KR101121493B1 - 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2a 및 도 2b는 셀 전압과 메모리 셀에 저장된 디지털값 사이의 매핑을 전체적으로 나타낸다.
도 3a 및 도 3b는 멀티 레벨 셀 플래시 메모리로부터 데이터의 페이지를 판독하는 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 4는 플래시 메모리로부터 데이터의 페이지를 판독하는 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 6a 내지 도 6c는 대체 값 명령을 실행하는 동작의 예를 전체적으로 나타낸다.
도 7a 및 도 7b는 데이터를 플래시 메모리 페이지에 기입하는 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 8a 및 도 8b는 메모리 페이지의 셀 레졸루션을 조절하는 과정의 예들을 나타내는 흐름도이다.
도 9는 관리 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 10은 플래시 디스크 제어기에 논리적 어드레싱을 하는 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 NAND 플래시 메모리 다이의 외부에 위치한 전하 펌프와 아날로그 디지털 컨버터를 포함하는 시스템의 한 예를 나타낸다.
도 12는 NAND 플래시 메모리 다이에서 전원이 분리된 입력을 포함하는 시스템의 한 예를 나타낸다.
여러 도면에서 유사한 기호는 유사한 구성요소를 나타낸다.
Claims (25)
- 저장된 데이터 값들에서 새그(sag)를 조정하는 방법으로서,
복수의 메모리 셀에 전하를 인가하는 단계 - 메모리 셀 각각은 데이터 값에 대응하는 타겟 전압(target voltage)으로 충전되고, 상기 복수의 메모리 셀은 소정 전압으로 충전된 기준 셀을 포함함 - ;
상기 기준 셀에서 전압 레벨을 검출하는 단계;
메모리 셀들의 그룹으로부터 전압 레벨들을 검출하는 단계;
상기 기준 셀에서 검출된 전압 레벨 및 상기 소정 전압 간의 차이에 기초하여 조정을 수행하는 단계 - 상기 조정은 검출된 전압 레벨들을 정정된 전압 레벨들로 변환하는 정정 함수(correction function)에 대한 조정임 - ;
상기 메모리 셀들의 그룹으로부터 검출된 전압 레벨 각각에 대하여, 상기 검출된 전압 레벨을 나타내는 디지털 신호를 데이터 처리기에서 수신하는 단계;
상기 메모리 셀들의 그룹으로부터 검출된 전압 레벨들을 나타내는 상기 수신된 디지털 신호를 정정된 전압 레벨들을 나타내는 정정된 디지털 신호들로 변환하기 위하여, 조정된 상기 정정 함수를 상기 데이터 처리기에서 인가하는 단계; 및
선택 기준에 기초하여, 상기 정정된 전압 레벨들을 나타내는 상기 정정된 디지털 신호들을 가능한 데이터 값들의 그룹으로부터 선택된 디지털 데이터 값들로 변환하는 단계
를 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 메모리 셀은 메모리 셀들의 페이지를 포함하고, 상기 메모리 셀들의 페이지는 상기 메모리 셀들의 그룹을 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제2항에 있어서,
상기 메모리 셀들의 페이지는 상기 기준 셀을 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메모리 셀들의 그룹으로부터 검출된 전압 레벨들을 나타내는 상기 수신된 디지털 신호들을 정정된 전압 레벨들로 변환하기 위하여, 상기 조정된 정정 함수를 인가하는 단계는,
상기 검출된 전압 레벨들을 나타내는 아날로그 신호들을 상기 검출된 전압 레벨들을 나타내는 디지털 신호들로 변환하는 단계
를 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 선택 기준은 가능한 데이터 값 각각을 전압 레벨들의 복수의 비중첩 범위들(non-overlapping ranges) 중 하나의 범위에 관련시키는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
에러 검출 테스트를 수행하는 단계; 및
상기 에러 검출 테스트의 실패에 응답하여 제2 조정을 수행하는 단계
를 더 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 메모리 셀은 NAND 플래시 메모리 셀들을 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 메모리 셀은 NOR 플래시 메모리 셀들을 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 데이터 값 각각은 4비트보다 많은 비트를 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법.
- 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템으로서,
복수의 메모리 셀 - 메모리 셀 각각은 가능한 데이터 값들의 그룹으로부터 선택된 데이터 값을 나타내는 아날로그 전압에 대한 전하를 수신하고, 상기 복수의 메모리 셀은 소정 전압으로 충전된 기준 셀을 포함함 - ;
메모리 셀 각각에 대한 전압 레벨들을 검출하는 전압 검출기; 및
상기 기준 셀에 대하여 검출된 전압을 나타내는 디지털 신호 및 상기 소정 전압을 나타내는 디지털 신호에 부분적으로 기초한 정정 함수를 조정하고, 상기 메모리 셀들의 그룹으로부터 검출된 전압 레벨들을 나타내는 디지털 신호들을 정정된 전압 레벨들을 나타내는 정정된 디지털 신호들로 변환하기 위하여 상기 조정된 정정 함수를 인가하는 처리기
를 포함하는, 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템. - 제10항에 있어서,
검출된 전압 레벨 각각의 디지털 처리를 가능하게 하기 위해 상기 검출된 전압 레벨들을 나타내는 아날로그 신호들을 상기 검출된 전압 레벨들을 나타내는 디지털 신호들로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터(analog-to-digital converter)
를 더 포함하는, 메모리 셀로부터 데이터를 판독하는 시스템. - 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 메모리 셀들의 그룹과 관련된 메모리 셀들의 세트를 더 포함하고,
상기 메모리 셀들의 세트는 상기 메모리 셀들의 그룹과 관련된 에러들을 검출하기 위해 메타데이터(metadata)를 저장하고, 상기 처리기는 에러 검출 테스트를 수행하기 위해 상기 메타데이터를 이용하는, 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템. - 제12항에 있어서,
상기 메타데이터는 메모리 셀들의 페이지에 포함된 에러 정정 코드(error correction code)를 포함하고, 상기 메모리 셀들의 세트 및 상기 복수의 메모리 셀은 상기 메모리 셀들의 페이지에 포함되는, 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템. - 실행될 경우 동작들이 수행되도록 하는 기계 판독 가능 명령어들(machine-readable instructions)을 포함하는 기계 판독 가능 기록 매체로서,
상기 동작은,
소정 전압을 가지는 기준 셀을 포함하는 메모리 셀들의 그룹으로부터 전압 레벨들을 검출하는 동작;
상기 기준 셀에서 검출된 전압 레벨 및 상기 소정 전압 간의 차이에 기초하여 조정을 수행하는 동작 - 상기 조정은 검출된 전압 레벨들을 정정된 전압 레벨들로 변환하는 정정 함수에 대한 조정임 - ;
상기 메모리 셀들의 그룹으로부터 검출된 전압 레벨 각각에 대하여, 상기 검출된 전압 레벨을 나타내는 디지털 신호를 데이터 처리기에서 수신하는 동작;
상기 메모리 셀들의 그룹으로부터 검출된 전압 레벨들을 나타내는 상기 수신된 디지털 신호들을 정정된 전압 레벨들을 나타내는 정정된 디지털 신호들로 변환하기 위하여, 상기 조정된 정정 함수를 상기 데이터 처리기에서 인가하는 동작; 및
선택 기준에 기초하여, 상기 정정된 전압 레벨들을 나타내는 상기 정정된 디지털 신호들을 가능한 데이터 값들의 그룹으로부터 선택된 디지털 데이터 값들로 변환하는 동작
을 포함하는, 기계 판독 가능 명령어들을 포함하는 기계 판독 가능 기록 매체. - 제14항에 있어서, 상기 동작은,
상기 메모리 셀들의 그룹에 대한 상기 디지털 데이터 값들에 에러 검출 테스트를 수행하는 동작
을 더 포함하는, 기계 판독 가능 명령어들을 포함하는 기계 판독 가능 기록 매체. - 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법으로서,
복수의 메모리 셀에 전하를 인가하는 단계 - 상기 복수의 메모리 셀 각각은 데이터 값에 대응하는 타겟 전압으로 충전되고, 상기 복수의 메모리 셀은 제1 소정 전압 레벨로 충전된 제1 기준 셀을 포함함 - ;
상기 제1 기준 셀에서 전압 레벨을 검출하는 단계;
상기 복수의 메모리 셀로부터 전압 레벨들을 검출하는 단계;
상기 제1 기준 셀에서 검출된 전압 레벨 및 상기 제1 소정 전압 레벨 간의 제1 차이에 기초하여 매핑 함수(mapping function)를 조정하는 단계 - 상기 매핑 함수는 상기 복수의 메모리 셀로부터 검출된 전압 레벨들을 데이터 값들에 매핑시킴 - ; 및
상기 조정된 매핑 함수를 이용하여, 상기 복수의 메모리 셀로부터 검출된 전압 레벨들을 데이터 값들로 변환하는 단계
를 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제16항에 있어서,
상기 매핑 함수는 복수의 비중첩 전압 레벨 범위들을 정의하는 전압 레벨 임계값을 포함하고, 상기 복수의 비중첩 전압 레벨 범위들 각각은 복수의 데이터 값들 중 하나에 대응하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제17항에 있어서,
상기 매핑 함수를 조정하는 단계는 상기 제1 기준 셀에서 검출된 전압 레벨 및 상기 제1 소정 전압 레벨 간의 상기 제1 차이에 기초하여 적어도 하나의 전압 레벨 임계값을 조정하는 단계를 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
온도, 수행된 판독 동작 횟수, 수행된 기입 동작 횟수, 전원 공급 전압, 이웃하는 메모리 셀들의 전압 특성들, 에러 코드 정정을 위해 구성된 메모리 셀들의 전압 특성들 및 전원 공급 전압으로 구성된 그룹 중 적어도 하나에 기초하여 상기 매핑 함수를 조정하는 단계
를 더 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 기준 셀에 이웃하는 하나 이상의 메모리 셀의 전압 특성들로 인한 전압 드리프트(drift)의 양을 결정하는 단계를 더 포함하고,
상기 매핑 함수를 조정하는 단계는 이웃하는 메모리 셀들의 전압 특성들로 인하여 결정된 상기 전압 드리프트의 양에 더 기초하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 제20항에 있어서,
이웃하는 메모리 셀들의 전압 특성들로 인하여 결정된 상기 전압 드리프트의 양에 기초하여 상기 매핑 함수를 조정하는 단계는, 상기 복수의 메모리 셀 각각에 대하여 이웃하는 메모리 셀들의 전압 특성들에 기초하여 상기 복수의 메모리 셀로부터 검출된 전압 레벨들에 대한 상이한 매핑들을 정의하는 단계를 포함하는, 저장된 데이터 값들에서 새그를 조정하는 방법. - 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템으로서,
데이터 값에 대응하는 타겟 전압으로 충전되는 복수의 메모리 셀 - 상기 복수의 메모리 셀은 제1 소정 전압 레벨로 충전된 제1 기준 셀을 포함함 - ;
상기 복수의 메모리 셀에 대한 전압 레벨들을 검출하는 전압 검출기; 및
상기 제1 기준 셀에서 검출된 전압 레벨 및 상기 제1 소정 전압 레벨 간의 제1 차이에 기초하여 매핑 함수를 조정하는 처리기를 포함하고,
상기 매핑 함수는 상기 복수의 메모리 셀로부터 검출된 전압 레벨들을 데이터 값들로 매핑하는, 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템. - 제22항에 있어서,
검출된 전압 레벨 각각의 디지털 처리를 가능하게 하기 위해 상기 검출된 전압 레벨들을 나타내는 아날로그 신호들을 상기 검출된 전압 레벨들을 나타내는 디지털 신호들로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터 - 상기 아날로그 디지털 컨버터는 상기 조정된 매핑 함수를 이용하여 상기 복수의 메모리 셀로부터 검출된 전압 레벨들을 데이터 값들로 변환함 -
를 더 포함하는, 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템. - 제22항 또는 제23항에 있어서,
상기 처리기는 상기 조정된 매핑 함수를 이용하여 상기 복수의 메모리 셀들로부터 검출된 전압 레벨들을 데이터 값들로 변환하도록 더 구성된, 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템. - 제22항 또는 제23항에 있어서,
상기 처리기는 상기 제1 기준 셀에 이웃하는 하나 이상의 메모리 셀의 전압 특성들로 인한 전압 드리프트의 양을 결정하고, 이웃하는 메모리 셀들의 전압 특성들로 인하여 결정된 상기 전압 드리프트의 양에 더 기초하여 상기 매핑 함수를 조정하도록 더 구성된, 메모리 셀들로부터 데이터를 판독하는 시스템.
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