KR101116468B1 - 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 - Google Patents
멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101116468B1 KR101116468B1 KR1020117010649A KR20117010649A KR101116468B1 KR 101116468 B1 KR101116468 B1 KR 101116468B1 KR 1020117010649 A KR1020117010649 A KR 1020117010649A KR 20117010649 A KR20117010649 A KR 20117010649A KR 101116468 B1 KR101116468 B1 KR 101116468B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data values
- data
- memory cells
- voltage
- cell
- Prior art date
Links
- 238000013500 data storage Methods 0.000 title description 15
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title description 3
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 title 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 409
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 159
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 372
- 230000008569 process Effects 0.000 description 109
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 65
- 230000006870 function Effects 0.000 description 41
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 31
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 206010070597 Disorder of sex development Diseases 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000013402 definitive screening design Methods 0.000 description 1
- 238000011162 downstream development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5642—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
- G11C16/3431—Circuits or methods to detect disturbed nonvolatile memory cells, e.g. which still read as programmed but with threshold less than the program verify threshold or read as erased but with threshold greater than the erase verify threshold, and to reverse the disturbance via a refreshing programming or erasing step
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5628—Programming or writing circuits; Data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
- G11C2211/564—Miscellaneous aspects
- G11C2211/5641—Multilevel memory having cells with different number of storage levels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Compression, Expansion, Code Conversion, And Decoders (AREA)
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
Abstract
Description
도 2a 및 도 2b는 셀 전압과 메모리 셀에 저장된 디지털값 사이의 매핑을 전체적으로 나타낸다.
도 3a 및 도 3b는 멀티 레벨 셀 플래시 메모리로부터 데이터의 페이지를 판독하는 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 4는 플래시 메모리로부터 데이터의 페이지를 판독하는 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 6a 내지 도 6c는 대체 값 명령을 실행하는 동작의 예를 전체적으로 나타낸다.
도 7a 및 도 7b는 데이터를 플래시 메모리 페이지에 기입하는 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 8a 및 도 8b는 메모리 페이지의 셀 레졸루션을 조절하는 과정의 예들을 나타내는 흐름도이다.
도 9는 관리 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 10은 플래시 디스크 제어기에 논리적 어드레싱을 하는 과정의 한 예를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 NAND 플래시 메모리 다이의 외부에 위치한 전하 펌프와 아날로그 디지털 컨버터를 포함하는 시스템의 한 예를 나타낸다.
도 12는 NAND 플래시 메모리 다이에서 전원이 분리된 입력을 포함하는 시스템의 한 예를 나타낸다.
여러 도면에서 유사한 기호는 유사한 구성요소를 나타낸다.
Claims (25)
- 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법으로서,
메모리 셀들의 그룹으로부터 전압들을 검출하는 단계 - 상기 메모리 셀들의 그룹은 에러 검출을 위한 연관된 메타데이터를 갖고, 각각의 메모리 셀은 복수의 가능한 데이터 값들로부터 선택된 데이터 값들을 표현하는 전압을 저장하며, 각각의 가능한 데이터 값들은 아날로그 전압들의 복수의 중첩하지 않는 범위(non-overlapping ranges) 중 하나의 범위에 대응함 - ;
상기 검출된 전압들에 기초하여 불확실한(uncertain) 데이터 값들을 갖는 메모리 셀들을 식별하는 단계;
상기 불확실한 데이터 값들을 갖는 상기 메모리 셀들에 대한 대체 데이터 값들(alternative data values)을 판정하는 단계;
대체 데이터 값들의 조합을 선택하는 단계; 및
복수의 상기 메모리 셀들과 연관된 상기 메타데이터 및 대체 데이터 값들의 상기 선택된 조합을 이용하여 에러 검출 테스트를 수행하는 단계
를 포함하는 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
불확실한 데이터 값들을 갖는 상기 메모리 셀들은 상기 아날로그 전압들의 복수의 중첩하지 않는 범위 중 하나의 범위 내에 포함되지 않는 검출된 전압들을 갖는 메모리 셀들을 식별함에 의해 식별되는, 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
불확실한 데이터 값들을 갖는 상기 메모리 셀들은 상기 아날로그 전압들의 복수의 중첩하지 않는 범위 중 하나의 범위의 경계 근처에 있는(fall near a boundary) 검출된 전압들을 갖는 메모리 셀들을 식별함에 의해 식별되는, 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
불확실한 데이터 값들을 갖는 상기 메모리 셀들은 에러 정정 코드(error correction code)에 적어도 부분적으로 기초하여 식별되는, 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대체 데이터 값들은 가장 가까운 인접 데이터 값들(nearest adjacent data values)을 포함하고, 각각의 메모리 셀에 대한 각각의 가장 가까운 인접 데이터 값은 상기 검출된 전압에 가장 가까운 아날로그 전압들의 범위에 대응하는(corresponding with) 상기 가능한 데이터 값을 식별함에 의해 판정되는, 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대체 데이터 값들은 다음으로 가장 가까운 인접 데이터 값들(next nearest adjacent data values)을 포함하고, 각각의 메모리 셀에 대한 각각의 다음으로 가장 가까운 인접 데이터 값은 상기 검출된 전압에 두번째로 가장 가까운 아날로그 전압들의 범위에 대응하는 상기 가능한 데이터를 찾는 것에 의해 판정되는, 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
각각의 메모리 셀에 대한 상기 검출된 전압을 상기 검출된 전압의 디지털 표현으로 변환하는 단계를 더 포함하고,
불확실한 데이터 값들을 갖는 메모리 셀들을 식별하는 단계 및 상기 대체 데이터 값들을 판정하는 단계는, 상기 아날로그 전압들의 복수의 중첩하지 않는 범위들 및 그에 대응하는 상기 복수의 가능한 데이터 값들을 표현하는 저장된 디지털 데이터와 상기 검출된 전압의 상기 디지털 표현을 비교하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
휴리스틱스(heuristics)에 기초하여 각각의 메모리 셀에 대한 상기 검출된 전압을 조정하는 단계를 더 포함하고,
상기 휴리스틱스는 기준 셀 전압(reference cell voltage), 상기 메모리 셀의 판독 사용(read usage of the memory cell), 상기 메모리 셀의 기입 사용(write usage of the memory cell), 온도(temperature), 제품 노화(product age), 공급 전압(supply voltage), 검출된 에러 레벨들(detected error levels) 및 이들의 조합으로 구성된 그룹에서 선택되는, 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 삭제
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
에러 정정 코드 시퀀스들(error correction code sequences)을 이용하여 검출된 에러들을 정정하는 단계를 더 포함하고,
상기 검출된 에러들을 정정하는 단계는 먼저 하드웨어 기반 에러 정정 코드를 이용하는 단계와, 다음으로 상기 검출된 에러를 정정하기 위한 상기 하드웨어 기반 에러 정정 코드의 실패시에 소프트웨어 기반 확장된 에러 정정 코드를 이용하는 단계를 포함하는, 플래시 메모리 셀로부터 데이터를 판독하기 위한 방법. - 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템으로서,
메모리 셀들의 그룹 - 각각의 메모리 셀은 가능한 데이터 값들의 그룹으로부터 선택된 데이터 값을 표현하는 전압 레벨에 대한 전하를 기록 동작 중에 수신하도록 구성되고, 각각의 가능한 데이터 값은 전압들의 복수의 중첩하지 않는 범위 중 하나의 범위에 대응함 - ;
메모리 셀들의 집합 - 상기 메모리 셀들의 집합은 상기 메모리 셀들의 그룹과 연관되고, 상기 메모리 셀들의 그룹과 연관된 에러들을 정정하기 위한 메타데이터를 저장하도록 구성됨 - ;
전압 검출기 - 상기 전압 검출기는 각각의 메모리 셀들로부터 전압 신호들을 수신하도록 구성됨 - ; 및
프로세서 - 상기 프로세서는, 상기 메모리 셀들의 그룹 중 불확실한 데이터 값을 갖는 각각의 메모리 셀에 대한 하나 이상의 대체 데이터 값들을 결정하고, 상기 불확실한 데이터 값을 갖는 상기 메모리 셀들에 대한 상기 대체 데이터 값들의 조합을 선택하며, i) 상기 불확실한 데이터 값들을 갖는 상기 메모리 셀들에 대한 상기 대체 데이터 값들의 조합 및 ii) 상기 메모리 셀들의 그룹 중 확실한 데이터 값을 갖는 메모리 셀들로부터 판독된 데이터 값들을 포함하는 상기 메모리 셀들의 그룹을 위한 데이터를 버퍼에 저장하고, 상기 버퍼에 저장된 상기 데이터와 상기 메타데이터를 이용하여 상기 메모리 셀들의 그룹에 대한 에러 정정을 수행하도록 구성됨 - 를 포함하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제11항에 있어서,
상기 프로세서는,
대체 데이터 값들의 조합을 반복적으로 선택하고, 에러-없는(error-free) 조합을 식별하거나 모든 가능한 조합들을 소모할 때까지 에러 정정을 수행하기 위하여 상기 대체 데이터 값들의 조합 및 상기 메타데이터를 이용하도록 구성된, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제11항 또는 제12항에서,
상기 프로세서는,
상기 전압 신호들을 상기 전압들의 복수의 중첩하지 않는 범위와 비교함에 의해 불확실한 데이터 값들을 갖는 메모리 셀들을 식별하도록 구성된, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 대체 데이터 값들은 가장 가까운 인접 데이터 값들 또는 다음으로 가장 가까운 인접 데이터 값들 중 적어도 하나를 포함하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
각각의 메모리 셀로부터의 상기 전압 신호를 상기 전압 신호의 디지털 표현으로 변환하기 위한 아날로그-디지털 컨버터(analog-to-digital converter)를 더 포함하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 메모리 셀들의 그룹은 NAND 플래시 메모리 셀들 또는 NOR 플래시 메모리 셀들의 페이지를 포함하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 메타데이터는 에러 정정 코드들을 포함하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제11항 또는 제12항에 있어서,
불확실한 데이터 값들을 갖지 않는 메모리 셀들에 대한 데이터 값들과 함께 대체 데이터 값들의 선택된 조합들을 저장하기 위한 버퍼를 더 포함하고,
상기 프로세서는 상기 선택된 조합이 에러를 포함하는지를 판정하는데 상기 버퍼 내에 저장된 상기 데이터 값들을 이용하도록 구성된, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 실행되면 동작들이 수행되도록 하는 기계-판독가능 명령어들을 포함하는 기계 판독 가능 기록 매체로서, 상기 동작들은,
판독 동작 중에 메모리 셀들의 그룹으로부터 전압 신호를 수신하는 동작 - 전압은 가능한 데이터 값들의 그룹으로부터 선택된 데이터 값에 대응하며, 각각의 가능한 데이터 값은 전압들의 복수의 중첩하지 않는 범위 중 하나의 범위에 대응함 - ;
불확실한 데이터 값을 갖는 각각의 셀에 대한 대체 데이터 값들을 판정하는 동작;
대체 데이터 값들의 조합을 선택하는 동작; 및
상기 대체 데이터 값들의 조합이 에러를 포함하는지 판정하기 위해 메타데이터를 이용하여 에러 검출 테스트를 수행하는 동작
을 포함하는, 기계 판독 가능 기록 매체. - 제19항에 있어서,
상기 동작들은,
상기 대체 데이터 값들의 조합들을 선택하는 동작들을 반복하는 단계 및 에러-없는 조합이 발견되거나 또는 모든 가능한 조합들이 소모될 때까지 상기 에러 검출 테스트를 수행하는 동작을 더 포함하는, 기계 판독 가능 기록 매체. - 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템으로서,
메모리 셀들의 그룹 - 각각의 메모리 셀은 가능한 데이터 값들의 그룹으로부터 선택된 데이터 값을 표현하는 전하를 저장하도록 구성되고, 각각의 가능한 데이터 값은 전압들의 중첩하지 않는 범위의 그룹 중 하나에 대응함 - ;
각각의 메모리 셀에 대한 상기 전압을 디지털 표현으로 변환하기 위한 변환기; 및
불확실한 데이터 값을 갖는 각각의 셀에 대한 대체 데이터 값들을 판정하기 위한 수단;
대체 데이터 값들의 조합을 선택하기 위한 수단; 및
상기 대체 데이터 값들의 선택된 조합을 이용하여 상기 메모리 셀들의 그룹 내에 저장된 데이터 값들에 에러 정정을 수행하기 위한 수단
을 포함하는 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제21항에 있어서,
상기 메모리 셀들의 그룹은 NAND 플래시 메모리 셀들을 포함하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제21항에 있어서,
상기 메모리 셀들의 그룹은 4 비트 보다 많은 비트를 각각 포함하는 다중-레벨(multi-level) 플래시 메모리 셀들을 포함하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대체 데이터 값들의 선택된 조합 내의 데이터 값들을 정정하기 위한 수단을 더 포함하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템. - 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대체 데이터 값들의 선택된 조합을 이용하여 상기 메모리 셀들의 그룹 내에 저장된 데이터 값들에 에러 정정을 수행하기 위한 수단은, 불확실한 데이터 값들을 갖는 것으로 식별되지 않는 메모리 셀들로부터의 데이터 값들을 더 이용하는, 플래시 메모리 셀들을 판독하기 위한 시스템.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US80035706P | 2006-05-15 | 2006-05-15 | |
US60/800,357 | 2006-05-15 | ||
US11/694,739 | 2007-03-30 | ||
US11/694,739 US7639542B2 (en) | 2006-05-15 | 2007-03-30 | Maintenance operations for multi-level data storage cells |
PCT/US2007/068851 WO2007134277A2 (en) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | Maintenance operations for multi-level data storage cells |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087030400A Division KR101173721B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110073560A KR20110073560A (ko) | 2011-06-29 |
KR101116468B1 true KR101116468B1 (ko) | 2012-03-07 |
Family
ID=38684942
Family Applications (16)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127021506A KR101217438B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020127021504A KR101206714B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117028408A KR101155751B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020127021508A KR101217416B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010647A KR101116512B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020127021505A KR101206630B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117028405A KR101184554B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010646A KR101193696B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020127021507A KR101283145B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010651A KR101116554B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010650A KR101151597B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020087030400A KR101173721B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010645A KR101121493B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010652A KR101133897B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117028407A KR101184557B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010649A KR101116468B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
Family Applications Before (15)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127021506A KR101217438B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020127021504A KR101206714B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117028408A KR101155751B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020127021508A KR101217416B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010647A KR101116512B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020127021505A KR101206630B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117028405A KR101184554B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010646A KR101193696B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020127021507A KR101283145B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010651A KR101116554B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010650A KR101151597B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020087030400A KR101173721B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010645A KR101121493B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117010652A KR101133897B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
KR1020117028407A KR101184557B1 (ko) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7639542B2 (ko) |
EP (10) | EP2333781A1 (ko) |
JP (1) | JP5358431B2 (ko) |
KR (16) | KR101217438B1 (ko) |
CN (3) | CN102779554B (ko) |
AT (2) | ATE547794T1 (ko) |
DE (1) | DE602007007938D1 (ko) |
ES (2) | ES2392334T3 (ko) |
HK (3) | HK1127155A1 (ko) |
WO (1) | WO2007134277A2 (ko) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100877609B1 (ko) * | 2007-01-29 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 버퍼 메모리의 플래그 셀 어레이를 이용하여 데이터 오류 정정을 수행하는 반도체 메모리 시스템 및 그 구동 방법 |
US7460398B1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-02 | Micron Technology, Inc. | Programming a memory with varying bits per cell |
US7800951B2 (en) * | 2007-08-20 | 2010-09-21 | Marvell World Trade Ltd. | Threshold voltage digitizer for array of programmable threshold transistors |
US7948802B2 (en) | 2007-12-04 | 2011-05-24 | Micron Technology, Inc. | Sensing memory cells |
US8938655B2 (en) * | 2007-12-20 | 2015-01-20 | Spansion Llc | Extending flash memory data retension via rewrite refresh |
KR101092823B1 (ko) * | 2008-01-16 | 2011-12-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 기억 장치, 제어 장치, 및 제어 방법 |
KR101378365B1 (ko) * | 2008-03-12 | 2014-03-28 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드 메모리 데이터 검출 장치 및 방법 |
JP5057340B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 光検出装置、電気光学装置及び電子機器 |
US7768832B2 (en) * | 2008-04-07 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | Analog read and write paths in a solid state memory device |
KR101407361B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2014-06-13 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
US20090292971A1 (en) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Chun Fung Man | Data recovery techniques |
US8365039B2 (en) * | 2008-05-21 | 2013-01-29 | Intel Corporation | Adjustable read reference for non-volatile memory |
US8276028B2 (en) * | 2008-05-23 | 2012-09-25 | Intel Corporation | Using error information from nearby locations to recover uncorrectable data in non-volatile memory |
JP2010009548A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | 記憶装置、制御装置、記憶システム、および記憶方法 |
US8406048B2 (en) * | 2008-08-08 | 2013-03-26 | Marvell World Trade Ltd. | Accessing memory using fractional reference voltages |
US8742838B2 (en) * | 2008-10-20 | 2014-06-03 | The University Of Tokyo | Stacked structure with a voltage boosting supply circuit |
JP5422976B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2014-02-19 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
US8645792B2 (en) * | 2008-12-16 | 2014-02-04 | Micron Technology, Inc. | Memory with guard value dependent error correction |
US7653779B1 (en) | 2009-02-04 | 2010-01-26 | Gene Fein | Memory storage using a look-up table |
US8161355B2 (en) * | 2009-02-11 | 2012-04-17 | Mosys, Inc. | Automatic refresh for improving data retention and endurance characteristics of an embedded non-volatile memory in a standard CMOS logic process |
US8259506B1 (en) * | 2009-03-25 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Database of memory read thresholds |
US8732389B2 (en) | 2009-06-23 | 2014-05-20 | Seagate Technology Llc | Memory wear control |
US8321727B2 (en) * | 2009-06-29 | 2012-11-27 | Sandisk Technologies Inc. | System and method responsive to a rate of change of a performance parameter of a memory |
US8407564B2 (en) * | 2009-07-15 | 2013-03-26 | Intel Corporation | Prediction and cancellation of systematic noise sources in non-volatile memory |
WO2011013351A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | パナソニック株式会社 | アクセス装置およびメモリコントローラ |
US8189357B2 (en) * | 2009-09-09 | 2012-05-29 | Macronix International Co., Ltd. | Memory with multiple reference cells |
US9003153B2 (en) | 2010-11-08 | 2015-04-07 | Greenliant Llc | Method of storing blocks of data in a plurality of memory devices in a redundant manner, a memory controller and a memory system |
US8446786B2 (en) * | 2011-01-20 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Outputting a particular data quantization from memory |
CN102222099A (zh) * | 2011-06-21 | 2011-10-19 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种数据存储、查找方法及装置 |
US8713404B2 (en) * | 2011-07-01 | 2014-04-29 | Apple Inc. | Controller interface providing improved data reliability |
KR101824068B1 (ko) * | 2011-07-28 | 2018-03-15 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 구동방법, 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템, 메모리 카드 및 휴대용 전자장치 |
KR101882853B1 (ko) * | 2011-12-21 | 2018-08-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
US8884679B2 (en) | 2012-05-10 | 2014-11-11 | Sandisk Technologies Inc. | Apparatus and method for high voltage switches |
US8910000B2 (en) * | 2012-05-17 | 2014-12-09 | Micron Technology, Inc. | Program-disturb management for phase change memory |
US9064575B2 (en) | 2012-08-03 | 2015-06-23 | Micron Technology, Inc. | Determining whether a memory cell state is in a valley between adjacent data states |
US8848453B2 (en) * | 2012-08-31 | 2014-09-30 | Micron Technology, Inc. | Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation |
US9063879B2 (en) | 2012-12-13 | 2015-06-23 | Sandisk Technologies Inc. | Inspection of non-volatile memory for disturb effects |
KR102089613B1 (ko) * | 2013-01-02 | 2020-03-16 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함한 메모리 시스템 |
US9367246B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-06-14 | Sandisk Technologies Inc. | Performance optimization of data transfer for soft information generation |
US9367391B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-06-14 | Micron Technology, Inc. | Error correction operations in a memory device |
US9570175B2 (en) | 2013-08-05 | 2017-02-14 | Jonker Llc | Incrementally programmable non-volatile memory |
US9342401B2 (en) | 2013-09-16 | 2016-05-17 | Sandisk Technologies Inc. | Selective in-situ retouching of data in nonvolatile memory |
US9570198B2 (en) * | 2014-05-16 | 2017-02-14 | SK Hynix Inc. | Read disturb detection |
US10552043B2 (en) * | 2014-09-09 | 2020-02-04 | Toshiba Memory Corporation | Memory system |
US11783898B2 (en) | 2014-09-18 | 2023-10-10 | Jonker Llc | Ephemeral storage elements, circuits, and systems |
US10061738B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-08-28 | Jonker Llc | Ephemeral peripheral device |
US10839086B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-11-17 | Jonker Llc | Method of operating ephemeral peripheral device |
US10115467B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-10-30 | Jonker Llc | One time accessible (OTA) non-volatile memory |
US20160225459A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses operable in multiple power modes and methods of operating the same |
US9502129B1 (en) | 2015-09-10 | 2016-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and method of controlling nonvolatile memory |
US10241701B2 (en) * | 2015-09-16 | 2019-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solid state memory system with power management mechanism and method of operation thereof |
US11216323B2 (en) | 2015-09-16 | 2022-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solid state memory system with low power error correction mechanism and method of operation thereof |
KR102643916B1 (ko) * | 2016-10-18 | 2024-03-08 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치, 메모리 시스템, 및 그것의 읽기 전압 결정 방법 |
US9747158B1 (en) * | 2017-01-13 | 2017-08-29 | Pure Storage, Inc. | Intelligent refresh of 3D NAND |
FR3065826B1 (fr) * | 2017-04-28 | 2024-03-15 | Patrick Pirim | Procede et dispositif associe automatises aptes a memoriser, rappeler et, de maniere non volatile des associations de messages versus labels et vice versa, avec un maximum de vraisemblance |
US10354732B2 (en) * | 2017-08-30 | 2019-07-16 | Micron Technology, Inc. | NAND temperature data management |
US20190102105A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Burlywood, LLC | Variable configuration media controller |
US10446246B2 (en) * | 2018-03-14 | 2019-10-15 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method and apparatus for data refresh for analog non-volatile memory in deep learning neural network |
KR102532084B1 (ko) * | 2018-07-17 | 2023-05-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 동작 방법, 이를 포함하는 스토리지 시스템 |
US10573390B1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-density storage system |
JP2020113347A (ja) | 2019-01-08 | 2020-07-27 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US10742227B1 (en) | 2019-02-25 | 2020-08-11 | Intel Corporation | Differential source follower with current steering devices |
US11923017B2 (en) | 2019-07-02 | 2024-03-05 | Rohm Co., Ltd. | Non-volatile storage device |
CN110333770B (zh) | 2019-07-10 | 2023-05-09 | 合肥兆芯电子有限公司 | 存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元 |
TWI722490B (zh) * | 2019-07-16 | 2021-03-21 | 大陸商合肥兆芯電子有限公司 | 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元 |
CN110706735B (zh) * | 2019-09-30 | 2021-09-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法 |
CN112906071B (zh) * | 2020-12-01 | 2023-07-14 | 深圳安捷丽新技术有限公司 | 一种基于页温动态冷热切换的数据保护方法和装置 |
WO2023177582A1 (en) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | Micron Technology, Inc. | Host controlled media testing of memory |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040205418A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-10-14 | Kenji Sakaue | ECC control apparatus |
Family Cites Families (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5570986A (en) | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor intergrated circuit device |
DE3341564A1 (de) | 1983-11-17 | 1985-05-30 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn | Gekruemmtes flaechenbauteil, insbesondere fuer luftfahrzeuge und vorrichtung zu deren herstellung |
JPS61137846A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-25 | アトランテイツク・リツチフイールド・カンパニー | アルコキシル化第四級アンモニウム化合物 |
US4831403A (en) | 1985-12-27 | 1989-05-16 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Automatic focus detection system |
DE69034227T2 (de) | 1989-04-13 | 2007-05-03 | Sandisk Corp., Sunnyvale | EEprom-System mit Blocklöschung |
US5109496A (en) | 1989-09-27 | 1992-04-28 | International Business Machines Corporation | Most recently used address translation system with least recently used (LRU) replacement |
US5218569A (en) * | 1991-02-08 | 1993-06-08 | Banks Gerald J | Electrically alterable non-volatile memory with n-bits per memory cell |
US5663901A (en) | 1991-04-11 | 1997-09-02 | Sandisk Corporation | Computer memory cards using flash EEPROM integrated circuit chips and memory-controller systems |
US6230233B1 (en) | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US6222762B1 (en) | 1992-01-14 | 2001-04-24 | Sandisk Corporation | Multi-state memory |
WO1993022770A1 (en) | 1992-05-01 | 1993-11-11 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for storage of digital information |
US5412601A (en) | 1992-08-31 | 1995-05-02 | Nippon Steel Corporation | Non-volatile semiconductor memory device capable of storing multi-value data in each memory cell |
EP0613151A3 (en) * | 1993-02-26 | 1995-03-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor memory system with flash EEPROM. |
US5424978A (en) | 1993-03-15 | 1995-06-13 | Nippon Steel Corporation | Non-volatile semiconductor memory cell capable of storing more than two different data and method of using the same |
US5394450A (en) | 1993-04-13 | 1995-02-28 | Waferscale Integration, Inc. | Circuit for performing arithmetic operations |
US7137011B1 (en) | 1993-09-01 | 2006-11-14 | Sandisk Corporation | Removable mother/daughter peripheral card |
JP3205658B2 (ja) | 1993-12-28 | 2001-09-04 | 新日本製鐵株式会社 | 半導体記憶装置の読み出し方法 |
US5563838A (en) * | 1994-02-01 | 1996-10-08 | Micron Electronics, Inc. | Module having voltage control circuit to reduce surges in potential |
US5440524A (en) | 1994-02-01 | 1995-08-08 | Integrated Device Technology, Inc. | Method and apparatus for simuilataneous long writes of multiple cells of a row in a static ram |
US5629890A (en) | 1994-09-14 | 1997-05-13 | Information Storage Devices, Inc. | Integrated circuit system for analog signal storing and recovery incorporating read while writing voltage program method |
US5838603A (en) * | 1994-10-11 | 1998-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same, memory core chip and memory peripheral circuit chip |
US5541886A (en) | 1994-12-27 | 1996-07-30 | Intel Corporation | Method and apparatus for storing control information in multi-bit non-volatile memory arrays |
US5867721A (en) | 1995-02-07 | 1999-02-02 | Intel Corporation | Selecting an integrated circuit from different integrated circuit array configurations |
US5745409A (en) | 1995-09-28 | 1998-04-28 | Invox Technology | Non-volatile memory with analog and digital interface and storage |
KR100239870B1 (ko) * | 1995-09-28 | 2000-03-02 | 다카노 야스아키 | 기억 분해능을 가변할 수 있는 불휘발성 다치 메모리 장치 |
KR0157122B1 (ko) | 1995-12-23 | 1999-02-18 | 김광호 | 디지탈 보상형 아날로그 디지탈 변환기 |
JPH09205615A (ja) | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Canon Inc | 記録装置 |
US5726934A (en) | 1996-04-09 | 1998-03-10 | Information Storage Devices, Inc. | Method and apparatus for analog reading values stored in floating gate structures |
US5712815A (en) | 1996-04-22 | 1998-01-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multiple bits per-cell flash EEPROM capable of concurrently programming and verifying memory cells and reference cells |
US5946257A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Selective power distribution circuit for an integrated circuit |
JP3709246B2 (ja) | 1996-08-27 | 2005-10-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路 |
US5754566A (en) | 1996-09-06 | 1998-05-19 | Intel Corporation | Method and apparatus for correcting a multilevel cell memory by using interleaving |
US6023781A (en) | 1996-09-18 | 2000-02-08 | Nippon Steel Corporation | Multilevel semiconductor memory, write/read method thereto/therefrom and storage medium storing write/read program |
JP3930074B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2007-06-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路及びデータ処理システム |
JPH10124381A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6097638A (en) | 1997-02-12 | 2000-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US5828592A (en) | 1997-03-12 | 1998-10-27 | Information Storage Devices, Inc. | Analog signal recording and playback integrated circuit and message management system |
JP3189740B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2001-07-16 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体メモリのデータ修復方法 |
US5930167A (en) * | 1997-07-30 | 1999-07-27 | Sandisk Corporation | Multi-state non-volatile flash memory capable of being its own two state write cache |
US5909449A (en) * | 1997-09-08 | 1999-06-01 | Invox Technology | Multibit-per-cell non-volatile memory with error detection and correction |
JP4074697B2 (ja) | 1997-11-28 | 2008-04-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JPH11176178A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたicメモリカード |
US6072676A (en) * | 1998-04-13 | 2000-06-06 | Analog Devices, Inc. | Protection circuit for an excitation current source |
US6208542B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-03-27 | Sandisk Corporation | Techniques for storing digital data in an analog or multilevel memory |
EP1005213A3 (en) | 1998-11-02 | 2000-07-05 | Information Storage Devices, Inc. | Multiple message multilevel analog signal recording and playback system containing configurable analog processing functions |
FR2787601A1 (fr) * | 1998-12-22 | 2000-06-23 | Gemplus Card Int | Systeme de memorisation comprenant des moyens de gestion d'une memoire avec anti-usure et procede de gestion anti-usure d'une memoire |
US6058060A (en) * | 1998-12-31 | 2000-05-02 | Invox Technology | Multi-bit-per-cell and analog/multi-level non-volatile memories with improved resolution and signal-to noise ratio |
US6134141A (en) | 1998-12-31 | 2000-10-17 | Sandisk Corporation | Dynamic write process for high bandwidth multi-bit-per-cell and analog/multi-level non-volatile memories |
US7139196B2 (en) * | 1999-01-14 | 2006-11-21 | Silicon Storage Technology, Inc. | Sub-volt sensing for digital multilevel flash memory |
TW417381B (en) | 1999-04-01 | 2001-01-01 | Mustek Systems Inc | Conversion method for increasing the bits of scanning signals of scanner |
JP2000298992A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Hitachi Ltd | 多値記憶不揮発性半導体メモリの制御装置 |
JP2001006374A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置及びシステム |
JP2001052476A (ja) | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2001067884A (ja) | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
AU7313600A (en) * | 1999-09-17 | 2001-04-24 | Hitachi Limited | Storage where the number of error corrections is recorded |
US6166960A (en) | 1999-09-24 | 2000-12-26 | Microchip Technology, Incorporated | Method, system and apparatus for determining that a programming voltage level is sufficient for reliably programming an eeprom |
JP2001110184A (ja) | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US6259627B1 (en) | 2000-01-27 | 2001-07-10 | Multi Level Memory Technology | Read and write operations using constant row line voltage and variable column line load |
US6426893B1 (en) | 2000-02-17 | 2002-07-30 | Sandisk Corporation | Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
US6297988B1 (en) * | 2000-02-25 | 2001-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Mode indicator for multi-level memory |
US6424569B1 (en) | 2000-02-25 | 2002-07-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | User selectable cell programming |
JP2002074999A (ja) | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6538922B1 (en) | 2000-09-27 | 2003-03-25 | Sandisk Corporation | Writable tracking cells |
US6763424B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-07-13 | Sandisk Corporation | Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory |
US6552929B1 (en) | 2001-02-08 | 2003-04-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Piggyback programming using an extended first pulse for multi-level cell flash memory designs |
US6577535B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-06-10 | Sandisk Corporation | Method and system for distributed power generation in multi-chip memory systems |
US6738289B2 (en) * | 2001-02-26 | 2004-05-18 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory with improved programming and method therefor |
US6785180B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Programmable soft-start control for charge pump |
JP3829088B2 (ja) | 2001-03-29 | 2006-10-04 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP3828376B2 (ja) * | 2001-05-07 | 2006-10-04 | 株式会社東芝 | 記憶システム |
US7554842B2 (en) | 2001-09-17 | 2009-06-30 | Sandisk Corporation | Multi-purpose non-volatile memory card |
US6643169B2 (en) * | 2001-09-18 | 2003-11-04 | Intel Corporation | Variable level memory |
GB0123422D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Improved memory controller |
US6678192B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-01-13 | Sandisk Corporation | Error management for writable tracking storage units |
US6850441B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-02-01 | Sandisk Corporation | Noise reduction technique for transistors and small devices utilizing an episodic agitation |
US6871257B2 (en) | 2002-02-22 | 2005-03-22 | Sandisk Corporation | Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system |
JP3796457B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2006-07-12 | 富士通株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7031196B2 (en) * | 2002-03-29 | 2006-04-18 | Macronix International Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory and operating method of the memory |
US6721820B2 (en) | 2002-05-15 | 2004-04-13 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Method for improving performance of a flash-based storage system using specialized flash controllers |
US6751766B2 (en) | 2002-05-20 | 2004-06-15 | Sandisk Corporation | Increasing the effectiveness of error correction codes and operating multi-level memory systems by using information about the quality of the stored data |
JP4086583B2 (ja) | 2002-08-08 | 2008-05-14 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置およびデータ書き込み制御方法 |
JP2004086991A (ja) | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置 |
US6963505B2 (en) * | 2002-10-29 | 2005-11-08 | Aifun Semiconductors Ltd. | Method circuit and system for determining a reference voltage |
JP4129170B2 (ja) | 2002-12-05 | 2008-08-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法 |
JP4554598B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2010-09-29 | サンディスク アイエル リミテッド | すべてのユーザによる完全なアクセスが可能なデータ記憶デバイス |
JP2004310650A (ja) | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Renesas Technology Corp | メモリ装置 |
US7240219B2 (en) | 2003-05-25 | 2007-07-03 | Sandisk Il Ltd. | Method and system for maintaining backup of portable storage devices |
US7237074B2 (en) * | 2003-06-13 | 2007-06-26 | Sandisk Corporation | Tracking cells for a memory system |
US7752380B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-07-06 | Sandisk Il Ltd | SDRAM memory device with an embedded NAND flash controller |
US7212067B2 (en) | 2003-08-01 | 2007-05-01 | Sandisk Corporation | Voltage regulator with bypass for multi-voltage storage system |
US6970395B2 (en) * | 2003-09-08 | 2005-11-29 | Infineon Technologies Ag | Memory device and method of reading data from a memory device |
US7019998B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-03-28 | Silicon Storage Technology, Inc. | Unified multilevel cell memory |
US6937513B1 (en) * | 2003-10-16 | 2005-08-30 | Lsi Logic Corporation | Integrated NAND and nor-type flash memory device and method of using the same |
JP2005141811A (ja) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Renesas Technology Corp | 不揮発性メモリ |
US7085152B2 (en) | 2003-12-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Memory system segmented power supply and control |
US7389465B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-06-17 | Micron Technology, Inc. | Error detection and correction scheme for a memory device |
US7164561B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-01-16 | Sandisk Corporation | Voltage regulator using protected low voltage devices |
US8019928B2 (en) | 2004-02-15 | 2011-09-13 | Sandisk Il Ltd. | Method of managing a multi-bit-cell flash memory |
DE102005009700B4 (de) * | 2004-02-26 | 2009-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Programmierverfahren und nichtflüchtiger Speicher |
US7233532B2 (en) | 2004-04-30 | 2007-06-19 | Xilinx, Inc. | Reconfiguration port for dynamic reconfiguration-system monitor interface |
US7218137B2 (en) | 2004-04-30 | 2007-05-15 | Xilinx, Inc. | Reconfiguration port for dynamic reconfiguration |
US7109750B2 (en) | 2004-04-30 | 2006-09-19 | Xilinx, Inc. | Reconfiguration port for dynamic reconfiguration-controller |
US7222224B2 (en) | 2004-05-21 | 2007-05-22 | Rambus Inc. | System and method for improving performance in computer memory systems supporting multiple memory access latencies |
CN100595923C (zh) * | 2004-05-27 | 2010-03-24 | 株式会社瑞萨科技 | 集成半导体非易失性存储器的控制方法 |
US7535759B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-05-19 | Micron Technology, Inc. | Memory system with user configurable density/performance option |
JPWO2005122177A1 (ja) | 2004-06-09 | 2008-04-10 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2006031795A (ja) | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7817469B2 (en) | 2004-07-26 | 2010-10-19 | Sandisk Il Ltd. | Drift compensation in a flash memory |
US7493457B2 (en) | 2004-11-08 | 2009-02-17 | Sandisk Il. Ltd | States encoding in multi-bit flash cells for optimizing error rate |
US7218570B2 (en) | 2004-12-17 | 2007-05-15 | Sandisk 3D Llc | Apparatus and method for memory operations using address-dependent conditions |
US7391193B2 (en) | 2005-01-25 | 2008-06-24 | Sandisk Corporation | Voltage regulator with bypass mode |
KR100704628B1 (ko) * | 2005-03-25 | 2007-04-09 | 삼성전자주식회사 | 다수의 스트링을 사용하여 상태 정보를 저장하는 방법 및비휘발성 저장 장치 |
JP4772363B2 (ja) | 2005-04-12 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2006129339A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Spansion Llc | 記憶装置、および記憶装置の制御方法 |
US20060294295A1 (en) | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Yukio Fukuzo | DRAM chip device well-communicated with flash memory chip and multi-chip package comprising such a device |
US7317630B2 (en) * | 2005-07-15 | 2008-01-08 | Atmel Corporation | Nonvolatile semiconductor memory apparatus |
US7631245B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-12-08 | Sandisk Il Ltd. | NAND flash memory controller exporting a NAND interface |
US7954037B2 (en) | 2005-10-25 | 2011-05-31 | Sandisk Il Ltd | Method for recovering from errors in flash memory |
KR101224919B1 (ko) | 2006-02-07 | 2013-01-22 | 삼성전자주식회사 | 온도 변화에 따라 고전압 발생 회로의 출력 전압 레벨을조절하는 반도체 메모리 장치 |
US7483327B2 (en) | 2006-03-02 | 2009-01-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus and method for adjusting an operating parameter of an integrated circuit |
CN102394101B (zh) * | 2006-05-12 | 2014-12-31 | 苹果公司 | 具有自适应容量的存储设备 |
US7672161B2 (en) * | 2007-04-30 | 2010-03-02 | Spansion Llc | Adaptive detection of threshold levels in memory |
-
2007
- 2007-03-30 US US11/694,739 patent/US7639542B2/en active Active
- 2007-05-14 CN CN201210212474.3A patent/CN102779554B/zh active Active
- 2007-05-14 KR KR1020127021506A patent/KR101217438B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 KR KR1020127021504A patent/KR101206714B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 ES ES11159445T patent/ES2392334T3/es active Active
- 2007-05-14 KR KR1020117028408A patent/KR101155751B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 EP EP11159447A patent/EP2333781A1/en not_active Ceased
- 2007-05-14 JP JP2009511191A patent/JP5358431B2/ja active Active
- 2007-05-14 EP EP20110159441 patent/EP2330597A1/en not_active Withdrawn
- 2007-05-14 AT AT10164179T patent/ATE547794T1/de active
- 2007-05-14 KR KR1020127021508A patent/KR101217416B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 EP EP07762158A patent/EP2022058B1/en not_active Not-in-force
- 2007-05-14 EP EP11159438A patent/EP2333780B1/en not_active Not-in-force
- 2007-05-14 EP EP10164178.5A patent/EP2221827B1/en not_active Not-in-force
- 2007-05-14 KR KR1020117010647A patent/KR101116512B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 EP EP10164179A patent/EP2221823B1/en not_active Not-in-force
- 2007-05-14 KR KR1020127021505A patent/KR101206630B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 DE DE602007007938T patent/DE602007007938D1/de active Active
- 2007-05-14 KR KR1020117028405A patent/KR101184554B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 WO PCT/US2007/068851 patent/WO2007134277A2/en active Application Filing
- 2007-05-14 KR KR1020117010646A patent/KR101193696B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 KR KR1020127021507A patent/KR101283145B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 ES ES10164179T patent/ES2383588T3/es active Active
- 2007-05-14 CN CN2007800248486A patent/CN101484947B/zh active Active
- 2007-05-14 EP EP11159444.6A patent/EP2337030B1/en not_active Not-in-force
- 2007-05-14 KR KR1020117010651A patent/KR101116554B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 KR KR1020117010650A patent/KR101151597B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 EP EP11159442A patent/EP2330595A1/en not_active Withdrawn
- 2007-05-14 KR KR1020087030400A patent/KR101173721B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 KR KR1020117010645A patent/KR101121493B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 KR KR1020117010652A patent/KR101133897B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 KR KR1020117028407A patent/KR101184557B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 EP EP11159448A patent/EP2330593A1/en not_active Withdrawn
- 2007-05-14 KR KR1020117010649A patent/KR101116468B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 CN CN201210212473.9A patent/CN102768853B/zh active Active
- 2007-05-14 AT AT07762158T patent/ATE475183T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-05-14 EP EP11159445A patent/EP2330592B1/en not_active Not-in-force
-
2009
- 2009-07-23 HK HK09106767.9A patent/HK1127155A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2009-11-23 US US12/624,157 patent/US7881108B2/en active Active
- 2009-11-23 US US12/624,020 patent/US8116133B2/en active Active
-
2011
- 2011-12-07 HK HK11113234.6A patent/HK1159305A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-12-08 HK HK11113285.4A patent/HK1159307A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040205418A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-10-14 | Kenji Sakaue | ECC control apparatus |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101116468B1 (ko) | 멀티레벨 데이터 저장 셀용 관리 동작 | |
US20070263440A1 (en) | Multi-Chip Package for a Flash Memory |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150119 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180118 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200115 Year of fee payment: 9 |