KR100970097B1 - 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (7)
- 일반 소자영역과 정전 방전 소자영역이 정의된 기판의 각 영역에 게이트절연막과 게이트전극을 적층 형성하는 단계;상기 각 게이트전극 양측의 상기 기판에 소오스/드레인영역을 형성하는 단계;이온주입 마스크를 이용하여 상기 정전 방전 소자영역의 상기 드레인영역 하부에만 제 1 도전형 불순물영역을 형성하는 단계;상기 정전 방전 소자영역의 상기 제 1 도전형 불순물영역 하부에만 제 2 도전형 불순물영역을 형성하는 단계;상기 각 영역의 소오스/드레인영역에 선택적으로 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형 불순물영역은 N+ 불순물영역인 것을 특징으로 하는 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 도전형 불순물영역은 P- 불순물영역인 것을 특징으로 하는 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 소오스/드레인영역은 제 1 도전형 이온을 1E15 ~ 5E16 ions/㎠의 도즈량을 갖도록 주입하고, 이온 주입 에너지는 20KeV ~ 80KeV가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형 불순물영역은 제 1 도전형 이온을 1E15 ~ 5E16 ions/㎠의 도즈량을 갖도록 주입하고, 이온 주입 에너지는 50KeV ~ 200KeV가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 도전형 불순물영역은 제 2 도전형 이온을 1E13 ~ 1E15 ions/㎠의 도즈량을 갖도록 주입하고, 이온 주입 에너지는 20KeV ~ 200KeV가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 이온 주입 마스크는 상기 정전 방전 소자영역의 상기 게이트전극으로 부터 접합 깊이의 0.7 ~ 2배가 되는 부분이 오픈된 것을 사용함을 특징으로 하는 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030027009A KR100970097B1 (ko) | 2003-04-29 | 2003-04-29 | 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020030027009A KR100970097B1 (ko) | 2003-04-29 | 2003-04-29 | 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040095975A KR20040095975A (ko) | 2004-11-16 |
KR100970097B1 true KR100970097B1 (ko) | 2010-07-16 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020030027009A KR100970097B1 (ko) | 2003-04-29 | 2003-04-29 | 정전 방전 소자를 구비한 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100970097B1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990011232A (ko) * | 1997-07-22 | 1999-02-18 | 문정환 | 반도체장치의 제조방법 |
KR20000027621A (ko) * | 1998-10-28 | 2000-05-15 | 김영환 | 정전기 보호회로를 구비한 반도체 장치의 제조방법 |
-
2003
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990011232A (ko) * | 1997-07-22 | 1999-02-18 | 문정환 | 반도체장치의 제조방법 |
KR20000027621A (ko) * | 1998-10-28 | 2000-05-15 | 김영환 | 정전기 보호회로를 구비한 반도체 장치의 제조방법 |
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