KR101118569B1 - 고감도 감광성 수지 조성물 - Google Patents

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KR101118569B1
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Abstract

본 발명은 광중합 개시제, 알칼리 현상성 바인더 고분자, 광중합성 단량체 및 기타첨가제를 포함하는 감광성 수지 조성물에 있어서, 광중합 개시제로 N-페닐글리신을 더 포함하는 조성으로부터 제조된 DFR은 레지스트의 기본 물성은 동등 수준으로 유지하면서, 일반 램프용 노광기 및 레이저 다이렉트용 이미지 노광기에서 노광시의 노광에너지량을 현저하게 줄임으로써 고감도의 레지스트를 제조할 수 있어, 노광 공정에서의 시간적인 손실을 줄여 경제적으로 우수할 뿐만 아니라, 생산성을 극대화시킬 수 있다.
DFR*고감도*광중합개시제*N-페닐글리신

Description

고감도 감광성 수지 조성물{Photosensitive resin composition having high sensitivity}
본 발명은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, 이하 PCB라 칭함)이나 리드 프레임(Lead Frame)에 사용되고 있는 드라이 필름 포토레지스트(Dry Film Photoresist, 이하 DFR이라 칭함) 중 고감도 감광성 수지 조성물에 관련된 것으로서, 더욱 상세하게는 해상도, 세선밀착력 등의 기본 물성은 그대로 유지하면서, 일반 램프용 노광기 또는 LDI(Laser Direct Image, 이하 LDI라 칭함)용 노광기에서 노광 에너지량을 현저하게 감소시킬 수 있는 고감도 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
통상적으로 인쇄회로기판에 회로를 형성하는 데에는 DFR 또는 액상 포토레지스트(Liquid Photoresist, 이하 LPR이라 칭함)가 사용된다.
PCB나 리드 프레임을 제조하는 데 있어서, 가장 중요한 공정 중 하나는 원판인 구리 적층판(Copper Clad Laminated Sheet, 이하 CCLS 이라 칭함), 또는 구리 호일(Copper Foil)에 회로를 형성하는 공정이다. 이 공정에 사용되는 이미지 전사 방식을 포토리소그라피라 하며, 이 포토리소그라피를 위해서 쓰이는 원본 이미지판을 아트워크(artwork) 또는 포토마스크라 한다. 이러한 아트워크의 이미지는 빛이 통과하는 부분과 그렇지 못한 부분으로 되어 있으며, 이를 이용하여 이미지가 전사되고, 이러한 이미지 전사 공정을 노광 공정이라 한다. 통상적으로 노광 공정시 PCB, 리드프레임 제조에 사용되는 광원은 자외선(UV)이며, 현재는 파장이 짧은 가시광선(약 400~450nm)도 다소 이용되고 있다.
아트워크의 이미지는 빛의 통과와 비통과에 의해서 CCLS 또는 구리 호일로 전사되는데, 빛을 받아서 이미지를 형성해 주는 물질이 포토레지스트(Photoresist, 이하 PR이라 칭함)이다. 따라서, PR은 아트워크의 이미지를 전사하기 전에 CCLS나 구리 호일 위에 코팅 또는 라미네이션 되어 있어야 한다.
또한, PR은 그 상태에 따라 액체 PR인 LPR 과, 필름 형태로 고체화되어 있는 것을 DFR로 나뉘고, 또한, 이미지 형성 방법에 따라 빛을 받는 부분이 광중합을 하는 네가티브 형태와 빛을 받은 부분이 광분해되는 포지티브 형태로 나뉘는 바, PCB, 리드 프레임 제조에 사용되는 PR은 거의 네가티브 형태의 PR이 사용된다. 본 발명은 네가티브 형태의 PR에 관련된 것인 바, 이하 네가티브 형태의 PR 공정에 대하여 설명한다.
이렇게 PR에 이미지가 전사되면, 다음 공정인 현상 공정으로 이어진다. 이때 빛을 받지 못한 부분은 현상액에 의해서 녹아 없어지면서, 최종적인 이미지가 PR에 남게 된다. 과거에는 현상액으로 유기 용제를 사용하였으나, 현재는 환경 문제 등의 이유로 약알카리성 수용액을 사용한다. 현재 가장 많이 사용되는 현상액은 Na2CO3, K2CO3 약 1중량% 수용액이며, 일부 업체에서는 상업적으로 만들어지는 전용 현상액을 사용하기도 한다.
현상 공정 후에는 "에칭(Etching, 부식)-박리(Stripping)"공정 또는 "도금(Plating)- 박리(Stripping)-에칭(Etching, 부식)"공정을 거쳐서 실제 동(copper)으로 만들어진 회로가 형성되는데, 에칭-박리 공정에서는 PR이 이 공정에서 에칭 레지스트로 작용하여 PR이 있는 부분에 회로가 형성되고, 이후 PR이 박리된다. 도금-에칭-박리 공정에서는 PR이 없는 부분에 도금이 되고 박리를 통해 PR이 제거되고 에칭을 통해 회로가 형성되는데 이때 에칭 레지스트는 도금된 금속이다.
PCB나 리드 프레임 제조시 회로를 형성하는 방법은 상기와 같다.
그런데 전체 공정 중 노광 공정이 다른 공정보다 상대적으로 오래 걸리는 경우, 즉 노광 공정이 전체 공정의 율속 공정(Rate Control Process)일 때 전체 생산성은 이 노광시간에 의해 결정된다. 따라서, 생산량이 많은 업체일 경우 이 노광 공정에 의해서 전체 생산성이 결정되므로, 보다 고감도(적정 노광 에너지량이 작은)의 PR을 필요로 하게 된다.
이러한 상황은 일반 고감도 PR을 요구하는 경우보다, LDI를 사용하는 경우 극명하게 드러난다. 일반적인 노광 공정은 아트워크를 사용하며, 이때 노광기는 평행광이나 산란광 노광기를 사용하는 데 양자 모두 노광기의 램프가 켜지면, 위치에 약간의 편차는 있어도 아트워크의 모든 면에 고르게 빛이 조사되게 되고, 아트워크 밑의 PR은 동시에 노광을 받게 된다.
그러나 LDI의 광원은 일반적인 램프가 아닌 레이저 도트(Laser dot)로서 아트워크 없이 PR에 직접 이미지를 그리게 된다. 따라서 PR 전체가 동시에 노광을 받을 수 없고 레이저가 지나가는 부위만이 순차적으로 노광이 되므로 상대적으로 일반 램프형 노광기에 비해 상당히 긴 노광시간을 필요로 한다.
그럼에도 불구하고 이러한 LDI를 사용하는 이유는 다음과 같다. 아트워크 제조시 컴퓨터에 저장된 원래 이미지를 아트워크 원 재료에 레이저로 전사시키고, 현상하여 이미지를 만든다. 그러나, 현상 조건에 따라 이미지 편차가 발생하게 되어, 제품 간 편차를 발생시키는 원인이 된다. 또한 적정한 조건 범위 내로 만들어진 아트워크라고 해도 PR에 이미지 전사 시에 아트워크와 PR 사이가 벌어지게 되면, 해상도가 극단적으로 나빠지며, 이는 최종 회로의 결함으로 남게 된다. 이러한, 결함을 없애는 방법으로 컴퓨터에 저장된 원래 이미지를 아트워크 없이 직접 레이저로 PR에 전사한다는 개념에서 LDI가 개발되었다.
그러나, 상기 언급한 것과 같이 긴 노광시간을 필요로 하므로, LDI용 PR은 고감도의 물성이 필요하다(LDI 적정 노광 에너지량 : 3~15mJ/cm2). 또한 일반 노광기에서는 거의 전 파장의 UV가 나오지만, LDI의 경우에는 레이저 광원이므로 단일 파장의 UV만이 나오며, 그 파장에 맞는 PR 조성이어야 한다는 문제점을 갖게 되었다.
이에 본 발명자들은 상기와 같은 종래 감광성 수지 조성물에서 노광 공정에서 특별히 LDI를 광원으로 사용할 때의 긴 노광 시간에 따른 고감도의 물성을 가지는 감광성 수지 조성을 개발하기 위하여 연구노력하던 중, 광중합 개시제, 알칼리 현상성 바인더 고분자 및 광중합성 단량체를 포함하는 감광성 수지 조성물에서 광중합 개시제로 N-페닐글리신을 포함하는 조성으로부터 감광성 수지를 제조한 결과, 일반 램프용 노광기 및 레이저 다이렉트용 노광기 모두에서 해상도, 세선 밀착력과 같은 DFR의 기본 물성을 유지하면서 노광 에너지량을 현저하게 줄여 고감도의 레지스트를 제조할 수 있어, 경제적이고 생산성을 극대화시킬 수 있다는 알게 되어 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 DFR의 기본 물성은 그대로 유지하면서, 일반 램프용 노광기 및 레이저 다이렉트용 노광기 모두에서 노광 에너지량을 최소화시킬 수 있는 고감도 감광성 수지 조성물을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 감광성 수지 조성물을 이용하여 PCB, 리드프레임 등에 레지스트 패턴을 형성하는 방법에서, 일반 램프용 노광기 및 레이저 다이렉트용 노광기 모두에서 고감도의 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 낮은 노광에너지를 제공하는 데도 있다.
이러한 본 발명의 고감도 감광성 수지 조성물은 광중합 개시제, 알칼리 현상성 바인더 고분자 및 광중합성 단량체를 포함하는 감광성 수지 조성물에 있어서, 광개시제로 N-페닐글리신을 더 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
또한, 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 드라이 필름 레지스트의 패 턴 형성 방법에 있어서, 일반 램프 노광기를 이용하여 노광시, 노광 에너지량은 30mJ/cm2 이하이고, 레이저 다이렉트 전용 노광기를 이용하여 노광시, 노광 에너지량은 3 내지 15mJ/cm2 인 것을 그 특징으로 한다.
이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 광중합 개시제, 알칼리 현상성 바인더 고분자 및 광중합성 단량체를 포함하는 감광성 수지 조성물에 있어서, 광개시제로 N-페닐글리신을 더 포함한 것이다.
본 발명에서 감광성 수지조성물이라 함은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름과 폴리에틸렌(PE)필름 사이에 위치한 PR층을 말하는데 여기서 PR층은 광중합개시제, 알카리 현상성 바인더 고분자 및 광중합성 단량체를 포함한다.
본 발명의 광중합 개시제는 UV 및 기타 파장의 라디에이션에 의해서 광중합성 모노머의 연쇄반응을 개시시키는 물질로서, 드라이 필름 포토레지스트의 경화에 중요한 역할을 하는 화합물이다. 본 발명에서는 특별히 광중합 개시제로서, N-페닐글리신을 포함한다. 이같은 광중합 개시제는 빛에 극단적으로 민감하게 반응하여, 아주 적은 노광 에너지만으로도 충분한 반응을 일으켜 회로 형성이 가능해질 수 있다.
본 발명의 N-페닐글리신인 광중합 개시제 함량은 전체 수지 조성 중 2~5중량%인 바, 그 함량이 2중량% 미만이면 개시제의 반응성이 약해져서 적은 노광 에너지량(약 20mJ/cm2 이하)에서 사용이 불가능하며, 5중량%를 초과하면 노광 후 회로의 단면이 심한 역사다리 형태가 되어 에칭 공정 후 원하는 회로폭을 구현할 수 없으며, 심한 경우 단선(open) 불량을 유발할 수 있다.
그 밖에 통상 사용되는 광중합 개시제를 더 포함할 수 있는 바, 예를 들면 2-메틸 안트라퀴논과 2-에틸 안트라퀴논과 같은 안트라퀴논 유도체; 벤조인 메틸 에테르, 벤조페논, 페난트렌 퀴논, 및 4,4'-비스-(디메틸아미노)벤조페논 등과 같은 벤조인 유도체; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤; 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온; 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온; 2-벤질-2-디메틸아미노-1-[4-모르폴리노페닐]부탄-1-온; 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드; 1-[4-(2-히드록시메톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온; 2,4-디에틸티옥산톤; 2-클로로티옥산톤; 2,4-디메틸티옥산톤; 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논; 벤조페논; 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤; 1-(4-이소프로필페닐)2-히드록시-2-메틸프로판-1-온; 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온; 4-벤조일-4'-메틸디메틸설파이드; 4-디메틸아미노벤조산; 메틸 4-디메틸아미노벤조에이트; 에틸 4-디메틸아미노벤조에이트; 부틸 4-디메틸아미노벤조에이트; 2-에틸헥실 4-디메틸아미노벤조에이트; 2-이소아밀 4-디메틸아미노벤조에이트; 2,2-디에톡시아세토페논; 벤질케톤 디메틸아세탈; 벤질케톤 -메톡시 디 에틸아세탈; 1-페닐-1,2-프로필디옥심-o,o'-(2-카르보닐)에톡시에테르; 메틸 o-벤조일벤조에이트; 비스[4-디메틸아미노페닐]케톤; 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논; 4,4'-디클로로벤조페논; 벤질; 벤조인; 메톡시벤조인; 에톡시벤조인; 이소프로폭시벤조인; n-부톡시벤조인; 이소부톡시벤조인; tert-부톡시벤조인; p-디메틸아미노아세토페논; p-tert-부틸트리클로로아세토페논; p-tert-부틸디클로로아세토페논; 티옥산톤; 2-메틸티옥산톤; 2-이소프로필티옥산톤; 디벤조수베론; α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논; 및 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트 중에서 선택된 화합물이 있다. 본 발명의 광중합 개시제의 함량은 상기 N-페닐글리신을 포함하여 전체 감광성 수지 조성 중 4~10중량%인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 알칼리 현상성 바인더 고분자는 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 2-히드록시 에틸 아크릴레이트, 2-히드록시 에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시 프로필 아크릴레이트, 2-히드록시 프로필 메타크릴레이트, 아크릴아마이드, 메타크릴아마이드, 스타이렌, α-메틸 스타이렌중에서 선택된 둘 이상의 모노머들의 공중합을 통해 얻어진 선형 공중합 아크릴산 고분자이다.
이렇게 합성된 선형 공중합 아크릴산 고분자는 드라이 필름 포토레지스트의 코팅성, 추종성, 그리고 회로형성 후 포토 레지스트 자체의 기계적 강도를 고려해서 조성이 결정되며, 이때 고려되는 중요한 물성에는 평균분자량과 유리 전이 온도가 있다. 드라이 필름 포토레지스트용으로 적합한 선형 공중합 아크릴산 고분자는 평균분자량은 30,000~200,000이며, 유리전이온도는 20~120℃ 범위인 고분자 화합물이다.
알카리 현상성 바인더 고분자은 전체 감광성 수지 조성 중 20~80중량%인 것이 바람직하다. 20중량% 미만에서는 레지스트층이 너무 끈적끈적하고, 또한 80중량%를 초과할 경우에는 레지스트층이 너무 딱딱하여 사용이 불가능하다.
또한, 광중합성 단량체는 그 구조가 중간에 (폴리)에틸렌옥사이드, (폴리)프로필렌옥사이드, 비스페놀A, (폴리)우레탄 등의 구조를 가지며, 그 말단에 관능기로서 다수의 (메트)아크릴레이트를 포함하며, 이러한 광중합성 단량체의 함량은 전체 수지 조성 중 10 내지 30 중량%인 것이 바람직하다.
이외에도, 감광성 수지 조성물에 첨가되는 기타첨가제를 포함할 수 있음은 물론이다.
본 발명의 공정을 적용하기에 바람직한 DFR로는 고해상용에 주로 사용되는 박막 DFR과 외층에 사용되어지는 후막 DFR을 들 수 있는 바, 박막 DFR이라 함은 포토레지스트층의 두께가 5 내지 25㎛ 정도인 것이며, 후막 DFR은 포토레지스트층의 두께가 30 내지 150㎛인 것으로서 정의되어질 수 있다.
한편, 본 발명은 상기와 같은 감광성 수지 조성물을 이용하여 드라이 필름 레지스트의 패턴 형성 방법에 있어서, 고감도의 노광 에너지량을 제공할 수 있는 바, 여기서 DFR 중 고감도라고 하면, 일반 램프용 노광기에서는 적정 노광 에너지량이 약 30mJ/cm2 이하이고, LDI용의 경우 현재 약 3~15mJ/cm2정도가 적정 노광 에 너지량이다.
이러한 본 발명의 감광성 수지 조성물을 PCB, 리드프레임 등에 드라이 필름 레지스트의 패턴 형성시, 일반 램프용 노광기를 이용하여 노광할 경우에는 노광 에너지량이 30mJ/cm2 이하의 조건에서 작업이 가능하다.
또한 본 발명의 수지 조성물을 PCB, 리드프레임 등에 드라이 필름 레지스트의 패턴 형성시, 레이저 다이렉트 전용 노광기를 이용하여 노광할 경우에는 노광 에너지량이 3 내지 15mJ/cm2 의 조건에서 PCB, 리드프레임 또는 기타 이미지를 제조하는 작업이 가능하다.
상기와 같은 노광에너지량은 종래의 감광성 수지 조성물로부터 제조된 레지스트의 노광 공정시보다 현저하게 낮은 양으로서 고감도의 레지스트를 제조할 수 있고, 보다 낮은 노광 에너지량을 이용해서 동등 수준의 물성을 얻을 수 있는 것이다.
이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같은 바, 본 발명이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
다음 표 1과 같이 광중합 개시제로 N-페닐글리신 2중량%를 포함하는 조성을 가지는 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
조 성 함량(중량%)
알칼리 현상성 바인더 고분자 메틸 메타크릴레이트, 아크릴산 공중합체 60
광중합 개시제 벤조페논
4,4'-(비스디에틸마미노)벤조페논
루코 크리스탈 바이올렛
톨루엔술폰산1수화물
다이아몬드 그린 GH
N-페닐글리신		 1.0
2.0
1.0
0.5
0.5
2.0
광중합성 단량체*a M-281
M-310
M-2101		 15.0
8.0
10.0
*a : 미원 상사 주식회사의 상품코드
실시예 2
다음 표 2와 같이 광중합 개시제로 N-페닐글리신을 5 중량% 포함하는 조성을 가지는 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
조 성 함량(중량%)
알칼리 현상성 바인더 고분자 메틸 메타크릴레이트, 아크릴산 공중합체 60
광중합 개시제 벤조페논
4,4'-(비스디에틸마미노)벤조페논
루코 크리스탈 바이올렛
톨루엔술폰산1수화물
다이아몬드 그린 GH
N-페닐글리신		 0.5
0.5
0.4
0.3
0.3
5.0
광중합성
단량체*a 		M-281
M-310
M-2101		 15.0
8.0
10.0
*a : 미원 상사 주식회사의 상품코드
비교예 1
다음 표 3과 같이 종래에 사용하던 광중합 개시제만을 포함하는 조성을 가지는 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
조 성 함량(중량%)
알칼리 현상성 바인더 고분자 메틸 메타크릴레이트, 아크릴산 공중합체 60
광중합 개시제 벤조페논
4,4'-(비스디에틸마미노)벤조페논
루코 크리스탈 바이올렛
톨루엔술폰산1수화물
다이아몬드 그린 GH		 2.0
3.0
1.0
0.5
0.5
광중합성
단량체*a 		M-281
M-310
M-2101		 15.0
8.0
10.0
*a : 미원 상사 주식회사의 상품코드
상기와 같은 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물의 DFR를 PCB의 상부 구리층 위에 라미네이션시킨 후 노광, PET 박리, 현상 공정을 진행하고, 경화된 레지스트에 대해 물성을 측정하였다.
다음 표 4에서는 일반 램프용 노광기를 이용하여 노광시켜 제조된 레지스트의 물성을 나타낸 것이며, 표 5는 365nm의 레이저(Orbotech LDI) 노광기를 이용하여 노광시켜 제조된 레지스트의 물성을 나타낸 것이고, 표 6은 405nm의 레이저(Pentax LDI) 노광기를 이용하여 노광시켜 제조된 레지스트의 물성을 나타낸 것이다.
감도*2 노광량*1
비교예 1 실시예 1 실시예 2
감도*2 6 30 6 3
7 42 9 4
8 60 12 6
9 85 17 9
해상도*3
(㎛)		 6 35 35 35
7 41 40 41
8 47 46 47
9 55 53 55

세선밀찰력*4
(㎛)		 6 51 51 51
7 45 45 45
8 34 34 34
9 28 28 27
(주)
*1 아트워크 밑에서의 노광량, 즉 DFR이 받는 노광량(mJ/㎠).
*2 Stuffer 21 step tablet으로 측정한 것이다.
*3 해상도는 회로라인과 회로라인 사이의 공간을 1:1로 하여 측정한 것이다.
*4 세선 밀착력은 독립 세선 중 사행을 제외한 직선의 최소값을 읽은 값이다.
- DFR의 라미네이션 조건
: HAKUTO MACH 610i를 이용하여 115℃, 4Kgf/㎠, 2.5m/min로 수행하였으며, 예열온도(Preheater temp.)는 120℃이다.
- DFR의 노광조건: Perkin-ElmerTM OB7120(평행광 노광기)
- DFR의 현상조건: 현상액 Na2CO3 1중량%를 30℃, 스프레이 압력 1.5Kgf/㎠, 파단점 50%에서 수행하였다.
감도*2 노광량*1
비교예 1 실시예 1 실시예 2
감도*2 6 35 8 5
7 48 11 7
8 70 15 10
9 100 20 14
해상도*3
(㎛)		 6 41 40 41
7 47 47 45
8 52 51 52
9 58 58 57

세선밀착력*4
(㎛)		 6 51 51 50
7 45 44 43
8 34 34 35
9 28 29 29
*1 아트워크 밑에서의 노광량, 즉 DFR이 받는 노광량(mJ/㎠)임.
*2 감도는 Stouffer 21 step tablet으로 측정한 것이다.
*3 해상도는 회로라인과 회로라인 사이의 공간을 1:1로 하여 측정한 것이다.
*4 세선 밀착력은 독립 세선 중 사행을 제외한 직선의 최소값을 읽은 값이다
- DFR의 라미네이션 조건
: HAKUTO MACH 610i를 이용하여 115℃, 4Kgf/㎠, 2.5m/min로 수행하였으며, 예열온도(Preheater temp.)는 120℃이다.
- DFR의 노광조건: Orbotech(365nm Laser 노광기, Model명 : DP-100SL)
- DFR의 현상조건: 현상액 Na2CO3 1중량%를 30℃, 스프레이 압력 1.5Kgf/㎠, 파단점 50%에서 수행하였다.
감도*2 노광량*1
비교예 1 실시예 1 실시예 2
감도*2 6 33 7 3
7 45 10 6
8 68 14 9
9 95 20 13
해상도*3
(㎛)		 6 41 40 40
7 47 47 46
8 52 51 51
9 58 58 58

세선밀착력*4
(㎛)		 6 51 51 52
7 45 44 45
8 34 34 34
9 28 28 28
*1 아트워크 밑에서의 노광량, 즉 DFR이 받는 노광량(mJ/㎠)임.
*2 감도는 Stuffer 21 step tablet으로 측정한 것이다.
*3 해상도는 회로라인과 회로라인 사이의 공간을 1:1로 하여 측정한 것이다.
*4 세선 밀착력은 독립 세선 중 사행을 제외한 직선의 최소값을 읽은 값이다
- DFR의 라미네이션 조건
: HAKUTO MACH 610i를 이용하여 115℃, 4Kgf/㎠, 2.5m/min로 수행하였으며, 예열온도(Preheater temp.)는 120℃이다.
- DFR의 노광조건: Pentax(405nm Laser 노광기, Model명 : DP-100SL)
- DFR의 현상조건: 현상액 Na2CO3 1중량%를 30℃, 스프레이 압력 1.5Kgf/㎠, 파단점 50%에서 수행하였다.
상기 표 4 내지 6의 결과에서 보는 바와 같이, 본 발명에서와 같이 종래 감광성 수지 조성물에서 광중합 개시제로 N-페닐글리신을 더 포함한 조성으로부터 제조된 DFR은 해상도, 및 세선밀착력과 같은 기본 물성은 동등 수준이고, 노광 에너지량(감도)은 일반 램프용 노광기 및 레이저 다이렉트 노광기 모두에서 절대적으로 작아진 것을 확인할 수 있다.
이상에서 상세히 살펴본 바와 같이, N-페닐글리신을 광중합 개시제로 더 포함하는 본 발명의 감광성 수지 조성물은 DFR의 기본 물성은 동등 수준으로 유지하면서, 일반 램프용 노광기 또는 레이저 다이렉트 노광기 모두에서 그 노광에너지를 현저하게 감소시킬 수 있으므로, 노광 공정의 속도가 전체 생산 공정의 속도를 좌우하는 업체나, 특히 LDI 공정에 사용하면 기존 당사의 제품에 비하여 기본 물성은 동등 수준에서 생산성을 극대화 시킬 수 있는 고감도 레지스트를 제공한다.

Claims (4)

  1. 광중합 개시제, 고분자 결합재 및 광중합성 단량체를 포함하는 감광성 수지 조성물에 있어서,
    상기 광중합 개시제는 N-페닐글리신, 4,4'-(비스디에틸마미노)벤조페논 및 톨루엔술폰산1수화물을 포함하는 것이고,
    상기 N-페닐글리신의 함량은 전체 수지 조성 중 2 내지 5 중량%인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  2. 삭제
  3. 감광성 수지 조성물을 이용한 드라이 필름 레지스트의 패턴 형성 방법에 있어서,
    제 1항의 감광성 수지 조성물을 일반 램프 노광기를 이용하여 노광 에너지량30mJ/cm2 이하로 노광하는 것을 특징으로 하는 드라이 필름 레지스트의 패턴 형성 방법.
  4. 감광성 수지 조성물을 이용한 드라이 필름 레지스트의 패턴 형성 방법에 있어서,
    제 1항의 감광성 수지 조성물을 레이저 다이렉트 전용 노광기를 이용하여 노광 에너지량 3 내지 15mJ/cm2 로 노광하는 것을 특징으로 하는 드라이 필름 레지스트의 패턴 형성 방법.
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