JP4266036B2 - 圧電体、圧電素子、及び液体吐出装置 - Google Patents
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Description
Emin<E4<Emax・・・(1)、
Emin<E4≦E5<Emax・・・(2)
(式中、電界強度E4は、第1の強誘電体結晶から第2の強誘電体結晶への相転移が開始する最小の電界強度である。電界強度E5は、第1の強誘電体結晶から第2の強誘電体結晶への相転移が略完全に終了する電界強度である。)
本発明の圧電体は、最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(1)を充足する条件で駆動されることが好ましく、下記式(2)を充足する条件で駆動されることがより好ましく、下記式(3)を充足する条件で駆動されることが特に好ましい。
Emin<E1<Emax・・・(1)、
Emin<E1<E2<Emax・・・(2)、
Emin<E1<E2≦E3<Emax・・・(3)
前記強誘電体相は、自発分極軸方向とは異なる方向に結晶配向性を有することが好ましい。前記強誘電体相は、電界無印加時から電界印加強度を増加させたときの最後の相転移後の自発分極軸方向に略等しい方向に結晶配向性を有することが特に好ましい。
配向率Fは、下記式で表される。
F(%)=(P−P0)/(1−P0)×100・・・(i)
式(i)中、Pは、配向面からの反射強度の合計と全反射強度の合計の比である。(001)配向の場合、Pは、(00l)面からの反射強度I(00l)の合計ΣI(00l)と、各結晶面(hkl)からの反射強度I(hkl)の合計ΣI(hkl)との比({ΣI(00l)/ΣI(hkl)})である。例えば、ペロブスカイト結晶において(001)配向の場合、P=I(001)/[I(001)+I(100)+I(101)+I(110)+I(111)]である。
P0は、完全にランダムな配向をしている試料のPである。
完全にランダムな配向をしている場合(P=P0)にはF=0%であり、完全に配向をしている場合(P=1)にはF=100%である。
正方晶系:<001>、斜方晶系:<110>、菱面体晶系:<111>。
本明細書において、強誘電体相が自発分極軸<abc>方向に略等しい方向に結晶配向性を有するとは、(abc)配向の配向率Fが80%以上と定義する。
本発明の圧電体は、電界無印加状態において、結晶系の異なる複数の強誘電体相を含むことが好ましい。
本発明の圧電体は、電界無印加時から電界印加強度を増加させたときに、相転移が起こらない強誘電体相、及び/又は他の結晶系の強誘電体相への相転移が1回のみ起こる強誘電体相を含むことが好ましい。
本発明の圧電体の好適な態様としては、電界無印加状態において、(001)配向の正方晶相T(c)、(100)配向の菱面体晶相R、及び(100)配向の正方晶相T(a)を含むものが挙げられる。
一般式ABO3
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pb,Ba,La,Sr,Bi,Li,Na,Ca,Cd,Mg,K,及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素、
Aサイト元素の総モル数及びBサイト元素の総モル数の、酸素原子のモル数に対する比は、それぞれ1:3が標準であるが、ペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1:3からずれてもよい。)
本発明の圧電体の好適な組成としては例えば、Nbドープチタン酸ジルコン酸鉛を含むものが挙げられる。
本発明の圧電素子の駆動方法は、圧電体と、該圧電体に対して所定方向に電界を印加する電極とを備えた圧電素子の駆動方法において、
前記圧電体は、電界無印加時から電界印加強度を増加させたときに、他の結晶系の強誘電体相への相転移が2回起こる特性を有する強誘電体相を含むものであり、
前記強誘電体相の1回目の相転移が開始する電界強度をE1としたとき、
最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(1)を充足する条件で、駆動することを特徴とするものである。
本発明の圧電素子の駆動方法において、前記強誘電体相の2回目の相転移が開始する電界強度をE2としたとき、
最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(2)を充足する条件で駆動することが好ましく、下記式(3)を充足する条件で駆動することがより好ましい。
Emin<E1<Emax・・・(1)、
Emin<E1<E2<Emax・・・(2)、
Emin<E1<E2≦E3<Emax・・・(3)
本発明の圧電装置は、
圧電体と、該圧電体に対して所定方向に電界を印加する電極とを備えた圧電素子と、
該圧電素子の駆動を制御する制御手段とを備えた圧電装置において、
前記圧電体は、電界無印加時から電界印加強度を増加させたときに、他の結晶系の強誘電体相への相転移が2回起こる特性を有する強誘電体相を含むものであり、
前記強誘電体相の1回目の相転移が開始する電界強度をE1としたとき、
前記制御手段は、最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(1)を充足する条件で、前記圧電素子を駆動するものであることを特徴とするものである。
前記制御手段は、下記式(2)を充足する条件で前記圧電素子を駆動するものであることが好ましく、下記式(3)を充足する条件で前記圧電素子を駆動するものであることがより好ましい。
Emin<E1<Emax・・・(1)、
Emin<E1<E2<Emax・・・(2)、
Emin<E1<E2≦E3<Emax・・・(3)
本発明の液体吐出装置は、上記の本発明の圧電装置と、液体が貯留される液体貯留室及び該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口を有する液体貯留吐出部材とを備えたことを特徴とするものである。
図面を参照して、本発明に係る実施形態の圧電体、これを備えた圧電素子及びインクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)の構造について説明する。図1はインクジェット式記録ヘッドの要部断面図(圧電素子の厚み方向の断面図)である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
インクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)3は、概略、圧電アクチュエータ2の裏面に、インクが貯留されるインク室(液体貯留室)21及びインク室21から外部にインクが吐出されるインク吐出口(液体吐出口)22を有するインクノズル(液体貯留吐出部材)20が取り付けられたものである。
インクジェット式記録ヘッド3では、圧電素子1に印加する電界強度を増減させて圧電素子1を伸縮させ、これによってインク室21からのインクの吐出や吐出量の制御が行われる。
Emin<E1<Emax・・・(1)、
Emin<E1<E2<Emax・・・(2)、
Emin<E1<E2≦E3<Emax・・・(3)
相転移前の強誘電体相が電界無印加時から電界印加強度を増加させたときの最後の相転移後の自発分極軸方向に略等しい方向に結晶配向性を有する構成では、相転移が最も効率よく進行する。そのため、1回目及び2回目の相転移がより低電界で開始する。また、電界印加強度E3以上(最後の相転移が略完全に終了する電界強度以上)の電界を印加しても、本来相転移可能な強誘電体相が一部相転移せずに残る場合もあるが、相転移が効率よく進行することで、電界印加強度E3以上の電界を印加した際に、本来相転移可能でありながら相転移せずに残る強誘電体相の割合を少なくすることができる。この結果として、電界印加強度E=E1〜E2、及びE=E2〜E3の範囲内において、電界印加方向を相転移前の強誘電体相の自発分極軸方向に合わせるよりも大きな歪変位が安定的に得られる。
最後の相転移後は、電界印加方向と自発分極軸とが略一致することになるので、電界印加強度E≧E3(最後の相転移が略完全に終了する電界強度以上)において、最後の相転移後の強誘電体相の通常の電界誘起歪が効果的に発現し、電界印加方向を相転移前の強誘電体相の自発分極軸方向に合わせるよりも大きな歪変位が安定的に得られる。
以上の効果は、少なくとも相転移前の強誘電体相の自発分極軸方向が電界印加方向とは異なる方向であれば得られ、電界印加方向が最後の相転移後の強誘電体相の自発分極軸方向に近い程、顕著に発現する。
一般式ABO3
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pb,Ba,La,Sr,Bi,Li,Na,Ca,Cd,Mg,K,及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素、
Aサイト元素の総モル数及びBサイト元素の総モル数の、酸素原子のモル数に対する比は、それぞれ1:3が標準であるが、ペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1:3からずれてもよい。)
チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、ジルコニウム酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、ニッケルニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、亜鉛ニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛等の鉛含有化合物、及びこれらの混晶系;
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムバリウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム、ビスマスフェライト等の非鉛含有化合物、及びこれらの混晶系が挙げられる。
図3及び図4を参照して、上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド3を備えたインクジェット式記録装置の構成例について説明する。図3は装置全体図であり、図4は部分上面図である。
ロール紙を使用する装置では、図3のように、デカール処理部120の後段に裁断用のカッター128が設けられ、このカッターによってロール紙は所望のサイズにカットされる。カッター128は、記録紙116の搬送路幅以上の長さを有する固定刃128Aと、該固定刃128Aに沿って移動する丸刃128Bとから構成されており、印字裏面側に固定刃128Aが設けられ、搬送路を挟んで印字面側に丸刃128Bが配置される。カット紙を使用する装置では、カッター128は不要である。
吸着ベルト搬送部122により形成される用紙搬送路上において印字部102の上流側に、加熱ファン140が設けられている。加熱ファン140は、印字前の記録紙116に加熱空気を吹き付け、記録紙116を加熱する。印字直前に記録紙116を加熱しておくことにより、インクが着弾後に乾きやすくなる。
印字検出部124の後段には、印字された画像面を乾燥させる加熱ファン等からなる後乾燥部142が設けられている。印字後のインクが乾燥するまでは印字面と接触することは避けた方が好ましいので、熱風を吹き付ける方式が好ましい。
大きめの用紙に本画像とテスト印字とを同時に並列にプリントする場合には、カッター148を設けて、テスト印字の部分を切り離す構成とすればよい。
インクジェット記記録装置100は、以上のように構成されている。
基板としてSiウエハを用意し、その表面に、スパッタ法により、厚み150nmのIr下部電極と、厚み5.0μmのNbドープPZT圧電体膜と、厚み150nmのPt上部電極とを順次積層して、本発明の圧電素子を得た。下部電極と圧電体膜と上部電極とはいずれも、全面蒸着とした。圧電体膜の組成は、Zr/(Zr+Ti)モル比=0.52、Bサイト中のNbドープ量=13モル%とした。
本実施例の圧電体膜の最大印加電界Emaxを変化させたときのユニポーラ分極−電界曲線を図9に示す。
最大印加電界Emax=195kV/cmのユニポーラ分極−電界曲線には、1回目の相転移が開始する電界印加強度E1と2回目の相転移が開始する電界印加強度E2とにおいて、分極−電界曲線の傾きが大きく変化する変曲点が見られた。1回目の相転移が開始する電界印加強度E1=20kV/cm、2回目の相転移が開始する電界印加強度E2=60kV/cmであった。
誘電率ε=1330、残留分極値Pr=11μC/cm2、正電界側の抗電界Ec=35kV/cmであった。また、最小電界印加強度Emin=0kV/cm〜最大電界印加強度Emax=100kV/cmにおける圧電定数d31=270pm/Vであった。
圧電体膜の組成を下記のように変更した以外は実施例1と同様にして、比較用の圧電素子を得た。
圧電体膜の組成:Zr/(Zr+Ti)モル比=0.54、Bサイト中のNbドープ量=13モル%。
最小電界印加強度Emin=0kV/cm〜最大電界印加強度Emax=100kV/cmにおける圧電定数d31を求めたところ、140pm/Vであった。
圧電体膜の組成を下記のように変更した以外は実施例1と同様にして、比較用の圧電素子を得た。
圧電体膜の組成:Zr/(Zr+Ti)モル比=0.45、Bサイト中のNbドープ量=13モル%。
最小電界印加強度Emin=0kV/cm〜最大電界印加強度Emax=100kV/cmにおける圧電定数d31を求めたところ、180pm/Vであった。
2 圧電アクチュエータ
3,3K,3C,3M,3Y インクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)
12、14 電極
13 圧電体
15 制御手段
20 インクノズル(液体貯留吐出部材)
21 インク室(液体貯留室)
22 インク吐出口(液体吐出口)
100 インクジェット式記録装置
Claims (23)
- 電界無印加時から電界印加強度を増加させたときに、他の結晶系の強誘電体相への相転移が2回起こる特性を有する強誘電体相を含むことを特徴とする圧電体。
- 前記強誘電体相の1回目の相転移が開始する電界強度をE1としたとき、
最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(1)を充足する条件で、駆動されるものであることを特徴とする請求項1に記載の圧電体。
Emin<E1<Emax・・・(1) - 前記強誘電体相の2回目の相転移が開始する電界強度をE2としたとき、
最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(2)を充足する条件で、駆動されるものであることを特徴とする請求項2に記載の圧電体。
Emin<E1<E2<Emax・・・(2) - 前記強誘電体相の2回目の相転移が略完全に終了する電界強度をE3としたとき、
最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(3)を充足する条件で、駆動されるものであることを特徴とする請求項3に記載の圧電体。
Emin<E1<E2≦E3<Emax・・・(3) - エピタキシャル膜、結晶配向膜、又は粒子配向セラミックス焼結体からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の圧電体。
- 前記強誘電体相は、自発分極軸方向とは異なる方向に結晶配向性を有することを特徴とする請求項5に記載の圧電体。
- 前記強誘電体相は、電界無印加時から電界印加強度を増加させたときの最後の相転移後の自発分極軸方向に略等しい方向に結晶配向性を有することを特徴とする請求項6に記載の圧電体。
- 前記強誘電体相は電界無印加時において(100)配向の正方晶相であり、電界無印加時から電界印加強度を増加させたときに、菱面体晶相、(001)配向の正方晶相に順次相転移する特性を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の圧電体。
- 電界無印加状態において、結晶系の異なる複数の強誘電体相を含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の圧電体。
- 電界無印加時から電界印加強度を増加させたときに、相転移が起こらない強誘電体相、及び/又は他の結晶系の強誘電体相への相転移が1回のみ起こる強誘電体相を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の圧電体。
- 電界無印加状態において、(001)配向の正方晶相T(c)、(100)配向の菱面体晶相R、及び(100)配向の正方晶相T(a)を含むことを特徴とする請求項9に記載の圧電体。
- 1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物からなる(不可避不純物を含んでいてもよい)ことを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の圧電体。
- 下記一般式で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物からなる(不可避不純物を含んでいてもよい)ことを特徴とする請求項12に記載の圧電体。
一般式ABO3
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pb,Ba,La,Sr,Bi,Li,Na,Ca,Cd,Mg,K,及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素、
Aサイト元素の総モル数及びBサイト元素の総モル数の、酸素原子のモル数に対する比は、それぞれ1:3が標準であるが、ペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1:3からずれてもよい。) - Nbドープチタン酸ジルコン酸鉛を含むことを特徴とする請求項13に記載の圧電体。
- 前記強誘電体相の1回目及び2回目の電界誘起による相転移が、−50〜200℃の範囲にて生じることを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の圧電体。
- 請求項1〜15のいずれかに記載の圧電体と、該圧電体に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とする圧電素子。
- 圧電体と、該圧電体に対して所定方向に電界を印加する電極とを備えた圧電素子の駆動方法において、
前記圧電体は、電界無印加時から電界印加強度を増加させたときに、他の結晶系の強誘電体相への相転移が2回起こる特性を有する強誘電体相を含むものであり、
前記強誘電体相の1回目の相転移が開始する電界強度をE1としたとき、
最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(1)を充足する条件で、駆動することを特徴とする圧電素子の駆動方法。
Emin<E1<Emax・・・(1) - 前記強誘電体相の2回目の相転移が開始する電界強度をE2としたとき、
最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(2)を充足する条件で、駆動することを特徴とする請求項17に記載の圧電素子の駆動方法。
Emin<E1<E2<Emax・・・(2) - 前記強誘電体相の2回目の相転移が略完全に終了する電界強度をE3としたとき、
最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(3)を充足する条件で、駆動することを特徴とする請求項18に記載の圧電素子の駆動方法。
Emin<E1<E2≦E3<Emax・・・(3) - 圧電体と、該圧電体に対して所定方向に電界を印加する電極とを備えた圧電素子と、
該圧電素子の駆動を制御する制御手段とを備えた圧電装置において、
前記圧電体は、電界無印加時から電界印加強度を増加させたときに、他の結晶系の強誘電体相への相転移が2回起こる特性を有する強誘電体相を含むものであり、
前記強誘電体相の1回目の相転移が開始する電界強度をE1としたとき、
前記制御手段は、最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(1)を充足する条件で、前記圧電素子を駆動するものであることを特徴とする圧電装置。
Emin<E1<Emax・・・(1) - 前記強誘電体相の2回目の相転移が開始する電界強度をE2としたとき、
前記制御手段は、最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(2)を充足する条件で、前記圧電素子を駆動するものであることを特徴とする請求項20に記載の圧電装置。
Emin<E1<E2<Emax・・・(2) - 前記強誘電体相の2回目の相転移が略完全に終了する電界強度をE3としたとき、
前記制御手段は、最小電界印加強度Emin及び最大電界印加強度Emaxが下記式(3)を充足する条件で、前記圧電素子を駆動するものであることを特徴とする請求項21に記載の圧電装置。
Emin<E1<E2≦E3<Emax・・・(3) - 請求項20〜23のいずれかに記載の圧電装置と、
液体が貯留される液体貯留室及び該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口を有する液体貯留吐出部材とを備えたことを特徴とする液体吐出装置。
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