KR20020026693A - 반도체 공정의 습식 세정 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에서 웨이퍼를 습식 세정하기 위한 장치에 관한 것으로, 습식 세정 장치는 세정될 반도체 제품과 세정액이 수용되는 내조와, 내조로부터 오버 플로워되는 약액이 수용되는 외조, 외조에 수용된 약액을 내조로 순환시키기 위한 순환 라인 및 내조에 수용된 약액의 농도변화를 검출하기 위한 수단으로 이루어진다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에서 웨이퍼를 습식 세정하기 위한 장치에 관한 것이다.
현재 반도체 제조 공정에서는, 웨이퍼 상의 미립자 금속 불순물, 유기 오염물, 표면 피막, 파티클 등의 다양한 대상물을 제거하기 위하여 습식 세정 공정을수행하게 된다.
일반적으로 습식 세정 공정을 위한 습식 스테이션 설비의 세정액 순환은 내조에서 외조로 오버 플로워 되고, 외조에서 순환 펌프, 히터, 필터를 거쳐 다시 내조로 순환이 되는 방식으로 이루어진다.
이러한 습식 스테이션 설비에서는 세정액의 농도를 샘플링하기 위한 농도계가 설치된다. 기존의 습식 스테이션 설비에서는 웨이퍼의 세정 공정이 이루어지는 내조의 세정액을 샘플링하지 않고, 외조로 오버플로워 된 후 순환 라인으로 순환하는 세정액을 샘플링하여 모니터링 한다.
외조에서는 농도 및 레벨을 유지하기 위해서 웨이퍼 처리 전/후로 추가 공급 및 정량 공급이 이루어지고 있다. 이것은 고순도의 세정액이 외조로 서플라이 되고 외조에서는 바로 순환 라인을 거쳐서 내조로 공급이 되는 것이다. 그래서, 현행의 순환 라인에서 농도를 샘플링하면, 웨이퍼의 공정이 처리되는 세정액의 농도를 모니터링 하는 것이 아니고, 추가 및 정량 공급등으로 농도의 균일성이 좋지 못한 곳의 세정액을 모니터링 하게 되는 것이다.
결국, 세정액의 추가 및 정량 공급이 이루어지는 외조의 세정액을 모니터링 함으로써 농도 트랜드(trend)의 헌팅(hunting)이 심해지고 이를 웨이퍼가 처리되는 세정액의 조건으로 오판하여 실제로는 안정화된 농도의 세정액에서 웨이퍼가 공정 처리가 이루어지더라도 농도가 균일하지 못함으로 모니터링 되는 데이터의 신뢰성이 생기지 않는 것이다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 안정되고 신뢰성이 있는 세정액의 농도 데이터를 얻을 수 있도록 한 새로운 형태의 습식 세정 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 습식 세정 장치의 구성을 보인 개략도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
112 : 내조114 : 외조
116 : 순환 라인118 : 히터
120 : 공급 라인122 : 펌프
124 : 필터126 : 히터
130 : 농도 검출 수단 132 : 샘플링 라인
134 : 농도 검출 센서136 : 순환 펌프
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 습식 세정 장치는 세정될 반도체 제품과 세정액이 수용되는 내조와; 상기 내조로부터 오버 플로워되는 약액이 수용되는 외조와; 상기 외조에 수용된 약액을 내조로 순환시키기 위한 순환 라인 및; 상기 내조에 수용된 약액의 농도변화를 검출하기 위한 수단을 포함한다.
이와 같은 본 발명에서 상기 약액 농도 검출 수단은 상기 내조에 수용된 약액을 샘플링하기 위한 샘플링 라인 및; 상기 샘플링 라인상에 설치되는 농도 검출 센서 그리고 상기 샘플링 라인상에 설치되는 순환 펌프를 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에서 상기 샘플링 라인의 유입구는 내조에 연결되며, 배출구는 외조에 연결되어 내조로부터 외조로의 순환이 이루어진다.
이와 같은 본 발명에서 상기 순환 라인상에는 순환 펌프, 히터 그리고 필터가 설치될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 습식 세정 장치를 첨부된 도면 도 1에 의거하여 보다 상세히 설명하며, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 습식 세정 장치의 구성을 보인 개략도이다.
이를 참조하면, 웨이퍼가 로딩되어 습식 세정 공정을 수행하기 위한 습식 세정 장치(100)는 내조(112), 외조(114), 순환 라인(116), 농도 검출 수단(130)을 구비하고 있다.
상기 내조(112)에는 약액(세정액)이 수용된다. 상기 약액은 약액 공급 라인들(120)을 통해 공급된다. 상기 외조(114)는 상기 내조(112)로부터 오버 플로워되는 약액이 수용된다. 상기 내조(112)와 상기 외조(114) 상호간에는 약액을 순환시켜주는 순환 라인(116)이 설치된다. 상기 순환 라인(116)상에는 펌프(122)와 필터(124) 그리고 약액을 정정 온도로 가열시키기 위한 히터(126)가 설치되어 있다. 상기 내조(112)와 외조(114)에는 약액 레벨을 검출하는 레벨 센서들이 설치될 수 있다.
상기 농도 검출 수단(130)은 샘플링 라인(132)과 농도 검출 센서(134) 그리고 순환 펌프(136)로 이루어진다. 상기 샘플링 라인(132)은 상기 내조(112)의 약액이 외조(114)로 순환되도록 연결되어 있다. 상기 농도 검출 센서(134)는 상기 샘플링 라인(132)에 설치된다. 상기 순환 펌프(136)도 농도 검출 센서(134) 전 샘플링 라인(132)상에 설치된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 습식 세정 장치(100)에서는 웨이퍼의 세정 공정이 실질적으로 이루어지는 내조(112)의 약액을 샘플링하여 농도를 검출하여 모니터링 함으로써 보다 안정되고 신뢰성 있는 농도 변화 데이터를 얻을 수 있는 것이다.
이상에서, 본 발명에 따른 습식 세정 장치의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이와 같은 본 발명을 적용하면, 안정되고 신뢰성이 있는 세정액의 농도 데이터를 얻을 수 있는 이점이 있다.
Claims (6)
- 습식 세정 장치에 있어서:세정될 반도체 제품과 세정액이 수용되는 내조와;상기 내조로부터 오버 플로워되는 약액이 수용되는 외조와;상기 외조에 수용된 약액을 내조로 순환시키기 위한 순환 라인 및;상기 내조에 수용된 약액의 농도변화를 검출하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정의 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 약액 농도 검출 수단은 상기 내조에 수용된 약액을 샘플링하기 위한 샘플링 라인 및;상기 샘플링 라인상에 설치되는 농도 검출 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정의 세정 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 약액 농도 검출 수단은 상기 샘플링 라인상에 설치되는 순환 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정의 세정 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 샘플링 라인의 유입구는 내조에 연결되며, 배출구는 외조에 연결되어 내조로부터 외조로의 순환이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정의 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체제품은 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시 패널인 것을 특징으로 하는 반도체 공정의 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 순환 라인상에는 순환 펌프, 히터 그리고 필터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 공정의 세정 장치.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100895861B1 (ko) * | 2007-10-04 | 2009-05-06 | 세메스 주식회사 | 공정 용액 처리 방법 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
KR101155402B1 (ko) * | 2008-07-28 | 2012-06-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법 |
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2000
- 2000-10-02 KR KR1020000057925A patent/KR20020026693A/ko not_active Application Discontinuation
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KR101155402B1 (ko) * | 2008-07-28 | 2012-06-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법 |
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