KR101225622B1 - 칩 유닛 및 이의 제조방법과 이를 갖는 스택 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩 유닛 및 이의 제조방법과 이를 갖는 스택 패키지를 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 칩 유닛은, 각각 마련된 제1본딩패드 형성면과 제2본딩패드 형성면에 각각 대향하는 배면을 가지며, 상기 제1 및 제2본딩패드 형성면에 각각 제1 및 제2본딩패드가 형성되고 상기 각 배면이 서로 대응하도록 배치된 제1 및 제2반도체칩; 및 상기 제1반도체칩의 제1본딩패드 형성면 및 상기 제2반도체칩의 제2본딩패드 형성면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2반도체칩들을 덮는 필름과 상기 필름 상에서 제1 및 제2반도체칩들의 제1 및 제2본딩패드와 전기적으로 연결하는 재배선을 포함하는 연결부재;를 포함한다.

Description

칩 유닛 및 이의 제조방법과 이를 갖는 스택 패키지{Chip unit and method for manufacturing the same, and stack package having the same}
본 발명은 칩 유닛 및 이의 제조방법과 이를 갖는 스택 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체칩의 휨 현상 및 크랙과 같은 불량이 발생되는 것을 최소화할 수 있는 칩 유닛 및 이의 제조방법과 이를 갖는 스택 패키지에 관한 것이다.
최근에는 전자산업의 발전으로 거의 모든 전자 제품에 반도체를 사용하게 되면서, 다양한 크기와 형태의 패키지가 필요하게 되었다. 특히, 소형가전 제품군, 모바일 제품군에서는 빠른 처리 속도를 가지고 경량화, 고집적화가 되어있는 반도체칩이 더욱 요구되어, 그에 적합한 크기 및 형태의 반도체 패키지가 요구되고 있다.
또한, 반도체 소자의 고집적화를 구현하기 위해 반도체칩의 두께를, 예를 들어, 약 50㎛ 이하로 얇게 제조하고 있다.
그러나, 상기 반도체칩의 두께가 얇아질수록, 그리고, 오버행(Overhang)이 커질수록 바운싱(Bouncing)이 일어나 전도성 와이어 본딩이 제대로 이루어지지 않는 문제점이 있다.
또한, 상기 전도성 와이어 본딩시 상기 얇은 두께를 갖는 반도체칩에 전도성 와이어를 형성할 경우에는 상기 반도체칩의 얇은 두께로 인하여 상기 반도체칩이 휘거나 깨지는 현상이 발생하게 되는 문제점이 있다.
게다가, 상기와 같이 얇아진 반도체칩의 두께로 인하여, 반도체칩 아웃(Out) 공정 및 반도체칩 부착 공정을 수행하기 위한 반도체칩 픽-업(Pick-Up) 공정시에 상기 반도체칩에서 크랙(Crack)과 같은 불량이 발생하게 된다.
그 결과, 상기 얇은 반도체칩을 적용한 반도체 패키지를 형성하기가 어려울 뿐만 아니라, 전체 반도체 패키지의 양산성이 급격히 저하하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 반도체칩의 휨 현상 및 크랙과 같은 불량이 발생되는 것을 최소화할 수 있는 칩 유닛 및 이의 제조방법과 이를 갖는 스택 패키지를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 칩 유닛은, 각각 마련된 제1본딩패드 형성면과 제2본딩패드 형성면에 각각 대향하는 배면을 가지며, 상기 제1 및 제2본딩패드 형성면에 각각 제1 및 제2본딩패드가 형성되고 상기 각 배면이 서로 대응하도록 배치된 제1 및 제2반도체칩; 및 상기 제1반도체칩의 제1본딩패드 형성면 및 상기 제2반도체칩의 제2본딩패드 형성면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2반도체칩들을 덮는 필름과 상기 필름 상에서 제1 및 제2반도체칩들의 제1 및 제2본딩패드와 전기적으로 연결하는 재배선을 포함하는 연결부재;를 포함한다.
제 1 항에 있어서,
상기 제1반도체칩과 상기 제2반도체칩의 배면 사이에 개재된 접착부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1본딩패드와 상기 제2본딩패드는 상기 제1반도체칩 및 제2반도체칩의 중심부에 일열로 배열된 것을 특징으로 한다.
상기 필름과 재배선을 포함하는 연결부재에서, 상기 재배선은, 단면상으로 보았을 때, 상기 제1본딩패드의 일단으로부터 상기 제2본딩패드의 타단이 연결된 것을 특징으로 한다.
상기 제1본딩패드의 일단으로부터 상기 제2본딩패드의 타단을 연결하는 상기 재배선에 의하여, 상기 연결부재의 필름은 일부 노출된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 칩 유닛를 갖는 스택 패키지는, 본드핑거를 갖는 기판; 및 상기 기판의 본드핑거와 전기적으로 연결하도록 상기 기판 상에 적어도 둘 이상이 스택된 청구항1의 구성을 갖는 다수의 칩 유닛;을 포함한다.
상기 기판은 상기 칩 유닛의 주변부에 구비된 홈을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 기판의 홈은 상기 칩 유닛의 연결부재 중 재배선이 형성된 칩 유닛의 측면에 대응하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판의 홈 내에는 상기 칩 유닛과 대응하는 높이를 가지며, 상기 칩 유닛의 측면에 배치된 재배선과 상기 기판의 본드핑거를 각각 전기적으로 연결하도록 삽입된 슬롯(Slot)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 슬롯은 상기 기판의 홈 내에 삽입되어 필라 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 칩 유닛의 제조방법은, 일부, 중심부 및 타부를 포함하며 상기 중심부에 요철부를 갖는 몸체를 마련하는 단계; 상기 몸체의 일부 및 타부 상에 각각 제1본딩패드 형성면과 제2본딩패드 형성면을 가지는 제1 및 제2반도체칩을 부착하는 단계; 상기 몸체 상에 상기 제1 및 제2반도체칩을 덮는 필름과 상기 필름 상에 상기 제1 및 제2본딩패드와 전기적으로 연결하는 재배선을 포함하는 연결부재를 부착하는 단계; 상기 몸체를 제거하는 단계; 및 상기 몸체가 제거되어 상기 몸체의 요철부에 대응하는 부분의 노출된 재배선을 구부려(Bending) 상기 제1 및 제2반도체칩의 배면이 서로 마주보도록 부착하는 단계;를 포함한다.
상기 몸체가 제거되어 상기 몸체의 요철부에 대응하는 부분의 노출된 재배선을 구부려(Bending) 상기 제1 및 제2반도체칩의 배면이 서로 마주보도록 부착하는 단계에서, 상기 제1반도체칩과 상기 제2반도체칩의 배면 사이에 접착부재가 개재된 것을 특징으로 한다.
상기 제1본딩패드와 상기 제2본딩패드는 상기 제1반도체칩 및 제2반도체칩의 중심부에 일열로 배열된 것을 특징으로 한다.
상기 필름과 재배선을 포함하는 연결부재에서, 상기 재배선은, 단면상으로 보았을 때, 상기 제1본딩패드의 일단으로부터 상기 제2본딩패드의 타단이 연결된 것을 특징으로 한다.
상기 제1본딩패드의 일단으로부터 상기 제2본딩패드의 타단을 연결하는 상기 재배선에 의하여, 상기 연결부재의 필름은 일부 노출된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 요철이 구비된 몸체 상에 센터형 패드를 갖는 두 개의 반도체칩들을 마련한 후, 상기 반도체칩들을 덮도록 재배선 및 필름을 포함한 연결부재를 이용하여 몰딩한 다음, 상기 몸체를 제거하고 상기 몸체가 제거되어 노출된 재배선 부분을 구부려서 상기 두 개의 반도체칩들의 배면이 서로 마주보게 접하도록, 예를 들어, 거울상 대칭이 되도록 포개어 칩 유닛을 형성한다.
이렇게 하면, 본 발명은 상기 두 개의 반도체칩들의 상기 센터형 패드들간, 전기적 접속이 되기 때문에 상기 두 개의 반도체칩들이 1개의 구동 칩 유닛으로 작용할 수 있을 뿐만 아니라, 고용량화를 가지는 스택 구조이면서도 얇은 두께를 가지는 스택 패키지를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 전술한 칩 유닛 형성시, 상기 연결부재를 이용하기 때문에, 후속하는 쏘잉(Sawing) 공정시 반도체칩의 손상을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 칩 유닛을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 이 실시예에 따른 칩 유닛을 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 칩 유닛을 갖는 스택 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2의 칩 유닛을 갖는 스택 패키지를 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 칩 유닛을 갖는 스택 패키지에 슬롯을 배치한 단면도이다.
도 6은 도 4의 칩 유닛을 갖는 스택 패키지에 슬롯을 배치한 단면도이다.
도 7은 도 2의 칩 유닛을 지그재그로 스택한 스택 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8은 도 7의 지그재그로 스택한 칩 유닛을 갖는 스택 패키지에 슬롯을 배치한 단면도이다.
도 9a 내지 도 9e는 도 1의 칩 유닛을 제조하는 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 10a 내지 도 10e는 도 2의 칩 유닛을 제조하는 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 칩 유닛을 도시한 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 칩 유닛(150)은 서로의 배면이 대응하여 마주보도록 배치된 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b) 및 상기 제 1 및 제2반도체칩(104a, 104b)들을 전기적으로 연결하는 연결부재(R)를 포함한다.
구체적으로, 상기 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)은 상기 제1반도체칩(104a)과 상기 제2반도체칩(104b)의 배면 사이에 개재된 접착부재(112)에 의하여 부착되어 있으며, 상기 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)은 각각 마련된 제1본딩패드 형성면과 제2본딩패드 형성면에 각각 대향하는 배면을 가지고 있다.
상기 제1 및 제2본딩패드 형성면에는 각각 제1 및 제2본딩패드(106a, 106b)가 형성되어 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2본딩패드(106a, 106b)는 상기 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)의 중심부에 일열로 배열된, 예를 들어, 센터형 패드(Center type pad)이며, 상기 제1 및 제2본딩패드(106a, 106b) 상에는, 예를 들어, 범프(Bump)와 같은 제1 및 제2접속단자(108a, 108b)가 각각 형성되어 있다.
한편, 자세하게 도시하지 않았으나, 상기 제1본딩패드 형성면과 상기 제2본딩패드 형성면은 다수의 소자들이 형성된 활성면으로 이해될 수 있다.
상기 연결부재(R)는 상기 제1반도체칩(104a)의 제1본딩패드 형성면과 상기 제2반도체칩(104b)의 제2본딩패드 형성면 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)들의 전체를 감싸는 필름(110)과 상기 필름(110) 상에서 상기 제1 및 제2범프(108a, 108b)와 전기적으로 연결하는 재배선(111)을 포함한다. 여기서, 상기 필름(110)은 레진과 같은 플렉시블(Flexible)한 물질을 포함하며, 상기 재배선(111)은 금속물질을 포함한다. 예를 들어, RCC(Resin coated copper foil)일 수 있다.
이와 다르게, 도 2에서와 같이, 칩 유닛의 재배선을 일부 패터닝하여 제1 및 제2반도체칩을 전기적으로 연결할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 이 실시예에 따른 칩 유닛을 도시한 단면도로서, 도 2를 참조하면, 본 발명의 이 실시예에 따른 칩 유닛(250)은 서로의 배면이 대응하여 마주보도록 배치된 제1 및 제2반도체칩(204a, 204b) 및 상기 제 1 및 제2반도체칩(204a, 204b)들을 전기적으로 연결하는 연결부재(R)를 포함한다.
도 2에서의 상기 연결부재(R)도 전술한 도 1의 연결부재(R)와 같이, 필름(210)과 재배선(211)을 포함하는데, 이때, 도 2의 연결부재(R)는, 단면상으로 보았을 때, 상기 재배선(211)이 일부 패터닝되어 상기 제1본딩패드(206a)의 일단으로부터 상기 제2본딩패드(206b)의 타단이 전기적으로 연결되도록 형성되어 진다.
여기서, 상기 칩 유닛(250)의 구성들은 도 1에서의 그것들과 모두 동일하며, 동일한 부분은 유사한 도면부호, 예를 들어, 204a, 204b, 206a, 206b, 208a, 208b, 210, 211, R 및 212으로 나타낸다. 그리고, 그에 대한 도면부호 및 상세한 설명은 생략하도록 한다.
한편, 도 3은 도 1의 칩 유닛(150)을 갖는 스택 패키지를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 2의 칩 유닛(250)을 갖는 스택 패키지를 도시한 단면도이다. 여기서, 미설명된 도면부호 10, 20은 기판을 말하고, 12, 22는 솔더볼과 같은 외부접속단자를 말한다. 그리고, 도 3 및 도 4의 구성들은 도 1 및 도 2의 그것들과 모두 동일하며, 동일한 부분은 동일한 도면부호로 나타내며, 그에 대한 도면부호 및 상세한 설명은 생략하도록 한다.
한편, 도시하지 않았으나, 상기 기판(10, 20) 상에는 상기 기판(10, 20)을 포함하여 상기 스택된 적어도 둘 이상의 칩 유닛(150, 250)들을 덮도록, 예를 들어, EMC와 같은 봉지부재가 형성될 수도 있다.
도 5는 도 3의 칩 유닛을 갖는 스택 패키지에 슬롯을 배치한 단면도이고, 도 6은 도 4의 칩 유닛을 갖는 스택 패키지에 슬롯을 배치한 단면도이다.
도 5 및 도 6를 참조하면, 기판(10, 20)은 일면 및 상기 일면에 대향하는 타면을 갖는다. 상기 일면 상에는 본드핑거(도시안됨)와 후술될 칩 유닛의 주변부에 구비된 홈(H)이 배치되어 있고 상기 타면 상에는, 예를 들어, 솔더볼과 같은 외부접속단자(12, 22)가 배치되어 있다. 여기서, 상기 홈(H)은 상기 칩 유닛의 연결부재 중에서 재배선이 형성된 칩 유닛의 측면에 대응하는 위치에 배치됨이 바람직하다.
계속해서, 상기 기판(10, 20) 상에는 본드핑거와 전기적으로 연결하도록 적어도 둘 이상이 스택된 도 1 및 도 2의 칩 유닛(150, 250)이 배치되어 있으며, 상기 기판(10, 20)의 홈(H) 내에는, 예를 들어, 상기 스택된 칩 유닛(150, 250)과 대응하는 높이를 가지며 상기 칩 유닛(150, 250)의 측면에 배치된 재배선(111)과 상기 기판(10, 20)의 본드핑거를 각각 전기적으로 연결하도록 삽입된 슬롯(Slot, 14)이 배치되어 있다. 예를 들어, 상기 슬롯(14)은 상기 기판(10, 20)의 홈(H) 내에 삽입되어 필라(Pillar) 형상을 갖는다.
도 7은 도 2의 칩 유닛을 지그재그로 스택한 스택 패키지를 도시한 단면도이고, 도 8은 상기 도 7의 지그재그로 스택한 칩 유닛을 갖는 스택 패키지에 슬롯을 배치한 단면도이다.
여기서, 미설명된 도면부호 14는 슬롯을 말하고, 20은 기판을 말하며, 22는 솔더볼과 같은 외부접속단자를 말한다. 그리고, 도 7 및 도 8의 구성들은 도 2의 그것들과 모두 동일하며, 동일한 부분은 동일한 도면부호로 나타내며, 그에 대한 도면부호 및 상세한 설명은 생략하도록 한다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 센터형 패드를 가지는 두 개의 반도체칩들이 1개의 구동 칩 유닛으로 작용할 수 있도록, 예를 들어, RCC와 같은 연결부재를 이용하여 몰딩하여 구현함으로써, 고용량화를 가지는 스택 구조이면서도 얇은 두께를 가지는 스택 패키지를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 전술한 칩 유닛 형성시, 상기 연결부재를 이용하여 제1 및 제2반도체칩들을 몰딩할 수 있기 때문에, 후속하는 반도체칩을 픽업하기 전에 수행되는 쏘잉(Sawing) 공정시 반도체칩의 휨(Warpage) 현상 및 크랙(Crack)과 같은 불량을 최소화하여 반도체칩의 손상을 최소화할 수 있다.
이하, 도 9a 내지 도 9e는 도 1의 칩 유닛을 제조하는 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 9a를 참조하면, 일면 및 타면을 가지는 몸체(100)를 마련한다. 상기 일면은 일부, 중심부 및 타부를 포함하며, 상기 중심부에는 상기 일부 및 타부보다 상부로 볼록한 형상을 갖는 요철부(100a)를 갖는다. 상기 몸체(100)는, 예를 들어, 인쇄기판일 수도 있다.
상기 몸체(100)의 일면 상에 접착제(102)를 형성한 후, 상기 일부 및 타부 상에 각각 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)을 이격되게 부착한다. 상기 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)은 각각 제1본딩패드 형성면과 제2본딩패드 형성면을 가지며, 상기 제1 및 제2본딩패드 형성면 상에는 각각 제1 및 제2본딩패드(106a, 106b)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2본딩패드(106a, 106b) 상에는 제1 및 제2접속단자(108a, 108b)가 형성되어 있다.
도 9b를 참조하면, 상기 몸체(100) 상에 상기 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)들을 덮는 필름(110)과 상기 필름(110) 상에 상기 제1 및 제2본딩패드(106a, 106b) 상에 배치된 제1 및 제2접속단자(108a, 108b)와 전기적으로 연결하는 재배선(11)을 포함하는 연결부재(R)를 형성하여 몰딩한다. 상기 연결부재(R)는, 예를 들어, RCC(Resin coated copper foil) 및 금속물질을 포함하는 레진과 같은 플렉시블(Flexible)한 물질일 수 있다.
도 9c를 참조하면, 상기 접착제(102)를 포함한 상기 몸체(100)를 상기 연결부재(R)와 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)으로부터 제거한다. 이때, 상기 몸체(100)의 요철부에 대응하는 부분의 재배선(111)은 노출된다.
도 9d를 참조하면, 상기 몸체가 제거되어 상기 몸체의 요철부에 대응하는 부분의 노출된 재배선(111) 부분을 구부리는 공정을 수행한다.
도 9e를 참조하면, 상기 두 개의 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)들의 배면이 서로 마주보게 접하도록, 예를 들어, 거울상 대칭이 되도록 포개어 1개의 구동 칩으로 작용하는 칩 유닛(105)을 완성한다. 이때, 상기 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)의 배면 사이에는 접착부재(112)가 개재되며, 이를 통해, 상기 제1 및 제2반도체칩(104a, 104b)은 서로 부착될 수 있다.
한편, 상기 재배선(111) 부분을 일부 패터닝하여 제1본딩패드의 일단으로부터 제2본딩패드의 타단이 전기적으로 연결되도록 형성하여 이를 구비한 칩 유닛을 구현할 수도 있다.
이하, 도 10a 내지 도 10e는 상기 도 9a 내지 도 9e와 동일한 방법으로 상기 재배선(211) 부분이 일부 패터닝되어 구비된 도 2의 칩 유닛을 제조하는 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
여기서, 도 10a 내지 도 10e에 개시하고 있는 구성들은 도 9a 내지 도 9e에서의 그것들과 모두 동일하며, 동일한 부분은 유사한 도면부호로 나타낸다. 그리고, 그에 대한 도면부호 및 상세한 설명은 생략하도록 한다.
이상, 여기에서는 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.
150, 250 : 칩 유닛
104a, 104b, 204a, 204b : 제1 및 제2반도체칩
106a, 106b, 206a, 206b : 제1 및 제2본딩패드
108a, 108b, 208a, 208b : 제1 및 제2접속단자
110 : 필름
111 : 재배선
R : 연결부재
10, 20 : 기판
12, 22 : 외부접속단자

Claims (15)

  1. 각각 마련된 제1본딩패드 형성면과 제2본딩패드 형성면에 각각 대향하는 배면을 가지며, 상기 제1 및 제2본딩패드 형성면에 각각 제1 및 제2본딩패드가 형성되고 상기 각 배면이 서로 대응하도록 배치된 제1 및 제2반도체칩; 및
    상기 제1반도체칩의 제1본딩패드 형성면 및 상기 제2반도체칩의 제2본딩패드 형성면 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2반도체칩들의 전체를 감싸는 필름과, 상기 필름 상에서 제1 및 제2반도체칩들의 제1 및 제2본딩패드와 전기적으로 연결하는 재배선을 포함하는 연결부재;
    를 포함하는 칩 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1반도체칩과 상기 제2반도체칩의 배면 사이에 개재된 접착부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 유닛.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1본딩패드와 상기 제2본딩패드는 상기 제1반도체칩 및 제2반도체칩의 중심부에 일열로 배열된 것을 특징으로 하는 칩 유닛.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 필름과 재배선을 포함하는 연결부재에서, 상기 재배선은, 단면상으로 보았을 때, 상기 제1본딩패드의 일단으로부터 상기 제2본딩패드의 타단이 연결된 것을 특징으로 하는 칩 유닛.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1본딩패드의 일단으로부터 상기 제2본딩패드의 타단을 연결하는 상기 재배선에 의하여, 상기 연결부재의 필름은 일부 노출된 것을 특징으로 하는 칩 유닛.
  6. 본드핑거를 갖는 기판; 및
    상기 기판의 본드핑거와 전기적으로 연결하도록 상기 기판 상에 적어도 둘 이상이 스택된 칩 유닛; 을 포함하고,
    상기 기판은 상기 칩 유닛의 주변부에 홈을 가지며,
    상기 칩 유닛은 각각 마련된 제1본딩패드 형성면과 제2본딩패드 형성면에 각각 대향하는 배면을 가지며, 상기 제1 및 제2본딩패드 형성면에 각각 제1 및 제2본딩패드가 형성되고 상기 각 배면이 서로 대응하도록 배치된 제1 및 제2반도체칩; 상기 제1반도체칩의 제1본딩패드 형성면 및 상기 제2반도체칩의 제2본딩패드 형성면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2반도체칩들을 덮는 필름과, 상기 필름 상에서 제1 및 제2반도체칩들의 제1 및 제2본딩패드와 전기적으로 연결하는 재배선을 포함하는 연결부재;
    를 포함하는 스택 패키지.
  7. 삭제
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판의 홈은 상기 칩 유닛의 연결부재 중 재배선이 형성된 칩 유닛의 측면에 대응하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판의 홈 내에는 상기 칩 유닛과 대응하는 높이를 가지며, 상기 칩 유닛의 측면에 배치된 재배선과 상기 기판의 본드핑거를 각각 전기적으로 연결하도록 삽입된 슬롯(Slot)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 슬롯은 상기 기판의 홈 내에 삽입되어 필라 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 스택 패키지.
  11. 일부, 중심부 및 타부를 포함하며 상기 중심부에 요철부를 갖는 몸체를 마련하는 단계;
    상기 몸체의 일부 및 타부 상에 각각 제1본딩패드 형성면과 제2본딩패드 형성면을 가지는 제1 및 제2반도체칩을 부착하는 단계;
    상기 몸체 상에 상기 제1 및 제2반도체칩을 덮는 필름과 상기 필름 상에 상기 제1 및 제2본딩패드와 전기적으로 연결하는 재배선을 포함하는 연결부재를 부착하는 단계;
    상기 몸체를 제거하는 단계; 및
    상기 몸체가 제거되어 상기 몸체의 요철부에 대응하는 부분의 노출된 재배선을 구부려(Bending) 상기 제1 및 제2반도체칩의 배면이 서로 마주보도록 부착하는 단계;
    를 포함하는 칩 유닛의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 몸체가 제거되어 상기 몸체의 요철부에 대응하는 부분의 노출된 재배선을 구부려(Bending) 상기 제1 및 제2반도체칩의 배면이 서로 마주보도록 부착하는 단계에서, 상기 제1반도체칩과 상기 제2반도체칩의 배면 사이에 접착부재가 개재된 것을 특징으로 하는 칩 유닛의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1본딩패드와 상기 제2본딩패드는 상기 제1반도체칩 및 제2반도체칩의 중심부에 일열로 배열된 것을 특징으로 하는 칩 유닛의 제조방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 필름과 재배선을 포함하는 연결부재에서, 상기 재배선은, 단면상으로 보았을 때, 상기 제1본딩패드의 일단으로부터 상기 제2본딩패드의 타단이 연결된 것을 특징으로 하는 칩 유닛의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1본딩패드의 일단으로부터 상기 제2본딩패드의 타단을 연결하는 상기 재배선에 의하여, 상기 연결부재의 필름은 일부 노출된 것을 특징으로 하는 칩 유닛의 제조방법.
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