KR20050007634A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 반도체기판 소정영역에 이온주입공정을 통해 웰영역을 형성하는 단계;상기 결과물 상부 전면에 터널산화막 및 도전층막을 순차적으로 형성한 후 패터닝공정을 수행하여 플로팅게이트전극을 형성하는 단계; 및상기 플로팅게이트전극 측벽에 스페이서를 형성하고, 상기 스페이서 및 플로팅게이트전극을 이온주입용 마스크로 이온주입공정을 수행하여 상기 웰영역의 표면에 문턱전압조절용 이온이 형성된 영역을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 터널산화막은750~ 800℃ 정도의 온도에서 산화공정을 진행한 후 900~ 910℃ 정도의 온도범위와 N2의 기체분위기에서 약 20~ 30분 동안 1000℃ 정도의 온도에서 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 문턱전압조절용 이온이 형성된 영역은1E16 내지 1E17ion/㎤ 정도의 도즈량, 이온 주입에너지는 10 내지 15KeV 정도의 이온주입에너지로 수행하는 이온주입공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 웰영역은1E15 내지 1E16ion/㎤ 정도의 도즈량, 이온 주입에너지는 200 내지 250KeV 정도의 이온주입에너지로 수행하는 이온주입공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 형성된 플로팅게이트전극 상부에 유전체막, 콘트롤게이트전극용 폴리실리콘막 및 금속실리사이드막을 증착한 후 패터닝공정을 수행하여 콘트롤게이트전극을 형성하고, 상기 콘트롤게이트전극 및 플로팅게이트전극을 이온주입용 마스크로 이온주입공정을 수행하여 소스/드레인영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,상기 플로팅게이트전극을 형성하는 패터닝공정시 하부에 위치한 상기 터널산화막 및 도전층의 손상을 방지하는 버퍼층의 역할을 수행하는 식각마스크를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
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