KR101251745B1 - 비연계 압전 재료 - Google Patents

비연계 압전 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR101251745B1
KR101251745B1 KR1020107022502A KR20107022502A KR101251745B1 KR 101251745 B1 KR101251745 B1 KR 101251745B1 KR 1020107022502 A KR1020107022502 A KR 1020107022502A KR 20107022502 A KR20107022502 A KR 20107022502A KR 101251745 B1 KR101251745 B1 KR 101251745B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
piezoelectric
lead
pzt
piezoelectric material
mpb
Prior art date
Application number
KR1020107022502A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110016864A (ko
Inventor
?오빙 렌
웬팽 리우
Original Assignee
독립행정법인 물질·재료연구기구
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 독립행정법인 물질·재료연구기구 filed Critical 독립행정법인 물질·재료연구기구
Publication of KR20110016864A publication Critical patent/KR20110016864A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101251745B1 publication Critical patent/KR101251745B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
    • C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62685—Treating the starting powders individually or as mixtures characterised by the order of addition of constituents or additives
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions
    • H10N30/8536—Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C04B2235/3234—Titanates, not containing zirconia
    • C04B2235/3236—Alkaline earth titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3248—Zirconates or hafnates, e.g. zircon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase

Abstract

본 발명에서는 소프트(PZT)를 능가하는 높은 압전계수(d33 > 500pC/N)를 가질 수 있는 비연계 압전 재료를 제공하는 것을 과제로 하였다.
본 발명 1은 Pb 등의 유해원소를 포함하지 않는 비연계(non-lead-type, 非鉛系) 압전 재료로서 {[(Ba1 -x1M1x1)((Ti1 - xZrx)1- y1N1y1)O3]-δ%[(Ba1 - yCay)1-x2M2x2)(Ti1 - y2N2y2)O3]}(M1, N1, M2 및 N2는 첨가원소)의 슈도 바이너리(pseudo-binary)고용체(약칭 BZT-δ%BCT)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

비연계 압전 재료{NON-LEAD-TYPE PIEZOELECTRIC MATERIAL}
본 발명은 Pb 등의 유해원소를 포함하지 않는 비연계(non-lead-type, 非鉛系) 압전 재료에 관한 것이다.
압전 재료는 전압을 가하면 신축(전왜효과-electrostrain effect: 電歪 效果)하고, 반대로 힘을 가하면 전압이 발생한다(압전효과)고 하는 효과를 갖기 때문에, 기계 에너지에서 전기 에너지로의 변환을 담당하는 매우 중요한 물질군이다. 이들의 재료는 액추에이터나 센서 등과 같은 에너지 변환의 분야에 광범위하게 응용되고, 최첨단 기술에서부터 일상생활까지 침투하여 현대 사회에서 없어서는 안 되는 존재가 되어 있다.
과거 50년간 동안 대부분의 압전 응용은 PZT(Pb(Ti, Zr)O3 다결정체)에서 주도하고 있다. 이러한 재료 계통은 지금까지 최고의 압전특성(무첨가의 PZT의 압전 계수 d33의 최고치는 약 220 pC/N이고, 첨가에 의한 개량된 소프트 PZT는 약 400 내지 580pC/N)을 갖기 때문에 반세기 이래, 압전 재료의 "대명사"가 되어 있다. 그러나 PZT는 유독한 납(lead, 鉛)을 대량으로 포함하고 있으므로 환경 문제의 관점에서 최근 엄격하게 규제되고 있다. 그 때문에 PZT에 필적하는 고성능 비연(lead-free, 非鉛)의 압전 재료를 개발하는 것이 세계적으로 시급한 과제가 되고 있다.
이러한 배경에서 최근 비연 압전 재료는 많은 연구가 있었지만, 그러나 압전·전왜 특성은 PZT에 한참 뒤떨어져 있다(대부분의 재료의 d33는 200pC/N 이하). 최근 개발된 KNN-LT((K, Na)NbO3-LiTaO3)) 및 KNN-LN((K, Na)NbO3-LiNbO3)계 비연 압전 재료의 압전 계수 d33는 약 150 내지 300pC/N으로 비교적으로 좋지만, 소프트 PZT까지는 미치지 못한다.
더욱이, KNN-LT 및 KNN-LN계는 합성 곤란, 고비용 (고가의 원소 Ta, La를 대룡으로 포함하기 때문)등의 중대한 결점을 가지고 있다.
지유(Zhi Yu), 루안 구오(Ruyan Guo), 및 에이.에스. 발라(A. S. Bhalla), Ba(Ti1-xZrx)O3 단결정의 유전체 작용 J. Appl. Phys. 88, 410 (2000) 티. 미쓰이(T. Mitsui)와 더블유. 비. 웨스트팔(W. B. Westphal), CaxBa1-xTiO3와 CaxSr1-xTiO3의 유전체와 엑스레이의 연구. Phys. Rev. 124, 1354-1359(1961)
본 발명에서는 이상의 중요한 문제를 해결하기 위하여 소프트 PZT도 능가하는 높은 압전계수(d33 > 500 pC/N)를 갖는 것이 가능한 비연 압전 재료를 제공하는 것을 과제로 하였다.
본 발명 1은, Pb 등의 유해 원소를 포함하지 않는 비연계 압전 재료(lead-free piezoelectric material, 非鉛系 壓電材料)로서 {[(Ba1-x1M1x1)((Ti1-xZrx)1-y1N1y1)O3]-δ% [(Ba1 - yCay)1-x2M2x2)(Ti1 - y2N2y2)O3]}(M1, N1, M2 및 N2는 첨가원소)의 슈도 바이너리(pseudo-binary) 고용체(약칭 BZT-δ%BCT)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명 2는, 발명 1의 비연계 압전 재료에서 슈도 바이너리(pseudo-binary) 고용체는 결정상 경계(morphotrophic phase boundary, MPB)를 갖는 것을 특징으로 한다.
발명인은 BZT-δ%BCT가 결정상 경계(morphotrophic phase boundary, MPB)를갖는 것을 발견하고(도 1은, [Ba(Ti0 .8Zr0 .2)O3]-δ%[(Ba0 .7Ca0 .3)TiO3]의 예), MPB 근방의 조성으로 PZT를 능가하는 매우 높은 압전특성(d33 > 580pC/N)을 갖는 것을 발견하였다(도 2, 도 3). 본 발명에서는 이 발견에 근거하여 이 MPB를 갖는 슈도 바이너리 고용체를 이용한 재료를 발명하였다.
상기 재료는 매우 높은 압전효과를 나타내고, MPB조성(δ% = 50%)에서 실온에서의 압전 계수 d33 > 580pC/N 및(도 2), 종래의 비연 압전 재료의 몇 배 이상이다(도 3), PZT 패밀리와 비교하여도 종래의 소프트 PZT(d33 > 400pC/N)를 넘게 되고, 소프트 PZT의 최고봉 PZT-5H에 상당한다(도 3). 전장(electric field, 電場)-전왜(electrostrain, 電歪) 관계에서 압전효과를 평가하면, MPB조성(δ% = 50%)의 압전특성은 PZT-5H를 넘는 것을 알 수 있다(도 4).
대부분의 MPB조성에 있어서, 실온에서 70℃의 온도 범위에서 높은 압전특성 (d33 > 350 pC/N)을 확인하고 있으며(도 5), 실온 부근에서의 응용은 충분히 적합하다. 또 이 재료를 첨가원소로 특성을 더욱 개선할 가능성이 있다.
이 재료계는 매우 안정된 산화물로 만들어진 재료이기 때문에 KNN계나 (Bi0.5Na0.5)TiO3와 같은 휘발 문제는 가지고 있지 않은 매우 높은 소결성을 가지며, 제조는 매우 용이하다. 또 Nb나 Ta 등 고가의 원료를 사용하지 않기 때문에 원료비용과 제조비용이 낮다. 더욱이, KNN계와 같은 조해성(deliquescence, 潮解性) 또는 습기에 민감한 문제도 없다.
이상의 특징으로부터 본 발명에서 제안한 재료계는 실온 부근 (또는 실온 이하)의 응용에서 PZT를 대체시킬 수 있는 대안이 될 수 있다.
도 1은, [Ba(Ti0 .8Zr0 .2)O3]-δ%[(Ba0 .7Ca0 .3)TiO3] 슈도 바이너리계의 상태도이다. MPB는 δ% = 40 내지 60%의 조성 범위에서 존재한다. 유전율-온도의 관계는 삽입도(inset)로 도시한다.
도 2는, [Ba(Ti0 .8Zr0 .2)O3]-δ%[(Ba0 .7Ca0 .3)TiO3]의 실온 압전특성 d33의 조성(δ%) 의존성을 도시하는 그래프이다. MBP의 조성 범위에서 압전 계수 δ%는 가장 높은 값을 나타낸다.
도 3은, MPB조성 δ% = 50% BCT의 압전재료의 압전특성 d33와 다른 압전 재료와의 비교이다.
도 4는, 분극(分極)한 δ% = 50% 시료의 전왜(electrostrain, 電歪)와 전장의 관계를 도시하는(실온) 그래프이다. 소프트 PZT를 능가하는 것을 알 수 있다.
도 5는,δ% = 40%, 45% 및 50% 시료의 압전 계수 d33의 온도 의존성을 도시하는 그래프이다.
MPB를 형성하기 위하여 다른 구조를 갖는 2개의 터미널로 형성되는 고용체가 필요하다. 본 발명에서 사용되는 2개의 터미널 조성은, 사방 육면체(R)의 구조를 갖는 Ba(Ti1 - xZrx)O3와 정방형(T)의 구조를 갖는 Ba(Ti1 - xZrx)O3 R구조를 안정화시키기 위해서는 x>0.1가 필요하지만(문헌 1), x>0.5의 경우는 강유전성(ferroelectricity)은 현저히 저하된다. 따라서, x = 0.1 내지 0.5는 타당하다. (Ba1 - yCay)TiO3의 T구조를 -50℃까지 안정화시키기 위해서는 y>0.1가 필요하지만(문헌 2), y>0.7의 경우는 강유전성이 현저히 저하된다. 따라서, y = 0.1 내지 0.7이 타당하다. 상기의 이유에서 청구항 1에서 예시한 x = 0.1 내지 0.5, y = 0.1 내지 0.7은 타당하다. 또 하기의 7개 문단에 걸쳐 예시한 첨가 원소 M1, N1, M2 및 N2를 상기 재료계에 넣어도 MPB의 존재에 영향이 없으므로 첨가 원소가 들어간 상기의 재료계도 본 발명에 포함되는 것이다.
상기의 2개 터미널 조성으로부터 만들어진 슈도 바이너리 고용체의 상태도의 일 예로서, [Ba(Ti0 .8Zr0 .2)O3]-δ%[(Ba0 .7Ca0 .3)TiO3]의 상태도는 도 1에 예시한다. δ% = 40 내지 60% BCT의 조성 범위에서 R/T 상(phase, 相)의 MPB의 존재는 명백하다.
도 2, 3에서 δ% = 50%에 있어서 가장 좋은 특성은 (d33 = 584 pC/N)을 갖는 것을 알 수 있다.
도 4는 분극한 δ% = 50% 시료의 전왜(electrostrain, 電歪)와 전장(electric field, 電場)의 관계(실온)를 예시한다. 이 재료의 압전특성은 소프트 PZT의 최고봉인 PZT-5H를 포함하는 모든 PZT를 능가하는 것을 알 수 있다.
도 5는,δ% = 40%, 45% 및 50% 시료의 압전 계수 d33의 온도 의존성을 예시하는 그래프이다. MPB부근의 이 3조성은 70℃까지 큰 압전 계수를 유지하고 있는 것을 알 수 있다(δ% = 45%, 50% 시료 이 온도 범위에서는 d33 > 350 pC/N). 따라서, 본 발명의 비연 압전 재료(lead-free piezoelectric material)는 실온 부근의 응용에 적합하다.
또한, 화학식이 다르더라도 실효화학조성은 발명 1, 2의 재료에 동등한 것임은 당연하며, 예를 들면,(BaCa)(TiZr)O3 or BaTiO3-BaZrO3-CaTiO3 등의 식에서 표시된 것의 본 발명에 포함되는 것이다.
또 하기 실시 예에서 예시하는 슈도 바이너리 비연계 압전 재료에 조성 이온과 동가수(同價數)의 원소와 부분적으로 치환한 것도 본원 발명에 포함되는 것이다.
그 때문에 본 발명에서는, {[(Ba1 -x1M1x1)((Ti1 - xZrx)1- y1N1y1)O3]-δ%[(Ba1 - yCay)1-x2M2x2)(Ti1 - y2N2y2)O3]}(M1, N1, M2 및 N2는 첨가 원소)로 예시하였다. BZT-BCT는 A2+B4+O3형 페로브스카이트(perovskite) 구조로 되어 있기 때문에, A2+ 위치에 Ba2 + 와 Ca2 +가 점유하고, B4+위치에 Ti4 +와 Zr4 +가 점유하고 있다. 「조성 이온과 동가수의 원소」라는 것은 A2+위치로 치환하는 원소의 경우는 2+가의 원소(예를 들면, Sr2 +), B4+위치로 치환하는 원소의 경우는 4+가의 원소(예를 들면, Hf4 +, Sn4 +)이다. 또 「동가(同價)의 첨가 원소」는 다른 가수의 원소의 조합으로 만들어내는 것도 가능하다(예를 들면, A2+ 위치에 1/2Bi3 +1/2Na+ (평균가수는 2+)로 치환하여도 된다).
또 「수용체(acceptor, 受容體) 첨가원소」로 일부 치환하는 것도 가능하다.
수용체 첨가 원소:
A2+의 위치로 치환하는 +2 이하의 가수를 갖는 첨가 원소(M1, M2): K+, Na+, Li+, Ag+ 등.
B4+의 위치로 치환하는 +4가 이하의 첨가 원소(N1, N2): Mn3 +, Fe3 +, Co3 +, Ni2+, Cu2 + 등.
「수용체 원소 첨가」는 압전 재료의 손실을 경감하기 위해 자주 사용되는 개량법이다. 본 발명에서도 BZT-BCT를 이용하면서 「수용체 원소 첨가」에 의한 개량된 재료가 본 발명의 범위이다.
「공여체(donor, 供與體) 첨가원소」로 일부 치환하는 것도 가능하다.
공여체 첨가원소:
A2+의 위치로 치환하는 +2 이상의 가수의 첨가원소:: La3 +, Bi3 +, Y3 +, Ce3 +, Rh3+ 등.
B4+의 위치로 치환하는 +4가 이상의 첨가 원소: Nb5 +, Ta5 + 등.
「공여체 원소 첨가」는 압전 재료의 압전특성을 향상시키기 위해 자주 사용되는 개량법이다. 본 발명에서도 BZT-BCT를 이용하면서 「공여체 원소 첨가」에 의한 개량된 재료가 본 발명의 범위이다.
「수용체 첨가 원소」와 「공여체 첨가 원소」의 양쪽에서 동시에 일부 치환하는 것도 가능하다.
상기 재료의 다결정, 단결정 또는 박막, 다층막 등 종래 주지의 형상으로 형성된 것도 본 발명의 범주에 있는 것이다. 더욱이, 이들을 복합 재료, 부품, 장치, 디바이스 등에 이용하는 것은 종래 주지의 기술로부터 용이하게 상기(想起)할 수 있는 범주에 있는 것이다.
[실시 예]
[Ba(Ti0 .8Zr0 .2)O3]-δ%[(Ba0 .7Ca0 .3)TiO3] 슈도 바이너리의 상태도는 도 1에서 예시한다. 유전율-온도의 관계는 삽입도에서 예시한다. δ% = 40 내지 60%의 조성 범위에서 MPB가 존재하는 것을 알 수 있다.
시료의 제작 방법:
원료: BaZrO3 (99.9%), CaCO3 (99.9%), BaCO3 (99. 9%) 및 TiO2 (99.9%)
제작 방법: 표준 고상 소결법. 합성은 1350℃에서 2시간, 소결은 1450℃에서 3시간. (합성 온도는 1200℃ 내지 1400℃, 소결온도는 1300℃ 내지 1500℃가 필요)
전극: Ag 전극
분극 조건: 퀴리 온도(Curie temperature) 이상의 온도(110℃)에서 시료에 보자력 장(coercive field, 保磁力 場)보다 2배 정도의 전장을 걸면서 시료를 실온까지 서서히 냉각시킨다.
시료의 형상과 크기: 시료의 두께는 6.5mm, 직경은 8mm인 디스크이다.
압전특성의 측정 방법: 압전 계수 d33는 ZJ-6B형 d33미터에 의해 측정한다. 전장-변위의 측정은 레디언트 테크놀로지 주식회사(Radiant Technologies Inc)의 워크스테이션 및 MTI2000 광학 변위센서에 의해 측정한다.
도 2는, 압전 계수 d33와 조성 δ%의 관계(실온)를 예시하는 측정치(표 1)에 근거한 것이다. 도 2로부터 MPB 부근에서 큰 압전 계수를 갖는 것을 알 수 있다. 특히 δ% = 50%에 있어서 가장 좋은 특성(d33 = 583 pC/N)을 갖는 것을 알 수 있다. 본 발명은 이 MPB를 이용한 비연 압전 재료를 제안하는 것이다.
Figure 112010064974511-pct00001
도 3은, δ% = 50%의 비연 압전 재료와 다른 비연 압전 재료 및 PZT 패밀리의 압전계수 d33의 비교를 예시하는 측정치(표 2)에 근거한 것이다.
이 도면에서 명백히 한 바와 같이, 본 발명의 비연 압전 재료는 다른 비연 압전 재료보다 2배에서 몇 배 이상의 압전특성을 가질 뿐 아니라 대부분의 PZT도 능가하는 압전특성이 있다. 이 도면은 본 발명의 진보성을 잘 나타낸다.
Figure 112010064974511-pct00002
도 4는, 분극한 δ% = 50%의 본 발명의 비연 압전 재료의 전장-변위 관계와 PZT 패밀리와의 비교를 예시하는 측정치(표 3)에 근거한 것이다.
전장-변위 관계는 대전장(大電場) 하의 압전특성을 나타낸다. 이 도면에서 본 발명의 비연 압전 재료의 대전장 하의 압전특성은 모두 PZT로부터 크게 상회하는 것을 알 수 있다.
Figure 112010064974511-pct00003
도 5는, δ% = 40%, 45% 및 50% 시료의 압전 계수 d33의 온도 의존성을 예시하는 측정치(표 1)에 근거한 그래프이다.
MPB 부근의 이 3조성은 70℃까지 큰 압전 계수를 유지하고 있는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 비연 압전 재료는 온도 부근의 응용에 적합하다.
Figure 112010064974511-pct00004
종래 PZT 및 다른 압전 재료의 실온 부근(70℃까지)의 응용에 대부분 전부 사용할 수 있다. 몇 가지의 예를 아래에서 들어본다.
가전 제품이나 시계의 전자음 소스
물고기 떼의 탐지기나 소나(sonars) 등의 수중 탐사 소스
가스라이터의 발화 소스
금속, 콘크리트, 지각 등 고체 속의 탐사 소스
가습기나 흡입기의 연무화 소스
각종 세정기의 초음파 소스
자동차의 백 소나와 코너 센서
잉크젯 프린터의 펌프 소스
액정모니터의 인버터 트랜스
전자현미경을 주사(scan)하기 위한 마이크로 액추에이터
의학 진단 장치나 마사지기의 초음파 소스
전화기나 리모컨의 시계 시그널 소스
보수계(pedometer)의 카운터
퍼스널 컴퓨터 모니터의 터치 센서

Claims (2)

  1. Pb 등의 유해원소를 포함하지 않는 비연계 압전 재료로서, {[(Ba1-x1M1x1)((Ti1-xZrx)1-y1N1y1)O3]-δ%[(Ba1 - yCay)1-x2M2x2)(Ti1 - y2N2y2)O3]}(M1, N1, M2 및 N2는 첨가 원소)의 슈도 바이너리(pseudo-binary)고용체(약칭 BZT-δ%BCT)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비연계 압전 재료.
  2. 제 1항에 있어서,
    슈도 바이너리 고용체는 결정상 경계(morphotrophic phase boundary, MPB)를 갖는 것을 특징으로 하는 비연계 압전 재료.
KR1020107022502A 2008-03-11 2009-03-10 비연계 압전 재료 KR101251745B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008061044A JP5344456B2 (ja) 2008-03-11 2008-03-11 非鉛系圧電材料
JPJP-P-2008-061044 2008-03-11
PCT/JP2009/054540 WO2009113535A1 (ja) 2008-03-11 2009-03-10 非鉛系圧電材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110016864A KR20110016864A (ko) 2011-02-18
KR101251745B1 true KR101251745B1 (ko) 2013-04-05

Family

ID=41065203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107022502A KR101251745B1 (ko) 2008-03-11 2009-03-10 비연계 압전 재료

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8182713B2 (ko)
EP (1) EP2251313B1 (ko)
JP (1) JP5344456B2 (ko)
KR (1) KR101251745B1 (ko)
CN (1) CN101970374B (ko)
WO (1) WO2009113535A1 (ko)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011181764A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Tdk Corp 圧電体素子及びその製造方法
JP2011243722A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Seiko Epson Corp 圧電素子、液滴噴射ヘッドおよび液滴噴射装置
CN101935212A (zh) * 2010-09-09 2011-01-05 西北工业大学 一种锆钛酸钡钙无铅压电陶瓷及其制备方法
JP5979992B2 (ja) 2011-07-05 2016-08-31 キヤノン株式会社 圧電材料
WO2013005702A1 (en) 2011-07-05 2013-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material
US9095882B2 (en) 2011-10-20 2015-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric device, dust removing apparatus, and imaging apparatus
CN102503409A (zh) * 2011-11-02 2012-06-20 聊城大学 一种锡钛酸钡钙无铅压电陶瓷及其制备工艺
WO2013137369A1 (en) 2012-03-16 2013-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, piezoelectric element, and electronic apparatus
US9660175B2 (en) 2012-03-30 2017-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric ceramic, method for manufacturing piezoelectric ceramic, piezoelectric element, and electronic device
EP2837045B1 (en) 2012-03-30 2016-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric ceramics, piezoelectric element, liquid ejection head, ultrasonic motor, and dust removing device
CN102815938B (zh) * 2012-08-27 2014-08-06 天津大学 一种钛酸钡基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法
TWI581472B (zh) 2012-11-02 2017-05-01 佳能股份有限公司 壓電材料、壓電元件、及電子裝置
TWI545814B (zh) 2012-11-02 2016-08-11 佳能股份有限公司 壓電式材料、壓電式元件及電子設備
US9520549B2 (en) 2012-12-28 2016-12-13 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, piezoelectric element, and electronic apparatus
EP2749550B1 (en) 2012-12-28 2017-05-17 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, piezoelectric element, and electronic apparatus
US9780295B2 (en) 2013-01-28 2017-10-03 Oregon State University Office Of Technology Transfer Lead-free piezoelectric material
JP2014172799A (ja) * 2013-03-11 2014-09-22 Ricoh Co Ltd 圧電材料、圧電材料の製造方法、圧電アクチュエータ、圧電アクチュエータの製造方法
KR101448512B1 (ko) 2013-04-29 2014-10-13 경원산업 주식회사 압전 세라믹 조성물 및 그 제조방법
JP5754660B2 (ja) 2013-06-28 2015-07-29 セイコーエプソン株式会社 圧電材料、圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、圧電モーター及び発電装置
JP2015038953A (ja) 2013-06-28 2015-02-26 セイコーエプソン株式会社 圧電材料、圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、圧電モーター及び発電装置
JP5761540B2 (ja) 2013-06-28 2015-08-12 セイコーエプソン株式会社 圧電材料、圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、圧電モーター及び発電装置
JP6381294B2 (ja) 2013-07-12 2018-08-29 キヤノン株式会社 圧電材料、圧電素子、および電子機器
EP2824094B8 (en) 2013-07-12 2018-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, piezoelectric element, and electronic apparatus
EP2824091B1 (en) 2013-07-12 2020-02-19 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, piezoelectric element, and electronic equipment
JP6362087B2 (ja) * 2013-07-12 2018-07-25 キヤノン株式会社 圧電材料、圧電素子、および電子機器
DE102013110978A1 (de) * 2013-10-02 2015-04-16 Epcos Ag Keramischer Vielschichtkondensator
JP2015084393A (ja) 2013-10-25 2015-04-30 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置
JP2015135958A (ja) 2013-12-18 2015-07-27 キヤノン株式会社 圧電材料、圧電素子、および電子機器
JP2015134707A (ja) 2013-12-18 2015-07-27 キヤノン株式会社 圧電材料、圧電素子および電子機器
KR20160096170A (ko) 2013-12-18 2016-08-12 캐논 가부시끼가이샤 압전 재료, 압전 소자 및 전자 기기
JP2015135957A (ja) 2013-12-18 2015-07-27 キヤノン株式会社 圧電素子、積層圧電素子、液体吐出装置、超音波モータ
US9136460B2 (en) 2014-01-29 2015-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric element, method for manufacturing piezoelectric element, and electronic apparatus
EP2902377B1 (en) 2014-01-29 2018-11-14 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric ceramic, method for manufacturing the same, piezoelectric element, and electronic apparatus
WO2015129507A1 (en) 2014-02-25 2015-09-03 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, piezoelectric element, and electronic apparatus
US9680085B2 (en) * 2014-03-07 2017-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Ceramic powder, piezoelectric ceramic, piezoelectric element, and electronic equipment
EP2953177B1 (en) 2014-05-30 2017-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, piezoelectric element, and electronic device
TWI601581B (zh) 2014-05-30 2017-10-11 佳能股份有限公司 壓電材料、壓電元件、壓電元件製造方法和電子設備
CN107004758A (zh) 2014-12-26 2017-08-01 精工爱普生株式会社 压电材料及其制造方法、以及压电元件和压电元件应用设备
US9698337B2 (en) 2015-01-09 2017-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric ceramic, piezoelectric element, and electronic appliance
US9614141B2 (en) 2015-01-09 2017-04-04 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric ceramic, piezoelectric element, piezoelectric device and piezoelectric ceramic manufacturing method
US10775681B2 (en) 2015-11-27 2020-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Ultrasonic motor, drive control system, optical apparatus, and vibrator
US10536097B2 (en) 2015-11-27 2020-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Ultrasonic motor, drive control system, optical apparatus, and vibrator
US10516091B2 (en) 2015-11-27 2019-12-24 Canon Kabushiki Kaisha Ultrasonic motor, drive control system, optical apparatus, and vibrator
US10696597B2 (en) 2015-12-01 2020-06-30 Stmicroelectronics S.R.L. Precursor solution and method for the preparation of a lead-free piezoelectric material
ITUB20156056A1 (it) 2015-12-01 2017-06-01 St Microelectronics Srl Soluzione precursore da precursori anidri o deidrati e metodo per la preparazione di un materiale piezoelettrico privo di piombo
ITUB20156052A1 (it) 2015-12-01 2017-06-01 St Microelectronics Srl Soluzione precursore e metodo per la preparazione di un materiale piezoelettrico privo di piombo
CN105742479B (zh) * 2016-03-03 2018-07-24 天津理工大学 具有压电增强效应的基于bzt-bct的双层铁电薄膜
CN105720188A (zh) * 2016-03-03 2016-06-29 天津理工大学 一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件
JP6753756B2 (ja) * 2016-10-06 2020-09-09 シャープ株式会社 駆動装置、及びカメラモジュール
JP2018107437A (ja) 2016-12-27 2018-07-05 キヤノン株式会社 振動子、振動波駆動装置、振動波モータおよび電子機器
US10868232B2 (en) 2017-02-14 2020-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, manufacturing method for piezoelectric material, piezoelectric element, vibration wave motor, optical equipment, and electronic device
CN106939560A (zh) * 2017-02-22 2017-07-11 西安交通大学 一种基于无铅压电陶瓷的可发电减速带
JP7191519B2 (ja) 2017-03-03 2022-12-19 キヤノン株式会社 圧電素子の製造方法、振動波モータの製造方法、光学機器の製造方法および電子機器の製造方法
US11038440B2 (en) 2017-04-26 2021-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Vibrator with low power consumption, vibration type actuator, and electronic apparatus
US11201279B2 (en) 2017-08-02 2021-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric material, piezoelectric element, vibration wave motor, optical apparatus, and electronic apparatus
US11272080B2 (en) 2018-02-06 2022-03-08 Canon Kabushiki Kaisha Vibration device for dust removal and imaging device
US11515468B2 (en) 2018-02-07 2022-11-29 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric ceramics, manufacturing method for piezoelectric ceramics, piezoelectric element, vibration device, and electronic device
US11647677B2 (en) 2018-06-08 2023-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric ceramics, piezoelectric element, and electronic apparatus
CN112397643B (zh) * 2020-11-17 2023-04-18 武汉理工大学 一种在室温附近具有高电卡效应的薄膜材料及其制备方法
IT202100009503A1 (it) 2021-04-15 2022-10-15 St Microelectronics Srl Metodo per la preparazione di un materiale piezoelettrico privo di piombo e soluzione precursore

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006722A (ja) 2002-03-27 2004-01-08 Seiko Epson Corp 圧電アクチュエータ、インクジェット式ヘッド及び吐出装置
JP2006206429A (ja) 2004-12-28 2006-08-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 圧電性固溶体組成物及びこれを焼結した圧電セラミックス並びにこの圧電セラミックスを用いた圧電・誘電素子
JP2007331956A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2008151638A (ja) 2006-12-18 2008-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd ケーブル状圧力センサ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0581251A3 (en) * 1992-07-31 1995-02-08 Taiyo Yuden Kk Ceramic materials with a high dielectric constant and capacitors made from them.
EP1352444A1 (en) * 2000-12-12 2003-10-15 Paratek Microwave, Inc. Electrically tunable notch filters
JP4652595B2 (ja) 2001-03-21 2011-03-16 京セラ株式会社 温度特性に優れた誘電体磁器
JP4446324B2 (ja) 2001-09-27 2010-04-07 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ
TWI228493B (en) * 2002-12-18 2005-03-01 Showa Denko Kk Barium titanate and electronic parts using the same
CN100335415C (zh) * 2003-02-28 2007-09-05 新加坡纳米材料科技有限公司 一种制备各种晶态钙钛矿类化合物粉体的方法
KR101158985B1 (ko) * 2004-08-13 2012-06-21 사까이가가꾸고오교가부시끼가이샤 페로브스카이트 화합물 분체의 제조 방법
US7433173B2 (en) * 2004-11-25 2008-10-07 Kyocera Corporation Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same
JP4483597B2 (ja) * 2005-01-20 2010-06-16 Ｔｄｋ株式会社 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2007331958A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006722A (ja) 2002-03-27 2004-01-08 Seiko Epson Corp 圧電アクチュエータ、インクジェット式ヘッド及び吐出装置
JP2006206429A (ja) 2004-12-28 2006-08-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 圧電性固溶体組成物及びこれを焼結した圧電セラミックス並びにこの圧電セラミックスを用いた圧電・誘電素子
JP2007331956A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2008151638A (ja) 2006-12-18 2008-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd ケーブル状圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
EP2251313B1 (en) 2014-07-30
JP5344456B2 (ja) 2013-11-20
WO2009113535A1 (ja) 2009-09-17
EP2251313A4 (en) 2012-11-21
JP2009215111A (ja) 2009-09-24
EP2251313A1 (en) 2010-11-17
KR20110016864A (ko) 2011-02-18
CN101970374B (zh) 2013-11-06
US8182713B2 (en) 2012-05-22
CN101970374A (zh) 2011-02-09
US20110037015A1 (en) 2011-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101251745B1 (ko) 비연계 압전 재료
JP5576365B2 (ja) 圧電セラミックスおよびその製造方法ならびに圧電デバイス
JP4929522B2 (ja) 圧電磁器組成物
US20110156540A1 (en) Piezoelectric ceramic, process for producing the piezoelectric ceramic, and piezoelectric device
JPWO2006117952A1 (ja) 圧電体磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品
JP5337513B2 (ja) 圧電／電歪磁器組成物
JPWO2006038389A1 (ja) 圧電体磁器組成物及び圧電セラミック電子部品
Yoo et al. High-power properties of piezoelectric hard materials sintered at low temperature for multilayer ceramic actuators
Wang et al. High piezoelectricity and low strain hysteresis in PMN-PT-based piezoelectric ceramics.
KR101310450B1 (ko) 기계적 품질계수가 우수한 무연 압전 세라믹 조성물
JP5698669B2 (ja) 高電力応用のためのｎｂｔ系無鉛圧電材料
JP2011029537A (ja) 積層型電子部品およびその製法
Jiansirisomboon et al. Electrical and mechanical properties of ferroelectric lead zirconate titanate/tungsten oxide ceramics
JP2011230962A (ja) 圧電磁器組成物
Ullah et al. Investigation of Dielectric, Ferroelectric, and Strain Responses of (1–x)[0.90 (Bi0. 5Na0. 5) TiO3–0.10 SrTiO3]–x CuO Ceramics
JP2008254961A (ja) 圧電組成物
JP2010076958A (ja) 圧電セラミックス、及びその製造方法
Kim et al. Effects of Zn/Ni ratio and doping material on piezoelectric characteristics of Pb ((Zn, Ni) 1/3Nb2/3) O3–Pb (Zr, Ti) O3 ceramics
JP5894222B2 (ja) 積層型電子部品およびその製法
WO2023026614A1 (ja) 無鉛圧電磁気組成物、および圧電素子
WO2024070849A1 (ja) 無鉛圧電組成物、及び圧電素子
Rowe et al. Synthesis and Characterization of a New Ferroelectric with Low Lead Content, a High Curie Temperature, and a High Piezoelectric Response
Kim et al. Enhanced soft piezoelectric properties of Sb2O3 doped 0.5 Ba (Zr0. 2Ti0. 8) O3-0.5 (Ba0. 7Ca0. 3) TiO3 materials
Wang et al. Structure and Properties of V2O5-doping KNN-LS-BF Piezoelectric Ceramics Sintered for Various Time
JP5935187B2 (ja) 圧電セラミックスおよびこれを用いた圧電アクチュエータ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee