KR101155402B1 - 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

종래에 비해 효율적으로 세정 작업을 행할 수 있고, 또한 높은 세정 효과를 얻을 수 있는 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법을 제공한다. 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)는 순수(純水)로부터 순수 스팀을 생성하는 순수 스팀 생성 용기(2)와, 순수 스팀을 피세정 부위로 공급하는 공급구(5)와, 순수 스팀 생성 용기와 공급구를 접속시키는 공급 라인(4)과, 세정에 사용된 사용 완료 스팀을 피세정 부위로부터 회수하는 회수구(6)와, 사용 완료 스팀을 응축시켜 회수하는 회수 용기(8)와, 회수구(6)와 회수 용기(8)를 접속시키는 회수 라인(7)을 구비하고 있다.

Description

반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법{CLEANING DEVICE AND CLEANING METHOD OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등을 처리하여 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 장치를 세정하는 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 장치의 제조 공정에서는 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하여 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 장치가 사용되고 있다. 이러한 반도체 제조 장치, 예를 들면 성막 장치 또는 에칭 장치에서는 처리에 의해 반도체 웨이퍼 등을 처리하는 처리 챔버 내 등이 퇴적물 또는 파티클 등에 의해 오염되는 경우가 있다. 이 때문에, 유지 보수 시 등에 있어서 반도체 제조 장치의 세정이 행해지고 있다.
상기와 같은 반도체 제조 장치의 세정은 에탄올 등을 이용한 천에 의한 닦아내기, 마른 걸레질 등에 의해 작업원이 수작업으로 행하는 경우가 많다. 또한, 부재(部材)를 분리하여 세정하는 경우에는 에어 제트 세정 또는 초음파 세정에 의해 세정을 행하는 방법도 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1 : 일본특허공개공보 2003－273078호
상기한 바와 같이, 종래에는 부직포에 의한 닦아내기 등에 의해 반도체 제조 장치의 세정을 행하고 있다. 그러나, 이러한 세정 방법으로는 수작업으로 닦아내기를 행하기 때문에 작업자에 따라 세정 효과가 일정하지 못하고, 정량적인 세정 효과를 얻기 어렵다고 하는 과제가 있었다. 또한, 장치 내의 손이 닿지 않는 장소 또는 매우 좁은 장소, 요철이 있는 장소 등에 대해서는 세정이 불충분하게 되어 세정 직후임에도 불구하고 파티클이 발생하는 경우가 있다고 하는 과제가 있었다. 또한, 닦아내기에 따라서는 2 차 오염이 발생하는 경우가 있고, 사람이 직접 퇴적물 등에 접하기 때문에 위험하다고 하는 과제도 있었다.
또한, 초음파 세정 또는 에어 제트 세정에 의해 세정을 행하는 경우는 부재를 분리하여 행해야 하므로 세정 작업에 시간과 수고를 필요로 한다는 과제가 있다.
본 발명은 상기 종래의 사정에 대처하여 이루어진 것으로, 종래에 비해 효과적으로 세정 작업을 행할 수 있고, 또한, 높은 세정 효과를 얻을 수 있는 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법을 제공하고자 하는 것이다.
청구항 1의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 순수(純水)로부터 순수 스팀을 생성하는 순수 스팀 생성 용기와, 순수 스팀을 피세정 부위로 공급하는 공급구와, 상기 순수 스팀 생성 용기와 상기 공급구를 접속시키는 공급 라인과, 상기 공급구의 주위에 설치되고, 세정에 사용된 사용 완료 스팀을 피세정 부위로부터 회수하는 회수구와, 사용 완료 스팀을 응축시켜 회수하는 회수 용기와, 상기 회수구와 상기 회수 용기를 접속하는 회수 라인을 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 1에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 회수구는, 통 형상 부재의 개구단의 측벽부의 일부가 역 V 자 형상으로 돌출된 볼록 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 3의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 1에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 회수구는, 통 형상 부재의 개구단의 대향하는 측벽부의 일부가 V 자 형상으로 함몰된 오목 형상으로 되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 4의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 1에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 회수구는, 적어도 개구부의 주위가 탄성 부재에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 5의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 1 ~ 4 중 어느 한 항에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 공급 라인 및 상기 회수 라인은, 상기 공급구측 및 상기 회수구측의 일부에서 이중 배관 구조인 것을 특징으로 한다.
청구항 6의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 1 ~ 5 중 어느 한 항에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 공급 라인은, 순수 스팀과의 접촉면이 수지로 되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 7의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 1 ~ 6 중 어느 한 항에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 공급 라인은, 순수 스팀과의 접촉부 또는 비접촉면이 도전성 재료로 되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 8의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 1 ~ 7 중 어느 한 항에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 순수 스팀 생성 용기는, 하반부 영역에 순수 스팀을 발생시키기 위한 히터가 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 9의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 8 항에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 순수 스팀 생성 용기는, 하반부 영역에 순수를 저수(貯水) 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 10의 반도체 제조 장치의 세정 장치는, 청구항 1 ~ 9 중 어느 한 항에 기재된 반도체 제조 장치의 세정 장치로서, 상기 순수 스팀 생성 용기는, 순수와의 접촉면이 수지에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 11의 반도체 제조 장치의 세정 방법은, 반도체 제조 장치의 세정 방법으로서, 순수 스팀 생성 용기에서 순수로부터 순수 스팀을 생성하는 공정과, 공급 라인에 의해 상기 순수 스팀 생성 용기로부터 공급구로 순수 스팀을 공급하는 공정과, 상기 공급구로부터 순수 스팀을 피세정 부위로 공급하는 공정과, 상기 공급구의 주위에 설치된 회수구에 의해 피세정 부위로부터 세정에 사용된 사용 완료 스팀을 회수하는 공정과, 회수 라인에 의해 상기 회수구로부터 회수 용기로 사용 완료 스팀을 회수하는 공정과, 상기 회수 용기에서 사용 완료 스팀을 응축시키는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 종래에 비해 효율적으로 세정 작업을 행할 수 있고, 또한 높은 세정 효과를 얻을 수 있는 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법의 상세를 도면을 참조하여 실시예에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정 장치의 구성을 도시하는 것이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)는 내부에 기기를 수용하기 위한 케이스(1)를 구비하고 있다. 이 케이스(1) 내에는 순수(초순수(超純水)를 포함한다)로부터 순수 스팀을 생성하는 순수 스팀 생성 용기(2)가 설치되어 있다.
상기 순수 스팀 생성 용기(2)는 고온 고압의 순수 스팀을 수용하기 위하여, 예를 들면 스테인리스 스틸 등의 금속으로 구성되어 있다. 또한, 금속 이온 등의 불순물의 혼입을 막기 위해, 순수 스팀 생성 용기(2) 내의 순수 및 순수 스팀과의 접촉면은 수지에 의해 구성되어 있다. 이와 같이, 순수 및 순수 스팀과의 접촉면을 수지에 의해 구성하는 방법으로는 순수 스팀 생성 용기(2) 내에 수지의 코팅을 행하는 방법을 사용할 수 있다. 이러한 수지로는, 예를 들면 PEEK(상품명(폴리에테르 에테르 케톤)), PFA(퍼플루오르 알콕시 알칸) 등을 사용할 수 있다. 그 외의 방법으로서 전해(電解) 연마 또는 화학 연마를 이용해도 좋다.
도 2에 도시한 바와 같이, 상기 순수 스팀 생성 용기(2) 내에는 히터(2a)가 설치되어 있다. 이 히터(2a)는 순수 스팀 생성 용기(2) 내의 하반부에 위치하도록 순수 스팀 생성 용기(2)의 저부(低部) 근방에 배치되어 있다. 그리고, 히터(2a)에 급전하기 위한 급전부(2b)는 순수 스팀 생성 용기(2)의 상부로부터 외부로 도출되어 있다. 이와 같이, 급전부(2b)를 순수 스팀 생성 용기(2)의 상부로부터 외부로 도출하는 구조로 함으로써, 히터(발열부)(2a)를 무리 없이 순수 스팀 생성 용기(2) 내의 저부 근방에 보다 잘 배치할 수 있다. 히터(2a)는 고온, 예를 들면 150℃ 정도로 발열하고, 순수 스팀 생성 용기(2) 내의 순수로부터 순수 스팀을 발생시킨다.
도 1에 도시한 바와 같이, 상기 순수 스팀 생성 용기(2)에는 순수 탱크(3)가 접속되어 있고, 이 순수 탱크(3)로부터 순수 스팀 생성 용기(2) 내로 순수가 공급되도록 되어 있다. 또한, 순수 스팀 생성 용기(2)의 상부에는 공급 라인(4)의 일단(一端)이 접속되어 있고, 이 공급 라인(4)의 타단에는 순수 스팀을 피세정 부위로 공급하기 위한 공급구(5)가 설치되어 있다.
상기 공급 라인(4)은 가요성(可撓性)을 가지는 원환 형상의 부재로 구성되어 있고, 이 내부를 순수 스팀이 유통(流通)하게 되어 있다. 또한, 금속 이온 등의 불순물의 혼입을 막기 위해, 이 공급 라인(4) 내의 순수 스팀과의 접촉면은 수지제(본 실시예에서는 PFA제)로 되어 있다. 본 실시예에서는, 공급 라인(4)은, 도 3에 도시한 바와 같이 수지제의 측벽부(4a)의 외측에 도전성 부재(본 실시예에서는 도전성 PFA)로 이루어지는 도전층(4b)을 배치한 구조로 되어 있고, 이 도전층(4b)은 접지 전위에 접속되어 있다. 또한, 공급 라인(4)의 외측에는 후술하는 회수 라 인(7)이 설치되고 이중 관 구조로 되어 있다.
상기 도전층(4b)은 공급 라인(4) 내를 유통하는 순수 스팀에 의해 발생한 정전기에 의해 공급 라인(4)이 대전(帶電)하는 것을 방지하기 위한 것이다. 본 실시예에서는, 공급 라인(4)을 구성하는 튜브로서 나플론 PFA-NE 튜브(상품명：니치아스 사(Nichias Corp) 제품)를 사용했다. 이러한 대전 방지 대책이 세워져 있지 않으면, 정전기의 대전에 의해 후술하는 제어 유닛(10)에 오작동이 발생하거나, 작업원이 만졌을 때에 정전기의 방전이 일어나는 등의 문제가 생긴다.
도 1에 도시한 바와 같이, 상기 공급구(5)의 주위에는 공급구(5)보다 선단측으로 돌출되도록 회수구(6)가 설치되어 있다. 이 회수구(6)는 피세정부에 공급되어 세정에 사용된 사용 완료 스팀을 회수하고 또한, 피세정부로부터 세정에 의해 박리된 박리물을 회수하기 위한 것이다. 이 회수구(6)의 부분은, 공급 라인(4)의 외측에 회수 라인(7)이 설치된 이중 관 구조로 되어 있다. 이 회수 라인(7)은 가요성을 가지는 재료로 구성되어 있으며, 이중 관 구조의 부분에 있어서도 플렉시블하게 굴곡할 수 있도록 되어 있다. 또한, 사용 완료 스팀의 회수 과정에서도 정전기의 축적이 없도록, 회수 라인(7)은 도전성 재료로 구성되어 있다. 본 실시예에서는, 회수 라인(7)을 구성하는 튜브로서 TAC 덕트 AS(상품명: 토타쿠 공업사(東拓工業社(TOTAKU INDUSTRIES, INC.)) 제품)를 사용했다.
상기 회수구(6)는 순수 스팀을 피세정 부위로 공급하면서 세정을 실시할 때에 피세정 부위의 형상에 따라 그 형태가 어느 정도 변형되도록, 가요성을 가지는 수지제의 원통 형상 부재로 구성되어 있다. 또한, 이 회수구(6)의 부분은 세정 대 상인 반도체 제조 장치의 처리 챔버 내 등에 직접 접촉되는 부위이므로, 처리 챔버 등에 흠집을 내지 않도록 유연하고, 또한, 불순물에 의한 오염 또는 파티클에 의한 오염을 방지할 수 있는 재료로 구성할 필요가 있다.
상기 회수 라인(7)의 종단은 케이스(1) 내에 설치된 회수 용기(8)에 접속되어 있다. 이 회수 용기(8)는 회수된 세정 후의 순수 스팀을 응축시켜 물로 되돌리고 이 물을 저장하기 위한 것이다. 이 회수 용기(8)에는 순수 스팀을 회수하기 위한 흡인원이 되는 진공 클리너(9)가 접속되어 있다.
진공 클리너(9)의 입구측에는 입구측 필터(9a)가 설치되어 있으며, 세정에 의해 제거된 파티클 등이 진공 클리너(9)측으로 진입하는 것을 방지하도록 되어 있다. 또한, 진공 클리너(9)의 출구측에는 출구측 필터(9b)가 설치되어 있으며, 파티클 등이 클린 룸 내로 분산되는 것을 방지하도록 되어 있다. 또한, 진공 클리너(9)의 출구측의 배기구(9c)는 클린 룸의 배기 경로에 접속 가능하도록 되어 있다.
또한, 케이스(1)의 상부에는 전술한 제어부(10)가 설치되어 있으며, 상기한 각 부의 동작을 제어하도록 되어 있다.
상기 구성의 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)를 이용하여 반도체 제조 장치의 세정을 행하는 경우, 도 4의 순서도에 나타낸 바와 같이, 이하와 같이 하여 세정을 행한다.
미리 순수 탱크(3)로부터 순수 스팀 생성 용기(2)로 순수를 공급하여, 히터(2a)로 가열함으로써 순수로부터 순수 스팀을 생성하고, 이 순수 스팀이 순수 스팀 생성 용기(2) 내에 축적된 상태로 둔다(201).
다음으로, 회수구(6)를 반도체 제조 장치의 피세정 부위에 압압(押壓)한 상태로, 순수 스팀 생성 용기(2)로부터의 순수 스팀의 공급을 행한다. 이 때, 순수 스팀 생성 용기(2) 내에서 발생하여 순수 스팀 생성 용기(2) 내에 축적되어 있던 순수 스팀은 순수 스팀 생성 용기(2) 내로부터 공급 라인(4)을 통과하여 공급구(5)로 공급되고(202), 공급구(5)로부터 피세정부를 향하여 공급된다(203). 이 순수 스팀의 분사에 의해 피세정부에 부착된 퇴적물, 파티클 등이 제거된다.
그리고, 이들 피세정부로부터 박리된 퇴적물, 파티클 등은 피세정부로부터 회수구(6)에 의해 세정에 사용된 사용 완료 스팀과 함께 회수된다(204).
이어서, 사용 완료 스팀 및 피세정부로부터 박리된 퇴적물, 파티클 등은 회수 라인(7)에 의해 회수구(6)로부터 회수 용기(8) 내로 회수된다(205).
다음으로, 회수 용기(8) 내로 회수된 사용 완료 스팀은 이 회수 용기(8) 내에서 냉각되어 응축된다(206). 그리고, 응축된 물은 회수 용기(8) 내에 저장된다. 또한, 피세정부로부터 박리된 퇴적물, 파티클 등도 이 회수 용기(8) 내에 저장된다.
상기의 세정 작업을 행할 때, 도 5에 도시한 바와 같이, 평탄부를 세정하는 경우에는 피세정부와 접촉하는 개구단(開口端)의 형상이 평탄한 형상인 회수구(6a)를 사용한다. 또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 예를 들면 처리 챔버 내의 측벽부와 저부와의 코너부 등, 피세정면이 대략 직각으로 교차하고 있는 부위를 세정하는 경우에는, 피세정부와 접촉하는 개구단의 형상이, 통 형상 부재의 개구단의 측벽부의 일부가 역 V 자 형상으로 돌출된 볼록 형상으로 된 형상의 회수구(6b)를 사용한다. 또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 부재의 각부(角部) 등의 피세정면이 대략 270도로 교차하고 있는 부위를 세정하는 경우는 피세정부와 접촉하는 개구단의 형상이, 통 형상 부재의 개구단의 대향하는 측벽부의 일부가 V 자 형상으로 함몰된 오목 형상으로 되어 있는 형상의 회수구(6c)를 사용한다.
도 8은 석영제의 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 파티클을 제거하기 위한 세정을 상기 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)에 의해 행한 경우와, 알코올을 이용한 부직포에 의한 닦아내기에 의해 행한 경우의 세정 효과를 비교하여 나타낸 것이다. 도 8에서, 세로축은 석영제의 반도체 제조 장치의 부품에 부착되어 있던 단위 면적당 파티클 수를 나타내고 있고, 실선 A는 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)를 사용한 경우, 실선 B는 알코올을 이용한 부직포에 의한 닦아내기에 의해 행한 경우의 결과를 나타내고 있다. 세정은 합계 5 회 행하고, 세정마다 부품에 부착되어 있는 파티클 수를 카운트했다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)를 사용한 경우, 닦아내기에 의한 경우에 비해 한 자리수 정도 파티클 수를 감소시킬 수 있었다.
도 9는 반도체 제조 장치의 부품을 모의한 샘플(표면에 양극 산화 처리를 실시한 알루미늄제의 판재(30 mm × 30 mm × 2 mm))에 퇴적된 C4F8 가스의 플라즈마에 기인하는 퇴적물을 제거하기 위한 세정을, 상기 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)에 의해 행한 경우와, 알코올을 이용한 부직포에 의한 닦아내기에 의해 행한 경우의 세정 효과를 나타낸 것이다. 세정 효과의 비교는 EDX(에너 지 분산형 X선 분석 장치)에 의한 분석 결과에 의해 나타내고 있다. 도 9에서, (a)는 퇴적물의 퇴적 전, (b)는 퇴적물의 퇴적 직후, (c)는 알코올을 이용한 부직포에 의한 닦아내기 후, (d)는 상기 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)에 의한 세정 후의 결과를 나타내고 있다.
또한, 알코올을 이용한 부직포에 의한 닦아내기에서는 육안으로 퇴적물이 부직포에 부착되지 않게 될 때까지 세정을 행하고, 이 때의 세정 시간은 약 4 ~ 5분이었다. 한편, 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)에 의한 세정에서는 순수 스팀의 공급구(5)의 직경이 3 mm, 순수 스팀 생성 용기(2) 내의 설정 온도가 150℃, 순수 스팀의 공급구(5)와 샘플의 거리가 1 ~ 2 mm, 세정 시간은 30초이다.
도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이, 퇴적물의 퇴적 전에는 O의 피크와 Al의 피크가 높고, C의 피크, F의 피크 등은 낮다. 또한, (b)에 나타낸 바와 같이, 퇴적물의 퇴적 후에는 표면이 퇴적물로 덮이기 때문에, O의 피크와 Al의 피크는 낮아지고, C의 피크, F의 피크는 높아진다. 알코올을 이용한 부직포에 의한 닦아내기를 행한 경우, (c)에 나타낸 바와 같이, (b)에 비해 C의 피크, F의 피크는 낮고, O의 피크, Al의 피크는 높아지지만, 퇴적물의 퇴적 전인 (a)와는 명백하게 상이하다.
한편, 상기 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)에 의한 순수 스팀에 의한 세정을 행한 경우, (d)에 나타낸 바와 같이, (b)에 비해 C의 피크, F의 피크는 낮고, O의 피크, Al의 피크는 높아져, 퇴적물의 퇴적 전인 (a)와 대략 동일한 상태로 되었다. 이와 같이, 본 실시예에 따르면, 퇴적물 제거의 세정 효과가 종래 방법에 비해 명백하게 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 세정 시간도 종래 방법에 비해 몇 분의 1 정도로 단축할 수 있어 효율적으로 세정을 행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 도이다.
도 2는 도 1의 반도체 제조 장치의 세정 장치의 주요부 개략 구성을 도시하는 도이다.
도 3은 도 1의 반도체 제조 장치의 세정 장치의 주요부 개략 구성을 도시하는 도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 세정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 5는 도 1의 반도체 제조 장치의 세정 장치의 주요부의 개략 구성을 도시하는 도이다.
도 6은 도 1의 반도체 제조 장치의 세정 장치의 주요부의 개략 구성을 도시하는 도이다.
도 7은 도 1의 반도체 제조 장치의 세정 장치의 주요부의 개략 구성을 도시하는 도이다.
도 8은 도 1의 반도체 제조 장치의 세정 장치의 먼지 세정 효과를 조사한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 9는 도 1의 반도체 제조 장치의 세정 장치의 퇴적물 세정 효과를 조사한 결과를 나타내는 그래프이다.
부호의 설명
100 : 반도체 제조 장치의 세정 장치
1 : 케이스
2 : 순수 스팀 생성 용기
3 : 순수 탱크
4 : 공급 라인
5 : 공급구
6 : 회수구
7 : 회수 라인
8 : 회수 용기
9 : 진공 클리너
10 : 제어부

Claims (11)

  1. 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치로서,
    순수(純水)를 저수(貯水) 가능하고, 순수와의 접촉면이 수지에 의해 구성되어 있고, 순수로부터 순수 스팀을 생성하는 순수 스팀 생성 용기와,
    순수 스팀을 피세정 부위로 공급하는 공급구와,
    순수 스팀과의 접촉면이 수지에 의해 구성되어 있고, 상기 순수 스팀 생성 용기와 상기 공급구를 접속시키는 공급 라인과,
    상기 공급구의 주위에 설치되고, 세정에 사용된 사용 완료 스팀을 피세정 부위로부터 회수하는 회수구와,
    사용 완료 스팀을 응축시켜 회수하는 회수 용기와,
    상기 회수구와 상기 회수 용기를 접속시키는 회수 라인
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회수구는, 통 형상 부재의 개구단(開口端)이 역 V 자 형상으로 돌출된 볼록 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 회수구는, 통 형상 부재의 개구단이 V 자 형상으로 함몰된 오목 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 회수구는, 적어도 개구부의 주위가 탄성 부재에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급 라인 및 상기 회수 라인은, 상기 공급구측 및 상기 회수구측의 일부에서 이중 배관 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회수 용기는, 상기 사용 완료 스팀을 회수하기 위한 흡인원이 되는 진공 클리너와 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급 라인은, 순수 스팀과의 비접촉면이 도전성 재료로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 순수 스팀 생성 용기는, 하반부 영역에 순수 스팀을 발생시키기 위한 히터가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 진공 클리너는, 필터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 진공 클리너는, 클린 룸의 배기 경로에 접속 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 장치.
  11. 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 방법으로서,
    순수(純水)를 저수(貯水) 가능하게 되어 있고, 순수와의 접촉면이 수지에 의해 구성되어 있는 순수 스팀 생성 용기에서 순수로부터 순수 스팀을 생성하는 공정과,
    순수 스팀과의 접촉면이 수지에 의해 구성되어 있는 공급 라인에 의해 상기 순수 스팀 생성 용기로부터 공급구로 순수 스팀을 공급하는 공정과,
    상기 공급구로부터 순수 스팀을 피세정 부위로 공급하는 공정과,
    상기 공급구의 주위에 설치된 회수구에 의해 피세정 부위로부터 세정에 사용된 사용 완료 스팀을 회수하는 공정과,
    회수 라인에 의해 상기 회수구로부터 회수 용기로 사용 완료 스팀을 회수하는 공정과,
    상기 회수 용기에서 사용 완료 스팀을 응축시키는 공정
    을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 부품에 부착된 퇴적물 또는 파티클을 제거하는 세정 방법.
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