KR101176809B1 - 포접 화합물, 경화 촉매, 경화 수지 형성용 조성물 및 경화 수지 - Google Patents
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Abstract
저온에서의 경화 반응을 억제하여, 1 액 안정성의 향상을 도모함과 함께, 가열 처리를 행함으로써 효과적으로 수지를 경화시킬 수 있는 경화 촉매 (포접 화합물) 를 제공하는 것.
식 (I)
[식 중, R1 은 C1～C6 의 알킬기 등을 나타낸다.] 로 나타내는 이소프탈산 화합물과, 식 (II)
[식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기 등을 나타내고, R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기 등을 나타낸다.] 로 나타내는 이미다졸 화합물을 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 포접 화합물이다.
Description
본 발명은 신규한 포접 화합물, 그 포접 화합물을 함유하는 경화 촉매, 그경화 촉매를 사용한 경화 수지 형성용 조성물, 그 경화 수지 형성용 조성물을 사용한 경화 수지의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 의해 얻어진 경화 수지에 관한 것이다.
에폭시 수지는 우수한 기계 특성, 열 특성을 갖기 때문에 여러 가지 분야에서 널리 사용되고 있다. 이러한 에폭시 수지를 경화시키기 위한 경화제로서 이미다졸이 사용되고 있지만, 에폭시 수지-이미다졸의 혼합액은 경화의 개시가 빨라, 1 액 안정성이 매우 나쁘다는 문제가 있다.
그래서, 경화제로서, 이미다졸에 히드록시벤조산을 부가한 이미다졸산 부가염을 사용하는 것 (특허 문헌 1 참조.) 이나, 테트라키스페놀계 화합물 (예를 들어, 1,1,2,2-테트라키스(4-히드록시페닐) 에탄 (이하, TEP 라고 한다.)) 과 이미다졸의 포접체를 사용하는 것 (특허 문헌 2 참조.) 이 제안되어 있다. 이러한 이미다졸산 부가염이나 포접체는 일정한 효과를 나타내는 것이지만, 이것과 동등한 기능을 갖는 것이나 더욱 기능이 향상된 것의 개발이 요망되고 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공보 평4-2638호
특허 문헌 2: 일본 공개특허공보 평11-71449호
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명의 과제는 저온에서의 경화 반응을 억제하여, 1 액 안정성의 향상을 도모함과 함께, 가열 처리를 행함으로써 효과적으로 수지를 경화시킬 수 있는 경화 촉매 (포접 화합물) 를 제공하는 것에 있다. 또한, 본 발명은 이러한 경화 촉매를 사용한 경화 수지 형성용 조성물, 그 경화 수지 형성용 조성물을 사용한 경화 수지의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 의해 얻어진 경화 수지를 제공한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 특정한 이미다졸과 특정한 산을 적어도 함유하는 포접 화합물을 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉 본 발명은, (1) 식 (I)
[식 중, R1 은 C1～C6 의 알킬기, C1～C6 의 알콕시기, 니트로기 또는 수산기를 나타낸다.] 로 나타내는 이소프탈산 화합물과, 식 (II)
[식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 시아노에틸기를 나타내고, R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 C1～C20 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C20 의 아실기를 나타낸다.] 로 나타내는 이미다졸 화합물을 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 포접 화합물이나, (2) 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이 5-t-부틸이소프탈산 또는 5-니트로이소프탈산인 것을 특징으로 하는 상기 (1) 에 기재된 화합물이나, (3) 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물이 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 또는 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸인 것을 특징으로 하는 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 화합물이나, (4) 식 (II) 의 R2 가 수소 원자인 것을 특징으로 하는 상기 (1)～(3) 중 어느 하나에 기재된 화합물이나, (5) 분체상(粉體狀)인 것을 특징으로 하는 상기 (1)～(4) 중 어느 하나에 기재된 화합물이나, (6) 상기 (1)～(5) 중 어 느 하나에 기재된 포접 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지용 경화 촉매에 관한 것이다.
또한 본 발명은 (7) 하기 (A) 성분과 (B) 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지 형성용 조성물
(A) 에폭시 수지
(B) 식 (I)
[식 중, R1 은 C1～C6 의 알킬기, C1～C6 의 알콕시기, 니트로기 또는 수산기를 나타낸다.] 로 나타내는 이소프탈산 화합물과, 식 (II)
[식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 시아노에틸기를 나타내고, R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 C1～C20 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C20 의 아실기 를 나타낸다.] 로 나타내는 이미다졸 화합물을 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 포접 화합물이나, (8) (A) 성분인 에폭시 수지의 에폭시 고리 1 몰에 대하여, (B) 성분 중의 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 0.01～1.0 몰 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (7) 에 기재된 에폭시 경화 수지 형성용 조성물이나, (9) 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이 5-t-부틸이소프탈산 또는 5-니트로이소프탈산인 것을 특징으로 하는 상기 (7) 또는 (8) 에 기재된 에폭시 경화 수지 형성용 조성물이나, (10) 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물이 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 또는 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸인 것을 특징으로 하는 상기 (7)～(9) 중 어느 하나에 기재된 에폭시 경화 수지 형성용 조성물에 관한 것이다.
그리고 본 발명은 (11) 상기 (7)～(10) 에 기재된 에폭시 경화 수지 형성용 조성물을 가열 처리하여 경화시키는 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지의 제조 방법이나, (12) 가열 처리의 가열 온도가 60～250℃ 인 것을 특징으로 하는 상기 (11) 에 기재된 에폭시 경화 수지의 제조 방법이나, (13) 상기 (11) 또는 (12) 의 제조 방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지에 관한 것이다.
또한 본 발명은 (14) 적어도 식 (I)
[식 중, R1 은 C1～C6 의 알킬기, C1～C6 의 알콕시기, 니트로기 또는 수산기를 나타낸다.] 로 나타내는 이소프탈산 화합물과, 식 (II)
[식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 시아노에틸기를 나타내고, R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 C1～C20 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C20 의 아실기를 나타낸다.] 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후, 얻어질 수 있는 화합물이나, (15) 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과, 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후, 결정화시켜 얻어질 수 있는 상기 (14) 에 기재된 화합물이나, (16) 식 (I)
[식 중, R1 은 니트로기 또는 C4 의 알킬기를 나타낸다.] 로 나타내는 포접 화합물용 호스트 화합물이나, (17) C4 의 알킬기가 t-부틸기인 것을 특징으로 하는 상기 (16) 에 기재된 호스트 화합물에 관한 것이다.
발명의 효과
본 발명의 경화 촉매 (포접 화합물) 에 의하면, 저온에서의 경화 반응을 억제하여, 1 액 안정성의 향상을 도모함과 함께, 가열 처리를 행함으로써 효과적으로 수지를 경화시킬 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시예 1 에 관련된 포접체의 열분석 (TG/DTA) 차트이다.
도 2 는 본 발명의 실시예 1 에 관련된 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트이다.
도 3 은 본 발명의 실시예 1 에 관련된 포접체의 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트이다.
도 4 는 본 발명의 실시예 2 에 관련된 포접체의 열분석 (TG/DTA) 차트이다.
도 5 는 본 발명의 실시예 2 에 관련된 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트이다.
도 6 은 본 발명의 실시예 2 에 관련된 포접체의 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트이다.
도 7 은 본 발명의 실시예 4 에 관련된 포접체의 열분석 (TG/DTA) 차트이다.
도 8 은 본 발명의 실시예 4 에 관련된 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트이다.
도 9 는 본 발명의 실시예 4 에 관련된 포접체의 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트이다.
도 10 은 2-운데실이미다졸만의 열분석 (TG-DTA) 차트이다.
도 11 은 본 발명의 실시예 5 에 관련된 포접체의 열분석 (TG/DTA) 차트이다.
도 12 는 2-운데실이미다졸과 에폭시 수지의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트이다.
도 13 은 본 발명의 실시예 5 에 관련된 포접체와 에폭시 수지의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트이다.
도 14 는 2-헵타데실이미다졸만의 열분석 (TG-DTA) 차트이다.
도 15 는 본 발명의 실시예 6 에 관련된 포접체의 열분석 (TG/DTA) 차트이다.
도 16 은 2-헵타데실이미다졸과 에폭시 수지의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트이다.
도 17 은 본 발명의 실시예 6 에 관련된 포접체와 에폭시 수지의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트이다.
도 18 은 본 발명의 실시예 1 에 관련된 포접체의 1HNMR 스펙트럼 차트이다.
도 19 는 본 발명의 실시예 1 에 관련된 포접체 (5-NO2IPA-2E4MZ) 및 5-니트로이소프탈산 (5-NO2-IPA) 의 X 선 회절 패턴이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 포접 화합물로는, 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 적어도 함유하는 포접 화합물이면 특별히 제한되지 않고, 용매 등의 제 3 성분을 함유해도 되고, 그 제 3 성분은 40 몰% 이하인 것이 바람직하고, 35 몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20 몰% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 10 몰% 이하인 것이 특히 바람직하며, 제 3 성분을 함유하지 않은 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물로 이루어지는 포접 화합물인 것이 가장 바람직하다. 본 발명에 있어서 포접 화합물이란, 2 종 또는 3 종 이상의 분자가 공유 결합 이외의 결합에 의해 결합한 화합물을 말하고, 보다 바람직하게는, 2 종 또는 3 종 이상의 분자가 공유 결합 이외의 결합에 의해 결합한 결정성 화합물을 말한다. 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 함유하는 본 발명의 포접 화합물은 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물로 형성되는 염이라고도 말할 수 있다.
본 발명의 포접 화합물은 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 에폭시·폴리에스테르 수지 등의 수지 경화제로서 사용할 수 있고, 특히 에폭시 수지의 경화제로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 포접 화합물은 용매에 용해시킨 액상인 것이어도 되지만, (용매 중에서 석출된) 분체상인 것이 바람직하다. 분체상이기 때문에, 예를 들어 분체 도료에 사용할 수 있다.
식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물에 관해서 설명한다. 식 중, R1 은 C1～C6 의 알킬기, C1～C6 의 알콕시기, 니트로기 또는 수산기를 나타낸다.
C1～C6 의 알킬기로서는, C1～C4 의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 된다. C1～C6 의 알킬기로서는, 구체적으로, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 시클로프로필기, 부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 시클로부틸기, 시클로프로필메틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 2-메틸부틸기, 네오펜틸기, 1-에틸프로필기, 헥실기, 이소헥실기, 4-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2,2-디메틸부틸기, 1,1-디메틸부틸기, 1,2-디메틸부틸기, 1,3-디메틸부틸기, 2,3-디메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기 등을 들 수 있다.
C1～C6 의 알콕시기로서는, C1～C4 의 알콕시기인 것이 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 된다. C1～C6 의 알콕시기로서는, 구체적으로, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 이소부톡시기, s-부톡시기, t-부톡시기, 펜톡시기, 이소펜톡시기, 2-메틸부톡시기, 1-에틸프로폭시기, 2-에틸프로폭시기, 네오펜톡시기, 헥실옥시기, 4-메틸펜톡시기, 3-메틸펜톡시기, 2-메틸펜톡시기, 3,3-디메틸부톡시기, 2,2-디메틸부톡시기, 1,1-디메틸부톡시기, 1,2-디메틸부톡시기, 1,3-디메틸부톡시기, 2,3-디메틸부톡시기 등을 들 수 있다.
구체적으로, (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물로는 5-t-부틸이소프탈산이나 5-니트로이소프탈산을 바람직하게 예시할 수 있다.
다음으로, 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물에 관해서 설명한다. 식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 시아노에틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.
C1～C10 의 알킬기로서는 C1～C6 의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 된다. C1～C10 의 알킬기로서는, 구체적으로 상기한 알킬기 외에, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등을 들 수 있다. 또한, 페닐기, 벤질기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 C1～C20 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C20 의 아실기를 나타내고, 보다 바람직하게는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 C1～C17 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C17 의 아실기를 나타내고, 더욱 바람직하게는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C10 의 아실기를 나타낸다. C1～C20 의 알킬기에 대해서는 전술한 바와 같다. 치환기를 가져도 되는 C1～C20 의 아실기로서는, 치환기를 가져도 되는 C1～C10 의 아실기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 C1～C6 의 아실기인 것이 보다 바람직하고, 구체적으로, 포르밀기, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 발레릴기, 벤조일기 등을 들 수 있다.
알킬기, 페닐기, 벤질기, 아실기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는, 적어 도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 구성 요소로서 함유하는 고체 화합물이 얻어질 수 있는 한 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 히드록시기를 바람직하게 예시할 수 있다.
구체적으로, 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물로는, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸을 들 수 있고, 분말상의 포접 화합물을 형성하기 용이하다는 점에서, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸이 바람직하며, 나아가 1 액 안정성을 고려하면, 2-에틸-4-메틸이미다졸이 특히 바람직하다.
이상과 같은 본 발명의 포접 화합물은 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 첨가 후, 필요에 따라 교반하면서 가열 처리 또는 가열 환류 처리를 실시하여 석출시킴으로써 얻을 수 있다. 또한, 사용하는 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이나 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물의 종류 등에 따라서는, 동일한 조작에 의해 석출시킴으로써 결정 화합물이 얻어진다.
또, 용매에 대한 용해의 용이함을 고려하면, 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 각각 용매에 용해 후, 용해액끼 리를 혼합하는 것이 바람직하다. 용매로서는, 물, 메탄올, 에탄올, 아세트산에틸, 아세트산메틸, 디에틸에테르, 디메틸에테르, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세토니트릴 등을 사용할 수 있다. 본 발명의 포접 화합물의 제조시에 있어서의 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물의 첨가 비율로는, 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물 (호스트) 1 몰에 대하여, 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물 (게스트) 이 0.1～5.0 몰인 것이 바람직하고, 0.5～3.0 몰인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 화합물로는, 적어도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후, 얻어질 수 있는 화합물이면 특별히 제한되지 않고, 용매 등의 제 3 성분을 함유해도 되고, 그 제 3 성분은 40 몰% 이하인 것이 바람직하고, 35 몰% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20 몰% 이하인 것이 더욱 바람직하며, 10 몰% 이하인 것이 특히 바람직하지만, 제 3 성분을 함유하지 않는 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 화합물은 적어도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후, 얻어질 수 있는 화합물이면 특별히 제한되지 않지만, 적어도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후, 석출시켜 얻어질 수 있는 화합물인 것이 바람직하고, 적어도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후, 결정화시켜 얻어질 수 있는 결정 화합물인 것이 보 다 바람직하다.
식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이나 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물에 관해서는 전술한 바와 같다. 용매로서는, 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후, 본 발명의 화합물을 얻는 것을 방해하지 않는 한 특별히 제한되지 않고, 실제로 사용하는 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이나 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물에 맞추어 적당한 용매를 선택할 수 있다. 구체적인 용매는 전술한 바와 같다.
본 발명 화합물의 제조시에 있어서의 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물의 첨가 비율로는, 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물 1 몰에 대하여, 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물이 0.1～5.0 몰인 것이 바람직하고, 0.5～3.0 몰인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 화합물을 제조할 때에, 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하는데, 양쪽 화합물은 용매에 용해하는 것이 바람직하다. 양쪽 화합물이 용매에 용해하는 경우, 양쪽 화합물은 그 전량이 용매에 용해될 필요는 없고, 적어도 극히 일부가 용매에 용해되면 된다.
본 발명의 화합물을 제조할 때의 가열 조건은 적어도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해하여 가열한 후, 본 발명의 화합물이 얻어질 수 있는 한 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 40～120℃ 의 범위 내로 가열할 수 있고, 보다 바람직하게는 50～90℃ 의 범위 내로 가열할 수 있다.
또한, 본 발명의 화합물을 제조할 때의 가열은 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 함유하는 용액 또는 현탁액을 교반하면서 실시하지 않아도 되지만, 그 용액 또는 현탁액을 교반하면서 실시하는 것이 바람직하고, 가열 환류하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명 화합물의 제조시에 있어서의, 적어도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후의 공정은, 적어도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 구성 요소로서 함유하는 고체 화합물이 얻어질 수 있는 한 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해하여 가열한 후에, 단순히 가열을 멈춤으로써 고체 화합물을 석출시켜도 되지만, 가열한 후, 실온에서 하룻밤 방치하는 것이 바람직하다. 고체 화합물을 석출시킨 후, 예를 들어 여과하여 건조시킴으로써 목적으로 하는 화합물이 얻어진다. 또한, 사용하는 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이나 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물의 종류 등에 따라서는, 고체 화합물을 얻는 전술한 공정과 동일한 조작을 실시함으로써 본 발명의 결정 화합물이 얻어진다.
또, 본 발명의 화합물과 동일한 화합물인 한, 적어도 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물과 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해하여 가열 한 후 얻어진 화합물 이외의 화합물도 본 발명의 화합물에 포함된다.
본 발명의 에폭시 수지용 경화 촉매는 본 발명의 포접 화합물 또는 본 발명의 화합물을 함유하고 있는 한 특별히 제한되지는 않고, 예를 들어, 다른 에폭시 수지용 경화 촉매를 추가로 함유해도 된다.
또한, 본 발명의 에폭시 경화 수지 형성용 조성물로서는, 에폭시 수지 (성분 (A)) 와, 상기 본 발명의 포접 화합물 또는 본 발명의 화합물 (성분 (B)) 을 함유하는 것이면 특별히 제한되지 않으며, 성분 (B) 에 관해서는 전술한 바와 같다.
성분 (A) 의 에폭시 수지로서는 종래 공지된 각종 폴리에폭시 화합물을 사용할 수 있고, 예를 들어, 비스(4-히드록시페닐)프로판디글리시딜에테르, 비스(4-히드록시-3,5-디브로모페닐)프로판디글리시딜에테르, 비스(4-히드록시페닐)에탄디글리시딜에테르, 비스(4-히드록시페닐)메탄디글리시딜에테르, 레조르시놀디글리시딜에테르, 플로로글리시놀트리글리시딜에테르, 트리히드록시비페닐트리글리시딜에테르, 테트라글리시딜벤조페논, 비스레조르시놀테트라글리시딜에테르, 테트라메틸비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 C 디글리시딜에테르, 비스페놀헥사플루오로프로판디글리시딜에테르, 1,3-비스[1-(2,3-에폭시프로폭시)-1-트리플루오로메틸-2,2,2-트리플루오로에틸]벤젠, 1,4-비스[1-(2,3-에폭시프로폭시)-1-트리플루오로메틸-2,2,2-트리플루오로메틸]벤젠, 4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)옥타플루오로비페닐, 페놀노볼락형 비스에폭시 화합물 등의 방향족계 글리시딜에테르 화합물, 지환식 디에폭시아세탈, 지환식 디에폭시아디페이트, 지환식 디에폭시카르복실레이트, 비닐시클로헥센디옥사이드 등의 지환식 폴리에폭시 화합물, 디글리시딜프탈레이트, 디글리시딜테트라히드로프탈레이트, 디글리시딜헥사히드로프탈레이트, 디메틸글리시딜프탈레이트, 디메틸글리시딜헥사히드로프탈레이트, 디글리시딜-p-옥시벤조에이트, 디글리시딜시클로펜탄-1,3-디카르복시레이트, 다이머산글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 화합물, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜톨루이딘, 트리글리시딜아미노페놀, 테트라글리시딜디아미노디페닐메탄, 디글리시딜트리브로모아닐린 등의 글리시딜아민 화합물, 디글리시딜히단토인, 글리시딜글리시드옥시알킬히단토인, 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환식 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명의 에폭시 경화 수지 형성용 조성물에서의 (A) 성분 및 (B) 성분 중의 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물의 비율은, (A) 성분인 에폭시 수지의 에폭시 고리 1 몰에 대하여, (B) 성분 중의 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 0.01～1.0 몰 함유하는 것이 바람직하고, 0.1～1.0 몰 함유하는 것이 보다 바람직하고, 0.3～1.0 몰 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 에폭시 경화 수지 형성용 조성물은 (A) 성분 및 (B) 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있지만, 충분한 혼합 상태가 형성되도록, 통상 60～100℃ 정도로 가열하여 혼합한다. 에폭시 경화 수지의 제조에 있어서는, 이 때의 온도에서의 1 액 안정성이 중요하다.
또한, 본 발명의 에폭시 경화 수지의 제조 방법으로서는, 상기 에폭시 경화 수지 형성용 조성물을 가열 처리하여 경화시키는 방법이면 특별히 제한되지 않고, 통상, 가열 처리의 가열 온도로서는 60～250℃ 이고, 바람직하게는 100～200℃ 이며, 이러한 온도에 있어서 단시간에 경화시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 포접 화합물용 호스트 화합물은 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물 (식 중, R1 은 니트로기 또는 C4 의 알킬기를 나타낸다.) 이면 특별히 제한되지는 않고, C4 의 알킬기로서는 t-부틸기가 바람직하다.
본 발명에 있어서, 포접 화합물용 호스트 화합물이란, 1 종 또는 2 종 이상의 기타 분자 (게스트나 용매 등) 와 공유 결합 이외의 결합에 의해 결합하여 화합물을 형성하고, 또한 그 화합물에 있어서 포접 격자를 형성할 수 있는 화합물을 말하고, 보다 바람직하게는, 1 종 또는 2 종 이상의 기타 분자 (게스트나 용매 등) 와 공유 결합 이외의 결합에 의해 결합하여 결정성 화합물을 형성하고, 또한 그 결정성 화합물에 있어서 포접 격자를 형성할 수 있는 화합물을 말한다. 여기서 포접 격자란, 호스트 화합물끼리가 공유 결합 이외의 결합에 의해 결합하고, 결합한 호스트 화합물의 2 분자 또는 3 분자 이상의 간극에 기타 분자 (게스트나 용매 등) 또는 기타 분자 및 호스트 화합물을 공유 결합 이외의 결합에 의해 포접하고 있는 것이나, 호스트 화합물과 기타 분자 (게스트나 용매 등) 가 공유 결합 이외의 결합에 의해 결합하고, 기타 분자와 결합한 호스트 화합물의 2 분자 또는 3 분자 이상의 간극에 호스트 화합물 및/또는 기타 분자 (게스트나 용매 등) 를 공유 결합 이외의 결합에 의해 포접하고 있는 것을 말한다. 또, 본 발명의 호스트 화합물을 사용하여 포접 화합물을 제작한 경우, 게스트 화합물의 종류 등에 따라서는, 게스트 화합물끼리가 공유 결합 이외의 결합에 의해 결합하는 경우도 있을 수 있는데, 그러한 사정은 본 발명의 호스트 화합물이 호스트 화합물인 것에 영향을 미치 지 않는다.
포접 격자의 형상은 특별히 제한되지는 않고, 터널형, 층상(層狀), 망상(網狀) 등을 예시할 수 있다.
또, 본 발명의 호스트 화합물은 포접 화합물의 적어도 일부에서 포접 격자를 형성하면 되고, 포접 격자를 형성하지 않은 호스트 화합물이 포접 화합물 내에 포함되어 있어도 되지만, 포접 화합물 전체에서 포접 격자를 형성하는 것이 바람직하다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 기술적 범위는 이러한 예시에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
5-니트로이소프탈산 5mmol (1.05g) 의 메탄올 용액 20㎖ 에, 2-에틸-4-메틸이미다졸 10mmol (1.10g) 의 메탄올 용액 20㎖ 를 가열 환류하, 교반하면서 첨가해 나갔다. 그 후, 가열을 멈추면 바로 결정이 석출되는데, 실온에서 하룻밤 방치한 후, 여과·진공 건조시킴으로써 포접체를 얻었다 (0.5g, 33%). 얻어진 포접체를 NMR 로 분석한 결과, 1:1 의 포접 결정이었다. 얻어진 포접체 (5-NO2IPA-2E4MZ) 의 1HNMR 스펙트럼 차트 및 X 선 회절 패턴을 각각 도 18 과 도 19 에 나타낸다. 비교하기 위해서, 5-니트로이소프탈산 (5-NO2-IPA) 의 X 선 회절 패턴을 도 19 에 나타낸다. 얻어진 포접 결정의 열분석 (TG/DTA) 차트를 도 1 에 나타 낸다. 또한, 얻어진 포접 결정의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트를 도 2 에 나타내고, 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 도 3 에 나타낸다.
[실시예 2]
5-t-부틸이소프탈산 15mmol (3.33g) 및 2-에틸-4-메틸이미다졸 18mmol (1.98g, 1.2eq.) 을 메탄올 60㎖ 에 첨가하여, 켈달 플라스크 중에서 교반하고, 가열 환류를 30 분 실시하여, 결정을 용해시켰다. 그 후, 실온에서 방치하여 석출되어 나온 결정을 여과하고, 진공 건조시킴으로써, 포접체를 얻었다 (2.34g, 47%). 얻어진 포접체를 NMR 로 분석한 결과, 1:1 의 포접 결정이었다. 얻어진 포접 결정의 열분석 (TG/DTA) 차트를 도 4 에 나타낸다. 또한, 얻어진 포접 결정의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트를 도 5 에 나타내고, 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 도 6 에 나타낸다.
[실시예 3]
2-에틸-4-메틸이미다졸을 16.5mmol (1.81g, 1.1 eq.) 로 한 것 외에는, 실시예 2 와 동일하게 실시하였다 (2.08g, 42%). 얻어진 포접체를 NMR 로 분석한 결과, 1:1 의 포접 결정이고, 열분석 (TG/DTA) 차트도 실시예 2 에서 얻어진 것과 일치하고 있었다.
[실시예 4]
5-니트로이소프탈산 5mmol (1.05g) 의 메탄올 용액 20㎖ 에, 2-메틸이미다졸 10mmol (0.82g) 의 메탄올 용액 20㎖ 를 가열 환류하, 교반하면서 첨가해 나갔다. 그 후, 가열을 멈추면 바로 결정이 석출되는데, 실온에서 하룻밤 방치한 후, 여과 ·진공 건조시킴으로써 포접체를 얻었다 (1.2g, 64%). 얻어진 포접체를 NMR 로 분석한 결과, 1:1 의 포접 결정이었다. 얻어진 포접 결정의 열분석 (TG/DTA) 차트를 도 7 에 나타낸다. 또한, 얻어진 포접 결정의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트를 도 8 에 나타내고, 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 도 9 에 나타낸다.
[실시예 5]
5-니트로이소프탈산 5mmol (1.06g) 및 2-운데실이미다졸 5mmol (1.11g) 을 아세톤 40㎖ 에 첨가하여 가열 혼합한 후, 하룻밤 방치하였다. 하룻밤 방치한 혼합액을 여과·진공 건조시킴으로써 포접체 (1:1 포접체)를 얻었다 (1.98g).
2-운데실이미다졸만의 열분석 (TG-DTA) 차트를 도 10 에 나타내고, 얻어진 포접 결정의 열분석 (TG-DTA) 차트를 도 11 에 나타낸다. 도 11 의 차트에 있어서 2-운데실이미다졸의 융점이 관측되지 않았기 때문에, 얻어진 물질은 포접체인 것으로 생각된다.
또한, 2-운데실이미다졸과 에폭시 수지의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트를 도 12 에 나타내고, 얻어진 포접체와 에폭시 수지의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트를 도 13 에 나타낸다. 도 12 에서의 경화 온도보다 도 13 에서의 경화 온도가 높아져 있어, 포접하는 것에 의한 1 액 안정성의 향상을 볼 수 있었다.
또, DSC 는 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (YD-128) 에 대하여 이미다졸이 4% 가 되도록 혼합하여 측정한 것이다.
[실시예 6]
5-니트로이소프탈산 5mmol (1.06g) 및 2-헵타데실이미다졸 10mmol (3.06g) 을 메탄올 30㎖ 에 첨가하여 가열 혼합한 후, 하룻밤 방치하였다. 하룻밤 방치한 혼합액을 여과·진공 건조시킴으로써 포접체 (1:2 포접체) 를 얻었다 (3.16g).
2-헵타데실이미다졸만의 열분석 (TG-DTA) 차트를 도 14 에 나타내고, 얻어진 포접 결정의 열분석 (TG-DTA) 차트를 도 15 에 나타낸다. 도 15 의 차트에 있어서 2-헵타데실이미다졸의 융점이 관측되지 않았기 때문에, 얻어진 물질은 포접체인 것으로 생각된다.
또한, 2-헵타데실이미다졸과 에폭시 수지의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트를 도 16 에 나타내고, 얻어진 포접체와 에폭시 수지의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트를 도 17 에 나타낸다. 도 16 과 도 17 에서는 분명히 피크가 상이하여, 포접된 것에 의한 차이를 확인할 수 있었다.
또, DSC 는 비스페놀 A 형 에폭시 수지(YD-128) 에 대하여 이미다졸이 4% 가 되도록 혼합하여 측정한 것이다.
[비교예 1]
실시예 1 과 동일하게, 2-에틸-4-메틸이미다졸 (2E4MZ) 의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트 및 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 측정하였다.
[비교예 2]
1,1,2,2-테트라키스(4-히드록시페닐)에탄 (TEP) 125mmol (49.8g) 의 메탄올 용액 (200㎖) 을 가열 환류하고, 거기에 2-에틸-4-메틸이미다졸 267mmol (29.4g) 의 메탄올 용액 (20㎖) 을 적하하였다. 1 시간 교반 후 가열을 멈추고, 하룻밤 방치하였다. 그 후, 혼합액을 여과·진공 건조시킴으로써 포접체 (TEP-2E4MZ) 54.6g 을 얻었다. 실시예 1 과 동일하게, 얻어진 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트 및 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 측정하였다.
[비교예 3]
이소프탈산 15mmol (2.5g), 2-에틸-4-메틸이미다졸 16.5mmol (1.8g) 을 메탄올 15㎖ 에 가열 용해시킨 후, 하룻밤 방치하고, 석출된 결정을 여과·진공 건조시켜 포접체 (이소프탈산-2E4MZ) 1.8g 을 얻었다. 실시예 1 과 동일하게, 얻어진 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트 및 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 측정하였다.
[비교예 4]
테레프탈산 5mmol (0.8g), 2-에틸-4-메틸이미다졸 10mmol (1.1g) 을 메탄올 15㎖ 에 가열 용해시킨 후, 하룻밤 방치하고, 석출된 결정을 여과·진공 건조시켜 포접체 (테레프탈산-2E4MZ) 를 얻었다. 실시예 1 과 동일하게, 얻어진 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트 및 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 측정하였다.
[비교예 5]
실시예 1 과 동일하게, 2-메틸이미다졸 (2MZ) 의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트 및 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 측정하였다.
[비교예 6]
1,1,2,2-테트라키스(4-히드록시페닐)에탄 (TEP) 75.0g, 2-메틸이미다졸 31.0g, 아세트산에틸 300㎖ 를 혼합하고, 가열 환류를 3 시간 실시하였다. 그 후, 하룻밤 방랭한 후, 얻어진 침전물을 여과·진공 건조시켜 포접체 (TEP-2MZ) 95g 을 얻었다. 실시예 1 과 동일하게, 얻어진 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트 및 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 측정하였다.
[비교예 7]
3,5-디히드록시벤조산 10mmol (1.5g), 2-메틸이미다졸 10mmol (0.8g) 을 메탄올 50㎖ 에 가열 용해시킨 후, 하룻밤 방치하고, 석출된 결정을 여과·진공 건조시켜 포접체 (3,5-디히드록시벤조산-2MZ) 를 얻었다. 실시예 1 과 동일하게, 얻어진 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트 및 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 측정하였다.
[비교예 8]
이소프탈산 15mmol (2.5g), 2-메틸이미다졸 16.5mmol (1.4g) 을 메탄올 20㎖ 에 가열하여 혼합시킨 후, 하룻밤 방치하고, 침전물을 여과·진공 건조시켜 포접체 (이소프탈산-2MZ) 2.8g 을 얻었다. 실시예 1 과 동일하게, 얻어진 포접체의 온도 변화에 따른 열분석 (DSC) 차트 및 온도 고정 (80℃) 에서의 열분석 (DSC) 차트를 측정하였다.
이하, 도 2 (실시예 1), 도 5 (실시예 2), 및 도 8 (실시예 4) 에 나타낸 차트로부터 반응 개시 온도, 피크 톱, 반응 종료 온도를 판독하여 그래프로 한 것, 및 비교예의 동일한 그래프를 표 1 에 나타낸다.
도면 및 표 1 로부터, 실시예에 관련된 포접체는 반응 개시 온도가 높아져 있음을 확인할 수 있고, 이것에 의해, 1 액 안정성이 향상되어 있음을 알 수 있다. 또한, 실시예에 관련된 포접체는 반응 개시로부터 피크 톱까지의 온도차가 작고, 이것에 의해, 에폭시 고리의 반응성이 높아져 있는 것으로 생각된다.
또한, 도 3 (실시예 1), 도 6 (실시예 2), 및 도 9 (실시예 4) 에 나타낸 차트로부터 반응 개시 시간, 피크 톱, 반응 종료 시간을 판독하여 그래프로 한 것, 및 비교예의 동일한 그래프를 표 2 에 나타낸다.
온도 고정한 80℃ 는 에폭시 수지와 포접체의 혼합시의 일반적인 온도로, 이 온도에서의 반응의 진행을 억제하는 것이 매우 중요해진다. 도면 및 표 2 로부터, 실시예에 관련된 포접체는 반응 개시 및 반응 피크까지의 시간이 매우 길어져, 1 액 안정성은 매우 높은 것을 알 수 있다.
Claims (17)
- 식 (I)
[식 중, R1 은 C1～C6 의 알킬기, C1～C6 의 알콕시기, 니트로기 또는 수산기를 나타낸다.] 로 나타내는 이소프탈산 화합물과, 식 (II)
[식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 시아노에틸기를 나타내고, R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 C1～C20 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C20 의 아실기를 나타낸다.] 로 나타내는 이미다졸 화합물을 함유하는 포접 화합물로서,상기 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이 호스트 화합물이고, 상기 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물이 게스트 화합물인 것을 특징으로 하는 포접 화합물. - 제 1 항에 있어서,식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이 5-t-부틸이소프탈산 또는 5-니트로이소프탈산인 것을 특징으로 하는 포접 화합물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물이 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸 또는 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸인 것을 특징으로 하는 포접 화합물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,식 (II) 의 R2 가 수소 원자인 것을 특징으로 하는 포접 화합물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,분체상인 것을 특징으로 하는 포접 화합물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 포접 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지용 경화 촉매.
- 하기 (A) 성분과 (B) 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지 형성용 조성물:(A) 에폭시 수지(B) 식 (I)
[식 중, R1 은 C1～C6 의 알킬기, C1～C6 의 알콕시기, 니트로기 또는 수산기를 나타낸다.] 로 나타내는 이소프탈산 화합물과, 식 (II)
[식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 시아노에틸기를 나타내고, R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 C1～C20 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C20 의 아실기를 나타낸다.] 로 나타내는 이미다졸 화합물을 함유하고, 상기 식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이 호스트 화합물이고, 상기 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물이 게스트 화합물인 포접 화합물. - 제 7 항에 있어서,(A) 성분인 에폭시 수지의 에폭시 고리 1 몰에 대하여, (B) 성분 중의 식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 0.01～1.0 몰 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지 형성용 조성물.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,식 (I) 로 나타내는 이소프탈산 화합물이 5-t-부틸이소프탈산 또는 5-니트로이소프탈산인 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지 형성용 조성물.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,식 (II) 로 나타내는 이미다졸 화합물이 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸 또는 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸인 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지 형성용 조성물.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 기재된 에폭시 경화 수지 형성용 조성물을 가열 처리하여 경화시키는 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,가열 처리의 가열 온도가 60～250℃ 인 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수 지의 제조 방법.
- 제 11 항의 제조 방법에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 에폭시 경화 수지.
- 제 1 항에 있어서,적어도, 식 (I)
[식 중, R1 은 C1～C6 의 알킬기, C1～C6 의 알콕시기, 니트로기 또는 수산기를 나타낸다.] 로 나타내는 이소프탈산 화합물과, 식 (II)
[식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 시아노에틸기를 나타내고, 치환기를 가져도 되는 R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, C1～C20 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C20 의 아실기를 나타낸다.] 로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매에 용해 또는 현탁하여 가열한 후, 얻어지는 포접 화합물. - 제 14 항에 있어서,가열 후, 추가로 결정화시켜 얻어지는 포접 화합물.
- 식 (I)
[식 중, R1 은 니트로기, C1~C6 의 알킬기, C1~C6 의 알콕시기 또는 수산기를 나타낸다.] 로 나타내는 호스트 화합물과 식 (II)
[식 중, R2 는 수소 원자, C1～C10 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 시아노에틸기를 나타내고, 치환기를 가져도 되는 R3～R5 는 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 할로겐 원자, C1～C20 의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 C1～C20 의 아실기를 나타낸다.] 로 나타내는 게스트 화합물을, 용매에 용해 또는 현탁하여 가열하는 공정을 포함하는 포접 화합물의 제조 방법. - 삭제
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