CN220796659U - 一种半导体工艺腔室及半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体处理设备，半导体工艺腔室包括：腔室本体；基座，设置于所述腔室本体内，用于承载晶圆；至少一个喷淋臂，设置于所述腔室本体内，用于在刻蚀时向所述晶圆喷射药液；内壁清洗件，设置于所述腔室本体内，用于在清洗时清洗所述腔室本体的内侧壁；与所述至少一个喷淋臂一一对应的清洗组件，设置于所述腔室本体内，用于在清洗时清洗对应的所述喷淋臂。本申请可以通过内壁清洗件对腔室本体的内侧壁进行清洗，通过清洗组件对相应的喷淋臂一一进行清洗，以去除污染颗粒，而不需要打开腔室本体对整个工艺腔室进行手动全面清洗，从而可以减少定期维护的频次，提高产能。

Description

一种半导体工艺腔室及半导体处理设备

技术领域

本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室及半导体处理设备。

背景技术

随着芯片制程逐渐向更高精度发展，芯片制造对刻蚀工艺洁净度的要求也越来越高。湿法刻蚀工艺中，高浓度药液使用越来越频繁，由于药液的溅射和汽化，即使微量的药液在工艺腔室(Chamber)内部附着/凝结，也会造成湿法刻蚀工艺微环境的污染。因此提升湿法刻蚀工艺微环境的洁净度越来越重要。

目前工艺腔室内部微环境的洁净度维护主要通过实时维护和定期维护两种方式。实时维护是指通过空气过滤单元(Fan Filter Unit，简称FFU)持续向工艺腔室内部吹送气体来进行。定期维护是指每隔一段时间(比如半个月)对工艺腔室进行一次预防性维护(Preventive Maintenance，简称PM)，具体是对整个工艺腔室进行手动全面清洗。

由于高浓度药液的溅射和雾化，会在工艺腔室内部附着/凝结，形成污染颗粒，空气过滤单元无法清洗这些污染颗粒，从而需要增加定期维护的频次，不仅费时费力，而且影响产能，从而增加了芯片制造成本。

实用新型内容

针对上述技术问题，本申请提供一种半导体工艺腔室及半导体处理设备，可以改善现有的半导体工艺腔室需要增加定期维护频次来清洗污染颗粒而使制造成本上升的问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种半导体工艺腔室，包括：

腔室本体；

基座，设置于所述腔室本体内，用于承载晶圆；

至少一个喷淋臂，设置于所述腔室本体内，用于在刻蚀时向所述晶圆喷射药液；

内壁清洗件，设置于所述腔室本体内，用于在清洗时清洗所述腔室本体的内侧壁；

与所述至少一个喷淋臂一一对应的清洗组件，设置于所述腔室本体内，用于在清洗时清洗对应的所述喷淋臂。

可选的，所述内壁清洗件包括：

第一管道；

多个第一喷嘴，设置于所述第一管道的管道壁上，用于向所述内侧壁喷水。

可选的，所述第一喷嘴由上至下喷水，并且喷水方向与所述内侧壁的夹角为15-60°。

可选的，所述清洗组件包括：

第二管道，设置于所述腔室本体内；

多个第二喷嘴，设置于所述第二管道的管道壁上，用于向对应的所述喷淋臂喷水；

第三管道，设置于所述腔室本体内；

多个第三喷嘴，设置于所述第三管道的管道壁上，用于对对应的所述喷淋臂进行吹气干燥。

可选的，所述第三管道与所述第二管道设置于所述喷淋臂的上方，并且并排设置。

可选的，所述喷淋臂包括：

驱动杆，设置于所述腔室本体内；

旋转杆，与所述驱动杆连接，并由所述驱动杆驱动在平行于所述腔室本体的顶壁的平面上旋转，并且所述旋转杆在初始状态下与所述第二管道的夹角为10-20°；

第四喷嘴，设置于所述旋转杆上，用于喷射所述药液。

可选的，所述驱动杆垂直设置在所述腔室本体的底壁上；

所述清洗组件靠近所述旋转杆的一侧设置，并且同时相切于所述第三管道与所述第二管道的平面至所述驱动杆的轴线的距离为15-45mm，其中，所述平面与所述轴线平行。

可选的，所述腔室本体包括相对设置的顶壁、底壁，以及连接所述顶壁和所述底壁的侧围壁，所述侧围壁包括依次连接的第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁，所述第四侧壁上设置有传递窗口；

所述喷淋臂设置有三个，分别为：

第一喷淋臂，在所述底壁上靠近所述第一侧壁设置，用于喷射第一药液；

第二喷淋臂，在所述底壁上靠近所述第二侧壁设置，用于喷射第二药液；

第三喷淋臂，在所述底壁上靠近所述第三侧壁设置，用于喷射第三药液；

所述清洗组件对应设置有三个，分别为：

第一清洗组件，在所述顶壁上靠近所述第一喷淋臂设置，用于清洗所述第一喷淋臂；

第二清洗组件，在所述顶壁上靠近所述第二喷淋臂设置，用于喷射第二药液；

第三清洗组件，在所述顶壁上靠近所述第三喷淋臂设置，用于喷射第三药液。

可选的，所述第一药液为去离子水；

所述内壁清洗件设置有两个，分别为：

第一内壁清洗件，在所述顶壁上靠近所述第二侧壁设置，用于清洗所述第二侧壁；

第二内壁清洗件，在所述顶壁上靠近所述第三侧壁设置，用于清洗所述第三侧壁。

第二方面，本申请实施例提供一种半导体处理设备，包括如上各实施例所述的半导体工艺腔室。

如上所述本申请的半导体工艺腔室，当进行一段时间的刻蚀工艺，喷淋臂表面和腔室本体的内侧壁出现高浓度药液凝结时，可以采用内壁清洗件对腔室本体的内侧壁进行清洗，采用清洗组件对相应的喷淋臂一一进行清洗，以去除污染颗粒，而不需要打开腔室本体对整个工艺腔室进行手动全面清洗，从而可以减少定期维护的频次，提高产能。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种半导体工艺腔室的结构示意图；

图2是图1的半导体工艺腔室拆卸清洗结构后的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种内壁清洗件的结构示意图，其中，3a为主视图，3b是仰视图，3c截面图；

图4是本申请实施例提供的一种清洗组件的结构示意图，其中，4a为主视图，4b是仰视图，4c截面图；

图5是本申请实施例提供的一种喷淋臂与清洗组件之间的位置关系示意图，其中，5a为5d中喷淋臂位于“旋转位置”时的右视图，5b为5d中喷淋臂位于“初始位置”时主视图，5c为5d中喷淋臂位于“初始位置”时的左视图，5d为俯视图；

图6是本申请实施例提供的一种第二喷淋臂与第二清洗组件之间的位置关系示意图，其中，6a为6d中喷淋臂位于“旋转位置”时的右视图，6b为6d中喷淋臂位于“初始位置”时主视图，6c为6d中喷淋臂位于“初始位置”时的左视图，6d为俯视图；

图7是本申请实施例提供的一种第三喷淋臂与第三清洗组件之间的位置关系示意图，其中，7a为左侧某一视觉图，7b为右视图，7c为后视图，7d为俯视图。

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。本申请使用的术语“或”、“和/或”、“包括以下至少一个”等可被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。例如，“包括以下至少一个：A、B、C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A和B和C”，再如，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A和B和C”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。

应当理解，尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本文范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。

应当理解的是，术语“顶”、“底”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

为了便于描述，以下各实施例中，均是以水平面和竖直方向形成的正交空间为例进行说明，该前提条件不应理解为对本申请的限制。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种半导体工艺腔室的结构示意图，为了更清楚体现内部结构，请同时参阅图2，图2是图1的半导体工艺腔室拆卸清洗结构后的结构示意图，该半导体工艺腔室包括腔室本体10，以及设置于腔室本体10内的基座20、至少一个喷淋臂30、与喷淋臂30一一对应的清洗组件50(可以包括50A、50B、50C)。

腔室本体10不限于图示的长方体形状，也可以是其他多面体、圆柱体或不规则形状，本实施例不做特别限定。基座20用于承载晶圆，基座20上可以设置机械卡盘，在工艺时可以将晶圆固定。喷淋臂30可以设置一个，也可以设置两个或两个以上，具体根据工艺需要进行设置，喷淋臂30用于在刻蚀时向晶圆喷射药液。内壁清洗件40(可以包括40A、40B)用于在清洗时清洗腔室本体10的内侧壁，内壁清洗件40的数量具体可以根据腔室本体10的形状以及内侧壁上产生污染颗粒的风险等级进行设置。清洗组件50与喷淋臂30一一对应，用于在清洗时清洗对应的喷淋臂30。比如图1中设置有三个喷淋臂(30A、30B、30C)，相应地可以设置三个清洗组件50(50A、50B、50C)。

本实施例的半导体工艺腔室，当进行一段时间的刻蚀工艺，喷淋臂30表面和腔室本体10的内侧壁出现高浓度药液凝结时，可以采用内壁清洗件40对腔室本体10的内侧壁进行清洗，采用清洗组件50对相应的喷淋臂30一一进行清洗，以去除污染颗粒，而不需要打开腔室本体10对整个工艺腔室进行手动全面清洗，从而可以减少定期维护的频次，提高产能。具体应用时可以每隔一段时间对喷淋臂30和腔室本体10的内侧壁进行一次清洗，比如每隔4小时开启一次内壁清洗件40和清洗组件50。此外还可以在腔室本体10的顶部设置空气过滤单元60，持续向工艺腔室内部吹送气体，以减少腔室本体10内空气中的污染颗粒。

作为一个示例，请继续参阅图1和图2，腔室本体10可以是长方体形状，具体包括相对设置的顶壁11、底壁12，以及连接顶壁11和底壁12的侧围壁，侧围壁包括依次连接的第一侧壁13、第二侧壁14、第三侧壁15和第四侧壁16，第四侧壁16上设置有传递窗口161，传递窗口161用于晶圆的进出传递。喷淋臂30设置有三个，其中，第一喷淋臂30A在底壁12上靠近第一侧壁13设置，用于喷射第一药液。第二喷淋臂30B在底壁12上靠近第二侧壁14设置，用于喷射第二药液。第三喷淋臂30C在底壁12上靠近第三侧壁15设置，用于喷射第三药液。清洗组件50也对应设置三个，其中，第一清洗组件50A在顶壁11上靠近第一喷淋臂30A设置，用于清洗第一喷淋臂30A。第二清洗组件50B在顶壁11上靠近第二喷淋臂30B设置，用于喷射第二药液。第三清洗组件50C在顶壁11上靠近第三喷淋臂30C设置，用于喷射第三药液。本实施例中，三个清洗组件50分别对三个喷淋臂30进行一对一清洗。

需要说明的是，第一药液、第二药液和第三药液根据不同的刻蚀工艺进行设置。比如，第一药液可以是去离子水(DIW)，此时，第一侧壁13上则不会产生高浓度药液凝结的情况，内壁清洗件40可以只设置两个，分别为第一内壁清洗件40A和第二内壁清洗件40B。其中，第一内壁清洗件40A在顶壁11上靠近第二侧壁14设置，用于清洗第二侧壁14。第二内壁清洗件40B在顶壁11上靠近第三侧壁15设置，用于清洗第三侧壁15，例如，需要清洗时可以通过第一内壁清洗件40A和第二内壁清洗件40B分别向对应的侧壁喷去离子水。

在一个实施例中，请参阅图3，图3是本申请实施例提供的一种内壁清洗件的结构示意图，其中，3a为主视图，3b是仰视图，3c截面图。该内壁清洗件40可以包括第一管道41和多个第一喷嘴42，第一喷嘴42设置于第一管道41的管道壁上，用于向内侧壁喷水。例如，所有第一喷嘴42可以沿第一管道41的轴线方向等间距排列设置，去离子水进入第一管道41后，可以从各第一管道41喷出，对腔室本体10的内侧壁进行清洗。

作为一个示例，请继续参阅图3中的3c，第一喷嘴42由上至下喷水，并且喷水方向与内侧壁的夹角为15-60°。比如上述夹角可以是15°、20°、30°、50°、60°，具体可以根据水压大小进行设置，以能够冲刷掉内侧壁上的污染颗粒并且不会造成水花飞溅为原则。第一管道41可以设置为可转动的，从而可以根据水压大小适应性调整喷水方向与内侧壁的夹角大小。作为一个示例，第一管道41和第一喷嘴42可以采用PFA(可熔性聚四氟乙烯)材质。

在一个实施例中，请参阅图4，图4是本申请实施例提供的一种清洗组件的结构示意图，其中，4a为主视图，4b是仰视图，4c截面图。清洗组件50可以包括第二管道51、多个第二喷嘴52、第三管道53以及多个第三喷嘴54。第二管道51和第三管道53均设置于腔室本体10内，第二喷嘴52设置于第二管道51的管道壁上，用于向对应的喷淋臂30喷去离子水，第三喷嘴54设置于第三管道53的管道壁上，用于对对应的喷淋臂30进行吹气干燥，吹出的气体可以是氮气。作为一个示例，请继续参阅图1和图4中的4b，第三管道53与第二管道51设置于喷淋臂30的上方，并且并排设置。

在一些示例中，第二管道51和第三管道53可以采用PFA(可熔性聚四氟乙烯)材质，管径可以是1/4英寸。第二喷嘴52和第三喷嘴54分别为等间距线性排布，并且分别与第二管道51和第三管道53垂直。第二喷嘴52和第三喷嘴54的材质也可以是PFA材质，管径可以是1/8英寸。

本实施例的清洗组件50，通过第二管道51和第二喷嘴52对喷淋臂30进行喷水清洗以去除喷淋臂30表面的污染颗粒，然后通过第三管道53和第三喷嘴54对喷淋臂30进行吹气干燥，避免残留的水汇聚，并在后续的刻蚀工艺中落到晶圆上造成污染。

在一个实施例中，请参阅图5，图5是本申请实施例提供的一种喷淋臂与清洗组件之间的位置关系示意图，其中，5a为5d中喷淋臂位于“旋转位置”时的右视图，5b为5d中喷淋臂位于“初始位置”时主视图，5c为5d中喷淋臂位于“初始位置”时的左视图，5d为俯视图。喷淋臂30可以包括驱动杆31、旋转杆32和第四喷嘴33。驱动杆31设置于腔室本体10内，旋转杆32与驱动杆31连接，并由驱动杆31驱动在平行于腔室本体10的顶壁的平面上旋转，并且旋转杆32在初始状态下与第二管道51的夹角θ为10-20°；第四喷嘴33设置于旋转杆32上，用于喷射药液。比如，旋转杆32在初始状态下与第二管道51的夹角θ可以是10°，在对喷淋臂30进行清洗时，可以控制喷淋臂30进行旋转，使清洗组件50可以从各个角度对喷淋臂30进行冲刷，增加冲刷面积，并且加速去离子水在喷淋臂30上的流动，然后进行吹气干燥。本实施例的喷淋臂可以对应于图1中第一喷淋臂30A，清洗组件可以对应于图1中第一清洗组件50A。

进一步地，请继续参阅图5中的5a，作为一个示例，驱动杆31可以垂直设置在腔室本体10的底壁上，清洗组件50靠近旋转杆32的一侧设置，并且同时相切于第三管道53与第二管道51的平面S至驱动杆31的轴线的距离d为15-45mm，其中，该平面S与驱动杆31的轴线平行。通过控制清洗组件50靠近旋转杆32一侧设置，并且控制清洗组件50与驱动杆31的距离，可以增大清洗组件50对整个喷淋臂30的冲洗面积。

请参阅图6，图6是本申请实施例提供的一种第二喷淋臂与第二清洗组件之间的位置关系示意图，其中，6a为6d中喷淋臂位于“旋转位置”时的右视图，6b为6d中喷淋臂位于“初始位置”时主视图，6c为6d中喷淋臂位于“初始位置”时的左视图，6d为俯视图；本实施例中，第二喷淋臂30B包括一个驱动杆31和两个旋转杆32，驱动杆31带动两个旋转杆32同步旋转。第二喷淋臂30B和第二清洗组件50B之间的位置关系可以参照前述实施例，本实施例不作赘述。

请参阅图7，图7是本申请实施例提供的一种第三喷淋臂与第三清洗组件之间的位置关系示意图，其中，7a为左侧某一视觉图，7b为右视图，7c为后视图，7d为俯视图。本实施例中，第三喷淋臂30C包括三个驱动杆31和三个旋转杆32，每个驱动杆31带动一个旋转杆32独立做旋转运动，互不干扰。第三喷淋臂30C和第三清洗组件50C之间的位置关系可以参照前述实施例，本实施例不作赘述。

在一个实施例中，本申请的半导体工艺腔室进行清洗维护时，可以先控制清洗组件50的喷水管路向喷淋臂30喷水，清洗组件50的管道流量可以是2L/min，喷水时，可以控制喷淋臂30匀速转动，以增加冲刷区域和加速水在喷淋臂30上的流动，待喷淋臂30的旋转杆32超出清洗组件50的冲刷范围后停止旋转，然后匀速转回初始位置，再从初始位置开始旋转，重复上述过程，直至喷水冲洗持续1min停止转动。间隔30s后，再次重复上述冲洗过程。如此循环5次，喷水冲洗完成。

喷水冲洗完成后，可以控制清洗组件50的吹气管路向喷淋臂30吹氮气，以对冲洗后的喷淋臂30进行干燥，避免残留的水汇聚，并在后续的刻蚀工艺中落到晶圆上造成污染。吹气时，可以同时控制喷淋臂30做旋转运动，旋转动作可以与喷水冲洗时相同。吹气干燥的时间可以设置为5min。

在一个实施例中，结合内壁清洗件40，对半导体工艺腔室进行清洗维护的作业流程可以是：首先控制清洗组件50对喷淋臂30进行冲水清洗，然后控制内壁清洗件40对腔室本体10的内侧壁进行喷水清洗，最后再控制清洗组件50的吹气管路对喷淋臂30进行吹气干燥。

需要说明的是，为减少杂质离子对晶圆的污染，本申请各实施例中，清洗所用的水可以选用去离子水。此外，由于腔室本体10的内侧壁上残余的水不会对晶圆带来污染的风险，因此，维护过程可以不用专门针对内侧壁进行吹气干燥。

本申请还提供了一种半导体处理设备，该半导体处理设备包括如上各实施例所述的半导体工艺腔室。比如，该半导体处理设备可以是是湿法单片刻蚀设备。

有关本实施例半导体处理设备的其他工作原理和过程，参见前述本发明实施例关于半导体工艺腔室的说明，此处不再赘述。

以上对本申请所提供的一种半导体工艺腔室及半导体处理设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述。需要说明的是，在本申请中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，本申请技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：

腔室本体；

基座，设置于所述腔室本体内，用于承载晶圆；

至少一个喷淋臂，设置于所述腔室本体内，用于在刻蚀时向所述晶圆喷射药液；

内壁清洗件，设置于所述腔室本体内，用于在清洗时清洗所述腔室本体的内侧壁；

与所述至少一个喷淋臂一一对应的清洗组件，设置于所述腔室本体内，用于在清洗时清洗对应的所述喷淋臂。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述内壁清洗件包括：

第一管道；

多个第一喷嘴，设置于所述第一管道的管道壁上，用于向所述内侧壁喷水。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一喷嘴由上至下喷水，并且喷水方向与所述内侧壁的夹角为15-60°。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述清洗组件包括：

第二管道，设置于所述腔室本体内；

多个第二喷嘴，设置于所述第二管道的管道壁上，用于向对应的所述喷淋臂喷水；

第三管道，设置于所述腔室本体内；

多个第三喷嘴，设置于所述第三管道的管道壁上，用于对对应的所述喷淋臂进行吹气干燥。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第三管道与所述第二管道设置于所述喷淋臂的上方，并且并排设置。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述喷淋臂包括：

驱动杆，设置于所述腔室本体内；

旋转杆，与所述驱动杆连接，并由所述驱动杆驱动在平行于所述腔室本体的顶壁的平面上旋转，并且所述旋转杆在初始状态下与所述第二管道的夹角为10-20°；

第四喷嘴，设置于所述旋转杆上，用于喷射所述药液。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述驱动杆垂直设置在所述腔室本体的底壁上；

所述清洗组件靠近所述旋转杆的一侧设置，并且同时相切于所述第三管道与所述第二管道的平面至所述驱动杆的轴线的距离为15-45mm，其中，所述平面与所述轴线平行。

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体包括相对设置的顶壁、底壁，以及连接所述顶壁和所述底壁的侧围壁，所述侧围壁包括依次连接的第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁，所述第四侧壁上设置有传递窗口；

所述喷淋臂设置有三个，分别为：

第一喷淋臂，在所述底壁上靠近所述第一侧壁设置，用于喷射第一药液；

第二喷淋臂，在所述底壁上靠近所述第二侧壁设置，用于喷射第二药液；

第三喷淋臂，在所述底壁上靠近所述第三侧壁设置，用于喷射第三药液；

所述清洗组件对应设置有三个，分别为：

第一清洗组件，在所述顶壁上靠近所述第一喷淋臂设置，用于清洗所述第一喷淋臂；

第二清洗组件，在所述顶壁上靠近所述第二喷淋臂设置，用于喷射第二药液；

第三清洗组件，在所述顶壁上靠近所述第三喷淋臂设置，用于喷射第三药液。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一药液为去离子水；

所述内壁清洗件设置有两个，分别为：

第一内壁清洗件，在所述顶壁上靠近所述第二侧壁设置，用于清洗所述第二侧壁；

第二内壁清洗件，在所述顶壁上靠近所述第三侧壁设置，用于清洗所述第三侧壁。

10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的半导体工艺腔室。