KR101097963B1 - 반사 방지막 형성용 조성물, 그 제조 방법과 이를 이용한반사 방지막 및 패턴 형성 방법 - Google Patents
반사 방지막 형성용 조성물, 그 제조 방법과 이를 이용한반사 방지막 및 패턴 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101097963B1 KR101097963B1 KR1020050050060A KR20050050060A KR101097963B1 KR 101097963 B1 KR101097963 B1 KR 101097963B1 KR 1020050050060 A KR1020050050060 A KR 1020050050060A KR 20050050060 A KR20050050060 A KR 20050050060A KR 101097963 B1 KR101097963 B1 KR 101097963B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- film
- groups
- polymer
- formula
- Prior art date
Links
- 0 C*1(*)CCCC1 Chemical compound C*1(*)CCCC1 0.000 description 3
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
- Y10S438/952—Utilizing antireflective layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
Description
실리콘 고분자가 하층 레지스트 막으로서 사용되는 많은 패턴 형성 방법이 제안되었다. JP05-27444A, JP06-138664A, JP2001-53068A, JP2001-92122A 및 JP2001-343752A는 또한 반사 방지막의 효과를 갖는 실리카 유리 층과 실세스퀴옥산(Silsesquioxane) 고분자 재료를 제안하고 있다. 그 밖에, U.S.P. 6420088 및 JP2003-502449A는 각각 실세스퀴옥산 고분자 또는 스핀온글래스(spin-on glass) 재료를 기초로 한 반사 막과 하드 마스크(hard mask)로서 기능하는 재료를 제안하고 있다. 그러나, 이러한 실리콘 함유 고분자 각각에는, 저장 안정성의 문제가 있으며, 고분자가 실제 사용되는 경우 막 두께가 수시로 변한다는 치명적인 결함이 있다. 그 밖에, 이러한 스핀온글래스 재료를 실록산과 가교시킴으로써 형성되는 막 위의 레지스트 패턴 모양들은 수직하지 않으며, 테일링, 역테이퍼(reverse taper) 및 막 잔류물 등의 이상(異常)이 발생한다. 이러한 산 또는 염기의 레지스트 재료로부터 반사 방지막 층으로의 분산 이동 또는 반사 방지막 층으로부터 레지스트 재료로의 분산 이동은 실록산 결합 사이의 공백에서 발생하는 것이다.
(ⅴ) 식 (P5)의 N-히드록시이미드 화합물의 황산 에스테르,
계면 활성제: 3M(3M Co. Ltd)에서 생산한 계면 활성제
첨가 조성(wt%) |
귤절률 (193 nm) |
SiO2 양 | 가교기 밀도 | |||||||
중합체 용액 |
중합체 (고체함량) |
가교제 | 산 발생제 |
계면 활성제 |
증류용 유기용매 |
n 값 | k 값 | wt% | mmol/g | |
실시예 1 | 제조예 1 | 9.0 | 0.9 | 0.1 | 0.1 | PGMEA | 1.78 | 0.20 | 34.4 | 2.04 |
실시예 2 | 제조예 2 | 9.0 | 0.9 | 0.1 | 0.1 | PGMEA | 1.76 | 0.21 | 30.6 | 1.04 |
실시예 3 | 제조예 3 | 9.0 | 0.9 | 0.1 | 0.1 | PGMEA | 1.77 | 0.19 | 39.6 | 2.76 |
실시예 4 | 제조예 4 | 9.0 | 0.9 | 0.1 | 0.1 | PGMEA | 1.79 | 0.21 | 26 | 2.47 |
실시예 5 | 제조예 5 | 9.0 | - | 0.1 | 0.1 | PGMEA | 1.80 | 0.21 | 36.8 | 3.22 |
비교예 1 | 제조예 6 | 9.0 | 0.9 | 0.1 | 0.1 | EL | 1.81 | 0.23 | 45.9 | 7.71 |
비교예 2 | 제조예 7 | 9.0 | 0.9 | 0.1 | 0.1 | PnP | 1.77 | 0.23 | 76.8 | 0.9 |
비교예 3 | 제조예 8 | 9.0 | 0.9 | 0.1 | 0.1 | PGMEA | 1.76 | 0.24 | 18.8 | 3.6 |
[포토 레지스트 막 재료의 제조]
레지스트 번호 | 중합체(중량부) | 산 발생제(중량부) | 용매(중량부) |
1 | ArF 단일층 레지스트 중합체 A(100) | PAG 1(4.0) | PGMEA(1,200) |
반사 방지막 재료(표 1) | 가교기 양(mmol/g) | 라인 및 공간 레지스트 패턴 모양 |
실시예 1 | 2.04 | 수직, 테일링 없음 |
실시예 2 | 1.04 | 수직, 테일링 없음 |
실시예 3 | 2.76 | 수직, 테일링 없음 |
실시예 4 | 2.47 | 수직, 테일링 없음 |
실시예 5 | 3.22 | 수직, 테일링 없음 |
비교예 1 | 7.71 | 수직, 테일링 없음 |
비교예 2 | 0.9 | 혼합(intermixing), 테일링 |
비교예 3 | 3.6 | 수직, 테일링 없음 |
막 재료(표 1,2) | SiO2 양(wt) | CHF3/CF4 가스 식각 속도(nm/min) |
실시예 1 | 34.4 | 460 |
실시예 2 | 30.6 | 420 |
실시예 3 | 39.6 | 495 |
실시예 4 | 26.0 | 380 |
실시예 5 | 36.8 | 480 |
비교예 1 | 45.9 | 560 |
비교예 2 | 76.8 | 705 |
비교예 3 | 18.8 | 205 |
레지스트 1 | 0 | 220 |
저인덕턴스 막 | 88 | 800 |
공정 | A | B |
스트리핑 유체 | EKC-2255 | EKC-2255 |
막 재료(표 1,2) | 막 두께 감소량(nm) | 막 두께 감소량(nm) |
실시예 1 | 3 | 23 |
실시예 2 | 3 | 18 |
실시예 3 | 3 | 15 |
실시예 4 | 5 | 30 |
실시예 5 | 3 | 15 |
비교예 1 | 0 | 5 |
비교예 2 | 0 | 0 |
비교예 3 | 10 | 30 |
저인덕턴스 막 | 0 | 0 |
가열 조건 | 180℃에서 15분 | 300℃에서 15분 | 350℃에서 15분 | 450℃에서 15분 |
막 재료 | 막 두께 감소(nm) | 막 두께 감소(nm) | 막 두께 감소(nm) | 막 두께 감소(nm) |
실시예 1 | 3 | 33 | 23 | 1 |
실시예 2 | 3 | 35 | 18 | 2 |
실시예 3 | 3 | 8 | 15 | 1 |
실시예 4 | 5 | 38 | 30 | 2 |
실시예 5 | 3 | 28 | 15 | 3 |
비교예 1 | 0 | 20 | 5 | 1 |
비교예 2 | 0 | 0 | 0 | 0 |
비교예 3 | 10 | 30 | 30 | 3 |
저인덕턴스 막 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Claims (15)
- 유기 용매와,산 발생제와,단량체 단위 Ua, Ub 및 Uc를 포함하는 공중합체인 식 (1)로 나타내는 중합체를 포함하는 것인 반사 방지막 형성용 조성물.식에서, R1a는 가교제나 식 (1) 중에 나중 정의되는 R5 이외의 유기 기 (R1a, R2, R3, R4, R6), 또는 둘 다와 가교 가능한 일가(一價)의 유기 기로, 탄소 원자가 1 내지 20인 선형, 분지형 또는 고리형 알킬기의 하나 이상의 수소 원자가 히드록실기로 치환된 유기 기이거나, 탄소 원자가 4 이하인 카르복실산에 의하여 에스테르화된 유기 기이고, 여기서 R1a는 에폭시기와 하이드록실기 중 어느 하나 또는 둘 다를 갖는 것인 일가(一價)의 유기 기이고,R2는 가교제와 R1a 중 어느 하나 또는 둘 다와 가교 가능하거나 가교 불가능한 일가의 유기 기로, 여기서 R2는 안트라센 고리, 나프탈렌 고리, 벤젠 고리; 및 알콕시기, 아실옥시기 또는 탄소가 1 내지 6인 아세탈기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 광 흡수기를 포함하는 일가의 유기기이며,R5는 선형, 분지형 또는 고리형 알킬기; 또는 1차 또는 2차 알킬옥시기, 할로겐, 시아노기, 실릴기 또는 실릴옥시기에 의하여 치환된 선형, 분지형 또는 고리형 알킬기인 가교 불가능한 일가의 유기 기이고,R3는 히드록실기, 1 내지 6 탄소 원자를 갖는 알킬기, 1 내지 4 탄소 원자를 갖는 알콕시기 또는 R2 또는 R5에서 설명한 기들로부터 선택되는 기이며, R4는 R1a, R3 또는 R5에서 설명한 기들로부터 선택되는 기이고, R6은 R1a, R3 또는 R2에서 설명한 기들로부터 선택되는 기이며, p + q 〈 1를 조건으로 p는 o〈 p〈 1의 수이고 q는 o 〈 q〈 1의 수이며, l, m 및 n은 독립적으로 0 이상 1 이하의 범위에 있는 수이다.
- 유기 용매와,산 발생제와,단량체 단위 Ua', Ub 및 Uc를 포함하는 공중합체인 식 (2)로 나타내는 중합체를 포함하는 것인 반사 방지막 형성용 조성물.식에서, R1b는 가교제나 식 (2) 중에 나중 정의되는 R5 이외의 유기 기 (R1a, R2, R3, R4, R6), 또는 둘 다와 가교 가능한 일가(一價)의 유기 기를 개질하여 얻은 가교 가능한 일가의 유기 기로, 탄소 원자가 1 내지 20인 선형, 분지형 또는 고리형 알킬기의 하나 이상의 수소 원자가 히드록실기로 치환된 유기 기이거나, 탄소 원자가 4 이하인 카르복실산에 의하여 에스테르화된 유기 기이고, 여기서 일가의 유기기는 에폭시기와 하이드록실기 중 어느 하나 또는 둘 다를 갖는 것이며, 여기서 R1b는 탄소-산소 단일 결합, 탄소-산소 이중 결합, 알킬카보닐옥시기, 아세톡시기 및 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기를 갖는 유기 기이고,R2는 가교제와 R1b 중 어느 하나 또는 둘 다와 가교 가능하거나 가교 불가능한 일가의 유기 기로, 여기서 R2는 안트라센 고리, 나프탈렌 고리, 벤젠 고리; 및 알콕시기, 아실옥시기 또는 탄소가 1 내지 6인 아세탈기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 광 흡수기를 포함하는 일가의 유기기이며,R5는 선형, 분지형 또는 고리형 알킬기; 또는 1차 또는 2차 알킬옥시기, 할로겐, 시아노기, 실릴기 또는 실릴옥시기에 의하여 치환된 선형, 분지형 또는 고리형 알킬기인 가교 불가능한 일가의 유기 기이고,R3는 히드록실기, 1 내지 6 탄소 원자를 갖는 알킬기, 1 내지 4 탄소 원자를 갖는 알콕시기 또는 R2 또는 R5에서 설명한 기들로부터 선택되는 기이며, R4는 R1b, R3 또는 R5에서 설명한 기들로부터 선택되는 기이고, R6은 R1b, R3 또는 R2에서 설명한 기들로부터 선택되는 기이며, p + q 〈 1를 조건으로 p는 o〈 p〈 1의 수이고 q는 o 〈 q〈 1의 수이며, l, m 및 n은 독립적으로 0 이상 1 이하의 범위에 있는 수이다.
- 제2항에 있어서, 식 (2)로 나타내는 중합체가 아닌 식 (1)로 나타내는 중합체를 추가로 포함하는 것인 반사 방지막 형성용 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 식 (1)이나 식 (2), 또는 둘 다에서 R5는 치환 또는 비치환 탄화수소기, 옥시알킬기 또는 카보옥시알킬기로부터 선택되는 하나의 기를 포함하는 것인 반사 방지막 형성용 조성물.
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 식 (1)이나 식 (2), 또는 둘 다로 나타내는 중합체 중의 가교 가능한 유기 기의 농도는 고체 함량 1 g 당 1 mmol 내지 7 mmol인 것인 반사 방지막 형성용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 식 (1)이나 식 (2), 또는 둘 다로 나타내는 중합체 중 실리콘 원자 및 실리콘 원자에 직접 부착되는 산소 원자의 총 함량은 20 중량% 이상이고 70 중량% 이하인 것인 반사 방지막 형성용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 가교제를 추가로 포함하는 것인 반사 방지막 형성용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 의한 반사 방지막 형성용 조성물을 기판 상에 도포하는 공정과,상기 반사 방지막 형성용 조성물 중에 포함된 중합체 중에 광 흡수기, 가교기 및 비가교기 중에서 선택되는 1종 이상이 분해되어 그 중합체로부터 떠나는 것을 방지하기 위하여 시간과 온도를 충분히 짧고 낮게 유지시키면서, 중합체를 가교시켜 반사 방지막 층을 형성시키는 공정과,상기 반사 방지막 층 위에 포토레지스트 막 재료를 도포하는 공정과,상기 도포된 포토레지스트 막 재료를 프리베이킹하여 포토레지스트 막을 형성시키는 공정과,상기 반사 방지막 층 위의 상기 포토레지스트 막의 패턴 회로 영역을 노출시킨 다음, 현상액으로 현상하여 레지스트 막 상에 레지스트 패턴을 형성시키는 공정과,상기 레지스트 패턴이 형성된 포토레지스트 층의 마스크를 이용하여 상기 반사 방지막 층과 기판을 가공하는 공정과,상기 가교된 중합체 중에 광 흡수기, 가교기 및 비가교기 중에서 선택되는 1종 이상이 분해하는 온도보다 더 높은 온도에서, 그리고 SiC가 형성되지 않는 조건으로 상기 포토레지스트 층과 상기 반사 방지막 층을 가열하는 공정과,상기 포토레지스트 층과 상기 반사 방지막 층을 제거하는 공정을 포함하는 리소그래피를 이용한 기판 위의 패턴 형성 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 포토레지스트 층과 상기 반사 방지막 층을 제거하는 공정은 웨트 스트리핑 (wet stripping)을 포함하는 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 중합체 중에 광 흡수기 가교기 및 비가교기 중에서 선택되는 1종 이상을 분해하기 위한 가열 온도는 180℃ 내지 400℃인 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 기판은 유전성이 2.7 이하인 저유전성 막인 것인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 의한 반사 방지막 형성용 조성물을 사용하여 형성된 반사 방지막.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2004-00172222 | 2004-06-10 | ||
JP2004172222A JP4491283B2 (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 反射防止膜形成用組成物を用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060046423A KR20060046423A (ko) | 2006-05-17 |
KR101097963B1 true KR101097963B1 (ko) | 2011-12-23 |
Family
ID=35460951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050050060A KR101097963B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-10 | 반사 방지막 형성용 조성물, 그 제조 방법과 이를 이용한반사 방지막 및 패턴 형성 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7541134B2 (ko) |
JP (1) | JP4491283B2 (ko) |
KR (1) | KR101097963B1 (ko) |
TW (1) | TWI312443B (ko) |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050214674A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
JP4846267B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2011-12-28 | 東レ・ファインケミカル株式会社 | 水酸基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法 |
JP4541080B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2010-09-08 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物およびこれを用いた配線形成方法 |
JP4634834B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-02-16 | Jsr株式会社 | シルセスキオキサン重合体並びに屈折率変換材料および光−熱エネルギー変換蓄積材料 |
US20070015082A1 (en) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | International Business Machines Corporation | Process of making a lithographic structure using antireflective materials |
US7326442B2 (en) * | 2005-07-14 | 2008-02-05 | International Business Machines Corporation | Antireflective composition and process of making a lithographic structure |
JP4566861B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2010-10-20 | 富士通株式会社 | レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
US7485573B2 (en) * | 2006-02-17 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Process of making a semiconductor device using multiple antireflective materials |
JP4548616B2 (ja) | 2006-05-15 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法 |
JP2009540084A (ja) * | 2006-06-13 | 2009-11-19 | ブラゴーン オサケ ユキチュア | 反射防止被膜用の無機−有機混成重合体組成物 |
US9051491B2 (en) * | 2006-06-13 | 2015-06-09 | Braggone Oy | Carbosilane polymer compositions for anti-reflective coatings |
US7704670B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | High silicon-content thin film thermosets |
US20070298349A1 (en) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Ruzhi Zhang | Antireflective Coating Compositions Comprising Siloxane Polymer |
JP4718390B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2011-07-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法 |
JP4826805B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-11-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜材料、フォトレジスト下層膜基板及びパターン形成方法 |
JP5115099B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2013-01-09 | 東レ・ファインケミカル株式会社 | アシロキシ基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法 |
US8158981B2 (en) * | 2006-09-25 | 2012-04-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Radiation-sensitive composition, method of forming silica-based coating film, silica-based coating film, apparatus and member having silica-based coating film and photosensitizing agent for insulating film |
US7416834B2 (en) * | 2006-09-27 | 2008-08-26 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
KR100796047B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2008-01-21 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물, 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체집적회로 디바이스 |
JP2008158002A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
JP5035770B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-09-26 | 東レ・ファインケミカル株式会社 | 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体、及び、その製造方法 |
JP5101904B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-12-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜 |
US8026040B2 (en) | 2007-02-20 | 2011-09-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Silicone coating composition |
US7736837B2 (en) * | 2007-02-20 | 2010-06-15 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating composition based on silicon polymer |
TWI434891B (zh) * | 2007-02-22 | 2014-04-21 | Silecs Oy | 積體電路用高矽含量矽氧烷聚合物 |
WO2008104874A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for making siloxane polymers |
KR101523393B1 (ko) | 2007-02-27 | 2015-05-27 | 이엠디 퍼포먼스 머티리얼스 코프. | 규소를 주성분으로 하는 반사 방지 코팅 조성물 |
US8088548B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-01-03 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions |
WO2009060125A1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Braggone Oy | Carbosilane polymer compositions for anti-reflective coatings |
EP2071400A1 (en) * | 2007-11-12 | 2009-06-17 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
CN101878451B (zh) * | 2007-11-30 | 2013-04-24 | 日产化学工业株式会社 | 具有封端异氰酸酯基且含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物 |
US20090162800A1 (en) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | David Abdallah | Process for Imaging a Photoresist Coated over an Antireflective Coating |
WO2009084775A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Seoul National University Industry Foundation | Resist for e-beam lithography |
EP2270020B1 (en) * | 2008-03-24 | 2014-03-19 | Showa Denko K.K. | Epoxy compound and process for producing the epoxy compound |
CN102046700B (zh) * | 2008-03-26 | 2015-03-11 | 琳得科株式会社 | 包括硅烷化合物聚合物的固定材料及光学设备密封体 |
US20090253081A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | David Abdallah | Process for Shrinking Dimensions Between Photoresist Pattern Comprising a Pattern Hardening Step |
US20090253080A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Dammel Ralph R | Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning |
US20100040838A1 (en) * | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Abdallah David J | Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image |
JP2010095689A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Air Water Inc | ポリシロキサン化合物およびその製造方法 |
JP4813537B2 (ja) | 2008-11-07 | 2011-11-09 | 信越化学工業株式会社 | 熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法 |
US8455176B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-06-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition |
JP4826840B2 (ja) | 2009-01-15 | 2011-11-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4826841B2 (ja) | 2009-01-15 | 2011-11-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
US8084186B2 (en) * | 2009-02-10 | 2011-12-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane |
JP4826846B2 (ja) | 2009-02-12 | 2011-11-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
KR101710415B1 (ko) * | 2009-09-14 | 2017-02-27 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사방지막 형성용 이소시아누레이트 화합물 및 이를 포함하는 조성물 |
US8632948B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-01-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US20110086312A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Dammel Ralph R | Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating |
JP5229278B2 (ja) | 2010-06-21 | 2013-07-03 | 信越化学工業株式会社 | ナフタレン誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 |
JP5556773B2 (ja) | 2010-09-10 | 2014-07-23 | 信越化学工業株式会社 | ナフタレン誘導体及びその製造方法、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 |
JP6064360B2 (ja) * | 2011-05-11 | 2017-01-25 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物 |
CN103021930B (zh) * | 2011-09-20 | 2016-04-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种金属互连层刻蚀方法 |
US9366964B2 (en) | 2011-09-21 | 2016-06-14 | Dow Global Technologies Llc | Compositions and antireflective coatings for photolithography |
US9011591B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-04-21 | Dow Global Technologies Llc | Compositions and antireflective coatings for photolithography |
JP5653880B2 (ja) | 2011-10-11 | 2015-01-14 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
US9068086B2 (en) | 2011-12-21 | 2015-06-30 | Dow Global Technologies Llc | Compositions for antireflective coatings |
CN104137235B (zh) | 2012-01-19 | 2017-02-22 | 布鲁尔科技公司 | 含金刚烷基的非聚合物减反射组合物 |
US8871425B2 (en) * | 2012-02-09 | 2014-10-28 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Low dielectric photoimageable compositions and electronic devices made therefrom |
US9348228B2 (en) * | 2013-01-03 | 2016-05-24 | Globalfoundries Inc. | Acid-strippable silicon-containing antireflective coating |
US9245751B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-reflective layer and method |
US9502231B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist layer and method |
US9256128B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9543147B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of manufacture |
KR101845081B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2018-04-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치 |
KR101908163B1 (ko) | 2014-12-03 | 2018-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치 |
KR101835866B1 (ko) | 2014-12-17 | 2018-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치 |
KR101835867B1 (ko) | 2014-12-23 | 2018-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치 |
WO2016111210A1 (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Jsr株式会社 | シリコン含有膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
KR102021456B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2019-09-16 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 데이켐 엘엘씨 | 레지스트 적용에서 광산 발생제로서 술폰산 유도체 화합물 |
WO2017154545A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | Jsr株式会社 | レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及び重合体 |
TWI655506B (zh) * | 2016-06-29 | 2019-04-01 | 奇美實業股份有限公司 | 負型感光性樹脂組成物、間隙體、保護膜以及液晶顯示元件 |
JP6792788B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10186424B2 (en) | 2017-06-14 | 2019-01-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Silicon-based hardmask |
JP6942314B2 (ja) * | 2017-07-27 | 2021-09-29 | 東レ・ファインケミカル株式会社 | シリコーン重合体組成物の製造方法 |
JP6981945B2 (ja) | 2018-09-13 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP7360927B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2023-10-13 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性ケイ素含有化合物、ケイ素含有膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001053068A (ja) | 1999-06-11 | 2001-02-23 | Shipley Co Llc | 反射防止ハードマスク組成物 |
US6420088B1 (en) | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3741932A (en) * | 1972-04-10 | 1973-06-26 | Minnesota Mining & Mfg | Curable epoxy organopolysiloxanes having pendant chromophoric groups |
US4822716A (en) * | 1985-12-27 | 1989-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds |
DE3760030D1 (en) * | 1986-02-07 | 1989-02-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane |
US5270116A (en) * | 1986-07-10 | 1993-12-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for fluorimetric monitoring of functional coatings and compositions and fluorescent agents therefor |
JPH0769611B2 (ja) | 1986-12-01 | 1995-07-31 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂用下地材料 |
US5457003A (en) * | 1990-07-06 | 1995-10-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Negative working resist material, method for the production of the same and process of forming resist patterns using the same |
JP2999603B2 (ja) | 1990-09-14 | 2000-01-17 | ヒュンダイ エレクトロニクス アメリカ | スピンオングラス組成物、ハードマスクおよびハードマスク製造法 |
US5100503A (en) | 1990-09-14 | 1992-03-31 | Ncr Corporation | Silica-based anti-reflective planarizing layer |
JP2751622B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1998-05-18 | 信越化学工業株式会社 | オルガノポリシロキサン及びその製造方法 |
JPH06138664A (ja) | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
JP3568563B2 (ja) | 1993-09-03 | 2004-09-22 | 呉羽化学工業株式会社 | 二次電池電極用炭素質材料およびその製造法 |
US6054254A (en) | 1997-07-03 | 2000-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composition for underlying film and method of forming a pattern using the film |
KR100452670B1 (ko) * | 1997-08-06 | 2005-10-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자실리콘화합물,레지스트재료및패턴형성방법 |
US6391999B1 (en) * | 1998-02-06 | 2002-05-21 | Rensselaer Polytechnic Institute | Epoxy alkoxy siloxane oligomers |
US6268113B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-07-31 | Eastman Kodak Company | Antireflection direct write lithographic printing plates |
US6087064A (en) * | 1998-09-03 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method |
US6114085A (en) * | 1998-11-18 | 2000-09-05 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist |
US6251562B1 (en) | 1998-12-23 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Antireflective polymer and method of use |
US6268457B1 (en) | 1999-06-10 | 2001-07-31 | Allied Signal, Inc. | Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography |
KR100804873B1 (ko) | 1999-06-10 | 2008-02-20 | 얼라이드시그날 인코퍼레이티드 | 포토리소그래피용 sog 반사방지 코팅 |
JP4248098B2 (ja) | 1999-09-20 | 2009-04-02 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法 |
JP3795333B2 (ja) | 2000-03-30 | 2006-07-12 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物 |
JP5133490B2 (ja) | 2000-09-21 | 2013-01-30 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | リアル・タイムにおいて溶接条件を検知するためのスポット溶接装置および方法 |
TW538319B (en) * | 2000-10-10 | 2003-06-21 | Shipley Co Llc | Antireflective composition, method for forming antireflective coating layer, and method for manufacturing electronic device |
US6382620B1 (en) | 2001-03-16 | 2002-05-07 | Hewlett-Packard Company | Single sheet feeder with angled multi-sheet retard pad |
US6730454B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective SiO-containing compositions for hardmask layer |
JP2004014841A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4244315B2 (ja) * | 2002-12-02 | 2009-03-25 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成用材料 |
JP4369203B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2009-11-18 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
JP4430986B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2010-03-10 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法 |
JP4379596B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2009-12-09 | 信越化学工業株式会社 | 犠牲膜形成用組成物、パターン形成方法、犠牲膜及びその除去方法 |
JP4553113B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | 多孔質膜形成用組成物、パターン形成方法、及び多孔質犠性膜 |
-
2004
- 2004-06-10 JP JP2004172222A patent/JP4491283B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-06-03 TW TW094118411A patent/TWI312443B/zh active
- 2005-06-10 US US11/150,565 patent/US7541134B2/en active Active
- 2005-06-10 KR KR1020050050060A patent/KR101097963B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001053068A (ja) | 1999-06-11 | 2001-02-23 | Shipley Co Llc | 反射防止ハードマスク組成物 |
US6420088B1 (en) | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4491283B2 (ja) | 2010-06-30 |
US20050277058A1 (en) | 2005-12-15 |
US7541134B2 (en) | 2009-06-02 |
JP2005352104A (ja) | 2005-12-22 |
TWI312443B (en) | 2009-07-21 |
TW200604735A (en) | 2006-02-01 |
KR20060046423A (ko) | 2006-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101097963B1 (ko) | 반사 방지막 형성용 조성물, 그 제조 방법과 이를 이용한반사 방지막 및 패턴 형성 방법 | |
JP4553835B2 (ja) | 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板 | |
US7417104B2 (en) | Porous film-forming composition, patterning process, and porous sacrificial film | |
EP1788433B1 (en) | Silicon-containing film forming composition and substrate processing method | |
JP4369203B2 (ja) | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 | |
KR100857967B1 (ko) | 반사 방지막 재료, 이것을 이용한 반사 방지막 및 패턴형성 방법 | |
KR100882409B1 (ko) | 반사 방지용 실리콘 수지, 반사 방지막 재료, 이것을 이용한 반사 방지막 및 패턴 형성 방법 | |
JP4430986B2 (ja) | 反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法 | |
EP1788012B1 (en) | Silicon-containing antireflective coating forming composition, silicon-containing antireflective coating, substrate processing intermediate, and substrate processing method | |
JP4700929B2 (ja) | 反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法 | |
JP4515987B2 (ja) | 反射防止膜材料、及びパターン形成方法 | |
JP4780323B2 (ja) | エッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物、エッチングマスク用ケイ素含有膜、及び、これを用いた基板加工中間体及び被加工基板の加工方法 | |
JP4563927B2 (ja) | 基板及びその製造方法、並びにそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4780324B2 (ja) | ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜、及び、これを用いた基板加工中間体及び被加工基板の加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141120 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161122 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171120 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181129 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191202 Year of fee payment: 9 |