KR101018666B1 - 성형 제품상에서 금속 가공 조성물의 층을 분석하기 위한 층 분석 방법 및 그 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 다양한 측정 변수를 고려하면서, 성형 공정, 특히 압연 공정 전에, 및/또는 그 후에, 성형 제품(40), 특히 금속 스트립의 표면에서 금속 가공 조성물(50)의 층을 분석하기 위한 층 분석 방법에 관한 것이다. 이와 관련하여 본 발명에 따라, 금속 가공 조성물(50)의 분석은 분광 분석으로 이루어진다. 그 외에도 본 발명은 본 발명에 따른 층 분석 방법을 실행하기 위한 층 분석 장치에 관한 것이다.

측정 변수, 성형 공정, 압연 공정, 성형 제품, 금속 가공 조성물, 분광 분석

Description

성형 제품상에서 금속 가공 조성물의 층을 분석하기 위한 층 분석 방법 및 그 장치{METHOD AND DEVICE FOR ANALYZING A LAYER OF A METAL WORKING COMPOUND ON A PRODUCT TO BE SHAPED}

본 발명은, 다양한 측정 변수를 고려하면서, 성형 공정, 특히 압연 공정 전에, 및/또는 그 후에 성형 제품, 특히 금속 스트립의 표면에서 금속 가공 조성물의 층을 분석하기 위한 층 분석 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 성형 제품의 표면에서 금속 가공 조성물의 층의 스캐닝 신호를 생성하기 위해 제공되고, 성형 장치, 특히 롤 스탠드의 전방 및/또는 그 후방에 배치되는 적어도 하나의 검출기 장치와, 금속 가공 조성물에 대한 다양한 고유의 측정 변수를 고려하면서, 검출기 장치에 의해 생성된 스캐닝 신호를 분석하기 위한 분석 장치를 포함하는 층 분석 장치에 관한 것이다.

기본적으로 성형 공정에서 압연 제품과 롤 간의 충분한 분리를 위해 금속 가공 조성물의 이용에 대한 필요성이 있다. 이러한 분리가 목표하는 방식으로 달성되지 않으면, 성형에 관여하는 부품들의 금속 접촉이 야기되며, 그 부품들의 상호 간 상대 이동을 바탕으로 압연 제품의 목표하는 표면 구조에 결함이 야기된다.

이와 관련하여 종래 기술로부터는 일반적인 형식의 다수의 방법이 공지되었 다:

DE 197 44 503 A1로부터는 열간 광폭 스트립 또는 냉간 스트립 압연기열의 롤 스탠드에서 각각 상부 롤과 하부 롤 사이의 마찰 거동에 영향을 주기 위한 장치 및 방법은 공지되었다. 이와 관련하여, 상기 방법은 본질적으로, 압연 제품의 스트립 윗면 및/또는 스트립 밑면은 롤 스탠드의 유입 측에서 분사 장치에 의해 소정의 양의 액체로 습윤화되고, 폐루프 제어 장치(closed-loop control device)는 액체의 양 결정 및 송출을 제어하며, 그리고 폐루프 제어 변수로서는, 하부 롤 및/또는 상부 롤의 실제적인 압연 토크와 결부되어 사전 측정되거나, 또는 산출되는 값이 이용되는 것을 특징으로 한다. 상기 방법을 이용한 목적은, 특히, 압연 공정의 효율을 개선하고, 상부 및 하부 롤들의 마모를 감소시킬 뿐 아니라, 종종 두께 감소가 상대적으로 클 때 발생하는 진동 경향을 완충하기 위해, 압연 제품의 스트립 윗면과 상부 롤 사이뿐 아니라, 압연 제품의 밑면과 하부 롤 사이에서 거의 동일한 마찰 거동이 발생하도록 하는 것에 있다.

상기와 같이 앞서 공지된 방법, 및 또 다른 사전 공지된 방법의 경우, 기본적으로 공정 단계를 절감하면서 고품질의 금속 열간 스트립을 상대적으로 더욱 많이 생산하고, 안정된 압연 공정을 통해, 특히 롤 간 간격에서 마찰 적응을 통해 더욱 개선된 스트립 품질을 가능케 할 필요성이 있다. 이를 위해, 보다 이전의 우선일에 본원의 출원인이 제출했지만, 앞서 공개되지 않은 독일 특허 출원 DE 10 2005 042 020.6에 제안된 점에 따르면, 유입 측에서 낮은 수분 함량을 보유하는 순도의 윤활제가 최소량으로 물리적인 계산 모델을 통해서 다수의 공정 데이터에 따라 그 점도가 제어되면서 라인 상에 연속해서 공급되는 방식으로 도포 된다.

그로부터 상대적으로 더욱 안정된 압연 공정이 제공되며, 특히 롤 간 간격 내 마찰 적응이 가능해진다. 그에 따라 바람직하게는, 이후 공정에서 잔여 오일도 더 이상 제거할 필요가 없으며, 그럼으로써 추가적인 공정 단계가 절감된다. 왜냐하면, 최소 윤활이란, 목표하는 제품 품질을 달성할 만큼만 필요하고 압연 공정 중에 실제로 소모되는 정도의 윤활제가 유입 측에서 도포되는 것을 의미하기 때문이다. 그 외에도 오일 에멀젼을 처리하기 위한 장치가 생략되고, 그에 따른 비용도 절감된다.

본 발명의 목적은, 앞서 설명한 종래 기술로부터 출발하여, 사전 공개되지 않은 독일 특허 출원(출원 번호: DE 10 2005 042 020.6)으로부터 공지된 방법과, 이 방법을 실행하기 위한 대응하는 장치에 있어서, 지금까지의 장점을 유지하면서, 구체적이면서도 적합한 측정 방법과, 성형 제품상의 금속 가공 조성물의 평가를 위한 장치가 제공되는 방식으로, 상기 방법 및 대응하는 장치를 개선하는 것에 있다.

상기 목적은, 방법과 관련하여 본 발명에 따라, 금속 가공 조성물의 분석이 라인 상에 분광 분석으로 이루어짐으로써 달성된다. 상기 목적은, 장치와 관련하여 본 발명에 따라, 분석 장치가 라인 상의 분광 분석 장치로서 형성됨으로써 달성되다.

금속 가공 조성물이라는 개념은, 본 명세서의 범주에서 일반적으로 성형 공정 시에, 특히 압연 공정 시에 성형 제품과 성형 장치, 특히 작업 롤 사이의 충분한 분리를 보장하는 역할을 하는 그런 물질을 나타낸다.

특허 청구항 제1항에서는, 성형 제품상에서 금속 가공 조성물을 분석하기 위한 3가지의 대안이 청구된다. 다시 말해 성형 공정 전 분석, 성형 공정 후 분석, 그리고 성형 공정 전과 그 후의 분석이 청구된다.

성형 공정에 유입하기 전에 성형 제품상에서 이루어지는 금속 가공 조성물의 분석은, 바람직하게는, 예컨대 도포가 균일한지 여부, 또는 경우에 따른 의도에서 비균일한 지의 여부와 관련한 의미에서 금속 가공 조성물의 도포 품질의 점검을 가능케 한다.

단지 성형 공정 후에 압연 제품의 표면에 잔류하는 금속 가공 조성물의 잔류량을 분석하는 것만으로도, 바람직하게는 한편으로 상기 잔류량이 너무 다량인지, 너무 소량인지, 또는 허용 가능한 정도인지의 여부를 결정할 수 있다. 그런 다음 그 정도에 따라 성형 공정 전에 성형 제품상에 도포된 금속 가공 조성물의 양이 감소하거나, 증가할 수 있거나, 또는 변화없이 그대로 유지될 수 있다. 성형 공정 후에 성형 제품상에 존재하는 금속 가공 조성물의 화학적 조성을 고려하여 분석한 결과는, 바람직하게는 성형 공정 전에 성형 제품상에 도포할 시에 금속 가공 조성물의 조성 및/또는 그 온도를 목표한 바대로 설정하는데 이용할 수 있다.

앞서 설명한 세 번째 대안, 다시 말해 성형 공정 전과 그 후에 실시하는 금속 가공 조성물의 분석은, 바람직하게는 성형 공정 중에 금속 가공 조성물의 소모량에 대한 추론을 가능케 한다. 이와 같이 측정되어 소모되는 금속 가공 조성물의 양은 그 자체로 다시금 성형 공정 중에 발생하는 열적 조건에 대한 추론을 가능케 한다. 소모되는 양 이외에도, 분광 분석을 이용하는 청구된 분석은 성형 공정 전과 그 후의 금속 가공 조성물의 화학적 조성들 간의 비교를 가능케 하며, 그리고 그 비교 결과는, 예컨대 첨가제와 같은 금속 가공 조성물의 소정의 성분의 소모량에 대한 추론, 또는 성형 공정 중 발생하는 반응 생성물의 형성에 대한 추론을 가능케 한다. 이처럼 확인되는 사건들은, 바람직한 경우라면, 다시 말해 성형과 관련한 물질이 성형 공정 중에 비로소 형성되거나, 또는 그런 성형과 관련한 물질이 더욱 이른 시기에 억제되는 경우라면, 목표한 바대로 촉진될 수 있다.

마지막으로 청구항 제1항에서 특히 바람직한 특징으로서 언급되는 점에 따르면, 금속 가공 조성물의 분광 분석은 라인 상에서 이루어진다. 그에 따라 금속 가공 조성물의 분광 분석 결과는 실시간으로 이용되고, 직접적으로, 다시 말해 성형 공정이 진행되는 중에 그 성형 공정에 영향을 줄 수 있도록 이용될 수 있다. 이런 영향은 성형 장치에, 또는 (이미 언급한 바와 같이) 도포된 금속 가공 조성물에 목표한 바대로 개루프 제어 기술 또는 폐루프 제어 기술의 측면에서 영향을 주는 식으로 이루어질 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 분광 분석은 레이저로 유도되는 시간 분해식 형광 분광 분석이거나, 또는 적외선 광 영역에서 실시하는 분광 분석이다. 적외선 광 영역에서 실시하는 분광 분석은 금속 가공 조성물의 층을 분석하는데 특히 적합한 측정 방법이다.

본 발명의 추가적인 구현 특징에 따르면, 금속 가공 조성물은 예컨대 윤활제, 냉각 윤활제, 조질 압연 유제 또는 습식 조질 압연 유제이다.

목적에 적합하게는, 본 발명의 추가적인 구현 특징에 따르면, 금속 가공 조성물에 대해 분석이 이루어진 측정 변수는 예컨대 표면 단위당 금속 가공 조성물의 양이고, 금속 가공 조성물의 조성이고, 성형 제품상에 분포된 금속 가공 조성물의 균일성이고, 그리고/또는 금속 가공 조성물의 층 두께이다. 이와 관련하여 제공되는 장점에 대해서는, 앞서 이미 기술한 실시예가 참조된다.

본 발명의 추가적인 구현 특징에 따라 권장되는 점에 따르면, 측정 변수는 폐루프 제어 변수로서 적어도 하나의 폐루프 제어 회로에 공급되고, 이 폐루프 제어 회로는 사전 설정된 설정값에 따라서 성형 제품상에 금속 가공 조성물의 도포를 야기하되, 이때 폐루프 제어 변수에 대한 설정값은, 사전 공지된 성형 공정을 기초로 할 시에 성형 공정 자체에서는 소정의 성형 파라미터를 설정하고, 그리고/또는 성형 제품이 성형된 조건에서는 각각 목표되는 정도로 품질 특징을 형성하게 하는 방식으로 사전 설정된다. 영향을 줄 수 있는 성형 파라미터는 바람직한 구현예에 따르면 예컨대 성형 장치 내에서 롤들의 압연력의 크기, 또는 그 진동 세기일 수 있다.

본 발명의 추가적인 특징에 따르면, 폐루프 제어 회로는, (금속 가공 조성물에 대한 바람직하지 못하거나, 또는 결함이 있는, 예컨대 오염된 조성을 검출하는 경우), 금속 가공 조성물의 조성을 형성하는 다양한 성분을 보유하는 저장 용기에 접근하면서 연속해서 금속 가공 조성물의 조성에 대해 사전 설정된 설정값에 상응하게 금속 가공 조성물을 혼합하거나, 또는 성형 공정이 진행되는 중에 금속 가공 조성물의 조성을 보정할 수 있도록 형성된다.

목적에 적합하게는, 본 발명의 추가적인 특징에 따르면, 설정값 계산을 위해, 성형 공정이 수학적 모델에 의해 시뮬레이션 된다.

본 발명의 추가적인 특징에 따르면, 성형된 성형 제품에 대한 품질 특징은, 성형 제품의 평면성이거나, 그 광택이거나, 또는 그 집합조직(texture)이거나, 특히 헤링본 패턴(herringbone pattern:물고기의 뼈 모양 혹은 화살의 오늬 같은 모양을 여러개 짜 맞춘 무늬)이 생기지 않는 것이다.

방법과 관련하는 본 발명의 추가적인 특징에 따르면, 금속 가공 조성물의 개별 성분들에 목표한 바대로 표지물질 또는 추적물질이 첨가된다. 이런 표지물질 및/또는 추적물질은, 원하는 경우에 따라, 금속 가공 조성물의 개별 성분들의 신호 세기를 적합한 방식으로 적응시키기 위해, 목표한 바대로 상기 개별 성분들에 첨가할 수 있다.

장치와 관련하는 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 스캐닝 중에 성형 제품상의 금속 가공 조성물에 조명을 비추기 위한 적어도 하나의 조명 장치가 제공된다. 조명 장치는, 표지물질 또는 추적물질의 작용을 활성화하거나, 또는 강화하며, 대개 검출을 개선하고, 그에 따라 예컨대 금속 가공 조성물의 양의 분포, 또는 압연 방향에 대해 횡방향으로 이루어지는 그 조성의 분포와 관련하여 분광 분석의 결과를 개선한다.

만일 검출기 장치 또는 조명 장치가 각각 성형 장치의 전방 및/또는 그 후방에 간단하게만 제공되고, 성형 제품의 폭에 비해 작게 치수화된다면, 바람직하게는 성형 제품의 전체 폭에 걸쳐 금속 가공 조성물의 검출 및 분석을 가능케 하기 위해 상기 검출기 장치 또는 조명 장치는 압연 방향에 대해 횡방향으로 이송 가능하게 형성된다. 만일 검출기 장치가 다수의 조명 부재 형태로 롤 간 간격의 전방 및/또는 그 후방에 형성된다면, 상기 조명 부재들은 굳이 이송될 필요가 없다. 물론 바람직할 수 있는 경우에 따르면, 성형 제품의 전체 폭에 걸쳐 금속 가공 조성물의 분석을 가능케 할 수 있도록, 상기 조명 부재들은 또한 성형 제품 위쪽에 압연 방향에 대해 횡방향으로 분포되어 배치된다. 검출기 장치 또는 검출기 부재들은 바람직하게는 스캐너로서 형성된다.

마지막으로, 본 발명에 대해 앞서 설명한 특징들 중 마지막에 설명한 특징에 따르면, 분석 장치는 그에 관련하는 청구항들 중 어느 하나에 따르는 방법을 실행할 수 있도록 형성된다.

본 명세서에는 총 4개의 도면이 첨부된다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예를 도시한 개략도이다.

도 2는 검출기 장치의 구성과 관련한 변형예를 도시한 개략도이다.

도 3은 본 발명의 제2 실시예를 도시한 개략도이다.

도 4는 본 발명의 제3 실시예를 도시한 개략도이다.

본 발명은 다음에서 전술한 도면과 관련하여 실시예의 형태로 상세하게 기술된다. 모든 도에서 동일한 기술적인 부재는 동일한 부재 번호로 표시된다. 각각의 부재 번호에 대한 추가 기호 "-l" 또는 "-r"은, 그에 상응하게 표시된 부재가 압연 방향(R)에서 볼 때 성형 장치(20)의 전방(-l), 또는 그 후방(-r)에 배치되는 것을 의미한다. 개관의 이유에서, 부재 번호는 다음 설명에서 일반적으로, 구체적인 사정의 설명과 관련하여 절대적으로 요구되지 않은 것으로 판단되는 점에 한해서 상기 추가 기호 없이 이용된다.

본 발명은 일반적으로 성형 공정에 공급되는 성형 제품의 표면에서 금속 가공 조성물의 층을 분석하기 위한 층 분석 방법 및 그 장치에 관한 것이다.

도 1은 제1 실시예를 도시하고 있다. 구체적으로 설명하면, 도 1은 압연기 형태의 성형 장치(20)를 상징적으로 도시하고 있다. 성형 장치(20)에는, 성형을 목적으로, 예컨대 두께 감소를 목적으로 성형 제품(40)이 공급된다. 성형 제품(40)은 압연 방향(R)으로 성형 장치(20)를 통과한다.

성형 공정을 단순화하고, 성형 공정 후에는 예컨대 평면성, 광택, 집합조직 또는 헤링본 패턴이 생기지 않는 것 등과 같은 소정의 품질 특징을 고려하여 성형 제품(40)의 품질을 개선하기 위해, 성형 장치(20) 내로 유입되기 전 성형 제품(40)에는 스프레이 붐(30)(spray boom)에 의해 금속 가공 조성물(50)이 공급된다. 금속 가공 조성물은 예컨대 윤활제, 냉각 윤활제, 조질 압연 유제, 또는 습식 조질 압연 유제일 수 있다. 금속 가공 조성물은 도 1에서 알 수 있듯이 성형 제품(40)의 윗면, 또는 그 밑면(도시하지 않았지만, 이 사항은 다음에 설명되는 모든 실시예에 적용됨)에 도포 될 수 있다.

도 1에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 성형 제품(40)의 윗면에 도포되는 금속 가공 조성물은, 성형 제품(40)과 함께 성형 장치(20)에 유입되기 전에, 본 발명에 따른 분석 장치(10)에 의해 분석된다. 본 발명에 따른 분석 장 치(10)는 성형 제품(40)의 표면에 도포되는 금속 가공 조성물(50)의 층에 대한 스캐닝 신호를 생성하기 위한 검출기 장치(12)를 포함한다. 검출기 장치(12)는 예컨대 스캐너일 수 있다.

도 2는 검출기 장치(12)를 공간상 구현하기 위한 실시예를 도시하고 있다. 도 2의 예시에 따르면, 검출기 장치는 개별 검출기 부재들(12', 12", ...), 바람직하게는 스캐너 부재들로 구성되고, 이런 부재들은 압연 방향(R)에 대해 횡방향을 이루는 방향 성분을 갖는 라인(L) 상에 위치 고정되어 배치된다. 이에 대체되는 실시예에 따르면, 검출기 장치(12)는 또한, 하나의 스캐너 부재로만 구성될 수 있지만, 이런 경우 상기 스캐너 부재는 바람직하게는 압연 방향(R)에 대해 횡방향을 이루는 방향 성분과 성형 제품(40)의 폭 방향에 따라 이송될 수 있다. 이런 두 가지 대체되는 구성으로, 예컨대 압연 방향(R)에 대해 횡방향으로 도포되는 금속 가공 조성물의 양 또는 온도 분포나, 또는 그 화학적 조성이 산출될 수 있다.

또한, 도 1에서 알 수 있듯이, 검출기 장치(12)에 의해 생성된 스캐닝 신호는 평가를 위해 분석 장치(14)로 공급된다. 분석 장치는 분광 분석 장치이며, 이런 장치는 예컨대 적외선 광 영역에서 기능하거나, 또는 레이저로 유도되는 시간 분해식 형광 분광 분석의 원리에 따라 기능한다. 분석 장치(14)는, 금속 가공 조성물(50)의 다양한 측정 변수를 고려하면서, 검출기 장치(12)로부터 수신된 스캐닝 신호를 평가한다. 이처럼 분석되는 측정 변수는, 예컨대 표면 단위당 금속 가공 조성물의 양이고, 금속 가공 조성물의 화학적 조성이고, 예컨대 압연 방향(R)에 대해 횡방향으로 성형 제품(40)상에서 이루어지는 금속 가공 조성물의 분포이고, 그 리고/또는 성형 제품(40)상에 도포되는 금속 가공 조성물(50)의 층 두께일 수 있다.

금속 가공 조성물(50)이 성형 장치(20) 내로 유입되기 전에 앞서 도 2와 관련하여 기술한 검출기 장치를 이용하여 도 1에 도시된 제1 실시예에 따라 실시되는 금속 가공 조성물(50)의 분석은 바람직하게는 예컨대 그 금속 가공 조성물이 폭 방향으로, 다시 말해 압연 방향(R)에 대해 횡방향으로 바람직하게 성형 제품(40)의 표면에 도포되었는지 여부에 대한 점검을 가능케 한다. 바람직한 경우는 대개 일정하면서도 균일한 분포이다. 그러나 이에 대체되는 실시예에 따르면, 목표한 바대로 비균일한 분포도 바람직할 수 있다. 분포는 특히 도포된 금속 가공 조성물(50)의 층 두께에 관계한다. 그러나 그 분포는 금속 가공 조성물의 국소적인 조성에도 관계할 수 있다. 만일 분석 장치(14)에 의해 실행된 분광 분석이 목표하는 양 분포와 상이한 분포를 도출한다면, 도 1에 도시한 배치에 따라 목표한 바대로 스프레이 붐(30)의 분사 노즐들 각각이 목표한 바대로 활성화되거나, 또는 비활성화되는 방식으로, 상기 스프레이 붐(30)에 영향을 줄 수 있다. 요구되는 점에서 경우에 따라 대응하는 저장 용기들에 대한 접근을 통해 상기 금속 가공 조성물의 개별 성분들이 많게 또는 좀더 적게 금속 가공 조성물에 혼합되도록 하면서, 도포되는 금속 가공 조성물의 화학적 조성에 영향을 줄 수도 있다. 스캐닝 신호의 분광 분석은 본 발명에 따라 라인 상에서 이루어진다는 사실을 바탕으로, 예시로서 기술한 보정 간섭은 거의 실시간으로 성형 공정이 진행되는 중에 실시될 수 있다.

스캐닝 과정 중에는, 금속 가공 조성물의 측정 변수에 대한 검출기 장치의 검출을 개선하기 위해, 성형 제품(40)의 표면에 도포된 금속 가공 조성물(50)은 바람직하게는 조명 수단(16)에 의해 조명을 받게 된다.

도 3은 본 발명의 제2 실시예를 도시하고 있다. 이 제2 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 분석 장치(10)는 압연 방향(R)에서 볼 때 성형 장치(20)의 후방에만 배치된다. 본원의 분석 장치(10)는 배치된 위치에서 성형 공정이 이루어진 후 성형 제품(40)의 표면(40)상에 도포된 금속 가공 조성물(50)의 분석을 가능케 한다. 그로 인해 특히 성형 공정 후에 표면상에 잔류하는 금속 가공 조성물(50)의 잔류량을 측정할 수 있다. 잔류량은 바람직하게는 예컨대 금속 가공 조성물(50)의양을 제어하는 폐루프 제어 장치로 공급될 수 있으며, 이 폐루프 제어 장치는 예컨대 최소량 윤활의 의미에서 성형 장치 전방에서 공급되는 금속 가공 조성물량을 제어한다. 최소량 윤활은, 성형 장치(20)의 유입 측에서 성형 공정 중에 필요한 정도의 금속 가공 조성물(50)만이 도포되도록 하는 것을 특징으로 한다. 자명한 사실에 따라 성형 장치(20) 후방에서 이루어지는 금속 가공 조성물(50)의 분석은 재차, 금속 가공 조성물(50)의 화학적 조성의 분석과, 이 화학적 조성에 대해 경우에 따라 요구되는 보정을 가능케 한다. 이미 앞서 도 1과 관련하여 언급한 바와 같이, 화학적 조성은 대응하는 저장 용기에 대한 접근을 통해 금속 가공 조성물의 개별 성분들의 부분량에 목표한 바대로 영향을 줌으로써 제어할 수 있다. 또한, 금속 가공 조성물 내 경우에 따른 오염이 실시간으로 검출되고 경우에 따라 제거될 수 있다. 금속 가공 조성물(50)의 오염은 예컨대 성형 장치(20) 내에서의 성형 공정 중에 금속 가공 조성물(50)과 혼합되는 유압액에 의해 이루어질 수 있다.

그 외에도 성형 공정 후에 성형 제품(40)의 표면상에 잔류하는 금속 가공 조성물의 잔류량의 화학적 조성에 대한 정보로부터, 금속 가공 조성물의 온도에 영향을 줄 수도 있다.

마지막으로 도 4는 본질적으로 제1 및 제2 실시예의 조합을 나타내는 본 발명에 대한 제3 실시예를 도시하고 있다. 이와 관련한 조합에 따르면, 제3 실시예의 경우 본 발명에 따른 분석 장치(10)가 성형 장치(20)의 전방 및 그 후방에 배치된다. 이처럼 분석 장치를 양쪽에 배치함으로써, 성형 공정의 전방 및 후방에서 금속 가공 조성물(50)에 대해 앞서 언급한 측정 변수들을 측정하고, 그런 다음 서로 비교할 수 있다. 따라서 예컨대 성형 장치(20)의 전방 및 그 후방에서 검출된 금속 가공 조성물(50)의 양으로부터, 성형 공정 중에 소모되는 금속 가공 조성물의 소모량을 추론할 수 있다. 소모량 자체로는 성형 공정 중 열적 조건에 대한 추론을 가능케 하고, 열적 조건은 성형 공정의 정보가 정확할 시에 재차 성형 공정을 실행한 후 성형 제품(40)의 품질에 대한 추론을 가능케 하고, 다시 말하면 성형 제품의 광택, 평면성, 집합조직 또는 그 거칠기 깊이에 대한 추론을 가능케 한다.

성형 장치(20)의 전방 및 그 후방에서 측정되는 금속 가공 조성물(50)의 화학적 조성의 비교는, 소정의 첨가제의 소모량에 대한 추론, 또는 성형 공정 중 반응 생성물의 형성에 대한 추론을 가능케 한다. 이런 거동은 억제될 수 있거나, 또는 완전히 목표한 바대로 촉진될 수 있다. 촉진되는 경우는, 성형과 관련하는 물질이 성형 공정 중에 비로소 형성될 때이다.

바로 위에 기술한 비교 적용을 실행하고, 금속 가공 조성물(50) 또는 성형 공정에 각각 적합하게 영향을 주기 위해, 도 4에 부재 번호 70으로 표시되는 비교기 장치 또는 폐루프 제어 장치가 요구될 수 있다.

폐루프 제어 장치(70)는, 특히 성형 제품(40)에 대해 앞서 설명한 사전 정의되는 품질 특징을 고려하면서 성형 공정에 대한 수학적 모델을 기반으로 성형 공정 전체를 적합하게 폐루프 제어할 수 있도록 형성될 수 있다. 이런 품질 특징을 실현하기 위해, 상기 폐루프 제어 장치(70)에는 실제값들을 나타내는 적합한 측정 변수들이 공급되고, 전형적으로 사전 지정된 설정값들과 비교된다. 따라서 예컨대 표면 단위당 금속 가공 조성물(50)의 양, 이 금속 가공 조성물의 온도, 그 화학적 조성, 또는 성형 제품의 표면에서 나타나는 금속 가공 조성물의 분포와 같이 앞서 정의되고 본 발명에 따른 평가 장치(14)에 의해 산출된 측정 변수들 역시도 폐루프 제어 장치(70)로 공급되고, 성형 공정에 대한 수학적 모델의 고려 하에 적합하게 평가된다. 도 4의 측정 장치(60)는 예시에 따라 폐루프 제어 장치(70)에 대한 입력 변수로서 분석 장치(14)에 의해 제공되지 않는 나머지 측정 변수들을 제공한다. 성형 제품의 목표하는 품질 특징을 실현하기 위해, 폐루프 제어 장치(70)는, 수신된 측정 변수의 평가 후에 성형 공정에 대한 수학적 모델을 이용하면서 적합한 방식으로 성형 공정에 작용할 수 있는 방식으로 형성된다. 이런 작용은 전통적으로 특히 성형 장치(20)에서의 압연력의 조정에 의해 이루어지지만, 대응하는 영향은 본 발명에 따라서도 앞서 실시예들과 관련하여 이미 기술한 바와 같이 도포된 금속 가공 조성물(50)의 양, 화학적 조성, 분포, 또는 그 온도에 관계할 수도 있다.

Claims (15)

1. 금속 가공 조성물(50)의 조성을 고려하면서 분광 분석을 이용하여 성형 제품(40)의 표면 상에 도포된 상기 금속 가공 조성물(50)의 층을 분석하기 위한 층 분석 방법에 있어서,

   상기 금속 가공 조성물의 화학적 조성은 압연 공정 형태의 성형 공정의 전과 후에 라인 상에서 분석되고;

   압연 공정 중에 소모되는 상기 금속 가공 조성물의 성분들에 대한 소모량을 파악하기 위해서, 압연 공정 전의 상기 금속 가공 조성물의 조성이 압연 공정 후의 상기 금속 가공 조성물의 조성과 비교되며;

   압연 공정 전의 상기 금속 가공 조성물의 화학적 조성의 보정이 이루어지는; 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 분광 분석은 레이저로 유도되는 시간 분해식 형광 분광 분석이거나, 또는 적외선 광 영역에서의 분광 분석인 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 가공 조성물(50)은 윤활제이거나, 냉각 윤활제이거나, 조질 압연 유제이거나, 또는 습식 조질 압연 유제인 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 가공 조성물(50)에 대해 분석되는 측정 변수들은, 상기 성형 제품(40)상에 도포되는 상기 금속 가공 조성물(50)의 양, 그 금속 가공 조성물(50)의 조성, 그 금속 가공 조성물(50)의 분포의 균일성과 그 금속 가공 조성물(50)의 층 두께 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
5. 제 4 항에 있어서, 상기 측정 변수들은 폐루프 제어 변수로서 적어도 하나의 폐루프 제어 회로에 공급되고, 이 폐루프 제어 회로는 사전 설정된 설정값들(Soll)에 따라 성형 제품(40)상에 상기 금속 가공 조성물(50)의 도포를 야기하며, 폐루프 제어 변수에 대한 상기 설정값들은, 성형 공정 자체에서 성형 파라미터를 설정하는 방식과 성형 제품에 있어서 각각 목표하는 정도로 품질 특성을 형성하는 방식 중의 하나 이상의 방식으로 사전 설정되는 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
6. 제 5 항에 있어서, 영향을 줄 수 있는 성형 파라미터는, 롤들의 압연력의 크기이거나, 또는 그 진동 세기인 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 폐루프 제어 회로는, 금속 가공 조성물에 대해 바람직하지 못하거나 결함이 있는 조성이 검출된 경우에, 상기 금속 가공 조성물의 조성을 형성하는 다양한 성분들을 보유하는 저장 용기에 접근하면서, 연속해서 상기 금속 가공 조성물의 조성에 대해 사전 설정된 설정값들에 상응하게 상기 금속 가공 조성물을 혼합할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 설정값 계산을 위해, 성형 공정이 수학적 모델에 의해 시뮬레이션 되는 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
9. 삭제
10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 가공 조성물의 개별 성분들에 표지물질 또는 추적물질이 첨가되는 것을 특징으로 하는 층 분석 방법.
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제
15. 삭제

Images