CN100511586C - 用于基板处理的排气装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种在可靠地收集排气流体中的异物的同时能够增大收集量且实现装置的小型化的排气装置。排出被供给至收容作为被处理基板的半导体晶片W的密闭容器(54)内的供处理用流体的排气装置，在经由排气管(68)连接到所述密闭容器且上下端闭塞的外部排气筒(71)内，具有：向下方引导流过该外部排气筒内的排气流体的下游导向通路(201)、在向上方引导在该下游导向通路中流动的排气流体的同时使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路(202)和将该上游导向通路中的流动的排气流体向下方外部引导的排出通路(203)，在排出通路中设置有作为排气单元的喷射器(100)。

Description

用于基板处理的排气装置

技术领域

本发明涉及用于基板处理的排气装置，更具体地说，涉及例如用于对半导体晶片或LCD玻璃基板等的基板进行加热处理的基板处理的排气装置。

背景技术

在半导体器件的制造中，为了在半导体晶片或LCD玻璃基板等(以下称为晶片等)上形成ITO(Indium Tin Oxide)(氧化铟锡)的薄膜或电极图案，通常采用光刻技术。在这种光刻技术中，向晶片等涂敷光致抗蚀剂，将由此形成的抗蚀剂膜按规定的电路图案进行曝光，通过对被曝光图案进行显影处理，在抗蚀剂膜上形成电路图案。

在这样的光刻工序中，要实施抗蚀剂涂敷后的加热处理(预烘焙)、曝光后的加热处理(曝光后烘焙)以及显影处理后的加热处理(后烘焙)等的各种的加热处理。

在现有的这种加热处理中，在上述的预烘焙中，向收容晶片等的处理室内供给如空气或氮气(N₂)等的吹扫气体，将供处理用的流体经由与处理室连接的排气管排到外部。此时，会在加热时在晶片等的表面形成的抗蚀剂膜产生少许升华物(光致抗蚀剂膜中含有的酸发生剂，例如PAG(Photo acid grain)(光酸发生剂)或者构成抗蚀剂的低分子树脂)似的异物。在使用沸点低的非离子类酸发生剂的光致抗蚀剂中，生成的升华物尤其多。因此，在各处理室内设置上述升华物似的异物等的收集部(例如过滤器)，防止排气流体中的异物排到外部(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2003—347198号公报(权利要求、图5、图6)

但是，对于在每个处理室内设置收集部的结构而言，不能增大收集部相对处理室的比率，限定了收集能力。因此，存在的问题是，为了使收集部有效地发挥机能，必须交换收集部，在收集部的交换过程中，就不得不停止处理室内的处理。

作为解决上述问题的方法，可以考虑增大收集部的收集容量的方法，但是若增大收集部，则带来的问题是，处理装置整体增大，并且，在具备多个处理室的处理装置中，有时无法实现省空间化。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够可靠地收集排气流体中的异物并且能够增大收集量且实现装置的小型化的排气装置。

为了解决上述课题，本发明以排出供向收容被处理基板的处理室内的供处理用的流体的排气装置作为前提，其第一方面的特征在于：排气装置在经由排气管与上述处理室连接且上下端闭塞的外部排气筒内，具有：将在该外部排气筒内流动的排气流体向下方引导的下游导向通路；将在该下游导向通路中流动的排气流体向上方引导的同时，使排气流体中的异物等发生重力沉降的上游导向通路；和将在该上游导向通路中流动的排气流体向下方外部引导的排出通路，并在上述排出通路中介入设置有排气单元而构成。

通过这种结构，经由排气管从处理室排出的排气流体流过外部排气筒内形成的下游导向通路，之后，流过上游导向通路，此时，排气流体中的异物等发生重力沉降，已除去异物等的排气流体经由排出通路而被排出到外部。

另外，本发明的第二方面，其特征在于：在第一方面所述的用于基板处理的排气装置中，上述下游导向通路由上述外部排气筒和一端与该外部排气筒的顶部连接且下端开放的中间排气筒形成；上述上游导向通路由上述中间排气筒和在上述中间排气筒设有间隙、并在上端开放的状态下插入的同时，贯通上述外部排气筒底部的内部排气筒形成；并且在上述内部排气筒形成排出通路。

通过这种结构，能够在外部排气筒内配设中间排气筒和内部排气筒而形成上述下游导向通路、上游导向通路和排出通路。

另外，本发明的第三方面，其特征在于：在第一和第二方面所述的用于基板处理的排气装置中，上述外部排气筒连接有分别与多个处理室连接的多个排气管。

通过这种结构，能够从一个排气装置中排出从多个处理室排出的排气流体。

另外，本发明的第四方面，其特征在于：在第一至第三方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，在上述外部排气筒，还具有用于检测堆积在该外部排气筒内的异物等的、对外部排气筒内的压力进行检测的压力检测装置。

通过这种结构，能够通过压力检测装置测定外部排气筒内的压力来检测堆积在外部排气筒的底部的异物等的堆积状态。

另外，本发明的第五方面，其特征在于：在第一至第四方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，在上述外部排气筒的底部附近，还具有能够目测堆积在外部排气筒内的异物等的目测窗。

通过这种结构，能够从目测窗通过目测确认堆积在外部排气筒内的异物等。

另外，本发明的第六方面，其特征在于：在第一至第五方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，上述中间排气筒形成的上游导向通路的外周内壁形成为向下扩大的锥体状。

通过这样的结构，能够使流过上游导向通路内的排气流体的流速在中间排气筒的下部侧变慢。

另外，本发明的第七方面，其特征在于：在第二至第六方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，在上述外部排气筒的内壁面、上述中间排气筒的内外壁面和上述内部排气筒的外壁面中至少在中间排气筒的内壁面和内部排气筒的外壁面，形成有促进排气流体中的异物等的附着的粗面部。

通过这样的结构，能够使排气流体中的异物等容易附着于粗面部。

另外，本发明的第八方面，其特征在于：在第二至第七方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，上述外部排气筒能够分割形成为连接中间排气筒的上半体和嵌插有内部排气筒的下半体。

通过这样的结构，能够将外部排气筒分割为上半体和下半体来对其进行洗净。

再者，本发明的第九方面，其特征在于：在第一至第八方面中任一方面所述的用于基板处理的排气装置中，对上述排气管实施有防止带电处理。

通过这样的结构，能够防止静电将在排气管中流动的排气流体中的异物等附着在排气管内。

因为本发明的排气装置是如上所述的结构，因此，可以得到下述效果。

(1)根据第一方面所述的发明，经由排气管从处理室排出的排气流体在流过外部排气筒内形成的下游导向通路后流过上游导向通路，这时，排气流体中的异物等发生重力沉降，已除去异物等的排气流体经由排出通路而被排出到外部，因此，在能够可靠地收集排气流体中的异物的同时，能够实现收集量的增大。

(2)根据第二方面所述的发明，能够在外部排气筒内配设中间排气筒和内部排气筒而形成上述下游导向通路、上游导向通路和排出通路，因此，除上述(1)的效果之外还可以实现装置的小型化。

(3)根据第三方面所述的发明，能够从一个排气装置中排出从多个处理室排出的排气流体，因此，除上述(1)、(2)的效果之外，能够进一步实现装置整体的小型化，同时，能够使各排气管的排气流量均匀化。

(4)根据第四方面所述的发明，因为由压力检测装置测定外部排气筒内的压力，所以，能够检测堆积在外部排气筒的底部的异物等的堆积状态，所以，除上述(1)～(3)的效果之外，还能够从外部监视除去的异物等的状况。

(5)根据第五方面所述的发明，因为能够从目测窗通过目测确认堆积在外部排气筒内的异物等，所以，除上述(1)～(4)的效果之外，还能够由目测确认除去的异物等。

(6)根据第六方面所述的发明，因为能够使流过上游导向通路内的排气流体的流速在中间排气筒的下部侧变慢，所以，除上述(1)～(5)的效果之外，还能够提高排气流体中的异物等发生重力沉降，从而进一步可靠地除去异物等。

(7)根据第七方面所述的发明，因为能够使排气流体中的异物等易于附着在粗面部上，所以，除上述(1)～(6)的效果之外，能够更加可靠地除去排气流体中的异物等。

(8)根据第八方面所述的发明，因为能够将外部排气筒分割为上半体和下半体从而将其洗净，所以，能够容易地进行用于除去堆积的异物等的洗净作业。另外，因为通过进行洗净能够重复使用，所以可以实现装置寿命的延长。

(9)根据第九方面所述的发明，因为能够防止静电将在排气管中流动的排气流体中的异物等附着在排气管内，所以，除上述(1)～(8)的效果之外，还能够防止在排气管内由排气流体中的异物等引起堵塞。

附图说明

图1是表示具有本发明的排气装置的基板处理装置所适用的抗蚀剂液涂敷·显影处理系统的一例的简要平面图。

图2是上述抗蚀剂液涂敷·显影处理系统的简要正面图。

图3是上述抗蚀剂液涂敷·显影处理系统的简要背面图。

图4是表示本发明中的排气装置的第一实施方式的使用状态的简要截面图。

图5是表示上述排气装置和加热装置的立体图。

图6是表示上述排气装置的主要部分的扩大截面图。

图7是表示本发明中的外部排气筒的分割状态的立体图。

图8是表示本发明的排气装置的第二实施方式的主要部分截面立体图。

图9是表示该发明的排气装置的第三实施方式的简要截面图。

标号说明：

54 密闭容器(处理室)；68 排气管；69 导电线圈70 排气装置；71 外部排气筒；71a 内壁面；71b 底部；73 压力计；74 目测窗；75 上半体；76 下半体；77 粗面部；80，80A 中间排气筒；80a 内壁面；80b 外壁面；90 内部排气筒；90b 外壁面；100 喷射器(排气装置)；201 下游导向通路；202 上游导向通路；203 排出通路。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。在此，对本发明的排气装置适用于半导体晶片的抗蚀剂涂敷·显影处理系统的加热处理装置的情况进行说明。

图1是上述抗蚀剂涂敷·显影处理系统的一个实施方式的简要平面图，图2是图1的正面图，图3是图1的背面图。

上述抗蚀剂涂敷·显影处理系统主要由以下部分构成：盒站10(搬送部)，用于利用晶片盒1，以多片(如25片)为单位将作为被处理基板的半导体晶片W(以下称为晶片W)从外部搬入到系统内部或从系统内搬出，或者将晶片W搬入搬出晶片盒1；处理站20，其具有处理装置，将在涂敷显影工序中逐片地对晶片W实施规定处理的枚叶式的各种处理单元多层配置在规定位置上而构成；以及接口部30，用于在与该处理站20邻接设置的曝光装置(未图示)和该处理站20之间进行晶片W的交接。

如图1所示，上述盒站10如下所述这样构成，即，在盒载置台2上的突起3的位置处，将多个(例如四个)带盖的晶片盒1沿水平X方向载置在一列，使其各自的晶片出入口朝向处理站20一侧，并且与各晶片盒1相对来配置盖开关装置5，另外，能够沿着盒排列方向(X方向)以及在晶片盒1内沿垂直方向收容的晶片W的晶片排列方向(Z方向)移动的晶片搬送用夹架4(pincette)，其构成为能够有选择地向各晶片盒1进行搬送。另外，晶片搬送用夹架4能够在θ方向自由旋转，也能够向属于后述处理站20侧的第三组G3的多层单元部的定位单元(ALIM)以及扩展单元(EXT)进行搬送。

如图1所示，对于上述处理站20来说，在其中心部设置有利用移动机构22垂直移动的垂直搬送型的主晶片搬送机构21，在该主晶片搬送机构21的周围，将所有的处理单元分为一组或者多组进行分级配置。在该例子中，是分5组G1、G2、G3、G4以及G5的多级配置结构，第一以及第二组的G1、G2的多层单元并列在系统正面，第三组G3的多层单元与盒站10邻接配置，第四组G4的多层单元与接口部30邻接配置，第五组的G5的多层单元被配置在背面侧。

此时，如图2所示，在第一组G1中，在垂直方向按照从下向上的顺序依次分两层设置有抗蚀剂涂敷单元(COT)和显影单元(DEV)，其中，抗蚀剂涂敷单元(COT)将晶片W载置在旋压车床用夹头(spinchuck)(未图示)上以进行规定处理，显影单元(DEV)在杯状物(容器)23内使晶片W与显影液供给装置(未图示)相对以进行抗蚀剂图案显影。同样，在第二组G2中，在垂直方向按照从下向上的顺序依次分两层设置抗蚀剂涂敷单元(COT)与显影单元(DEV)。这样将抗蚀剂涂敷单元(COT)配置在下层的理由，是因为抗蚀剂的排液在机构和维护方面比较麻烦。但是，也有可能根据需要将抗蚀剂涂敷单元(COT)配置在上层。

如图3所示，在第三组G3中，在垂直方向以从下向上的顺序依次分8层设置有：将晶片W载置在晶片载置台24上以进行规定处理的炉型处理单元、例如冷却晶片W的冷却单元(COL)，对晶片W进行疏水化处理的附着单元(AD)，对晶片W的位置进行定位的定位单元(ALIM)，进行晶片W的搬入搬出的扩展单元(EXT)，以及使用烘焙晶片W的具备本发明排气装置的加热装置的四个热板单元(HP)。同样，在第四组G4中，在垂直方向以从下向上的顺序依次分8层设置有：炉型处理单元例如冷却单元(COL)、扩展·冷却单元(EXTCOL)、扩展单元(EXT)、冷却单元(COL)、使用具有急冷作用的具备本发明排气装置的加热处理装置的两个急冷热板单元(CHP)、以及使用具有本发明排气装置的加热处理装置的两个热板单元(HP)。

如上所述，将处理温度低的冷却单元(COL)与扩展·冷却单元(EXTCOL)配置在下层，将处理温度高的热板单元(HP)、急冷热板单元(CHP)以及附着单元(AD)配置在上层，这样，能够减小单元间的热相互影响。当然，也可以为任意的多层配置。

另外，如图1所示，在处理站20中，在与第一以及第二组G1、G2的多层单元(旋转器型处理单元)邻接的第三以及第四组G3、G4的多层单元(炉型处理单元)的侧壁中间，分别设置有在垂直方向上纵断的导管25、26。在这些导管25、26中流动着向下游动的清净空气或特别进行温度调节后的空气。利用该导管结构遮断在第三以及第四组G3、G4的炉型处理单元产生的热量，使其不能影响第一以及第二组G1、G2的旋转型处理单元。

另外，在该处理系统中，还可以在主晶片搬送机构21的背部侧配置图1中的虚线所示的第五组G5的多层单元。从主晶片搬送机构21观察，该第五组G5的多层单元能够沿导轨27向侧方移动。因此，即使设置有第五组G5的多层单元，也可以利用滑动单元来确保空间部，能够轻易地对主晶片搬送机构21进行维护作业。

上述接口部30在径深方向上具有与处理站20相同的规格，但是，在横向上尺寸较小。在该接口部30的正面部，分两层配置有可搬性的拾取盒31和定置型的缓冲单元32，在背面部配置有进行晶片W的周边部曝光和识别标记区域曝光的曝光装置，即周边曝光装置33，在中央部配设有作为搬送装置的晶片搬送臂34。该搬送臂34在X、Z方向上移动，能够向两盒31、32以及周边曝光装置33搬送晶片。另外，搬送臂34构成为可以绕θ方向旋转，使得也能够向属于处理站20侧的第四组G4的多层单元的扩展单元(EXT)以及邻接的曝光装置侧的晶片交接台(未图示)搬送晶片。

如上所述结构的处理系统，被设置在冷却室40内，利用有效的垂直层流方式，进一步在系统内提高各部分的洁净度。

在如上所述结构的抗蚀剂涂敷·显影处理系统中，首先，在盒站10中，盒开关装置5动作，打开规定的晶片盒1的盖。随后，晶片搬送用夹架4进入盒载置台2上的收容未处理的晶片W的盒1，从该盒1中取出一片晶片W。晶片搬送用夹架4从盒1中取出晶片W后，移动到配置在处理站20侧的第三组G3的多层单元内的定位单元(ALIM)，将晶片W载置在单元(ALIM)内的晶片载置台24上。晶片W在晶片载置台24上接受定位(Orientation Flat)和定中心。随后，主晶片搬送机构21从对面进入定位单元(ALIM)，从晶片载置台24上取得晶片W。

在处理站20中，主晶片搬送机构21最初将晶片W搬入到属于第三组G3的多层单元的附着单元(AD)中。晶片W在该附着单元(AD)中接受疏水化处理。疏水化处理完成后，主晶片搬送机构21将晶片W从附着单元(AD)中搬出，随后，搬入到属于第三组G3或第四组G4的多层单元的冷却单元(COL)中。在该冷却单元(COL)中将晶片W冷却到抗蚀剂涂敷处理前的设定温度，例如23℃。冷却处理完成后，主晶片搬送机构21将晶片W从冷却单元(COL)中搬出，随后，搬入到属于第一组的G1或者第二组的G2的多层单元的抗蚀剂涂敷单元(COT)中。在该抗蚀剂涂敷单元(COT)中，利用旋镀法在晶片的表面涂敷均匀膜厚的抗蚀剂。

在抗蚀剂涂敷处理完成后，主晶片搬送机构21将晶片W从抗蚀剂涂敷单元(COT)中搬出，随后，搬入到热板单元(HP)中。在热板单元(HP)内将晶片W载置在载置台上，按规定温度如100℃进行规定时间的预烘焙处理。由此，能够从晶片W上的涂敷膜上蒸发除去残存溶剂。完成预烘焙后，主晶片搬送机构21将晶片W从热板单元(HP)中搬出，随后搬入到属于第四组G4的多层单元的扩展·冷却单元(EXTCOL)中。在该单元(EXTCOL)内，将晶片W冷却至适合于下一工序即在周边曝光装置33中的周边曝光处理的温度，如24℃。在该冷却后，主晶片搬送机构21将晶片W搬送至正上方的扩展单元(EXT)，将晶片W载置于该单元(EXT)内的载置台(未图示)上。当晶片W被载置于该扩展单元(EXT)的载置台上后，接口部30的搬送臂34从对面进入，获得晶片W。然后，搬送臂34将晶片W搬送至接口部30内的周边曝光装置33。在周边曝光装置33中，对晶片W表面的周边部的剩余抗蚀剂膜(部)进行光照射，实施周边曝光。

当周边曝光完成后，搬送臂34从周边曝光装置33的筐体中搬出晶片W，移送至邻接的曝光装置侧的晶片交接台(未图示)。这种情况下，晶片W在被送至曝光装置之前，暂时收容在缓冲单元32中。

在曝光装置中完成全面曝光，若晶片W被送回曝光装置侧的晶片交接台后，接口部30的搬送臂34进入该晶片交接台取得晶片W，将取得的晶片W搬送至属于处理站20侧的第四组G4的多层单元的扩展单元(EXT)，载置在晶片交接台上。这种情况下，晶片W在被送至处理站20侧之前，暂时收容在接口部30内的缓冲单元32中。

载置在晶片交接台上的晶片W，被主晶片搬送机构21搬送至急冷热板单元(CHP)，为了防止毛边的产生，或者为了引起化学增幅型抗蚀剂(CAP)的氧化催化反应，在如120℃下实施规定时间的曝光后烘焙处理。

其后，晶片W被搬入属于第一组G1或第二组G2的多层单元的显影单元(DEV)中。在该显影单元(DEV)中，向晶片W表面的抗蚀剂上均匀供给显影液，实施显影处理。通过该显影处理，在晶片W表面形成的抗蚀剂膜被显影成规定的电路图案，同时除去晶片W周边部的剩余抗蚀剂膜，进而除去在晶片W表面形成的(施加的)定位模板M的区域上附着的抗蚀剂膜。这样，显影完成后，向晶片W的表面喷洒清洗液洗去显影液。

在显影工序完成后，主晶片搬送机构21从显影单元(DEV)搬出晶片W，随后，搬入属于第三组G3或第四组G4的多层单元的热板单元(HP)。在该单元(HP)中，在如100℃下，对晶片W进行规定时间的后烘焙处理。由此，因显影而膨胀的抗蚀剂硬化，耐药性提高。

在后烘焙完成后，主晶片搬送机构21从热板单元(HP)中搬出晶片W，随后搬入任意的冷却单元(COL)。在此，当晶片恢复至常温后，主晶片搬送机构21将晶片W移送至属于第三组G3的扩展单元(EXT)。将晶片W载置在该扩展单元(EXT)的载置台(未图示)上后，盒站10侧的晶片搬送用夹架4从对面进入，获得晶片W。于是，晶片搬送用夹架4，将接收到的晶片W放入盒载置台上的收容处理后晶片收容用的晶片盒1的规定的晶片收容槽中，当在晶片盒1内收容有所有的处理后的晶片W后，盒开关装置5动作，关闭盖，从而，处理完成。

下面，参照图4以及图9，详细说明构成上述热板单元(HP)和急冷热板单元(CHP)的本发明的加热处理中的排气装置。在此，对该发明的排气装置适合于预烘焙处理已涂敷抗蚀剂的晶片W的加热装置的情况进行说明。

第一实施方式

图4是表示本发明的排气装置的第一实施方式的使用状态的截面图，图5是表示上述排气装置与加热装置的立体图，图6是表示上述排气装置的主要部分的扩大截面图。

上述加热处理装置50的周围被例如由铝构成的筐体51包围。在筐体51的内部设置有台52。另外，在筐体51的左右侧壁中、在夹持台52的部分上，在前侧形成有用于进行晶片W的搬入搬出的开口部53，在后侧上下贯通而形成有制冷剂流路(未图示)。开口部53利用未图示的闸门形成为开闭自由，制冷剂流路是用于冷却后述的处理室、即密闭容器54的周边环境的装置，例如，其构成为接受从未图示的收纳部供给的温度调节后的冷却水。

在台52的上方，分别在其前方一侧和后方一侧设置有冷却臂55和加热板56。冷却臂55是具有下述作用的装置，即，在经由开口部53进入筐体51内的主晶片搬送机构21与加热板56之间进行晶片W的交接，同时，粗冷却(获得粗热)在搬送时被加热的晶片W。因此，如图4所示，脚部57构成为可以沿着设置在台52上的导向元件(未图示)在Y方向上进退，由此，使得呈水平状支撑在脚部57上端的晶片支撑板58，能够从开口部53的侧方位置移动到加热板56的上方位置。另外，在晶片支撑板58上，例如在其背面侧设置有供温度调节水使用的未图示的冷却流路。

在台52上的主晶片搬送机构21与主晶片支撑板58的晶片W的交接位置、以及加热板56与晶片支撑板58的晶片W的交接位置处，分别设置有三根在台52的上面自由突没的支撑销59，另外，在晶片支撑板58上形成有隙缝58a，使得这些支撑销59在上升时能够透过该晶片支撑板58而举起晶片W。其中，在加热板56上埋设有加热器56a，此外，在加热板56的适当位置处还设置有支撑销59所贯通的贯通孔56b。

另外，在加热板56的上方设置有利用未图示的升降机构的动作进行升降的盖体60。如图4所示，在盖体60下降时(加热处理时)，在包围住加热板56周围的同时，经由作为密封件的O型密封环61与台52密封接合，构成密闭晶片W所处环境的密闭容器54。另外，加热板56例如由氮化铝(AIN)形成，并且形成为在其上面能够水平载置晶片W。

另外，在盖体60的顶部连接有一端侧与给气装置62连接的给气管63的另一端，利用介入设置在供给管63上的开关阀65的开放，经由例如在顶部中央形成的供给口部64，而可以向密闭容器54内供给空气。另外，在盖体60的侧壁上，在盖体60下降时与晶片W的侧面相邻的位置处例如形成有环绕一周的多个周槽66。周槽66用于对密闭容器54的内部环境进行排气，通过在盖体60的侧壁内部形成的流路67以及由一端与流路连接的例如氟树脂制的管道所形成的排气管68，与本发明中的排气装置70连接。

如图4和图5所示，上述排气装置70包括：上下端闭塞的例如由不锈钢制成的角筒状的外部排气筒71；配置在该外部排气筒71内，一端连接外部排气筒71的顶部71c而下端开放的例如由不锈钢制成的圆筒状的中间排气筒80；在上端开放的状态下留有间隙地插入该中间排气筒80内，同时贯通外部排气筒71的底部71b的例如由不锈钢制成的圆筒状的内部排气筒90；以及介入设置在该内部排气筒90上的排气装置，例如喷射器100。另外，由外部排气筒71与中间排气筒80形成向下引导排气流体的下游导向通路201，由中间排气筒80与内部排气筒90形成在向上引导排气流体的同时发生重力沉降排气流体中的异物的上游导向通路202，然后，由内部排气筒90形成排出通路203。这里，虽然外部排气筒71是角筒状，中间排气筒80和内部排气筒90分别是圆筒状，但是这些外部排气筒71、中间排气筒80和内部排气筒90的形状并不限定于这些形状，可以为任意截面的筒状，例如，可以全部形成为角筒状或者圆筒状。

另外，在外部排气筒71的一侧壁上，沿外部排气筒71的长度方向隔开适当间隔设置有排气管68的连接部72。如图6所示。连接到该连接部72上的排气管68，在排气管68的内径不变的状态下连接到外部排气筒71。由此，流过排气管68内的排气流体不引起涡流而在外部排气筒71内的下游导向通路201内流动。如上所述，通过沿外部排气筒71的长度方向设置多个排气管68的连接部72，能够连接在垂直方向上多层层积的多个加热装置50，适于作为具有多个加热装置50的抗蚀剂涂敷·显影处理系统的排气部。

另外，对排气管68实施防止带电处理。例如，如图6所示，通过将环绕排气管68外周的导电线圈69接地，而能够对排气管68实施防止带电处理。这时，也可以沿排气管68的长度方向例如使用碳线使其接地以取代导电线圈69。或者，也可以由导电性材料构成排气管68自身并使其接地。这样，通过对排气管68施加防止带电处理，而能够防止静电将在排气管68内流动的排气流体中的升华物等异物附着在排气管68内。

另外，在外部排气筒71的下部一侧连接有用于检测堆积在外部排气筒71内的底部71b上的异物300等而检测外部排气筒71内的压力的压力计73，作为压力检测装置(参照图4和图6)。

再者，在外部排气筒71的底部附近的一侧壁上设置有能够目测堆积在外部排气筒71内的底部71b的异物300等的目测窗74(参照图5)。

另外，外部排气筒71构成为能够分割成连接中间排气筒80的上半体75和插入内部排气筒90的下半体76，在设置在上半体75的下端部的向外的法兰部75a与设置在下半体76的上端部的向外的法兰部76a之间存在未图示的密封垫，利用固定螺栓(未图示)进行固定，由此，在连接上半体75与下半体76的同时形成上述下游导向通路201、上游导向通路202和排出通路203。再者，如图7所示，中间排气筒80与内部排气筒90可以分别由长形的整体筒体形成，但是，与外部排气筒71一样，中间排气筒80与内部排气筒90分别由上半体81a、下半体81b和上半体91a、下半体91b形成，其也可以通过由连接上半体81a、91a的下端部和下半体81b、91b的上端部的连接套管82a和连接螺钉82b构成的连接部件82而连接。

在上述结构的排气装置70中，若驱动作为排气装置的喷射器100，则通过内部排气筒90的排出通路203在外部排气筒71内形成均匀的负压状态，如图4和图6所示，流过排气管68的排气流体，向下流过下游导向通路201后，从中间排气筒80的下端开口上升而流过上游导向通路202，这时，排气流体中含有的升华物等的异物发生重力沉降而落到外部排气筒71的底部71b上或者附着在中间排气筒80的内壁面80a和内部排气筒90的外壁面90b上。然后，上升流过上游导向通路202的排气流体从内部排气筒90的上端开口流过排出通路203向外部进行排气。另外，可以通过加长上游导向通路202的长度或者增大截面面积来进一步确保升华物等异物发生重力沉降。另外，如上所述，外部排气筒71、中间排气筒80和内部排气筒90是由不锈钢制成，由此，在密闭容器54(处理室)中被加热的排气流体能够在流过排气装置70时被冷却，并排出到外部。

另外，若异物堆积在外部排气筒71的底部71b以及附着在上游导向通路202和下游导向通路201等上，则外部排气筒71内的压力发生变化(变为高压)，所以，可以利用压力计73检测该变化来测知排气装置70的排气能力是否在适宜状态。另外，可以通过从目测窗74目测来确认异物的堆积状态。或者，也可以设置静电电容感应器来检测异物的堆积高度。由此，可以在排气装置70的排气能力到达容许能力限度时，停止排气动作，将外部排气筒71分割为上半体75和下半体76，浸渍在清洗槽等中进行洗净后，再连接上半体75和下半体76来进行排气作业。

第二实施方式

图8是表示本发明中的排气装置的第二实施方式的主要部分的截面立体图。

第二实施方式是能够更加可靠地除去排气流体中含有的升华物等异物的实施方式。即，如图8所示，在外部排气筒71的内壁面71a、中间排气筒80的内壁面80a和外壁面80b以及内部排气筒90的外壁面90b中至少在中间排气筒80的内壁面80a和内部排气筒90的外壁面90b上形成促进排气流体中的异物等附着的粗面部77的实施方式。

这样，通过至少在中间排气筒80的内壁面80a和内部排气筒90的外壁面90b上形成促进排气流体中的异物等附着的粗面部77，使异物易于附着在构成上游导向通路202的中间排气筒80的内壁面80a和内部排气筒90的外壁面90b上的同时，可以使流过上游导向通路202(上升)的排气流体的流速变慢，能够促进异物发生重力沉降。再者，通过在构成下游导向通路201的外部排气筒71的内壁面71a和中间排气筒80的外壁面80b上形成粗面部77，能够得到使流过下游导向通路201的排气流体中的异物的附着变得容易的效果。

另外，在第二实施方式中，其他的部分与第一实施方式相同，所以省略其说明。

第三实施方式

图9是表示该发明中的排气装置的第三实施方式的简要截面图。

第三实施方式是能够更加可靠地除去排气流体中含有的升华物等异物的实施方式。即，如图9所示，是中间排气筒80A形成为向下扩开的锥体状，使得上游导向路202的外周壁形成为向下扩开的锥体状的实施方式。

通过这样的结构，能够使流过上游导向通路202的排气流体的流速在中间排气筒80A的下部侧变慢，所以，能够提高排气流体中的异物等的重力沉降，从而能够更加可靠地除去异物等。

再者，在第三实施方式中，因为其他的部分与第一实施方式相同，所以对同一部分使用一样的符号并省略其说明。

其他的实施方式

在上述实施方式中，虽然只对具备本发明中的排气装置的加热处理装置适用于半导体晶片的抗蚀剂涂敷·显影处理系统中的加热处理装置的情况进行了说明，其当然也适用于LCD玻璃基板的抗蚀剂涂敷·显影处理系统中的加热处理装置。

Claims (5)

1.一种用于基板处理的排气装置，其排出供向收容被处理基板的处理室内的供处理用的流体，其特征在于：

所述排气装置在经由排气管与所述处理室连接且上下端闭塞的外部排气筒内，具有：将在该外部排气筒内流动的排气流体向下方引导的下游导向通路；将在该下游导向通路中流动的排气流体向上方引导的同时，使排气流体中的异物发生重力沉降的上游导向通路；和将在该上游导向通路中流动的排气流体向下方外部引导的排出通路，并在所述排出通路中介入设置有排气单元而构成，

所述下游导向通路由所述外部排气筒和一端与该外部排气筒的顶部连接且下端开放的中间排气筒形成；所述上游导向通路由所述中间排气筒和在所述中间排气筒设有间隙、并在上端开放的状态下插入的同时，贯通所述外部排气筒底部的内部排气筒形成；并且在所述内部排气筒形成排出通路，

所述中间排气筒形成的上游导向通路的外周内壁形成为向下扩大的锥体状，

在所述外部排气筒的内壁面、所述中间排气筒的内外壁面和所述内部排气筒的外壁面中至少在中间排气筒的内壁面和内部排气筒的外壁面，形成有促进排气流体中的异物的附着的粗面部，

所述外部排气筒能够分割形成为连接中间排气筒的上半体和嵌插有内部排气筒的下半体。

2.如权利要求1所述的用于基板处理的排气装置，其特征在于：

所述外部排气筒连接有分别与多个处理室连接的多个排气管。

3.如权利要求1所述的用于基板处理的排气装置，其特征在于：

在所述外部排气筒，还具有用于检测堆积在该外部排气筒内的异物的、对外部排气筒内的压力进行检测的压力检测装置。

4.如权利要求1所述的用于基板处理的排气装置，其特征在于：

在所述外部排气筒的底部附近，还具有能够目测堆积在外部排气筒内的异物的目测窗。

5.如权利要求1所述的用于基板处理的排气装置，其特征在于：

对所述排气管实施有防止带电处理。

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