KR101016336B1 - 플래시 메모리소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
상기 웰영역의 불순물 도핑농도보다 상기 문턱전압조절용 이온이 주입된 영역의 불순물 도핑농도가 높을 수 있다.
상기 문턱전압조절용 이온이 주입된 영역을 형성하는 단계는, 1E16 내지 1E17ion/㎤ 범위의 도즈량 및 10 내지 15KeV 범위의 이온주입에너지를 사용하여 실시할 수 있다.
상기 웰영역을 형성하는 단계는, 1E15 내지 1E16ion/㎤ 범위의 도즈량 및 200 내지 250KeV 범위의 이온주입에너지를 사용하여 실시할 수 있다.
상기 스페이서는 상기 유전체막과 동일한 물질 및 공정한 공정조건을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 적층구조물을 형성하기 이전에 상기 유전체막 상에 버퍼막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이때, 버퍼막은 상기 적층구조물을 형성하는 과정에서 하부구조물을 보호함과 동시에 식각마스크로 작용한다.
Claims (6)
- 반도체기판 소정영역에 이온주입공정을 통해 웰영역을 형성하는 단계;상기 반도체기판 전면에 터널산화막, 도전막 및 유전체막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 터널산화막, 상기 도전막 및 상기 유전체막을 선택적으로 식각하여 상기 웰영역의 반도체기판 상에 상기 터널산화막, 상기 도전막 및 상기 유전체막이 순차적으로 적층된 적층구조물을 형성하는 단계;상기 적층구조물 양측에 스페이서를 형성하는 단계;상기 적층구조물 및 상기 스페이서를 이온주입용 마스크로 상기 이온주입공정을 실시하여 상기 적층구조물 양측의 상기 웰영역의 표면에 문턱전압조절용 이온이 주입된 영역을 형성하는 단계;상기 스페이서를 포함한 상기 적층구조물을 감싸도록 상기 웰영역의 반도체기판 상에 콘트롤게이트전극을 형성하는 단계; 및상기 콘트롤게이트전극을 이온주입용 마스크로 이온주입공정을 실시하여 상기 웰영역에 소스/드레인영역을 형성하는 단계를 포함하는 플래시 메모리소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 웰영역의 불순물 도핑농도보다 상기 문턱전압조절용 이온이 주입된 영역의 불순물 도핑농도가 높은 플래시 메모리소자의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 문턱전압조절용 이온이 주입된 영역을 형성하는 단계는,1E16 내지 1E17ion/㎤ 범위의 도즈량 및 10 내지 15KeV 범위의 이온주입에너지를 사용하여 실시하는 플래시 메모리소자의 제조방법.
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- 제1항에 있어서,상기 스페이서는 상기 유전체막과 동일한 물질 및 동일한 공정조건을 사용하여 형성하는 플래시 메모리소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,상기 적층구조물을 형성하기 이전에 상기 유전체막 상에 버퍼막을 형성하는 단계를 더 포함하는 플래시 메모리소자의 제조방법.
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