 재료이고, 급속히 전개되는 IT 화는 정보 기기의 고기능화 및 소형화·박육화에 대응하여 구리 및 구리 합금에 더한층의 특성 (강도, 굽힘 가공성, 도전성) 의 향상을 요구하고 있다.
전자 전기 부품에 사용되는 단자나 커넥터는 전자 전기 기기 등의 소형화, 경량화에 수반하여, 고강도, 고도전성, 양호한 굽힘 가공성이 요구되고 있다. 또, LSI 의 고집적화에 수반하여, 소비 전력이 높은 반도체 소자가 많이 사용되게 되어, 반도체 기기의 리드 프레임재에는 방열성 및 도전성이 좋은 Cu-Ni-Si 계 구리 합금이 사용되게 되었다. 그러나, 일반적으로 IC 등의 리드 프레임 가공에서는 원재료를 스탬핑법, 또는 에칭법 등에 의해 리드 단자부, IC 와의 도전 접속부 등을 성형한 후에 리드 단자부를 직각으로 절곡하는 점에서, 리드 프레임에는 도전성에 더하여 강도, 특히 우수한 굽힘 가공성이 요구되고, 이 때문에, 석출 경화형 구리 합금을 리드 프레임에 적용한 경우에는 도전성에 더하여 강도, 굽힘 가공성이 요구되지만, 도전성과 강도는 일반적으로 양립되지 않는다.
종래 기술에서는 Cu-Ni-Si 계 구리 합금 중의 Ni, Si, O 성분량을 조정하여, 석출물의 입경 및 입경 0.03μm 미만의 석출물과 0.03∼100μm 의 석출물의 수 비율을 조절한 합금이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1). 그러나, 이 특허문헌 1 에 기재된 발명은 펀칭 가공 등의 전단 가공에 적합한 Cu-Ni-Si 계 구리 합금 을 제조하는 것으로, 도전성, 전단 가공성이 우수한 것이었지만, 충분한 굽힘 가공성을 구비하는 것은 아니었다.
그래서, 본 발명은 Cu-Ni-Si 계 구리 합금의 우수한 열전도성, 도전성을 손상시키지 않고, 스프링재 및 반도체 기기의 리드 프레임재로서 충분한 강도를 갖고, 굽힘 가공성도 겸비한 구리 합금을 목적으로 하였다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해, 연구를 거듭한 결과, 우수한 강도, 도전성 및 스프링성 등을 구비하는 Cu-Ni-Si 계 구리 합금의 성분을 조정한 후에 석출물의 형상, 크기 및 면적률을 규정 범위로 조정함으로써, 고도전성과 굽힘 가공성을 손상시키지 않고, 종래에 없는 고강도를 갖는 구리 합금이 얻어지는 것을 발견하였다.
본 발명은 상기 지견에 의해 완성된 것이고, 구리 합금에 있어서 Ni: 1.5% 이상 4.0% 이하 (또, 본 발명의 기재에 있어서의 성분 비율을 나타내는 % 는 질량% 이다.), Si: 0.15% 이상 1.0% 이하를 함유하고, Ni 와 Si 의 함유량 비율 Ni/Si: 3 이상 7 이하이고, O: 0.0050% 이하이며 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지는 성분 조성으로 함과 함께, Ni-Si 계 석출물의 크기에 있어서, 장직경: a, 단직경: b 로 하였을 때, a: 20nm 이상 200nm 이하이고 또한 애스펙트비 a/b: 1 이상 3 이하의 석출물이 구리 합금 중에 포함되는 전체 석출물의 면적률로 80% 이상을 차지함으로써, 도전성 스프링재, 또 반도체 기기의 리드재로서 충분히 만족할 수 있 는 우수한 도전성 및 열전도성, 강도, 스프링성, 굽힘 가공성을 겸비한 점에 특징을 갖고, 바람직하게는 인장 강도 800∼1000MPa, 도전율 35∼55% IACS 의 특성치를 나타낸다. 상기 성분 조성에 Zn, Mg, Sn 및 In 중 1종 이상을 0.01% 이상 1.0% 이하 함유하면 도전성 및 열전도성이나 굽힘 가공성을 손상시키지 않고, 강도 및 스프링성을 더욱 우수한 것으로 할 수 있다
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이어서, 본 발명에 있어서 구리 합금의 조성, 석출물의 크기, 애스펙트비 등의 수치 범위를 한정한 이유를 그 작용과 함께 설명한다.
[Ni 량]
Ni는 합금의 강도 및 내열성을 확보하는 작용이 있음과 함께 후술하는 Si 와의 화합물을 석출시켜, 합금의 강도 상승에 기여한다. 그러나, 그 함유량이 1.5% 미만이면 원하는 강도가 얻어지지 않는 반면, 4.0% 을 넘게 Ni 를 함유시키면 열간 압연시의 가공성이 저하됨과 함께 제품의 굽힘 가공성 및 도전율의 저하가 현저해진다. 또한, 석출물의 대입자의 면적률을 증가시켜 바람직하지 못하다. 따라서 본 발명의 합금의 Ni 함유량은 1.5% 이상 4.0% 이하, 바람직하게는 2.5∼3.5% 이다.
[Si 량]
Si 는 Ni 와의 화합물을 석출하여 합금의 강도 및 내열성을 향상시킨다. Si 함유량이 0.15% 미만이면 화합물의 석출이 불충분하기 때문에, 원하는 강도가 얻어지지 않는다. 한편, Si 함유량을 1.0% 를 넘게 함유시키면 열간 압연시의 가공성이 저하됨과 함께 도전율의 저하가 현저해진다. 또한, 석출물의 대입자의 면적률을 증가시켜 바람직하지 못하다. 따라서 본 발명의 합금의 Si 함유량은 0.15% 이상 1.0% 이하, 바람직하게는 0.4∼0.9% 이다.
[Ni/Si 비]
Ni 와 Si 의 함유량이 상기 범위 내에 있더라도 Ni 와 Si 의 함유 비율 Ni/Si 가 3 미만이거나 7 을 초과하면, Ni-Si 계 석출물의 적절한 조성비에서 벗어나기 때문에 3 미만인 경우에는 Si, 7 을 초과한 경우에는 Ni 가 고용되는 양이 증대되어, 도전율의 저하가 현저해져 바람직하지 못하다. 따라서 본 발명의 합금의 Ni/Si 비는 3 이상 7 이하, 바람직하게는 4.0∼5.5 이다.
[O 량]
O 는 Si 와 합금 속에서 반응하기 쉽고, Si 가 합금 중에 산화물의 상태로 존재하면 Ni 와 Si 의 화합물의 석출을 저해하여, 고강도가 얻어지지 않고, 굽힘 가공성이 열화된다. 따라서, 본 발명의 합금의 O 함유량은 0.0050% 이하, 바람직하게는 0.0030% 이하이다.
[Zn, Mg, Sn, In 량]
Zn, Mg, Sn 및 In 량은 모두 합금의 도전성을 크게 저하시키지 않고 주로 고용 강화에 의해 강도를 향상시키는 작용을 갖고 있다. 따라서 필요에 따라 이들 금속을 1종류 이상 첨가하는데, 그 함유량이 총량으로 0.01% 미만이면 고용 강화에 의한 강도 향상의 효과가 얻어지지 않고, 한편 총량으로 1.0% 이상을 첨가하면 합금의 도전율 및 굽힘 가공성 저하가 현저해진다. 이 때문에, 단독 첨가 또는 2종류 이상의 복합 첨가되는 Zn, Mg, Sn 및 In 량은 0.01% 이상 1.0% 이하, 바람직하게는 총량으로 0.05% 이상 0.8% 이하이다. 또한, 이들 원소는 본 발명에서는 의도적으로 첨가되는 원소이고, 총량으로 0.01% 이상인 경우에는 불가피한불순물으로 간주하지 않는다. 즉, 청구항 2 에 관한 본 발명은 이들 원소가 의도적으로 첨가되어 총량으로 0.01% 이상이 되고, 또한 다른 요건도 만족하는 합금이다.
[Ni-Si 계 석출물의 크기와 면적률]
Ni-Si 계 석출물의 장직경을 a (nm), 단직경을 b (nm) 로 하면, a 가 20nm 미만인 석출물은 가공 변형 η=2 이상의 압연 가공을 하면, 석출물이 구리 속에 재용해되어 도전율을 저하시킨다. 여기서, 가공 변형 η 은 압연 전의 판두께를 t0, 압연 후의 판두께를 t 로 한 경우, η=1n (t0/t) 으로 표현된다. 또, a 가 200nm 을 초과하면 합금 중의 석출물의 분산 간격이 너무 커지기 때문에, 강도의 상승이 얻어지지 않게 된다. 따라서, 본 발명의 합금 중의 Ni-Si 계 석출물의 크기는 a: 20nm 이상 200nm 이하이다. 또 석출물의 애스펙트비를 a/b 로 나타내면, a/b 가 3 을 초과하는 경우에는 η=2 이상의 압연 가공을 하면 석출물이 구리 속에 재용해되어 도전율을 저하시킨다. 따라서 석출물의 애스펙트비 a/b 는 1 이상 3 이하이다. 한편, 상기 범위 내의 석출물에 관한 합금 중의 석출물의 면적률이 80% 미만인 경우에는 a 가 200nm 를 초과하는 석출물이 많이 존재하게 된다. 그리고 예를 들어, a 가 200nm 를 초과하는 석출물이나 용해 주조시에 생 긴 정출물이 열간 압연이나 용체화 처리로 고용되지 않았던 1000nm 이상의 Ni-Si 계 입자 (정출물) 가 많이 존재할 때에는 압연 가공에서의 가공 경화에 의해서도 원하는 강도는 얻어지지 않는다. 따라서, 상기 범위 내의 석출물의 면적률은 전체 석출물 (모든 Ni-Si 계 석출물) 중의 80% 이상이다.
상기 본 발명의 요건을 만족하는 Cu-Ni-Si 계 구리 합금은 통상 당업자가 제조할 때에 채용하는 잉곳 주조, 열간 압연, 용체화 처리, 중간 냉간 압연, 시효 처리, 최종 냉간 압연, 변형 제거 소둔 등에 있어서, 적절히 가열 온도, 시간, 냉각 속도, 압연 가공도 등을 선택함으로써 제조할 수 있다. 본 발명의 합금은 우수한 도전성 및 열전도성, 강도, 스프링성, 굽힘 가공성을 겸비하고, 인장 강도가 바람직하게는 800∼950MPa, 더욱 바람직하게는 800∼1000MPa, 도전율이 바람직하게는 35∼55% IACS 의 특성치를 나타낸다.
실시예
시료의 제조
전기 구리 또는 무산소 구리를 주원료로 하고, 니켈 (Ni), 규소 (Si), 아연 (Zn), 구리마그네슘 모합금 (Cu-Mg), 주석 (Sn), 인듐 (In) 을 부원료로 하여, 고주파 용해로에서 진공 중 또는 아르곤 분위기 속에서 용제하여, 25×50×150mm 의 잉곳으로 주조하였다. 이어서 잉곳을 열간 압연 및 용체화 처리, 중간 냉간 압연, 시효 처리, 최종 냉간 압연, 변형 제거 소둔의 순서로 실시하여, 두께 0.15mm 의 평판으로 하였다.
얻어진 판재의 각종 시험편을 채취하고 시험하여, 「강도」, 「도전율」, 「 굽힘 가공성」 을 평가하였다.
목적하는 크기의 석출물을 석출시키기 위한 방법
목적하는 크기의 석출물을 석출시키기 위한 방법의 일례를 하기에 나타낸다.
(1) 석출물의 장직경 a: 20∼200nm 의 경우
잉곳을 750∼950℃ 로 0.5∼12시간 가열하여, 주조시에 생긴 Ni-Si 계 정출물을 고용시킨 후, 열간 압연한다. 열간 압연 종료시에 재료 온도 700∼900℃, 바람직하게는 850∼900℃ 에서 수냉한다. 열간 압연 종료시에 700℃ 이상의 재료 온도가 얻어지지 않는 경우에는 다시 700∼950℃ 로 0.5시간 이상 가열 후, 수냉하여 용체화를 충분히 실시한다. 그 후 가공 변형 η=0∼2.5 의 냉간 압연, 300∼650℃ 에서 0.1∼24시간의 시효 처리를 실시한다.
(2) 석출물의 장직경 a: 20nm 미만의 경우
열간 압연은 상기 (1) 과 동일하게 실시하고, 가공 변형 η=0∼2.5 의 냉간 압연 후, 300∼450℃ 에서 0.5∼24 시간의 시효 처리를 실시한다.
(3) 석출물의 장직경 a: 200nm 초과의 경우
열간 압연 전의 잉곳의 가열은 상기 (1) 과 동일하게 행하고, 열간 압연 후의 적극적인 냉각은 행하지 않고 방랭 (공랭) 한다. 가공 변형 η=0∼2.5 의 냉간 압연 후, 550∼700℃ 에서 0.1∼24시간의 시효 처리를 실시한다.
석출물의 평가
주사형 전자 현미경 및 투과형 전자 현미경을 사용하여, 최종 냉간 압연 전의 합금조를 압연 방향에 평행하게 두께 직각으로 절단하여, 단면의 석출물을 10시 야 관찰하고, 촬영한 사진의 화상을 화상 해석 장치 (주식회사 니레코 제, 상품명 루젝스) 를 사용하여 장직경 a 가 5nm 이상인 석출물 전부에 대해 개개로 장직경 a, 단직경 b, 및 면적을 측정하였다. 도 1 및 도 2 에 실시예 1 의 석출물의 장직경 및 단직경 측정치의 빈도 분포를 나타낸다. 또, 본 발명에 있어서, 석출물의 전체 면적은 장직경 a 가 5nm 이상인 석출물의 면적의 총합을 말하지만, 그 석출물의 전체 면적에 대하여, 장직경 a 가 20nm∼200nm, 애스펙트비 a/b 가 1∼3 인 석출물의 면적 총합의 비율을 면적률 C (%) 로 하여 산출하였다. 또, 측정한 전체 석출물의 장직경의 평균치로 한 평균 장직경 (ata) 과 이 평균 장직경 (ata) 과 측정한 전체 석출물의 단직경의 평균치의 평균 단직경 (bta) 으로 구한 평균 애스펙트비 ata/bta 를 표 1b 및 표 2b 에 참고로서 기재하였다. 이것은 면적률 C(%) 의 기재만으로는 석출물의 크기를 알 수 없기 때문이다.
한편, 최종 냉간 압연 (통상은 가공 변형 η=2 이상) 에 의해, 장직경 20nm 이하의 Ni-Si 계 석출물 또는 장직경 20nm 를 초과하지만 애스펙트비가 3 을 초과하는 석출물은 고용되지만, 20nm 이상 또한 애스펙트비가 1∼3 인 석출물은 최종 냉간 압연 후에도 그 장직경, 단직경 및 애스펙트비를 유지하는 것을 확인하였다. 또, 석출물의 면적률 C 도, 200nm 를 초과하는 석출물은 고용되지 않기 때문에 최종 냉간 압연 후에도 거의 변화되지 않는다.
시험편의 물성 평가
「강도」에 관해서는 JIS Z 2241 에 규정된 인장 시험에 따라서 13호 B 시험 편을 사용하여 실시하여 인장 강도를 측정하였다.
「도전율」은 4단자법을 사용하여 시험편의 전기 저항을 측정하고, 표준 연동 (체적 저항률이 1.7241μΩcm 인 것) 과의 전기 전도도의 비를 백분율로 나타내고, %IACS 로 표시하였다.
「굽힘 가공성」에 관해서는 W 굽힘 시험기로 10mm 폭의 시험편을 굽힘 반경 0.15mm 의 금형으로 50kN 의 하중으로 굽힘 시험한 굽힘부 표면을 광학 현미경 (100배) 으로 관찰함으로써 균열의 유무를 조사 평가하여 균열 발생이 없는 경우를
Figure 112005019373248-pat00001
, 균열이 발생된 경우를 × 로 표시하였다.
본 발명에 관한 고강도 고도전성 구리 합금의 실시예를, 표 1a, 및 표 2a 에 나타내는 성분 조성의 구리 합금에 대해서, 비교예와 함께 설명한다. 본 발명의 합금 실시예 1∼7 은 애스펙트비가 1∼1.6 인 30nm 에서 100nm 정도의 미세한 석출물을 포함하여, 우수한 강도, 도전율 및 굽힘 가공성을 구비하고 있었다. 한편, 비교예 8∼17 까지의 결과를 검토하면, 비교예 8∼11 에 관해서는 본 발명의 합금 조성의 범위에서 벗어난 조성에서의 합금이다. 비교예 8 은 Ni 의 첨가량이 1.5% 이하로 되어 있기 때문에 Ni-Si 계 석출물의 석출량이 적어져 충분한 강도가 얻어지지 않는다. 비교예 9 는 Si 의 첨가량이 1.0% 를 초과하기 때문에, Si 의 고용량이 증가하여 도전율의 저하를 발생시키고, 또한 굽힘 가공성이 열등하다. 비교예 10 은 Ni/Si 비가 석출물의 적절한 조성비에서 벗어나기 때문에, Ni 가 고용되는 양이 증대되어 도전율의 저하를 발생시키고, 또 Ni-Si 계 석출물의 석출량이 적어지기 때문에 충분한 강도가 얻어지지 않는다. 비교예 11 은 부성 분으로서 Zn, Mg, Sn 의 첨가량이 대개 1.0% 를 넘기 때문에 강도는 충분하지만, 이들 고용에 의해 도전율이 저하되고, 또한 굽힘 가공성이 열등하다. 또, 비교예 11 에서의 Zn, Mg 및 Sn 은 불가피한 불순물이 아니기 때문에 청구항 1 에 관한 발명예에 해당되지 않고, 1.0% 를 초과하는 Zn, Mg 및 Sn 량을 함유하기 때문에 청구항 2 에 관한 발명예에도 해당되지 않는다.
비교예 12∼17 에 관해서는 본 발명의 합금의 석출 상태에서 벗어나는 합금이다. 비교예 12 는 석출물의 크기가 20nm 이하이기 때문에, 가공 중에 고용되어 도전율이 저하되었다. 비교예 13 은 석출물의 애스펙트비가 3 을 초과하기 때문에, 가공 중에 고용되어 굽힘 가공성이 열등하다. 비교예 14 는 석출물의 크기가 200nm 를 초과하기 때문에 석출물의 분산 간격이 커져 원하는 강도가 얻어지지 않는다. 비교예 15 는 20nm∼200nm 크기의 석출물 이외에, 조대한 석출물이 많이 관찰되고, 이 때문에 전체적으로 석출물에 의한 강화가 저하되었다. 도 3 및 도 4 에 비교예 16 의 석출물의 장직경 및 단직경 측정치의 빈도 분포를 나타낸다. 비교예 16 은 애스펙트비가 3 을 초과하고, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이 조대한 석출물이 존재하기 때문에, 면적률 C 가 60% 로 작은 값으로 되어 있고, 강도 및 도전율이 저하되어 있다. 비교예 17 은 비교예 12 와 동일하게, 석출물의 크기가 20nm 이하이기 때문에, 가공 중에 고용되어, 도전율이 저하되었다.
화학성분(질량%)
Ni Si Ni/Si O Zn Mg Sn In (Zn+Mg+Sn+In)량 Cu 및 불순물
실 시 예 1 3.1 0.79 3.92 0.0028 - - - - - 나머지
2 3.0 0.65 4.62 0.0031 0.55 - - - 0.55 나머지
3 2.8 0.64 4.38 0.0010 - 0.15 - - 0.15 나머지
4 3.0 0.70 4.29 0.0025 - - 0.65 - 0.65 나머지
5 3.3 0.65 5.08 0.0035 - - - 0.70 0.70 나머지
6 3.0 0.54 5.56 0.0012 - 0.13 0.45 - 0.58 나머지
7 2.5 0.50 5.00 0.0015 0.25 0.15 - 0.36 0.76 나머지
비 교 예 8 1.1 0.20 5.50 0.0020 - - - - - 나머지
9 2.4 1.21 1.98 0.0019 - - - - - 나머지
10 3.1 0.25 12.4 0.0022 0.22 - - - 0.22 나머지
11 2.8 0.65 4.31 0.0014 0.41 0.50 0.32 - 1.23 나머지
표 중의 「-」 는 「첨가하지 않음」 을 나타낸다.
석출물 인장강도 (MPa) 도전율 (%IACS) 굽힘 가공성
평균 장직경(a) (㎚) 애스펙트비 a/b 면적율(C) (%)
실 시 예 1 62 2.1 97 835 48.2
2 45 1.0 100 860 47.5
3 50 1.3 90 870 46.3
4 60 1.5 90 890 42.5
5 55 1.6 85 900 41.9
6 70 1.4 90 920 39.1
7 110 1.2 88 925 38.0
비 교 예 8 60 1.5 95 710 45.1
9 50 1.4 90 830 27.2 ×
10 70 1.6 85 740 29.6 ×
11 80 1.3 95 900 32.0 ×
화학성분(질량%)
Ni Si Ni/Si O Zn Mg Sn In (Zn+Mg+Sn+In)량 Cu 및 불순물
비 교 예 12 3.1 0.79 3.92 0.0028 - - - - - 나머지
13 3.1 0.79 3.92 0.0028 - - - - - 나머지
14 3.1 0.79 3.92 0.0028 - - - - - 나머지
15 2.8 0.64 4.38 0.0010 - 0.12 0.45 - 0.57 나머지
16 2.8 0.64 4.38 0.0010 - 0.12 0.45 - 0.57 나머지
17 2.8 0.64 4.38 0.0010 - 0.12 0.45 - 0.57 나머지
석출물 인장강도 (MPa) 도전율 (%IACS) 굽힘 가공성
평균 장직경(a) (㎚) 애스펙트비 a/b 면적율(C) (%)
비 교 예 12 10 1.3 0 820 29.2 ×
13 50 5.0 15 780 30.5 ×
14 350 1.2 10 700 48.5
15 60 1.7 65 740 47.4
16 77 4.7 60 690 37.6
17 15 1.5 10 810 29.5 ×
본 발명의 구리 합금은 종래의 Cu-Ni-Si 계 구리 합금으로서 우수한 도전성 및 열전도성을 손상시키지 않고, 기존에 없는 우수한 강도를 구비하고, 양호한 굽힘 가공성을 겸비한다. 따라서, 급속히 전개되는 IT 화에 대응하여, 특히 소형, 고집적화된 리드 프레임, 단자 및 커넥터 등의 각종 전기 전자 부품에 적절한 재료로서 제공할 수 있게 된다.

Claims (4)

  1. 질량 비율로써, Ni: 1.5% 이상 4.0% 이하, Si: 0.15% 이상 1.0% 이하를 함유하고, Ni 와 Si 의 함유량 비율 Ni/Si: 3 이상 7 이하이고, O: 0.0050% 이하이며 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지는 구리 합금에 있어서, 장직경: a, 단직경: b 로 하였을 때, a 가 20nm 이상 200nm 이하이고 또한 애스펙트비 a/b 가 1 이상 3 이하인 Ni-Si 계 석출물이 구리 합금 중에 포함되는 전체 석출물의 면적률로 80% 이상을 차지하는 것을 특징으로 하는 우수한 강도, 도전율, 굽힘 가공성을 겸비한 전자 부품용 고강도 고도전성 구리 합금.
  2. 제 1 항에 있어서, 질량 비율로써 Zn, Mg, Sn 및 In 중 1종 이상을 합계로 0.01% 이상 1.0% 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 우수한 강도, 도전율, 굽힘 가공성을 겸비한 전자 부품용 고강도 고도전성 구리 합금.
  3. 제 1 항에 있어서, 인장 강도: 800∼950MPa 또한 도전율: 35∼55% IACS 인 것을 특징으로 하는 우수한 강도, 도전율, 굽힘 가공성을 겸비한 전자 부품용 고강도 고도전성 구리 합금.
  4. 제 2 항에 있어서, 인장 강도: 800∼1000MPa 또한 도전율: 35∼55% IACS 인 것을 특징으로 하는 우수한 강도, 도전율, 굽힘 가공성을 겸비한 전자 부품용 고강 도 고도전성 구리 합금.
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