KR101068539B1 - 전해 도금을 이용한 배선 기판의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

전해 도금을 이용한 배선 기판의 제조 방법은, 배선 패턴이 전해 도금을 이용하여 기판에 형성될 경우, 불필요한 부분이 배선 패턴 상에 잔존하지 않는다는 특징을 갖는다. 이 방법에서는, 제 1 무전해 도금층(19)이 금속박(metallic foil)(17)으로 미리 피복된 절연 기판(1)의 양측에 형성되고 그 위에 제 1 전해 도금층(21)이 형성되고, 배선 패턴이 기판의 단부 가장자리까지 연장되지 않도록 에칭에 의해 형성되고, 제 2 무전해 도금층(41)이 기판 표면 전체에 형성되고, 도금 레지스트 패턴(43)이 배선 패턴의 소정 부분만 노출되도록 형성되고, 제 2 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 제 2 전해 도금층(27, 29)이 배선 패턴의 소정 부분에 형성되고, 이 도금 레지스트 패턴과 제 2 무전해 도금층은 제거되고, 땜납 레지스트(45)가 배선 패턴의 소정 부분이 노출되도록 형성된다.

배선 패턴, 전해 도금, 도금층, 무전해, 레지스트

Description

전해 도금을 이용한 배선 기판의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING A WIRING BOARD BY UTILIZING ELECTRO PLATING}

도 1a는 복수의 배선 기판이 형성된 대형 기판의 평면도.

도 1b는 도 1a의 부분 확대도.

도 2a 내지 도 2g는 서브트랙티브(subtractive) 방법에 의한 종래의 배선 기판의 제조 공정을 나타내는 도면.

도 3a 내지 도 3d는 도 2a 내지 도 2g에 이어지는 종래의 배선 기판의 제조 공정을 나타내는 도면.

도 4a는 종래의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 장치의 단면도.

도 4b는 도 4a의 부분 평면도.

도 5a 내지 도 5f는 서브트랙티브 방법에 의해 배선 기판을 제조하는 본 발명의 제 1 실시예의 공정을 나타내는 도면.

도 6a 내지 도 6d는 도 5a 내지 도 5f에 이어지는 배선 기판을 제조하는 본 발명의 제 1 실시예의 공정을 나타내는 도면.

도 7a 내지 도 7f는 세미애디티브(semi-additive) 방법에 의한 배선 기판을 제조하는 본 발명의 제 2 실시예의 공정을 나타내는 도면.

도 8a 내지 도 8g는 도 7a 내지 도 7f에 이어지는 제 2 실시예의 배선 기판 을 제조하는 본 발명의 공정을 나타내는 도면.

도 9a는 본 발명의 제조 방법에 의한 반도체 장치의 단면도.

도 9b는 도 9a의 부분 평면도.

도 10a 내지 도 10f는 제 3 실시예의 배선 기판을 제조하는 본 발명의 공정을 나타내는 도면.

도 11a 내지 도 11g는 도 10a 내지 도 10f에 이어지는 제 3 실시예의 배선 기판을 제조하는 본 발명의 공정을 나타내는 도면.

도 12a 내지 도 12e는 제 4 실시예의 배선 기판을 제조하는 본 발명의 방법을 나타내는 도면.

도 13a는 도금층이 본딩 패드의 측면에도 석출된 경우의 형태를 나타내는 도면.

도 13b는 도금층이 평탄면에만 석출된 경우의 형태를 나타내는 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1…수지 기판

5…배선 패턴

5a…배선 본딩 패드

5b…외부 접속 단자용 패드

17…구리박(copper foil)

19, 41, 51…무전해 구리 도금층

21, 57…전해 구리 도금층

23, 43, 53, 59, 61…레지스트 패턴

27…전해 니켈 도금층

29…전해 금 도금층

본 발명은 반도체 장치에 사용되는 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 전해 도금을 이용하여 배선 기판을 제조하는 경우에 도금을 실시하여 급전용으로 사용되는 배선이 불필요한 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

종래에는, 반도체 장치에 사용되는 배선 기판이 제조될 경우, 예를 들면, 도 1a에 나타낸 유리 프리프레그 등과 같은 수지로 이루어진 대형 기판(1)이 준비된다. 복수의 배선 기판(3)에 대응하는 매트릭스 형상의 배선 패턴(5)은 동시적으로 형성되었고, 대형 기판(1)은 소정의 절단선(7)을 따라 절단된다. 이러한 방식으로, 개개의 배선 기판(3)이 얻어진다.

특히, 배선 패턴(5)이 서브트랙티브 방법(텐팅(tenting) 방법)에 의해 대형 기판(1) 상에 형성될 경우, 본딩 패드 등과 같은 배선 패턴(5)의 주요 부분에 있어서, 전해 도금 방법에 의해 니켈 도금이나 금 도금을 실시하기 위한 배선 패턴 사이를 단락시키는 급전용 도금 배선(9)은 절단에 의해 얻어진 배선 기판(3) 외측에 설치된다. 여기서, 도 1b는 도 1a에 나타낸 배선 패턴(5)과 도금 배선(9)의 확대 도이다. 참조 번호 11은 본딩 패드이고, 참조 번호 13은 관통 구멍이다.

전해 도금이 실시된 경우에서, 대형 기판(1)은 도금 용액(도시 안됨)에 침지되고, 도금용 전극(도시 안됨)은 대형 기판(1)의 외부 주변에 설치된 도금 배선(9)에 접속된다. 배선 패턴(5)은 급전되어, 니켈 또는 금 전해 도금이 배선 패턴(5) 상에 필요한 부분에 실시될 수 있다.

전해 도금이 완료된 후, 대형 기판(1)은 도금 배선(9)의 내측 부분(파선으로 나타낸 절단선(7)을 따른 부분)에서 절단되어, 개개의 배선 기판(3)이 얻어진다. 그러므로, 배선 기판(3)의 배선 패턴(5) 상에는, 전기 신호를 전달하는데 필요하지 않고 도금 배선(9)을 접속하기 위해서만 필요한 부분(15)이 관통 구멍(13)으로부터 배선 기판(3)의 외부 주변으로 존재한다.

상술한 배선 기판(3)의 일례로서, 반도체 장치에 사용되는 "BGA(Ball Grid Array)"라고 하는 배선 기판이 있다. 도 2a 내지 도 2g 및 도 3a 내지 도 3d를 참조하여, 종래 서브트랙티브 방법에 의해 배선 기판의 제조 방법을 설명한다. 특히, 제조 공정의 순서로 BGA에 사용되는 배선 기판(3)의 제조 방법을 설명한다. 도 4a는 이렇게 제조된 배선 기판(3)이 사용되는 BGA를 나타내는 도면이다. 여기서, 도 2a 내지 도 2g 및 도 3a 내지 도 3d에서는, 도 4a에서 참조 부호 X 표시로 가리키는 단면 부분의 배선 패턴을 형성하는 방법의 제조 방법을 나타낸다.

도 2a에서, 무엇보다도, 구리박(17, 17)이 수지 기판(유리 프리프레그(prepreg) 기판)(1)의 양측에 적층될 경우 양측이 구리로 피복되어 있는 대형의 적층판(10)이 준비된다. 구리로 양측이 피복된 이러한 대형 적층판(10) 위에, 도 1a 에 나타낸 복수의 배선 기판(3)이 형성된다.

도 2b에서, 관통 구멍(13)이 소정 위치에 드릴(도시 안됨)로 형성된다.

도 2c에서, 구리로 된 무전해 도금층(19)이 관통 구멍(13)의 내벽을 포함하는 전체 표면에 형성된다.

도 2d에서, 무전해 도금층(19)을 통하여 급전하여, 구리로 된 전해 도금층(21)이 무전해 도금층(19) 위에 형성된다. 이러한 방식으로, 배선 패턴을 형성하는데 필요한 도금층의 두께를 얻을 수 있다.

도 2e에서, 전해 도금층(21)에, 건식 레지스트막이라고 하는 막 형상의 에칭 레지스트가 적층된다. 이 건식 레지스트막에 노광 및 현상이 실시되어, 소정 배선 패턴에 대응하는 레지스트 패턴(23)을 형성할 수 있다.

도 2f에서, 레지스트 패턴(23)을 마스크로 사용하여 에칭을 실시하여, 레지스트 패턴(23)으로부터 노출되고 배선 패턴을 형성하는데 불필요한 부분의 전해 구리 도금층(21), 무전해 구리 도금층(19) 및 구리박(17)은 제거되어 배선 패턴(5)을 형성한다.

도 2g에서, 레지스트 패턴(23)이 제거된다. 이 레지스트 패턴(23)의 제거로 인하여, 배선 패턴(5)이 노출된다. 이러한 배선 패턴(5)은 배선 패턴(5)의 접속 부분(5c)를 통하여 배선 패턴(5)과 함께 동시에 형성되는 도금 배선(9)에 접속된다. 배선 패턴(5)과 도금 배선(9)은 도 1에 나타낸 바와 같이 서로 접속된다. 여기서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 이 도금 배선(9)은 대형 수지 기판(1)에, 복수의 배선 기판(3)을 얻기 위한 절단선(7) 외측에 프레임 형상으로 형성된다. 절단하기 전에, 이 도금 배선(9)을 복수의 배선 기판(3) 전체의 배선 패턴(5)에 접속한다.

다음으로, 도 3a에서, 땜납 레지스트를 인쇄에 의해 도포하고, 땜납 레지스트 패턴(25)을 노광 및 현상에 의해 형성한다. 이 때, 배선 패턴(5)의 본딩 패드(11)와 외부와 접속하기 위한 패드(땜납 볼의 접합 부분)(31) 등과 같은 소정 부분들이 노출될 수 있도록 땜납 레지스트 패턴(25)을 형성한다.

도 3b에서, 도금 배선(9)을 통하여 급전되고(도 1), 전해 니켈 도금(27)이 배선 본딩 패드(11)와 외부와의 접속을 위한 패드(31)에 접속된다. 다음으로, 전해 금 도금(29)이 실시된다. 여기서, 도 3c는 도 3b를 위에서 본 경우에 얻어지는 도면이다. 그러나, 땜납 레지스트(25)는 도 3c에서 생략되어 있다. 도면에 나타낸 바와 같이, 니켈과 금(Ni/Au)으로 전해 도금을 할 때, 배선 패턴(5)은 도금 배선(9)에 의해 단락된다.

도 3d에서, 대형 기판(1)은 도 3b 및 도 3c에 나타낸 절단선(7)에서 절단되어, 개개의 배선 기판(3)을 얻을 수 있다.

그 후에, 반도체 소자(33)가 배선 기판(3)에 탑재되고, 반도체 소자(33)와 배선 본딩 패드(11)는 본딩 배선(35)에 의해 서로 접속되고 수지(37)에 의해 밀봉된다. 또한, 땜납 볼(39)이 이것에 접합될 경우, 도 4a에 나타낸 반도체 장치(BGA)를 얻을 수 있다. 도 4b는 도 4a에서 참조 부호 X 표에 의해 가리키는 배선 기판을 위에서 보았을 때 얻어진 도면이고, 여기서 밀봉 수지(37)와 땜납 레지스트(25)는 도 4b에서 생략되어 있다.

도 4a에 나타낸, 상술한 종래의 서브트랙티브 방법에 의해 제조된 배선 기판(3)이 사용될 경우, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 관통 구멍(13)에서 절단된 배선 기판(3)의 외부 주변까지 연장하는 불필요한 부분(도금 배선에 접속하는 부분(5c))이 생기게 된다. 이러한 불필요한 부분(5c)에 의해 신호가 반사되고 노이즈가 야기된다. 그러므로, 이러한 반도체 장치의 전기적 특성이 열화된다. 상술한 도금 배선(9)과 접속 부분(5c)이 설치될 경우, 배선 패턴(5)의 배치가 도금 배선(9)과 접속 부분(5c)에 의해 제한받게 된다. 그러므로, 배선 패턴(5)을 고밀도로 배치하는 것이 곤란하게 된다.

여기서, JP-A-2000-114412호 공보는 본 발명과 관련한 종래 기술을 개시하고 있다. 이 종래 기술에 따르면, 배선 패턴과 기판은 서로 근접하여 접촉되고 또한 배선 패턴이 미세하게 이루어지고 또한 땜납 레지스트와 도체 부분이 서로 근접하여 접촉된다. 그러므로, 기판면에 형성된 구리층이 급전층으로서 사용되면서 전해 도금이 실시될 경우와 레지스트 패턴이 마스크로서 사용되면서 구리층을 에칭할 경우, 배선 패턴이 형성된다.

상술한 종래의 서브트랙티브 방법에 의해 제조된 배선 기판에 따르면, 전해 도금을 실시하기 위해 급전이 필요하기 때문에, 배선 패턴 상에 불필요한 부분이 생기게 된다. 이러한 불필요한 부분에 의해, 신호가 반사되고 노이즈가 발생하게 된다. 그러므로, 반도체 장치의 전기적 특성이 열화되고, 또한 배선 패턴의 배치는 제한받게 된다. 따라서, 배선 패턴(5)을 고밀도로 배열하는 것이 곤란하게 된다.

그러므로, 본 발명의 목적은, 전해 도금을 이용하여 기판에 배선 패턴을 형성할 경우, 배선 패턴 상에 불필요한 부분이 생기지 않고, 이러한 불필요한 부분에 의한 신호의 반사와 노이즈의 발생이 야기되지 않아, 반도체 장치의 전기적 특성이 열화되지 않고 배선 패턴을 고정밀도로 배열할 수 있는 것을 특징으로 하는 전해 도금을 이용하여 배선 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 한 형태에 따르면, 전해 도금을 이용하여 배선 기판을 제조하는 방법에 있어서, 양측이 미리 금속박으로 피복되어 있는 절연 기판의 양측에 제 1 무전해 도금층을 형성하는 단계와, 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 제 1 무전해 도금층 위에 제 1 전해 도금층을 형성하는 단계와, 제 1 전해 도금층, 제 1 무전해 도금층 및 금속박의 소정 부분을 제거하여 배선 패턴을 형성하는 단계와, 배선 패턴을 포함하는 절연 기판 위에 제 2 무전해 도금층을 형성하는 단계와, 배선 패턴의 제 1 소정 부분이 노출되도록 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 제 2 무전해 도금층으로부터 급전하여 배선 패턴의 제 1 소정 부분 위에 제 2 전해 도금층을 형성하는 단계와, 도금 레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 제 2 전해 도금층으로부터 노출된 제 2 무전해 도금층을 제거하는 단계와, 배선 패턴의 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 땜납 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 방법을 제공하는 것이다.

금속박, 제 1 무전해 도금층 및 제 1 전해 도금층은 구리로 되어 있다.

배선 패턴 형성 단계는 제 1 전해 도금층을 에칭 레지스트로 도포하는 단계 와, 에칭 레지스트를 노광 및 현상에 의해 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 에칭 레지스트 패턴으로부터 노출된 영역을 제거하기 위하여 에칭하는 단계의 하위 단계들을 포함한다.

도금 레지스트 패턴 형성 단계는 배선 패턴을 포함하는 기판의 전체 표면을 도금 레지스트 패턴으로 도포하는 단계와, 배선 패턴의 제 1 소정 부분이 노출되도록 도금 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계들을 포함한다.

이 배선 기판의 제조 방법은, 절연 기판에 관통 구멍을 형성하여, 제 1 무전해 도금층이 절연 기판의 표면뿐만 아니라 관통 구멍의 내벽에 형성되고, 제 1 전해 도금층이 제 1 무전해 도금층에 형성되도록 한다.

본 발명의 다른 형태에 따르면, 절연 기판의 일면에 제 1 무전해 도금층을 형성하는 단계와, 제 1 무전해 도금층에 제 1 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 제 1 도금 레지스트 패턴으로부터 노출된 제 1 무전해 도금층에 제 1 전해 도금층을 형성하여, 배선 패턴을 획정하는 단계와, 제 1 도금 레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 배선 패턴의 제 1 소정 부분이 노출되도록 제 2 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 제 1 무전해 도금층으로부터 급전하여 배선 패턴의 제 1 소정 부분에 제 2 전해 도금층을 형성하는 단계와, 제 2 도금 레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 배선 패턴으로부터 노출된 제 1 무전해 도금층을 제거하는 단계와, 배선 패턴의 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 땜납 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전해 도금을 이용하는 배선 기판의 제조 방법이 제공된다.

본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 절연 기판의 일면에 제 1 무전해 도금층을 형성하는 단계와, 제 1 무전해 도금층에 제 1 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 제 1 무전해 도금층으로부터 급전하여 제 1 도금 레지스트 패턴으로부터 노출된 제 1 무전해 도금층에 제 1 전해 도금층을 형성하여, 배선 패턴을 획정하는 단계와, 배선 패턴의 제 1 소정 부분이 노출되도록 제 2 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 배선 패턴의 제 1 소정 부분에 제 2 전해 도금층을 형성하는 단계와, 제 1 및 제 2 도금 레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 배선 패턴으로부터 노출된 제 1 무전해 도금층을 제거하는 단계와, 배선 패턴의 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 땜납 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전해 도금을 이용한 배선 기판의 제조 방법이 제공된다.

제 1 무전해 도금층과 제 1 전해 도금층은 구리로 되어 있다.

제 1 도금 레지스트 패턴 형성 단계는 제 1 무전해 도금층을 도금 레지스트로 도포하고 이 도금 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계를 포함하고, 제 2 도금 레지스트 패턴 형성 단계는 배선 패턴을 포함하는 기판의 표면을 도금 레지스트로 도포하는 단계와 이 도금 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계를 포함한다.

배선 기판의 제조 방법은, 절연 기판에 관통 구멍을 형성하여, 제 1 무전해 도금층이 절연 기판의 표면뿐만 아니라 관통 구멍의 내벽에 형성되고, 제 1 도금 레지스트 패턴이 제 1 무전해 도금층에 형성되도록 한다.

절연 기판의 일면 또는 각 표면은 미리 구리박으로 도포되고, 제 1 무전해 도금층은 구리박에 형성되고 이 구리박은 배선 패턴으로부터 노출된 제 1 무전해 도금층을 제거하는 단계에서 함께 제거된다.

땜납 레지스트 패턴 형성 단계는 기판의 표면을 땜납 레지스트로 도포하는 단계와, 배선 패턴의 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 땜납 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계들을 포함한다.

땜납 레지스트로부터 노출된 배선 패턴의 제 1 소정 부분은 배선 본딩 패드 또는 외부 접속 단자 패드를 위한 영역을 포함한다.

제 1 소정 부분에 형성된 제 2 전해 도금층은 전해 니켈 도금층과 이 니켈 도금층에 형성된 전해 금 도금층을 포함한다.

배선 기판은 대형 기판을 절단선을 따라 절단하여 각각 얻어진다. 제 1 전해 도금층 형성 단계는 대형 기판의 주변 가장자리를 따라 설치된 제 1 무전해 도금층으로부터 급전하여 수행되고, 배선 패턴 형성 단계는 배선 패턴이 개개의 배선 기판의 가장자리에서의 절단선까지 연장되지 않는 방식으로 수행된다.

첨부한 도면을 참조하여, 다음에 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.

본 발명에 따르면, 전해 도금을 실시하기 위한 도금 배선을 설치하는 것이 불필요하게 된다. 그러므로, 종래의 서브트랙티브 방법에 의해 야기된 상기 문제점들이 야기되지 않는다. 여기서, 다음의 실시예에 대한 설명에서는, 수지 기판(1)으로서, 복수의 배선층이 형성된 다층 배선 기판을 사용하는 것이 가능하다. 또한, 배선 패턴은 수지 기판(1)의 양측에 형성될 수 있다. 또한, 배선 패턴은 수 지 기판(1)의 일측에만 형성될 수 있다.

도 5a 내지 도 5f 및 도 6a 내지 도 6c를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예와 관련된 서브트랙티브 방법에 의해 배선 기판을 제조하는 제조 방법을 그 제조 단계 순서로 아래에 설명한다. 여기서, 도 5a 내지 도 5f 및 도 6a 내지 도 6c의 각각에서는, 도 4a의 X에 의해 가리킨 부분에 대응하는 부분을 확대 단면도로 나타낸다.

우선 처음에, 도 2a 내지 도 2g에서 설명한 바와 같은 방법에 의해 배선 패턴(5)이 대형 기판(1)에 형성된다. 그러나, 본 발명에서는, 종래 단계인 도 2e 내지 도 2g에서 설치된 도금 배선(9)(도 1에 나타냄)과 도금 배선(9)에 접속된 부분(5c)은, 각각 도 5a 내지 도 5c에 대응하여 나타낸 바와 같이, 형성되지 않는다.

즉, 도 2e에 대응하는 도 5a에서는, 건식 막 레지스트라고 부르는 막 형상의 에칭 레지스트층이 전해 구리 도금층(21)에 적층되고, 다음에 에칭 레지스트 패턴(23)을 형성하기 위해 건식 막 레지스트에 노광 및 현상을 실시한다. 이 때에, 도금 배선(9)(도 1에 나타냄)에의 접속 부분(5c)(도 2g에 나타냄)에 대응하는 기판(1)의 주위 가장자리 부분은 에칭 레지스트 패턴(23)으로 피복되지 않는 노출된 부분으로서 남게된다.

다음으로, 도 2f에 대응하는 도 5b에서는, 에칭이 실시되고, 레지스트 패턴(23)으로 피복되지 않은 불필요한 부분에 위치된 전해 구리 도금층(21), 무전해 구리 도금층(19) 및 구리박층(17)은 제거되어, 배선 패턴(5)을 형성할 수 있게 된다.

도 5c에서는, 레지스트 패턴(23)이 제거된다. 레지스트 패턴(23)의 이러한 제거로 인해, 배선 패턴(5)이 노출된다. 상술한 바와 같이, 이러한 배선 패턴(5) 위에, 접속 부분(5c)(도 2g에 나타냄)은 설치되지 않는다. 그러므로, 배선 패턴은 접속되지 않는다. 본 발명에 따르면, 상술한 바와 같이, 종래의 예에서 대형 수지 기판(1)에 복수의 배선 기판(3)을 얻기 위해 절단선(7)의 외측에 프레임 형상으로 형성되어 있던, 도금 배선(9)(도 1에 나타냄)이 설치되지 않는다.

도 5d에서는, 관통 구멍(13)의 내벽을 포함한 전체 표면에, 무전해 구리 도금층(41)을 형성한다.

도 5e에서는, 배선 본딩 패드 영역(5a)과 외부 접속 단자용 패드(5b) 등과 같은 배선 패턴(5)의 소정 부분이 노출될 수 있도록 도금 레지스트를 피복하고, 전해 니켈 도금 및 전해 금 도금이 다음의 단계에서 실시된다. 그 다음에, 도금 레지스트 패턴(도금 마스크)(43)이 노광 및 현상의 단계를 실시함으로써 형성된다.

도 5f에서는, 도금 레지스트 패턴(43)으로부터 노출된 무전해 구리 도금층(41)이 구리의 급속 에칭에 의해 제거된다.

다음으로, 도 6a에서는, 배선 본딩 패드와 그 외의 것들에 전해 니켈 도금층(27)과 전해 금 도금층(29)을 형성하도록 무전해 구리 도금층(41)에 의해 급전된다. 여기서, 급전하기 위한 무전해 구리 도금층(41)은 개개의 배선 기판(3)의 외측으로 연장된다. 도금할 때, 대형 기판은 도금 용액(도시 안됨)에 침지되어, 대형 기판의 주위 가장자리 부분에서 무전해 구리 도금층이 전극으로 사용되면서 급전될 수 있다.

도 6b에서는, 레지스트 패턴(43)이 제거된다.

도 6c에서는, 구리의 급속 에칭에 의해, 전해 니켈 도금층(27)과 전해 금 도금층(29)으로부터 노출된 무전해 구리 도금층(41)이 제거된다.

도 6d에서는, 땜납 레지스트가 도포되고, 배선 본딩 패드(5a)와 외부 접속 단자용 패드(5b)가 노출되는 레지스트 패턴(45)을 형성하도록 노광 및 현상이 실시된다.

이 후에, 대형 기판은 개개의 배선 기판을 얻기위해 절단된다. 반도체 소자(33)는 이렇게 얻어진 배선 기판에 탑재된 다음 수지(37)로 밀봉이 실시되고 땜납 볼(39)이 접합된다. 이러한 방식으로, 도 9a에 나타낸 반도체 장치(BGA)가 얻어진다. 도 9b에 나타낸 바와 같이, 이 배선 기판 위에는, 배선 패턴(5)에 설치된 불필요한 부분, 즉, 도금 배선과 이것에 접속하는 부분은 설치되지 않는다. 그러므로, 종래의 배선 기판의 경우에서 발생하던 문제점들은 발생하지 않는다.

다음으로, 도 7a 내지 도 7f 및 도 8a 내지 도 8g를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예와 관련된 세미애디티브 방법에 의한 배선 기판의 제조 방법을 제조 단계 순서로 설명한다. 여기서, 도 7 및 도 8 각각에서는, 도 4a의 X 부분에 대응하는 부분을 확대 단면도로 나타내었다. 이 제 2 실시예에서도, 도금 배선(9)(도 1에 나타냄)은 불필요하다. 그러므로, 종래의 배선 기판의 제조 방법의 경우에서 발생하던 문제점들은 발생하지 않는다. 이 방법에 따르면, 배선 기판은 다음의 제조 단계에 의해 제조된다.

도 7a에서는, 대형 수지 기판(유리 프리프레그)(1)을 준비한다.

도 7b에서는, 드릴로 관통 구멍(13)을 형성한다.

도 7c에서는, 관통 구멍(13)의 내벽을 포함하는 전체 표면에 무전해 구리 도금층(51)을 형성한다.

도 7d에서는, 무전해 구리 도금층(51)에 레지스트(53)을 도포한다.

도 7e에서는, 배선 패턴의 형상에 대응하는 도금 레지스트 패턴(55)을 형성하기 위해 도금 레지스트를 노광 및 현상한다. 이 도금 레지스트 패턴(55)을 형성하는 경우에, 기판(1)의 단부 가장자리 부분은 도금 레지스트 패턴(55)으로 피복되는 부분이 되도록 둔다.

도 7f에서는, 무전해 도금층(51)으로부터 급전되어, 전해 구리 도금층(57)을 형성하기 위해 도금 레지스트 패턴(55)으로부터 노출된 부분을 전해 구리 도금한다. 이러한 방식으로, 배선 패턴이 형성된다. 여기서, 제 1 실시예와 같은 방식으로, 대형 기판의 주위 가장자리 부분에 설치된 무전해 구리 도금층에 의해 무전해 도금층(51)으로 급전한다.

다음으로, 도 8a에서는, 레지스트 패턴(55)을 제거한다.

도 8b에서는, 배선 본딩 패드 영역(5a)과 외부 접속 단자용 패드(5b) 등과 같은, 배선 패턴 위의 전해 니켈 도금과 전해 금 도금을 실시할 소정 부분이 노출될 수 있도록 도금 레지스트를 도포한다. 그 다음에, 노광 및 현상 단계에 의해 도금 레지스트 패턴(도금 마스크)(59)을 형성한다.

도 8c에서는, 도금 레지스트 패턴(59)로부터 노출된 무전해 구리 도금층(51)을 구리의 급속 에칭에 의해 제거한다.

도 8d에서는, 무전해 도금층(51)에 의해 급전하여, 배선 본딩 패드와 외부 접속 단자용 패드 등의 배선 패턴의 소정 부분에 전해 니켈 도금(27)과 전해 금 도금(29)을 실시할 수 있게 된다. 이 경우에서, 상술한 바와 같은 방식으로 대형 기판의 주위 가장자리 부분에 의해 무전해 도금층(51)으로도 급전된다.

도 8e에서는, 도금 레지스트 패턴(59)을 제거한다.

도 8f에서는, 배선 패턴(57)으로부터 노출된 무전해 도금층(51)을 구리의 급속 에칭에 의해 제거한다. 배선 패턴(57)으로부터 노출된 무전해 도금층(51)을 제거함으로써, 배선 패턴 또는 무전해 도금층 등과 같은 전기 도통 부분은 각 배선 기판의 단부 가장자리 부분에 존재하지 않게 된다.

도 8g에서는, 땜납 레지스트를 도포하고, 배선 본딩 패드(5a)와 외부 접속 단자용 패드(5b)가 노출되는 레지스트 패턴(61)을 형성하기 위해 노광 및 현상을 실시한다.

이 후에, 복수의 개개의 배선 기판을 얻기 위해 대형 기판을 절단한다. 반도체 소자는 이렇게 얻어진 배선 기판에 탑재된 다음 수지(37)로 밀봉이 실시되고 땜납 볼(39)이 접합된다. 이러한 방식으로, 도 9a에 나타낸 반도체 장치가 얻어진다. 도 9b에 나타낸 바와 같이, 이 배선 기판 위에는, 불필요한 부분, 즉, 도금 배선에 접속하는 부분이 배선 패턴에 설치되지 않는다. 그러므로, 종래의 배선 기판의 경우에서 발생하던 문제점들은 발생하지 않는다.

도 10 및 도 11은 본 발명의 제 3 실시예와 관련한 배선 기판을 제조하는 제조 공정을 나타내는 도면이다. 제 3 실시예에서, 제 2 실시예와 같은 방법에 의해, 배선 패턴은 구리박(17)이 양측에 부착된 수지 기판(1)에 형성된다. 이 제 3 실시예에서, 도 10a와 도 10b 및 도 10c에 나타낸 바와 같이, 구리박(17)이 양측에 부착된 수지 기판(1)에 무전해 도금층(51)이 형성된다. 무전해 도금층(51)이 제거된 경우에는, 도 11c 및 도 11f에 나타낸 바와 같이 구리박(17)이 함께 제거된다. 그 외의 점들은 도 7a 내지 도 7f 및 도 8a 내지 도 8g에 나타낸 제 2 실시예와 동일하다.

다음으로, 도 12a 내지 도 12e를 참조하여, 본 발명의 제 4 실시예의 배선 기판을 제조하는 제조 방법을 아래에 설명한다. 제조 단계를 도 12a 내지 도 12e에 나타낸다. 상술한 제 2 또는 제 3 실시예에서는, 무전해 도금층(51)은 급전층으로서 사용되는 동시에, 배선 패턴(57)을 형성하기 위하여 전해 구리 도금을 도금 레지스트 패턴(55)으로부터 노출된 부분에 실시하고, 그런 후, 레지스트 패턴(55)을 제거하였다(도 8a 및 도 11a에 나타냄). 그러나, 이 제 4 실시예에 따르면, 다음과 같이 제조된다. 도 12a에 나타낸 바와 같이, 레지스트 패턴(55)을 제거하지 않고, 즉, 레지스트 패턴(55)을 그대로 놔두고, 도금 레지스트를 레지스트 패턴(55)의 위에서부터 도포하고나서, 배선 본딩 패드 영역(5a)과 외부 접속 단자용 패드 영역(5b) 등과 같은 전해 니켈 도금 또는 전해 금 도금이 실시되는 부분이 노출될 수 있도록 노광 및 현상에 의해 도금 레지스트 패턴(도금 마스크)(59)을 형성한다.

다음으로 도 12b에서는, 무전해 도금층(51)에 의해 급전되어, 배선 본딩 패드 영역(5a)과 외부 접속 단자용 패드 영역(5b) 등과 같은 배선 패턴(57)의 소정 부분에 전해 니켈 도금(27)과 전해 금 도금(29)을 실시한다. 이 경우, 상술한 바와 같은 방식으로 대형 기판의 주위 가장자리 부분에 의해 무전해 도금층(51)으로 급전된다.

다음으로, 도 12c에서는, 도금 레지스트 패턴(59, 55)이 동시에 제거된다.

다음으로, 도 12d에서는, 배선 패턴(57)으로부터 노출된 무전해 도금층(51)을 구리의 급속 에칭에 의해 제거한다. 무전해 도금층(51)의 이러한 제거에 의해, 배선 패턴과 무전해 도금층 등과 같은 전기 도통 부분이 각 배선 기판의 단부 가장자리 부분에 존재하지 않게 된다.

도 12e에서는, 땜납 레지스트를 도포한다. 그 다음 배선 본딩 패드(5a)와 외부 접속 단자용 패드(5b)가 노출될 수 있도록 레지스트 패턴(61)을 형성하기 위해 땜납 레지스트를 노광 및 현상한다.

이 후에, 제 1 내지 제 3 실시예와 같은 방식으로, 개개의 배선 기판을 얻도록 대형 기판을 절단한다. 이렇게 얻어진 배선 기판에 반도체 소자(33)를 탑재하고나서 수지(37)로 밀봉을 실시하고 땜납 볼(39)을 접합한다. 이러한 방식으로, 반도체 장치가 얻어진다. 이러한 배선 기판에서, 불필요한 부분이 배선 기판에 설치되지 않고, 즉 도금 배선에 접속하는 부분이 배선 패턴에 설치되지 않는다. 그러므로, 종래의 배선 기판의 경우에서 발생하던 문제점들이 야기되지 않는다.

여기서, 도 12a 내지 도 12e에 나타낸 제 4 실시예는 제 2 실시예의 공정에서 레지스트 패턴(55)이 제거되지 않고 도금 레지스트 패턴(도금 마스크)(59)이 이 레지스트 패턴(55) 위에서부터 형성된 경우에 관한 것이다. 그러나, 제 3 실시예에서와 같이, 양측이 구리박으로 부착된 수지 기판을 사용하더라도, 제 4 실시예와 완전히 동일한 공정에 의해 배선 기판을 제조할 수 있다.

상술한 바와 같이, 도 12a 내지 도 12e에 나타낸 이 제 4 실시예에서, 레지스트 패턴(55)은 제거되지 않는다. 그러므로, 예를 들면, 도 8a 내지 도 8g 또는 도 11a 내지 도 11g에 나타낸 바와 같이, 전해 도금 단계에서, 전해 니켈 도금층(27)과 전해 금 도금층(29)은 본딩 패드(5a)의 측면에 석출하지 않고 전해 니켈 도금층(27)과 전해 금 도금층(29)이 평탄면에만 석출된다. 도 13a 및 도 13b에서는, 다음의 2가지 경우의 예를 나타낸다. 도 13a는 이들 도금층이 본딩 패드(5a)의 측면에도 석출된 경우를 나타내고, 도 13b는 이들 도금층이 평탄면에만 석출된 경우를 나타낸다. 그러나, 본딩 패드(5a)의 측면에 석출된 전해 니켈 도금층(27)과 전해 금 도금층(29)은 본딩 영역의 배선 폭을 증가시킨다. 따라서, 본딩 패드가 좁은 피치로 형성된 경우에서는, 본딩 패드(5a)의 측면에 석출된 전해 니켈 도금층(27)과 전해 금 도금층(29)은 본딩 패드 사이의 간격을 유지해야 될 경우 방해물이 된다.

위의 관점으로부터, 도 12a 내지 도 12e에 나타낸 제 4 실시예에서는, 전해 니켈 도금층(27)과 전해 금 도금층(29)이 본딩 패드(5a)의 측면에 석출되지 않기 때문에, 본딩 패드를 좁은 피치로 형성하는 것이 가능하게 되어, 구성 요소의 배치 밀도를 높이는데 기여하게 된다.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상술하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 구체적인 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 청구범위에 기재된 취지 및 범위를 벗어나지 않는 한, 당업자에 의해 변형될 수 있다.

예를 들면, 본 발명에 따른 배선 기판의 제조 방법은 임의의 배선 기판 또는 PGA(Pin Grid Array), LGA(Land Grid Array) 등과 같은 다른 형태의 외부 접속 단자를 갖는 반도체 패키지 또는 그 외의 패키지를 제조하는데 적용될 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 배선 기판의 제조 방법은 플립칩(flip-chip) 접속에 의해 반도체 칩이 탑재되는 방법에도 적용될 수 있다. 그러나, 이러한 경우에는, 배선 본딩 패드 대신에 플립칩 접속 패드를 형성하는 것이 필요하다는 것을 유념해야 한다.

상기 설명에서와 같이, 본 발명에 따르면, 배선 패턴이 전해 도금을 이용하여 기판에 형성될 경우에도, 배선 패턴에 불필요한 부분이 발생하지 않는다. 따라서, 불필요한 부분에 의해 야기되는 신호의 반사 및 노이즈의 발생 가능성이 없고 반도체 장치의 전기적 특성면에서 열화가 야기되지 않는다. 그러므로, 배선 패턴의 밀도를 높일 수 있게 된다.

Claims (27)

1. 양측이 미리 금속박(metallic foil)으로 피복되어 있는 절연 기판의 양측에 제 1 무전해 도금층을 형성하는 단계와,

   상기 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 상기 제 1 무전해 도금층 위에 제 1 전해 도금층을 형성하는 단계와,

   상기 제 1 전해 도금층, 상기 제 1 무전해 도금층 및 상기 금속박의 소정 부분을 제거하여 배선 패턴을 형성하는 단계와,

   상기 배선 패턴을 포함하는 절연 기판 위에 제 2 무전해 도금층을 형성하는 단계와,

   상기 배선 패턴의 제 1 소정 부분이 노출되도록 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와,

   상기 제 2 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분 위에 제 2 전해 도금층을 형성하는 단계와,

   상기 도금 레지스트 패턴을 제거하는 단계와,

   상기 제 2 전해 도금층으로부터 노출된 상기 제 2 무전해 도금층을 제거하는 단계와,

   상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 땜납 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 도금을 이용한 배선 기판의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 금속박, 상기 제 1 무전해 도금층 및 상기 제 1 전해 도금층은 구리인 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 배선 패턴 형성 단계는

   상기 제 1 전해 도금층을 에칭 레지스트로 도포하는 단계와,

   상기 에칭 레지스트를 노광 및 현상에 의해 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및

   상기 에칭 레지스트 패턴으로부터 노출되는 영역을 제거하기 위해 에칭하는 단계

   의 하위 단계(sub-step)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 도금 레지스트 패턴 형성 단계는

   상기 배선 패턴을 포함하는 상기 기판의 전체 표면을 도금 레지스트 패턴으로 도포하는 단계, 및

   상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분이 노출되도록 상기 도금 레지스트를 노광 및 현상하는 단계

   의 하위 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   양측이 미리 금속박으로 피복되어 있는 상기 절연 기판에 관통 구멍을 형성하여, 상기 제 1 무전해 도금층이 상기 절연 기판의 양측뿐만 아니라 상기 관통 구멍의 내벽에 형성되고, 상기 제 1 전해 도금층이 상기 제 1 무전해 도금층 위에 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 땜납 레지스트 패턴 형성 단계는

   상기 기판의 표면을 땜납 레지스트로 도포하는 단계, 및

   상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 상기 땜납 레지스트를 노광 및 현상하는 단계

   의 하위 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 땜납 레지스트로부터 노출된 상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분은 배선 본딩 패드 또는 외부 접속 단자 패드를 위한 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
8. 제 6 항에 있어서,

   상기 제 1 소정 부분에 형성된 상기 제 2 전해 도금층은 전해 니켈 도금층과 상기 니켈 도금층에 형성된 전해 금 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 배선 기판은 절단선을 따라 대형 기판을 절단하여 각각 얻어지고,

   상기 제 1 전해 도금층 형성 단계는 상기 대형 기판의 주위 가장자리를 따라 설치된 상기 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 수행되고,

   상기 배선 패턴 형성 단계는 상기 배선 패턴이 개개의 배선 기판의 가장자리에서의 상기 절단선까지 연장되지 않는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
10. 절연 기판의 일면에 제 1 무전해 도금층을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 무전해 도금층에 제 1 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 상기 제 1 도금 레지스트 패턴으로부터 노출된 상기 제 1 무전해 도금층에 제 1 전해 도금층을 형성하여, 배선 패턴을 획정하는 단계와,

    상기 제 1 도금 레지스트 패턴을 제거하는 단계와,

    상기 배선 패턴의 제 1 소정 부분이 노출되도록 제 2 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분에 제 2 전해 도금층을 형성하는 단계와,

    상기 제 2 도금 레지스트 패턴을 제거하는 단계와,

    상기 배선 패턴으로부터 노출된 상기 제 1 무전해 도금층을 제거하는 단계와,

    상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 땜납 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 도금을 이용한 배선 기판의 제조 방법.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 제 1 무전해 도금층과 상기 제 1 전해 도금층은 구리인 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
12. 제 10 항에 있어서,

    상기 제 1 도금 레지스트 패턴 형성 단계는 상기 제 1 무전해 도금층을 도금 레지스트로 피복하는 단계와, 상기 도금 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계들을 포함하고,

    상기 제 2 도금 레지스트 패턴 형성 단계는 상기 배선 패턴을 포함하는 상기 기판의 표면을 도금 레지스트로 피복하는 단계와, 상기 도금 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
13. 제 10 항에 있어서,

    상기 절연 기판에 관통 구멍을 형성하여, 상기 제 1 무전해 도금층이 상기 절연 기판의 표면뿐만 아니라 상기 관통 구멍의 내벽에 형성되고, 상기 제 1 도금 레지스트 패턴이 상기 제 1 무전해 도금층에 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
14. 제 10 항에 있어서,

    상기 절연 기판의 일면 또는 각 표면을 미리 구리박(copper foil)으로 피복하고, 상기 제 1 무전해 도금층을 상기 구리박 위에 형성하고 상기 구리박은 상기 배선 패턴으로부터 노출된 상기 제 1 무전해 도금층을 제거하는 단계에서 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
15. 제 10 항에 있어서,

    상기 땜납 레지스트 패턴 형성 단계는

    상기 기판의 표면을 땜납 레지스트로 피복하는 단계, 및

    상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 상기 땜납 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 땜납 레지스트로부터 노출된 상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분은 배선 본딩 패드 또는 외부 접속 단자 패드를 위한 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
17. 제 15 항에 있어서,

    상기 제 1 소정 부분에 형성된 상기 제 2 전해 도금층은 전해 니켈 도금층과 상기 니켈 도금층 위에 형성된 전해 금 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
18. 제 10 항에 있어서,

    상기 배선 기판은 절단선을 따라 대형 기판을 절단하여 각각 얻어지고,

    상기 제 1 전해 도금층 형성 단계는 상기 대형 기판의 주위 가장자리를 따라 설치된 상기 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 수행되고,

    상기 배선 패턴 형성 단계는 상기 배선 패턴이 상기 개개의 배선 기판의 가장자리에서의 상기 절단선까지 연장되지 않는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
19. 절연 기판의 표면에 제 1 무전해 도금층을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 무전해 도금층에 제 1 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 상기 제 1 도금 레지스트 패턴으로부터 노출된 상기 제 1 무전해 도금층 위에 제 1 전해 도금층을 형성하여, 배선 패턴을 획정하는 단계와,

    상기 배선 패턴의 제 1 소정 부분이 노출되도록 제 2 도금 레지스트 패턴을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분에 제 2 전해 도금층을 형성하는 단계와,

    상기 제 1 및 제 2 도금 레지스트 패턴을 제거하는 단계와,

    상기 배선 패턴으로부터 노출된 상기 제 1 무전해 도금층을 제거하는 단계, 및

    상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 땜납 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 도금을 이용한 배선 기판의 제조 방법.
20. 제 19 항에 있어서,

    상기 제 1 무전해 도금층과 상기 제 1 전해 도금층은 구리인 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
21. 제 19 항에 있어서,

    상기 제 1 도금 레지스트 패턴 형성 단계는 상기 제 1 무전해 도금층을 도금 레지스트로 피복하는 단계와, 상기 도금 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계들을 포함하고,

    상기 제 2 도금 레지스트 패턴 형성 단계는 상기 배선 패턴을 포함하는 상기 기판의 표면을 도금 레지스트로 피복하는 단계와, 상기 도금 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의 하위 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
22. 제 19 항에 있어서,

    상기 절연 기판에 관통 구멍을 형성하여, 상기 제 1 무전해 도금층이 상기 절연 기판의 표면뿐만 아니라 상기 관통 구멍의 내벽에 형성되고, 상기 제 1 도금 레지스트 패턴이 상기 제 1 무전해 도금층에 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
23. 제 19 항에 있어서,

    상기 절연 기판의 일면 또는 각 표면을 미리 구리박으로 피복하고, 상기 제 1 무전해 도금층을 상기 구리박 위에 형성하고 상기 구리박은 상기 배선 패턴으로부터 노출된 상기 제 1 무전해 도금층을 제거하는 단계에서 함께 제거되는 것을 특 징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
24. 제 19 항에 있어서,

    상기 땜납 레지스트 패턴 형성 단계는

    상기 기판의 표면을 땜납 레지스트로 피복하는 단계, 및

    상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분을 포함하는 소정 부분이 노출되도록 상기 땜납 레지스트를 노광 및 현상하는 단계의

    하위 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
25. 제 24 항에 있어서,

    상기 땜납 레지스트로부터 노출된 상기 배선 패턴의 상기 제 1 소정 부분은 배선 본딩 패드 또는 외부 접속 단자 패드를 위한 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
26. 제 24 항에 있어서,

    상기 제 1 소정 부분에 형성된 상기 제 2 전해 도금층은 전해 니켈 도금층과 상기 니켈 도금층 위에 형성된 전해 금 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.
27. 제 19 항에 있어서,

    상기 배선 기판은 절단선을 따라 대형 기판을 절단하여 각각 얻어지고,

    상기 제 1 전해 도금층 형성 단계는 상기 대형 기판의 주위 가장자리를 따라 설치된 상기 제 1 무전해 도금층으로부터 급전함으로써 수행되고,

    상기 배선 패턴 형성 단계는 상기 배선 패턴이 상기 개개의 배선 기판의 가장자리에서의 상기 절단선까지 연장되지 않는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.

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