CN101637766A - 半导体制造装置的清洗装置及清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体制造装置的清洗装置及清洗方法，能够进行比以往效率高的清洗作业，并且能够得到更好的清洗效果。所述半导体制造装置的清洗装置(100)具有由纯水生成纯水水蒸气的纯水水蒸气生成容器(2)、将纯水水蒸气供给到被清洗部位的供给口(5)、连接纯水水蒸气生成容器和供给口的供给管路(4)、从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的回收口(6)、将使用完毕水蒸气凝结并回收的回收容器(8)、以及连接回收口(6)和回收容器(8)的回收管路(7)。

Description

半导体制造装置的清洗装置及清洗方法
技术领域
本发明涉及一种对用于处理半导体晶片等而制造半导体器件的半导体制造装置进行清洗的半导体制造装置的清洗装置及清洗方法。
背景技术
迄今为止，半导体器件的制造工序中一直使用的是用于处理半导体晶片等基板而制造半导体器件的半导体制造装置。在这种半导体制造装置中，例如，在成膜装置及蚀刻装置中，在处理半导体晶片等的处理室内等由于处理有时被堆积物及微粒等污染。因此，在保养维护时等要进行半导体制造装置的清洗。
在上述这种半导体制造装置的清洗中，操作者往往通过使用沾有乙醇等的布进行擦拭、干擦等手工作业地进行。此外，还公知有在拆下部件进行清洗的情况下，通过喷气清洗、超声波清洗来进行清洗的方法(例如，参见专利文献1)。
专利文献1：日本特开2003-273078号公报
如上所述，以往，通过无纺布的擦拭等来进行半导体制造装置的清洗。然而，这种清洗方法存在下述问题：由于用手工作业进行擦拭，所以因操作者的不同清洗效果会产生差异，难以得到恒定的清洗效果。此外，还存在以下问题：对于装置内的手够不到的地方、微小的地方、有凹凸的地方等有时会出现清洗不充分，即使刚清洗之后也会产生微粒。另外，还存在以下问题：有时会因擦拭而产生二次污染，由于人直接接触到堆积物等，因而是危险的。
此外，在通过超声波清洗、喷气清洗来进行清洗的情况下，存在必须拆下部件而进行，清洗作业需要时间和功夫的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述以往的情况而做出的，其目的在于，提供一种与以往相比能够高效率地进行清洗作业，并且能够得到更好的清洗效果的半导体制造装置的清洗装置及清洗方法。
技术方案1的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，具有：纯水水蒸气生成容器，其由纯水生成纯水水蒸气；供给口，其将纯水水蒸气供给到被清洗部位；供给管路，其连接上述纯水水蒸气生成容器和上述供给口；回收口，其设置于上述供给口的周围，从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气；回收容器，其使使用完毕水蒸气凝结并回收；以及回收管路；其连接上述回收口和上述回收容器。
技术方案2的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1所述的半导体制造装置的清洗装置中，关于上述回收口，筒状部件的开口端的侧壁部的一部分为突出成倒V字形的凸形。
技术方案3的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1所述的半导体制造装置的清洗装置中，关于上述回收口，筒状部件的开口端的相对向的侧壁部的一部分为凹陷成V字形的凹形。
技术方案4的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述回收口的至少开口部的周围由弹性部件形成。
技术方案5的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至4中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述供给管路及上述回收管路在上述供给口侧和上述回收口侧的一部分是双重管路构造。
技术方案6的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至5中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述供给管路的与纯水水蒸气的接触面用树脂制成。
技术方案7的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至6中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述供给管路的与纯水水蒸气的接触部或非接触面用导电性材料制成。
技术方案8的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至7中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，关于上述纯水水蒸气生成容器，在下半部区域配置有用于产生纯水水蒸气的加热器。
技术方案9的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案8所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述纯水水蒸气生成容器被做成能够在下半部区域中贮存纯水。
技术方案10的半导体制造装置的清洗装置的特征在于，在技术方案1至9中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置中，上述纯水水蒸气生成容器的与纯水的接触面由树脂构成。
技术方案11的半导体制造装置的清洗方法的特征在于，具有：用纯水水蒸气生成容器将纯水生成纯水水蒸气的工序；通过供给管路将纯水水蒸气从上述纯水水蒸气生成容器供给到供给口的工序；将纯水水蒸气从上述供给口供给到被清洗部位的工序；通过设置于上述供给口的周围的回收口从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的工序；通过回收管路将使用完毕水蒸气从上述回收口回收到回收容器中的工序；以及用上述回收容器凝结使用完毕水蒸气的工序。
发明效果
本发明提供一种与以往相比能够高效率地进行清洗作业，并且能够得到好的清洗效果的半导体制造装置的清洗装置及清洗方法。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的半导体制造装置的清洗装置的简略构成的图。
图2是表示图1的半导体制造装置的清洗装置的主要部分的简略构成的图。
图3是表示图1的半导体制造装置的清洗装置的主要部分的简略构成的图。
图4是表示本发明的一实施方式的半导体制造装置的清洗方法的流程图。
图5是表示图1的半导体制造装置的清洗装置的主要部分的简略构成的图。
图6是表示图1的半导体制造装置的清洗装置的主要部分的简略构成的图。
图7是表示图1的半导体制造装置的清洗装置的主要部分的简略构成的图。
图8是表示对图1的半导体制造装置的清洗装置的灰尘的清洗效果进行调查的结果的曲线图。
图9是表示对图1的半导体制造装置的清洗装置的堆积物的清洗效果进行调查的结果的曲线图。
图中符号说明
100...半导体制造装置的清洗装置；1...外壳；2...纯水水蒸气生成容器；3...纯水罐；4...供给管路；5...供给口；6...回收口；7...回收管路；8...回收容器；9...真空吸尘器；10...控制部。
具体实施方式
下面，关于实施方式，参照附图对本发明的半导体制造装置的清洗装置及清洗方法进行详细的说明。
图1是表示本发明的一实施方式的半导体制造装置的清洗装置的构成的图。如图所示，半导体制造装置的清洗装置100具有用于在内部收纳机器的外壳1。在该外壳1内设置有根据纯水(含超纯水)生成纯水水蒸气的纯水水蒸气生成容器2。
上述纯水水蒸气生成容器2由于要收纳高温、高压的纯水水蒸气，所以用例如不锈钢等金属构成。此外，为了防止金属离子等杂质的混入，纯水水蒸气生成容器2内的与纯水及纯水水蒸气的接触面由树脂构成。这样，作为用树脂来构成与纯水及纯水水蒸气的接触面的方法，可以使用在纯水水蒸气生成容器2内涂覆树脂的方法。作为这种树脂，可以使用例如PEEK(商品名(聚醚醚酮))、PFA(全氟烷氧基烷烃)等。作为其他的方法，也可以使用电解研磨、化学研磨。
如图2所示，在上述纯水水蒸气生成容器2内设置有加热器2a。该加热器2a配置在纯水水蒸气生成容器2的底部附近，以使其位于纯水水蒸气生成容器2内的下半部。并且，用于给加热器2a供电的供电部2b从纯水水蒸气生成容器2的上部导出到外部。这样，通过采用将供电部2b从纯水水蒸气生成容器2的上部导出到外部的结构，可以容易地将加热器(发热部)2a配置到更靠近纯水水蒸气生成容器2内的底部附近。加热器2a发热至高温，例如150℃左右，使纯水水蒸气生成容器2内的纯水产生纯水水蒸气。
如图1所示，在上述纯水水蒸气生成容器2上连接有纯水罐3，使纯水从该纯水罐3供给到纯水水蒸气生成容器2内。此外，在纯水水蒸气生成容器2的上部连接有供给管路4的一端，在该供给管路4的另一端设置有用于将纯水水蒸气供给到被清洗部位的供给口5。
上述供给管路4由具有挠性的、圆环状的部件构成，纯水水蒸气可在其内部通过。此外，为了防止混入金属离子等杂质，上述供给管路4内与纯水水蒸气的接触面用树脂制成(本实施方式中是用PFA制成的)。在本实施方式中，供给管路4的结构如图3所示，在树脂制成的侧壁部4a的外侧配置了由导电性部件(本实施方式中是导电性PFA)构成的导电层4b，该导电层4b连接到接地电位。此外，在供给管路4的外侧设置有后述的回收管路7，形成双重管构造。
上述导电层4b是用来防止供给管路4因静电而带电的，所述静电由供给管路4内流通的纯水水蒸气产生。在本实施方式中，使用那福隆(Naflon)PFA-NE管子(商品名；霓佳斯(ニチアス)株式会社产品)作为构成供给管路4的管子。如果不采取这样的防带电措施，就会产生因为带有静电而在后述的控制单元10中引起误动作、或在操作员触摸时发生静电放电等问题。
如图1所示，在上述供给口5的周围设置有从供给口5突出到前端侧的回收口6。该回收口6用来回收被供给到被清洗部的、在清洗中使用后的使用完毕水蒸气，并从被清洗部回收通过清洗而剥离的剥离物。上述回收口6的一部分为在供给管路4的外侧设置有回收管路7的双重管构造。该回收管路7由具有挠性的材料构成，即使在双重管构造的部分中，也能够挠性地弯曲。此外，即使在回收使用完毕水蒸气的过程中，为了不蓄积静电，回收管路7由导电性材料构成。在本实施方式中，使用TAC-DUCT-AS(商品名：东拓工业株式会社产品)作为构成回收管路7的管子。
上述回收口6由具有挠性的树脂制成的圆筒状部件构成，以使在将纯水水蒸气一边供给到被清洗部位一边实施清洗时，其形状会对应被清洗部位的形状而发生一定程度的变形。此外，该回收口6的一部分因为是与作为清洗对象的半导体制造装置的处理室内等直接接触的部位，所以需要用柔软的不会划伤处理室等的、并且能够防止因杂质造成的污染以及因微粒造成的污染的材料构成。
上述回收管路7的终端连接在设置于外壳1内的回收容器8上。该回收容器8用来将被回收的清洗后的纯水水蒸气凝结、还原成水，并存储上述水。在上述处理容器8上连接有作为用来回收纯水水蒸气的吸引源的真空吸尘器9。
在真空吸尘器9的入口侧设置有入口侧过滤器9a，防止通过清洗而被除去的微粒等进入真空吸尘器9一侧。此外，在真空吸尘器9的出口侧设置有出口侧过滤器9b，防止微粒等散播到无尘室内。此外，真空吸尘器9的出口侧的排气口9c可与无尘室的排气路径连接。
此外，在外壳1的上部设置有上述控制部10，来控制上述各部分的活动。
用上述构成的半导体制造装置的清洗装置100清洗半导体制造装置时，如图4的流程图所示，按如下步骤进行清洗。
预先，将纯水从纯水罐3供给到纯水水蒸气生成容器2，通过用加热器2a的加热，由纯水生成纯水水蒸气，先使该纯水水蒸气处于蓄积于纯水水蒸气生成容器2内的状态(201)。
然后，在将回收口6按压到半导体制造装置的被清洗部位的状态下，供给来自纯水水蒸气生成容器2的纯水水蒸气。这时，在纯水水蒸气生成容器2内产生的、且蓄积于纯水水蒸气生成容器2内的纯水水蒸气从纯水水蒸气生成容器2内通过供给管路4被供给到供给口5(202)，再从供给口5供给到被清洗部(203)。通过上述纯水水蒸气的喷射，来去除附着于被清洗部的堆积物、微粒等。
并且，这些从被清洗部剥离的堆积物、微粒等与在清洗中使用后的使用完毕水蒸气一起从被清洗部被回收口6回收(204)。
接着，使用完毕水蒸气以及从被清洗部剥离的堆积物、微粒等通过回收管路7，被从回收口6回收到回收容器8内(205)。
接着，被回收到回收容器8内的使用完毕水蒸气在上述回收容器8内被冷却、凝结(206)。凝结后的水被贮存在回收容器8内。此外，从被清洗部剥离的堆积物、微粒等也贮存在该回收容器8内。
在进行上述清洗作业的时候，如图5所示，在清洗平坦部的情况下，使用与被清洗部抵接的开口端的形状为平坦形状的回收口6a。此外，如图6所示，例如，在对处理室内的侧壁部与底部的拐角部等被清洗面交叉成近似直角的部位进行清洗的情况下，使用与被清洗部抵接的开口端的形状即圆筒部件的开口端的侧壁部的一部分呈突出为倒V字形的凸形的形状的回收口6b。另外，如图7所示，在对部件的角部等被清洗面以大约270度交叉的部位进行清洗的情况下，使用与被清洗部抵接的开口端的形状即圆筒部件的开口端的相对向的侧壁部的一部分呈凹陷为V字状的凹形的形状的回收口6c。
图8是表示用上述实施方式的半导体制造装置的清洗装置100进行用于去除附着在石英制成的半导体制造装置的部件上的微粒的清洗的情况下、和通过用含酒精的无纺布的擦拭来进行上述清洗的情况下的清洗效果的比较的图。在该图中，纵轴表示附着在石英制成的半导体制造装置的部件上的每单位面积的微粒数量，实线A表示使用半导体制造装置的清洗装置100的情况下的结果，虚线B表示通过用含酒精的无纺布的擦拭来进行清洗的情况下的结果。清洗一共进行了5次，计数每次清洗后附着于部件上的微粒数。如该图所示，使用半导体制造装置的清洗装置100的情况能够比用擦拭的情况减少一个数量级的微粒数。
图9是表示用上述实施方式的半导体制造装置的清洗装置100和含酒精的无纺布的擦拭进行了用于去除堆积于模拟半导体制造装置的部件的试件(表面进行过阳极氧化处理的铝制板材(30mm×30mm×2mm))上的、因C4F8气体的等离子体而产生的堆积物(deposit)的清洗的情况下的清洗效果。清洗效果的比较，通过用EDX(能量弥散X射线分析装置)进行的分析结果来表示。在该图中，(a)表示堆积物堆积前的结果，(b)表示堆积物堆积之后的结果，(c)表示用含酒精的无纺布擦拭后的结果，(d)表示用上述实施方式的半导体制造装置的清洗装置100清洗后的结果。
此外，在用含酒精的无纺布进行擦拭中，清洗到肉眼看不出无纺布上有堆积物附着为止，这时的清洗时间为约4～5分钟。另一方面，在用半导体制造装置的清洗装置100进行清洗时，纯水水蒸气的供给口5的直径为3mm，纯水水蒸气生成容器2内的设定温度为150℃，纯水水蒸气的供给口5与试件之间的距离为1～2mm，清洗时间为30秒。
如图9(a)所示，在堆积物堆积前，O的峰值和Al的峰值较高，C的峰值、F的峰值等较低。此外，如图(b)所示，在堆积物堆积后，由于表面被堆积物覆盖，所以O的峰值和Al的峰值变低，C的峰值、F的峰值变高。在用含酒精的无纺布进行擦拭的情况下，如图(c)所示，与(b)相比C的峰值、F的峰值变低，O的峰值、Al的峰值变高，但是，与堆积物堆积前的(a)有显著的区别。
另一方面，在用上述实施方式的半导体制造装置的清洗装置100所产生的纯水水蒸气进行清洗的情况下，如图(d)所示，与(b)相比C的峰值、F的峰值变低，O的峰值、Al的峰值变高，成为与堆积物堆积前的(a)大致相同的状态。这样，可以可知，根据本实施方式，其去除堆积物的清洗效果明显比以往的方法优异。此外，清洗时间也能够缩短至以往方法的数分之一左右，能够高效地进行清洗。

Claims (11)

1.一种半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，具有：
纯水水蒸气生成容器，其由纯水生成纯水水蒸气；
供给口，其将纯水水蒸气供给到被清洗部位；
供给管路，其连接上述纯水水蒸气生成容器和上述供给口；
回收口，其设置于上述供给口的周围，从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气；
回收容器，其使使用完毕水蒸气凝结并回收；以及
回收管路；其连接上述回收口和上述回收容器。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，关于上述回收口，其筒状部件的开口端的侧壁部的一部分为突出成倒V字形的凸形。
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，关于上述回收口，筒状部件的开口端的相对向的侧壁部的一部分为凹陷成V字形的凹形。
4.根据权利要求1所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，关于上述回收口，至少其开口部的周围由弹性部件形成。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，上述供给管路及上述回收管路在上述供给口侧和上述回收口侧的一部分是双重管路构造。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，上述供给管路与纯水水蒸气的接触面用树脂制成。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，上述供给管路与纯水水蒸气的接触部或非接触面用导电性材料制成。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，关于上述纯水水蒸气生成容器，在下半部区域配置有用于产生纯水水蒸气的加热器。
9.根据权利要求8所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，上述纯水水蒸气生成容器做成为能够在下半部区域中贮存纯水。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的半导体制造装置的清洗装置，其特征在于，上述纯水水蒸气生成容器与纯水的接触面由树脂构成。
11.一种半导体制造装置的清洗方法，其特征在于，具有：
用纯水水蒸气生成容器将纯水生成纯水水蒸气的工序；
通过供给管路将纯水水蒸气从上述纯水水蒸气生成容器供给到供给口的工序；
将纯水水蒸气从上述供给口供给到被清洗部位的工序；
通过设置于上述供给口的周围的回收口从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的工序；
通过回收管路将使用完毕水蒸气从上述回收口回收到回收容器中的工序；以及
用上述回收容器使使用完毕的水蒸气凝结的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102698996A (zh) * 2012-05-30 2012-10-03 圣睿太阳能科技（镇江）有限公司 非晶硅薄膜太阳能电池pecvd基片装载箱清洁系统及清洁方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8790467B2 (en) * 2011-10-27 2014-07-29 The Boeing Company Vacuum steam cleaning apparatus and method
KR101373848B1 (ko) * 2012-10-18 2014-03-18 김성훈 웨이퍼라인 제조장치의 초청정 세정방법
KR101433770B1 (ko) * 2013-06-07 2014-08-27 (주)티티에스 세정 장치 및 세정 방법
KR102602309B1 (ko) 2021-08-04 2023-11-16 (주)아이엔티에스 반도체 패키지 칩 스팀 세정장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59193291A (ja) 1983-04-16 1984-11-01 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 電解方法及び電解槽
JPS59193291U (ja) * 1983-06-08 1984-12-21 森永乳業株式会社 モ−ルド内に残留する冷菓原料を回収する装置
JPS63151347A (ja) * 1986-12-17 1988-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薬液供給管
JPS6414599A (en) * 1987-07-03 1989-01-18 Junkosha Co Ltd Fluororesin tube heat exchanger
JPS6443384A (en) * 1987-08-12 1989-02-15 Hitachi Ltd Steam washing method and washer
JP2554588B2 (ja) * 1993-03-14 1996-11-13 日進工業株式会社 物体隅角部の洗滌・剥離方法とその装置
DE19545517C2 (de) * 1995-12-06 1998-12-03 Iren Dornier Dampfreinigungsvorrichtung
CN1223606A (zh) * 1996-04-24 1999-07-21 梅斯T·米亚萨基 用于清洁油槽及其它物体的内部的方法及装置
KR20020026693A (ko) * 2000-10-02 2002-04-12 윤종용 반도체 공정의 습식 세정 장치
US20030051742A1 (en) * 2001-04-19 2003-03-20 Boyers David G. Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution II
JP3958080B2 (ja) 2002-03-18 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法
JP3089151U (ja) * 2002-04-08 2002-10-11 イン タオ リウ 蒸気クリーナー
AU2002306085A1 (en) * 2002-05-03 2003-11-17 Novem International B.V. Device and method for steam cleaning of substrates with steam and cleaning agent
AU2003243974A1 (en) * 2002-06-25 2004-01-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing device
JP2004088065A (ja) * 2002-07-05 2004-03-18 Seiko Epson Corp 膜剥離装置および膜剥離方法
JP3889732B2 (ja) * 2003-07-30 2007-03-07 有限会社 川本技術研究所 吸引装置及びノズル装置
CN100475366C (zh) * 2003-09-08 2009-04-08 日本电产三协株式会社 洗净装置
JP2005286221A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007180442A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Toyota Industries Corp 半田付け用の容器及び半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102698996A (zh) * 2012-05-30 2012-10-03 圣睿太阳能科技（镇江）有限公司 非晶硅薄膜太阳能电池pecvd基片装载箱清洁系统及清洁方法

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