KR101084457B1 - 기판 처리에 있어서의 배기 장치 - Google Patents

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요시오 기무라
고오조오 가나가와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 배기 유체 중 이물질의 수집을 확실하게 하는 동시에, 수집량의 증대를 도모할 수 있고, 또한 장치의 소형화를 도모할 수 있게 한 배기 장치를 제공하는 것이다.
피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 밀폐 용기(54) 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 배기 장치에 있어서, 배기관(68)을 거쳐서 밀폐 용기에 접속되는 동시 하단부가 폐색되는 외부 배기통(71) 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로(201)와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방에 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로(202)와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로(203)를 구비하고, 배출로에 배기 수단인 이젝터(100)를 끼워 설치한다.
외부 배기통, 반도체 웨이퍼, 하류 안내로, 배출로, 상류 안내로, 이젝터

Description

기판 처리에 있어서의 배기 장치{EXHAUST DEVICE IN SUBSTRATE PROCESSING}
도1은 본 발명에 관한 배기 장치를 구비하는 기판 처리 장치를 적용한 레지스트액 도포ㆍ현상 처리 시스템의 일례를 도시하는 개략적인 평면도.
도2는 상기 레지스트액 도포ㆍ현상 처리 시스템의 개략 정면도.
도3은 상기 레지스트액 도포ㆍ현상 처리 시스템의 개략 배면도.
도4는 본 발명에 관한 배기 장치의 제1 실시예의 사용 상태를 도시하는 개략 단면도
도5는 상기 배기 장치와 가열 장치를 도시하는 사시도.
도6은 상기 배기 장치의 주요부를 도시하는 확대 단면도.
도7은 본 발명에 있어서의 외부 배기통의 분할 상태를 도시하는 사시도.
도8은 본 발명에 관한 배기 장치의 제2 실시 형태를 도시하는 주요부 단면 사시도.
도9는 본 발명에 관한 배기 장치의 제3 실시 형태를 도시하는 개략 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
54 : 밀폐 용기(처리실)
68 : 배기관
69 : 도전성 코일
70 : 배기 장치
71 : 외부 배기통
71a : 내벽면
71b : 바닥부
73 : 모노메이터(압력 검출 수단)
74 : 관찰창
75 : 상부 절반 부재
76 : 하부 절반 부재
77 : 조면부
80, 80A : 중간 배기통
80a : 내벽면
80b : 외벽면
90 : 내부 배기통
90b : 외벽면
100 : 이젝터(배기 수단)
201 : 하류 안내로
202 : 상류 안내로
203 : 배출로
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-347198호
본 발명은 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 유리 기판 등의 기판을, 예를 들어 가열 처리하는 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치의 제조에 있어서는 반도체 웨이퍼나 LCD 유리 기판 등(이하에, 웨이퍼 등으로 함) 상에 ITO(Indium Tin 0xide)의 박막이나 전극 패턴을 형성하기 위해 포토 리소그래피 기술이 이용되고 있다. 이 포토 리소그래피 기술에 있어서는 웨이퍼 등에 포토 레지스트를 도포하고, 이에 의해 형성된 레지스트막을 소정의 회로 패턴에 따라 노광하고, 이 노광 패턴을 현상 처리함으로써 레지스트막에 회로 패턴이 형성되어 있다.
이러한 포토 리소그래피 공정에 있어서는 레지스트 도포 후의 가열 처리(프리 베이크), 노광 후의 가열 처리(포스트 익스포저 베이크), 현상 처리 후의 가열 처리(포스트 베이크) 등의 여러 가지의 가열 처리가 실시되어 있다.
종래의 이러한 종류의 가열 처리에 있어서, 상기 프리 베이크에서는 웨이퍼 등을 수용하는 처리실 내에, 예를 들어 에어 혹은 질소(N2) 가스 등의 퍼지 가스를 공급하고, 처리에 제공된 유체를 처리실에 접속된 배기관을 거쳐서 외부에 배기하고 있다. 이때, 가열시에 웨이퍼 등의 표면에 형성된 레지스트막으로부터 약간 승 화물[포토 레지스트에 함유되는 산 발생재, 예를 들어 PAG(Photo acid grain)나 레지스트를 구성하는 저분자 수지 등]과 같은 이물질이 발생한다. 특히, 비점이 낮은 비이온계(non-ionic) 산발생재를 사용하고 있는 포토 레지스트에 있어서는 승화물의 발생이 많다. 따라서, 각 처리실에 상기 승화물과 같은 이물질 등의 수집부, 예를 들어 필터를 설치하고, 배기 유체 중의 이물질이 외부로 배출되는 것을 방지하고 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-347198호(특허 청구 범위, 도5, 도6)
그러나, 처리실마다 수집부를 설치하는 구조에 있어서는 처리실에 대한 수집부의 비율을 크게 할 수 없어 수집 능력이 한정되어 버린다. 따라서, 수집부를 효율적으로 기능시키기 위해서는 수집부를 교환할 필요가 있고, 수집부의 교환 중 처리실에 있어서의 처리를 정지해야만 한다는 문제가 있었다.
상기 문제를 해결하는 수단으로서, 수집부의 수집 용량을 크게 하는 것이 고려되지만, 수집부를 크게 하면 처리 장치 전체가 대형화되고, 또한 복수의 처리실을 구비하는 처리 장치에 있어서는 공간 절약화를 도모할 수 있다는 문제도 있었다.
본 발명은, 상기 사정에 비추어 이루어진 것으로서, 배기 유체 중 이물질의 수집을 확실하게 할 수 있는 동시에, 수집량의 증대를 도모할 수 있고, 또한 장치의 소형화를 도모할 수 있게 한 배기 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 피처리 기판을 수용하는 처리실 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 배기 장치를 전제로 하고, 청구항 1에 기재된 발명은 배기관을 거쳐서 상기 처리실에 접속되는 상하 단부가 폐색되는 외부 배기통 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방으로 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로를 구비하고, 상기 배출로에 배기 수단을 끼움 설치하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 배기관을 거쳐서 처리실로부터 배출되는 배기 유체는 외부 배기통 내에 형성된 하류 안내로를 흐른 후 상류 안내로를 흐르고, 이때 배기 유체 중의 이물질 등이 중력 침강하고, 이물질 등이 제거된 배기 유체가 배출로를 거쳐서 외부로 배출된다.
또한, 청구항 2에 기재된 발명은 청구항 1에 기재된 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 있어서 상기 외부 배기통과, 상기 외부 배기통의 정상부에 일단부가 연결되고, 하단부가 개방되는 중간 배기통으로 상기 하류 안내로를 형성하고, 상기 중간 배기통과, 상기 중간 배기통 내에 간극을 두고, 또한 상단부가 개방된 상태로 삽입되는 동시에, 상기 외부 배기통의 바닥부를 관통하는 내부 배기통으로 상기 상류 안내로를 형성하고, 또한 상기 내부 배기통으로 배출로를 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 외부 배기통 내에 중간 배기통 및 내부 배기통을 설치하여 상기 하류 안내로, 상류 안내로 및 배출로를 형성할 수 있다.
또한, 청구항 3의 발명은 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 있어서, 상기 외부 배기통에 복수의 처리실에 각각 접속하는 복수의 배기관을 접속하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 복수의 처리실로부터 배기되는 배기 유체를 1개의 배기 장치로부터 배기할 수 있다.
또한, 청구항 4에 기재된 발명은 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 있어서, 상기 외부 배기통에 상기 외부 배기통 내에 퇴적한 이물질 등을 검출하기 위해 외부 배기통 내의 압력을 검출하는 압력 검출 수단을 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 압력 검출 수단에 의해 외부 배기통 내의 압력을 측정하고, 외부 배기통의 바닥부에 퇴적한 이물질 등의 퇴적 상태를 검출할 수 있다.
또한, 청구항 5에 기재된 발명은 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 있어서, 상기 외부 배기통의 바닥부 부근에 외부 배기통 내에 퇴적한 이물질 등을 눈으로 확인 가능한 관찰창을 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 관찰창으로부터 외부 배기통 내에 퇴적한 이물질 등을 눈으로 확인할 수 있다.
또한, 청구항 6에 기재된 발명은 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 있어서, 상기 중간 배기통이 형성되는 상류 안내로의 외주내벽을 하방을 향해 확대 개방 테이퍼형으로 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 상류 안내로 내를 흐르는 배기 유체의 유속을 중간 배기통의 하부측으로 지연시킬 수 있다.
또한, 청구항 7에 기재된 발명은 청구항 2 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 있어서, 상기 외부 배기통의 내벽면, 상기 중간 배기통의 내외벽면 및 상기 내부 배기통의 외벽면에 있어서의 적어도 중간 배기통의 내벽면과 내부 배기통의 외벽면에 배기 유체 중 이물질 등의 부착을 촉진하는 조면부를 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 배기 유체 중의 이물질 등을 조면부에 쉽게 부착시킬 수 있다.
또한, 청구항 8에 기재된 발명은 청구항 2 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 있어서, 상기 외부 배기통을 중간 배기통을 연결한 상부 절반 부재와, 내부 배기통을 끼워 삽입한 하부 절반 부재로 분할 가능하게 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 외부 배기통을 상부 절반 부재와 하부 절반 부재로 분할하여 세정할 수 있다.
덧붙여, 청구항 9에 기재된 발명은 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리에 있어서의 배기 장치에 있어서, 상기 배기관에 대전 방지 처리 를 실시하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 배기관 속을 흐르는 배기 유체 중의 이물질 등이 정전기에 의해 배기관 내에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
이하에, 본 발명의 최량의 실시 형태를 첨부된 도면을 기초로 하여 상세하게 설명한다. 여기서는 본 발명에 관한 배기 장치를 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포·현상 처리 시스템에 있어서의 가열 처리 장치에 적용하였을 경우에 대해 설명한다.
도1은 상기 레지스트액 도포ㆍ현상 처리 시스템의 일 실시 형태의 개략적인 평면도, 도2는 도1의 정면도, 도3은 도1의 배면도이다.
상기 레지스트액 도포ㆍ현상 처리 시스템은 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)[이하에, 웨이퍼(W)라 함]를 웨이퍼 카세트(1)로 복수매, 예를 들어 25매 단위로 외부로부터 시스템으로 반입 또는 시스템으로부터 반출하거나, 웨이퍼 카세트(1)에 대해 웨이퍼(W)를 반출ㆍ반입하거나 하기 위한 카세트 스테이션(10)(반송부)과, 도포 현상 공정 중에서 웨이퍼(W)에 대해 1매씩 소정의 처리를 실시하는 웨이퍼형의 각종 처리 유닛을 소정 위치에 다단 배치하여 이루어지는 처리 장치를 구비하는 처리 스테이션(20)과, 이 처리 스테이션(20)과 인접하여 설치되는 노광 장치(도시하지 않음) 사이에서 웨이퍼(W)를 교환하기 위한 인터페이스부(30)로 주요부가 구성되어 있다.
상기 카세트 스테이션(10)은, 도1에 도시한 바와 같이 카세트 적재대(2) 상의 돌기(3)의 위치에 복수개, 예를 들어 4개까지의 덮개 부착의 웨이퍼 카세트(1) 가 각각의 웨이퍼 출입구를 처리 스테이션(20) 측을 향해 수평의 X 방향을 따라 일렬로 적재되고, 각 웨이퍼 카세트(1)에 지지하여 덮개 개폐 장치(5)가 설치되고, 또한 카세트 배열 방향(X 방향) 및 웨이퍼 카세트(1) 내에 수직 방향에 따라 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z 방향)으로 이동 가능한 웨이퍼 반송용 핀세트(4)가 각 웨이퍼 카세트(1)에 선택적으로 반송하도록 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송용 핀세트(4)는 θ 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 후술하는 처리 스테이션(20) 측의 제3 세트(G3)의 다단 유닛부에 속하는 얼라이먼트 유닛(ALIM) 및 익스텐션 유닛(EXT)으로도 반송할 수 있게 되어 있다.
상기 처리 스테이션(20)은, 도1에 도시한 바와 같이 중심부에는 이동 기구(22)에 의해 수직 이동하는 수직 반송형의 주요 웨이퍼 반송 기구(21)가 설치되고, 이 주요 웨이퍼 반송 기구(21)의 주위에 모든 처리 유닛이 1 세트 또는 복수의 세트에 걸쳐서 다단으로 배치되어 있다. 본 예에서는, 5 세트(G1, G2, G3, G4 및 G5)의 다단 배치 구성이며, 제1 세트 및 제2 세트(G1, G2)의 다단 유닛은 시스템 정면측에 병렬되고, 제3 세트(G3)의 다단 유닛은 카세트 스테이션(10)에 인접하여 배치되고, 제4 세트(G4)의 다단 유닛은 인터페이스부(30)에 인접하여 배치되고, 제5 세트(G5)의 다단 유닛은 배후측에 배치되어 있다.
이 경우, 도2에 도시한 바와 같이 제1 세트(G1)에서는 웨이퍼(W)를 스핀 척(도시하지 않음)에 적재하여 소정의 처리를 행하는 레지스트 도포 유닛(COT)과, 컵(용기)(23) 내에서 웨이퍼(W)와 현상액 공급 수단(도시하지 않음)을 대치시켜 레지스트 패턴을 현상하는 현상 유닛(DEV)이 수직 방향 아래로부터 차례로 2단으로 포개어져 있다. 제2 세트(G2)도 마찬가지로, 레지스트 도포 유닛(COT) 및 현상 유닛(DEV)이 수직 방향의 아래로부터 차레로 2단으로 포개어져 있다. 이와 같이 레지스트 도포 유닛(COT)을 하단측에 배치한 이유는 레지스트액을 배액시키는 것이 기구적이나 보수하는 면에서도 번거롭기 때문이다. 그러나, 필요에 따라서 레지스트 도포 유닛(COT)을 상단에 배치하는 것도 가능하다.
도3에 도시한 바와 같이, 제3 세트(G3)에서는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 적재대(24)에 적재하여 소정의 처리를 행하는 오븐형의 처리 유닛, 예를 들어 웨이퍼(W)를 냉각하는 쿨링 유닛(COL), 웨이퍼(W)에 소수화 처리를 행하는 어드히젼 유닛(AD), 웨이퍼(W)의 정렬을 행하는 얼라이먼트 유닛(ALIM), 웨이퍼(W)의 반출입을 행하는 익스텐션 유닛(EXT), 웨이퍼(W)를 베이크하는 본 발명에 관한 배기 장치를 구비하는 가열 처리 장치를 사용한 4개의 핫 플레이트 유닛(HP)이 수직 방향 아래로부터 차례로, 예를 들어 8단으로 포개어져 있다. 제4 세트(G4)도 마찬가지로, 오븐형 처리 유닛, 예를 들어 쿨링 유닛(COL), 익스텐션ㆍ쿨링 유닛(EXTCOL), 익스텐션 유닛(EXT), 쿨링 유닛(COL), 급랭 기능을 갖는 본 발명에 관한 배기 장치를 구비하는 가열 처리 장치를 사용한 2개의 칠링 핫 플레이트 유닛(CHP) 및 본 발명에 관한 배기 장치를 구비하는 가열 처리 장치를 사용한 2개의 핫 플레이트 유닛(HP)이 수직 방향 아래로부터 차례로, 예를 들어 8단으로 포개어져 있다.
상기한 바와 같이, 처리 온도의 낮은 쿨링 유닛(COL), 익스텐션ㆍ쿨링 유닛(EXTCOL)을 하단에 배치하고, 처리 온도가 높은 핫 플레이트 유닛(HP), 칠링 핫 플레이트 유닛(CHP) 및 어드히젼 유닛(AD)을 상단에 배치함으로써 유닛 사이의 열 적인 상호 간섭을 적게 할 수 있다. 물론, 랜덤으로 다단 배치로 하는 것도 가능하다.
또한, 도1에 도시한 바와 같이 처리 스테이션(20)에 있어서, 제1 세트 및 제2 세트(G1, G2)의 다단 유닛(스피너형 처리 유닛)에 인접하는 제3 및 제4 세트(G3, G4)의 다단 유닛(오븐형 처리 유닛)의 측벽 중에는, 각각 덕트(25, 26)가 수직 방향으로 종단하여 설치되어 있다. 이들의 덕트(25, 26)에는, 다운 플로우의 청정 공기 또는 특별히 온도 조정된 공기가 흐르게 되어 있다. 이 덕트 구조에 의해, 제3 및 제4 세트(G3, G4)의 오븐형 처리 유닛으로 발생한 열은 차단되고, 제1 세트 및 제2 세트(G1, G2)의 스피너형 처리 유닛에는 미치지 않게 되어 있다.
또한, 이 처리 시스템에서는 주요 웨이퍼 반송 기구(21)의 배후측에도 도1에 점선으로 나타낸 바와 같이, 제5 세트(G5)의 다단 유닛을 배치할 수 있게 되어 있다. 이 제5 세트(G5)의 다단 유닛은 안내 레일(27)에 따라 주요 웨이퍼 반송 기구(21)로부터 보아 측방으로 이동할 수 있게 되어 있다. 따라서, 제5 세트(G5)의 다단 유닛을 설치한 경우에도, 유닛을 슬라이드함으로써 공간부가 확보되므로, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)에 대해 배후로부터 보수 작업을 용이하게 행할 수 있다.
상기 인터페이스부(30)는, 안쪽 방향에서는 처리 스테이션(20)과 동일한 치수를 갖지만, 폭 방향에서는 작은 사이즈로 만들어져 있다. 이 인터페이스부(30)의 정면부에는 가동형의 픽업 카세트(31)와 정치형의 버퍼 카세트(32)가 2단으로 배치되고, 배면부에는 웨이퍼(W) 주변부의 노광 및 식별 마크 영역의 노광을 행하는 노광 수단인 주변 노광 장치(33)가 설치되고, 중앙부에는 반송 수단인 웨이퍼의 반송 아암(34)이 설치되어 있다. 이 반송 아암(34)은 X, Z 방향으로 이동하여 양쪽 카세트(31, 32) 및 주변 노광 장치(33)로 반송하도록 구성되어 있다. 또한, 반송 아암(34)은 θ 방향으로 회전 가능하게 구성되고, 처리 스테이션(20) 측의 제4 세트(G4)의 다단 유닛에 속하는 익스텐션 유닛(EXT) 및 인접하는 노광 장치측의 웨이퍼 반송대(도시하지 않음)으로도 반송할 수 있게 구성되어 있다.
상기한 바와 같이 구성되는 처리 시스템은 클린룸(40) 내에 설치되지만, 또한 시스템 내에서도 효율적인 수직층류 방식에 의해 각 부의 청정도를 높이고 있다.
상기한 바와 같이 구성되는 레지스트액 도포ㆍ현상 처리 시스템에 있어서는, 우선 카세트 스테이션(10)에 있어서 덮개 개폐 장치(5)가 작동하여 소정의 웨이퍼 카세트(1)의 덮개를 해방한다. 다음에, 웨이퍼 반송용 핀세트(4)가 카세트 적재대(2) 상의 미처리 웨이퍼(W)를 수용하고 있는 카세트(1)에 액세스하고, 그 카세트(1)로부터 1매의 웨이퍼(W)를 취출한다. 웨이퍼 반송용 핀세트(4)는 카세트(1)보다 웨이퍼(W)를 취출하면, 처리 스테이션(20) 측의 제3 세트(G3)의 다단 유닛 내에 배치되어 있는 얼라이먼트 유닛(ALIM)까지 이동하고, 유닛(ALIM) 내의 웨이퍼 적재대(24) 상에 웨이퍼(W)를 적재한다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼 적재대(24) 상에 오리엔테이션 플랫(orientation flat) 맞춤 및 센터링을 받는다. 그 후에 주요 웨이퍼 반송 기구(21)가 얼라이먼트 유닛(ALIM)에 반대측으로부터 액세스하여 웨이퍼 적재대(24)로부터 웨이퍼(W)를 수취한다.
처리 스테이션(20)에 있어서, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를 최 초에 제3 세트(G3)의 다단 유닛에 속하는 어드히젼 유닛(AD)으로 반입한다. 이 어드히젼 유닛(AD) 내에서 웨이퍼(W)는 소수화 처리를 받는다. 소수화 처리가 종료되면, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를 어드히젼 유닛(AD)으로부터 반출하고, 다음에 제3 세트(G3) 또는 제4 세트(G4)의 다단 유닛에 속하는 쿨링 유닛(COL)으로 반입한다. 이 쿨링 유닛(COL) 내에서 웨이퍼(W)는 레지스트 도포 처리 전의 설정 온도, 예를 들어 23 ℃까지 냉각된다. 냉각 처리가 종료되면, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를 쿨링 유닛(COL)으로부터 반출하고, 다음에 제1 세트(G1) 또는 제2 세트(G2)의 다단 유닛에 속하는 레지스트 도포 유닛(COT)으로 반입한다. 이 레지스트 도포 유닛(COT) 내에서 웨이퍼(W)는 스핀 코트법에 의해 웨이퍼 표면에 똑같은 막 두께로 레지스트를 도포한다.
레지스트 도포 처리가 종료되면, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 유닛(COT)으로부터 반출하고, 다음에 핫 플레이트 유닛(HP) 내로 반입한다. 핫 플레이트 유닛(HP) 내에서 웨이퍼(W)는 적재대 상에 적재되고, 소정 온도, 예를 들어 100 ℃에서 소정 시간 프리 베이크 처리된다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 도포막으로부터 잔존 용제를 증발 제거할 수 있다. 프리 베이크가 종료되면, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를 핫 플레이트 유닛(HP)으로부터 반출하고, 다음에 제4 세트(G4)의 다단 유닛에 속하는 익스텐션ㆍ쿨링 유닛(EXTCOL)으로 반송한다. 이 유닛(EXTCOL) 내에서 웨이퍼(W)는 다음 공정, 즉 주변 노광 장치(33)에 있어서의 주변 노광 처리에 적합한 온도, 예를 들어 24 ℃까지 냉각된다. 이 냉각 후, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를, 즉시 위의 익 스텐션 유닛(EXT)으로 반송하고, 이 유닛(EXT) 내의 적재대(도시하지 않음) 상에 웨이퍼(W)를 적재한다. 이 익스텐션 유닛(EXT)의 적재대 상에 웨이퍼(W)가 적재되면, 인터페이스부(30)의 반송 아암(34)이 반대측으로부터 액세스하여 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 반송 아암(34)은 웨이퍼(W)를 인터페이스부(30) 내의 주변 노광 장치(33)로 반입한다. 주변 노광 장치(33)에 있어서, 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 잉여 레지스트막(부)에 광이 조사되어서 주변 노광이 실시된다.
주변 노광이 종료된 후, 반송 아암(34)이 주변 노광 장치(33)의 하우징 내로부터 웨이퍼(W)를 반출하고, 인접하는 노광 장치측의 웨이퍼 수취대(도시하지 않음)에 이송한다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 노광 장치로 전달되기 전에 버퍼 카세트(32)에 일시적으로 수납되는 것도 있다.
노광 장치로 전면 노광이 끝나고, 웨이퍼(W)가 노광 장치측의 웨이퍼 수취대에 복귀되면, 인터페이스부(30)의 반송 아암(34)은 그 웨이퍼 수취대로 액세스하여 웨이퍼(W)를 수취하고, 수취한 웨이퍼(W)를 처리 스테이션(20) 측의 제4 세트(G4)의 다단 유닛에 속하는 익스텐션 유닛(EXT)으로 반입하고, 웨이퍼 수취대 상에 적재한다. 이 경우에도, 웨이퍼(W)는 처리 스테이션(20) 측에 받기 전에 인터페이스부(30) 내의 버퍼 카세트(32)에 일시적으로 수납되는 경우도 있다.
웨이퍼 수취대 상에 적재된 웨이퍼(W)는, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)에 의해 칠링 핫 플레이트 유닛(CHP)으로 반송되고, 프린지의 발생을 방지하기 위해 혹은 화학 증폭형 레지스트(CAR)에 있어서의 산 촉매 반응을 유기하기 위해, 예를 들어 120 ℃에서 소정 시간 포스트 익스포저 베이크 처리가 실시된다.
그 후에 웨이퍼(W)는 제1 세트(G1) 또는 제2 세트(G2)의 다단 유닛에 속하는 현상 유닛(DEV)으로 반입된다. 이 현상 유닛(DEV) 내에서는 웨이퍼(W) 표면의 레지스트에 현상액이 구석구석까지 공급되어 현상 처리가 실시된다. 이 현상 처리에 의해, 웨이퍼(W) 표면에 형성된 레지스트막이 소정의 회로 패턴에 현상되는 동시에, 웨이퍼(W)의 주변부의 잉여 레지스트막이 제거되고, 또한 웨이퍼(W) 표면에 형성된(실시된) 얼라이먼트 마크(M)의 영역에 부착된 레지스트막이 제거된다. 이와 같이 하여 현상이 종료되면, 웨이퍼(W) 표면에 린스액을 가해 현상액이 씻어 내어진다.
현상 공정이 종료되면, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를 현상 유닛(DEV)으로부터 반출하고, 다음에 제3 세트(G3) 또는 제4 세트(G4)의 다단 유닛에 속하는 핫 플레이트 유닛(HP)으로 반입한다. 이 유닛(HP) 내에서 웨이퍼(W)는, 예를 들어 100 ℃에서 소정 시간 포스트 베이크 처리된다. 이에 의해, 현상에서 팽윤한 레지스트가 경화되고 내약품성이 향상된다.
포스트 베이크가 종료되면, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 웨이퍼(W)를 핫 플레이트 유닛(HP)으로부터 반출하고, 다음에 어느 하나의 쿨링 유닛(COL)으로 반입한다. 여기서 웨이퍼(W)가 상온으로 복귀한 후, 주요 웨이퍼 반송 기구(21)는 다음에 웨이퍼(W)를 제3 세트(G3)에 속하는 익스텐션 유닛(EXT)으로 이송한다. 이 익스텐션 유닛(EXT)의 적재대(도시하지 않음) 상에 웨이퍼(W)가 적재되면, 카세트 스테이션(10) 측의 웨이퍼 반송용 핀세트(4)가 반대측으로부터 액세스하여 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 웨이퍼 반송용 핀세트(4)는 수취한 웨이퍼(W)를 카세 트 적재대 상의 처리 완료 웨이퍼 수용용의 웨이퍼 카세트(1)의 소정의 웨이퍼 수용 홈에 넣고, 웨이퍼 카세트(1) 내에 모든 처리 완료된 웨이퍼(W)가 수납된 후, 덮개 개폐 장치(5)가 작동되고 덮개를 폐쇄하여 처리가 완료된다.
다음에, 상기 핫 플레이트 유닛(HP) 및 칠링 핫 플레이트 유닛(CHP)을 구성하는 본 발명에 관한 가열 처리에 있어서의 배기 장치에 대해, 도4 또는 도9를 참조하여 상세하게 설명한다. 여기서는, 본 발명에 관한 배기 장치를 레지스트 도포된 웨이퍼(W)를 프리 베이크 처리하는 가열 장치에 적용하였을 경우에 대해 설명한다.
◎ 제1 실시예
도4는 본 발명에 관한 배기 장치의 제1 실시예의 사용 상태를 도시하는 단면도, 도5는 상기 배기 장치와 가열 장치를 도시하는 사시도, 도6은 상기 배기 장치의 주요부를 도시하는 확대 단면도이다.
상기 가열 처리 장치(50)는, 그 주위는, 예를 들어 알루미늄으로 이루어지는 하우징(51)에 의해 둘러싸여져 있다. 하우징(51)의 내부에는 스테이지(52)가 설치되어 있다. 또한, 하우징(51)에 있어서의 좌우의 측벽 중, 스테이지(52)를 끼우는 부분에는 전방측에 웨이퍼(W)의 반출입을 행하기 위한 개구부(53)가 형성되어 있고, 후방측에 냉매 유로(도시하지 않음)가 상하로 관통하여 형성되어 있다. 개구부(53)는 도시하지 않은 셔터에 의해 개폐 가능하게 되어 있고, 냉매 유로는 후술하는 처리실인 밀폐 용기(54)의 주변 분위기를 냉각하기 위한 것이고, 예를 들어 도시하지 않은 수납부로부터 온도 조절된 냉각수의 공급을 받는 구조가 되어 있다.
스테이지(52)의 상방에는, 그 전방측에 냉각 아암(55)이, 후방측에 가열 플레이트(56)가 각각 설치되어 있다. 냉각 아암(55)은 하우징(51) 내에 개구부(53)를 거쳐서 진입해 오는 주요 웨이퍼 반송 기구(21)와, 가열 플레이트(56) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 동시에, 반송 시에 있어서는 가열된 웨이퍼(W)를 조냉각(粗冷却)하는[조열(粗熱) 취득을 행함] 역할을 갖는 것이다. 따라서, 도4에 도시한 바와 같이 다리부(57)가 스테이지(52)에 마련되는 가이드 수단(도시하지 않음)에 따라 Y 방향으로 진퇴 가능하게 구성되어 있고, 이에 의해 다리부(57)의 상단부에 수평형으로 지지된 웨이퍼 지지판(58)이 개구부(53)의 측방 위치로부터 가열 플레이트(56)의 상방 위치까지 이동할 수 있게 되어 있다. 또한, 웨이퍼 지지판(58)에는, 예를 들어 그 이면측에는 온도 조절수를 흐르게 하기 위한 도시하지 않은 냉각 유로가 설치되어 있다.
스테이지(52)에 있어서의 주요 웨이퍼 반송 기구(21)와 웨이퍼 지지판(58)의 웨이퍼(W)의 전달 위치 및 가열 플레이트(56)와 웨이퍼 지지판(58)의 웨이퍼(W)의 수수 위치의 각각에는 스테이지(52)의 상면에 출몰 가능한 지지핀(59)이 3개씩 설치되어 있고, 또한 웨이퍼 지지판(58)에는 이들 지지핀(59)이 상승되었을 때에 상기 웨이퍼 지지판(58)을 돌출하여 웨이퍼(W)를 들어올릴 수 있게 슬릿(58a)이 형성되어 있다. 또한, 가열 플레이트(56)에는 히터(56a)가 매설되어 있고, 또한 가열 플레이트(56)의 적절하게 위치에는 지지핀(59)이 삽입 관통하는 관통 구멍(56b)이 마련되어 있다.
또한, 가열 플레이트(56)의 상방에는 도시하지 않은 승강 기구의 작동에 의 해 승강하는 덮개 부재(60)가 설치되어 있다. 덮개 부재(60)의 하강 시(가열 처리 시)에는, 예를 들어 도4에 도시한 바와 같이 가열 플레이트(56)의 주위를 둘러싸는 동시에 시일 부재인 O링(61)을 거쳐서 스테이지(52)와 기밀로 접합하고, 웨이퍼(W)의 적재되는 분위기를 밀폐 분위기로 하는 밀폐 용기(54)를 구성한다. 또한, 가열 플레이트(56)는, 예를 들어 질화알루미늄(AlN)으로 형성되는 동시에, 그 상면은 웨이퍼(W)를 수평으로 적재할 수 있게 형성되어 있다.
또한, 덮개 부재(60)의 천장부에는 일단부측이 급기 수단(62)과 접속하는 급기관(63)의 타단부가 접속되어 있고, 공급관(63)에 끼움 설치된 밸브 개폐된 개폐 밸브(65)의 개방에 의해, 예를 들어 천정부 중앙에 형성되는 공급 구멍부(64)를 거치고, 밀폐 용기(54) 내로 에어의 공급을 행할 수 있게 되어 있다. 또한, 덮개 부재(60)의 측벽에는 덮개 부재(60)가 하강되었을 때에 있어서의 웨이퍼(W)의 측면을 향하는 위치에, 예를 들어 전체 주위에 걸쳐서 다수의 주요 홈(66)이 형성되어 있다. 주요 홈(66)은 밀폐 용기(54)의 내부 분위기의 배기를 행하기 위한 것이고, 덮개 부재(60)의 측벽 내부에 형성되는 유로(67) 및 유로에 일단부가 접속하는, 예를 들어 불소 수지제의 튜브로 형성되는 배기관(68)을 거쳐서 본 발명에 관한 배기 장치(70)가 접속되어 있다.
상기 배기 장치(70)는, 도4 및 도5에 도시한 바와 같이 상하 단부가 폐색되는, 예를 들어 스테인레스제의 각통형의 외부 배기통(71)과, 상기 외부 배기통(71) 내에 설치되고, 외부 배기통(71)의 정상부(71c)에 일단부가 연결되고, 하단부가 개방되는, 예를 들어 스테인레스제의 원통형의 중간 배기통(80)과, 상기 중간 배기 통(80) 내에 간극을 두고, 또한 상단부가 개방된 상태로 삽입되는 동시에, 외부 배기통(71)의 바닥부(71b)를 관통하는, 예를 들어 스테인레스제의 원통형의 내부 배기통(90)과, 상기 내부 배기통(90)에 끼움 설치되는 배기 수단, 예를 들어 이젝터(100)를 구비하고 있다. 또한, 외부 배기통(71)과 중간 배기통(80)으로 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로(201)가 형성되고, 중간 배기통(80)과 내부 배기통(90)으로 배기 유체를 상방으로 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로(202)가 형성되고, 그리고 내부 배기통(90)에 의해 배출로(203)가 형성되어 있다. 이 경우, 외부 배기통(71)은 각통형으로 형성되고, 중간 배기통(80) 및 내부 배기통(90)이 각각 원통형으로 형성되어 있지만, 이들 외부 배기통(71), 중간 배기통(80) 및 내부 배기통(90)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며, 임의의 단면의 통 형상이라도 좋고, 예를 들어 전부 각통형 혹은 원통형으로 형성해도 좋다.
또한, 외부 배기통(71)의, 예를 들어 일측벽에는 외부 배기통(71)의 길이 방향을 따라 적절하게 간격을 두고 배기관(68)의 접속부(72)가 설치되어 있다. 이 접속부(72)에 접속되는 배기관(68)은, 도6에 도시한 바와 같이 배기관(68)의 내부 직경이 변화되지 않은 상태로 외부 배기통(71)에 접속되어 있다. 이에 의해, 배기관(68) 내를 흐르는 배기 유체는 와류를 일으키는 일 없이 외부 배기통(71) 내의 하류 안내로(201) 내에 흐른다. 상기한 바와 같이, 외부 배기통(71)의 길이 방향을 따라 복수의 배기관(68)의 접속부(72)를 설치함으로써, 연직 방향에 다단으로 적층되는 복수의 가열 장치(50)를 접속할 수 있고, 복수의 가열 장치(50)를 구비하 는 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템의 배기부로서 바람직하다.
또한, 배기관(68)에는 대전 방지 처리가 실시되어 있다. 예를 들어, 도6에 도시한 바와 같이 배기관(68)의 외주에 권취되는 도전성 코일(69)을 접지함으로써 배기관(68)에 대전 방지 처리를 실시할 수 있다. 이 경우, 도전성 코일(69) 대신에 배기관(68)의 길이 방향을 따라, 예를 들어 카본선을 실시하여 접지하도록 해도 좋다. 혹은, 배기관(68) 자체를 도전성의 재질로 형성하여 접지해도 좋다. 이와 같이, 배기관(68)에 대전 방지 처리를 행함으로써, 배기관(68) 내를 흐르는 배기 유체 중 승화물 등의 이물질이 정전기에 의해 배기관(68) 내에 부착되는 것을 방지 할 수 있다.
또한, 외부 배기통(71)의 하부측의 일측에는 외부 배기통(71) 내의 바닥부(71b)에 퇴적한 이물질(300) 등을 검출하기 위해 외부 배기통(71) 내의 압력을 검출하는 압력 검출 수단인 마노메이터(73)가 접속되어 있다(도4 및 도6 참조).
또한, 외부 배기통(71)의 바닥부 부근의 일 측벽에는 외부 배기통(71) 내의 바닥부(71b)에 퇴적한 이물질(300) 등을 눈으로 확인 가능한 관찰창(74)이 설치되어 있다(도5 참조).
또한, 외부 배기통(71)은 중간 배기통(80)을 연결한 상부 절반 부재(75)와, 내부 배기통(90)을 끼워 삽입한 하부 절반 부재(76)로 분할 가능하게 형성되어 있고, 상부 절반 부재(75)의 하단부에 설치된 외향 플랜지부(75a)와, 하부 절반 부재(76)의 상단부에 설치된 외향 플랜지부(76a) 사이에 도시하지 않은 가스킷을 개재하여, 고정 볼트(도시하지 않음)에 의해 체결함으로써 상부 절반 부재(75)와 하 부 절반 부재(76)가 연결되는 동시에, 상기 하류 안내로(201), 상류 안내로(202) 및 배출로(203)가 형성된다. 또한, 중간 배기통(80) 및 내부 배기통(90)은, 각각 가로로 긴 일체 통체로 형성하는 것도 가능하지만, 도7에 도시한 바와 같이 외부 배기통(71)과 마찬가지로, 중간 배기통(80) 및 내부 배기통(90)을, 각각 상부 절반 부재(81a , 91a)와 하부 절반 부재(81b, 91b)로 형성하고, 상부 절반 부재(81a, 91a)의 하단부와 하부 절반 부재(81b, 91b)의 상단부를 연결하는 연결 컬러(82a)와 연결 나사(82b)로 이루어지는 연결 부재(82)에 의해 연결해도 좋다.
상기한 바와 같이 구성되는 배기 장치(70)에 있어서, 배기 수단인 이젝터(100)를 구동하면, 내부 배기통(90)의 배출로(203)를 거쳐서 외부 배기통(71) 내가 균일한 부압 상태가 되고, 배기관(68)을 흐르는 배기 유체는, 도4 및 도6에 도시한 바와 같이 하류 안내로(201)를 하강한 후, 중간 배기통(80)의 하단부 개구로부터 상류 안내로(202)를 상승하고, 이때 배기 유체 중에 함유하는 승화물 등의 이물질이 중력 침강하여 외부 배기통(71)의 바닥부(71b) 상에 낙하하거나 중간 배기통(80)의 내벽면(80a)이나 내부 배기통(90)의 외벽면(90b)에 부착된다. 그리고, 상류 안내로(202)를 상승한 배기 유체는 내부 배기통(90)의 상단부 개구로부터 배출로(203)를 흘러 외부에 배기된다. 또한, 상류 안내로(202)의 거리를 길게 하거나 단면적을 크게 함으로써 승화물 등의 이물질의 중력 침강을 더 확실하게 할 수 있다. 또한, 외부 배기통(71), 중간 배기통(80) 및 내부 배기통(90)의 재질을, 상술한 바와 같이 스테인레스제로 함으로써, 밀폐 용기(54)(처리실)에 있어서 가열된 배기 유체를 배기 장치(70)를 흐를 때에 냉각하여 외부로 배출할 수 있다.
또한, 외부 배기통(71)의 바닥부(71b)에 이물질이 퇴적되고, 상류 안내로(202), 하류 안내로(201) 등에 이물질이 부착되면, 외부 배기통(71) 내의 압력이 변화되므로(고압이 되므로), 이 변화를 모노메이터(73)에 의해 검출하고, 배기 장치(70)의 배기 능력이 적정 상태인지 여부를 검지할 수 있다. 또한, 관찰창(74)으로부터의 눈으로 확인함으로써 이물질의 퇴적 상태를 확인할 수 있다. 혹은, 정전 용량 센서를 설치하여 이물질의 퇴적 높이를 검출시켜도 좋다. 이에 의해, 배기 장치(70)의 배기 능력이 허용 능력 한도에 도달하였을 경우에는 배기 동작을 정지하고, 외부 배기통(71)을 상부 절반 부재(75)와 하부 절반 부재(76)로 분할하고, 세정조 등에 침지하여 세정한 후, 다시 상부 절반 부재(75)와 하부 절반 부재(76)를 연결하여 배기 작업을 행할 수 있다.
◎ 제2 실시 형태
도8은 본 발명에 관한 배기 장치의 제2 실시 형태의 주요부를 도시하는 단면 사시도이다.
제2 실시 형태는, 배기 유체 중에 함유하는 승화물 등의 이물질의 제거를 더 확실하게 할 수 있게 한 경우이다. 즉, 도8에 도시한 바와 같이 외부 배기통(71)의 내벽면(71a), 중간 배기통(80)의 내벽면(80a) 및 외벽면(80b) 및 내부 배기통(90)의 외벽면(90b)에 있어서의 적어도 중간 배기통(80)의 내벽면(80a)과 내부 배기통(90)의 외벽면(90b)에 배기 유체 중 이물질 등의 부착을 촉진하는 조면부(77)를 형성하였을 경우이다.
이와 같이, 적어도 중간 배기통(80)의 내벽면(80a)과 내부 배기통(90)의 외 벽면(90b)에 배기 유체 중 이물질 등의 부착을 촉진하는 조면부(77)를 형성함으로써, 상류 안내로(202)를 구성하는 중간 배기통(80)의 내벽면(80a)과 내부 배기통(90)의 외벽면(90b)으로의 이물질의 부착이 용이해지는 동시에, 상류 안내로(202)를 흐르는(상승함) 배기 유체의 유속을 지연시킬 수 있고, 이물질의 중력 침강을 촉진할 수 있다. 또한, 하류 안내로(201)를 구성하는 외부 배기통(71)의 내벽면(71a)과 중간 배기통(80)의 외벽면(80b)에 조면부(77)를 형성함으로써, 하류 안내로(201)를 흐르는 배기 유체 중 이물질의 부착을 용이하게 할 수 있는 점에서 효과가 얻어진다.
또한, 제2 실시 형태에 있어서, 그 밖의 부분은 제1 실시예와 같으므로, 설명은 생략한다.
◎ 제3 실시 형태
도9는 본 발명에 관한 배기 장치의 제3 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이다.
제3 실시 형태는, 배기 유체 중에 함유하는 승화물 등의 이물질의 제거를 더 확실하게 할 수 있게 하였을 경우이다. 즉, 도9에 도시한 바와 같이 중간 배기통(80A)을 하방을 향해 확대 개방 테이퍼형으로 형성하고, 상류 안내로(202)의 외주벽을 하방을 향해 확대 개방 테이퍼형으로 형성하였을 경우이다.
이와 같이 구성함으로써, 상류 안내로(202) 내를 흐르는 배기 유체의 유속을 중간 배기통(80A)의 하부측으로 지연시킬 수 있으므로, 배기 유체 중 이물질 등의 중력 침강을 높일 수 있고, 이물질 등의 제거를 더 확실하게 할 수 있다.
또한, 제3 실시 형태에 있어서, 그 밖의 부분은 제1 실시예와 같으므로, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙여 설명은 생략한다.
◎ 기타의 실시 형태
상기 실시예에서는 본 발명에 관한 배기 장치를 구비하는 가열 처리 장치를 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템에 있어서의 가열 처리 장치에 적용하였을 경우에 대해 설명하였지만, LCD 유리 기판의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템에 있어서의 가열 처리 장치에도 적용할 수 있는 것은 물론이다.
본 발명의 배기 장치는, 상기한 바와 같이 구성되어 있으므로, 이하와 같은 효과가 얻어진다.
(1) 청구항 1에 기재된 발명에 따르면, 배기관을 거쳐서 처리실로부터 배출되는 배기 유체는 외부 배기통 내에 형성된 하류 안내로를 흐른 후 상류 안내로를 흐르고, 이때 배기 유체 중의 이물질 등이 중력 침강하고, 이물질 등이 제거된 배기 유체가 배출로를 거쳐서 외부로 배출되므로, 배기 유체 중의 이물질의 수집을 확실하게 할 수 있는 동시에 수집량의 증대를 도모할 수 있다.
(2) 청구항 2의 발명에 따르면, 외부 배기통 내에 중간 배기통 및 내부 배기통을 설치하여 상기 하류 안내로, 상류 안내로 및 배출로를 형성할 수 있으므로, 상기 (1)에다가 장치의 소형화를 더 도모할 수 있다.
(3) 청구항 3의 발명에 따르면, 복수의 처리실로부터 배기되는 배기 유체를 1개의 배기 장치로부터 배기할 수 있으므로, 상기 (1), (2)에다가 장치 전체의 소 형화를 더 도모할 수 있는 동시에, 각 배기관의 배기 유량을 균일하게 할 수 있다.
(4) 청구항 4에 기재된 발명에 따르면, 압력 검출 수단에 의해 외부 배기통 내의 압력을 측정하고, 외부 배기통의 바닥부에 퇴적한 이물질 등의 퇴적 상태를 검출할 수 있으므로, 상기 (1) 내지 (3)에다가 제거한 이물질 등의 상황을 외부로부터 더 감시할 수 있다.
(5) 청구항 5에 기재된 발명에 따르면, 관찰창으로부터 외부 배기통 내에 퇴적한 이물질 등을 눈으로 확인할 수 있으므로, 상기 (1) 내지 (4)에다가 눈으로 확인함에 따라 제거한 이물질 등을 더 확인할 수 있다.
(6) 청구항 6에 기재된 발명에 따르면, 상류 안내로 내를 흐르는 배기 유체의 유속을 중간 배기통의 하부측으로 지연될 수 있으므로, 상기 (1) 내지 (5)에다가 배기 유체 속의 이물질 등의 중력 침강을 더 높일 수 있고, 이물질 등의 제거를 더 확실하게 할 수 있다.
(7) 청구항 7에 기재된 발명에 따르면, 배기 유체 중의 이물질 등을 조면부에 쉽게 부착될 수 있으므로, 상기 (1) 내지 (6)에다가 배기 유체 중 이물질 등의 제거를 확실하게 더 할 수 있다.
(8) 청구항 8에 기재된 발명에 따르면, 외부 배기통을 상부 절반 부재와 하부 절반 부재로 분할하여 세정할 수 있으므로, 퇴적한 이물질 등을 제거하기 위한 세정 작업을 용이하게 할 수 있다. 또한, 세정을 행함으로써 반복 사용할 수 있으므로, 장치의 수명의 증대를 도모할 수 있다.
(9) 청구항 9에 기재된 발명에 따르면, 배기관 속을 흐르는 배기 유체 중의 이물질 등이 정전기에 의해 배기관 내에 부착되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 (1) 내지 (8)에다가 배기관 내가 배기 유체 중의 이물질 등에 의해 막힘을 일으키는 것을 더 방지할 수 있다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 피처리 기판을 수용하는 처리실 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 기판 처리에 있어서의 배기 장치이며,
    배기관을 거쳐서 상기 처리실에 접속되는 상하 단부가 폐색되는 외부 배기통 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방에 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로를 구비하고, 상기 배출로에 배기 수단을 끼움 설치하여 이루어지며,
    상기 외부 배기통에, 상기 외부 배기통 내에 퇴적한 이물질 등을 검출하기 위해 외부 배기통 내의 압력을 검출하는 압력 검출 수단을 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리에 있어서의 배기 장치.
  5. 피처리 기판을 수용하는 처리실 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 기판 처리에 있어서의 배기 장치이며,
    배기관을 거쳐서 상기 처리실에 접속되는 상하 단부가 폐색되는 외부 배기통 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방에 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로를 구비하고, 상기 배출로에 배기 수단을 끼움 설치하여 이루어지며,
    상기 외부 배기통의 바닥부 부근에, 외부 배기통 내로 퇴적한 이물질 등을 눈으로 확인 가능한 관찰창을 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리에 있어서의 배기 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 피처리 기판을 수용하는 처리실 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 기판 처리에 있어서의 배기 장치이며,
    배기관을 거쳐서 상기 처리실에 접속되는 상하 단부가 폐색되는 외부 배기통 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방에 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로를 구비하고, 상기 배출로에 배기 수단을 끼움 설치하여 이루어지며,
    상기 배기관이 대전 방지 처리를 실시하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리에 있어서의 배기 장치.
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