JP2015084393A - 圧電素子、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 - Google Patents
圧電素子、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015084393A JP2015084393A JP2013222790A JP2013222790A JP2015084393A JP 2015084393 A JP2015084393 A JP 2015084393A JP 2013222790 A JP2013222790 A JP 2013222790A JP 2013222790 A JP2013222790 A JP 2013222790A JP 2015084393 A JP2015084393 A JP 2015084393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- piezoelectric element
- temperature
- electrode
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMSVUYQRWYTTLI-UHFFFAOYSA-L 2-ethylhexanoate;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O SMSVUYQRWYTTLI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NJLQUTOLTXWLBV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexanoic acid titanium Chemical compound [Ti].CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O NJLQUTOLTXWLBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 TiO 3 Chemical class 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJFFDDQGMMQGTQ-UHFFFAOYSA-L barium(2+);2-ethylhexanoate Chemical compound [Ba+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O VJFFDDQGMMQGTQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- NUMHJBONQMZPBW-UHFFFAOYSA-K bis(2-ethylhexanoyloxy)bismuthanyl 2-ethylhexanoate Chemical compound [Bi+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O NUMHJBONQMZPBW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/852—Composite materials, e.g. having 1-3 or 2-2 type connectivity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
- B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
- B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
- B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
- B41J2/04581—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits controlling heads based on piezoelectric elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
- H10N30/078—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition by sol-gel deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8536—Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8561—Bismuth-based oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/58—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/68—Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
【課題】圧電特性の温度依存性を改善することができる圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】単独組成では菱面体晶となりペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第1成分と、単独組成では菱面体晶以外の結晶となりペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第2成分とを含有する圧電材料からなる圧電体層と、圧電体層に設けられた電極とを具備し、最低使用温度T1から最高使用温度T2の間で使用される圧電素子であって、圧電材料が、温度軸に対して傾斜している組成相境界を有し、組成相境界に対応する温度が最低でT3、最高でT4であるとき、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の式の少なくとも一方を満たす。
【選択図】図1
【解決手段】単独組成では菱面体晶となりペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第1成分と、単独組成では菱面体晶以外の結晶となりペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第2成分とを含有する圧電材料からなる圧電体層と、圧電体層に設けられた電極とを具備し、最低使用温度T1から最高使用温度T2の間で使用される圧電素子であって、圧電材料が、温度軸に対して傾斜している組成相境界を有し、組成相境界に対応する温度が最低でT3、最高でT4であるとき、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の式の少なくとも一方を満たす。
【選択図】図1
Description
本発明は、アクチュエーター、超音波発振機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧力センサー、IRセンサー等の焦電素子等他の装置に搭載される圧電素子などに用いられる圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関する。
従来、アクチュエーター、超音波発振機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧力センサー、IRセンサー等の焦電素子等他の装置に搭載される圧電素子などを構成する圧電体層(圧電セラミックス)として用いられる圧電材料には高い圧電特性が求められており、代表例として、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が挙げられる。
しかしながら、環境問題の観点から、鉛の含有量を抑えた圧電材料が求められている。このような非鉛系圧電材料としては、KxNa(1−x)NbO3、(Ba,Na)TiO3などアルカリ金属を含む圧電材料、BiFeO3−BaTiO3などの圧電材料がある。
このような圧電材料としては、組成相境界(MPB:Morphotoropic Phase Boundary)付近の組成を使用することにより、大きな圧電特性が得られることが知られている。しかしながら、横軸に組成を縦軸に温度を採った相図において、PZTはMPBラインが温度軸に対してほぼ平行に位置する、または組成軸に対して垂直に位置しているが、非鉛系圧電材料では、一般的には、そのMPBが温度軸に対して傾斜している(例えば、特許文献1の図1など参照)。このようにMBPラインが傾斜している場合、要求特性に応じて特定の温度例えば室温でMPB上に位置する組成を選んでも、使用環境温度が変化すれば組成−温度状態図上でMPBから離れることから、使用環境温度の変化や使用中の発熱等に起因して素子の圧電特性、誘電特性が低下する温度領域が存在するという問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑み、圧電特性の温度依存性を改善することができる圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の態様は、圧電材料からなる圧電体層と、該圧電体層に設けられた電極とを具備し、最低使用温度T1から最高使用温度T2の間で使用される圧電素子であって、前記圧電材料が、温度軸に対して傾斜している組成相境界を有し、当該組成相境界に対応する温度が最低でT3、最高でT4であるとき、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の式の少なくとも一方を満たすものであることを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様では、使用温度範囲で圧電特性の温度依存性が低減し、使用温度範囲で優れた圧電特性を示す。
かかる態様では、使用温度範囲で圧電特性の温度依存性が低減し、使用温度範囲で優れた圧電特性を示す。
ここで、前記圧電材料が、少なくとも2種のペロブスカイト型構造を有する複合酸化物を混合したものであり、前記圧電体層が、混合比率の異なる複数の圧電材料を積層又は面内方向で分布させたものであることが好ましい。これによれば、混合比率の異なる複数の圧電材料を積層又は面内方向で分布させることにより、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の式の少なくとも一方を満たすものとすることができる。
また、前記圧電材料が、少なくとも2種ペロブスカイト型構造を有する複合酸化物を混合したものであり、前記圧電体層が、少なくとも2種以上の複合酸化物のうち少なくとも1種が異なる複数の圧電材料を積層又は面内方向で分布させたものであることが好ましい。これによれば、少なくとも2種以上の成分のうち少なくとも1種が異なる複数の圧電材料を積層又は面内方向で分布させることにより、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の式の少なくとも一方を満たすものとすることができる。
また、前記圧電材料における前記ペブスカイト型構造をABO3で表記した場合に、AサイトにPb,Ba,Sr,Ca,Li,K,Na,Biのうち少なくとも1種を含み、Bサイトが、Zr,Ti,Nb,Ta,Fe,Mn,Coのうち少なくとも1種を含むことが好ましい。これによれば、より確実に、使用温度範囲で圧電特性の温度依存性が低減し、使用温度範囲で優れた圧電特性を示すこととなる。
また、前記複合酸化物は、KNbO3−NaNbO3、KNb3−KTaO3、PbZrO3−PbTi3、(Bi1/2K1/2)TiO3−(Bi1/2Na1/2)TiO3、(Bi1/2K1/2)TiO3−BaTiO3、(Bi1/2Na1/2)TiO3−BaTiO3、BiFeO3−BiCoO3のいずれかの組合せを含むことが好ましい。これによれば、より確実に、使用温度範囲で圧電特性の温度依存性が低減し、使用温度範囲で優れた圧電特性を示すこととなる。
また、前記圧電素子が、(K、Na)NbO3とLi(Nb、Ta)O3との混晶からなることが好ましい。これによれば、より確実に、使用温度範囲で圧電特性の温度依存性が低減し、使用温度範囲で優れた圧電特性を示すこととなる。
本発明の他の態様は、前記圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、液体噴射特性の温度依存性が低減したヘッドが実現できる。
かかる態様では、液体噴射特性の温度依存性が低減したヘッドが実現できる。
また、本発明の他の態様は、前記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、液体噴射特性の温度依存性が低減した装置が実現できる。
かかる態様では、液体噴射特性の温度依存性が低減した装置が実現できる。
以下、本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の圧電素子の圧電体層を構成する圧電材料は以下の通りである。
本発明の圧電素子の圧電体層を構成する圧電材料は以下の通りである。
(圧電材料)
本発明で用いる圧電材料は、温度軸に対して傾斜している組成相境界を有するものである。すなわち、ペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる少なくとも2種の成分を混合したものである。
本発明で用いる圧電材料は、温度軸に対して傾斜している組成相境界を有するものである。すなわち、ペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる少なくとも2種の成分を混合したものである。
例えば、単独組成では菱面体晶となりペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第1成分と、単独組成では菱面体晶以外の結晶となりペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる第2成分とを含有する圧電材料の、横軸に前記第1成分の前記第1成分と前記第2成分との和に対する組成比(第1成分/(第1成分+第2成分))を、縦軸に温度を採った相図におけるMPBラインは温度軸に対して傾斜する。この図1の場合、組成相境界に対応する温度の最低温度T3は組成比が約0.1の場合であり、最高温度T4は組成比が0.53の場合である。
本発明では、圧電素子の最低使用温度がT1、最高使用温度がT2の場合、すなわち、最低使用温度T1と最高使用温度T2との間の温度で使用される場合、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の式の少なくとも一方を満たすものである。
このような関係を満たす圧電体層を形成するためには、上述したような2種の成分を所定の比率で混合した単一組成での実現は難しく、詳細は実施例に示すように、混合比率を変化させた複数の組成の圧電材料を用いて、異なる組成の圧電体膜を積層したり、又は面内方向で異なる組成を分布させて、全体として上述した関係を満たす圧電体層とするのが好ましい。また、異なる比率の複数の組成を用いる代わりに、異なる材料系を組み合わせてもよい。
本発明では、圧電素子が最低使用温度T1と最高使用温度T2との間の温度で使用される場合、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の式の少なくとも一方を満たすことにより、使用温度範囲での圧電特性の温度依存性が向上する。これは、使用温度範囲の境界であるT1あるいはT2において圧電特性が極端に低下するのを、相境界温度が極端に低い成分あるいは極端に高い成分が補償してくれるからである。
また、少なくともT3≦T1≦T4の関係を満たすのが好ましいケースが多い。これは、Curie温度より十分に低い温度に相境界温度を有する場合、一般的に相境界温度の低温側の方が高温側よりも圧電特性の低下が激しいからである。
また、T3≦T1≦T4及びT3≦T2≦T4の両方の関係を満たすのが好ましい。これは、使用温度範囲の双方の境界(T1,T2)における圧電特性の低下を両方とも補償してくれるからである。
以上の点を、圧電素子、液体噴射ヘッドの構造の一例を示しながら、具体的に説明する。
(圧電素子、液体噴射ヘッド)
図2は、本発明の一実施形態に係る圧電素子を具備する液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図3は、図2の平面図であり、図4は図3のA−A′線断面図である。図2〜図4に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。
図2は、本発明の一実施形態に係る圧電素子を具備する液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図3は、図2の平面図であり、図4は図3のA−A′線断面図である。図2〜図4に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。
流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。
また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。なお、弾性膜50と密着層56との間に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が形成されていてもよい。
さらに、この密着層56上には、第1電極60と、厚さが2μm以下、好ましくは0.3〜1.5μmの薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
本発明で用いる圧電材料はペブスカイト型構造を有し、ABO3で表記した場合に、AサイトにPb,Ba,Sr,Ca,Li,K,Na,Biのうち少なくとも1種を含み、Bサイトが、Zr,Ti,Nb,Ta,Fe,Mn,Coのうち少なくとも1種を含むことが好ましい。また、圧電層を構成する複合酸化物は、KNbO3−NaNbO3、KNb3−KTaO3、PbZrO3−PbTi3、(Bi1/2K1/2)TiO3−(Bi1/2Na1/2)TiO3、(Bi1/2K1/2)TiO3−BaTiO3、(Bi1/2Na1/2)TiO3−BaTiO3、BiFeO3−BiCoO3のいずれかの組合せを含むことが好ましい。
本実施形態においては、圧電体層70は、上述した本発明の圧電材料からなる。かかる圧電材料を用いると、使用環境温度で優れた変位特性を示す圧電素子が実現できる。
このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、密着層56上にまで延設される、例えば、金(Au)等からなるリード電極90が接続されている。
このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、密着層56及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材(例えば、弾性膜50、密着層56等)にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。
また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。
また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路(IC)等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。
また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの圧電素子の製造方法の一例について説明する。
まず、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハーの表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン(SiO2)等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、弾性膜50(二酸化シリコン膜)上に、酸化チタン等からなる密着層56を、反応性スパッタ法や熱酸化等で形成する。
次に、密着層56上に第1電極60を形成する。具体的には、密着層56上に白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第1電極60を形成する。なお、密着層56及び第1電極60は、例えば、スパッタリング法や蒸着法により形成することができる。
次いで、第1電極60上に、圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、有機金属化合物を溶媒に溶解・分散した溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、MOD(Metal−Organic Decomposition)法やゾル−ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層70を形成できる。圧電体層70は、その他、レーザアブレーション法、スパッタリング法、パルス・レーザー・デポジション法(PLD法)、CVD法、エアロゾル・デポジション法などでもよい。
圧電体層70を例えば、化学塗布法で形成する場合、出発原料として、所望の元素を含む2−エチルへキサン酸塩、酢酸塩等を用いる。例えば、2−エチルヘキサン酸ビスマス、2−エチルヘキサン酸バリウム、2−エチルヘキサン酸鉄、2−エチルヘキサン酸チタンなどである。それぞれのn−オクタン溶液を混合し、化学量論比と一致するように金属元素のモル比を調整して、前駆体溶液を作成する。次いで、前記前駆体溶液を、先に作製した下部電極上に滴下し、500rpmで6秒間回転後、3000rpmで基板を20秒回転させてスピンコート法により圧電体膜を形成する。次に、ホットプレート上に基板を載せ、180℃で2分間乾燥する。次いで、ホットプレート上に基板を載せ、350℃で2分間脱脂を行う。この溶液塗布〜脱脂工程を2回繰り返した後に、酸素雰囲気中で、RTA装置で、750℃で5分間焼成を行う。次いで、上記の工程を5回繰り返し、計10回の塗布により圧電体層70を形成することができる。
このように圧電体層70を形成した後は、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80からなる圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト(図示なし)を介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、600℃〜800℃の温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を改善することができる。
次に、流路形成基板用ウェハーの全面に亘って、例えば、金(Au)等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターンを介して各圧電素子300毎にパターニングする。
次に、流路形成基板用ウェハーの圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハーを接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハーを所定の厚さに薄くする。
次に、流路形成基板用ウェハー上に、マスク膜を新たに形成し、所定形状にパターニングする。
そして、流路形成基板用ウェハーを、マスク膜を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング(ウェットエッチング)することにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。
その後は、流路形成基板用ウェハー及び保護基板用ウェハーの外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハーの保護基板用ウェハーとは反対側の面のマスク膜を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハーにコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー等を図2に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。
また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図5は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
図5に示すように、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4には搬送手段としての搬送ローラー8が設けられており、紙等の記録媒体である記録シートSが搬送ローラー8により搬送されるようになっている。なお、記録シートSを搬送する搬送手段は、搬送ローラーに限定されずベルトやドラム等であってもよい。
図5に示す例では、インクジェット式記録ヘッドユニット1A、1Bは、それぞれ1つのインクジェット式記録ヘッドIを有するものとしたが、特にこれに限定されず、例えば、1つのインクジェット式記録ヘッドユニット1A又は1Bが2以上のインクジェット式記録ヘッドを有するようにしてもよい。
(実施例1−18)
圧電材料として、(K、Na)NbO3と、Li(Nb、Ta)O3との混晶として表される圧電材料(K0.47Na0.47Li0.04)(Nb1−xTax)O3を用いた。この材料は正方晶−斜方晶相境界が存在し、横軸に組成を縦軸に温度を採った相図において、組成相境界(MPB)は、温度軸に対して傾斜し、MPB温度はxにより変化し、各x組成における圧電定数の温度依存性は図6のようになる。
圧電材料として、(K、Na)NbO3と、Li(Nb、Ta)O3との混晶として表される圧電材料(K0.47Na0.47Li0.04)(Nb1−xTax)O3を用いた。この材料は正方晶−斜方晶相境界が存在し、横軸に組成を縦軸に温度を採った相図において、組成相境界(MPB)は、温度軸に対して傾斜し、MPB温度はxにより変化し、各x組成における圧電定数の温度依存性は図6のようになる。
本材料系を温度範囲−40℃(最低使用温度T1)〜125℃(最高使用温度T2)で用いるために、x=0.15、0.2、0.25、0.3、0.4の各組成の材料を、表1の厚さの比率で積層して、実施例1〜18の圧電体層を形成した。
実施例1−18において、各組成の厚みの比が表1の比率になるように積層させたものであれば、各組成の層を1つの層としても、複数の層に分割して他の組成を介して分離させて積層しても、それらの厚みの和が表1の比率になるものであれば、圧電特性の温度依存性については同等である。
また、比較例1として単一の組成のうち最も温度バラツキが小さいものを、比較例2として単一の組成のうち最も圧電特性が大きいものを、圧電素子にした。
各実施例1−18のMPBラインの最低温度T3及び最高温度T4、並びに圧電定数d31の使用温度範囲内の最高値及び最低値並びに変化の範囲を表1に、圧電定数d31の温度依存性を図7、図8に示す。
表1に示すように、実施例1−18の圧電素子は、T3≦T1≦T4の関係は満たすが、T3≦T2≦T4の関係は満たさないものであり、比較例1,2は、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の両方の関係を満たさないものである。
図7、図8に示すとおり、各実施例における使用温度範囲−40℃〜125℃での圧電特性は、比較例1より大きなものとなり、また、比較例2より温度バラツキが小さくなっており、本発明の効果が証明された。
(実施例19−26)
実施例19−26として、実施例1〜18で用いた各組成の圧電材料を、圧電体層の面内において表2に示す比率で存在するようにして圧電素子を形成した。この場合、各組成の成分は、1つのまとまりであっても、また、一つの組成が複数のまとまりに分離させてそれらの面積の和が表2の比率になるようにしてもよく、何れにおいても、圧電特性の温度依存性の面では同等である。
実施例19−26として、実施例1〜18で用いた各組成の圧電材料を、圧電体層の面内において表2に示す比率で存在するようにして圧電素子を形成した。この場合、各組成の成分は、1つのまとまりであっても、また、一つの組成が複数のまとまりに分離させてそれらの面積の和が表2の比率になるようにしてもよく、何れにおいても、圧電特性の温度依存性の面では同等である。
また、比較例1として単一の組成のうち最も温度バラツキが小さいものを、比較例2として単一の組成のうち最も圧電特性が大きいものを、圧電素子にした。
各実施例19−26のMPBラインの最低温度T3及び最高温度T4、並びに圧電定数d31の使用温度範囲内の最高値及び最低値並びに変化の範囲を表2に、圧電定数d31の温度依存性を図9に示す。
表2に示すように、実施例19−26の圧電素子は、T3≦T1≦T4の関係は満たすが、T3≦T2≦T4の関係は満たさないものであり、比較例1,2は、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の両方の関係を満たさないものである。
図9に示すとおり、各実施例における使用温度範囲−40℃〜125℃での圧電特性は、比較例1より大きなものとなり、また、比較例2より温度バラツキが小さくなっており、本発明の効果が証明された。
(実施例27−29)
MPBにおける圧電特性の最大値が同じであり、MPBに応じて圧電特性が水平にシフトする、一連の圧電材料系を想定して、各組成(MPB温度)における圧電特性の温度依存性を図11に示した。図10では、組成1−9をそれぞれのMPB温度で示した。
MPBにおける圧電特性の最大値が同じであり、MPBに応じて圧電特性が水平にシフトする、一連の圧電材料系を想定して、各組成(MPB温度)における圧電特性の温度依存性を図11に示した。図10では、組成1−9をそれぞれのMPB温度で示した。
本材料系を使用温度範囲−40℃〜125℃で用いるために、各組成を表3に示す割合として、圧電体層を形成した。
実施例27−29として、各組成の厚みを、表3の比率になるように積層させて圧電素子を形成した。この際、各組成の層は、1つの層であっても、また複数の層に分離させてそれらの厚みの和が表3の比率になるようにしてもよい。
また、比較例3として単一の組成のうち最も圧電特性が大きいものを、圧電素子にした。
各実施例27−29のMPBラインの最低温度T3及び最高温度T4、並びに圧電定数d31の使用温度範囲内の最高値及び最低値並びに変化の範囲を表3に、圧電定数d31の温度依存性を図11に示す。
表3に示すように、実施例27、28の圧電素子は、T3≦T1≦T4の関係も、T3≦T2≦T4の関係も満たすものであり、実施例29は、T3≦T1≦T4の関係は満たさないが、T3≦T2≦T4の関係は満たすものである。なお、比較例3は、T3≦T1≦T4の関係も、T3≦T2≦T4の関係も満たさないものである。
図11に示すとおり、各実施例における使用温度範囲−40℃〜125℃での圧電特性は、比較例3よりも圧電定数の最小値が大きくなり、温度バラツキが小さくなっており、本発明の効果が証明された。
(実施例30−32)
実施例27−29と同様な材料系を使用温度範囲−40℃〜125℃で用いるために、各組成を表4に示す割合として、圧電体層を形成した。
実施例27−29と同様な材料系を使用温度範囲−40℃〜125℃で用いるために、各組成を表4に示す割合として、圧電体層を形成した。
実施例30−32として、各組成が、圧電体層の面内にて、表4の比率になるようにして圧電素子を形成した。この際、各組成の成分は、1つのまとまりであっても、また複数のまとまりに分離させてそれらの面積の和が表4の比率になるようにしてもよい。
また、比較例3として単一の組成のうち最も圧電特性が大きいものを、圧電素子にした。
各実施例30−32のMPBラインの最低温度T3及び最高温度T4、並びに圧電定数d31の使用温度範囲内の最高値及び最低値並びに変化の範囲を表4に、圧電定数d31の温度依存性を図12に示す。
表4に示すように、実施例30、31の圧電素子は、T3≦T1≦T4の関係も、T3≦T2≦T4の関係も満たすものであり、実施例32は、T3≦T1≦T4の関係は満たさないが、T3≦T2≦T4の関係は満たすものである。なお、比較例3は、T3≦T1≦T4の関係も、T3≦T2≦T4の関係も満たさないものである。
図12に示すとおり、各実施例における使用温度範囲−40℃〜125℃での圧電特性は、比較例3よりも圧電定数の最小値が大きくなり、温度バラツキが小さくなっており、本発明の効果が証明された。
(他の実施形態)
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。
さらに、上述した実施形態では、基板(流路形成基板10)上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。
なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED(電界放出ディスプレイ)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
本発明の圧電素子は、良好な絶縁性及び圧電特性を示すため、上述したように、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドの圧電素子に適用することができるものであるが、これに限定されるものではない。例えば、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧電トランス、並びに赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー及び焦電センサー等の各種センサー等の圧電素子に適用することができる。また、本発明は、強誘電体メモリー等の強誘電体素子にも同様に適用することができる。
I インクジェット式記録ヘッド(液体噴射ヘッド)、 10 流路形成基板、 12 圧力発生室、 13 連通部、 14 インク供給路、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30 保護基板、 31 マニホールド部、 32 圧電素子保持部、 40 コンプライアンス基板、 50 弾性膜、 60 第1電極、 70 圧電体層、 80 第2電極、 90 リード電極、 100 マニホールド、 120 駆動回路、 300 圧電素子
Claims (8)
- 圧電材料からなる圧電体層と、該圧電体層に設けられた電極とを具備し、最低使用温度T1から最高使用温度T2の間で使用される圧電素子であって、前記圧電材料が、温度軸に対して傾斜している組成相境界を有し、当該組成相境界に対応する温度が最低でT3、最高でT4であるとき、T3≦T1≦T4、及びT3≦T2≦T4の式の少なくとも一方を満たすものであることを特徴とする圧電素子。
- 前記圧電材料が、少なくとも2種のペロブスカイト型構造を有する複合酸化物を混合したものであり、前記圧電体層が、混合比率の異なる複数の圧電材料を積層又は面内方向で分布させたものであることを特徴とする請求項1記載の圧電素子。
- 前記圧電材料が、少なくとも2種のペロブスカイト型構造を有する複合酸化物を混合したものであり、前記圧電体層が、少なくとも2種以上の複合酸化物のうち少なくとも1種が異なる複数の圧電材料を積層又は面内方向で分布させたものであることを特徴とする請求項1記載の圧電素子。
- 前記圧電材料における前記ペブスカイト型構造をABO3で表記した場合に、AサイトにPb,Ba,Sr,Ca,Li,K,Na,Biのうち少なくとも1種を含み、
Bサイトが、Zr,Ti,Nb,Ta,Fe,Mn,Coのうち少なくとも1種を含む、請求項1〜3の何れか一項に記載の圧電素子。 - 前記複合酸化物は、KNbO3−NaNbO3、KNb3−KTaO3、PbZrO3−PbTi3、(Bi1/2K1/2)TiO3−(Bi1/2Na1/2)TiO3、(Bi1/2K1/2)TiO3−BaTiO3、(Bi1/2Na1/2)TiO3−BaTiO3、BiFeO3−BiCoO3のいずれかの組合せを含む、請求項1〜4の何れか一項に記載の圧電素子。
- 前記圧電素子が、(K、Na)NbO3とLi(Nb、Ta)O3との混晶からなる、請求項1〜4の何れか一項に記載の圧電素子。
- 請求項1〜6の何れか一項に記載する圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
- 請求項7に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013222790A JP2015084393A (ja) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | 圧電素子、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 |
CN201410573460.3A CN104576916A (zh) | 2013-10-25 | 2014-10-23 | 压电元件、液体喷射头、液体喷射装置、致动器以及电机 |
EP20140190150 EP2866272A1 (en) | 2013-10-25 | 2014-10-23 | Piezoelectric element, liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, actuator, sensor, and motor |
US14/522,268 US20150116428A1 (en) | 2013-10-25 | 2014-10-23 | Piezoelectric element, liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, actuator, sensor, and motor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013222790A JP2015084393A (ja) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | 圧電素子、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015084393A true JP2015084393A (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=51753150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013222790A Pending JP2015084393A (ja) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | 圧電素子、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150116428A1 (ja) |
EP (1) | EP2866272A1 (ja) |
JP (1) | JP2015084393A (ja) |
CN (1) | CN104576916A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107004758A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-08-01 | 精工爱普生株式会社 | 压电材料及其制造方法、以及压电元件和压电元件应用设备 |
US10868232B2 (en) * | 2017-02-14 | 2020-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric material, manufacturing method for piezoelectric material, piezoelectric element, vibration wave motor, optical equipment, and electronic device |
GB2564634B (en) | 2017-05-12 | 2021-08-25 | Xaar Technology Ltd | A piezoelectric solid solution ceramic material |
CN115286386B (zh) * | 2022-08-27 | 2023-07-18 | 四川大学 | 一种非化学计量Nb5+的铌钽锆铁酸钾钠铋陶瓷及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW560094B (en) * | 2001-06-15 | 2003-11-01 | Tdk Corp | Piezoelectric ceramic and method of manufacturing |
JP2003023187A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Murata Mfg Co Ltd | 高耐熱圧電素子およびそれを用いた圧電装置 |
JP2003277143A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Noritake Co Ltd | 圧電セラミックス |
CN101038950B (zh) * | 2006-03-17 | 2010-06-23 | 日本碍子株式会社 | 压电陶瓷及其制造方法 |
EP1986245B1 (en) * | 2007-04-26 | 2015-08-26 | FUJIFILM Corporation | Piezoelectric body, piezoelectrc device, and liquid discharge apparatus |
JP4266036B2 (ja) * | 2007-04-26 | 2009-05-20 | 富士フイルム株式会社 | 圧電体、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP5344456B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2013-11-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 非鉛系圧電材料 |
JP5761540B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2015-08-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、圧電モーター及び発電装置 |
-
2013
- 2013-10-25 JP JP2013222790A patent/JP2015084393A/ja active Pending
-
2014
- 2014-10-23 US US14/522,268 patent/US20150116428A1/en not_active Abandoned
- 2014-10-23 EP EP20140190150 patent/EP2866272A1/en not_active Withdrawn
- 2014-10-23 CN CN201410573460.3A patent/CN104576916A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150116428A1 (en) | 2015-04-30 |
EP2866272A1 (en) | 2015-04-29 |
CN104576916A (zh) | 2015-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5761540B2 (ja) | 圧電材料、圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、圧電モーター及び発電装置 | |
EP2819194A1 (en) | Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, ultrasonic sensor, piezoelectric motor, and power generator | |
EP2819195A2 (en) | Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, ultrasonic sensor, piezoelectric motor, and power generator | |
JP5668473B2 (ja) | 圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、並びに赤外線センサー | |
JP2011211143A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP2015084393A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置 | |
JP5915850B2 (ja) | 圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置の製造方法、超音波デバイスの製造方法及びセンサーの製造方法 | |
WO2016103514A1 (ja) | 圧電材料及びその製造方法、並びに圧電素子及び圧電素子応用デバイス | |
JP5773129B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びirセンサー | |
WO2016103513A1 (ja) | 圧電材料及びその製造方法、並びに圧電素子及び圧電素子応用デバイス | |
JP2012169467A (ja) | 圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5740951B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、赤外線センサー及び超音波センサー | |
JP6146599B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー | |
JP2013131572A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 | |
JP6015892B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー | |
JP5790922B2 (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー | |
JP5958718B2 (ja) | 圧電材料の製造方法 | |
JP5773127B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びirセンサー | |
WO2016103515A1 (ja) | 圧電材料の製造方法、並びにこれにより製造された圧電材料を用いた圧電素子、及び圧電素子応用デバイス | |
JP5880821B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子 | |
JP5892308B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP2014194992A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP2015061048A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 | |
JP5765525B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びirセンサー | |
JP2013055276A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150422 |